KR20080114480A - Semiconductor device and wire bonding method - Google Patents

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KR20080114480A
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wire
capillary
pad
bonding
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다츠나리 미이
하야토 기우치
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

A semiconductor device including a capillary and wire bonding method are provided to prevent damage of a bonded wire by an ultrasonic wave excitation. A semiconductor device including a capillary connects a pad(13) of a semiconductor chip surface to a lead(17) using a wire(21), and manufactures a product by adhering a fitted surface of a semiconductor chip(11) on a lead frame and a surface of an opposite side using a tape. The semiconductor device includes a ball bonding part and a wire. The ball bonding part is inserted and passed through the capillary(41), and bonds an initial ball formed in an end of the wire protruded than a bottom of the bonding part on the pad. The wire is bonded in the lead, and installs a first kink and a second kink. A first bending part(27) is bent into a thickness direction of the semiconductor chip from the pad to the lead. The second bending part(29) is bent into an opposite direction of the first bending part.

Description

반도체 장치 및 와이어 본딩 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRE BONDING METHOD}Semiconductor device and wire bonding method {SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRE BONDING METHOD}

본 발명은 반도체 장치의 구조 및 반도체 장치의 와이어 본딩 방법에 관한 것이다.  The present invention relates to a structure of a semiconductor device and a wire bonding method of the semiconductor device.

IC 등의 반도체 장치의 조립 공정에는 반도체의 칩과 리드 프레임을 와이어로 접속하는 와이어 본딩 공정이 있다. 와이어 본딩 공정은 와이어가 삽입 통과된 캐필러리를 이용하여, 토치 전극으로부터의 방전에 의해 캐필러리로부터 돌출된 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 캐필러리를 반도체 칩의 패드 상에 위치시켜 1차 본딩을 행한 후, 캐필러리를 리드 프레임의 리드 상으로 이동시켜 2차 본딩을 행함으로써 반도체 칩과 리드 프레임을 와이어에 의해 접속하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). In the assembling process of semiconductor devices such as an IC, there is a wire bonding step of connecting a chip of a semiconductor and a lead frame with a wire. The wire bonding process uses a capillary through which a wire is inserted, forms a ball at the tip of the wire protruding from the capillary by discharge from the torch electrode, and places the capillary on the pad of the semiconductor chip. After performing primary bonding, the method of connecting a semiconductor chip and a lead frame by a wire is generally used by moving a capillary onto the lead of a lead frame, and performing secondary bonding (for example, refer patent document 1). ).

상기와 같은 와이어 본딩 방법에서는, 2차 본딩의 와이어와 리드와의 접합 면적은 캐필러리의 페이스부와 리드 사이에 끼인 와이어의 면적으로서, 볼 본딩에 의해 접합되는 1차 본딩의 와이어와 패드와의 접합 면적보다 작고, 그 접합 강도가 낮아 본딩의 신뢰성이 낮아질 수가 있다. In the wire bonding method as described above, the bonding area between the wire and the lead of the secondary bonding is the area of the wire sandwiched between the face portion and the lid of the capillary, and the wire and the pad of the primary bonding bonded by the ball bonding. It is smaller than the bonding area and the bonding strength is low, so that the reliability of the bonding can be lowered.

따라서, 이러한 2차 본딩의 본딩부의 강도를 향상시켜 본딩의 신뢰성을 높이는 방법으로서, 특허 문헌 1에는, 일단 리드에 2차 본딩을 행한 후, 와이어를 꺾어 다시 리드에 본딩하는 방법이 제안된 바 있다. 또한, 특허 문헌 2에는, 와이어를 리드에 접속시키면서 캐필러리를 이동시키고, 2차 본딩의 본딩부를 띠형으로 형성하여 접합 면적을 증가시켜 2차 본딩의 본딩부의 강도 향상을 도모하는 방법이 제안된 바 있다. Therefore, as a method of improving the bonding reliability by improving the strength of the bonding portion of the secondary bonding, Patent Literature 1 has proposed a method of bonding the lead to the lead again after bending the wire once. . In addition, Patent Document 2 proposes a method of moving the capillary while connecting the wire to the lead, forming the bonding portion of the secondary bonding in a band shape, increasing the bonding area, and improving the strength of the bonding portion of the secondary bonding. There is a bar.

한편, 반도체 장치는 반도체 칩과 리드를 와이어로 접합한 후, 전체를 수지로 밀봉하여 반도체 패키지로 하는 방법이 많이 이용되고 있다. 그러나, 반도체 패키지의 실장 공정에 있어서, 수지 밀봉된 반도체 패키지의 온도가 상승하면 수지의 열팽창으로 인해 와이어에 응력이 가해지는 경우가 있다. 이 경우, 2차 본딩의 본딩부는 리드와의 접합부의 두께가 얇게 되어 있으며, 열팽창으로 인한 응력이 집중하여 접합부에 크랙이 생기는 경우가 있다. 따라서, 특허 문헌 3에서는 와이어 접속용 본딩부보다 두께가 두꺼운 본드부를 2차 본딩의 본딩부의 반도체 칩측에 인접 설치하여 수지의 열팽창으로 인한 크랙의 발생을 저감하는 방법이 제안된 바 있다. 더욱이, 특허 문헌 4에서는, 리드와 와이어 사이에 수지가 들어가지 않도록 2차 본딩시에 캐필러리를 리드 단부에서 리드면으로 평행하게 이동시켜 와이어를 리드에 밀착시키는 방법이 제안된 바 있다. On the other hand, in the semiconductor device, after bonding a semiconductor chip and a lead with a wire, the method of sealing a whole with resin and forming a semiconductor package is used. However, in the process of mounting a semiconductor package, when the temperature of the resin-sealed semiconductor package rises, stress may be applied to the wire due to thermal expansion of the resin. In this case, the bonding portion of the secondary bonding is thin in the joining portion with the lead, and the stress due to thermal expansion may concentrate, causing cracks in the joining portion. Therefore, Patent Document 3 has proposed a method of reducing the occurrence of cracks due to thermal expansion of a resin by providing a bonding portion thicker than the bonding portion for wire connection adjacent to the semiconductor chip side of the bonding portion of the secondary bonding. Furthermore, in Patent Document 4, a method has been proposed in which the capillary is brought into close contact with the lead by moving the capillary in parallel from the lead end to the lead surface during secondary bonding so that resin does not enter between the lead and the wire.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공고 평 3-63814호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-open No. 3-63814

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 소 52-67262호 공보 [Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open No. 52-67262

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평 2-30153호 공보 [Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-30153

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 평 8-293512호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-293512

그런데, 최근의 반도체 장치의 제조에 있어서는, 각 반도체 칩을 개별적으로 수지 밀봉하는 개별 밀봉법 대신, 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 수지 밀봉하는 일괄 밀봉법이 많이 이용되게 되었다. 이 일괄 밀봉법을 이용하는 경우에는, 반도체 칩이 부착되는 복수의 아일랜드와 그에 대응하는 복수의 리드를 밀집시켜 하나의 블록으로서 배치하고, 뒷쪽에 밀봉제 누설 방지용 테이프가 붙여진 리드 프레임이 사용된다. 이러한 리드 프레임을 본딩을 위하여 본딩 스테이지에 고정하는 경우, 뒷면의 테이프를 통하여 본딩 스테이지에 진공 흡착되고, 또한 복수의 반도체 칩이 밀집한 블록의 주변에서 리드 프레임을 위에서 누르므로 리드 프레임의 본딩 스테이지에의 고정 상태가 별로 양호하지 않으므로, 와이어 본딩시에 와이어가 진동을 일으킨다는 문제가 있었다. By the way, in the manufacture of the recent semiconductor device, instead of the individual sealing method of resin-sealing each semiconductor chip individually, the batch sealing method of resin-sealing plural semiconductor chips collectively came to be used. In the case of using this collective sealing method, a plurality of islands to which a semiconductor chip is attached and a plurality of leads corresponding thereto are densely arranged and arranged as one block, and a lead frame on which a sealing agent leakage preventing tape is attached to the back side is used. When the lead frame is fixed to the bonding stage for bonding, the lead frame is vacuum-adsorbed to the bonding stage through the tape on the back side, and the lead frame is pressed from the periphery of the block where the plurality of semiconductor chips are concentrated, so that the lead frame is bonded to the bonding stage. Since the fixed state is not very good, there is a problem that the wire causes vibration at the time of wire bonding.

특히, 어떤 와이어를 본딩할 때 그 와이어에의 초음파 가진에 의해 이미 본딩이 종료한 다른 와이어의 리드와의 본딩부 또는 패드측의 볼 네크에 크랙이 생겨단선의 원인이 된다는 문제가 있었다. In particular, when bonding a wire, there is a problem that cracks are generated in the ball neck on the side of the pad or the bonding portion with the lead of another wire which has already been bonded due to the ultrasonic excitation of the wire, which causes breakage.

그러나, 특허 문헌 1 내지 4에는 이러한 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생한다는 것에 대해서는 기재가 없으며, 특허 문헌 1∼4에 기재된 종래 기술에서는 이러한 문제는 해결되지 않았다. However, Patent Documents 1 to 4 do not describe that damage occurs to other bonded wires by ultrasonic excitation at the time of bonding, and this problem is not solved in the prior art described in Patent Documents 1 to 4.

본 발명은 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to suppress the occurrence of damage to other bonded wires by ultrasonic excitation at the time of bonding.

본 발명의 반도체 장치는, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부와, 볼 본딩부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, 와이어는, 볼 본딩후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고, 패드에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 한다. The semiconductor device of this invention is a semiconductor device which connects the pad and lead of the semiconductor chip surface with a wire, and sticks a tape to the surface on the opposite side to the semiconductor chip attachment surface of a lead frame, and is inserted into a capillary, and the lower end A ball bonding portion in which the initial ball formed at the tip of the more protruding wire is bonded to the pad, and a wire extending from the ball bonding portion to the lead and bonded to the lead, and the wire is opposite to the lead in the wire supply step after ball bonding. A first bend convex in the direction and a second kink convex in the direction of the lead, which are then looped and bonded to the lead, extending from the pad toward the lead and bent in the thickness direction of the semiconductor chip; A second bend bent in the opposite direction, a straight portion extending in the direction along the lead surface from the second bend to the lead, and a straight portion bonded to the lead And the end portion is formed, it characterized in that the lead-side straight portion is pressed into the lead surface.

본 발명의 반도체 장치는, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상으로 꺽은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, 와이어는, 가압부 형성후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고, 가압부에서 리드 쪽으 로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 한다. The semiconductor device of this invention is a semiconductor device which connects the pad and lead of the semiconductor chip surface with a wire, and sticks a tape to the surface on the opposite side to the semiconductor chip attachment surface of a lead frame, and is inserted into a capillary, and the lower end Pressing part formed by crushing the ball neck formed on the ball bonding part which bonded the initial ball formed at the front-end | tip of the wire which protruded more to the pad, and pressurizing the side surface of the wire bent on the collapsed ball neck, and pressurization part. A wire extending from the lead to the lead and bonded to the lead, wherein the wire is provided with a first kink convex in the opposite direction to the lead and a second kink convex in the direction of the lead in the wire supply process after the pressing portion is formed, and then looped A first bend which is bonded to the lead and extends from the pressing portion toward the lead and is bent in the thickness direction of the semiconductor chip, and is bent in the opposite direction to the first bend; The second curved portion, the straight portion extending in the direction along the lead surface from the second curved portion to the lead, and the straight portion side end portion bonded to the lead are formed, and the lead side of the straight portion is pressed against the lead surface.

본 발명의 와이어 본딩 방법은, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부에서 리드 쪽으로 뻗고, 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정과, 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드의 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹 크 형성 공정과, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. The wire bonding method of this invention connects the pad and lead of the surface of a semiconductor chip with a wire, and inserts in the capillary, and the ball bonding part which bonded the initial ball formed in the front end of the wire which protruded rather than the lower end to the pad is carried out. A first curved portion extending toward the lead and bent in the thickness direction of the semiconductor chip, a second curved portion bent in a direction opposite to the first curved portion, a straight portion extending in the direction along the lead surface from the second curved portion to the lead, and A wire bonding method of a semiconductor device having a straight portion side end portion to be bonded, and a lead side of the straight portion is pressed toward the lead surface, and is taped to a surface opposite to the semiconductor chip attaching surface of the lead frame to be inserted into the capillary. And a first bonding step of pressing and bonding the initial ball formed on the tip of the wire protruding from the lower end to the pad, and the wire. After raising the capillary in a hurry, the reverse process of moving the capillary in the opposite direction to the lead, and the capillary is raised while supplying the wire longer than the reverse process, and then the capillary is padded in the direction of the lead. After moving to the position beyond the bonding center of the phase and forming a first kink convex in the direction opposite to the lead on the wire, and raising the capillary while supplying the wire, the capillary is A second kink forming process of moving to the bonding center position on the pad in the opposite direction, forming a second portion that is convex in the direction of the lid and a straight portion following the second kink, and looping the capillary towards the lid and capillary It is characterized by having a 2nd bonding process which bonds a wire to a lead by pressing to a lead.

본 발명의 와이어 본딩 방법은, 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺾은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드와 반대 방향으로 이동시킨 후, 캐필러리를 하강시켜 캐필러리의 페이스부에서 볼 네크를 압궤하고, 다시 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드의 방향으로 이동시킨 후, 다시 캐필러리를 하강시켜 압궤된 볼 네크 상에 와이어 측면을 가압하여 가압부를 형성하는 가압부 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키는 리버스 공정과, 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드 방향으로 패드 상 의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. The wire bonding method of this invention connects the pad and lead of the surface of a semiconductor chip with a wire, is inserted through a capillary, and bonded to the pad the initial ball formed in the front end of the wire which protruded rather than the lower end. A pressing portion formed by crushing the ball neck formed on the crushed ball neck and pressing the side surface of the wire bent on the crushed ball neck, a first bending portion extending from the pressing portion toward the lead and bending in the thickness direction of the semiconductor chip, and the first bending portion; A second curved portion bent in the opposite direction, a straight portion extending in the direction along the lead surface from the second curved portion to the lead, and a straight portion side end portion bonded to the lead, and the lead side of the straight portion is pressed toward the lead surface, A wire bonding method of a semiconductor device manufactured by attaching a tape to a surface on the side opposite to the semiconductor chip attaching surface of the semiconductor chip, is inserted into a capillary, The first bonding step of pressing and bonding the initial ball formed at the tip of the wire protruding from the end to the pad, and moving the capillary in the opposite direction to the lead while supplying the wire and raising the capillary, and then lowering the capillary The ball neck is crushed at the face of the capillary, the wire is supplied again, and the capillary is moved in the direction of the lead while raising the capillary, and the capillary is lowered again to press the wire side onto the collapsed ball neck. A pressurization portion forming step of forming a pressurization portion, a reverse process of moving the capillary to a position beyond the bonding center on the pad in a direction opposite to the lead, after raising the capillary while supplying a wire; After raising the capillary while supplying the wire for a long time, the capillary is beyond the bonding center on the pad in the lead direction The first kink forming process of moving the paper, forming the first kink convex in the opposite direction to the lead on the wire, and raising the capillary while supplying the wire, and then the capillary is bonded to the pad in the opposite direction to the lead. A second kink forming step of moving to a position and forming a second kink convex in the direction of the lead and a straight portion following the second kink; the capillary is looped toward the lid, and the capillary is pressed against the lid to lead the wire. It is characterized by having a 2nd bonding process bonding to.

본 발명은 본딩할 때의 초음파 가진에 의해 다른 본딩된 와이어에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. The present invention brings the effect that it is possible to suppress the occurrence of damage to other bonded wires by ultrasonic excitation at the time of bonding.

이하, 본 발명의 반도체 장치의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 수지 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치를 제조하는 경우의 리드 프레임(12)은, 반도체 칩이 부착되는 아일랜드(15)와 아일랜드(15)에 부착되는 반도체 칩 표면의 패드에 대응하는 리드(17)가 복수개 설치되어 있다. 각 아일랜드(15)와 각 아일랜드(15)에 대응하는 리드의 한 세트는 하나의 세그먼트(50)를 구성한다. 각 세그먼트(50)는 반도체 칩의 부착, 와이어 본딩, 수지 밀봉 후, 그 사이에 마련된 절단 영역(60)을 절단함으로써 각각이 하나의 반도체 장치가 되는 구역을 말한다. 세그먼트(50)는 리드 프레임(12)에 밀집하여 설치되며, 복수의 세그먼트(50)에 의해 하나의 블록(70)이 구성된다. 블록(70)은 수지 밀봉 시에 일괄적으로 밀봉되는 범위이다. 또한, 와이어 본딩시에 블록(70)의 외주를 누름 프레임(71)에 의해 위에서 눌러 고정할 수 있도록 각 블록의 주위에는 스페이스가 설치되어 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the semiconductor device of this invention is described, referring drawings. As shown in FIG. 1, the lead frame 12 at the time of manufacturing a semiconductor device by the resin collective sealing method is the island 15 with which a semiconductor chip is attached, and the pad of the surface of the semiconductor chip attached to the island 15. As shown in FIG. A plurality of leads 17 are provided. Each island 15 and one set of leads corresponding to each island 15 constitute one segment 50. Each segment 50 refers to a region in which each of the segments 50 becomes one semiconductor device by cutting the cutting region 60 provided therebetween after the semiconductor chip is attached, wire bonded, and resin sealed. The segments 50 are densely installed in the lead frame 12, and one block 70 is formed by the plurality of segments 50. The block 70 is the range sealed at the time of resin sealing at once. In addition, a space is provided around each block so that the outer periphery of the block 70 can be pressed and fixed from above by the pressing frame 71 at the time of wire bonding.

도 2에 도시한 바와 같이, 리드 프레임(12)의 뒷면에는 밀봉용 수지가 아일랜드(15)와 리드(17) 사이로부터 새지 않도록 재박리 가능한 테이프(16)가 붙여져 있다. 이러한 리드 프레임(12)은, 아일랜드(15) 상에 반도체 칩(11)이 부착된 후, 본딩 스테이지(53) 상으로 반송되고, 본딩 스테이지(53)의 진공 흡착공(55)에 의해 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 진공 흡착됨과 아울러, 누름 프레임(71)에 의해 각 블록(70)의 주위가 위에서 눌려져서 본딩 스테이지(53)에 고정된다. 그리고, 각 반도체 칩(11)의 각 리드(17)와의 사이가 와이어(21)에 의해 접속된다. As shown in FIG. 2, the tape 16 which can be re-peeled is attached to the back surface of the lead frame 12 so that sealing resin may not leak from between the island 15 and the lead 17. As shown in FIG. Such a lead frame 12 is conveyed onto the bonding stage 53 after the semiconductor chip 11 is attached to the island 15, and the tape (the vacuum suction hole 55 of the bonding stage 53 is attached to the tape ( In addition to being vacuum-adsorbed to the bonding stage 53 through 16, the circumference of each block 70 is pressed from above by the pressing frame 71 and fixed to the bonding stage 53. The wires 21 are connected to the leads 17 of the semiconductor chips 11.

리드 프레임(12)이 본딩 스테이지(53) 상에 고정되면, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 아일랜드(15)에 부착된 각 반도체 칩(11)의 표면의 각 패드(13)와 그에 대응하는 각 리드(17)가 차례대로 와이어(21)에 의해 접속되어 간다. 따라서, 와이어 본딩 공정에서는 본딩된 와이어(21)에 인접한 위치에서 다음 패드(13) 또는 리드(17)에의 본딩이 행해진다. 그리고, 리드 프레임(12)에 있는 모든 반도체 칩(11)의 패드(13)와 대응하는 리드(17)간의 접속이 종료되면, 다음 공정에서 리드 프레임(12)은 블록(70)마다 수지에 의해 일괄 밀봉되고, 그 후 절단 영역(60)을 절단하여 각 반도체 장치(10)가 제조된다. When the lead frame 12 is fixed on the bonding stage 53, as shown in FIG. 3, each pad 13 on the surface of each semiconductor chip 11 attached to each island 15 and corresponding thereto is shown. Each lead 17 is in turn connected by a wire 21. Therefore, in the wire bonding process, bonding to the next pad 13 or the lead 17 is performed at a position adjacent to the bonded wire 21. Then, when the connection between the pads 13 and the corresponding leads 17 of all the semiconductor chips 11 in the lead frame 12 is finished, the lead frame 12 is made of resin every block 70 in the next step. The semiconductor device 10 is manufactured by encapsulating the package and then cutting the cut regions 60.

이러한 반도체 장치는 수지 밀봉한 패키지로부터 외부 접속 전극이 돌출하지 않고, 패키지 뒷면에 외부 접속 전극이 형성되어 있는 것으로서, QFN(Quad Flat Non-leaded Package)이라 불린다. In such a semiconductor device, the external connection electrode does not protrude from the resin-sealed package, and the external connection electrode is formed on the back side of the package, and is called QFN (Quad Flat Non-leaded Package).

도 4에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(10)는 뒷면에 테이프(16)가 붙여진 리드 프레임(12)의 아일랜드(15)에 부착된 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13)와 리드 프레임(12)의 리드(17)가 와이어(21)에 의해 접속되어 있다. 와이어(21)는 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13) 상에 접합된 압착 볼(23)과, 압착 볼(23)에서 와이어(21) 쪽으로 단면적이 변화하는 볼 네크(25)와, 볼 네크(25)로부터 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 상승하고, 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)와, 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)와, 제2 굴곡부(29)에서 리드(17) 쪽으로 리드(17) 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부(31)와, 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 형성되어 있다. As shown in FIG. 4, the semiconductor device 10 includes a pad 13 and a lead on the surface of the semiconductor chip 11 attached to the island 15 of the lead frame 12 having the tape 16 attached to the back side thereof. The lead 17 of the frame 12 is connected by the wire 21. The wire 21 includes a crimping ball 23 bonded to the pad 13 on the surface of the semiconductor chip 11, a ball neck 25 whose cross-sectional area changes from the crimping ball 23 toward the wire 21, and And a first bent portion 27 that rises from the ball neck 25 in the thickness direction of the semiconductor chip 11, extends toward the lead 17, and is bent downward in the thickness direction of the semiconductor chip 11, and the first bent portion. A second bend 29 that is bent upward in the opposite direction to the 27, a straight part 31 extending in a direction along the surface of the lead 17 from the second bend 29 toward the lid 17, and a lead A straight portion side end 33 bonded to 17 is formed.

도 5에 도시한 바와 같이, 와이어(21)의 직선부측 단부(33)는 본딩시에 캐필러리에 의해 리드(17)에 초음파 가진되면서 가압되고, 리드(17)에 접합되어 있다. 직선부측 단부(33)는 본딩시에 캐필러리의 선단의 형상을 따른 형상으로 변형되어 있으며, 봉형상의 직선부(31)에서 직선부측 단부(33) 쪽으로 점차 그 두께가 얇아지는 형상으로 되어 있다. As shown in FIG. 5, the linear part side edge part 33 of the wire 21 is pressurized by the capillary at the time of bonding, being ultrasonically excited by the capillary, and is joined to the lead 17. As shown in FIG. The straight portion side end portion 33 is deformed into a shape along the shape of the tip of the capillary during bonding, and has a shape that gradually decreases in thickness from the rod-shaped straight portion 31 toward the straight portion side end portion 33.

와이어(21)는, 패드측의 압착 볼(23)과 리드측의 직선부측 단부(33)의 2점에 의해 양측이 고정되어, 직선부(31)의 리드 측면이 리드(17) 표면 쪽으로 가압되도록 구성되어 있다. 이 가압력은 도 6에 도시한 바와 같은 본딩 공정에 의해 와이어(21)를 본딩함으로써 얻어진다. Both sides of the wire 21 are fixed by two points of the crimping ball 23 on the pad side and the linear portion side end portion 33 on the lead side, and the lead side surface of the linear portion 31 is pressed toward the surface of the lid 17. It is configured to be. This pressing force is obtained by bonding the wire 21 by the bonding process as shown in FIG.

도 6(a)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)의 선단부에 형성된 도시하지 않은 이니셜 볼을 패드(13) 상에 초음파 가진하면서 함께 가압하여 접합함과 아울러, 패드(13) 상에 압착 볼(23)과 볼 네크(25)를 형성하는 제1 본딩 공정 후, 와이어(21)를 캐필러리(41)의 선단에서 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정을 행한다. 이 리버스 공정에 의해 캐필러리(41)의 위치는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17)와 반대 방향으로 치우친 위치로 되어 있다. 리버스 공정이 종료한 상태에서는, 와이어(21)는 패드(13)로부터 리드(17)와 반대 방향으로 경사져 있다. 한편, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 리버스 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)와 반대 방향으로 볼록해지려는 구부러짐 자국이 형성되어 있다. As shown in Fig. 6 (a), the initial balls (not shown) formed by the capillary 41 at the distal end portion of the wire 21 are pressed together with the ultrasonic wave on the pad 13 while being ultrasonically excited, After the first bonding process of forming the crimping ball 23 and the ball neck 25 on the pad 13, the capillary 41 is raised while supplying the wire 21 from the tip of the capillary 41. After making it, the reverse process which moves to the opposite direction to the lid 17 is performed. By this reverse process, the position of the capillary 41 becomes the position which shifted in the opposite direction to the lead 17 rather than the bonding centerline 28 on the pad 13. In the state where the reverse process is completed, the wire 21 is inclined from the pad 13 in the opposite direction to the lead 17. On the other hand, since the wire 21 is held in a direction substantially perpendicular to the surface of the pad 13 by the capillary 41, the wire (near the tip of the capillary 41 in the state where the reverse process is finished) 21 is formed with a bend mark to be convex in the opposite direction to the lead 17.

리버스 공정에 이어 제1 킹크 형성 공정이 행해진다. 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시키면, 와이어(21)에는 이전의 리버스 공정에서 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 자국이 형성되어 있으므로, 캐필러리(41)의 상승에 의해 구부러짐부(34)가 형성된다. 캐필러리(41)의 상승에 의해 공급되는 와이어(21)의 길이는 이전의 리버스 공정시의 와이어 공급 길이보다 길게 되어 있다. 그리고, 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)을 넘어가서 리드(17)의 방향으로 이동시키면, 구부러짐부(34)는 더 크게 굴곡되어 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)가 형 성된다. 캐필러리(41)는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐져 있고, 제1 킹크(35)는 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)보다 리드(17)와 반대측에 형성되어 있으므로, 와이어(21)는 제1 킹크(35)와 캐필러리(41) 사이에서 리드(17)와 반대 방향에서 리드(17)의 방향 쪽으로 경사진 상태로 되어 있다. 한편, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 제1 킹크 형성 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)의 방향으로 볼록해지는 구부러짐 자국이 형성되어 있다. The first kink forming step is performed following the reverse step. As shown in FIG. 6B, when the capillary 41 is raised while supplying the wire 21, the convex marks are formed on the wire 21 in the opposite direction to the lead 17 in the previous reverse process. Since the capillary 41 is raised, the bent portion 34 is formed. The length of the wire 21 supplied by the rise of the capillary 41 becomes longer than the wire supply length at the time of the previous reverse process. As shown in FIG. 6C, when the capillary 41 is moved beyond the bonding centerline 28 on the pad 13 in the direction of the lid 17, the bent portion 34 is further moved. The first kink 35 is bent largely and convex in the opposite direction to the lead 17. The capillary 41 is biased toward the lead 17 side than the bonding center line 28 on the pad 13, and the first kink 35 is positioned closer to the lead 17 than the bonding center line 28 on the pad 13. Since the wire 21 is formed on the opposite side, the wire 21 is inclined between the first kink 35 and the capillary 41 in the direction of the lead 17 in the opposite direction to the lead 17. On the other hand, since the wire 21 is held in a direction substantially perpendicular to the surface of the pad 13 by the capillary 41, the vicinity of the tip of the capillary 41 in the state where the first kink forming process is completed. The wire 21 has a bent mark that is convex in the direction of the lead 17.

제1 킹크 형성 공정에 이어 제2 킹크 형성 공정이 행해진다. 도 6(d)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 캐필러리(41)의 중심 위치가 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)의 위치가 되도록 캐필러리(41)를 리드(17)와 반대 방향으로 이동시킨다. 와이어(21)에는 이전의 제1 킹크 형성 공정에 있어서, 리드(17)의 방향으로 볼록한 구부러짐 자국이 형성되어 있으므로, 캐필러리(41)의 상승과 리드(17)와 반대측으로의 이동에 의해, 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)가 형성된다. 또한, 제2 킹크(37)와 캐필러리(41) 사이에는 직선형으로 와이어(21)가 뻗은 스트레이트부(38)가 형성된다. The second kink forming step is performed following the first kink forming step. As shown in FIG. 6 (d), after raising the capillary 41 while supplying the wire 21, the center position of the capillary 41 is determined by the bonding centerline 28 on the pad 13. The capillary 41 is moved in the opposite direction to the lid 17 so as to be in the position. In the first first kink forming step, the wire 21 is formed with a convex bent mark in the direction of the lead 17, so that the capillary 41 rises and moves to the opposite side to the lead 17. The second kink 37 convex in the direction of the lead 17 is formed. In addition, a straight portion 38 in which the wire 21 extends in a straight line is formed between the second kink 37 and the capillary 41.

제2 킹크(37)의 형성 공정에 이어 제2 본딩 공정이 행해진다. 도 6(e)에 도시한 바와 같이, 제2 킹크 형성 공정 이후, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)에서 리드(17) 쪽으로 루핑한다. 이 루핑에 의해 제1 킹크(35)는 더 굴곡되고, 볼 네크(25)로부터 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 상승하고, 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)가 된다. 또한, 제2 킹크(37)는 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)가 된다. 그리고, 제2 킹크 형성 공정에서 제2 킹크(37)와 캐필러리(41) 사이에 형성된 스트레이트부(38)는, 제2 굴곡부(29)로부터 리드(17)의 표면을 따라 뻗는 직선부(31)가 된다. 직선부(31)의 단부는 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 된다. A second bonding step is performed following the forming step of the second kink 37. As shown in FIG. 6E, after the second kink forming process, the capillary 41 is looped from the bonding centerline 28 on the pad 13 toward the lid 17. The first kink 35 is further bent by this roofing, rises from the ball neck 25 in the thickness direction of the semiconductor chip 11, extends toward the lid 17, and moves downward in the thickness direction of the semiconductor chip 11. It becomes the 1st bend part 27 curved by the. In addition, the second kink 37 becomes a second bent portion 29 that is bent in an upward direction opposite to the first bent portion 27. And the straight part 38 formed between the 2nd kink 37 and the capillary 41 in the 2nd kink formation process is a straight part extended from the 2nd curved part 29 along the surface of the lid 17 ( 31). The end of the straight portion 31 becomes the straight portion side end 33 bonded to the lead 17.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태는, 와이어(21)를 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 본딩한 후, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향 및 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키고, 와이어(21)를 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)와 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)와 제2 킹크(37)에 계속되는 스트레이트부(38)를 형성한 후, 캐필러리(41)를 루핑하여 와이어(21)를 리드(17)에 본딩하므로, 본딩시에 스트레이트부(38)를 리드(17)의 표면을 따른 방향의 직선부(31)에 형성함과 아울러, 직선부(31)를 리드(17)의 표면에 가압한 상태에서 와이어(21)를 접합할 수 있다. As described above, in the present embodiment, after the wire 21 is bonded onto the pad 13 on the surface of the semiconductor chip 11, the capillary 41 is fed to the lead 17 while supplying the wire 21. And the second kink 37 and the second kink convex in the direction of the lead 17 and the first kink 35 convex in the direction opposite to the lead and the wire 21 in the opposite direction to the lead 17. After forming the straight portion 38 following 37, the capillary 41 is looped to bond the wire 21 to the lead 17, so that the straight portion 38 is bonded to the lead 17 during bonding. The wire 21 can be joined in a state where the straight portion 31 is pressed against the surface of the lead 17 while being formed in the straight portion 31 in the direction along the surface of the lead.

이상 설명한 바와 같은 방법으로 본딩된 와이어(21)는, 직선부(31)가 리드(17)에 의해 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 서포트된 상태로 되어 있다. 따라서, 다른 와이어(21)의 본딩시에 초음파 가진을 행하여도, 본딩된 와이어(21)의 직선부(31)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 리드(17)의 표면에 대하여 수직한 방향의 진동을 억제할 수 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. In the wire 21 bonded by the method as described above, the straight part 31 is in the state supported by the lead 17 in the thickness direction of the semiconductor chip 11. Therefore, even when ultrasonic excitation is performed at the time of bonding the other wires 21, the straight portions 31 of the bonded wires 21 are in the thickness direction of the semiconductor chip 11 of the wires 21 or the surface of the leads 17. Since the vibration in the direction perpendicular to the can be suppressed, the bonded wire 21 can be suppressed from being damaged by the ultrasonic excitation of the other wire 21.

또한, 직선부(31)는 리드(17)에 가압되어 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다 른 와이어(21)의 본딩시의 초음파 가진에 의해 리드(17)의 표면을 따른 방향으로 진동을 일으킨 경우라 하더라도, 그 진동 에너지를 직선부(31)와 리드(17) 사이의 마찰로서 소비할 수 있고, 리드(17)의 표면을 따른 방향의 진동을 억제하여 와이어(21)의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. In addition, since the straight portion 31 is pressed against the lid 17, the bonded wire 21 vibrates in the direction along the surface of the lid 17 by ultrasonic excitation at the time of bonding the other wire 21. Even in the case of occurrence, the vibration energy can be consumed as friction between the straight portion 31 and the lid 17, and the vibration in the direction along the surface of the lid 17 can be suppressed to suppress the damage of the wire 21. The effect is that you can.

이와 같이 와이어(21)는 직선부(31)가 리드(17)에 가압되어 있으므로, 리드(17)의 표면에 수직한 방향 및 리드(17)의 표면을 따른 방향의 양방향의 진동을 동시에 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. In this way, since the straight portion 31 is pressed against the lead 17, the wire 21 can simultaneously suppress both directions of vibration in the direction perpendicular to the surface of the lead 17 and the direction along the surface of the lead 17. It can bring the effect.

본 실시 형태는 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같은 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치(10)를 제조하는 경우와 같이, 리드 프레임(12)이 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 흡착되고, 각 블록(70)의 외주에서 위에서 눌려져 있는 리드 프레임(12)의 고정 상태가 별로 양호하지 않은 경우라 하더라도, 직선부(31)의 서포트 및 마찰력에 의한 진동 저감에 의해 본딩된 와이어(21)의 리드(17)에의 본딩부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 저감할 수 있다는 효과를 가져온다.In this embodiment, as in the case of manufacturing the semiconductor device 10 by the batch sealing method as described in FIGS. 1 to 3, the lead frame 12 is adsorbed to the bonding stage 53 through the tape 16. Even if the fixed state of the lead frame 12 pressed from the outer periphery of each block 70 is not very good, the wire 21 bonded by the support of the linear part 31 and the vibration reduction by frictional force is reduced. This brings about the effect that the bonding portion to the lead 17 can be damaged by the ultrasonic excitation of the other wire 21.

도 7 내지 도 10을 참조하면서 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 앞에서 설명한 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(10)는 뒷면에 테이프(16)가 붙여진 리드 프레임(12)의 아일랜드(15)에 부착된 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13)와 리드 프레임(12)의 리드(17)가 와이어(21)에 의해 접속되어 있다. 와이어(21)는 반도체 칩(11)의 표면에 있는 패드(13) 상에 본딩에 의해 접합된 압착 볼(23)과, 압착 볼(23)에서 와이어(21) 쪽으로 단면적이 변화되는 볼 네크(25)를 압궤하고, 압궤한 볼 네크(25) 상에 꺾은 와이어(21)의 측면을 가압하여 형성한 가압부(26)와, 가압부(26)에서 리드(17) 쪽으로 뻗어 반도체 칩(11)의 두께 방향을 따라 하향으로 굴곡되는 제1 굴곡부(27)와, 제1 굴곡부(27)와 반대 방향인 상방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부(29)와, 제2 굴곡부(29)에서 리드(17) 쪽으로 리드(17) 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부(31)와, 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 형성되어 있다. Another embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 10. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 7, the semiconductor device 10 includes a pad 13 and a lead on the surface of the semiconductor chip 11 attached to the island 15 of the lead frame 12 having the tape 16 attached to the back side thereof. The lead 17 of the frame 12 is connected by the wire 21. The wire 21 is a crimping ball 23 bonded by bonding onto a pad 13 on the surface of the semiconductor chip 11 and a ball neck whose cross-sectional area is changed from the crimping ball 23 toward the wire 21 ( The pressing portion 26 formed by pressing down the side of the wire 21 collapsed on the collapsed ball neck 25 and the pressing portion 26 extends toward the lead 17 and the semiconductor chip 11. The first bend 27 is bent downward along the thickness direction of), the second bend 29 is bent upward in the direction opposite to the first bend 27, and the lead (2) in the second bend 29 A straight portion 31 extending in the direction along the surface of the lid 17 toward the side 17 of the lid 17 and a straight portion side end 33 bonded to the lid 17 are formed.

도 8에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 형성된 가압부(26)는, 패드(13) 상의 압착 볼(23) 상에 볼 네크(25)가 압궤되어 그 상면이 평면형으로 형성된 압궤부(25a)와, 이 압궤부(25a)로부터 리드(17)와 반대측으로 볼록해지도록 와이어(21)가 꺾인 꺾임부(26a)와, 꺾임부(26a)에 이어지는 와이어(21) 측면이 압궤부(25a) 쪽으로 가압되고, 상측의 면이 가압시에 캐필러리에 의해 평면형으로 형성된 평면부(26b)가 형성되어 있다. 이 평면부(26b)의 패드(13) 측의 면은 압궤부(25a)의 상측의 면에 가압되어 있다. 또한, 와이어(21)의 직선부(31)와 직선부측 단부(33)는 도 5를 참조하여 설명한 앞의 실시 형태와 동일한 구성으로 되어 있다. As shown in FIG. 8, in the pressing portion 26 formed on the pad 13 on the surface of the semiconductor chip 11, the ball neck 25 is crushed on the crimping ball 23 on the pad 13. A crush portion 25a having an upper surface formed in a planar shape, a fold portion 26a in which the wire 21 is bent so as to be convex from the crush portion 25a to the opposite side to the lead 17, and a wire connected to the fold portion 26a. (21) The side surface is pressed toward the crush part 25a, and the flat part 26b formed in planar shape by the capillary at the time of the upper surface is formed. The surface on the pad 13 side of the flat portion 26b is pressed against the surface on the upper side of the crush portion 25a. In addition, the linear part 31 and the linear part side edge part 33 of the wire 21 have the same structure as the previous embodiment described with reference to FIG.

와이어(21)는, 패드측의 압착 볼(23)과 리드(17) 측의 직선부측 단부(33)의 2점에 의해 양측이 고정되어, 가압부(26)의 패드(13) 측면이 압궤부(25a)에 가압되고, 직선부(31)의 리드 측면이 리드(17) 표면 쪽으로 가압되도록 구성되어 있다. 이 가압력은 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같은 본딩 공정에 의해 와이어(21)를 본 딩함으로써 얻어진다. Both sides of the wire 21 are fixed by two points of the crimping ball 23 on the pad side and the linear portion side end portion 33 on the lead 17 side, and the side surface of the pad 13 of the pressing section 26 is collapsed. It is pressurized by the part 25a, and the lead side surface of the straight part 31 is comprised so that it may be pressed toward the surface of the lead 17. As shown in FIG. This pressing force is obtained by bonding the wire 21 by a bonding process as shown in FIGS. 9 and 10.

앞에서 설명한 실시 형태와 마찬가지로, 캐필러리(41)에 의해 와이어(21)의 선단부에 형성된 도시하지 않은 이니셜 볼을 패드(13) 상에 초음파 가진함과 아울러 가압하여 접합하고, 아울러 패드(13) 상에 압착 볼(23)과 볼 네크(25)를 형성하는 제1 본딩 공정을 행한다. Similarly to the above-described embodiment, the initial ball (not shown) formed by the capillary 41 at the distal end portion of the wire 21 is ultrasonically excited on the pad 13 together with the pressure, and is bonded to the pad 13. The 1st bonding process which forms the crimping ball 23 and the ball neck 25 on it is performed.

제1 본딩 공정 후, 도 9(a) 내지 도 9(f)에 도시한 바와 같은 가압부 형성 공정이 행해진다. 또한, 도 9(a) 내지 도 9(f)에서는 리드(17)의 기재가 생략되어 있으나, 도면의 우측이 리드(17) 측이다. 가압부 형성 공정에서는, 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 와이어(21)를 공급함과 아울러 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 도 9(b)에 도시한 바와 같이 캐필러리(41)의 리드(17) 측의 페이스부(43)가 볼 네크(25)의 상부에 올 때까지 리드(17)와 반대 방향으로 캐필러리(41)를 이동시킨다. 이 때 와이어(21)는 볼 네크(25)로부터 리드(17)와 반대 방향으로 경사진 상태로 되어 있다. 그리고, 도 9(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 하강시켜 캐필러리(41)의 페이스부(43)에서 볼 네크(25)를 압궤하고, 압착 볼(23) 상에 압궤부(25a)를 형성한다. 압궤부(25a)의 상면은 캐필러리(41)의 페이스부(43)에 의해 압궤되어 있으므로 페이스부(43)의 형상을 따른 평면형으로 되어 있다. 또한, 와이어(21)는 압궤부(25a)의 리드(17)와 반대측으로 절곡됨과 아울러, 캐필러리(41)의 스트레이트공(47)의 리드(17)와 반대측의 내면을 따라 패드(13)의 수직 방향 쪽으로 뻗은 상태로 되어 있다. After the first bonding step, a pressing part forming step as shown in Figs. 9A to 9F is performed. In addition, although description of the lead 17 is abbreviate | omitted in FIGS. 9A-9F, the right side of the figure is the lead 17 side. In the pressurization portion forming step, as shown in FIG. 9 (a), while supplying the wire 21 and raising the capillary 41, the capillary (as shown in FIG. 9 (b) ( The capillary 41 is moved in the direction opposite to the lid 17 until the face portion 43 on the lid 17 side of the head 41 comes to the upper portion of the ball neck 25. At this time, the wire 21 is inclined from the ball neck 25 in the opposite direction to the lead 17. As shown in FIG. 9C, the capillary 41 is lowered to crush the ball neck 25 at the face portion 43 of the capillary 41 and onto the crimping ball 23. The crush part 25a is formed in the. Since the upper surface of the crush part 25a is crushed by the face part 43 of the capillary 41, it becomes planar along the shape of the face part 43. As shown in FIG. In addition, the wire 21 is bent to the opposite side to the lead 17 of the crush portion 25a, and the pad 13 is along the inner surface opposite to the lead 17 of the straight hole 47 of the capillary 41. ) Is in the vertical direction.

그리고, 도 9(d)에 도시한 바와 같이, 다시 와이어(21)를 공급함과 아울러 캐필러리(41)를 상승시킨다. 그러면, 와이어(21)는 캐필러리(41)의 스트레이트공(47)을 따라 직선형으로 공급된다. 그리고, 도 9(e)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향으로 이동시킨다. 그러면 캐필러리(41)의 이너 챔퍼부(45)에 의해 와이어(21)는 리드(17)의 방향 쪽으로 눌리고, 압궤부(25a)에 이어지는 구부러짐부(25b)에서 절곡된다. 그리고, 캐필러리(41)의 리드(17)와 반대측에 있는 페이스부(43)가 압착 볼(23) 위에 오는 위치까지 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향으로 이동시킨다. 그리고, 도 9(f)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(41)를 하강시키고, 볼 네크(25)를 압궤하여 형성된 압궤부(25a) 상에 와이어(21)의 측면을 가압한다. 이 와이어(21)의 가압에 의해 와이어(21)의 절곡 부분은 압궤부(25a)의 방향 쪽으로 꺾여 꺾임부(26a)가 형성된다. 와이어(21)의 가압부(26)의 패드(13) 측은 가압에 의해 압궤부(25a)의 상면에 가압되고, 가압부(26)의 상면은 캐필러리(41)의 페이스부(43)에 의해 평면이 형성된다. 가압부 형성 공정이 종료한 상태에서는 캐필러리(41)는 패드(13)의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐진 위치로 되어 있다. And as shown in FIG.9 (d), while supplying the wire 21 again, the capillary 41 is raised. Then, the wire 21 is supplied linearly along the straight hole 47 of the capillary 41. As shown in FIG. 9E, the capillary 41 is moved in the direction of the lid 17. Then, the wire 21 is pressed by the inner chamfer portion 45 of the capillary 41 in the direction of the lead 17, and is bent at the bent portion 25b that follows the crush portion 25a. Then, the capillary 41 is moved in the direction of the lid 17 to the position where the face portion 43 on the opposite side of the lid 17 of the capillary 41 comes above the crimping ball 23. As shown in FIG. 9 (f), the capillary 41 is lowered and the side surface of the wire 21 is pressed on the crush portion 25a formed by crushing the ball neck 25. The bending part of the wire 21 is bent in the direction of the crush part 25a by the pressurization of this wire 21, and the bending part 26a is formed. The pad 13 side of the pressing portion 26 of the wire 21 is pressed to the upper surface of the crush portion 25a by pressing, and the upper surface of the pressing portion 26 is the face portion 43 of the capillary 41. The plane is formed by. In the state in which the press part formation process was complete | finished, the capillary 41 becomes the position which shifted to the lead 17 side rather than the bonding centerline 28 of the pad 13.

이상 설명한 바와 같은 본딩 방법에 의해 패드(13)의 표면에 와이어(21)가 꺾여 가압되어 있는 가압부(26)가 형성된다. 이 가압부(26)는 그 하면이 패드(13)의 압착 볼(23) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)에 대하여 수직한 방향으로 서포트되어 있음과 아울러, 가압력에 의해 압궤부(25a)에 가압되어 있다. By the bonding method described above, the pressing section 26 is formed on the surface of the pad 13 to which the wire 21 is bent and pressed. The pressing portion 26 is pressed against the crush portion 25a formed on the pressing ball 23 of the pad 13 in the thickness direction of the semiconductor chip 11 or in a direction perpendicular to the pad 13. While being supported, it is pressurized to the crush part 25a by a pressing force.

따라서, 다른 와이어(21)의 본딩시에 초음파 가진을 행하여도, 본딩된 와이 어(21)의 가압부(26)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)의 표면에 대하여 수직한 방향의 진동을 억제할 수 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. Therefore, even when ultrasonic excitation is performed at the time of bonding the other wire 21, the pressing portion 26 of the bonded wire 21 is held in the thickness direction of the semiconductor chip 11 of the wire 21 or of the pad 13. Since the vibration in the direction perpendicular to the surface can be suppressed, the bonded wire 21 can be suppressed from being damaged by the ultrasonic excitation of the other wire 21.

또한, 가압부(26)는 패드(13) 상에 형성된 압궤부(25a)의 상면에 가압되어 있으므로, 본딩된 와이어(21)가 다른 와이어(21)의 본딩시의 초음파 가진에 의해 패드(13)의 표면을 따른 방향으로 진동을 일으킨 경우라 하더라도, 그 진동 에너지를 가압부(26)의 하면과 압궤부(25a)의 상면 사이의 마찰로서 소비할 수 있고, 패드(13)의 표면을 따른 방향의 진동을 억제하고, 와이어(21)의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. In addition, since the pressing part 26 is pressurized by the upper surface of the crush part 25a formed on the pad 13, the pad 13 by the ultrasonic wave at the time of the bonding of the other wire 21 by the bonded wire 21 is carried out. Even when vibrations are generated in the direction along the surface of the c), the vibration energy can be consumed as friction between the lower surface of the press section 26 and the upper surface of the crush section 25a, This brings about the effect of suppressing the vibration in the direction and suppressing the damage of the wire 21.

이와 같이, 와이어(21)는 가압부(26)가 패드(13) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 있으므로, 패드(13)의 표면에 수직한 방향 및 패드(13)의 표면을 따른 방향의 양방향의 진동을 동시에 억제할 수 있다는 효과를 가져온다. In this way, the wire 21 is pressed against the crushed portion 25a formed on the pad 13 by the pressing portion 26, and thus, along the surface of the pad 13 and in a direction perpendicular to the surface of the pad 13. This brings about the effect of simultaneously suppressing both directions of vibration.

이상과 같은 공정에 의해 패드(13) 상에 와이어(21)를 꺾은 가압부(26)를 형성한 후, 와이어(21)를 성형, 루핑하여 리드(17)에 본딩하는 공정에 대하여 설명한다. After forming the press part 26 which bent the wire 21 on the pad 13 by the above process, the process of shaping | molding and looping the wire 21 and bonding to the lead 17 is demonstrated.

도 10(a)에 도시한 바와 같이, 도 9를 참조하여 설명한 가압부 형성 공정 이후, 와이어(21)를 캐필러리(41)의 선단에서 공급하면서 캐필러리(41)를 상승시킨 후, 이전의 가압부 형성 공정의 종료시에 패드(13)의 본딩 중심선(28)보다 리드(17) 측으로 치우쳐져 있는 캐필러리(41)를 리드(17)와 반대 방향으로 이동시키 는 리버스 공정을 행한다. 이 리버스 공정에 의해 패드(13)의 리드(17) 측으로부터 상승해 있는 와이어(21)는 리드(17)와 반대 방향 쪽으로 구부러지면서 경사진 형상이 된다. 한편, 캐필러리(41) 내의 와이어(21)는 패드(13)의 면에 대략 수직한 방향으로 유지되어 있으므로, 리버스 공정이 종료한 상태의 캐필러리(41)의 선단 부근의 와이어(21)에는 리드(17)와 반대 방향으로 볼록해지는 구부러짐 자국이 형성되어 있다. As shown in FIG. 10A, after the pressing unit forming step described with reference to FIG. 9, the capillary 41 is raised while supplying the wire 21 from the tip of the capillary 41. At the end of the previous pressing section forming step, a reverse step of moving the capillary 41, which is biased toward the lid 17 side from the bonding center line 28 of the pad 13, in the direction opposite to the lid 17 is performed. . The wire 21 which rises from the lead 17 side of the pad 13 by this reverse process becomes a shape inclined, bending in the opposite direction to the lead 17. On the other hand, since the wire 21 in the capillary 41 is held in a direction substantially perpendicular to the surface of the pad 13, the wire 21 near the tip of the capillary 41 in the state where the reverse process is finished. ) Is formed with bent marks which are convex in the direction opposite to the lead 17.

도 10(b) 내지 도 10(d)에 도시한 바와 같이, 리버스 공정에 이어 이전의 실시 형태와 마찬가지로 제1 킹크 형성 공정과, 제2 킹크 형성 공정이 행해진다. 그리고, 제2 킹크 형성 공정에 이어, 도 10(e)에 도시한 바와 같이 제2 본딩 공정이 행해진다. 도 10(e)에 도시한 바와 같이, 제2 킹크 형성 공정 이후, 캐필러리(41)를 패드(13) 상의 본딩 중심선(28)에서 리드(17) 쪽으로 루핑한다. 이 루핑에 의해 제1 킹크(35)는 제1 굴곡부(27)로, 제2 킹크(37)는 제2 굴곡부(29)로, 스트레이트부(38)는 제2 굴곡부(29)로부터 리드(17)의 표면을 따라 뻗는 직선부(31)가 되고, 직선부(31)의 단부는 리드(17)에 본딩되는 직선부측 단부(33)가 된다. As shown in Figs. 10 (b) to 10 (d), following the reverse process, the first kink forming step and the second kink forming step are performed in the same manner as in the previous embodiment. Then, after the second kink forming step, as shown in FIG. 10E, the second bonding step is performed. As shown in FIG. 10E, after the second kink forming process, the capillary 41 is looped from the bonding centerline 28 on the pad 13 toward the lid 17. This roofing allows the first kink 35 to be the first bend 27, the second kink 37 to the second bend 29, and the straight portion 38 to the lid 17 from the second bend 29. ) And a straight portion 31 extending along the surface, and the end portion of the straight portion 31 becomes a straight portion side end 33 bonded to the lead 17.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태는, 와이어(21)를 반도체 칩(11) 표면의 패드(13) 상에 본딩한 후, 와이어(21)를 꺾어 볼 네크(25)의 압궤부(25a)에 가압하는 가압부(26)를 형성하고, 와이어(21)를 공급하면서 캐필러리(41)를 리드(17)의 방향 및 리드(17)와 반대 방향으로 이동시켜, 와이어(21)를 리드(17)와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크(35)와 리드(17)의 방향으로 볼록한 제2 킹크(37)와 제2 킹크(37)에 계속되는 스트레이트부(38)를 형성한 후, 캐필러리(41)를 루핑하여 와이 어(21)를 리드(17)에 본딩하므로 본딩시에 스트레이트부(38)를 리드(17)의 표면을 따른 방향의 직선부(31)로 성형함과 아울러, 직선부(31)에 이어지는 직선부측 단부(33)를 리드(17)의 표면에 가압한 상태로서 접합할 수 있다. 이상 설명한 바와 같은 방법으로 본딩된 와이어(21)는, 직선부(31)가 리드(17)에 의해 반도체 칩(11)의 두께 방향으로 서포트된 상태가 된다. As described above, in the present embodiment, after the wire 21 is bonded onto the pad 13 on the surface of the semiconductor chip 11, the wire 21 is folded to the crush portion 25a of the ball neck 25. The pressurization part 26 which presses is formed, the capillary 41 is moved in the direction of the lead 17 and the direction opposite to the lead 17, supplying the wire 21, and the wire 21 is moved to the lead ( After forming the first kink 35 convex in the opposite direction to 17) and the straight portion 38 subsequent to the second kink 37 and the second kink 37 convex in the direction of the lid 17, the capillary Looping the 41 to bond the wire 21 to the lid 17, thereby forming the straight portion 38 into a straight portion 31 in the direction along the surface of the lid 17 during bonding. The linear part side edge part 33 which follows the part 31 can be joined as the state which pressed the surface of the lid 17. FIG. In the wire 21 bonded by the method described above, the straight portion 31 is in a state where the lead 17 is supported in the thickness direction of the semiconductor chip 11.

본 실시 형태는 이 가압부(26)가 그 하면이 패드(13)의 압착 볼(23) 상에 형성된 압궤부(25a)에 가압되어 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 패드(13)에 대하여 수직한 방향으로 서포트되어 있음과 아울러, 가압력에 의해 패드(13)의 면을 따른 방향의 진동 에너지를 소비시킬 수 있으므로, 와이어(21)의 패드(13) 측에 있어서 와이어(21)의 진동을 억제할 수 있다. 더욱이, 이전의 실시 형태와 동일하게 와이어(21)의 직선부(31)가 와이어(21)의 반도체 칩(11)의 두께 방향 또는 리드(17)의 표면에 대하여 수직한 방향으로 서포트됨과 아울러, 리드(17)에 가압되어 진동 에너지를 직선부(31)와 리드(17) 사이의 마찰로서 소비할 수 있으므로, 와이어(21)의 리드(17) 측에서도 와이어(21)의 진동을 억제할 수 있다. 따라서, 이전의 실시 형태보다 와이어(21) 전체적으로 보다 큰 진동의 억제를 행할 수 있고, 본딩된 와이어(21)의 패드(13) 및 리드(17)에의 본딩부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 보다 효과적으로 저감할 수 있다는 효과를 가져온다. In this embodiment, the pressing portion 26 is pressed against the crush portion 25a formed on the pressing ball 23 of the pad 13 so that the pressing portion 26 is pressed against the thickness direction or the pad 13 of the semiconductor chip 11. In addition to supporting in the vertical direction, vibration energy in the direction along the surface of the pad 13 can be consumed by the pressing force, so that the vibration of the wire 21 on the pad 13 side of the wire 21 can be prevented. It can be suppressed. Furthermore, as in the previous embodiment, the straight portion 31 of the wire 21 is supported in the thickness direction of the semiconductor chip 11 of the wire 21 or in a direction perpendicular to the surface of the lead 17. Since the vibration energy is pressed by the lead 17 and can be consumed as friction between the straight portion 31 and the lead 17, the vibration of the wire 21 can be suppressed also on the lead 17 side of the wire 21. . Therefore, the vibration of the wire 21 as a whole can be suppressed larger than in the previous embodiment, and the bonding portions of the pads 13 and the leads 17 of the bonded wires 21 are applied to the ultrasonic excitation of the other wires 21. It brings about the effect which can reduce more effectively the damage by.

본 실시 형태는 앞에서 설명한 실시 형태와 마찬가지로 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같은 일괄 밀봉법에 의해 반도체 장치(10)를 제조하는 경우와 같이, 리드 프레임(12)이 테이프(16)를 통하여 본딩 스테이지(53)에 흡착되고, 각 블 록(70)의 외주에서 위에서 눌려져 있는 리드 프레임(12)의 고정 상태가 별로 양호하지 않은 경우라 하더라도, 가압부(26) 및 직선부(31)의 서포트 및 마찰력에 의한 진동 저감에 의해 본딩된 와이어(21)의 패드(13)와의 접합부 및 와이어(21)와 리드(17)간 접합부가 다른 와이어(21)의 초음파 가진에 의해 손상되는 것을 보다 효과적으로 저감할 수 있다는 효과를 가져온다. In the present embodiment, as in the case of manufacturing the semiconductor device 10 by the batch sealing method as described in FIGS. 1 to 3 as in the above-described embodiment, the lead frame 12 is bonded through the tape 16 to the bonding stage. The support of the pressing section 26 and the straight section 31, even if the fixed state of the lead frame 12, which is sucked by the 53 and pressed from the outer periphery of each block 70, is not very good, and It is possible to more effectively reduce the damage of the bonded portion of the bonded wire 21 to the pad 13 and the bonded portion between the wire 21 and the lead 17 by ultrasonic excitation of the other wire 21 by the vibration reduction by the frictional force. It can bring the effect.

도 1은 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임의 평면도이다. 1 is a plan view of a lead frame used in a batch sealing method.

도 2는 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임이 본딩 스테이지에 고정된 상태를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a lead frame used in the batch sealing method is fixed to a bonding stage.

도 3은 일괄 밀봉법에 사용되는 리드 프레임에 와이어 본딩을 한 상태를 도시한 부분 평면도이다. 3 is a partial plan view illustrating a state in which wire bonding is performed on a lead frame used in a batch sealing method.

도 4는 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 반도체 칩과 리드를 접속하는 와이어를 도시한 도면이다. It is a figure which shows the wire which connects the semiconductor chip and lead of the semiconductor device of embodiment of this invention.

도 5는 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 리드측의 와이어를 도시한 사시도이다. It is a perspective view which shows the wire of the lead side of the semiconductor device of embodiment of this invention.

도 6은 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다. It is explanatory drawing which shows the wire bonding process of the semiconductor device of embodiment of this invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 반도체 칩과 리드를 접속하는 와이어를 도시한 도면이다. It is a figure which shows the wire which connects the semiconductor chip and lead of the semiconductor device of other embodiment of this invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 패드측의 가압부를 도시한 사시도이다. It is a perspective view which shows the press part of the pad side of the semiconductor device of other embodiment of this invention.

도 9는 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 가압부 형성을 위한 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다. It is explanatory drawing which shows the wire bonding process for forming the press part of the semiconductor device of other embodiment of this invention.

도 10은 본 발명의 다른 실시 형태의 반도체 장치의 가압부 형성후의 와이어 본딩 공정을 도시한 설명도이다. It is explanatory drawing which shows the wire bonding process after formation of the press part of the semiconductor device of other embodiment of this invention.

<부호의 설명><Description of the code>

10: 반도체 장치, 11: 반도체 칩, 10: semiconductor device, 11: semiconductor chip,

12: 리드 프레임, 13: 패드, 12: lead frame, 13: pad,

15: 아일랜드, 16: 테이프, 15: ireland, 16: tape,

17: 리드, 21: 와이어, 17: lead, 21: wire,

23: 압착 볼, 25: 볼 네크, 23: crimp ball, 25: ball neck,

25a: 압궤부, 25b: 구부러짐부, 25a: crushed portion, 25b: bent portion,

26: 가압부, 26a: 꺾임부, 26: pressurization part, 26a: bending part,

26b: 평면부, 27: 제1 굴곡부, 26b: flat part, 27: first bent part,

28: 본딩 중심선, 29: 제2 굴곡부, 28: bonding centerline, 29: second bend,

31: 직선부, 33: 직선부측 단부, 31: straight portion, 33: straight portion side end,

34: 구부러짐부, 35: 제1 킹크, 34: bend, 35: first kink,

37: 제2 킹크, 38: 스트레이트부, 37: second kink, 38: straight portion,

41: 캐필러리, 43: 페이스부, 41: capillary, 43: face part,

45: 이너 챔퍼부, 47: 스트레이트공, 45: inner chamfer portion, 47: straight ball,

50: 세그먼트, 53: 본딩 스테이지, 50: segment, 53: bonding stage,

55: 진공 흡착공, 60: 절단 영역, 55: vacuum adsorption hole, 60: cutting area,

70: 블록, 71: 누름 프레임 70: block, 71: push frame

Claims (4)

반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, A semiconductor device for manufacturing a semiconductor device by connecting a pad and a lead on a surface of a semiconductor chip with a wire and attaching a tape to a surface opposite to the semiconductor chip attaching surface of the lead frame. 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부와, A ball bonding portion which is inserted into the capillary and bonded to the pad an initial ball formed at the tip of the wire protruding from the lower end thereof; 볼 본딩부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, A wire extending from the ball bonding portion to the lead and bonded to the lead, 와이어는, Wire, 볼 본딩후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고,In the wire feeding process after ball bonding, the first kink convex in the direction opposite to the lead and the second kink convex in the direction of the lead are installed, and then looped and bonded to the lead, 패드에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, A first bend extending from the pad toward the lead and bent in the thickness direction of the semiconductor chip, a second bend bent in the opposite direction to the first bend, a straight part extending in the direction along the lead surface from the second bend to the lead, A straight portion side end portion bonded to the 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The lead side of the straight portion is pressed toward the lead surface. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치로서, A semiconductor device for manufacturing a semiconductor device by connecting a pad and a lead on a surface of a semiconductor chip with a wire and attaching a tape to a surface opposite to the semiconductor chip attaching surface of the lead frame. 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺽은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와,The ball neck formed on the ball bonding portion which is inserted into the capillary and the initial ball formed at the tip of the wire which protrudes from the lower end thereof and bonded to the pad is collapsed, and the side surface of the wire bent on the collapsed ball neck is pressed. Pressing portion formed by 가압부에서 리드로 뻗어 리드에 본딩되는 와이어를 포함하고, A wire extending from the pressing portion to the lead and bonded to the lead, 와이어는, Wire, 가압부 형성후의 와이어 공급 공정에서 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크와 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크가 설치되고, 그 후 루핑되어 리드에 본딩되고, In the wire supplying process after forming the pressing portion, the first kink convex in the direction opposite to the lead and the second kink convex in the direction of the lead are installed, and then looped and bonded to the lead, 가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부가 형성되고, A first curved portion extending from the pressing portion toward the lead and bent in the thickness direction of the semiconductor chip, a second curved portion bent in the opposite direction to the first curved portion, and a straight portion extending from the second curved portion along the lead surface toward the lead; A straight side end portion bonded to the lead is formed, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. The lead side of the straight portion is pressed toward the lead surface. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고,The pad and lead of the semiconductor chip surface are connected by wires, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부에서 리드 쪽으로 뻗고, 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가 압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, A first bent portion that is inserted into the capillary and extends from the ball bonding portion bonded to the pad toward the lead at the initial ball formed at the tip of the wire protruding from the lower end thereof, and is bent in the thickness direction of the semiconductor chip; A second curved portion bent in the opposite direction, a straight portion extending in the direction along the lead surface from the second curved portion to the lead, and a straight portion side end portion bonded to the lead, the lead side of the straight portion being pressed toward the lead surface, As a wire bonding method of the semiconductor device which sticks and manufactures the tape on the surface opposite to the semiconductor chip attachment surface of a frame, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, A first bonding step of inserting and passing the initial ball formed at the tip of the wire which is inserted into the capillary and protrudes from the lower end thereof to the pad and bonded; 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 이동시키는 리버스 공정과, A reverse process of raising the capillary while supplying the wire, and then moving the capillary in a direction opposite to the lead; 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드의 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, After raising the capillary while supplying the wire longer than the reverse process, the capillary is moved to the position beyond the bonding center on the pad in the direction of the lead, and the first kink convex in the opposite direction to the lead is formed on the wire. The first kink forming process, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과, After raising the capillary while supplying the wire, the capillary is moved to the bonding center position on the pad in a direction opposite to the lead, and the second forming a second portion that is convex in the direction of the lead and a straight portion following the second kink. Kink forming process, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법. And a second bonding step of looping the capillary toward the lid and forcing the capillary onto the lid to bond the wire to the lid. 반도체 칩 표면의 패드와 리드를 와이어로 접속하고, The pad and lead of the semiconductor chip surface are connected by wires, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 본딩한 볼 본딩부 상에 형성된 볼 네크를 압궤하고, 압궤한 볼 네크 상에 꺾은 와이어의 측면을 가압하여 형성한 가압부와, 가압부에서 리드 쪽으로 뻗어 반도체 칩의 두께 방향으로 굴곡되는 제1 굴곡부와, 제1 굴곡부와 반대 방 향으로 굴곡되는 제2 굴곡부와, 제2 굴곡부에서 리드 쪽으로 리드 표면을 따른 방향으로 뻗는 직선부와, 리드에 본딩되는 직선부측 단부를 가지며, 직선부의 리드 측면이 리드 표면 쪽으로 가압되어, 리드 프레임의 반도체 칩 부착면과 반대측의 면에 테이프를 붙여 제조하는 반도체 장치의 와이어 본딩 방법으로서, The ball neck formed on the ball bonding portion in which the initial ball formed at the distal end of the wire which is inserted into the capillary and protrudes from the lower end thereof is bonded to the pad is collapsed, and the side of the wire bent on the collapsed ball neck is pressed. The formed pressing portion, the first curved portion extending from the pressing portion toward the lead and bent in the thickness direction of the semiconductor chip, the second curved portion bent in the opposite direction to the first curved portion, and the lead surface from the second curved portion to the lead. Wire bonding of a semiconductor device having a straight portion extending in the direction and a straight portion side end portion bonded to the lead, and the lead side of the straight portion being pressed toward the lead surface, whereby a tape is attached to the surface opposite to the semiconductor chip attaching surface of the lead frame. As a method, 캐필러리에 삽입 통과되고, 그 하단보다 돌출시킨 와이어의 선단에 형성한 이니셜 볼을 패드에 가압하여 본딩하는 제1 본딩 공정과, A first bonding step of inserting and passing the initial ball formed at the tip of the wire which is inserted into the capillary and protrudes from the lower end thereof to the pad and bonded; 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드와 반대 방향으로 이동시킨 후, 캐필러리를 하강시켜 캐필러리의 페이스부에서 볼 네크를 압궤하고, 다시 와이어를 공급함과 아울러 캐필러리를 상승시키면서 리드의 방향으로 이동시킨 후, 다시 캐필러리를 하강시켜 압궤된 볼 네크 상에 와이어 측면을 가압하여 가압부를 형성하는 가압부 형성 공정과, While feeding the wire and moving the capillary in the opposite direction to the lead, the capillary is lowered to crush the ball neck at the face of the capillary, supplying the wire again, and raising the capillary After moving in the direction of the lead, the capillary is lowered again to press the wire side on the collapsed ball neck to form a pressurizing portion, and 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키는 리버스 공정과, A reverse process of raising the capillary while supplying the wire, and then moving the capillary to a position beyond the bonding center on the pad in a direction opposite to the lid, 리버스 공정보다 길게 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드 방향으로 패드 상의 본딩 중심을 넘어가는 위치까지 이동시키고, 와이어에 리드와 반대 방향으로 볼록한 제1 킹크를 형성하는 제1 킹크 형성 공정과, After raising the capillary while supplying the wire longer than the reverse process, the capillary is moved to the position beyond the bonding center on the pad in the lead direction and the first kink convex in the opposite direction to the lead is formed on the wire. 1 kink forming process, 와이어를 공급하면서 캐필러리를 상승시킨 후, 캐필러리를 리드와 반대 방향으로 패드 상의 본딩 중심 위치까지 이동시키고, 리드의 방향으로 볼록한 제2 킹크와 제2 킹크에 계속되는 스트레이트부를 형성하는 제2 킹크 형성 공정과,After raising the capillary while supplying the wire, the capillary is moved to the bonding center position on the pad in a direction opposite to the lead, and the second forming a second portion that is convex in the direction of the lead and a straight portion following the second kink. Kink forming process, 캐필러리를 리드 쪽으로 루핑시키고, 캐필러리를 리드에 가압하여 와이어를 리드에 본딩하는 제2 본딩 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법. And a second bonding step of looping the capillary toward the lid and forcing the capillary onto the lid to bond the wire to the lid.
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