KR20140122247A - 규소-풍부 반사방지 코팅 재료 및 이의 제조 방법 - Google Patents

규소-풍부 반사방지 코팅 재료 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

용매 중에 분산된 규소-풍부 폴리실란실록산 수지를 포함하는, 포토리소그래피에 사용하기 위한 반사방지 코팅(ARC) 제형뿐만 아니라, ARC 제형으로 코팅된 표면을 갖는 기재, 및 상기 표면에 ARC 제형을 적용하여 ARC 층을 형성하는 방법이 제공된다. 폴리실란실록산 수지는 (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분; (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분, 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분을 포함한다. 이러한 폴리실란실록산 수지에서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되고; 하첨자 q는 1 또는 2이다. 대안적으로, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기로서 선택된다. 전형적으로, 제1 성분은 몰 비 x로 존재하고, 제2 성분은 몰 비 y로 존재하고, 제3 성분은 몰 비 z로 존재하여, (x + y + z) = 1, x < y, 및 x < z가 되도록 한다. 폴리실란실록산 수지는 규소 함량이 약 42 중량% 이상이다.

Description

규소-풍부 반사방지 코팅 재료 및 이의 제조 방법 {SILICON-RICH ANTIREFLECTIVE COATING MATERIALS AND METHOD OF MAKING SAME}
본 발명은 일반적으로 포토리소그래피(photolithography)에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 규소-풍부 수지의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 포토리소그래피 가공 동안의 반사방지 코팅으로서의 그의 용도에 관한 것이다.
반도체 산업에서의 더 작은 특징부(feature) 크기에 대한 계속적인 요구로 인해, 최근에는 193 nm 광을 사용하는 포토리소그래피가 100 nm 미만의 특징부를 갖는 디바이스를 제조할 수 있는 기술로서 출현하였다. 그러한 단파장 광의 사용은, 기재 상으로 반사하는 광의 출현을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 포토레지스트(photoresist)를 통과하는 광을 흡수함으로써 포토레지스트 스윙 경화(photoresist swing cure)를 감소시킬 수 있는 하부 반사방지 코팅을 포함하는 것을 필요로 한다. 유기계 재료 또는 무기계 재료로 이루어지는 반사방지 코팅(ARC; antireflective coating)이 구매가능하다. 우수한 에칭 저항성(etch resistance)을 나타내는 종래의 무기계 ARC는 전형적으로 화학 증착(CVD) 공정을 사용하여 침착된다. 따라서, 이러한 무기계 ARC는 극단적인 토포그래피(topography)와 관련된 통합적인 결점들을 모두 겪는다. 다른 한편, 종래의 유기계 ARC는 전형적으로 스핀-온(spin-on) 공정을 사용하여 적용된다. 따라서, 유기계 ARC는 탁월한 충전 및 평탄화 특성을 나타내지만, 유기 포토레지스트와 함께 사용되는 경우에 불량한 에칭 선택성(etch selectivity)으로 인한 문제가 있다. 그 결과, 유기계 및 무기계 ARC의 조합된 이점들을 제공하는 새로운 재료의 개발이 계속적으로 바람직하다.
열거된 결점들 및 관련 기술 분야의 다른 제한점들을 극복하는 데 있어서, 일반적으로 본 발명은 약 42 중량% 이상, 약 90 중량% 이하의 규소를 포함하는, 포토리소그래피에 사용하기 위한 반사방지 코팅(ARC) 제형을 제공한다. ARC 제형은 용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 포함한다. 폴리실란실록산 수지는, (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분; (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분; 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분을 포함한다. 이들 구조 단위에서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되며; 하첨자 q는 1 또는 2이다. 대안적으로, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기로서 선택된다. 전형적으로, 제1 성분은 몰 비 x로 존재하고, 제2 성분은 몰 비 y로 존재하고, 제3 성분은 몰 비 z로 존재하여, (x + y + z) = 1, x < y, 및 x < z가 되도록 한다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 본 발명의 교시에 따라 제조되는 다수의 폴리실란실록산 수지 중 일례는, (R')2SiO2의 구조 단위들이 (Me)(H)SiO2이도록 선택되는 R'; (R'')SiO3의 구조 단위들이 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이도록 선택되는 R''; 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들이 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합이도록 선택되는 R''' 및 q를 포함한다. 이러한 일례에서, 몰 비 x는 0.1이고, 몰 비 y는 0.45이고, 몰 비 z는 0.45이다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 반사방지 코팅(ARC)을 형성하는 방법이 제공된다. 일반적으로 이러한 방법은, 용매 중에 분산된, 본 명세서에서 추가로 기재된 바와 같은 폴리실란실록산 수지를 제공하여 ARC 제형을 형성하는 단계; 전자 디바이스를 제공하는 단계; ARC 제형을 전자 디바이스의 표면에 적용하여 필름을 형성하는 단계; 필름으로부터 용매를 제거하는 단계; 및 필름을 경화시켜 반사방지 코팅을 형성하는 단계를 포함한다. 대안적으로, ARC 제형은 스핀-코팅에 의해 전자 디바이스의 표면에 적용되며, 필름은 250℃ 이하의 온도에서 경화된다. 선택적으로, 상기 방법은 ARC 제형 내에 첨가제를 혼입하는 단계, 또는 필름을 경화시키기 전에 필름을 불활성 분위기 하에 두는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 반사방지 코팅(ARC) 층으로 코팅된 기재로서, 상기 ARC 층은 규소로 풍부화된 폴리실란실록산 수지를 포함하는, ARC 층으로 코팅된 기재가 개시된다. 대안적으로, 폴리실란실록산은 약 42 중량% 이상의 규소를 가질 수 있다. 이러한 폴리실란실록산 수지는 하기 화학식에 따라 DR', TR'', 및 PSSXR''' 구조 단위들을 포함한다:
(DR')x (TR'')y (PSSXR''')z
여기서, (DR')x는 (R')2SiO2의 구조 단위들을 나타내고; (TR'')y는 (R'')SiO3의 구조 단위들을 나타내고; (PSSXR''')z는 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들을 나타내며; 여기서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 기이도록 선택되고, 하첨자 q는 1 또는 2이고, 하첨자 x, y, 및 z는 (x + y + z) = 1이도록 0 초과 1 미만인 몰 분율을 나타낸다. 대안적으로, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기로서 선택된다.
특히, 기재 상에 코팅된 폴리실란실록산 수지 중 일례는, (R')2SiO2의 구조 단위들이 (Me)(H)SiO2이도록 선택되는 R'; (R'')SiO3의 구조 단위들이 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이도록 선택되는 R''; 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들이 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합이도록 선택되는 R''' 및 q를 포함한다. 폴리실란실록산 수지는 x < y, 및 x < z이도록 존재하는 (DR')x, (TR'')y, 및 (PSSXR''')z 구조 단위들을 가질 수 있다. 대안적으로, 몰 비 x는 0.1이고, 몰 비 y는 0.45이고, 몰 비 z는 0.45이다.
추가의 적용 영역이 본 명세서에 제공된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명 및 구체적인 실시예는 단지 예시 목적으로 의도되며, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것이 아님이 이해되어야 한다.
본 명세서에 기재된 도면은 단지 예시 목적을 위한 것이며, 어떠한 식으로든 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것이 아니다.
<도 1>
도 1은 본 발명의 교시에 따른 폴리실란실록산 수지를 포함하는 반사방지 코팅을 제조하는 방법의 개략적인 설명이다.
하기의 상세한 설명은 본질적으로 단지 예시적이며 어떠한 식으로든 본 발명 또는 그의 적용 또는 사용을 제한하고자 하는 것이 아니다. 상세한 설명 및 도면 전체를 통해, 상응하는 도면 부호는 유사하거나 상응하는 부분 및 특징부를 가리킨다는 것이 이해되어야 한다.
일반적으로 본 발명은 포토리소그래피에 사용하기 위한 반사방지 코팅(ARC) 제형을 제공한다. 반사방지 코팅의 제형은 용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 포함한다. 일반적으로 폴리실란실록산 수지는 (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분; (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분을 포함한다. 이러한 폴리실란실록산 수지에서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되고; 하첨자 q는 1 또는 2이다. 대안적으로, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기로서 선택된다. 본 발명의 폴리실란실록산 수지는 약 42 중량% 이상, 약 90 중량% 이하의 규소를 포함한다.
본 발명의 일 태양에 따르면, ARC 제형은 용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 포함하는데, 여기서, R'은 제1 성분에서 (R')2SiO2의 구조 단위들이 (Me)(H)SiO2이도록 선택되고; R''은 제2 성분에서 (R'')SiO3의 구조 단위들이 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이도록 선택되고; R''' 및 q는 제3 성분에서 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들이 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합이도록 선택된다.
ARC 제형에 사용되는 폴리실란실록산 수지에 존재하는 제1, 제2, 및 제3 성분의 양은 미리 결정될 수 있다. ARC 제형 중에 제1 성분은 몰 비 x로 존재하고, 제2 성분은 몰 비 y로 존재하고, 제3 성분은 몰 비 z로 존재하여, (x + y + z) = 1, x < y, 및 x < z가 되도록 한다. 대안적으로, 몰 비 x는 대략 0.1이고, 몰 비 y는 대략 0.45이고, 몰 비 z는 대략 0.45이다.
이러한 폴리실란실록산 수지로부터 형성되는 반사방지 코팅(ARC) 층은, 포토리소그래피 공정 동안 ARC 층 위에 후속적으로 침착되는 유기 포토레지스트에 대해 높은 에칭 콘트라스트(etch contrast)를 나타낸다. 이론에 구애되고자 하는 것은 아니지만, 본 발명의 폴리실란실록산 수지에서의 더 높은 규소 (Si) 함량이 ARC 층의 에칭 속도(etch rate)를 증가시키며 ARC 층과 포토레지스트 사이의 에칭 콘트라스트를 추가로 향상시키는 것으로 여겨진다. 193 nm 광을 흡수하는 것에 더하여, 본 발명의 폴리실란실록산 수지로부터 형성되는 ARC 층은 반사방지 코팅으로서 사용하기 위한 기본적인 요건들을 충족시킨다. 이러한 기본적인 요건들 중 2가지에는 하기가 포함된다: 1) 전자 디바이스에 적용된 대로의 ARC 층이 450℃ 이하, 대안적으로 250℃ 이하의 온도에서 경화되며, 대안적으로 그 온도는 ARC 제형에 존재하는 용매에 의해 나타나는 비등점과 같거나 더 높음; 및 2) 경화된 ARC 층은, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH)를 포함하지만 이로 한정되지 않는, 용매 및/또는 에칭제에 대한 후속적인 노출을 견뎌냄.
규소 함량이 높은, 본 발명의 폴리실란실록산 수지에 대한 다른 잠재적인 응용은 에칭 트랜스퍼(etch transfer)이다. 이중 패턴화(double patterning)는 잠재적으로 현재의 193 nm 건식 리소그래피를 22 nm 테크 노드(tech node) 이하의 분해능까지 확장시킬 수 있다. 규소 함량이 더 높고 에칭 감도(etch sensitivity)가 더 높은 에칭 트랜스퍼 층이 이러한 응용에 사용될 수 있다.
폴리실란실록산 수지는, 개시 내용이 본 명세서에 참고로 포함된, 사카모토(Sakamoto) 등의 미국 특허 제5,762,697호, 벡커(Becker) 등의 미국 특허 제6,281,285호, 및 뱅크(Bank) 등의 미국 특허 제5,010,159호에 기재된 바와 같은 실세스퀴옥산 수지를 생성하는 데 사용되는 방법과 유사한, 적절한 할로-실란 및/또는 알콕시-실란의 가수분해 및 축합에 의해 제조될 수 있다. 불완전한 가수 분해 또는 축합의 결과로서 잔류 하이드록실 또는 알콕시 기가 폴리실란실록산 수지 중에 남아있을 수 있다. 전형적으로 본 발명의 폴리실란실록산 수지는 하이드록실 또는 알콕시 기를 함유하는 단위들 약 40 몰% 미만, 대안적으로 약 20 몰% 미만, 대안적으로 약 10 몰% 미만, 대안적으로 약 5 몰% 미만, 대안적으로 약 1 몰% 미만을 함유한다.
본 발명의 방법에 따라 제조되는 폴리실란실록산 수지는 500 내지 400,000의 범위, 대안적으로 500 내지 100,000의 범위, 대안적으로 700 내지 30,000의 범위의 중량평균 분자량 (Mw)을 나타낸다. 당업자는 굴절률 (RI) 검출 및 폴리스티렌 표준물을 사용하는 젤 투과 크로마토그래피에 의해 그러한 분자량을 결정할 수 있음을 이해할 것이다.
가수분해 반응 동안 존재하는 물의 양은, 실란 반응물에 존재하는 할로 기 또는 알콕시 기의 몰당 전형적으로 0.5 내지 2 몰 범위의 물, 대안적으로 실란 반응물 내의 할로 기 또는 알콕시 기의 몰당 0.5 내지 1.5 몰의 범위이다.
폴리실란실록산 수지를 형성하는 시간은 온도, 실란 반응물들의 유형 및 양, 및 존재하는 경우, 촉매의 양과 같은 다수의 요인들에 따라 좌우된다. 본질적으로 모든 할로 기 및/또는 알콕시 기가 가수분해 반응을 거치기에 충분한 시간 동안 반응이 진행되도록 둔다. 전형적으로, 반응 시간은 약 2분 내지 약 10시간, 대안적으로 10분 내지 1시간이다. 당업자는 반응을 완료하는 데 필요한 시간을 용이하게 결정할 수 있을 것이다.
폴리실란실록산 수지를 생성하는 반응은, 폴리실란실록산 수지의 상당한 겔화 또는 경화를 야기하지 않기만 한다면, 임의의 온도에서 수행될 수 있다. 반응이 수행되는 온도는 전형적으로 25℃ 내지 반응 혼합물의 환류 온도까지의 범위이다. 반응은 10분 내지 1시간 동안 환류 하에서 가열함으로써 수행될 수 있다.
가수분해 및 축합 반응의 완료를 촉진하기 위해서, 요구되는 경우 촉매가 사용될 수 있다. 촉매는 염기 또는 산, 예를 들어, 광산(mineral acid) 또는 무기산(inorganic acid)일 수 있다. 유용한 광산에는, HCl, HF, HBr, HNO3, 및 H2SO4가 포함되지만 이로 한정되지 않으며, 특히, 대안적으로 광산은 HCI이다. 사용되는 경우, 촉매의 양은 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 전형적으로 약 0.05 중량% 내지 약 1 중량%이다. 반응의 완료 후에, 선택적으로 촉매가 제거될 수 있다. 촉매를 제거하는 방법은 당업자에게 잘 알려져 있으며 중화, 스트리핑(stripping), 또는 물 세척, 또는 이들의 조합을 포함한다.
실란 반응물들은 물에 용해가능하지 않거나 단지 조금만 용해가능하기 때문에, 반응은 용매 중에서 수행된다. 폴리실란실록산 수지가 그 중에서 형성되는 용매는 실란 반응물들을 용해하기에 충분한 임의의 양으로 존재한다. 전형적으로, 용매는 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 1 내지 99 중량%, 대안적으로 약 70 내지 90 중량%로 존재한다. 유기 용매의 예에는 포화 지방족, 예를 들어, n-펜탄, 헥산, n-헵탄, 및 아이소옥탄; 지환족, 예를 들어, 사이클로펜탄 및 사이클로헥산; 방향족, 예를 들어, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 및 메시틸렌; 에테르, 예를 들어, 테트라하이드로푸란, 다이옥산, 에틸렌 글리콜 다이에틸 에테르, 및 에틸렌 글리콜 다이메틸 에테르; 케톤, 예를 들어, 메틸아이소부틸 케톤 (MIBK) 및 사이클로헥사논; 할로겐 치환된 알칸, 예를 들어, 트라이클로로에탄; 할로겐화 방향족, 예를 들어, 브로모벤젠 및 클로로벤젠; 및 에스테르, 예를 들어, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 아이소부틸 아이소부티레이트, 및 프로필 프로피오네이트가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 유용한 실리콘 용매는, 환형 실록산, 예를 들어, 옥타메틸사이클로테트라실록산 및 데카메틸사이클로펜타실록산에 의해 예시될 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 단일 용매가 사용될 수 있거나, 또는 용매들의 혼합물이 사용될 수 있다.
폴리실란실록산 수지를 제조하는 방법에서, 반응이 완료된 후에, 휘발성 물질을 감압 하에 폴리실란실록산 수지 용액으로부터 제거할 수 있다. 그러한 휘발성 물질에는 알코올 부산물, 여분의 물, 촉매, 염산 (클로로실란 반응물이 사용되는 경우) 및 용매가 포함된다. 이러한 휘발성 물질을 제거하는 방법은 당업자에게 공지되어 있으며, 예를 들어, 감압 하에서의 스트리핑 또는 증류를 포함한다.
폴리실란실록산 수지의 분자량을 증가시키고/증가시키거나 수지의 저장 안정성을 개선하기 위하여, "바딩"(bodying) 단계가 이용될 수 있다. 그러한 바딩 단계는, 40℃로부터 용매의 환류 온도에 이르는 온도로 가열하면서, 장기간 동안 반응이 계속되게 두는 것을 수반할 수 있다. 바딩 단계는 반응 단계에 후속하여, 또는 반응 단계의 일부로서 수행될 수 있다. 전형적으로, 바딩 단계는 10분 내지 6시간, 대안적으로 20분 내지 3시간 범위의 기간 동안 수행된다.
폴리실란실록산 수지를 생성하는 반응 후에, 다수의 선택적인 단계를 수행하여 원하는 형태의 폴리실란실록산 수지를 얻을 수 있다. 예를 들어, 폴리실란실록산 수지는 용매를 제거함으로써 고체 형태로 회수할 수 있다. 용매 제거 방법은 중요하지 않으며, 다수의 방법(예를 들어, 가열 및/또는 진공 하에서의 증류)이 본 기술 분야에 잘 알려져 있다. 일단 폴리실란실록산 수지가 고체 형태로 회수되면, 특정 용도를 위해 요구되는 대로 선택적으로 수지를 동일하거나 다른 용매 중에 재용해할 수 있다. 대안적으로, 반응에 사용된 용매 이외의, 상이한 용매가 최종 제품에 요구되는 경우에, 예를 들어, 제2 용매를 첨가하고 증류를 통해 제1 용매를 제거함으로써 용매 교환을 행할 수 있다. 추가적으로, 용매의 일부를 제거하거나 추가적인 양의 용매를 첨가함으로써 용매 중의 수지 농도를 조정할 수 있다.
폴리실란실록산 수지를 ARC 제형 중에 분산시키는 데 사용되는 용매는 폴리실란실록산 수지를 제조하는 데 사용된 것과 동일한 용매 또는 상이한 유기 또는 실리콘 용매일 수 있다. 대안적으로, 유용한 용매의 몇몇 예에는, 특히, 1-메톡시-2-프로판올, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에틸 아세테이트 (PGMEA), 감마-부티로락톤, 에톡시 에틸 프로피오네이트 (EEP), 및 사이클로헥사논이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 대안적으로, 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA) 또는 에톡시 에틸 프로피오네이트 (EEP)이다. ARC 제형은 ARC 제형의 총 중량을 기준으로 전형적으로 10% 내지 99.9 중량%의 용매, 대안적으로 80 내지 95 중량%의 용매를 포함한다.
ARC 제형은 경화 촉매, 계면활성제, 분산제, 및 기타 필름 형성 조제(film forming aid)를 포함하지만 이로 한정되지 않는 하나 이상의 첨가제를 포함할 수 있다. 적합한 경화 촉매의 예에는 무기산, 광산 발생제(photo-acid generator), 및 열산 발생제(thermal acid generator)가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 대안적으로, 경화 촉매는 황산 (H2SO4), (4-에틸티오페닐) 메틸 페닐 설포늄 트라이플레이트, 또는 2-나프틸 다이페닐설포늄 트라이플레이트일 수 있다. 전형적으로, 경화 촉매는 ARC 제형에 존재하는 폴리실란실록산 수지의 총 중량을 기준으로 약 1000 ppm 이하, 대안적으로 약 500 ppm 이하의 양으로 ARC 제형에 존재한다. 적합한 계면활성제의 몇몇 예에는 소듐 스테아레이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 도데실 벤젠 설포네이트, 라우릴아민 하이드로클로라이드, 트라이메틸 도데실암모늄 클로라이드, 세틸 트라이메틸암모늄 브로마이드, 폴리옥시에틸렌 알코올, 알킬페닐 에톡실레이트, 프로필렌 옥사이드-개질된 폴리메틸실록산, 도데실 베타인 또는 라우르아미도프로필 베타인이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 분산제에는 상기한 계면활성제뿐만 아니라 2-부티옥시에탄올, 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 다이(프로필렌 글리콜) 부틸 에테르, 및 β-사이클로덱스트린이 포함될 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 필름 형성 조제의 예에는 특히 폴리비닐피롤리돈, 폴리(메트)아크릴레이트, 및 폴리아크릴아미드가 포함된다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 반사방지 코팅(ARC) 층으로 코팅된 기재가 제공된다. 기재는 반도체 디바이스, 예를 들어, 반도체 부품 제조에서의 사용을 위해 의도된 규소계 디바이스 및 갈륨비소계 디바이스를 포함하지만 이로 한정되지 않는 전자 디바이스이다. 전형적으로, 디바이스는 적어도 하나의 반전도성 층과, 다양한 전도성 재료, 반전도성 재료, 또는 절연 재료를 포함하는 복수의 다른 층을 포함한다.
ARC 층은 일반적으로 식 1에 나타낸 화학식에 따라 DR', TR'', 및 PSSXR''' 구조 단위들로 구성된 폴리실란실록산 수지를 포함한다. 식 1 및 본 명세서의 다른 부분에서, (DR')x는 (R')2SiO2의 구조 단위들을 나타내고; (TR'')y는 (R'')SiO3의 구조 단위들을 나타내고; (PSSXR''')z는 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들을 나타낸다. 구조 단위들에서 R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 기이도록 선택되고, 대안적으로, 이들은 독립적으로 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기로서 선택되며; 하첨자 q는 1 또는 2이고; 하첨자 x, y, 및 z는 (x + y + z) = 1이 되도록 0 초과 1 미만인 몰 분율을 나타낸다. 대안적으로, R', R", 및 R'"은 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 12, 대안적으로 탄소 원자수 1 내지 10의 포화 또는 불포화 알킬 기이도록 선택되는데, 그러한 알킬 기는 선형, 분지형, 또는 환형, 대안적으로 방향족일 수 있다. 대안적으로, x가 y보다 작고 x가 z보다 작도록, (DR')x 구조 단위, (TR'')y 구조 단위, 및 (PSSXR''')z 구조 단위가 폴리실란실록산 수지에 존재한다. 전반적으로, ARC 층에 존재하는 폴리실란실록산 수지는 약 42 중량% 이상, 90 중량% 이하의 규소를 포함한다.
[식 1]
(DR')x (TR'')y (PSSXR''')z
ARC 층의 한 가지 특정 예는, R'은 (R')2SiO2의 구조 단위들이 (Me)(H)SiO2이도록 선택되고; R''은 (R'')SiO3의 구조 단위들이 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이도록 선택되고; R''' 및 q는 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들이 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합이도록 선택된 것이다. 이러한 일 예에서, 특히, x:y:z의 몰 비는 x가 0.1이고, y가 0.45이고, z가 0.45인 것을 포함할 수 있다.
(DR')x, (TR'')y, 또는 (PSSXR''')z 단위들 중 하나 이상이 상이한 단위 구조들의 하이브리드(hybrid)를 포함하는 ARC 층에서, 각각의 단위는 단위 구조를 더욱 구체적으로 설명하도록 기재될 수 있다. 다시 말해, 예를 들어, R'이 메틸 및 수소 기 둘 모두를 포함하는 실란의 가수분해로부터 단위 구조 (DR')x가 유도되는 경우에, 상기 단위 구조는 (DMeH)x로서 식별될 수 있다. 유사하게는, R''이 메틸 기 또는 수소 기 중 어느 하나인 실란들의 혼합물로부터 단위 구조 (TR'')y가 유도되는 경우에, 상기 단위 구조는 (TMe)y-a(TH)y-b로서 식별될 수 있으며, 여기서, a + b = y이다. 동일한 방식으로, 단위 구조 (PSSXR''')z가 Cl3Me3Si2 및 Cl2Me4Si2와 같은 실란들의 혼합물로부터 유도되는 경우에, R'''은 알킬 기의 아이덴티티(identity) 및 2개의 규소 원자당 그의 개수를 반영할 수 있다. 다시 말해, 단위 구조는 (PSSXMe3Si2)z-c(PSSXMe2Si2)z-d로서 식별될 수 있으며, 여기서, c + d = z이다.
전자 디바이스에 적용된 ARC 층의 특정한 일례는 DMeH 0.1TMe 0.1TH 0.35PSSXMe3Si2 0.15PSSXMe2Si2 0.30의 구조 단위를 갖는 폴리실란실록산 수지에 의해 식별되는 것이다. 폴리실란실록산에 존재하는 규소의 양은 약 42 중량% 이상이다. 대안적으로, 규소의 양은 약 45 중량%, 47 중량%, 또는 48 중량% 이상일 수 있다. 이러한 ARC 층은 193 nm 파장의 광에서 우수한 반사 특성 및 흡광 계수를 나타낸다. 놀랍게도, 그러나, ARC 층의 전체 폴리실란실록산 구조 내에 (DR')x 단위를 포함시키는 것은, 포토리소그래피 공정에 사용되는 ARC 층에 의해 나타날 것으로 기대되는 다른 기계적, 광학적, 및 화학적 특성을 유지하면서, PGMEA 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH)에 대한 노출 시의 층 손실량을 감소시킨다.
ARC 층의 기계적, 광학적, 및 화학적 특성은 당업자에게 공지된 임의의 기술을 사용하여 측정할 수 있다. 상이한 기본적 필름 특성들의 예에는 접촉각, 표면 에너지, 193 nm 파장에서의 굴절률(N 값), 193 nm 파장에서의 소광 계수(K 값), 및 PGMEA 또는 TMAH에 대한 노출에 의해 야기되는 필름 두께의 손실이 포함되지만, 이로 한정되지 않는다. 종래의 폴리실란실록산 제형으로부터 제조된 ARC 층 (실행 1 내지 실행 3) 및 본 발명의 교시에 따라 제조된 ARC 층 (실행 4 내지 실행 6)의 측정된 특성들이 하기에 표 1에 제공된다.
Figure pct00001
일반적으로, ARC 층 (실행 4 내지 실행 6)은, 실질적으로 동일한 양의 규소 몰 중량%가 층에 포함되어 있는 종래의 ARC 층 (실행 1 내지 실행 3)에 의해 나타난 것과 유사한 굴절률 (N)을 나타낸다. 각각의 ARC 층 (실행 1 내지 실행 6)은 193 nm 광의 흡수에 대해 허용가능한 소광 계수를 나타낸다. 실행 4 내지 실행 6은 PGMEA 또는 TMAH 중 어느 하나에 노출 시에 종래의 실행 1 내지 실행 3보다 더 적은 양의 ARC 층이 손실됨을 나타낸다. 이러한 예는, ARC 층을 형성하는 데 사용되는 폴리실란실록산 내에 낮은 수준의 (DR''')x 구조 단위들을 포함시키는 것이 ARC 층에 의해 나타나는 전체 특성들을 개선함을 입증한다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 전자 디바이스의 표면 상에 반사방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 방법 (100)이 제공된다. 도 1을 참조하면, 상기 방법은 일반적으로: (105) 용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 제공하여 ARC 제형을 형성하는 단계; (110) 전자 디바이스를 제공하는 단계; (115) ARC 제형을 전자 디바이스의 표면에 적용하여 필름을 형성하는 단계; (120) 필름으로부터 용매를 제거하는 단계; 및 (125) 필름을 경화시켜 반사방지 코팅(ARC)을 형성하는 단계를 포함한다. ARC 제형은 앞서 기재된 바와 같은 폴리실란실록산 수지를 포함하는데, 상기 수지는 (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분; (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분, 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분을 포함하며; 여기서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되고 하첨자 q는 1 또는 2이다.
여전히 도 1을 참조하면, 미리 결정된 농도로 용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 제공함으로써 ARC 제형을 형성한다 (단계 105). 선택적으로, 추가의 또는 다른 첨가제(들)를 ARC 제형 내에 혼입할 수 있다 (단계 130). 이어서, 전자 디바이스를 제공하고, 후속적으로 그 위에 ARC 제형으로부터의 필름을 형성한다 (단계 115). 단계 115에서 ARC 제형은 당업자에게 공지된 임의의 수단에 의해 전자 디바이스에 적용될 수 있다. 단계 115에서 ARC 제형을 전자 디바이스에 적용하는 데 유용한 공정의 특정 예에는, 특히, 스핀-코팅, 딥-코팅(dip-coating), 스프레이-코팅, 플로우-코팅(flow-coating), 및 스크린 인쇄가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 대안적으로, ARC 제형을 전자 디바이스의 표면에 적용하는 방법은 스핀 코팅이다. 이러한 일례에서, ARC 제형의 적용은 1,000 내지 2,000 RPM으로 전자 디바이스를 회전시키는 것과, ARC 제형을 회전하는 디바이스의 표면에 부가하는 것을 수반한다.
미리 결정된 양의 시간 동안의 실온 또는 승온에서의 "건조"를 포함하지만 이로 한정되지 않는, 당업자에게 공지된 임의의 방법을 사용하여 필름으로부터 용매를 제거할 수 있다 (단계 120). 후속적으로 "건조" 필름을 경화시켜 전자 디바이스 상에 반사방지 코팅 층을 형성한다 (단계 125). 일반적으로 단계 125에서의 경화는 폴리실란실록산 수지가 적용 용매에 본질적으로 불용성으로 되기에 충분한 가교결합을 야기하도록 충분한 지속 시간 동안 충분한 온도로 ARC 층을 가열하는 것을 포함한다. 경화 단계 125는, 예를 들어, 코팅된 전자 디바이스를 약 80℃ 내지 450℃에서 약 0.1 내지 60분 동안, 대안적으로 약 150℃ 내지 275℃에서 약 0.5 내지 5분 동안, 대안적으로 약 200℃ 내지 250℃에서 약 0.5 내지 2분 동안 가열함으로써 일어날 수 있다. 당업자에게 공지된 임의의 가열 방법이 경화 단계 125 동안 사용될 수 있다. 예를 들어, 코팅된 전자 디바이스를 석영 관형로(quartz tube furnace), 대류 오븐에 넣거나 또는 핫 플레이트(hot plate) 상에 놓아 둘 수 있다.
경화 단계 125 동안, 기재 상에 형성된 필름에 존재하는 폴리실란실록산 수지를 산소 또는 탄소와의 반응으로부터 보호하기 위하여, 경화 단계는 불활성 분위기 하에서 수행될 수 있다 (단계 135). 본 발명에 유용한 불활성 분위기에는 질소 및 아르곤이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. "불활성"이란, 환경이 약 50 ppm 미만, 대안적으로 약 10 ppm 미만의 산소를 함유함을 의미한다. 경화 단계 및 제거 단계가 수행되는 압력은 중요하지 않다. 경화 단계(125)는 전형적으로 대기압에서 수행되지만 대기압 미만 또는 대기압 초과가 또한 유효할 수 있다.
전형적으로 경화 후의 반사방지 층은 종래의 포토레지스트 캐스팅 용매에 불용성이다. 포토리소그래피 공정 동안 레지스트 코팅 또는 층이 반사방지 코팅 층 위에 형성된다. 레지스트 층이 형성된 후에, 이것을 이어서 방사선, 즉, 193 nm에서의 자외광 (UV)에 노출시킨다. 전형적으로, 마스크를 통해 레지스트 층을 방사선에 노출시킴으로써 레지스트 층 상에 패턴이 형성되게 한다. 레지스트 층이 방사선에 노출된 후에, 레지스트 층은 전형적으로 노광-후 베이킹(post-exposure bake)을 거치는데, 이때 레지스트 층은 30℃ 내지 200℃, 대안적으로 75℃ 내지 150℃ 범위의 온도로 단기간, 전형적으로 30초 내지 5분, 대안적으로 60 내지 90초 동안 가열된다. 노광된 레지스트 코팅을 적합한 현상제(developer) 또는 박리제(stripper) 용액으로 제거하여 이미지를 생성한다. 노광된 코팅이 현상된 후에, 나머지 레지스트 층("패턴")을 전형적으로 물로 세척하여 임의의 잔류 현상제 용액을 제거한다.
하기 특정 실시예는 본 발명을 설정하기 위해 제공되며 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 당업자는, 본 발명의 개시 내용을 고려하여, 본 명세서에 개시된 특정 실시 형태에서 많은 변경이 이루어질 수 있으며, 본 발명의 사상 또는 범주를 벗어나거나 넘어서지 않으면서 유사하거나 비슷한 결과를 여전히 얻을 수 있음을 알 것이다.
실시예 1 - 종래의 T Me 0.2 T H 0.35 PSSX Me3Si2 0.15 PSSX Me2Si2 0.30 ARC 제형의 합성.
응축기, 가열 맨틀, 열전쌍, 첨가 깔때기, 및 자석 교반기가 구비된 3구 2 리터 플라스크를 조립하여 반응 시스템을 형성하였다. 이러한 반응 시스템에, 12.0 그램의 50/50 MeSiCl3/톨루엔, 20.0 그램의 50/50 HSiCl3/톨루엔, 247 그램의 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 및 6.7 그램의 1,1,2-트라이메틸-트라이클로로다이실란 (Cl3Me3Si2)과 13.3 그램의 1,1,2,2-테트라메틸다이클로로다이실란 (Cl2Me4Si2)으로 구성된 20.06 그램의 증류된 클로로메틸다이실란을 함유하는 제1 용액을 첨가하였다. 8.35 그램의 물 및 322.03 그램의 PGMEA를 함유하는 제2 용액을, 마스터플렉스(MasterFlex)(등록상표) 연동 정량 펌프(peristaltic metering pump) (미국 일리노이주 버논 힐스 소재의 콜-파머 인스트루먼트 컴퍼니(Cole-Parmer Instrument Co.))를 사용하여 1.5시간의 기간에 걸쳐 반응 시스템 내로 공급하여 반응 혼합물을 형성하였다. 반응 혼합물을 20℃에서 추가로 2시간 더 반응하게 두었다. 이어서, 추가적인 200 그램의 탈이온수를 반응 혼합물에 첨가하고 반응 혼합물을 20분 동안 혼합하였다. 이어서, 혼합물이 유기상과 수성상으로 분리될 때까지 반응 혼합물을 정치하였다. 이어서, 수성상을 제거하였다. 수성상을 반응 혼합물로부터 제거한 후에, 유기상을 200 그램의 물로 2회 더 세척하였다. 마지막으로, 유기상을 100 그램의 PGMEA 및 50 그램의 에탄올과 혼합하고 감압 하에 40℃에서 회전식 증발기 상에 놓아서 임의의 미량의 HCl를 제거하였다. 이어서, 유기상을 PGMEA로 희석하여, 유기상 중 폴리실란실록산 수지의 농도가 10.3 중량% 수지가 되게 하였다. 폴리실란실록산 중 클로라이드 함량을 측정하였는데 0.061 중량%였다. 이어서, 종래의 ARC 제형으로서 나중에 사용하기 위해 유기상을 보관하였으며, 그로부터 실행 1 내지 실행 3에서 반사방지 코팅 층을 기재 상에 형성한다.
실시예 2 - D MeH 0.1 T Me 0.1 T H 0.35 PSSX Me3Si2 0.15 PSSX Me2Si2 0.30 ARC 제형의 합성
응축기, 가열 맨틀, 열전쌍, 첨가 깔때기, 및 자석 교반기가 구비된 3구 2 리터 플라스크를 조립하여 반응 시스템을 형성하였다. 이러한 반응 시스템에, 4.6 그램의 50/50 MeHSiCl2/톨루엔, 12.0 그램의 50/50 MeSiCl3/톨루엔, 20.0 그램의 50/50 HSiCl3/톨루엔, 247 그램의 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 및 6.7 그램의 1,1,2-트라이메틸트라이클로로다이실란 (Cl3Me3Si2)과 13.3 그램의 1,1,2,2-테트라메틸다이클로로다이실란 (Cl2Me4Si2)으로 구성된 20.06 그램의 증류된 클로로메틸다이실란을 함유하는 제1 용액을 첨가하였다. 8.35 그램의 물 및 322.03 그램의 PGMEA를 함유하는 제2 용액을, 마스터플렉스(등록상표) 연동 정량 펌프를 사용하여 1.5시간의 기간에 걸쳐 플라스크 내로 공급하여 반응 혼합물을 형성하였다. 반응 혼합물을 20℃에서 추가로 2시간 더 반응하게 두었다. 이어서, 200 그램의 탈이온수를 반응 혼합물에 첨가하고 반응 혼합물을 추가로 20분 동안 교반하였다. 이어서, 혼합물이 유기상과 수성상으로 분리될 때까지 반응 혼합물을 정치하였다. 이어서, 수성상을 제거하였다. 수성상을 반응 혼합물로부터 제거한 후에, 유기상을 200 그램의 물로 2회 더 세척하였다. 마지막으로, 유기상을 100 그램의 PGMEA 및 50 그램의 에탄올과 혼합하고 감압 및 40℃에서 회전식 증발기 상에 놓아서 임의의 미량의 HCl를 제거하였다. 이어서, 유기상을 PGMEA로 희석하여, 유기상 중 폴리실란실록산 수지의 농도가 9.94 중량% 수지가 되게 하였다. 폴리실란실록산 중 클로라이드 함량을 측정하였는데 0.061 중량%였다. 이어서, ARC 제형으로서 나중에 사용하기 위해 유기상을 보관하였으며, 그로부터 실행 4 내지 실행 6에서 반사방지 코팅 층을 기재 상에 형성한다.
당업자라면, 상기에 기재된 측정치가 다양한 상이한 시험 방법들에 의해 얻어질 수 있는 표준 측정치임을 인식할 것이다. 본 명세서에 기재된 임의의 시험 방법은 필요하거나 요구되는 각각의 측정을 얻는 데 이용가능한 단지 하나의 방법을 나타낼 뿐이다.
본 발명의 다양한 실시 형태의 전술한 설명은 예시 및 설명 목적을 위해 제시되었다. 본 발명을 개시된 정확한 실시 형태로 제한하거나 총망라하고자 하는 것이 아니다. 상기 교시내용에 비추어 다수의 변경 및 변형이 가능하다. 논의된 실시 형태는 본 발명에 포함된 원리의 최상의 예시 및 그의 실제적인 응용을 제공하고, 그럼으로써 당업자가 다양한 실시 형태에서 그리고 고려되는 특정 용도에 적합한 다양한 변경을 갖고서 본 발명의 교시내용을 이용할 수 있도록 선택하고 기술하였다. 모든 그러한 변경 및 변형은 첨부된 특허청구범위가 정당하게, 합법적으로, 그리고 공평하게 주어지는 범위에 따라 해석될 때 그에 의해 결정되는 바와 같은 본 발명의 범주 내에 있다.

Claims (18)

  1. 반사방지 코팅(ARC; antireflective coating) 제형으로서, 상기 ARC 제형은 폴리실란실록산 수지 및 용매를 포함하며; 상기 폴리실란실록산 수지는
    (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분;
    (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분; 및
    (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분을 포함하고;
    여기서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되며; 하첨자 q는 1 또는 2인, ARC 제형.
  2. 제1항에 있어서, R', R'', 및 R'''은 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되어, (R')2SiO2의 구조 단위들은 (Me)(H)SiO2이고; (R'')SiO3의 구조 단위들은 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이고; R''' 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들은 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합인, ARC 제형.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리실란실록산 수지에서, 상기 제1 성분은 몰 비 x로 존재하고, 상기 제2 성분은 몰 비 y로 존재하고, 상기 제3 성분은 몰 비 z로 존재하여, (x + y + z) = 1이고, x < y이고, x < z가 되도록 하는, ARC 제형.
  4. 제3항에 있어서, 상기 몰 비 x는 0.1이고, 상기 몰 비 y는 0.45이고, 상기 몰 비 z는 0.45인, ARC 제형.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리실란실록산 수지는 42 중량% 이상의 규소를 포함하는, ARC 제형.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 유기 용매 또는 실리콘 용매인, ARC 제형.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 ARC 제형은 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함하며; 상기 첨가제는 촉매, 계면활성제, 분산제, 또는 필름 형성 조제(film forming aid)인, ARC 제형.
  8. 반사방지 코팅(ARC)을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은
    용매 중에 분산된 폴리실란실록산 수지를 제공하여 ARC 제형을 형성하는 단계로서, 상기 폴리실란실록산 수지는
    (R')2SiO2의 구조 단위들로 정의되는 제1 성분;
    (R'')SiO3의 구조 단위들로 정의되는 제2 성분; 및
    (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들로 정의되는 제3 성분
    (여기서, R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되며; 하첨자 q는 1 또는 2임)을 포함하는, 상기 단계;
    전자 디바이스를 제공하는 단계;
    상기 ARC 제형을 상기 전자 디바이스의 표면에 적용하여 필름을 형성하는 단계;
    상기 필름으로부터 상기 용매를 제거하는 단계; 및
    상기 필름을 경화시켜 상기 반사방지 코팅을 형성하는 단계를 포함하는, ARC를 형성하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 ARC 제형은 스핀-코팅에 의해 상기 전자 디바이스의 상기 표면에 적용되는, ARC를 형성하는 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 필름은 250℃ 이하의 온도에서 경화되는, ARC를 형성하는 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 하나 이상의 첨가제를 상기 ARC 제형 내에 혼입하는 단계를 추가로 포함하는, ARC를 형성하는 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 필름을 경화시키기 전에 상기 필름을 불활성 분위기 하에 두는 단계를 추가로 포함하는, ARC를 형성하는 방법.
  13. 반사방지 코팅(ARC) 층으로 코팅된 기재로서, 상기 ARC 층은 폴리실란실록산 수지를 포함하고, 상기 폴리실란실록산 수지는 하기 화학식:
    (DR')x (TR'')y (PSSXR''')z
    [상기 식에서, (DR')x는 (R')2SiO2의 구조 단위들을 나타내고; (TR'')y는 (R'')SiO3의 구조 단위들을 나타내고; (PSSXR''')z는 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들을 나타내며; R', R'', 및 R'''은 독립적으로 탄화수소 기 또는 수소 기이도록 선택되고; 하첨자 q는 1 또는 2이고; 하첨자 x, y, 및 z는 (x + y + z) = 1이 되도록 0 초과 1 미만인 몰 분율을 나타냄]에 따른 DR', TR'', 및 PSSXR''' 구조 단위들을 포함하는, ARC 층으로 코팅된 기재.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기재는 전자 디바이스인, ARC 층으로 코팅된 기재.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, R', R'', 및 R'''은 메틸 (Me) 기 또는 수소 (H) 기이도록 선택되어, (R')2SiO2의 구조 단위들은 (Me)(H)SiO2이고; (R'')SiO3의 구조 단위들은 (H)SiO3과 (Me)SiO3의 조합이고; R''' 및 (R''')q+2Si2O4-q의 구조 단위들은 (Me)3Si2O3과 (Me)4Si2O2의 조합인, ARC 층으로 코팅된 기재.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리실란실록산 수지에서, 상기 (DR')x 구조 단위들, 상기 (TR'')y 구조 단위들, 및 상기 (PSSXR''')z 구조 단위들은 x < y, 및 x < z이도록 존재하는, ARC 층으로 코팅된 기재.
  17. 제16항에 있어서, 상기 몰 비 x는 0.1이고, 상기 몰 비 y는 0.45이고, 상기 몰 비 z는 0.45인, ARC 층으로 코팅된 기재.
  18. 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리실란실록산 수지는 42 중량% 이상의 규소를 포함하는, ARC 층으로 코팅된 기재.
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