KR20080102187A - 방사선 촬상장치 - Google Patents

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Abstract

복수열 마다 산란선 차폐판(31)을 배치한 그리드(3)를 방사선검출기(2)의 전면(前面)에 배치한다. 이때, 그리드(3)와 방사선검출기(2)와의 거리를, 산란선 차폐판(31)의 높이의 정수배(整數倍)로 하는 것이 바람직하다. 음영(41)을 포함한 화소열에 인접하는 화소열의 화상신호로부터, 음영을 포함한 화소열의 실제 화상신호를 추정한다. 또, 산란선 차폐판의 음영을 포함한 화소열의 화상신호와 차폐화소에 차폐판이 없다고 했을 경우의 화상신호로부터, 산란선분포를 추정한다. 추정된 화상신호 분포로부터, 추정된 산란선분포를 빼는 것에 의해, 산란선의 영향이 없는 명료한 진단화상을 얻을 수 있다.
방사선 촬상장치, 산란선분포, 차폐 화소열, 그리드

Description

방사선 촬상장치{RADIATION IMAGE PICK-UP DEVICE}
이 발명은, X선 등의 방사선의 투과상(像)을 검출할 수 있는 이차원 방사선검출기와, 투과상으로부터 산란선(散亂線)을 제거하는 산란선 제거 그리드(grid)를 갖는 방사선 촬상장치에 관한 것이다.
도 11을 참조하여, 종래의 방사선 촬상장치의 전체구성에 관하여 설명한다.
도 11(a)는, 종래의 방사선 촬상장치의 일반적인 실시형태이다. 종래의 방사선 촬상장치는, 피검체(M)에 방사선을 조사하는 방사선원(1)과, 피검체(M)의 투과방사선(R)을 검출하여 화상신호로 변환하는 이차원 방사선검출기(2)와 이차원 방사선검출기(2)의 전면(前面)에 배치된 산란선 제거 그리드(3)로부터 구성되는 수상수단(4)과, 방사선원(1)과 수상수단(4)을 소정의 간격으로 대향(對向) 유지하여 된 화상계(5)와, 이차원 방사선검출기(2)에서 얻어진 화상신호를, 소정의 보정처리를 실시하여 보존·표시하는 화상처리장치(6)로 구성된다.
이와 같이 구성된 방사선검출기는, 이하와 같이 동작한다. 방사선원(1)으로부터 방사선(R＇)이 조사되면, 방사선(R＇)의 일부가 피검체(M)를 투과하여 수상수단(4)에 도달한다(이하 직접선 Rd＇라 한다). 도 11(b)에 나타낸 바와 같이, 직접선(Rd＇)중, 산란선 제거 그리드(3)를 투과하여 이차원 방사선검출기(2)에 도달하 는 것을 이하 투과직접선 Rd라 한다. 이때, 피검체(M)의 투과율의 공간분포에 의해, 직접선(Rd＇)의 강도분포가 변화하고, 또한 산란선 제거 그리드(3)의 투과율의 공간분포에 의해 투과직접선(Rd)의 강도분포가 변화한다.
한편, 방사선(R＇)의 일부는, 피검체(M) 내에서 산란하고, 직접선(Rd＇)과는 다른 경로를 통해서 수상수단(4)에 입사한다(이하 산란선 Rs＇라 한다). 또, 산란선(Rs＇) 중, 산란선 제거 그리드(3)를 투과하여 이차원 방사선검출기(2)에 도달하는 것을 이하 투과산란선 Rs라 한다.
또, 이하, 투과직접선(Rd)과 투과산란선(Rs)과의 합계, 즉, 이차원 방사선검출기(2)에 도달하는 방사선의 합계를 투과방사선 R이라 한다.
산란선 제거 그리드(3)는, 복수의 방사선 차폐판(31)을 등 간격으로 배치함과 동시에, 방사선 차폐판(31)의 사이에 투과성을 갖는 중간물질(32)을 충전(充塡)한 구조로 되어 있다. 또, 방사선원(1)과 산란선 제거 그리드(3)와의 거리에 따라, 중심부로부터 멀어지는 만큼, 방사선 차폐판(31)을 기울여 배치하고 있다. 산란선 제거 그리드(3)는 이와 같이 구성되어 있기 때문에, 방사선 차폐판(31) 상에 입사한 직접선(Rd＇)은 흡수되지만, 중간물질(32)에 입사한 직접선(Rd＇)은 투과하여 이차원 방사선검출기(2)에 도달한다. 한편, 중간물질(32) 상에 입사한 산란선(Rs＇)의 대부분은, 인접하는 방사선 차폐판(31)에 의해 흡수되고, 이차원 방사선검출기(2)에 도달하지 않는다. 여기에서, 직접선(Rd＇)·산란선(Rs＇)이 산란선 제거 그리드(3)를 투과하는 비율을 각각 직접선 투과율·산란선 투과율로 하면, 산란선 제거 그리드(3)는, 높은 직접선 투과율을 갖고, 낮은 산란선 투과율을 갖게 된다. 이 결과, 대부분의 직접선(Rd＇)이 이차원 방사선검출기(2)에 도달하고, 대부분의 산란선(Rs＇)이 산란선 제거 그리드(3)에 의해 흡수되어 이차원 방사선검출기(2)에 도달하지 않으므로, 산란선의 영향에 의한 화질저하가 경감된다.
그렇지만, 방사선 차폐판(31) 상에 입사한 직접선(Rd＇)이 일부 흡수되는 것에 의해, 이차원 방사선검출기(2)에 방사선 차폐판(31)의 주기적인 음영(모아레(Moire))이 발생한다. 이때, 산란선 차폐판(31)의 피치가, 화소열의 피치의 정수배(整數倍)로서, 화상 위에 발생하는 모아레를 저감하는 수법이 제안되고 있다(예를 들어 특허문헌 1). 이 수법에 의하면, 미리 산란선이 없는 상태에서 촬영한 화상신호에 근거하여, 산란선 차폐판(31)의 흡수에 의해 생기는 주기적인 화상신호의 저감을 보정할 수 있다.
결국, 보다 명료한 화상을 얻으려면, 산란선(Rs＇)을 가능한 한 흡수하고, 이차원 방사선검출기(2)에 도달시키지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 산란선 제거의 관점에서는, 방사선 차폐판(31)의 피치를 작게, 높이(h)를 높게, 혹은 두께(t)를 두껍게 하여, 산란선의 흡수율을 향상시키는 것이 바람직하다.
[특허문헌 1]
특개 2002－257939 공보
[발명이 해결하려고 하는 과제]
그렇지만, 방사선 차폐판(31)의 피치를 작게, 혹은 두께를 두껍게 하면, 직접선(Rd＇)의 흡수율도 높아지는 문제가 발생한다. 직접선(Rd＇)의 흡수율이 높아지면, 이차원 방사선검출기(2)에 도달하는 투과직접선(Rd)의 강도가 저하되고, 그 결과로서 화상신호 Gij의 강도가 저하하고, 진단상 필요로 되는 다이나믹 레인지를 확보할 수 없게 된다. 다이나믹 레인지를 확보하기 위해서는, 방사선원으로부터 방사하는 방사선(R＇)의 선량(線量)을 많게 하는 것을 생각할 수 있지만, 피검체(M)의 피폭(被曝)을 생각하면 한계가 있다. 한편, 산란선 제거 그리드(3)의 피치를 크게 하면, 직접선(Rd＇)의 투과율은 향상하긴 하지만, 투과산란선(Rs)이 증대하고, 화질이 저하한다.
본 발명은 이와 같은 과제를 고려하여, 투과직접선(Rd)의 강도를 확보하면서, 투과산란선(Rs)에 기인하는 화질의 저하를 방지할 수 있는 방사선 촬상장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해서 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 청구항 1에 기재의 방사선 촬상장치는, 방사선조사수단과, 행렬방향으로 배치되고, 방사선을 전하로 변환하는 화소와, 상기 전하를 화상신호로서 판독하는 판독수단을 구비한 이차원 방사선검출기와, 상기 방사선조사수단과 상기 이차원 방사선검출기와의 사이에 배치된 산란선 제거 그리드를 가지고, 상기 산란선 제거 그리드는 복수의 상기 화소로 이루어지는 화소열에 평행으로 그리고 복수의 화소열(畵素列)마다 배치된 복수의 방사선 차폐판(遮蔽板)을 가지고, 상기 방사선 차폐판의 음영이 투영되는 하나 또는 복수의 상기 화소열로 이루어지는 차폐 화소열로부터 판독된 상기 화상신호를, 상기 차폐 화소열에 대해서 행방향으로 인접하는 복수의 상기 화소열로부터 판독된 화상신호에 근거하여 보정하는 보정연산수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 2에 기재의 방사선 촬상장치는, 청구항 1에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 보정연산수단은, 상기 차폐 화소열로부터 판독된 화상신호에 근거하여, 상기 이차원 방사선검출기에 입사하는 산란선분포를 추정하는 산란선분포 추정수단과, 상기 추정된 산란선분포에 근거한 추정투과산란성분을, 적어도 일부의 화소로부터 판독된 화상신호로부터 제거하는 수단을 또한 가지는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 3에 기재의 방사선 촬상장치는, 청구항 1 또는 2에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 차폐 화소열이 복수의 상기 화소열로부터 구성되고, 상기 차폐 화소열을 구성하는 복수의 상기 화소열의 화상신호를 아날로그에서 결합하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 4에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 3의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 산란선 제거 그리드와 상기 면(面)검출기와의 거리가 상기 방사선 차폐판의 높이의 정수배인 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 5에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 4의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 방사선조사수단과, 상기 산란선 제거 그리드 및 상기 이차원 방사선검출기와의 상대위치가 소정의 범위에서 변화한 경우에 있어서도, 상기 방사선 차폐판의 음영이 상기 화소열 내에 들어가도록, 상기 산란선 제거 그리드의 위치 및 상기 방사선 차폐판의 형상이 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 6에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 5의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 복수의 상기 방사선조사수단 및 상기 이차원 방사선검출기의 위치에 있어서, 상기 방사선조사수단과 상기 이차원 방사선검출기와의 사이에 피검체를 배치하지 않고 촬영한 화상신호에 근거하여, 상기 차폐 화소열의 위치 및 차폐 화소열의 폭을 취득하는 차폐 화소열 특정수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 7에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 6의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 이차원 방사선검출기와 상기 산란선 제거 그리드와의 상대위치를 조정하는 조정수단을 더 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 8에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 7의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 산란선 제거 그리드가 크로스 그리드인 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 9에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 8의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 방사선조사수단과 이차원 방사선검출기를 그들의 상대거리 일정 그리고 대향 배치한 상태에서 회전구동하는 회전구동기구와, 복수의 회전위치에서 얻은 상기 화상신호에 근거하여 단층(斷層)화상을 얻는 단층화상 처리수단을 더 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 10에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 9의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 이차원 방사선검출기는, 동일 행에 속하는 각 화소의 드레인전극에 접속되는 데이터라인과, 동일 열에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인을 가지고 있고, 상기 방사선 차폐판을 상기 게이트라인에 평행으로 배치하는 것으로, 상기 화소열 및 차폐 화소열은, 상기 게이트라인에 평행인 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 11에 기재된 방사선 촬상장치는, 청구항 1 내지 9의 어느 한 항에 기재의 방사선 촬상장치로서, 상기 이차원 방사선검출기는, 동일 행에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인과, 동일 열에 속하는 각 화소의 드레인전극에 접속되는 데이터라인을 가지고 있고, 상기 방사선 차폐판을 상기 데이터라인에 평행으로 배치하는 것으로, 상기 화소열 및 차폐 화소열은, 상기 데이터라인에 평행인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이차원 방사선검출기는 다음과 같이 작용한다. (청구항 1의 작용·효과) 즉, 직접선에 의한 방사선 차폐판의 음영이 포함되는 화소열의 실제 화상신호는, 인접하는 방사선 차폐판의 음영이 포함되지 않은 화소열로부터 얻어진 화상신호에 근거하여 추정된다. (청구항 2의 작용·효과) 한편, 직접선에 의한 방사선 차폐판의 음영이 포함되는 화소열로부터 얻어지는 화상신호에 근거하여 산란선의 분포를 추정하고, 추정된 산란선의 분포에 근거한 추정투과산란성분을, 일부의 화소로부터 판독된 화상신호로부터 제거하는 것으로, 화상신호가 보정된다.
또, 화소열의 화상신호가 순차적으로 입력된다. 이것과 병행하여, 상술의 직접선에 의한 방사선 차폐판의 음영이 포함되는 화소열의 화상신호의 추정 및 산란선의 분포의 추정이 행해진다.
(청구항 3의 작용·효과) 또한, 인접하는 복수의 상기 화소열이 아날로그신호레벨에서 결합되고, 결합된 화상신호가 순차적으로 판독된다. 이것과 병행하여, 상술의 직접선에 의한 방사선 차폐판의 음영이 포함되는 화소열의 화상신호의 추정 및 산란선의 분포의 추정이 행해진다. 아날로그신호레벨에서의 결합에 의해 신호데이터의 정도(精度)가 높은 고정도(高精度)의 진단화상이 얻어진다. 또, 아날로그신호레벨의 결합(즉 아날로그 바인드)을 행하면 S/N비가 좋아진다.
(청구항 4의 작용·효과) 상기 산란선 제거 그리드와 상기 이차원 방사선검출기 사이와의 거리가 상기 방사선 차폐판의 높이의 정수배인 것에 의해, 산란선의 투과율은 산란선 제거 그리드에 입사하는 각도에 의존하여 변화하지만, 모든 각도로부터 균일하게 산란선이 입사하는 전제에서는 각 화소열에 도달하는 산란선 강도가 거의 균일하게 되고, 산란선성분 분포추정의 정도(精度)가 향상한다.
(청구항 9의 작용·효과) 또, 방사선조사수단과 방사선검출수단을 그들의 상대거리 일정 그리고 대향 배치한 상태에서 회전구동하는 기구와, 복수의 회전 위치에서 얻은 상기 화상신호에 근거하여 단층화상을 얻는 수단을 갖는 방사선 촬상장치에 있어서는, 이들의 상대위치관계가 장치의 기능에 근거하여, 혹은 기계적인 휨 등에 근거하여 변화한다. 이와 같은 상대적인 위치관계의 변화의 범위는, 설계상 혹은 실측상 미리 알 수 있다. 기존의 변화범위 내에서 상대적인 위치관계가 변화한 경우라도, 어느 화소열에 투영되어 있던 방사선 차폐판의 음영이, 인접하는 화소열로 이동하지 않도록, 방사선 차폐판의 형상이나 산란선 제거 그리드와 방사선검출기와의 상대위치 등이 설정된다. 또한, 여기에서 말하는 화소열이란, 아날로그 혹은 디지털에서 결합된 복수의 화소열을 포함하는 개념이다. (청구항 9의 작용·효과) 이와 같이 구성된 방사선 촬상장치에서는, 장치의 기능에 근거하여 아무리 동작하려 해도, 방사선 차폐판의 음영이 인접하는 다른 화소열에 이르는 일이 없다. (청구항 7의 작용·효과) 또한, 이차원 방사선검출기와 상기 산란선 제거 그리드와의 상대위치를 조정하는 조정수단을 갖는 것에 의해, 상술의 방사선 차폐판의 음영이 인접하는 화소열로 이동하지 않도록 엄밀히 위치조정 받게 된다.
(청구항 8의 작용·효과) 또, 행방향에도 방사선 차폐판을 배치하면(즉 산란선 제거 그리드가 크로스 그리드이면), 열방향으로부터의 산란선을 차폐할 수 있고, 보다 명료한 화상을 얻을 수 있다.
[발명의효과]
(청구항 1의 작용·효과) 일반적으로, 산란선분포의 공간주파수는, 직접선의 공간주파수 즉, 피검체의 방사선흡수분포의 공간주파수보다도 낮게, 화소 피치에 비교하여 방사선 차폐판을 큰 피치에서 배치했다 하더라도, 차폐 화소열의 화상신호만을 이용하여, 산란선의 분포를 추정할 수 있는 점에 주목해야 한다. 본 발명은, 상술한 바와 같이 작용하여, 적은 방사선 차폐판에 의해, 직접선의 투과율을 충분히 확보하면서 산란선을 추정할 수 있는 것에 더해, 방사선 차폐판의 음영에 의한 화상정보의 누락을 억제하고 그리고 누락부분을 보완하는 것에 의해, 산란선을 충분히 제거한 명료한 진단화상을 얻을 수 있다. 또, 저선량(低線量) 촬영이 가능케 되고, 피검체의 피폭선량을 대폭으로 저감할 수 있는 효과도 가져온다.
또, 산란선의 추정 및 차폐 화소열에 있어서의 화상신호의 보간(補間)처리는, 인접하는 수열(數列)의 화소열의 화상신호가 있으면 가능하다. 따라서, 화소열과 방사선 차폐판을 평행으로 배치해 두면, 필요만큼만 화상신호를 버퍼에 축적하는 등 해서, 축적된 복수열의 화상신호로부터 산란선의 추정처리, 및 화상정보의 누락부분의 보간처리를, 화상신호의 입력과 동시 병행적으로 행하는 것에 의해, 처리의 고속화를 실현할 수 있다. 예를 들면, 동화상처리를 리얼타임으로 실현할 수 있다.
(청구항 11의 작용·효과) 또한, 방사선 차폐판을 데이터라인에 평행으로 배치하는 것으로, 화소열을 데이터라인과 평행으로 하고, 방사선 차폐판을 평행으로 배치해 두면, 1열 마다 보간처리를 행할 수 있기 때문에, 버퍼의 용량이 적어도 된다. 다만, 그 경우에는 아날로그에서 화소를 묶을 수 없다.
(청구항 3, 10의 작용·효과) 또, 인접하는 복수의 상기 화소열이 신호레벨로 바인드되어 있으면, 분해능은 낮아지지만, 화소 묶음이 불필요하기 때문에 처리를 고속으로 행할 수 있다. 또, 배치하는 방사선 차폐판을 줄일 수 있고, 또한 직접선의 흡수율을 저감하여, 저선량 촬영에 공헌할 수 있다. 또, 차폐 화소열만을 결합하도록 구성해도 좋다.
(청구항 4의 작용·효과) 또, 산란선의 추정처리에 있어서는, 산란선 제거 그리드의 산란선에 대한 흡수율이 공간적으로 균일하지 않은 경우는, 공간적인 직접선 투과율 데이터를 고려하여 연산을 행할 필요가 있다. 그러나, 상기 면검출기 간의 거리가 상기 방사선 차폐판의 높이의 정수배이면, 연산을 간략화할 수 있고, 고속인 산란선의 추정처리연산을 행할 수 있다.
(청구항 6의 작용·효과) 또, 방사선조사수단 및 이차원 방사선검출수단의 위치가 장치의 기능에 근거하여 변화한 경우라도, 각각의 위치에 있어서 차폐 화소열 특정수단에 의해 취득된 산란선 제거 그리드의 투과특성 등에 근거하여 적절한 산란선 추정처리 연산을 할 수 있다. 구체적으로는, 방사선조사수단과 이차원 방사선검출수단과의 거리가 변화하는 장치에 있어서, 그 거리에 따라 차폐 화소열의 위치 및 폭이 변화하여도, 각각의 위치에서의 차폐 화소열의 위치 및 폭을 미리 특정해 둘 수 있기 때문에, 그 특정된 차폐 화소열의 위치에 있어서 산란선의 추정처리연산을 행할 수 있다.
(청구항 7의 작용·효과) 또, 방사선 차폐판의 음영이 인접하는 화소열로 이동하지 않는 것이 보증되어 있으면, 산란선의 추정처리를 항상 정확하게 행할 수 있다. 또한, 조정기구에 의해, 사후적인 위치의 변화에 대응할 수 있다.
(청구항 8의 작용·효과) 또, 행방향에도 방사선 차폐판을 배치하면, 열방향으로부터의 산란선도 차폐할 수 있고, 보다 명료한 화상을 얻을 수 있다.
(청구항 9의 작용·효과) 또, 본 발명을 X선 CT등과 같은 방사선조사수단과 이차원 방사선검출수단과의 상대거리가 변화하지 않는 장치에 적용하면, 어느 화소열 상에 투영된 방사선 차폐판의 음영이, 인접하는 화소열로 이동하지 않도록 하는 것이 보다 용이하고, 적합하다. 또한, 이차원 방사선검출수단을 이용하고 있기 때문에, 소위 콘빔CT의 재구성연산을 행하는 것에 의해, 산란선의 영향을 저감한 화상에 근거하여, 보다 명료한 CT상을, 단시간 그리고 저피폭선량으로 얻을 수 있다.
도 1은, 본 발명에 관련되는 방사선 촬상장치의 전체상(像)을 나타내는 도이다.
도 2는, 본 발명의 이차원 방사선검출기의 상세도이다.
도 3은, 본 발명의 산란선(散亂線) 제거 그리드(grid)의 상세도이다.
도 4는, 본 발명의 화상처리수단의 처리를 나타내는 블록도이다.
도 5는, 콘빔CT로의 응용 예를 설명하는 도이다.
도 6은, SID의 변화와 차폐(遮蔽) 화소열(畵素列)의 위치 및 폭의 변화와의 관계를 설명하는 도이다.
도 7은, 본 발명의 투과방사선의 열방향의 분포를 나타내는 그래프도이다.
도 8은, 추정(推定)투과(透過)산란선(散亂線)에 이차원 필터를 적용하는 도이다.
도 9는, 조정기구에 의한 구체적인 조정을 설명하는 도이다.
도 10은, 화소 묶음 대응의 경우의 조정기구에 의한 구체적인 조정을 설명하는 도이다.
도 11은, 본 발명의 방사선 제거 그리드와 이차원 방사선검출기와의 거리와 투과산란선 분포와의 관계에 관한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도이다.
도 12는, 본 발명의 방사선 제거 그리드와 이차원 방사선검출기와의 거리와 투과산란선 분포와의 관계에 관한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도이다.
도 13은, 종래 기술에 관련되는 방사선 촬상장치의 전체상을 나타내는 도이다.
[부호의 설명]
1 방사선원(放射線源)
2 이차원 방사선검출기
3 산란선 제거 그리드(grid)
4 수상(受像)수단
5 영상계
6 화상처리장치
7 갠트리(gantry)
22 방사선 감응층(感應層)
23 바이어스전극
24 A/D 변환회로
25 게이트 제어회로
26 판독(讀出)수단
31 방사선 차폐판(遮蔽板)
32 중간물질
33 보관유지판(保持板)
34 조정기구(調整機構)
41 방사선 차폐판의 음영(陰影)
61 차폐 화소열(畵素列) 특정수단
62 차폐 화소열 추정수단
63 산란선분포 추정수단
64 진단용화상 생성수단
65 진단용화상 저장수단
66 진단용화상 표시수단
67 버퍼메모리
68 불휘발메모리
M 피검체(被檢體)
R＇ 방사선
R 투과방사선
Rd＇ 직접선
Rs＇ 산란선
Rd 투과직접선
Rd＾ ij 추정투과직접선
Rs 투과산란선
Rs＾ ij 추정투과산란선
Es＇＾ ij 열방향 필터를 적용한 추정투과산란선
Es＾ ij 이차원 필터를 적용한 추정투과산란선
Gij 화상신호
G＾ ij 추정화상신호
Goij 진단화상
Pij 화소
DSij 소스전극
Dgij 게이트전극
Ddij 드레인전극
SWij 스위칭소자
Cij 축적용량
GLj 게이트라인
DLi 데이터라인
Psij 직접선 투과율 데이터
SPij 차폐 화소열의 분포
f 방사선 차폐판 감응층간 거리
t 방사선 차폐판 두께
h 방사선 차폐판 높이
ΔX 방사선원(源)의 쉬프트량
ΔG 산란선 제거 그리드의 쉬프트량
CL 크로스라인
ΔC 크로스라인 갭
도 1을 참조하여, 본 발명에 관련되는 방사선 촬상장치의 전체구성에 관하여 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 관련되는 방사선 촬상장치는, 피검체(M)에 방사선을 조사하는 방사선원(1)과, 피검체(M)의 투과방사선(R)을 검출하여 화상신호(Gij)(i는 데이터라인이 나열하는 방향을 나타내는 첨자, j는 게이트라인이 나열하는 방향을 나타내는 첨자이다. 이하 다른 부호에 대해서도 같다.)로 변환하는 이차원 방사선검출기(2)와, 이차원 방사선검출기(2)의 전면(前面)에 배치된 산란선 제거 그리드(3)로부터 구성되는 수상수단(4)과, 방사선원(1)과 수상수단(4)을 소정의 간격으로 일정 그리고 대향 유지하여 된 화상계(5)와, 이차원 방사선검출기(2)에서 얻어진 화상신호를, 소정의 보정처리를 실시하여 진단용화상으로서 보존·표시하는 화상처리장치(6)로 구성된다. 방사선원(1)은, 본 발명에 있어서의 방사선조사수단에 상당하고, 이차원 방사선검출기(2)는, 본 발명에 있어서의 이차원 방사선검출기에 상당하고, 산란선 제거 그리드(3)는, 본 발명에 있어서의 산란선 제거 그리드에 상당하고, 화상처리장치(6)는, 본 발명에 있어서의 보정연산수단에 상당한다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 이차원 방사선검출기(2)의 상세에 관하여 설명한다. 이차원 방사선검출기(2)는, 매트릭스 형상으로 배치된 화소(Pij)와, 화소(Pij)상에 형성된 방사선 감응층(22)과, 방사선 감응층(22)의 위에 형성된 바이어스전극(23)을 가진다.
화소(Pij)는, 소스전극(Dsij), 게이트전극(Dgij) 및 드레인전극(Ddij)으로부터 구성되는 스위칭소자(SWij)와, 소스전극(Dsij)에 접속된 축적용량(Cij)과, 소스 전극(Dsij)에 접속된 화소전극(Dpij)으로부터 구성되고, 도시하지 않은 유리기판상에 매트릭스 형상으로 배치된다.
이차원 방사선검출기(2)는, 또한, 동일 행에 속하는 각 화소(Dpi)의 드레인전극(Ddi)에 접속되는 데이터라인(DLi)과, 동일 열에 속하는 각 화소(Dpj)의 게이트전극(Dgj)에 접속되는 게이트라인(GLj)과, 데이터라인(DLi)에 접속된 A/D 변환회로(24)와, 각 게이트라인(GLj)에 접속된 게이트 제어회로(25)와, A/D 변환회로(24)와 게이트 제어회로(25)와 제어하는 판독수단(26)을 가지고 있다. 여기에서, 「행」을, 후술하는 방사선 차폐판(31)에 대해서 직교하는 방향으로 하고, 「열」을, 방사선 차폐판(31)에 대해서 평행이 되는 방향으로 한다. 다만 크로스 그리드의 경우에는, 행방향에도 방사선 차폐판(31)을 배치하는 것으로 한다. 또, 본 실시형태에서는, 후술하는 도 3(b)의 케이스를 제외하면, 방사선 차폐판(31)을 게이트라인(GLj)에 평행으로 배치하는 것을 메인으로 하여 설명한다.
본 실시형태에 있어서는, 방사선 감응층(22)이, a－Se, CdZnTe등의 반도체 후막(厚膜)으로부터 구성되는 직접 변환형 검출기로서 설명한다. 다만, 본 발명 특유의 효과를 얻기 위해서는, 어떠한 변환 방식이라도 좋고, 예를 들면, 방사선을 가시광으로 변환하여, 가시광을 포토다이오드에서 수광(受光)하여 전기신호로 변환하는 간접 변환형 검출기여도 좋다.
이와 같이 구성된 이차원 방사선검출기(2)는, 이하대로 동작한다. 방사선 감응층(22)에 방사선이 입사하면, 전자(電子)정공(正孔)쌍이 발생한다. 발생한 전자는, 바이어스전극(23)에 인가된 전압에 의해 발생하는 전계에 의해 화소전극(Dpij)으로 이동하고, 정공은 바이어스전극(23)으로 이동한다. 화소전극(Dpij)으로 이동한 전자는, 축적용량(Cij)에 축적된다. 판독수단(26)은, 소정의 축적기간 경과 후, j번째의 게이트라인(GLj)을 온(on)으로 하고, 그 열에 포함되는 스위칭소자(SWi)를 동시에 개방시켜, 축적되어 있던 전자를 드레인전극(Ddi), 데이터라인(DLi), A/D 변환회로(24)를 통해서, 화상신호(Gij)로서 판독할 수 있다. 판독수단(26)은, 순차적으로 게이트라인(GLj)을 온으로 하고, 1열 마다 데이터를 입력할 수 있다. 이때, 복수열의 화상신호(Gj)를, 묶는 조작을 할 수도 있다(이하 바인드라 한다).
이차원 방사선검출기(2)의 구성을 정리하면, 도 3(a)에서는, 동일 행에 속하는 각 화소의 드레인전극(Ddi)에 접속되는 데이터라인(DLi)과, 동일 열에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인(GLj)를 가지고 있고, 방사선 차폐판(31)을 게이트라인(GLj)에 평행으로 배치하는 것으로, 화소열 및 차폐 화소열은, 게이트라인(GLj)에 평행이 된다.
이차원 방사선검출기(2)의 구성을 정리하면, 도 3(b)에서는, 동일 행에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인(GLj)과, 동일 열에 속하는 각 화소의 드레인전극(Ddi)에 접속되는 데이터라인(DLi)을 가지고 있고, 방사선 차폐판을 데이터라인(DLi)에 평행으로 배치하는 것으로, 화소열 및 차폐 화소열은, 데이터라인(DLi)에 평행이 된다.
이 경우 바인드는, 인접하는 복수의 게이트라인(GLj)를 동시에 온 하는 것에 의해, 복수열(여기에서는 복수의 게이트라인(GLj))의 화상신호를 아날로그적으로 가산(加算)하여 실현할 수 있다(이하 아날로그 바인드라 한다). 또, 바인드를 디지털 값의 평균을 구하는 것으로 행하는 것도 가능하다. 이 경우 바인드는, 디지털 출력된 화상신호(Gij)의 인접하는 복수행(여기에서는 데이터라인(DLi))의 화상신호를 디지털적으로 가산 평균하여 실현할 수도 있다(이하 디지털 바인드라 한다). 이상과 같이 화소열을 묶는 방법은 두 가지 방법이 있다.
다음으로, 도 3(a)를 참조하여, 산란선 제거 그리드(3)의 구조에 관하여 상술한다. 산란선 제거 그리드(3)는, 복수의 방사선 차폐판(31)을 이차원 방사선검출기(2)의 열방향으로 등간격으로 배치하고, 그 상하면을 방사선투과성을 갖는 보관유지판(33)으로 고정한 구조이다. 또한, 방사선 차폐판(31)의 사이에는, 투과성을 갖는 중간물질을 설치해도 좋다. 다만, 중간물질에 의해 직접선의 흡수율이 높아지므로, 설치하지 않는 것이 바람직하다. 또, 방사선원(1)과 산란선 제거 그리드(3) 와의 거리에 따라, 중심부로부터 멀어지는 만큼, 방사선 차폐판(31)을 기울여 배치하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 방사선 차폐판(31)을 이차원 방사선검출기(2)의 게이트라인(GLj)에 평행으로 배치하는 것으로 했지만, 도 3(b)과 같이 데이터라인(DLi)에 평행으로 배치해도 좋다. 다만, 게이트라인(GLj)에 평행으로 배치하게 되면, 아날로그 바인드를 행할 수 있고, 처리를 고속으로 할 수 있다. 또, 아날로그 바인드에 의해 신호데이터의 정도(精度)가 높은 고정도(高精度)의 진단화상을 얻을 수 있다. 또, 아날로그 바인드를 행하면 S/N비가 좋아진다. 방사선 차폐판(31)은, 본 발명에 있어서의 방사선 차폐판에 상당한다.
또, 도 3(c)에 나타낸 바와 같이, 방사선 차폐판의 음영(41)이 이차원 방사선검출기(2)의 특정의 화소열에 들어가도록, 형상·배치가 결정된다. 또한, 여기에서 말하는 화소열이란, 상술의 바인드를 행하는 경우에는, 그 바인드된 한 묶음의 화소열을 포함하는 개념이다. 또, 방사선 차폐판의 음영(41)이 투영되는 화소열을 차폐 화소열이라 한다. 여기에서, 방사선 차폐판의 음영(41)의 폭이, 화소열의 폭의 1/2~1/5이 되도록, 방사선 차폐판(31)의 두께(t)를 결정하는 것이 바람직하다. 이것은 투과직접선(Rd)의 강도를 확보하면서, 투과산란선(Rs)에 기인하는 화질의 저하를 방지한다고 하는 기본적 밸런스에 더해, 후술하는 것 같이 SID일정의 사용시에는, 방사선원(1)과 이차원 방사선검출기(2)와의 상대위치가, 다소 변화한 경우라 해도, 방사선 차폐판의 음영(41)이, 특정의 화소열에 들어가는 것이 바람직하기 때문이다.
이것을 실현하기 위해서, 도 3(d)에 나타낸 바와 같이, 차폐 화소열의 거의 중앙에, 방사선 차폐판의 음영(41)이 투영되도록, 조정기구(34)가 설치되어 있다. 조정기구(34)는, 산란선 제거 그리드(3) 전체를, 이차원 방사선검출기(2)에 대해서 직교하는 세 방향으로 미소량씩 이동시켜 고정할 수 있도록, 예를 들어 행방향 조정나사(34i), 열방향 조정나사(34j), 및 거리 조정나사(34f)로 구성된다. 조정기구(34)는, 본 발명에 있어서의 조정수단에 상당한다.
조정기구(34)는, 이차원 방사선검출기(2)와 산란선 제거 그리드(3)와의 상대위치를 조정하는 기구이다. 행방향 조정나사(34i)는, 그 나사를 좌우로 돌리는 것으로 조정기구(34)의 본체에 대해서 산란선 제거 그리드(3)를 행방향으로 조정한다. 열방향 조정나사(34j)는, 그 나사를 좌우로 돌리는 것으로 조정기구(34)의 본체에 대해서 산란선 제거 그리드(3)를 열방향으로 조정한다. 또, 거리 조정나사(34f)는, 그 나사를 좌우로 돌리는 것으로 조정기구(34)의 본체에 대해서 산란선 제거 그리드(3)를 높이 방향으로 조정한다. 조정기구(34)의 거리 조정나사(34f)에 의한 구체적인 조정에 관해서는, 도 9, 10으로 후술한다.
조정수단을 갖는 것에 의해, 방사선 차폐판의 음영(41)이 인접하는 화소열로 이동하지 않도록 엄밀히 위치조정 되게 된다. 또, 방사선 차폐판의 음영(41)이 인접하는 화소열로 이동하지 않는 것이 보증되고 있으면, 산란선의 추정처리를 항상 정확히 행할 수 있다. 또한, 조정기구(34)에 의해, 사후적인 위치의 변화에 대응할 수 있다.
방사선원(1)과 수상수단(4)간의 거리(이하 SID라 한다) 방사투시촬영장치에 서 사용하는 표준적인 SID0(이하 표준위치 SID0라 한다)로부터 괴리(乖離)된 경우에 괴리량(乖離量)에 따라 FPD－Grid간 거리를 설정하는 조정기구를 갖는다(하드적으로는 도 3(d)의 거리 조정나사(34f)의 나사로 설정을 행한다). 그 의도는 SID가 표준위치(SID0)로부터 괴리된 경우에는 도 6(b)에 나타낸 바와 같이 화소 주변부에 있어서 화소걸침(화소간에 걸치는 것)이 복잡하게 발생하지만 이것을 가능한 한 단순화하여, 화상처리부담을 경감하는 것이다.
또한, 본 실시예 형태에 있어서는, 방사선 차폐판(31)의 높이(이하 차폐판 높이 h라 한다)나, 방사선원(1)의 쉬프트량(ΔX)이나, 산란선 제거 그리드(3)와 이차원 방사선검출기(2)의 방사선 감응층(22)과의 거리(이하 차폐판 감응층간 거리 f라 한다)나, 크로스라인 갭(ΔC)을 이용하여, 도 9, 10과 같이 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔC)을 구하는 것으로, 조정기구(34)의 거리 조정나사(34f)는 높이를 조정해도 좋다. 상술한 바와 같이, 표준적인 SID0로부터 SID1로 변화했을 때에, 방사선원(1)이 쉬프트량(ΔX)으로 변화했다고 한다.
도 9에서는, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 일정위치에 있도록 차폐판 감응층간 거리(f)가 설정되어, 그 설정에 근거하여 조정기구(34)의 거리 조정나사(34f)는 산란선 제거 그리드(3)를 높이방향으로 조정한다. SID0로부터 SID1로 변화하여도, 이차원 방사선검출기(2)의 방사선 감응층(22)의 표면이 초점면이 되도록 하면, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 일정위치가 된다.
SID0：f＋h/2=ΔX：ΔG의 관계로부터, 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔG)을 구할 수 있다. 따라서, 방사선원(1)이 쉬프트량(ΔX)에서 변화하고, SID0로부터 SID1로 변화하여도, 차폐판 감응층간 거리(f)로부터 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔG)을 가산 혹은 감산(도 9에서는 감산)하는 것으로 산란선 제거 그리드(3)를 높이방향으로 조정하면, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 일정위치가 된다. 이와 같이, SID가 시프트해도 차폐 화소열이 거의 변함없고, 방사선 차폐판의 음영(41)의 폭이 그다지 커지지 않기 때문에, 화소걸침을 회피할 수 있고, 화소열을 묶는 바인드처리가 불필요하게 된다. 방사선원의 쉬프트량(ΔX)이 작은 장치에 유용하다.
도 10에서는, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 반(半)화소 주변측으로의 시프트가 되도록 차폐판 감응층간 거리(f)가 설정되고, 그 설정에 근거하여 조정기구(34)의 거리 조정나사(34f)는 산란선 제거 그리드(3)를 높이방향으로 조정한다. SID0로부터 SID1로 변화하여도, 도 10(a)와 같이 이차원 방사선검출기(2)보다도 조사(照射)측에서 초점면이 되도록 하면, 혹은 도 10(b)와 같이 이차원 방사선검출기(2)보다도 조사와는 역측에서 초점면이 되도록 하면, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 반화소 주변측으로의 시프트가 된다. 여기에서, 초점면을 크로스라인(CL)으로 한다. 결국, 도 9에서는, 크로스라인(CL)이 이차원 방사선검출기(2)의 방사선 감응층(22)의 표면에 일치하고 있던 것에 대해서, 도 10에서는, 크로스라인(CL)이 이차원 방사선검출기(2)의 방사선 감 응층(22)의 표면과 일치하지 않고, 크로스라인(CL)과 방사선 감응층(22)과의 사이에 갭(이하 크로스라인 갭(ΔC)이라 한다)이 발생한다. 또한, 여기에서 말하는 반(半)화소란, 화소열의 1/2의 사이즈이고, 바인드된 한 묶음의 화소열의 1/2도 반화소에 포함된다.
SID0±ΔC：f＋h/2±ΔC=ΔX：ΔG(도 10(a)의 경우 -ΔC, 도 10(b)의 경우 ＋ΔC)의 관계로부터, 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔG)을 구할 수 있다. 따라서, 방사선원(1)이 쉬프트량(ΔX)에서 변화하고, SID0로부터 SID1로 변화하여도, 차폐판 감응층간 거리(f)로부터 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔG)을 가산 혹은 감산(도 10에서는 감산)하는 것으로 산란선 제거 그리드(3)를 높이 방향으로 조정하면, 방사선 차폐판의 음영(41)이 쉬프트량(ΔX)에 따르지 않고 반화소 주변측으로의 시프트가 된다. 이와 같이 SID가 시프트하면 도 9보다도 차폐 화소열이 조금 변화하고, 방사선 차폐판의 음영(41)의 폭도 커지지만, 복잡한 화소걸침을 회피할 수 있다. 방사선원의 쉬프트량(ΔX)이 큰 장치에 유용하다.
또, 도 10(a), (b)의 비교로부터도 알 수 있듯이, 도 10(b)의 크로스라인(CL)의 쪽이 도 10(a)보다도 산란선 제거 그리드의 쉬프트량(ΔG)이 커지므로, 조정기구(34)의 거리 조정나사(34f)에 의해서 미소량씩 이동시키는 것을 고려하면, 도 9나 도 10(a)의 쪽이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 방사선 차폐판(31)은, 4열에 한 열의 비율로 차폐 화소열이 형성되도록 배치되어 있다. 또한, 4열로 한정되는 것이 아니라, 복수의 화소 열마다, 그리고, 후술과 같이 상정되는 산란선의 최대 공간주파수의 신호를 샘플링할 수 있는 범위 내의 간격에 있는 한, 그 간격을 여러가지 선택 가능하다.
다음으로, 상술한 바와 같이하여 취득한 화상신호(Gij)로부터 산란선을 제거하고, 진단용화상을 생성하는 화상처리장치(6)의 처리에 관하여 설명한다.
도 4는, 화상처리장치(6)의 상세를 나타내는 블록도이다. 화상처리장치(6)는, 이차원 방사선검출기(2)로부터 화상신호(Gij)를 순차적으로 수신하고, 소정의 열수만큼(列數分) 축적하는 버퍼메모리(67)와 차폐 화소열의 위치 및 폭을 미리 특정하는 차폐 화소열 특정수단(61)과, 차폐 화소열의 위치 및 폭 등을 저장하는 불휘발성 메모리(68)와 불휘발성 메모리(68)에 저장된 차폐 화소열 위치에 있어서의 추정화상신호(G＾ ij)를 구하는 차폐 화소열 추정수단(62)과, 검출 범위 전체에 있어서의 추정투과산란선(Rs＾ ij)을 구하는 산란선분포 추정수단(63)과, 화상신호(Gij), 추정화상신호(G＾ ij), 및 추정투과산란선 분포(Rs＾ ij)로부터 진단용화상(Goij)을 생성하는 진단용화상 생성수단(64)과, 생성된 진단용화상(Goij)을 저장하는 진단용화상 저장수단(65)과, 생성된 진단용화상(Goij)을 표시하는 진단용화상 표시수단(66)을 가지고 있다. 이하 각각의 구성수단의 기능에 관하여 설명한다. 또한, 진단용화상 저장수단(65)과 진단용화상 표시수단(66)에 관해서는, 주지(周知)의 구성이므로 상세한 설명을 생략한다. 차폐 화소열 특정수단(61)은, 본 발명에 있어서의 차폐 화 소열 특정수단에 상당하고, 산란선분포 추정수단(63)은, 본 발명에 있어서의 산란선분포 추정수단에 상당하고, 진단용화상 생성수단(64)은, 본 발명에 있어서의 화상신호로부터 제거하는 수단에 상당한다.
(차폐 화소열 특정수단(61))
미리 피검체(M)가 없는 상태에서 X선을 조사하고, 차폐 화소열의 분포(SP) 및 직접선 투과율 데이터(Ps)를 구하는 것으로, 차폐 화소열의 위치 및 산란선 제거 그리드의 직접선 흡수특성을 적확하게 특정하는 것이 가능케 된다. 이하 차폐 화소열의 분포(SP)를 특정하는 순서에 관하여 설명한다.
우선, 도 5에 나타내는 콘빔CT 장치와 같이, SID가 일정하게 보관유지된 채로 피검체의 주위를 회전하도록 구성되어 있는 장치를 예로 설명한다.
도 5(a)에 기재의 콘빔CT 장치는, 갠트리(7)와 갠트리(7) 내부에 배치된 도시하지 않은 회전레일과, 회전레일 상에 대향 배치된 방사선원(1)과 수상수단(4)을 회전운동시키는 회전구동수단으로 구성된다. 수상수단(4)은, 이차원 방사선검출기(2)와, 산란선 제거 그리드(3)로 구성되어 있다. 콘빔CT 장치에서는, 복수의 회전위치에서 얻은 화상신호(Gij)에 근거하고, 도 1의 화상처리장치(6)는 단층화상을 얻는다. 또한, 단층(斷層) 상(像)을 얻는 구조에 관해서는, 본 발명과 직접 관련하지 않기 때문에 설명을 생략한다. 이 경우, 도 1의 화상처리장치(6)는, 본 발명에 있어서의 단층화상 처리수단에 상당하고, 갠트리(7)는, 본 발명에 있어서의 회전구동기구에 상당한다.
일반적으로, CT장치에 있어서는, 도 5(b)와 같이, 이차원 방사선검출기(2)를 원호(圓弧)형상으로 하는 것이 바람직하다. 다만, 이차원 방사선검출기(2)를 원호형상으로 하는 것은 제작비용의 증대에 연결되기 때문에, 도 5(c)와 같이, 평면검출기를 결합하여 원호형상을 근사(近似)해도 좋다.
이러한 경우는, 산란선 제거 그리드(3)도 원호형상으로 하는 것이 필요하게 된다. 이때, 산란선 제거 그리드(3)의 방사선 차폐판(31)을, 원주(圓周) 방향으로 배치하면, 도 5(b), (c)모두 각 방사선 차폐판(31)을 원호형상의 곡면판(曲面板)으로 할 필요가 있다. 그러나, 회전운동의 궤도에 대해서 직교하도록 배치하면, 도 5(b), (c)모두 각 방사선 차폐판(31)은 직사각형의 평판으로 좋고, 산란선 제거 그리드(3)의 제조가 용이하게 된다.
SID가 일정하게 보관유지되어 있는 경우라도, 각 회전위치에 있어서 기계적인 휨 등의 영향에 의해, 방사선원(1)과 수상수단(4)과의 상대위치가 미소량 변화하는 일이 있다. 이때, 이하에 나타내는 순서 S1에 의해, 각 회전위치에 있어서의 차폐 화소열의 분포(SP)(θ)를 자동적으로 검출하여 기억해 두는 것으로, 방사선원(1)과 수상수단(4)과의 상대위치가 회전각도 θ에 의해 변화하고, 차폐 화소열의 위치가 이동하는 일이 있어도, 적절한 화상의 보정처리를 행할 수 있다.
(순서 S1－1)
방사선원(1)과 수상수단(4)을 대향 보관유지하여 회전시키면서, 피검체(M)가 없는 상태에서 방사선을 조사하고, 소정의 각도마다 화상신호(Gij)(θ)를 취득한다. 여기에서 θ는 회전각도라 한다. 또한, 화상신호(Gij)(θ)는, 최대의 화상신호를 1로서 정규화하고, 직접선 투과율 데이터(Psij)(θ)로서 기억해 둔다.
(순서 S1－2)
다음으로, 회전각도 θ에 있어서의 화상신호(Gij)(θ)에 관하여 행방향의 평균치(Gaj)(θ)를 산출한다.
(순서 S1－3)
(Gaj)(θ)를, 미리 정해진 경계값(border line)을 기준으로서 2치화(値化) 하고, 이것을 차폐 화소열의 분포(SP)(θ)로서 기억한다. 즉, 화상신호가 경계값보다 작은 열을 차폐 화소열로서 특정한다. 이때, 방사선 차폐판의 음영(41)이 2개의 화소열의 사이에 투영된 경우는, 양쪽 모두 차폐 화소열로서 기억된다. 이 경우에는, 후(後)의 처리에 있어서, 인접하는 복수의 차폐 화소열을 디지털 바인드 하는 것에 의해, 문제없이 보정처리를 행할 수 있다.
이와 같이, 방사선원(1)과 이차원 방사선검출기(2)를 이들의 상대거리 일정 그리고 대향 배치한 상태에서 회전구동하는 갠트리(7)와, 복수의 회전위치에서 얻은 화상신호(Gij)에 근거하고, 화상신호에 근거하여 단층화상을 얻는 화상처리장치(6)를 갖는 콘빔CT 장치와 같은 방사선 촬상장치에 있어서는, 이들의 상대위치관계가 장치의 기능에 근거하여, 혹은 기계적인 휨 등에 근거하여 변화한다. 이와 같은 상대적인 위치관계의 변화의 범위는, 설계상 혹은 실측상 미리 알 수 있다. 기 존의 변화범위 내에서 상대적인 위치관계가 변화한 경우라도, 어느 화소열에 투영되고 있던 방사선 차폐판의 음영(41)이, 인접하는 화소열로 이동하지 않도록, 방사선 차폐판(31)의 형상이나 산란선 제거 그리드(3)와 이차원 방사선검출기(2)와의 상대위치 등이 설정된다. 이와 같이 구성된 방사선 촬상장치에서는, 장치의 기능에 근거하여 아무리 동작하려 해도, 이상에서 나타내는 순서 S1에 의해 방사선 차폐판의 음영(41)이 인접하는 다른 화소열에 이르는 일이 없다.
또, 도 5(a)와 같이 SID가 변화하지 않는 장치에 적용하면, 어느 화소열 상에 투영된 방사선 차폐판의 음영(41)이, 인접하는 화소열로 이동하지 않도록 하는 것이 보다 용이하고, 적합하다. 또한, 이차원 방사선검출기(2)를 이용하고 있기 때문에, 소위 콘빔CT의 재구성연산을 행하는 것에 의해, 산란선의 영향을 저감한 화상에 근거하여, 보다 명료한 CT상을, 단시간 그리고 저피폭선량으로 얻을 수 있다.
또한, 장치의 휨 등의 영향을 무시할 수 있는 정도라면, 상기 조정기구(34)를 적절히 조정하고, 모든 회전위치에 있어서 차폐 화소열의 분포(SP)(θ)가 변화하지 않도록 하는 것에 의해, 회전각도 θ마다 차폐 화소열의 분포(SP)(θ)를 기억하는 일 없이 화상의 보정처리를 행하는 것이 가능케 된다.
한편, 방사선투시촬영장치 등과 같이, SID가 장치의 기능에 근거하여 변화하는 장치도 존재한다. 도 6(a)~(c)에는, SID가 SID0로부터 SID1로 변화했을 때에, 방사선 차폐판의 음영(41)의 위치 및 폭이 변화하는 모습을 모식적으로 나타내고 있다. 여기에서, SID0는, 상술한 바와 같이 방사선투시촬영장치에서 사용하는 표준적 인 SID(표준위치(SID0))로서, SID=SID0에 있어서 무엇보다 제일 직접선을 투과하도록, 방사선 차폐판(31)의 경사를 정하고 있다. 도 6(b)는, 이차원 방사선검출기(2)의 주변부를 확대한 도이다. 또, 도 6(c)는 이차원 방사선검출기(2)의 중앙부근을 확대한 도이다. 각각의 확대도에 있어서, SID가 SID0 또는 SID1인 경우에 있어서의, 화소열에 대응한 화상신호(G) 및 차폐 화소열의 분포(SP)를 병기(倂記)하고 있다. SID가 변화하면, 방사선 차폐판의 음영(41)이 투영되는 위치 및 폭이 변화한다. 이 변화는, 이차원 방사선검출기(2)의 주변부만큼 커진다. 이와 같은 장치에 있어서는, 이하에 나타내는 순서 S2에 의해, 각 회전위치에 있어서의 차폐 화소열의 분포(SP)(SID)를 자동적으로 검출하여 기억해 두는 것으로, SID가 변화하고, 차폐 화소열의 위치 및 폭이 이동하는 일이 있어도, 적절한 화상의 보정처리를 행할 수 있다. 또한 회전기구 등을 수반하는 경우에는, 회전각도 및 SID마다 순서 S1 및 S2를 실시하고, SP(θ, SID)를 구해둘 수 있다.
(순서 S2－1)
SID를 여러가지 변화시키면서, 피검체(M)가 없는 상태에서 방사선을 조사하고, 화상신호(Gij)(SID)를 취득한다. 또한, 화상신호(Gij)(SID)는, 최대의 화상신호를 1로서 정규화하고, 직접선 투과율 데이터(Psij)(SID)로서 기억해 둔다.
(순서 S2－2)
다음으로, 화상신호(Gij)(SID)에 관하여 행방향의 평균치(Gaj)(SID)를 산출한 다.
(순서 S2－3)
(Gaj)(SID)를, 미리 정해진 경계값을 기준으로서 2치화 하고, 이것을 차폐 화소열의 분포(SP)(SID)로서 기억한다. 즉, 화상신호가 경계값보다 작은 열을 차폐 화소열로서 특정한다. 이때, 방사선 차폐판의 음영(41)이 복수의 화소열에 걸쳐서 투영되었을 경우는, 차폐 화소열이 인접하는 복수열에 이르고, 양쪽 모두 차폐 화소열로서 기억된다. 이 경우에는, 후의 처리에 있어서, 인접하는 복수의 차폐 화소열을 디지털 바인드하는 것에 의해, 문제없이 보정처리를 행할 수 있다.
또한, 차폐 화소열 특정수단(61)을 장치의 에이징(aging)시, 이차원 방사선검출기(2)의 캘리브레이션(calibration)시 등에 정기적으로 동작시키고, 상기 직접선 투과율 데이터(Ps) 및 차폐 화소열의 분포(SP)를 측정·산정하는 것이 바람직하다.
(차폐 화소열 추정수단(62))
도 7은, i행에 있어서의 10열만큼의 화상신호(Gij)와 실제 직접선(Rd＇ij)과의 각 분포를 겹쳐서 표시한 그래프이다. 상술한 바와 같이, 4열 마다 방사선 차폐판(31)이 배치되므로, 도 7에 있어서의 화상신호(Gij)도 j=3, 7(차폐 화소열)에 있어서 신호강도가 저하되고 있다. 다만 실제 직접선(Rd＇ij), 실제 산란선(Rs＇ij)은, 모두 산란선 제거 그리드(3)의 전면(前面)에 있어서의 분포이므로, 방사선 차폐판(31)에 의한 영향은 받고 있지 않다.
여기에서, 차폐 화소열 추정수단(62)은, 차폐 화소열에 있어서의 추정화상신호(G＾ ij)를, 인접하는 화소열에 의한 보간(補間)에 의해 구한다. 예를 들어 단순히, 이하의 식으로 구한다.
G＾ i3=(Gi2＋Gi4)
단순히 평균치를 이용하는 것 외에도, 일반적으로 알려진 다차원 보간이나 스프라인(spline) 보간 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 인접하는 복수의 화소열의 값을 이용하는 것이면, 추정의 정도(精度)가 향상한다.
이와 같이 차폐 화소열의 화상신호를 인접하는 화소열에 의해 보간에 의해 구하고, 그 외의 화소열의 화상신호는 그대로 화상신호(Gij)를 사용하는 것으로 하고, 모든 추정화상신호(G＾ ij)를 산출한다.
차폐 화소열 추정수단(62)에 있어서는, 보간처리에 필요한 열수만큼(列數分)만의 화상신호(Gij)가 버퍼메모리(67)에 저장되어 있으면 충분하기 때문에, 화상신호(Gij)의 전송과 병행하여 보간 처리를 행할 수 있다.
(산란선분포 추정수단(63))
차폐 화소열 추정수단(62)에서 산출된 G＾ ij와, 본래의 화상신호(Gij)와의 차분(差分)은, 방사선 차폐판(31)에 의해서 흡수된 직접선, 즉 직접선(Rd＇)과 투과 직접선(Rd)과의 차(差)로 추정된다. 이때, 미리 차폐 화소열에 있어서의 방사선 차폐판(31)의 직접선 투과율 분포를 직접선 투과율 데이터(Psij)로서 측정 혹은 산정해 둔다. 구체적으로는, 피검체(M)를 배치하지 않고 직접선 만을 입사시켰을 때의 차폐 화소열의 화상신호와 그 이외의 화상신호와의 비(比)를, 실측 하여 보존해 두는 것에 의해 용이하게 실현할 수 있다. 이때, Psij의 최대치가 1이 되도록 정규화한다.
또, 방사선 차폐판(31)의 형상과, 화소의 크기와의 비와, 방사선원(1)과 이차원 방사선검출기(2)와 산란선 제거 그리드(3)와의 상대위치관계에서, 화소 상에 있어서의 방사선 차폐판(31)의 음영이 차지하는 비율을 산출하여 보존해 두어도 좋다. 그 외, 직접선(Rd)에 대한 차폐 화소열에 있어서의 산란선 제거 그리드(3)의 직접선 투과율 데이터(Psij)를 미리 구해 두는 것에 있어서, 그 수법은 여러 가지 선택가능하다.
한편, 차폐 화소열에 있어서의 본래의 화상신호(Gij)는, 투과직접선(Rdij)과 투과산란선(Rsij)과의 합계이다. 또, 추정투과직접선(Rd)＾ ij=(G＾ ij－Gij)×(Ps/(1－Ps))로 구할 수 있다. 따라서, 차폐 화소열에 있어서의 추정투과산란선(Rs＾ ij)은, Rs＾ ij=(Gij－G＾ ij·Ps)/(1－Ps)로 구할 수 있다.
이때, 추정투과산란선(Rs＾ ij)에는, 양자 노이즈가 포함되어 있어 직접선이 완전히 제거되지 않고 잔존하고 있을 가능성도 있다. 또 보정해야 할 산란선분포는 직접선 분포에 비교하여 충분히 저주파 특성인 것도 알려져 있다. 그래서, 추정투과산란선(Rs＾ ij)에 적절한 로우패스필터(lowpass filter)를 적용하는 것이 바람직하다.
로우패스필터는, 이차원 푸리에변환(Fourier transform)하여 고주파를 감쇠시키는 필터를 걸치는 방법이나, 템플릿(template)필터를 적용하는 등의 일반적인 방법을 적용할 수 있다. 다만, 이하에 설명하는 간략적인 수법을 적용하면, 처리시간을 단축할 수 있고, 리얼타임인 화상제공에 기여한다.
도 8을 이용하여, 추정투과산란선(Rs＾ ij)에 포함되는 고주파성분을 제거하는 방법의 일례를 설명한다. 도 8(a)는, 추정투과산란선(Rs＾ ij)의 일부 영역을 나타내고 있다. 현 단계에서는, 차폐 화소열에 있어서의 추정투과산란선(Rs＾ ij)만이 구해지고 있다.
이 예에서는, 우선, 행방향 필터를 적용한 추정투과산란선분포(Es＇＾ ij)를, 가중평균에 의해 구한다. 즉, Es＇＾ ij를, 동일 열(列) 내에서 인접하는 17화소만큼 의 추정투과산란선 Rs＾ i－8j ~ Rs＾ i＋8j을 이용하여, 도 8(a) 상에 나타낸 바와 같은 함수로 나타내지는 가중평균에 의해 구한다. 이와 같이 하여, 행방향 필터를 적용한 추정투과산란선(Es＇＾ ij)을, 차폐 화소열 내에서 4화소 마다 구한다.
다음으로, 이차원 필터를 적용한 추정투과산란선(Es＾ ij)을, 가중평균에 의해 구한다. 즉, Es＾ ij을, 동일 행 내에 있어서의 열방향필터 적용 후의 추정투과산란선 Es＇＾ ij －4, Es＇＾ ij, 및 Es＇＾ ij ＋4, 를 이용하여, 도 8(b) 왼쪽에 나타내는 것처럼 가중평균에 의해 구한다. 이와 같이하여, 이차원 필터를 적용한 추정투과산란선(Es＾ ij)을, 4행 4열 간격으로 구한다(도 8(c)). 그 외의 화소 위치에 있어서의 이차원 필터를 적용한 추정투과산란선(Es＾ ij)는, 그 보간에 의해 구할 수 있다.
이때, 차폐 화소열이, 투과산란선(Rsij)의 공간주파수를 샘플링할 수 있는 나이키스트(Nyquist)주파수 이상에서 존재하도록, 방사선 차폐판(31)이 배치되어 있는 것이 전제이다. 또, 이들 일련의 추정은, 산란선(Rsij)의 공간주파수가 직접선(Rd＇ij)에 비해 낮은 일반적인 성질을 이용하고 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 차폐판 높이(h)와 차폐판 감응층간 거리(f) 를 동일하게 해도 좋다. 이것에 의해, 투과산란선(Rsij)의 방사선 감응층(22) 상에 있어서의 공간분포 특성이 플랫(flat)이 되는 효과가 있다. 그 이유를 이하, 수치 시뮬레이션에 의해서 나타낸다.
도 9(a)는, 차폐판 높이(h)=차폐판 감응층간 거리(f)=10mm로 했을 경우에 있어서, －10도에서 ＋10도에 걸치는 입사방향으로부터의 병행한 산란선이 조사되었을 때의, 방사선검출기(2)의 각 화소(Pij)에 있어서의 투과산란선 강도분포를 나타내는 그래프이다. 횡축이 화소 위치로서, 종축이 방사선의 입사각도를 나타내고 있고, 색이 연해질수록 방사선 강도가 강한 것을 나타낸다. 횡축의 중심위치는, 차폐 화소열의 위치에 대응하고, 또 횡폭 전체에서 차폐판의 1피치 만큼 대응하고 있다. 또, 도 9(b)는, 도 9(a)를 종축 방향으로 적분한 값을 플롯(plot)한 그래프이다. 횡축이 화소 위치로서, 종축이 방사선의 강도를 나타낸다. 이들의 그래프로부터, 방향에 의존해서 검출되는 산란선의 강도가 변화하긴 하지만, 그 적산치는 화소 위치에 의존하지 않고 플랫한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 일반적으로 차폐판 감응층간 거리(f)가 차폐판 높이(h)의 정수배이면, 플랫한 특성이 얻어지는 것이 수치 시뮬레이션에서 확인되고 있다.
한편, 도 10(a), (b)는, 차폐판 높이(h)=10mm, 차폐판 감응층간 거리(f)=3mm로 했을 경우에 있어서의 도 9와 같은 모양의 그래프이다. 이러한 경우, 중앙부근 즉 차폐 화소열부근에 있어서, 적분된 산란선의 강도가 커진다.
이들의 시뮬레이션 결과로부터, 차폐판 높이(h)와 차폐판 감응층간 거리(f) 를 동일하게 하는 것이 바람직한 것을 알았다. 즉, 거리를 동일하게 하지 않는 경우에는, 통계적으로, 차폐 화소열에 있어서의 추정투과산란선(Rs＾ ij)을 바탕으로 그 주변의 추정투과산란선(Es＾ ij)을 보간에 의해 구하기 때문에, 추정 정도가 저하하므로 문제이다.
상기 산란선 제거 그리드(3)와 이차원 방사선검출기(2)사이의 거리가 방사선 차폐판(31)의 높이의 정수배인 것에 의해, 산란선의 투과율은 산란선 제거 그리드(3)에 입사하는 각도에 의존하여 변화하지만, 모든 각도로부터 균일하게 산란선이 입사하는 전제에서는 각 화소열에 도달하는 산란선 강도가 거의 균일하게 되어, 산란선성분 분포추정의 정도가 향상한다.
(진단용화상 생성수단(64))
진단용화상 생성수단(64)은, 본래의 화상신호(Gij)로부터, 산란선분포 추정수단(63)에 의해 구한 이차원 필터를 적용한 추정투과산란선(Es＾ ij)을 제하고 직접선 투과율 데이터(Ps)에서 나눗셈하는 것에 의해, 진단화상(Goij)을 생성한다.
구체적으로는, 진단화상(Goij)을, Goij=(G－Es＾ ij)/Ps로 구할 수 있다. 실제로는 차폐 화소열에 관해서 상기 식을 실행하여 진단화상(Goij)을 구하지만, 차폐 화소열 이외의 화소열에서는 상술한 것처럼 Ps가 최대치가 되고, Ps=1이 되도록 정규화되 어 있으므로, 차폐 화소열 이외의 화소열에 관해서도, 본래의 화상신호(Gij)로부터 추정투과산란선(Es＾ ij)을 빼는 것만으로 진단화상(Goij)을 생성할 수 있다.
이와 같이, 추정투과산란성분에 상당하는 추정투과산란선(Es＾ ij)을 본래의 화상신호(Gij)로부터 제거하는 것으로, 진단화상(Goij)이 생성되고, 화상신호가 보정된다. 또한, 보정시에는, 본 실시형태와 같은 감산에 한정되지 않고, 나눗셈이나 각각의 대수치(對數値)의 감산을 행하는 것으로 화상신호로부터 추정투과산란성분을 제거하면 좋다.
이 식에 의해서 S/N비가 나쁘지만 차폐 화소열의 실측치로부터 진단화상 (Goij)을 얻은 것이 된다. 또한, 상기 차폐 화소열의 추정 직접선의 S/N비의 나쁨을 커버하기 위해, 또한, 후속연산으로서, 차폐 화소열의 방향의 스무딩(smoothing)이나 인접 화소 행(여기에서는 데이터라인에 평행한 행)과의 가산 평균화를 행해도 좋다. 차폐 화소열의 방향의 스무딩에 관해서는, 도 8에서 서술한 것처럼 연산을 행하면 좋다.
이와 같이, 적은 방사선 차폐판에 의해, 직접선의 투과율을 충분히 확보하면서 산란선을 추정할 수 있는 것에 더해, 방사선 차폐판의 음영(41)에 의한 화상정보의 누락을 억제하고 그리고 누락 부분을 보완하는 것에 의해, 산란선을 충분히 제거한 명료한 진단화상을 얻을 수 있다. 또, 저선량 촬영이 가능케 되어, 피검체(M)의 피폭선량을 큰폭으로 저감할 수 있는 효과도 가져온다.
또, 산란선의 추정 및 차폐 화소열에 있어서의 화상신호의 보간처리는, 인접하는 수열(數列)의 화소열의 화상신호가 있으면 가능하다. 따라서, 화소열과 방사선 차폐판(31)을 평행으로 배치해 두면, 필요만큼만 화상신호를 버퍼에 축적하는 등 해서, 축적된 복수열의 화상신호로부터 산란선의 추정처리, 및 화상정보의 누락부분의 보간처리를, 화상신호의 입력과 동시 병행적으로 행하는 것에 의해, 처리의 고속화를 실현할 수 있다. 예를 들면, 동화상처리를 리얼타임으로 실현할 수 있다.
또, 인접하는 복수의 상기 화소열이 신호레벨에서 바인드되어 있으면, 분해능은 낮아지지만, 또한 처리를 고속으로 행할 수 있다. 또, 배치하는 방사선 차폐판(31)을 줄일 수 있고, 또한 직접선의 흡수율을 저감하고, 저선량 촬영에 공헌할 수 있다. 또, 차폐 화소열만을 묶도록 구성해도 좋다.
본 실시형태에서는, 열방향으로만 방사선 차폐판(31)을 배치하는 것으로 했지만, 행방향으로도 배치하여 크로스 그리드로 해도 좋다. 이 경우는, 열방향으로부터의 산란선을 차폐·제거할 수 있기 때문에, 보다 선명한 화상을 얻을 수 있다.
또한, 일반적인 방사선검출기에서 행해지고 있는 오프셋 보정·게인 보정·결손화소 보정 등의 여러 가지의 보정을 상술의 처리에 앞서 행하는 것이 바람직하다. 또, LUT등에 의한 계조(階調)보정·γ보정 등 여러 가지의 화상처리를, 상술의 처리 후에 행하는 것이 바람직하다. 그 외, 종래 기술에 근거하여, 본 발명에 의해 얻어진 진단화상(Goij)을 이용하여, 적합한 콘빔 재구성에 의한 단층 상을 생성할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
또, 도 3(b)에서도 서술한 것처럼, 방사선 차폐판(31)을 데이터라인(DLi)에 평행으로 배치해도 좋다. 이 경우에는, 화소열 및 차폐 화소열은, 데이터라인(DLi)에 평행이다. 이 경우에는, 도 3(a)과 상위하고, 바인드는, 인접하는 복수의 게이트라인(GLi)을 동시에 온 하는 것에 의해 화상신호를 아날로그적으로 가산하는 아날로그 바인드는 아니다. 그 대신에, 디지털 출력된 화상신호(Gij)의 인접하는 데이터라인(DLi)의 화상신호를 디지털적으로 가산평균하는 디지털 바인드이므로, 바인드를 디지털값의 평균을 구하는 것으로 행하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명에 관련되는 방사선검출기에 관하여 상술했지만, 이와 같은 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 의료용 용도 이외에, 비파괴검사장치에 관해서도 적용 가능하다.

Claims (11)

  1. 방사선조사수단과, 행렬방향으로 배치되어, 방사선을 전하로 변환하는 화소와, 상기 전하를 화상신호로서 판독하는 판독수단을 구비한 이차원 방사선검출기와, 상기 방사선조사수단과 상기 이차원 방사선검출기와의 사이에 배치된 산란선 제거 그리드(grid)를 가지고,
    상기 산란선 제거 그리드는 복수의 상기 화소로 이루어지는 화소열에 평행으로 그리고 복수의 화소열(列) 마다 배치된 복수의 방사선 차폐(遮蔽)판을 가지고,
    상기 방사선 차폐판의 음영이 투영되는 하나 또는 복수의 상기 화소열로 이루어지는 차폐 화소열로부터 판독된 상기 화상신호를, 상기 차폐 화소열에 대해서 행방향으로 인접하는 복수의 상기 화소열로부터 판독된 화상신호에 근거하여 보정하는 보정연산수단을 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보정연산수단은, 상기 차폐 화소열로부터 판독된 화상신호에 근거하고, 상기 이차원 방사선검출기에 입사하는 산란선분포를 추정하는 산란선분포추정수단과, 상기 추정된 산란선분포에 근거한 추정투과산란성분을, 적어도 일부의 화소로부터 판독된 화상신호로부터 제거하는 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 방사선촬상장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 차폐 화소열이 복수의 상기 화소열로부터 구성되고, 상기 차폐 화소열을 구성하는 복수의 상기 화소열의 화상신호를 아날로그에서 결합하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란선 제거 그리드와 상기 면(面)검출기 간의 거리가 상기 방사선 차폐판의 높이의 정수배인 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선조사수단과, 상기 산란선 제거 그리드 및 상기 이차원 방사선검출기와의 상대위치가 소정의 범위에서 변화한 경우에 있어서도, 상기 방사선 차폐판의 음영이 상기 화소열 내에 들어가도록 상기 산란선 제거 그리드의 위치 및 상기 방사선 차폐판의 형상이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 방사선조사수단 및 상기 이차원 방사선검출기의 위치에 있어서, 상기 방사선조사수단과 상기 이차원 방사선검출기와의 사이에 피검체를 배치하지 않고 촬영한 화상신호에 근거하여, 상기 차폐 화소열의 위치 및 차폐 화소열의 폭을 취득하는 차폐 화소열 특정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  7. 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 이차원 방사선검출기와 상기 산란선 제거 그리드와의 상대위치를 조정하는 조정수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란선 제거 그리드가 크로스(cross:십자형) 그리드인 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선조사수단과 이차원 방사선검출기를 이들의 상대거리 일정 그리고 대향 배치한 상태에서 회전구동하는 회전구동기구와, 복수의 회전위치에서 얻은 상기 화상신호에 근거하여 단층화상을 얻는 단층화상 처리수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이차원 방사선검출기는, 동일 행에 속하는 각 화소의 드레인전극에 접속되는 데이터라인과, 동일 열에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인을 가지고 있고, 상기 방사선 차폐판을 상기 게이트라인에 평행으로 배치하는 것으로, 상기 화소열 및 차폐 화소열은, 상기 게이트라인에 평행인 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이차원 방사선검출기는, 동일 행에 속하는 각 화소의 게이트전극에 접속되는 게이트라인과, 동일 열에 속하는 각 화소의 드레인전극에 접속되는 데이터라인을 가지고 있고, 상기 방사선 차폐판을 상기 데이터라인에 평행으로 배치하는 것으로, 상기 화소열 및 차폐 화소열은, 상기 데이터라인에 평행인 것을 특징으로 하는 방사선 촬상장치.
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