KR20080093539A - 포스파이트 화합물을 이용한 인화 금속 나노결정의제조방법 및 나노 결정 코아의 패시베이션 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 화학적 습식 합성법에 의해서 인화 금속 나노결정을 제조함에 있어서,용매 내에서 금속 전구체와 포스파이트(phosphite) 화합물을 반응시켜 인화 금속 나노결정을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인화 금속 나노결정의 제조방법.
- 나노결정 코아 표면에 인화 금속층을 패시베이션시킴에 있어서,나노결정 코아를 포함하는 용액에 금속 전구체와 포스파이트 화합물을 첨가하여 반응시켜 나노결정 코아 표면에 인화 금속 층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노결정 코아의 패시베이션(passivation) 방법.
- 제 1항에 있어서 상기 방법이,(ⅰ) 금속 전구체와 분산제를 포함하는 반응 용액을 준비하여 일정 온도로 설정하는 단계;(ⅱ) 포스파이트 화합물을 용해시킨 반응 용액을 준비하는 단계;(ⅲ) (ⅱ)단계에서 수득한 포스파이트 화합물 용액을 (ⅰ)단계에서 수득한 금속전구체 용액에 주입하여 반응키는 단계; 및(ⅳ) 반응 종료 후 합성된 인화 금속 나노결정을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인화 금속 나노결정의 제조방법.
- 제 2항에 있어서 상기 방법이,(ⅰ) 나노결정 코아, 금속 전구체 및 분산제를 포함하는 반응 용액을 준비하는 단계;(ⅱ) 포스파이트 화합물을 용해시킨 반응 용액을 준비하는 단계;(ⅲ) (ⅱ)단계에서 수득한 포스파이트 화합물 용액을 (ⅰ)단계에서 수득한 나노결정 코아를 포함하는 금속전구체 용액에 주입하여 반응키는 단계; 및(ⅳ) 반응 종료 후 합성된 인화 금속 나노결정을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노결정 코아의 패시베이션 방법
- 제 1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 Zn, Cd, Hg, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Tl, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Pd, Ag, Pt 및 Au로 이루어진 군에서 선택된 원소를 포함하는 유기금속 화합물 또는 그 염인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 금속 전구체는 Zn, Cd, Hg, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Tl, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Pd, Ag, Pt 및 Au로 이루어진 군에서 선택된 원소를 포함하는 유기금속 화합물 또는 그 염인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 금속 전구체가 갈륨 아세틸아세토네이트, 염화 갈륨, 불화 갈륨, 산화 갈륨, 질화 갈륨, 황산 갈륨, 아세트산 인듐, 인듐 아세틸아세토네이트, 염화 인듐, 산화 인듐, 질산 인듐, 황산 인듐, 아세트산 탈륨, 탈륨 아세틸아세토네이트, 염화 탈륨, 산화 탈륨, 탈륨 에톡시드, 질산 탈륨, 황산 탈륨, 탄산 탈륨 및 이들의 합금 또는 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 유기금속 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 금속 전구체가 갈륨 아세틸아세토네이트, 염화 갈륨, 불화 갈륨, 산화 갈륨, 질화 갈륨, 황산 갈륨, 아세트산 인듐, 인듐 아세틸아세토네이트, 염화 인듐, 산화 인듐, 질산 인듐, 황산 인듐, 아세트산 탈륨, 탈륨 아세틸아세토네이트, 염화 탈륨, 산화 탈륨, 탈륨 에톡시드, 질산 탈륨, 황산 탈륨, 탄산 탈륨 및 이들의 합금 또는 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 유기금속 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 포스파이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 방법.[화학식 1]P( OR ) 3상기 식에서 R은 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환 알킬사슬, 아릴기, 에테르, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드 등으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
- 제 2항에 있어서, 상기 포스파이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 방법.[화학식 1]P( OR ) 3상기 식에서 R은 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환 알킬사슬, 아릴기, 에테르, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드 등으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
- 제 9항에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기는 불포화기, 카르복실기, 아마이드기, 페닐기, 아민기, 아크릴기, 실란기, 포스핀기, 포스핀산기, 시안기, 및 싸이올기로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기는 불포화기, 카르복실기, 아마이드기, 페닐기, 아민기, 아크릴기, 실란기, 포스핀기, 포스핀산기, 시안기, 및 싸이올기로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 인화 금속 나노결정은 AlP, InP, GaP, Zn3P2, Cd3P2, MnP, FeP, Fe2P, Co2P, Ni2P로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 인화 금속 층은 AlP, InP, GaP, Zn3P2, Cd3P2, MnP, FeP, Fe2P, Co2P, Ni2P로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 나노결정은 구형, 막대형, 트리포드형 (tripod), 테트라포드형(tetrapod), 입방체형(cube), 박스형(box), 별형(star) 또는 이들의 혼합된 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 나노결정 코아는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP 또는 InAs의 화합물 반도체 나노결정, TiO2, SiO2, CdO, Fe2O3, CuO, AgO 또는 ZrO의 금속산화물 나노결정, 또는 Pt, Pd, Ru, Rh, Ir, Au, Ag, Fe, Co, Ni, Si 또는 Ge의 금속 나노결정, 또는 상기 물질의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 나노결정 코아는 구형, 막대형, 트리포드형(tripod), 테트라포드형(tetrapod), 입방체형(cube), 박스형(box), 별형(star) 또는 이들의 혼합형태인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 반응 용매는 일차 알킬 아민, 이차 알킬 아민, 삼차 알킬 아민, 질소 원자 또는 황 원자를 포함하는 헤테로 고리구조 화합물, 알칸, 알켄, 알킨, 트리옥틸 포스핀, 트리옥틸 포스핀 옥사이드, 일차 알코올, 이차 알코올, 삼차 알코올, 케톤, 에스테르, 수용액 및 수용액과 유기용매의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 반응 용매는 일차 알킬 아민, 이차 알킬 아민, 삼차 알킬 아민, 질소 원자 또는 황 원자를 포함하는 헤테로 고리구조 화합물, 알칸, 알켄, 알킨, 트리옥틸 포스핀, 트리옥틸 포스핀 옥사이드, 일차 알코올, 이차 알코올, 삼차 알코올, 케톤, 에스테르, 수용액 및 수용액과 유기용매의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3항에 있어서, 반응 온도가 200℃ 내지 350℃인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4항에 있어서, 반응 온도가 150℃ 내지 350℃인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 또는 2항의 방법에 의해 제조된 인화 금속 나노결정.
- 한 쌍의 전극 사이에 무기 층 및 유기 층을 복합적으로 포함하는 무기 유기 하이브리드 전기 발광 소자에 있어서, 발광층으로 제 22항에 따른 인화 금속 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 유기 하이브리드 전기 발광 소자.
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