JP2009044115A - ワイヤボンディング方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置のワイヤボンディングにおいて、ボンディングの際に他のボンディング済みのワイヤに損傷が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ11と各半導体チップ11のパッド13に対応する複数のリード17とを含むブロック70毎に封止して製造される半導体装置10の半導体チップ11のパッド13とリード17とをワイヤ21で接続するワイヤボンディング方法であって、ブロック70に含まれる全ての半導体チップ11の表面のパッド13及びリード17上に超音波加振を伴ってバンプ22,24を形成した後、パッド13及びリード17上に形成された各バンプ22,24の間をワイヤ21で超音波加振を行わずに接続する。
【選択図】図3
【解決手段】半導体チップ11と各半導体チップ11のパッド13に対応する複数のリード17とを含むブロック70毎に封止して製造される半導体装置10の半導体チップ11のパッド13とリード17とをワイヤ21で接続するワイヤボンディング方法であって、ブロック70に含まれる全ての半導体チップ11の表面のパッド13及びリード17上に超音波加振を伴ってバンプ22,24を形成した後、パッド13及びリード17上に形成された各バンプ22,24の間をワイヤ21で超音波加振を行わずに接続する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置のワイヤのボンディング方法及び半導体装置の構造に関する。
ICなどの半導体装置の組立工程には半導体のチップとリードフレームとの間をワイヤで接続するワイヤボンディング工程がある。ワイヤボンディング工程は、ワイヤが挿通されたキャピラリを用い、トーチ電極からの放電によりキャピラリから突出したワイヤの先端にボールを形成し、キャピラリを半導体チップのパッド上に位置させ第1ボンディングを行った後、キャピラリをリードフレームのリード上に移動させ第2ボンディングを行うことにより、半導体チップとリードフレームとの間をワイヤによって接続する方法が一般的に用いられている(例えば、特許文献1参照)。
上記のようなワイヤボンディング方法においては、パッド面上のワイヤの突出量が大きく、半導体装置を薄くできないため、第1ボンディングのボールボンディングをリードに行い第2ボンディングとしてステッチボンディングを半導体チップのパッドに行う方法がある。しかし、ステッチボンディングを半導体チップのパッドに行うとボンディングツールが半導体チップの表面に当たり、半導体チップを損傷させてしまう場合がある。そこでこのようなボンディングを行う場合にはボンディング前に予めパッド上に緩衝材としてのボールバンプを形成しておき、このボールバンプの上に第2ボンディングのステッチボンディングを行う方法がある(例えば、特許文献2参照)。
また、多段積層の半導体装置において、リードにボールボンディングを行い、ボールバンプを形成したパッド上にステッチボンディングを行ってリードと一段目の半導体チップのパッドとを接続した後、一段目の半導体チップのバンプ上であって先のステッチボンディングによって接続されたワイヤに接触しないような位置にボールボンディングを行い、二段目の半導体チップのパッド上に形成されたボールバンプ上にステッチボンディングを行って、リードと一段目、二段目の半導体チップの各パッドとを接続する方法が提案されている(例えば、特許文献3参照)。これによって、一段目の半導体チップと二段目の半導体チップとの間にワイヤ接続を行う際に、リードと一段目の半導体チップとの間に既に接続されたワイヤを変形させたり、損傷させたりすることを防止することができる。
ところで、近年の半導体装置の製造においては、各半導体チップを個別に樹脂封止する個別封止法に代わって、複数の半導体チップを一括して樹脂封止する一括封止法が多く用いられるようになってきている。この一括封止法を用いる場合には、半導体チップの取り付けられる複数のアイランドとそれに対応する複数のリードとを密集させて1つのブロックとして配置し、裏側に封止剤の漏れ防止用のテープが貼り付けられたリードフレームが用いられる。このようなリードフレームをボンディングのためにボンディングステージに固定する場合、裏面のテープを介してボンディングステージに真空吸着されることと、複数の半導体チップが密集したブロックの周辺でリードフレームを上から押さえることから、リードフレームのボンディングステージへの固定状態があまりよくないので、ワイヤボンディングの際にワイヤが振動を起こすという問題があった。
例えば、あるワイヤをボンディングする際にそのワイヤへの超音波加振によって既にボンディングが終了している他のワイヤのリードとのボンディング部或いはパッド側のボールネックにクラックがはいり、断線の原因となるという問題があった。特にボンディングするワイヤと既にボンディングされているワイヤとが隣接していない場合であっても、ボンディング済みのワイヤに振動が発生し、ワイヤ、あるいはボールネックに損傷が起こり、それにより断線につながるという問題があった。
しかし、特許文献1から3には、このようなボンディングの際に隣接していないボンディング済みワイヤに損傷が発生するということについては記載が無く、特許文献1から3に記載の従来技術では、このような問題は解決されていなかった。
本発明は、ボンディングの際に他のボンディング済みワイヤに損傷が発生することを抑制することを目的とする。
本発明のワイヤボンディング方法は、少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとを含むブロック毎に一括封止して製造される半導体装置の半導体チップのパッドとリードとをワイヤで接続するワイヤボンディング方法であって、ブロックに含まれる全ての半導体チップ表面のパッド及びリード上にバンプを形成するバンプ形成工程と、バンプ形成工程の後に、超音波加振を行わずにパッド及びリード上に形成された各バンプの間をワイヤで接続するワイヤ接続工程と、を有することを特徴とする。
本発明のワイヤボンディング方法において、ワイヤ接続工程は、パッド又はリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにワイヤをボンディングする第1ボンド工程と、パッド又はリードからリード又はパッドに向かってワイヤをルーピングするルーピング工程と、ルーピングされたワイヤをリード又はパッド上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングする第2ボンド工程と、を有すること、としても好適であるし、第1ボンド工程は、キャピラリに挿通され、その下端より突出させたワイヤの先端に形成したイニシャルボールをパッド又はリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングするボールボンディング工程であること、としても好適であるし、バンプ形成工程は、超音波加振を行わずにバンプを形成すること、としても好適である。
また、本発明のワイヤボンディング方法において、第1ボンド工程は、キャピラリに挿通され、その下端より突出させたワイヤの先端に形成したイニシャルボールをパッドまたはリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングするボールボンディング工程と、ボールボンディング工程により形成されたボールネックをキャピラリで押し潰し、押し潰したボールネック上に折り返したワイヤの側面を押し付けて押し付け部を形成する押し付け部形成工程と、を含み、ルーピング工程は、押し付け部からリードまたはパッドに向かってワイヤをルーピングすること、としても好適である。
本発明の半導体装置は、少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとをワイヤで接続し、少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとを含むブロック毎に一括封止して製造する半導体装置であって、半導体チップ表面のパッドとリードとに形成されたバンプと、ブロックに含まれる全ての半導体チップ表面のパッドとリードとにバンプを形成した後に、超音波加振を行わずにパッド及びリード上に形成された各バンプの間を接続したワイヤと、を有することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、ワイヤは、パッド又はリード上に形成されたバンプにボンディングされ、パッド又はリードからリード又はパッドに向かってルーピングされた後、リード又はパッド上に形成されたバンプにボンディングされたこと、としても好適であるし、バンプは、超音波加振を行わずに形成されていること、としても好適である。
本発明は、ボンディングの際に他のボンディング済みワイヤに損傷が発生することを抑制することができるという効果を奏する。
以下、本発明のワイヤボンディング方法及び半導体装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、樹脂一括封止法によって半導体装置を製造する場合のリードフレーム12は、半導体チップが取り付けられるアイランド15とアイランド15に取り付けられる半導体チップ表面のパッドに対応するリード17とが複数設けられている。各アイランド15と各アイランド15に対応するリードの一組は1つのセグメント50を構成する。各セグメント50は、半導体チップの取り付け、ワイヤボンディング、樹脂封止の後、その間に設けられた切断領域60を切断することによって、それぞれが1つの半導体装置となる区域をいう。セグメント50はリードフレーム12に密集して設けられ、複数のセグメント50によって1つのブロック70が構成される。ブロック70は、樹脂封止の際に一括して封止される範囲である。また、ワイヤボンディングの際にブロック70の外周を押さえフレーム71によって上から押さえて固定することができるように各ブロックの周囲にはスペースが設けられている。
図2に示すように、リードフレーム12の裏面には、封止用の樹脂がアイランド15とリード17との間から漏れないように再剥離可能なテープ16が貼り付けられている。このようなリードフレーム12は、アイランド15の上に半導体チップ11が取り付けられた後、ボンディングステージ53の上に搬送され、ボンディングステージ53の真空吸着孔55によってテープ16を介してボンディングステージ53に真空吸着されると共に、押さえフレーム71によって各ブロック70の周囲を上から押さえられてボンディングステージ53に固定される。そして、各半導体チップ11の各パッド13と各リード17の上にバンプ22,24が形成された後、各バンプ22,24の間がワイヤ21によって接続される。
リードフレーム12がボンディングステージ53の上に固定されると、図3に示すように、各アイランド15に取り付けられた各半導体チップ11の表面の各パッド13と各リード17の上に金のバンプ22、24を超音波加振と圧接によって形成する。そしてブロック70に含まれる全てのパッド13及びリード17の上に金のバンプ22,24を形成した後に、超音波加振を行わずに圧接のみにより各アイランド15に取り付けられた各半導体チップ11の表面の各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続していく。そして、ブロック70に含まれる全てのパッド13とそれに対応するリード17の各バンプ22,24の間をワイヤ21によって接続した後、ボンディングステージ53の真空を開放し、押さえフレーム71を上昇させ、リードフレーム12の次のブロック70がボンディングステージ53の上に来るように移動させる。このようにして順次各ブロック70に含まれるパッド13とリード17との間をワイヤ21でボンディングしていく。そして、リードフレーム12にある全ての半導体チップ11のパッド13と対応するリード17との間の接続が終了すると、次の工程でリードフレーム12はブロック70ごとに樹脂によって一括封止され、その後切断領域60を切断して各半導体装置10が製造される。
このような半導体装置は樹脂封止したパッケージから外部接続電極が突出せず、パッケージ裏面に外部接続電極が形成されているもので、QFN(Quad Flat Non−leaded Package)と呼ばれている。
本実施形態では、超音波加振は、各ブロック70に含まれるパッド13、リード17がワイヤ21によって接続されず、それぞれ独立している際にのみ用いられ、ボンディング済みのワイヤ21に隣接した位置でワイヤ21の接続を行う際には超音波加振は使用されず、圧接のみによってワイヤ21が接続される。このため、ボンディングの際に同じブロック70にある他のボンディング済みのワイヤ21に損傷が発生することを抑制することができるという効果を奏する。
また、図1に示すように各ブロック70の間にはスペースがあることと、ブロック70毎にボンディングの際に周囲を押さえフレーム71によって押さえられていることから、1つのブロック70のバンプ22,24形成の際の超音波加振による振動は隣り合うブロック70に含まれる接続済みのワイヤ21には及ばない。このため、1つのブロック70のボンディングの際に他のブロック70のボンディング済みのワイヤ21に損傷が発生することを抑制することができるという効果を奏する。
本実施形態では、1つのブロック70には複数の半導体チップ11と複数のリードとが含まれていることとして説明したが、1つのブロック70に含まれる半導体チップは1つであってもよい。また、本実施形態では、金のバンプ22、24を超音波加振と圧接によって形成した後、超音波加振を行わずに圧接のみにより各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続していくこととして説明したが、バンプ形成、ワイヤの接続の際に加熱を行うこととしてもよい。この場合には、超音波加振しながら加熱と圧接によって金のバンプ22、24を形成した後、超音波加振を行わずに加熱と圧接のみにより各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続する。
以下、ワイヤボンディングの詳細について説明する。図4に示すように、半導体装置10は裏面にテープ16が貼り付けられたリードフレーム12のアイランド15に取り付けられた半導体チップ11の表面にあるパッド13の上に形成されたバンプ22とリードフレーム12のリード17の上に形成されたバンプ24と、各バンプ22,24との間を接続するワイヤ21とを備えている。ワイヤ21は、半導体チップ11の表面にあるパッド13の上に形成されたバンプ22の上にボールボンディングによって接合された圧着ボール23と、圧着ボール23からワイヤ21に向かって断面積が小さくなっていくボールネック25と、ボールネック25から半導体チップ11の厚さ方向に立ち上がり、リード17に向かうルーピング部と、リード17の上のバンプ24に接合されたステッチボンディング部27と、を含んでいる。
図5(a)に示すように、パッド13の上には厚みのある円板状のバンプ基部22aと、バンプ基部22aの上にあってバンプ基部22aよりも少し直径が小さくなっているバンプワイヤ22bと、バンプワイヤ22b上にあってバンプ基部22aと略同じ大きさの圧着ボール23とが順に重なって接合されている。圧着ボール23の上面にはワイヤ21よりも少し太くなった円柱状のボールネック25が形成され、ボールネック25はワイヤ21に続いている。
図5(b)に示すように、リード17の上に形成されたバンプ24はパッド13の上に形成されたバンプ22と同様の形状となっており、バンプ24の上に接合されたワイヤ21のステッチボンディング部27の端部はキャピラリの形状に沿った傾斜面形状となっている。
ボンディング工程について、図6〜図14を参照しながら説明する。まず、図6から図9を参照しながらバンプ形成工程について説明する。図6に示すように、キャピラリ41に挿通された金のワイヤ21の先端にイニシャルボール29を形成する。そして、図7に示すように、キャピラリ41によってワイヤ21の先端部に形成されたイニシャルボール29をパッド13の上に超音波加振しながら押し付けて圧接する。これによってパッド13の上には金の圧着ボール23が形成される。圧着ボール23の形成後、図8に示すように、ワイヤ21を繰り出しながらキャピラリ41を上昇させると共に横方向に移動させる。本実施形態では、キャピラリ41をパッド13からリード17側に向かって横に移動させているが、横移動の方向はこれに限られない。そして、図9に示すように、キャピラリ41を降下させて、圧着ボール23の上に繰り出した金のワイヤ21を圧着ボール23の上に押し付けると、圧着ボール23は圧縮されて金のバンプ基部22aとなり、ワイヤ21は変形して金のバンプワイヤ22bとなる。バンプ基部22aとバンプワイヤ22bは金のバンプ22を構成する。この後、キャピラリ41は先端にワイヤ21を繰り出しながら上昇し、その後図示しないクランパを閉とすることによってワイヤ21を切断し、バンプ形成工程が終了する。パッド13へのバンプ形成工程が終了したら、図6から図9の1点鎖線で示すように、キャピラリ41をリード17の上に移動させて、パッド13へのバンプ形成工程と同様の動作によってリード17の上に金のバンプ24を形成する。以上説明したように、バンプ形成工程では超音波加振を行いながらワイヤ21を圧接することによってバンプの形成を行う。
このバンプ形成工程は、図1から図3に示した一括樹脂封止されるブロック70に含まれる全てのパッド13及びリード17に行う。
図1から図3に示した一括樹脂封止されるブロック70に含まれる全てのパッド13及びリード17の上にバンプ22,24を形成したら、図10から図11に示すように第1ボンド工程を行う。図10に示すように、キャピラリ41に挿通された金のワイヤ21の先端にイニシャルボール29を形成する。そして、図11に示すように、キャピラリ41を降下させて超音波加振を行なわずにイニシャルボール29をバンプ22の上に押し付ける。バンプ22は金のワイヤ21を形成することによって構成されているので、金製であり、イニシャルボール29も金線のワイヤを形成していることから金製である。このため、イニシャルボール29のバンプ22への圧接は接合しやすい金と金との圧接となることから、超音波加振を行わなくとも圧接のみにより必要な強度を持って接合することができる。
イニシャルボール29をバンプ22に接合した後、ルーピング工程を行う。図12に示すように、先端に金のワイヤ21を繰り出しながらキャピラリ41を上昇させると共にリード17と反対方向に向かって横に移動させる。そして、図13に示すように、更にワイヤ21を繰り出しながらキャピラリ41をリード17に向かって移動させていく。
図14に示すように、ルーピング工程の後、キャピラリ41をリード17の上のバンプ24に向かって降下させ、超音波加振を行わずにワイヤ21をバンプ24に押し付ける第2ボンド工程を行う。バンプ24も金のワイヤ21を形成することによって構成されているので、金製であるため、ワイヤ21のバンプ24への圧接は接合しやすい金と金との圧接となることから、超音波加振を行わなくとも圧接のみにより必要な強度を持って接合することができる。ワイヤ21をバンプ24に押し付けると、その端面がキャピラリ41の形状に形成されたステッチボンディング部27が形成される。
以上の第1ボンド工程、ルーピング工程、第2ボンド工程を図1から図3に示すブロック70の全てのパッド13とそれに対応するリード17の各バンプ22,24間で行って、ブロック70の全てのパッド13とリード17の上に形成された各バンプ22,24とを超音波加振を行わずに圧接のみにより接続した後、図2に示すボンディングステージ53の真空を開放し、押さえフレーム71を上昇させ、リードフレーム12の次のブロック70がボンディングステージ53の上に来るように移動させる。このようにして順次各ブロック70に含まれるパッド13とリード17の各バンプ22,24の間をワイヤ21でボンディングしていく。
以上述べたように、本実施形態は、1つのブロック70の全てのパッド13とリード17がワイヤ21によって接続されず、それぞれ独立している際にのみ超音波加振を伴って各パッド13及びリード17の上に金のバンプ22,24を形成した後、超音波加振を使わずに圧接のみによりパッド13とリード17の上に形成された各バンプ22,24の間を金のワイヤ21で接続するので、ボンディング済みのワイヤ21に隣接した位置でワイヤ21の接続を行う際には超音波加振は使用されない。
このため、同じブロック70にあるボンディング済みのワイヤ21が超音波加振による振動によって損傷することを抑制し、ボンディングの際に他のボンディング済みワイヤ21に損傷が発生することを抑制することができるという効果を奏する。
本実施形態では、パッド13の上のバンプ22にボールボンディングを行い、リード17の上のバンプ24にステッチボンディングを行うこととして説明したが、リード17の上のバンプ24にボールボンディングを行い、ワイヤをパッド13の上にルーピングしてパッド13の上のバンプ22にステッチボンディングを行うようにしてもよい。また、本実施形態では、金のバンプ22、24を超音波加振と圧接によって形成した後、超音波加振を行わずに圧接のみにより各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続していくこととして説明したが、バンプ形成、ワイヤの接続の際に加熱を行うこととしてもよい。この場合には、超音波加振しながら加熱と圧接によって金のバンプ22、24を形成した後、超音波加振を行わずに加熱と圧接のみにより各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続する。
図15から図17を参照しながら、他の実施形態について説明する。なお、先に説明した実施形態と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。図15に示すように、半導体装置10は裏面にテープ16が貼り付けられたリードフレーム12のアイランド15に取り付けられた半導体チップ11の表面にあるパッド13の上に形成されたバンプ22とリードフレーム12のリード17の上に形成されたバンプ24と、各バンプ22,24との間を接続するワイヤ21とを備えている。ワイヤ21は半導体チップ11の表面にあるパッド13の上にボンディングによって接合された圧着ボール23と、図4又は5に示したボールネック25を押し潰し、押し潰したボールネック25上に折り返したワイヤ21の側面を押し付けて形成した押し付け部26と、押し付け部26からリード17に向かうルーピング部と、リード17の上のバンプ24に接合されたステッチボンディング部27と、を含んでいる。
図16に示すように、半導体チップ11表面のパッド13の上に形成された押し付け部26は、パッド13の上の圧着ボール23の上に図4又は5に示したボールネック25が押し潰されてその上面が平面状に成形された押し潰し部25aと、この押し潰し部25aからリード17と反対側に凸となるようにワイヤ21が折り返された折り返し部26aと、折り返し部26aに続くワイヤ21側面が押し潰し部25aに向かって押し付けられ、上側の面が押し付けの際にキャピラリによって平面状に形成された平面部26bが形成されている。この平面部26bのパッド13側の面は押し潰し部25aの上側の面に押し付けられている。また、ワイヤ21とリード17の上のバンプ24との接合部は図5(b)を参照して説明した先の実施形態と同様の構成となっている。
以下、図17を参照しながら本実施形態のボンディング方法について説明する。パッド13及びリード17の上にバンプ22,24を形成するバンプ形成工程は図6から図9を参照しながら説明した実施形態と同様であるので説明は省略する。
先に説明した実施形態と同様に、キャピラリ41によってワイヤ21の先端部に形成された図示しないイニシャルボールをパッド13の上に形成されたバンプ22に超音波加振を使用しないで押し付けて圧接すると共に、パッド13に形成されたバンプ22の上に圧着ボール23とボールネック25とを形成する第1ボンド工程を行う。
第1ボンド工程の後、図17(a)から図17(f)に示すように超音波加振を行わずに押し付け圧力のみによって押し付け部26の形成を行う押し付け部形成工程が行われる。なお、図17(a)から図17(f)においてはリード17の記載が省略されているが、図中の右側がリード17側である。押し付け部形成工程では、図17(a)に示すように、ワイヤ21を繰り出すと共にキャピラリ41を上昇させた後、図17(b)に示すようにキャピラリ41のリード17側のフェイス部43がボールネック25の上部に来るまでリード17と反対方向にキャピラリ41を移動させる。この際ワイヤ21はボールネック25からリード17と反対の方向に傾斜した状態となっている。そして、図17(c)に示すように、キャピラリ41を降下させてキャピラリ41のフェイス部43でボールネック25を押し潰し、圧着ボール23の上に押し潰し部25aを形成する。押し潰し部25aの上面は、キャピラリ41のフェイス部43によって押し潰されているのでフェイス部43の形状に沿った平面状となっている。また、ワイヤ21は押し潰し部25aのリード17と反対側に折れ曲がると共に、キャピラリ41のストレート孔47のリード17と反対側の内面に沿ってパッド13の垂直方向に向かって伸びた状態となっている。
そして、図17(d)に示すように、再度ワイヤ21を繰り出すと共にキャピラリ41を上昇させる。すると、ワイヤ21はキャピラリ41のストレート孔47に沿って直線上に繰り出される。そして、図17(e)に示すように、キャピラリ41をリード17の方向に移動させる。するとキャピラリ41のインナチャンファ部45によってワイヤ21はリード17の方向に向かって押され、押し潰し部25aに続く曲がり部25bで折り曲げられる。そして、キャピラリ41のリード17と反対側にあるフェイス部43が圧着ボール23の上に来る位置まで、キャピラリ41をリード17の方向に移動させる。そして、図17(f)に示すように、キャピラリ41を下降させ、ボールネック25を押し潰して形成された押し潰し部25aの上にワイヤ21の側面を押し付ける。このワイヤ21の押し付けによって、ワイヤ21の折れ曲がり部分は押し潰し部25aの方向に向かって折り返され、折り返し部26aが形成される。ワイヤ21の押し付け部26のパッド13側は、押し付けによって押し潰し部25aの上面に押し付けられ、押し付け部26の上面はキャピラリ41のフェイス部43によって平面が形成される。押し付け部形成工程が終了した状態では、キャピラリ41はパッド13のボンディング中心線28よりもリード17の側に寄った位置となっている。
以上述べたようなボンディング方法によって、パッド13上に形成されたバンプ22の表面にワイヤ21が折り返されて押し付けられている押し付け部26が形成される。この押し付け部26は、その下面が圧着ボール23の上に形成された押し潰し部25aへ押し付けられている。
本実施形態は、先に説明した実施形態と同様の効果に加えて、半導体チップ11のパッド13からリード17に向けてワイヤボンディングを行う場合であってもパッド13の上方へのワイヤ突出量が小さいことから、先に説明した実施形態よりも半導体装置10の厚さを薄くすることができるという効果を奏する。
本実施形態では、パッド13からリード17に向けてボンディングを行うこととして説明したが、本実施形態はリード17からパッド13に向けてボンディングを行う場合にも適用することができる。また、本実施形態では、先に説明した実施形態と同様、バンプ形成、ワイヤの接続の際に加熱を行うこととしてもよい。この場合には、超音波加振しながら加熱と圧接によって金のバンプ22、24を形成した後、超音波加振を行わずに加熱と圧接のみにより各パッド13とそれに対応する各リード17の各バンプ22,24の間を順次ワイヤ21によって接続する。
以上説明した各実施形態では、超音波加振を行いながらの圧接或いは、超音波加振を行いながらの加熱と圧接によって各パッド13とリード17の上に金のバンプ22,24を形成することとして説明したが、各パッド13、リード17を形成する金属材料によっては超音波加振をせずに圧接のみ或いは加熱と圧接のみによってバンプ22,24を形成することとしてもよい。この場合、先に説明した各実施形態と同様の効果を奏すると共に、超音波加振による振動がリードフレーム12に伝わることが無いのでリードフレーム12の固定状態が良くない場合であってもリードフレーム12がダメージを受けることを低減することができるという効果を奏する。
10 半導体装置、11 半導体チップ、12 リードフレーム、13 パッド、15 アイランド、16 テープ、17 リード、21 ワイヤ、22,24 バンプ、23 圧着ボール、25 ボールネック、25a 押し潰し部、25b 曲がり部、26 押し付け部、26a 折り返し部、26b 平面部、27 ステッチボンディング部、28 ボンディング中心線、29 イニシャルボール、41 キャピラリ、43 フェイス部、45 インナチャンファ部、47 ストレート孔、50 セグメント、53 ボンディングステージ、55 真空吸着孔、60 切断領域、70 ブロック、71 押さえフレーム。
Claims (8)
- 少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとを含むブロック毎に一括封止して製造される半導体装置の半導体チップのパッドとリードとをワイヤで接続するワイヤボンディング方法であって、
ブロックに含まれる全ての半導体チップ表面のパッド及びリード上にバンプを形成するバンプ形成工程と、
バンプ形成工程の後に、超音波加振を行わずにパッド及びリード上に形成された各バンプの間をワイヤで接続するワイヤ接続工程と、
を有することを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1に記載のワイヤボンディング方法であって、
ワイヤ接続工程は、
パッド又はリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにワイヤをボンディングする第1ボンド工程と、
パッド又はリードからリード又はパッドに向かってワイヤをルーピングするルーピング工程と、
ルーピングされたワイヤをリード又はパッド上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングする第2ボンド工程と、
を有することを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項2に記載のワイヤボンディング方法であって、
第1ボンド工程は、キャピラリに挿通され、その下端より突出させたワイヤの先端に形成したイニシャルボールをパッド又はリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングするボールボンディング工程であること、
を特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項2に記載のワイヤボンディング方法であって、
第1ボンド工程は、キャピラリに挿通され、その下端より突出させたワイヤの先端に形成したイニシャルボールをパッドまたはリード上に形成されたバンプに超音波加振を行わずにボンディングするボールボンディング工程と、
ボールボンディング工程により形成されたボールネックをキャピラリで押し潰し、押し潰したボールネック上に折り返したワイヤの側面を押し付けて押し付け部を形成する押し付け部形成工程と、を含み、
ルーピング工程は、押し付け部からリードまたはパッドに向かってワイヤをルーピングすること、
を特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載されたワイヤボンディング方法であって、
バンプ形成工程は、超音波加振を行わずにバンプを形成すること、
を特徴とするワイヤボンディング方法。 - 少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとをワイヤで接続し、少なくとも1つの半導体チップと各半導体チップのパッドに対応する複数のリードとを含むブロック毎に一括封止して製造する半導体装置であって、
半導体チップ表面のパッドとリードとに形成されたバンプと、
ブロックに含まれる全ての半導体チップ表面のパッドとリードとにバンプを形成した後に、超音波加振を行わずにパッド及びリード上に形成された各バンプの間を接続したワイヤと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置であって、
ワイヤは、パッド又はリード上に形成されたバンプにボンディングされ、パッド又はリードからリード又はパッドに向かってルーピングされた後、リード又はパッド上に形成されたバンプにボンディングされたこと、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項6又は7に記載された半導体装置であって、
バンプは、超音波加振を行わずに形成されていること、
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-12-07 JP JP2007317538A patent/JP2009044115A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
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JP2019159189A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光伝送装置 |
JP7052444B2 (ja) | 2018-03-15 | 2022-04-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光伝送装置 |
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