KR20080091146A - 진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기위한 적어도 제1 봉쇄 영역을 구비하는 레이저 기계 가공장치, 및 레이저 기계 가공 방법 - Google Patents

진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기위한 적어도 제1 봉쇄 영역을 구비하는 레이저 기계 가공장치, 및 레이저 기계 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080091146A
KR20080091146A KR1020087017317A KR20087017317A KR20080091146A KR 20080091146 A KR20080091146 A KR 20080091146A KR 1020087017317 A KR1020087017317 A KR 1020087017317A KR 20087017317 A KR20087017317 A KR 20087017317A KR 20080091146 A KR20080091146 A KR 20080091146A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
machining
laser machining
containment region
laser
region
Prior art date
Application number
KR1020087017317A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101353367B1 (ko
Inventor
존 오할로란
존 털리
팻 그라임즈
Original Assignee
엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드 filed Critical 엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드
Publication of KR20080091146A publication Critical patent/KR20080091146A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101353367B1 publication Critical patent/KR101353367B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사하는 재료(15)를 기계 가공하도록 배치된 본 발명의 레이저 기계 가공 장치는, 방사된 유해 물질 중 적어도 일부를 상기 장치의 기계 가공 영역으로부터 추출하기 위한 진공 추출 시스템(24, 25)을 포함한다. 적어도 제1 봉쇄 영역(36)은, 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물을 상기 기계 가공 영역에 가두기 위해 상기 기계 가공 영역을 둘러싼다. 제2 봉쇄 영역(37)은 상기 제1 봉쇄 영역(36)을 둘러쌀 수 있으며, 유해 물질의 침착물을 상기 제1 봉쇄 영역(36)에 가두는 것을 보조하기 위해 제1 봉쇄 영역(36)과 제2 봉쇄 영역(37) 사이에 압력차가 제공될 수 있다. 기계 가공된 재료(15)에 침착된 모든 방사된 유해 물질의 이송시에 유해 물질이 상기 레이저 기계 가공 장치로부터 유출되는 것을 방지하기 위해, 상기 기계 가공된 재료(15)를 세정 스테이션으로 이송하기 위한 이송 챔버(40)가 구비될 수 있다.
기계 가공 영역, 진공 추출 시스템, 제1 봉쇄 영역, 제2 봉쇄 영역, 재료, 레이저 기계 가공 장치, 세정 스테이션, 이송 챔버.

Description

진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기 위한 적어도 제1 봉쇄 영역을 구비하는 레이저 기계 가공 장치, 및 레이저 기계 가공 방법{LASER MACHINING APPARATUS AND METHOD WITH A VACUUM EXTRACTING SYSTEM AND AT LEAST A FIRST CONTAINEMENT ZONE FOR CONTAINING DEPOSITION OF EMITTED HAZARDOUS MATERIAL}
본 발명은 레이저 기계 가공 장치에 관한 것으로서, 특히 레이저 기계 가공시 유해한 방사물의 추출 및 봉쇄(containment)에 관한 것이다.
종래에, 웨이퍼 및 다른 반도체의 다이싱(dicing)은 기계 다이싱 톱에 의해 수행되었다. 기계 톱을 사용하는 단점은, 톱에 의해 웨이퍼 상에 발생되는 기계적 응력이 항복을 발생시킬 수 있고, 톱에 의해 비교적 큰 자국이 형성된다는 것이다. 레이저를 사용하면, 항복을 증가시키고, 또한 웨이퍼 상의 디바이스들 사이의 자국 또는 스트리트(street)의 폭을 감소시켜, 웨이퍼당 디바이스의 수를 증가시킬 수 있다. 그러한 스트리트 폭의 감소의 이점은, 자국이 디바이스의 사이즈에 비해 큰 디바이스에서 특히 중요하다.
비소화갈륨과 같은 웨이퍼에서의 비아(via) 형성은 종래에 화학적으로 또는 에칭 공정을 사용하여 수행되었다. 레이저 비아 기계 가공은, 다양성의 면에서, 또한 높은 수율 및 융통성을 인한 비용 감소의 면에서 중요한 이점을 제공한다.
그러나, 몇 가지 재료의 레이저 다이싱 및 레이저에 기초한 비아 천공과 같은 마이크로 기계 가공 응용에 레이저를 사용하는 것은, 기계 가공 공정시에 발생되는 방사물로 인해 해로울 수 있다.
레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사할 수 있는 비소화갈륨과 같은 재료의 레이저 다이싱이 제안되었지만, 공지된 레이저 기계 가공 장치에서와 같이 공지된 툴은 생산에 안전하게 사용될 수 없었고, 발생된 입자가 기계 가공 작동시에 어디에 침착될 수 있는가 하는 것에는 주의를 기울이지 않았다는 것이 명백하다.
본 발명의 목적은 적어도 종래기술에서의 상술한 문제점을 개선하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사하는 기판을 기계 가공하도록 배치된 레이저 기계 가공 장치로서, 기계 가공 영역을 둘러싸는 하우징을 포함하며, 방사된 유해 물질 중 적어도 일부를 상기 장치의 상기 기계 가공 영역으로부터 추출하기 위한 진공 추출 시스템, 및 상기 기계 가공 영역을 둘러싸는 상기 하우징 내에 있으며, 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물을 실질적으로 가두도록 배치된 적어도 제1 봉쇄 영역을 포함하는, 레이저 기계 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는, 상기 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물 중 상기 제1 봉쇄 영역에서 침착되지 않은 침착물을 가두도록 배치되며, 상기 제1 봉쇄 영역을 실질적으로 둘러싸고 있는 제2 봉쇄 영역을 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 제1 봉쇄 영역에서의 주변 가스 압력은 상기 제2 봉쇄 영역에서의 주변 가스 압력보다 낮다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는, 레이저 기계 가공된 재료를, 상기 기계 가공 영역으로부터, 모든 방사된 유해 물질을 상기 기계 가공된 재료로부터 세정하기 위해 배치된 세정 스테이션으로, 이송시에 유해 물질을 상기 레이저 기계 가공 장치의 환경으로 유출시킴 없이, 이송하기 위한 이송 챔버를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는 반도체 웨이퍼를 기계 가공하도록 배치된다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는 반도체 웨이퍼 내의 비아(via)에 대해, 다이싱(dice)과 기계 가공 중 하나 이상을 행하도록 배치된다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는 III-V 반도체를 기계 가공하도록 배치된다.
바람직하게는, 상기 레이저 기계 가공 장치는 비소화물(arsenide)을 기계 가공하도록 배치된다.
본 발명의 제2 양상에 따르면, 레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사하는 기판을 레이저 기계 가공하는 방법으로서, 재료의 기계 가공 영역을 둘러싸는 하우징으로부터 방사된 유해 물질 중 적어도 일부를 추출하는 단계, 및 상기 기계 가공 영역을 둘러싸며, 모든 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물을 실질적으로 가두는 적어도 제1 봉쇄 영역을 제공하는 단계를 포함하는, 레이저 기계 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 방법은, 상기 제1 봉쇄 영역을 실질적으로 둘러싸는 제2 봉쇄 영역을 제공하는 단계, 및 상기 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물 중 상기 제1 봉쇄 영역에서 침착되지 않은 침착물을 제2 봉쇄 영역에 가두는 단계를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은, 상기 제1 봉쇄 영역으로부터 상기 제2 봉쇄 영역으로의 유해 물질의 이송을 막기 위해, 상기 제1 봉쇄 영역과 상기 제2 봉쇄 영역 사이에 주변 가스 압력차를 제공하는 단계를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은, 이송 챔버를 제공하는 단계, 레이저 기계 가공된 재료를 상기 기계 가공 영역으로부터 세정 스테이션으로, 이송시에 유해 물질을 상기 레이저 기계 가공 장치의 환경으로 유출시킴 없이, 이송하는 단계, 및 모든 방사된 유해 물질을 상기 기계 가공된 재료로부터 세정하는 단계를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은 반도체 웨이퍼를 기계 가공한다.
바람직하게는, 상기 방법은 반도체 웨이퍼 내의 비아(via)에 대해, 다이싱(dice)과 기계 가공 중 하나 이상을 한다.
바람직하게는, 상기 방법은 III-V 반도체를 기계 가공한다.
바람직하게는, 상기 방법은 비소화물을 기계 가공한다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 예로서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 레이저 기계 가공 장치의 일부의 사시도이다.
도 2는 도 1의 레이저 기계 가공 장치의 기계 가공부를 통한 기류를 나타내는 절개도이다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 기계 가공 장치의 개략적 단면도이다.
도 4는 1차 및 2차 봉쇄실(containment chamber)을 도시하는 도 1의 레이저 기계 가공 장치의 일부의 사시도이다.
도 5는 기계 가공된 웨이퍼를 상기 장치의 기계 가공부로부터 세정 스테이션으로 이송하기 위한 이송 봉쇄실을 도시하는 도 1의 레이저 기계 가공 장치의 일부의 사시도이다.
도면에서 유사한 도면 부호는 유사한 부품을 나타낸다.
반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 레이저 처리 기계는, 웨이퍼 또는 기판의 반도체 또는 다른 재료에 비아 형성부(via formations)를 다이싱 또는 천공하기 위해 사용될 수 있다. 기계 가공 공정에는 적어도 기계 가공될 재료에 의해 레이저광이 흡수되는 작용이 포함되어, 기계를 손상시키거나 조작자에게 위험하거나, 국부 환경에서 물질과 반응하여 기계 또는 조작자에게 위협을 가할 수 있는 잠재적으로 위험한 화합물을 형성할 수 있는 가스 및 고체 입자 방사물을 형성하는 광제거(photoablation), 광이온화 또는 다른 광분리 현상을 일으킨다.
한 가지 그러한 공정은 q-절환 펄스 레이저에 의한 비소화갈륨의 레이저 기계 가공이다. 이러한 공정에서, 비소화갈륨은 분리되어 유해한 원소인 비소를 형 성한다. 따라서, 레이저 기계 가공 장치의 기계 가공 또는 절단 영역으로부터 오는 비소 방사물을 방지하는 것이 필요하다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 기계 가공 장치(10)는, 빔 공급 경로를 가진 레이저(도시되지 않음), 및 빔 조향 또는 위치설정 시스템(11)을 포함한다. 빔 위치설정 시스템은, 작업면인 웨이퍼(15)에 빔(14)(도 3 참조)을 공급하는 검류계(galvanometer) 또는 다른 조사 시스템일 수 있다. 또는 고정 빔이 사용되고, 웨이퍼(15)는 빔(14)에 대해 이동되어 빔을 웨이퍼 상의 특정 위치에 위치시킬 수 있게 한다. 통상적으로, 빔 위치설정 시스템은 XY 테이블(12)을 포함하며, 또한, 기계 가공 영역에 가스 또는 액체를 공급하기 위한, 도 2에 도시된 바와 같은, 가스 또는 액체 보조 노즐(23)을 포함할 수 있다.
조향 가능하고 위치설정 가능한 레이저 빔 또는 고정 레이저 빔(14)을 사용하면, 레이저 기계 가공 공정은 일반적으로 입자 및 가스를 방사한다. 통상적으로, 주의하지 않으면, 이들 입자 및 가스 중 일부는 공기로 되어, 기계 내에서 기계 가공 영역으로부터 소정의 거리에 있는 위치로 운반될 수 있다.
도 2는, 레이저 기계 가공 공정시에 기계 가공 영역으로부터의 국부적 방사를 상당히 감소시키는 갈보계(galvo-based) 빔 공급 시스템을 위해 디자인되는 시스템의 부분 단면도이다. 상기 시스템은, 기계 가공 영역의 밖으로부터 공기가 들어가게 하는 기류 유입 윈도우(24), 및 안전한 처분 또는 재사용을 위해 기계 가공시에 기계 가공 영역으로부터 입자, 가스 및 찌꺼기를 제거하기 위해 기계 가공 영역으로부터 공기가 유출되게 하는 기류 출구(25)를 포함한다. 이러한 추출 시스템 은, 환경으로 유해 물질이 방사되는 것을 방지하고, 기계 가공 영역 바로 밖의 일반적 기계 영역에서 유해 물질이 침착되는 것을 방지하기 위한 제1 기구를 제공한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 바람직하지 않은 물질의 침착을 방지하기 위한 제2 기구는 1차 봉쇄 영역(36), 및 2차 봉쇄 영역(37)을 사용하는 것을 포함한다. 1차 봉쇄 영역(36)은 웨이퍼(15)의 바로 주위의 공간이다. 이러한 영역은 수직 장벽(361)에 의해 1차 봉쇄 영역 밖의 영역으로부터 분리되지만, 상부에서는 개방된다. 상기 장벽은 웨이퍼(15) 바로 주위의 1차 봉쇄 영역(36) 밖의 재료의 심각한 침착을 방지한다. 장벽(361)은 XY 테이블(12) 상에 장착되며, XY 테이블(12) 상에 웨이퍼(15)가 적재되어, 1차 봉쇄 영역(36)은 기계 가공시에 웨이퍼(15)와 함께 XY 테이블(12) 상에서 이동된다. 단면이 실질적으로 사각형인 통로(362)는, 웨이퍼(15)를 1차 봉쇄 영역(36) 내의 기계 가공 영역 내로 적재하고 기계 가공된 웨이퍼(15)를 기계 가공 영역으로부터 하역하기 위해, 수직 장벽(361)을 통해 구비된다.
2차 봉쇄 영역(37)은 1차 봉쇄 영역(36)을 둘러싸고, 둘러싸는 챔버 벽(371)에 의해 형성되며, 상부는 폐쇄되지만 레이저 빔(14)에 대해 투명하다. 단면이 실질적으로 사각형인 통로(372)는 챔버 벽(371)을 통해 구비되어, 1차 봉쇄 영역 벽인 수직 장벽(361) 내의 통로(362)는, XY 테이블과 함께 1차 봉쇄 영역을 적절히 이동시킴으로써, 2차 봉쇄 영역 벽인 챔버 벽(371)을 관통하는 통로(372)와 정렬될 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 도 5에서는 1차 봉쇄 영역(36)의 수직 장벽(361)이 간결성을 위해 생략되었는데, 이러한 기계 가공 영역으로부터 웨이퍼(15)를 픽업하여, 챔버 벽(371) 내의 통로(372)와 정렬되는 봉쇄 터널(40)을 통하여 세정 스테이션으로 운반하기 위해 웨이퍼 핸들링 시스템이 구비된다. 세정된 후의 웨이퍼를 취급하기에 안전하도록 하기 위해, 세정 스테이션에서 웨이퍼로부터 유해 물질이 충분히 제거된다.
공기압, 또는 주변 가스가 공기가 아닌 경우의 주변 가스 압력은 바람직하게는, 유해 입자가 1차 봉쇄 영역(36) 밖으로 운반되는 것을 방지하기 위해, 2차 봉쇄 영역(37)보다 1차 봉쇄 영역(36)에서 더 낮게 유지된다. 사고로 2차 봉쇄 영역(37)으로 진입하는 모든 입자는 2차 봉쇄 영역(37) 내에 갇힌다.
따라서, 기계 가공 영역으로부터의 유해 물질의 방사는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기계 가공 영역으로부터 대부분의 입자 및 가스의 방사물을 추출하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 특히 입자의 방사물을 1차 봉쇄 영역 또는 챔버(36) 및 2차 봉쇄 영역 또는 챔버(7) 내의 웨이퍼 영역에 가둠으로써 실질적으로 방지된다.
대부분의 입자 및 가스의 방사물은, 도 2에 도시된 추출 시스템에 의해 기계 가공 영역으로부터 제거된다. 상술한 1차 봉쇄 영역 또는 챔버(36) 및 2차 봉쇄 영역 또는 챔버(7)를 사용하면, 유해 물질이 2차 봉쇄 영역(37) 밖에 침착되는 것을 효과적으로 방지한다. 기계 가공 영역 바로 밖의 대부분의 침착은 1차 봉쇄 영역(36)에서 발생한다. 웨이퍼는 이송 챔버인 봉쇄 터널(40) 내에서 작동하는 핸들링 시스템에 의해 이러한 기계 가공 영역으로 로딩된다. 기계 가공 후에, 웨이퍼 는 반대되는 방식으로 제거되고 세정 시스템으로 이송된다.
본 발명은, 모든 기계 가공 영역 내에 유해 물질이 축적되는 것을 방지함으로써 기계를 안전하게 유지하는 데에 필요한 유지보수의 양을 감소시킴으로써 기계의 유휴 시간을 감소시킬 수 있다.
기계 가공 공정시에 유해 물질이 방사될 수 있는 경우, 및 기계 주변의 사람의 안전에 해를 끼치지 않게 하기 위해 방사물을 추출하거나 봉쇄하도록 기계가 디자인된 경우에, 반도체 웨이퍼 또는 다른 기판을 레이저 처리하기 위한 기계가 설명되었다.
따라서, 유해 재료를 기계 가공하기 위한 상술한 레이저 기계 가공 시스템은, 유해 입자 및 가스를 제거하기 위한 국부 진공 배기 시스템, 유해 물질의 침착을 기계 가공되는 기판의 영역으로 제한하도록 디자인되는 1차 봉쇄 영역(36), 및 유해 물질이 대기로 노출되는 기계의 부품에 도달하는 것을 더욱 방지하기 위한 2차 봉쇄 영역(37)을 포함한다. 봉쇄 통로인 봉쇄 터널(40)은 기계 가공된 웨이퍼(15)를 후속 핸들링 전에 세정 스테이션으로 이송하기 위해 구비된다.

Claims (16)

  1. 레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사하는 기판을 기계 가공하도록 배치된 레이저 기계 가공 장치로서,
    기계 가공 영역을 둘러싸는 하우징을 포함하며, 방사된 유해 물질 중 적어도 일부를 상기 장치의 상기 기계 가공 영역으로부터 추출하기 위한 진공 추출 시스템, 및
    상기 기계 가공 영역을 둘러싸는 상기 하우징 내에 있으며, 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물을 실질적으로 가두도록 배치된 적어도 제1 봉쇄 영역
    을 포함하는, 레이저 기계 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물 중 상기 제1 봉쇄 영역에서 침착되지 않은 침착물을 가두도록 배치되며, 상기 제1 봉쇄 영역을 실질적으로 둘러싸고 있는 제2 봉쇄 영역을 더 포함하는, 레이저 기계 가공 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 봉쇄 영역에서의 주변 가스 압력은 상기 제2 봉쇄 영역에서의 주변 가스 압력보다 낮은, 레이저 기계 가공 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    레이저 기계 가공된 재료를, 상기 기계 가공 영역으로부터, 모든 방사된 유해 물질을 상기 기계 가공된 재료로부터 세정하기 위해 배치된 세정 스테이션으로, 이송시에 유해 물질을 상기 레이저 기계 가공 장치의 환경으로 유출시킴 없이, 이송하기 위한 이송 챔버를 더 포함하는, 레이저 기계 가공 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 장치는 반도체 웨이퍼를 기계 가공하도록 배치된, 레이저 기계 가공 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 장치는 반도체 웨이퍼 내의 비아(via)에 대해, 다이싱(dice)과 기계 가공 중 하나 이상을 행하도록 배치된, 레이저 기계 가공 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 장치는 III-V 반도체를 기계 가공하도록 배치된, 레이저 기계 가공 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 장치는 비소화물을 기계 가공하도록 배치된, 레이저 기계 가공 장치.
  9. 레이저 기계 가공시에 유해 물질을 방사하는 기판을 레이저 기계 가공하는 방법으로서,
    재료의 기계 가공 영역을 둘러싸는 하우징으로부터 방사된 유해 물질 중 적어도 일부를 추출하는 단계, 및
    상기 기계 가공 영역을 둘러싸며, 모든 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물을 실질적으로 가두는 적어도 제1 봉쇄 영역을 제공하는 단계
    를 포함하는, 레이저 기계 가공 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 봉쇄 영역을 실질적으로 둘러싸는 제2 봉쇄 영역을 제공하는 단계, 및 상기 추출되지 않은 방사된 유해 물질의 침착물 중 상기 제1 봉쇄 영역에서 침착되지 않은 침착물을 제2 봉쇄 영역에 가두는 단계를 더 포함하는, 레이저 기계 가공 방법.
  11. 제9 또는 제10항에 있어서,
    상기 제1 봉쇄 영역으로부터 상기 제2 봉쇄 영역으로의 유해 물질의 이송을 막기 위해, 상기 제1 봉쇄 영역과 상기 제2 봉쇄 영역 사이에 주변 가스 압력차를 제공하는 단계를 더 포함하는, 레이저 기계 가공 방법.
  12. 제9 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    이송 챔버를 제공하는 단계,
    레이저 기계 가공된 재료를 상기 기계 가공 영역으로부터 세정 스테이션으로, 이송시에 유해 물질을 상기 레이저 기계 가공 장치의 환경으로 유출시킴 없이, 이송하는 단계, 및
    모든 방사된 유해 물질을 상기 기계 가공된 재료로부터 세정하는 단계
    를 더 포함하는, 레이저 기계 가공 방법.
  13. 제9 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 방법은 반도체 웨이퍼를 기계 가공하는, 레이저 기계 가공 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 방법은 반도체 웨이퍼 내의 비아(via)에 대해, 다이싱(dice)과 기계 가공 중 하나 이상을 행하는, 레이저 기계 가공 방법.
  15. 제9 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 방법은 III-V 반도체를 기계 가공하는, 레이저 기계 가공 방법.
  16. 제9 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 기계 가공 방법은 비소화물을 기계 가공하는, 레이저 기계 가공 방법.
KR1020087017317A 2006-02-02 2007-02-01 진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기 위한 적어도 제1 봉쇄 챔버를 구비하는 레이저 기계 가공 장치, 및 레이저 기계 가공 방법 KR101353367B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0602115.8 2006-02-02
GB0602115A GB2434767A (en) 2006-02-02 2006-02-02 Laser machining
PCT/EP2007/000874 WO2007088059A1 (en) 2006-02-02 2007-02-01 Laser machining apparatus and method with a vacuum extracting system and at least a first containement zone for containing deposition of emitted hazardous material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080091146A true KR20080091146A (ko) 2008-10-09
KR101353367B1 KR101353367B1 (ko) 2014-01-21

Family

ID=36100923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087017317A KR101353367B1 (ko) 2006-02-02 2007-02-01 진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기 위한 적어도 제1 봉쇄 챔버를 구비하는 레이저 기계 가공 장치, 및 레이저 기계 가공 방법

Country Status (11)

Country Link
US (1) US20090020513A1 (ko)
EP (1) EP1981679B1 (ko)
JP (1) JP5305924B2 (ko)
KR (1) KR101353367B1 (ko)
CN (1) CN101370612B (ko)
AT (1) ATE442223T1 (ko)
DE (1) DE602007002381D1 (ko)
GB (1) GB2434767A (ko)
MY (1) MY143675A (ko)
TW (1) TWI319726B (ko)
WO (1) WO2007088059A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202010004852U1 (de) * 2010-04-09 2011-08-26 TRUMPF Maschinen Grüsch AG Laserbearbeitungsmaschine
JP5706235B2 (ja) * 2011-05-26 2015-04-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN105290613B (zh) * 2015-10-30 2017-05-17 武汉钢铁(集团)公司 防止激光焊缝产生气孔的真空焊接装置和方法
USD802632S1 (en) * 2016-06-08 2017-11-14 Shenzhen Triumph Industrial Co., LTD Laser engraving machine
JP6829053B2 (ja) * 2016-11-09 2021-02-10 コマツ産機株式会社 マシンルーム
US10549387B2 (en) * 2017-02-09 2020-02-04 Covidien Lp Enclosure cover
IT201800007468A1 (it) * 2018-07-24 2020-01-24 Apparato per rimuovere residui di lavorazione e relativo metodo
CN109530930B (zh) * 2018-12-27 2021-09-03 北京中科镭特电子有限公司 一种激光加工芯片的方法
KR102374612B1 (ko) 2019-08-22 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 레이저 가공 방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4027686A (en) * 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
JPS5164866A (ja) * 1974-12-03 1976-06-04 Nippon Electric Co Handotaisochinoseizohoho
AU550708B2 (en) * 1981-02-06 1986-04-10 Amada Company Limited Dust collecting apparatus for cutting machine
US4541055A (en) * 1982-09-01 1985-09-10 Westinghouse Electric Corp. Laser machining system
US4739162A (en) * 1987-02-04 1988-04-19 General Electric Company Laser beam injecting system
US5310624A (en) * 1988-01-29 1994-05-10 Massachusetts Institute Of Technology Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes
US5186750A (en) * 1988-08-15 1993-02-16 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method and apparatus for forming semiconductor thin films
DE3923829A1 (de) * 1989-07-19 1991-01-31 Fraunhofer Ges Forschung Absauganlage
US5362941A (en) * 1992-06-11 1994-11-08 Iomega Corporation Exhaust and particle wastes collecting device for laser etching
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
AU7682594A (en) * 1993-09-08 1995-03-27 Uvtech Systems, Inc. Surface processing
JPH08318390A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Hitachi Ltd アブレーションデブリス除去装置
JPH09192876A (ja) * 1996-01-18 1997-07-29 Amada Co Ltd レーザ加工機における集塵方法およびその装置
US5874011A (en) * 1996-08-01 1999-02-23 Revise, Inc. Laser-induced etching of multilayer materials
JPH10193161A (ja) * 1997-01-10 1998-07-28 Sony Corp レーザーマーキング装置
US6335208B1 (en) * 1999-05-10 2002-01-01 Intersil Americas Inc. Laser decapsulation method
JP4588167B2 (ja) * 2000-05-12 2010-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
ATE323569T1 (de) * 2001-03-22 2006-05-15 Xsil Technology Ltd Ein laserbearbeitungssystem und -verfahren
JP2003191082A (ja) * 2001-12-21 2003-07-08 Mitsubishi Electric Corp レーザマーキング装置及びレーザマーキング方法
EP2216128B1 (en) * 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
JP2004160463A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Hyogo Prefecture レーザ加工装置および該装置を用いた被加工物の加工方法
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US6969822B2 (en) * 2003-05-13 2005-11-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser micromachining systems
JP4205486B2 (ja) * 2003-05-16 2009-01-07 株式会社ディスコ レーザ加工装置
CN2635269Y (zh) * 2003-07-02 2004-08-25 星云电脑股份有限公司 激光切割雕刻机平台及集风箱结构
US20050136622A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 Mulligan Rose A. Methods and apparatus for laser dicing
US7923758B1 (en) * 2004-02-06 2011-04-12 Bowling Green State University Method and apparatus for producing gallium arsenide and silicon composites and devices incorporating same
US20050279453A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
TWI237322B (en) * 2004-12-14 2005-08-01 Cleavage Entpr Co Ltd Method and device by using a laser beam to cut Gallium arsenide (GaAs) epitaxy wafer

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007088059A1 (en) 2007-08-09
GB2434767A (en) 2007-08-08
JP5305924B2 (ja) 2013-10-02
MY143675A (en) 2011-06-30
ATE442223T1 (de) 2009-09-15
GB0602115D0 (en) 2006-03-15
CN101370612A (zh) 2009-02-18
KR101353367B1 (ko) 2014-01-21
TW200738389A (en) 2007-10-16
EP1981679A1 (en) 2008-10-22
TWI319726B (en) 2010-01-21
US20090020513A1 (en) 2009-01-22
EP1981679B1 (en) 2009-09-09
CN101370612B (zh) 2013-06-12
JP2009525183A (ja) 2009-07-09
DE602007002381D1 (de) 2009-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101353367B1 (ko) 진공 추출 시스템 및 방사된 유해 물질의 침착물을 가두기 위한 적어도 제1 봉쇄 챔버를 구비하는 레이저 기계 가공 장치, 및 레이저 기계 가공 방법
US3866398A (en) In-situ gas-phase reaction for removal of laser-scribe debris
KR102107849B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 장치의 흡인로의 세정 방법
US6949147B2 (en) In situ module for particle removal from solid-state surfaces
TWI607496B (zh) Cutting device with blade sleeve
US20080302770A1 (en) "Machine for removing surfaces of semiconductors and particularly surfaces with integrated circuits"
KR101462241B1 (ko) 웨이퍼용 개구통합형 포드의 퍼지장치
TWI728346B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI483330B (zh) 半導體基板搬運容器之污染測量站及方法
TWI394205B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4598124B2 (ja) ワーク自動作業装置
US6395102B1 (en) Method and apparatus for in-situ reticle cleaning at photolithography tool
US6305097B1 (en) Apparatus for in-situ reticle cleaning at photolithography tool
WO2018168270A1 (ja) レーザ加工機
JP3955592B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH116086A (ja) レーザ光を用いた表面不要物除去装置
JP7139051B2 (ja) 処理装置
JP2003234341A (ja) 基板処理装置
EP1335801B1 (en) Apparatus and method for removing particles from solid-state surfaces
US6261955B1 (en) Application of vapor phase HFACAC-based compound for use in copper decontamination and cleaning processes
CN109664414B (zh) 刀具切削装置
KR101937477B1 (ko) 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버
KR100601093B1 (ko) 절단 장치
CN112309908A (zh) 蚀刻装置和晶片支承件
KR20090025841A (ko) 웨이퍼 습식처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee