KR20080089303A - 내에칭성 디실란 및 포화 탄화수소 가교결합된 실리콘 함유폴리머, 그 제조 방법 및 그 사용 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 제1항에 있어서, 상기 공중합체가 화학식 A, B, C, D, 및 E 구조를 가지는 모노머 단위체를 포함하는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, n이 0인 조성물.
- 제1항에 있어서, n 이 1 또는 2인 조성물.
- 제1항에 있어서, R1 이 하나 이상의 페닐기 또는 치환된 페닐기를 포함하는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, R2가 지방족 알코올, 지환족 알코올, 에테르 또는 에스테르를 하나 이상 포함하는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 공중합체가 1,000 내지 100,000의 중량 평균 분자량을 가지는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물이 리소그라피용 반사방지막이고,상기 조성물이 조성물 총중량에 대하여 0.1중량% 내지 20중량%의 공중합체를 포함하고,상기 조성물이 조성물 총중량에 대하여 80중량% 내지 99.9중량%의 용매를 포함하는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 공중합체가 화학식 A, B, 및 C의 구조를 가지는 모노머 단위체; 및 화학식 D 및/또는 화학식 E의 구조를 가지는 모노머 단위체에 각각 해당하는 4 또는 5개의 모노머의 가수분해물 및/또는 축합물인 조성물.
- 제9항에 있어서, 상기 화학식 A 및 C의 구조 및 화학식 D 및/또는 E의 구조를 가지는 모노머 단위체에 각각 해당하는 모노머가 클로로실란 모노머이고, 화학식 B의 구조를 가지는 모노머 단위체에 해당하는 모노머가 알콕시실란 모노머 또는 클로로실란 모노머인 조성물.
- 제1 모노머, 제2 모노머, 제3 모노머 및 제4 모노머를 가수분해하고 및/또는 축합하여 실록산을 형성하는 단계를 포함하는 공중합체 제조 방법으로서,각각의 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 모노머는 실리콘을 포함하고,상기 제1 모노머는 실릴하이드라이드기를 포함하고,상기 제2 모노머는디실란기 또는 포화 탄화수소 가교에 의해 가교결합된 2개의 실리콘 원자를 가지는 기를 하나 이상 포함하고,상기 제3 모노머는 발색단을 포함하고,상기 제4 모노머는 메틸기 또는 친수성기를 하나 이상 포함하는 것인공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 축합된 제1 모노머가 하기 화학식 A의 구조를 가지는 공중합체의 제조방법:[화학식 A]HSiO(3-a)/2(OH)a상기 식에서, a는 0 내지 2임.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 모노머가 트리클로로실란, 트리메톡시실란, 및 트리에톡시실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 모노머가 디실란기를 포함하는 것인 공중합체의 제조방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 모노머가헥사에톡시디실란, 헥사클로로 디실란, 펜타 에톡시디실란, 펜타클로로 디실란, 펜타 에톡시메틸디실란, 펜타클로로 메틸디실란, 테트라 에톡시디실란, 테트라클로로 디실란, 테트라 에톡시디메틸디실란, 테트라클로로디메틸디실란, 트리에톡시디실란, 트리클로로디실란, 트리에톡시트리메틸디실란 및 트리클로로트리메틸디실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 모노머가 포화 탄화수소 가교에 의해 가교결합된 2개의 실리콘 원자를 가지는 기를 포함하는 것인 공중합체의 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기 제2 모노머가 1,2-비스(트리클로로실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 비스(트리클로로실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(메틸디클로로실릴)에탄 및 1,2-비스(메틸디에톡시실릴)에탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 축합된 제3 모노머가 하기 화학식 C의 구조를 가지는 것인 공중합체의 제조방법:[화학식 C]R1SiO(3-d)/2(OH)d상기 식에서, d는 0 내지 2이고, R1은 발색단임.
- 제11항에 있어서, 상기 발색단이 하나 이상의 페닐기 또는 치환된 페닐기를 포함하는 공중합체의 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 제3 모노머가 페닐 트리클로로실란, 페닐 트리에톡시실란, 및 페닐트리메톡시실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 축합된 제4 모노머가 하기 화학식 D 또는 화학식 E의 구조를 가지는 공중합체의 제조방법:[화학식 D]MeSiO (3-e)/2(OH)e[화학식 E]R2SiO(3-f)/2(OH)f상기 식에서, e 및 f는 독립적으로 0 내지 2이고, R2는 친수성기임.
- 제 11항에 있어서, 상기 제4 모노머가 메틸트리클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 2-[메톡시(폴리에틸렌옥시)프로필]트리클로로실란, 2-[메톡시(폴리에틸렌옥시)프로필]트리메톡시실란, 2-[메톡시(폴리에틸렌옥시)프로필]트리에톡시실란, 2-[메톡시(폴리프로필렌옥시)프로필]트리클로로실란, 2-[메톡시(폴리프로필렌옥시)프로필]트리메톡시실란, 2-[메톡시(폴리프로필렌옥시)프로필]트리에톡시실란, 2-[메톡시(코폴리에틸렌옥시프로필렌옥시)프로필]트리클로로실란, 2-[메톡시(코폴리에틸렌옥시프로필렌옥시)프로필]트리메톡시실란, 2-[메톡시(코폴리에틸렌옥시프로필렌옥시)프로필]트리에톡시실란 2-(카르보메톡시)에틸트리클로로실란, 2-(카르보메톡시)에틸트리메톡시실란, 2-(카르보메톡시)에틸트리에톡시실란, 2-(카르보 t-부톡시)프로필트리클로로실란, 2-(카르보 t-부톡시)프로필트리메톡시실란, 2-(카르보 t-부톡시)프로필트리에톡시실란, 히드록시메틸트리클로로실란, 히드록시메틸트리메톡시실란, 히드록시메틸트리에톡시실란, 2,2-디에톡시-4-메틸-[1,2]옥사실롤란, 2,2-디에톡시-4-메틸-[1,2]옥사실릴란, 2,2-디에톡시-4-메틸-[1,2]옥사실레판, 2,2-디에톡시-[1,2]옥사실롤란, 2,2-디에톡시-[1,2]옥사실릴란, 및 2,2-디에톡시-[1,2]옥사실레판으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제4 모노머가 메틸기를 포함하고, 상기 공중합체는 친수성기를 가지는 제5 모노머를 추가로 포함하는 것인 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제4 모노머가 친수성기를 포함하고, 상기 친수성기가 하나 이상의 지방족 알코올, 지환족 알코올, 에테르, 또는 에스테르인 것인 공중합체의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제1, 제3 및 제4 모노머가 클로로실란 모노머이고, 상기 제2 모노머가 알콕시실란 모노머 또는 클로로실란 모노머인 것인 공중합체의 제조방법.
- 기판에 조성물을 코팅하여 제1 재료층을 형성하는 단계;상기 제1 재료층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 제1 재료층의 일부를 노출시키는 단계;상기 제1 재료층의 노출된 일부를 제거하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 기판의 노출된 일부를 에칭시키는 단계를 포함하며,상기 조성물은 화학식 A, B 및 C의 구조를 가지는 모노머 단위체; 및 화학식 D 또는 E의 구조중 하나 이상의 구조를 가지는 모노머 단위체를 포함하는 공중합체를 포함하는 것인 소자의 제조방법:[화학식 A]HSiO(3-a)/2(OH)a[화학식 B][화학식 C]R1SiO(3-d)/2(OH)d[화학식 D]MeSiO (3-e)/2(OH)e[화학식 E]R2SiO(3-f)/2(OH)f상기 식에서, a, b, c, d, e 및 f는 독립적으로 0 내지 2이고,n은 0 내지 10이고, R1은 발색단이고, R2는 친수성기임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/729,839 US8026035B2 (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Etch-resistant disilane and saturated hydrocarbon bridged silicon-containing polymers, method of making the same, and method of using the same |
US11/729,839 | 2007-03-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080089303A true KR20080089303A (ko) | 2008-10-06 |
KR100962388B1 KR100962388B1 (ko) | 2010-06-10 |
Family
ID=39795030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080029371A KR100962388B1 (ko) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | 내에칭성 디실란 및 포화 탄화수소 가교결합된 실리콘 함유폴리머, 그 제조 방법 및 그 사용 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8026035B2 (ko) |
KR (1) | KR100962388B1 (ko) |
CN (1) | CN101302346B (ko) |
TW (1) | TWI389983B (ko) |
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WO2011081325A3 (ko) * | 2009-12-31 | 2011-10-27 | 제일모직 주식회사 | 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자 |
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US8455605B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-06-04 | Cheil Industries, Inc. | Resin composition for transparent encapsulation material and electronic device formed using the same |
US8962747B2 (en) | 2009-12-31 | 2015-02-24 | Cheil Industries, Inc. | Resist underlayer composition and process of producing integrated circuit devices using the same |
KR20190068473A (ko) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 하이드로카르빌옥시다이실란 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101302346B (zh) | 2012-12-26 |
KR100962388B1 (ko) | 2010-06-10 |
TW200902632A (en) | 2009-01-16 |
TWI389983B (zh) | 2013-03-21 |
US20080241748A1 (en) | 2008-10-02 |
CN101302346A (zh) | 2008-11-12 |
US8026035B2 (en) | 2011-09-27 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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