KR20080089290A - 전자파 흡수성이 우수한 적층형 수지 도장 금속판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 금속판의 적어도 한 면에, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막(A)을 구비한 수지 도장 금속판으로서, 금속판과 도전성 수지 피막(A) 사이에, 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)을 갖고 있다. 도전성 수지 피막(A)은 10 내지 60질량%의 도전성 입자를 함유하며, 또한 두께가 3 내지 50㎛의 범위이다. 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)의 두께는 3 내지 50㎛의 범위이다. 이러한 수지 도장 금속판은 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽 무두가 우수하다.

Description

전자파 흡수성이 우수한 적층형 수지 도장 금속판{LAMINATE RESIN-COATED METAL PLATE EXCELLING IN ABSORPTION OF ELECTROMAGNETIC WAVES}

본 발명은 전자파 흡수성이 우수한 적층형 수지 도장 금속판에 관한 것이고, 상세하게는, 도전성 수지 피막과 금속판 사이에 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막을 갖는 적층형 수지 도장 금속판에 관한 것이다. 본 발명의 수지 도장 금속판은, 예컨대 전자·전기·광학 기기 등(이하, 전자 기기로 통칭하는 경우가 있음)에 있어서의 하우징 등의 구성 소재에 적합하게 이용되고, 예컨대 CD, LD, DVD, CD-ROM, CD-RAM, PDP, LCD 등의 정보 기록 제품; 퍼스널 컴퓨터, 카 네비게이션, 카 오디오 비쥬얼 등의 전기·전자·통신 관련 제품; 프로젝터, 텔레비전, 비디오, 게임기 등의 AV 기기; 카피기, 프린터 등의 복사기; 에어컨디셔너 실외기 등의 전원 박스 커버, 제어 박스 커버, 자동 판매기, 냉장고 등에 이용할 수 있다.

전자 기기의 고성능화·소형화가 진행되는 가운데, 전자 기기 등의 하우징에는, 전자 기기의 내부에서 발생하는 전자파가 외부로 누설되지 않도록, 또는 전자파가 전자 기기의 외부로부터 내부로 침입하지 않도록, 전자파 실드성이 우수할 것 이 요구된다. 전자파 실드성이란, 전자 기기의 내부·외부를 막론하고 전자파의 누설을 방지하는 특성을 의미한다.

지금까지, 전자 기기용 하우징의 전자파 실드성 향상 방법은 여러 가지가 제안되어 있다. 예컨대, 「전자파는 공기 구멍이나 배선 구멍으로부터 누설될 뿐만 아니라, 강판끼리의 극간으로부터도 누설된다」는 점에 착안하여, 전기 아연 도금 강판 등과 같은 도전성이 우수한 재료를 이용함으로써 강판끼리의 전기적 접속을 향상시켜, 전자파의 누설을 감소시키는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법에서는, 공기 구멍이나 배선 구멍으로부터의 전자파의 누설을 충분하고 유효하게 방지할 수는 없었다.

한편, 본원 출원인은, 전자파 실드성을 높일 수 있는 전자파 흡수성이 우수한 강판으로서, 자성 분말 등의 전자파 흡수 첨가제를 포함하는 자성 도막이 적어도 강판의 이면(하우징을 구성하는 내부 측면)에 피복된 수지 도장 금속판을 개시하고 있다(일본 공개특허 공보 2005-21572호 및 일본 공개특허 공보 2006-161129호). 일본 공개특허 공보 2005-21572호에서는, 주로, 금속판으로서 전기 아연 도금 강판(EG)을 이용하고 있고, 일본 공개특허 공보 2006-161129호에서는, 금속판의 종류를 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)으로 한정하고 있다.

이들 기술은 「전자 기기로부터 발생하는 전자파는 강판에 대하여 흡수되는 것보다 반사되는 것이 많다」는 점에 착안하여 이루어진 것으로서, 상기한 바와 같이, 이면 측에 자성 도막을 마련하면, 하우징 내부에서 발생한 전자파가 강판에 다중 반사하는 등 하여 흡수되기 때문에, 최종적으로, 공기 구멍 등으로부터 하우징 외부로 누설되는 전자파의 감쇠 효과가 발휘된다고 생각된다. 다중 반사의 추정 메커니즘은 일본 공개특허 공보 2005-21572호에 상술되어 있다. 또한, 상기한 방법에서는, 전자파 흡수성뿐만 아니라 양호한 가공성도 겸비할 수 있도록, 자성 도막의 두께를, 전자파 흡수성을 저해하지 않을 정도로 얇게 제어하고 있다. 이에 따라, 상기 공개특허 공보에 기재된 강판은 굽힘 가공 등의 과혹한 가공이 요구되는 전자 기기용 하우징의 구성 소재로서 적합하게 이용된다.

본 발명의 목적은 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽이 우수한 수지 도장 금속판을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결할 수 있는 본 발명의 적층형 수지 도장 금속판은, 금속판의 적어도 한 면에, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막(A)을 구비한 수지 도장 금속판으로서, 상기 금속판과 상기 도전성 수지 피막(A) 사이에, 상기 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)을 갖고 있고, 상기 도전성 수지 피막(A)은 10 내지 60%(질량%의 의미, 이하 동일)의 도전성 입자를 함유하며, 또한 두께가 3 내지 50㎛의 범위에 있고, 상기 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)의 두께는 3 내지 50㎛의 범위에 있다는 것에 요지를 갖고 있다.

바람직한 실시형태에 있어서, 상기 도전성 입자는 자성 분말이다.

바람직한 실시형태에 있어서, 상기 금속판은 합금화 용융 아연 도금 강판이다.

본 발명에 따르면, 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽이 우수한 수지 도장 금속판이 얻어지기 때문에, 전자 기기용 하우징에 이용되는 바람직한 구성 소재를 제 공할 수 있다.

[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]

본 발명자는 전술한 일본 공개특허 공보 2005-21572호 및 일본 공개특허 공보 2006-161129호에 기재된 기술을 제안한 후에도, 보다 높은 레벨의 전자파 흡수성을 발휘할 수 있고, 게다가 가공성도 우수한 수지 도장 금속판을 제공하기 위해, 자성 도막을 구비한 수지 도장 금속판을 중심으로 계속해서 검토를 행하여 왔다. 그 결과, 하기의 (a) 내지 (b)의 지견을 얻었다.

(a) 전술한 특허 공보에 개시된 자성 도막과 금속판 사이에, 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 도막을 스페이서로서 개재시킨 적층 구조로 하면, 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 종래보다 양호한 전자파 흡수성이 얻어졌다. 전자파 흡수성뿐만 아니라 가공성을 고려하면, 상기한 스페이서의 막 두께를 소정 범위로 제어할 필요가 있다.

(b) 상기한 적층형 수지 도장 금속판에서는, 전자파 흡수에 이용되는 첨가제의 종류는, 종래와 같이 자성 금속 분말(대표적으로는, 센더스트(sendust)나 퍼멀로이(permalloy) 등)에 한정되지 않고, 자성을 갖지 않는 도전성의 금속 분말(예컨대, Al, Cu 등의 금속 단체 등)도 이용할 수 있게 된다(후기하는 실시예 참조). 특히, 편평율이 큰 도전성 입자를 이용하면 전자파 흡수 작용이 향상되는 것이 밝혀졌다. 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 편평률이 큰 금속 분말을 이용한 경우(실시예 1)는 자성 분말을 이용한 경우(실시예 2)에 비해 대체로 전자파 흡수성은 향상되는 경향이 있고, 특히 금속판(원판)으로서 전기 아연 도금 강판(EG)을 이용하였을 때의 전자파 흡수성 향상 효과는 자성 분말을 이용한 경우에 비해 현격하게 상승하는 것을 알았다(후기하는 표 1과 표 3을 대비).

본 발명과 같은 적층 구조로 하는 것에 따라, 자성 도막만을 갖는 종래의 단층 구조에 비해 전자파 흡수성이 향상되는 상세한 메커니즘은 불분명하지만, 금속판과 자성 도막 사이에 스페이서를 마련함으로써, 하우징 내부에서 발생한 전자파의 일부가 자성 도막을 통과하고, 자성 도막과 금속판 사이에서 다중 반사하여 흡수되기 때문은 아닌가 등으로 추찰(推察)된다.

본 명세서에서, 「전자파 흡수성이 우수하다」란, 후기하는 실시예에 상술하는 바와 같이, 후기하는 도 5 내지 도 7에 나타내는 측정 장치를 이용하여 전자파 흡수성을 평가하였을 때, 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)을 이용하였을 때는 4.0dB 이상, 전기 아연 도금 강판(EG)을 이용하였을 때는 0.5dB 이상인 것을 의미하고 있다. 이와 같이 본 명세서에서는, 금속판(원판)의 종류에 따라 전자파 흡수성의 합격 기준을 변경하고 있지만, 이것은 전술한 일본 공개특허 공보 2006-161129호에도 개시한 바와 같이, 전기 아연 도금 강판(EG)에 비해 합금화 용융 아연 도금 강판(GA) 쪽이, 전자파 흡수성이 현저히 향상되기 때문이다. 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 본 발명과 같은 적층형 수지 도장 금속판을 이용하면, 전술한 특허 공보에 기재된 단층형 수지 도장 금속판에 비해, 금속판으로서 GA를 이용하였을 때의 전자파 흡수성이 향상될 뿐만 아니라, EG를 이용하였을 때의 전자 파 흡수성도 향상되기 때문에, 본 발명에서는 차제에 양 금속판의 합격 기준을 설정하였다.

또, 본 발명에서는, 전술한 특허 공보에서의 측정에 비해 전자파 흡수성의 측정 정밀도를 한층 높이기 위해, 도 5 내지 도 7의 전자파 흡수 측정 장치를 이용하고 있다. 전자파 흡수성을 평가하기 위한 수법 자체는, 본 발명도 전술한 특허 공보도 같지만, 전술한 특허 공보에 나타내는 장치(일본 공개특허 공보 2005-21572호에 기재된 도 12 내지 도 14, 및 일본 공개특허 공보 2006-161129호에 기재된 도 6 내지 도 8을 참조)를 이용하여 측정을 행하면, 샘플 강판의 피측정 표면이 SUS제 프레임면과 접촉하는 등 하여, 접촉 저항 손실분도 포함한 전자파 흡수량(실제보다 높은 측정값)을 나타내게 되는 것이, 본 발명자의 그 후의 연구에 의해 밝혀졌다. 그래서, 본 발명에서는, 도 5 내지 도 7의 측정 장치를 이용하여, 샘플 강판의 피측정 표면은 SUS제 프레임면과 접촉하지 않거나, 또는 접촉하였다고 해도 면적이 작아지도록, 샘플 강판의 형상을 변경하였다. 구체적으로는, 도 5에 나타내는 SUS제 프레임에 부착하는 샘플 강판의 형상을, 도 6(a), 도 6(b), 도 7(a)의 내측의 선에 합치하도록 제어하였다(상세한 것은 후술함). 본 발명의 측정 장치를 이용하여 얻어지는 전자파 흡수량은 측정 오차가 적어지는 만큼, 종래의 측정 장치를 이용한 경우에 비해 약 0.1 내지 0.2dB 정도 낮아지는 경향이 있다.

따라서, 전자파 흡수성의 합격 기준에 대하여 본 발명과 전술한 특허 공보를 비교하여 보면, 전기 아연 도금 강판 및 합금화 용융 아연 도금 강판 중 어느 것에 있어서도, 본 발명 쪽이 합격 기준은 높게 설정하고 있다. 우선, 전기 아연 도금 강판에 관하여, 전술한 일본 공개특허 공보 2005-21572호도 본 발명도 모두, 0.50dB 이상을 합격 기준으로 정하였지만, 본 발명에서는 일본 공개특허 공보 2005-21572호에 비해 측정값이 낮게 산출되는 것을 감안하면, 본 발명 쪽이 합격 기준은 높게 된다. 한편, 합금화 용융 아연 도금 강판에 관하여, 전술한 일본 공개특허 공보 2006-161129호에서는 3.5dB 이상을 합격 기준으로 정하였지만, 본 발명에서는 그것보다 더 높은 4.0dB 이상을 합격 기준으로 설정하고 있다는 점에서, 본 발명 쪽이 합격 기준을 매우 높게 설정하고 있게 된다.

이하, 도 1을 참조하면서 본 발명의 적층형 수지 도장 금속판을 상세히 설명한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 수지 도장 금속판(10)은, 금속판(11) 위에, 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B, 하층 피막)(12)과, 도전성 입자(도면 중 X)를 함유하는 도전성 수지 피막(A, 상층 피막)(13)이 순차 적층된 적층 구조를 갖고 있다. 상기한 적층 구조는 적어도 강판의 이면(전자 기기의 하우징으로부터 보아 내측)에 마련되어 있으면 된다. 전자파 흡수성은 전자 기기 부재의 내측에서 요구되기 때문이다. 도 1에는, 금속판(11)의 한 면에만 상기한 적층 구조를 갖는 태양을 나타내고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 강판의 표면(하우징을 구성하는 외부 측면)에 대해서는, (a) 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막만을 갖는 태양, (b) 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막만을 갖는 태양, (c) 본 발명과 같이, 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막과 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막이 적층된 적층 구조를 갖는 태양 중 어느 것도 본 발명의 범위 내에 포함된다.

이하에서는, 설명의 편의상, 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)을 「스페이서층」이라고 부르고, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막(A)을 단지 「도전성 피막」이라고 부르는 경우가 있다. 도전성 피막과 스페이서층은 도전성 입자를 포함하는지 포함하지 않는지의 점에서 크게 상이하고, 수지 피막의 조성은 같아도 좋고 달라도 좋다(상세한 것은 후술함).

도 1에서, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막(A)(13)은 10 내지 60%(질량%의 의미, 이하 동일)의 도전성 입자를 함유하며, 또한 두께가 3 내지 50㎛의 범위이다. 이에 따라, 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽을 향상시킬 수 있다. 본 발명에서의 도전성 피막을, 전술한 일본 공개특허 공보 2005-21572호 및 일본 공개특허 공보 2006-161129호에 개시되어 있는 자성 피막과 대비하면, 양자는 이용되는 전자파 흡수 첨가제의 종류 및 함유량(하한)이 상이하다. 본 발명에서는, (a) 전자파 흡수 첨가제의 종류를, 상기 특허 공보와 같이 자성 분말로 한정하지 않고, 자성을 갖지 않는 도전성 입자(도전성 입자의 상세한 것은 후술함)까지 확대하고 있고, 또한 (b) 도전성 입자의 함유량의 하한을 10%로 하여, 상기 특허 공보와 같이 자성 분말의 함유량의 하한(20%)보다 넓게 하고 있는데, 이들은 모두, 본 발명에서 금속판과 도전성 피막 사이에 스페이서층을 개재시킨 적층 구조의 구성을 채용한 것에 의한 효과이다.

여기서, 도전성 피막에 이용되는 「도전성 입자」는 도전성을 갖는 금속 입자(금속 분말)의 의미이며, 자성을 갖는 금속 입자(금속 분말) 외에, 자성을 갖지 않는 금속 입자(금속 분말)도 포함된다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 상관없다.

자성을 갖는 금속 입자(금속 분말)로는, 전술한 일본 공개특허 공보 2005-21572호 및 일본 공개특허 공보 2006-161129호에 개시된 자성 분말을 들 수 있고, 대표적으로는 자성 합금 분말을 들 수 있다. 자성 합금 분말로는, 예컨대 퍼멀로이(Ni-Fe계 합금으로 Ni 함유량이 35% 이상인 것)나 센더스트(Si-Al-Fe계 합금) 등을 들 수 있다.

자성을 갖지 않는 금속 입자(금속 분말)로는, 예컨대 Al이나 Cu 등의 금속 단체 등을 들 수 있다.

상기 도전성 입자의 함유량은 전자파 흡수성 및 가공성의 관점에서 10 내지 60%로 한다. 도전성 입자의 함유량이 10% 미만인 경우, 소망하는 전자파 흡수 특성이 얻어지지 않는다. 한편, 60%를 넘으면 가공성이 저하하는 외에, 스페이서층과의 피막 밀착성이나 내식성이 저하하게 되어, 전자 기기 부재용 강판에 요구되는 특성을 만족시킬 수 없다. 도전성 입자의 바람직한 함유량은 대체로 15% 이상 55% 이하이며, 보다 바람직한 함유량은 대체로 20% 이상 50% 이하이다.

도전성 입자의 평균 입경은 대체로 20㎛ 이하인 것이 바람직하고, 큰 입경(예컨대, 30㎛ 이상)의 분말은 될 수 있는 한 제거하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도전성 피막의 형성이 용이하게 되어, 가공성이나 내식성 등의 저하를 억제할 수 있다. 도전성 입자의 평균 입경은 일반적인 입도 분포계에 의해 분급 후의 입자의 입도 분포를 측정하고, 그 측정 결과에 근거하여 산출되는 작은 입경 측으로 부터의 적산값 50%의 입도(D₅₀)를 의미한다. 이러한 입도 분포는 입자에 광이 닿음으로써 발생하는 회절이나 산란의 강도 패턴에 의해 측정할 수 있고, 이러한 입도 분포계로는, 예컨대 닛키소사(日機裝社)제의 마이크로 트랙 9220FRA나 마이크로 트랙 HRA 등이 예시된다.

또한, 전술한 바람직한 평균 입경을 만족하는 도전성 입자는 시판품을 사용하여도 좋다. 예컨대, 퍼멀로이(78% Ni)[일본 아토마이즈 가공(주)제 SFR-PC78, 평균 입경 5.7㎛], 퍼멀로이(45% Ni)[일본 아토마이즈 가공(주)제 SFR-PB45, 평균 입경 5.8㎛], 센더스트[일본 아토마이즈 가공(주)제 SFR-FeSiAl(84.5-10-5.5), 평균 입경 6.9㎛] 등을 들 수 있다.

또한, 도전성 입자의 형상은 편평 형상인 것이 바람직하다. 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 편평 형상을 갖는 첨가제[아사히 화성 알루미늄 페이스트 M-301, 입경 19㎛, 두께 0.4㎛]를 이용한 경우, 불규칙 형상을 갖는 첨가제[퍼멀로이(78% Ni), 미쓰비시 제강(주)제, 평균 입경 7.8㎛]를 이용한 경우에 비해 전자파 흡수성의 향상 작용이 현격하게 상승하고 있다.

도전성 피막의 두께는 3 내지 50㎛로 한다(후기하는 실시예 참조). 도전성 피막의 두께가 3㎛ 미만이면, 소망하는 전자파 흡수성이 얻어지지 않지만, 도전성 입자의 대부분이 피막 위에 나타나기 때문에, 외관이 악화되고, 도전성 입자가 탈락하는 등의 문제가 있다. 한편, 도전성 피막의 두께가 50㎛를 넘으면, 굽힘 가공성이 저하해 버린다. 도전성 피막의 바람직한 두께는, 상세하게는 사용하는 도전 성 분말의 종류나 함유량 등에 따라서도 변화할 수 있지만, 대체로 4㎛ 이상 40㎛ 이하이며, 보다 바람직한 두께는 대체로 5㎛ 이상 30㎛ 이하이다.

도전성 피막 및 후기하는 스페이서층의 두께는 피막 중량으로부터 비중 환산하는 방법에 의해 측정하여도 좋고, 또는 수지 피막의 단면을 현미경 관찰(SEM 사진 관찰)하여 측정하여도 좋다.

한편, 스페이서층(도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막)(12)의 두께는 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽을 향상시키기 위해, 3 내지 50㎛의 범위로 한다. 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 스페이서층의 두께가 3㎛를 하회하면, 전자파 흡수성 향상 효과가 작아지는 한편, 두께가 50㎛를 넘으면 가공성이 저하한다. 스페이서의 바람직한 두께는 대체로 5㎛ 이상 30㎛ 이하이며, 보다 바람직한 두께는 대체로 8㎛ 이상 20㎛ 이하이다.

상기한 도전성 피막(13) 및 스페이서층(12)의 수지는 동일하여도 좋고, 달라도 좋다. 어느 것으로 하여도, 이들 수지 피막을 구성하는 베이스 수지로는, 예컨대 폴리에스테르계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리올레핀계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 및 이들 수지의 혼합물 또는 변성한 수지 등을 들 수 있다. 또, 본 발명의 수지 도장 금속판은, 주로 전자 기기의 하우징에 사용되고, 굽힘 가공성, 피막 밀착성, 내식성 등의 특성이 더 요구되는 것을 고려하면, 폴리에스테르 수지 또는 변성 폴리에스테르 수지(예컨대, 불포화 폴리에스테르 수지에 에폭시를 부가하여 변성시킨 수지)인 것이 바람직하다.

수지 피막은, 전술한 베이스 수지 외에, 가교제를 더 함유하여도 좋다. 가 교제의 종류는 수지 도장 금속판에 통상 이용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 멜라민계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 병용하여도 좋다. 가교제의 함유량(합계량)은 대체로 0.5 내지 30질량%의 범위 내인 것이 바람직하다.

수지 피막은, 전술한 베이스 수지나 가교제 외에, 공지의 첨가제(예컨대, 방청제, 무광제, 안료 등)를 함유하여도 좋다.

본 발명에 이용되는 금속판(11)은 특별히 한정되지 않고, 냉연 강판, 열연 강판, 전기 아연 도금 강판(EG), 용융 아연 도금 동판(GI), 아연과 철족 원소(Fe, Co, Ni)의 합금 도금 강판[특히, 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)], 5% Al-Zn 도금 강판, 55% Al-Zn 도금 강판, Al 등의 각종 도금 강판, 스테인리스 강판 등의 강판류나, 공지의 금속판 등을 전부 적용할 수 있다.

전자파 흡수성 향상의 관점에서 보면, 아연과 철족 원소(Fe, Co, Ni)의 합금 도금 강판이 바람직하다. 아연-철족 원소의 합금 도금 강판으로는, Zn과 Fe의 합금 도금 강판, Zn과 Ni의 합금 도금 강판, Zn과 Co의 합금 도금 강판을 들 수 있다. 전자파 흡수성을 확보한다고 하는 관점에서 보면, Fe, Ni, Co 함유량은 모두 대체로 5 내지 20%의 범위 내로 제어하는 것이 바람직하다. 또, 도금의 방법은 특별히 한정되지 않고, 용융 도금법, 전기 도금법 중 어느 쪽의 방법에 의해서도 얻어진다. 또, 용융 도금법, 전기 도금법의 상세한 도금 조건은 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되고 있는 방법을 채용할 수 있다.

도금의 부착량은 전자파 흡수성을 고려하면, 적은 쪽이 좋고, 예컨대 50g/㎡ 이하인 것이 바람직하고, 40g/㎡ 이하인 것이 보다 바람직하고, 35g/㎡ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 30g/㎡ 이하인 것이 더욱 더 바람직하다. 도금 부착량의 하한은 전자파 흡수성의 관점에서는 특별히 한정되지 않지만, 내식성 등을 고려하면, 예컨대 5g/㎡인 것이 바람직하고, 10g/㎡인 것이 보다 바람직하다.

또한, 비용 등을 고려하면, 저렴하고 간편하게 제조 가능한 합금화 용융 아연 도금 강판(Zn과 Fe를 용융 도금법에 의해 합금화한 강판, GA)의 사용이 가장 바람직하다.

상기한 바와 같이, 본 발명에서는, 금속판으로서 합금화 도금 강판을 이용하는 것이 추장되지만, 그밖에 도금 부착량을 약 15g/㎡ 이하로 제어한 순아연 도금 강판이나 냉연 강판을 이용하는 것도 가능하다. 이러한 합금화를 행하지 않은 동판을 이용함으로써, 합금화 강판의 사용에 의한 문제점(예컨대, 굽힘 가공 시에 발생하는 크랙 등의 균열이나 박리 등)을 회피할 수 있다.

예컨대, 도금을 행하지 않은 냉연 강판을 이용하면, 가공이 엄격한 용도에의 적용이 가능하다. 단, 냉연 강판은 내식성이 나빠서, 전자 기기 하우징에의 적용을 고려하면 종합적인 특성 평가는 낮아지기 때문에, 냉연 강판보다 합금화 도금 강판의 사용이 바람직하다.

한편, 순아연 도금 강판을 이용하면, 가공이 엄격하고, 또한 내식성도 요구되는 용도에의 적용이 가능하다. 도금 부착량은, 내식성을 효과적으로 발휘시키기 위해, 약 3g/㎡ 이상인 것이 바람직하고, 6g/㎡ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 도금 부착량의 상한은, 전자파 흡수성을 고려하면, 15g/㎡인 것이 바람직하고, 12g/㎡인 것이 보다 바람직하며, 10g/㎡인 것이 더욱 바람직하다.

금속판은 내식성 향상, 수지 피막과의 밀착성 향상 등을 목적으로 하여, 크로메이트 처리나 인산염 처리 등의 표면 처리(하지 처리)가 실시되어 있어도 좋다. 또는, 환경 오염 등을 고려하여, 논크로메이트 처리한 금속판을 사용하여도 좋고, 어느 것인가의 하지 처리가 실시된 금속판도 본 발명의 범위 내에 포함된다.

또한, 논크로메이트 처리 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상 사용되는 공지의 하지 처리를 행하면 된다. 구체적으로는, 인산염계, 실리카계, 티탄계, 지르코늄계 등의 하지 처리를, 단독으로 혹은 병용하여 행하는 것이 추장된다.

또한, 일반적으로 논크로메이트 처리하면 내식성이 저하하기 때문에, 내식성 향상의 목적으로, 도막 중 또는 하지 처리 시, 방청제를 사용하여도 좋다. 상기 방청제로는, 실리카계 화합물, 인산염계 화합물, 아인산염계 화합물, 폴리인산염계 화합물, 황계 유기 화합물, 벤조트리아졸, 탄닌산, 몰리브덴산염계 화합물, 텅스텐산염계 화합물, 바나듐계 화합물, 실란 커플링제 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 사용하거나 또는 병용할 수 있다. 특히 바람직한 것은, 실리카계 화합물(예컨대, 칼슘 이온 교환 실리카 등)과, 인산염계 화합물, 아인산염계 화합물, 폴리인산염계 화합물(예컨대, 트리폴리인산 알루미늄 등)과의 병용이며, 실리카계 화합물:(인산염계 화합물, 아인산염계 화합물 또는 폴리인산염계 화합물)을 질량 비율로 0.5 내지 9.5:9.5 내지 0.5(보다 바람직하게는 1:9 내지 9:1)의 범위로 병용하는 것이 추장된다. 이 범위로 제어함으로써, 소망하는 내식성과 가공성의 양쪽을 확보할 수 있다.

상기 방청제의 사용에 의해 논크로메이트 처리 금속판의 내식성은 확보할 수 있지만, 그 반면에 방청제의 첨가에 의한 가공성 저하도 알려져 있다. 그 때문에, 도막의 형성 성분으로서, 특히 에폭시 변성 폴리에스테르계 수지 및/또는 페놀 유도체를 골격에 도입한 폴리에스테르계 수지, 및 가교제(바람직하게는 이소시아네이트계 수지 및/또는 멜라민계 수지, 보다 바람직하게는 양자의 병용)를 조합하여 사용하는 것이 추장된다.

이 중 에폭시 변성 폴리에스테르계 수지 및 페놀 유도체를 골격에 도입한 폴리에스테르계 수지(예컨대, 비스페놀 A를 골격에 도입한 폴리에스테르계 수지 등)는 폴리에스테르계 수지에 비해 내식성 및 도막 밀착성이 우수하다.

한편, 이소시아네이트계 가교제는 가공성 향상 작용(가공 후의 외관 향상 작용을 의미하고, 후기하는 실시예에서는 밀착성 굽힘 시험에 있어서의 크랙수로 평가하고 있음)을 갖고 있고, 이에 따라, 방청제를 첨가하였다고 해도 우수한 가공성을 확보하는 것이 가능해진다.

또한, 멜라민계 가교제는 우수한 내식성을 갖고 있다. 따라서, 본 발명에서는, 전술한 방청제와 병용함으로써, 매우 양호한 내식성이 얻어지게 된다.

이들 이소시아네이트계 가교제 및 멜라민계 가교제는 단독으로 사용하거나 양자를 병용하면, 논크로메이트 처리 금속판에 있어서의 가공성 및 내식성을 한층 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 이소시아네이트계 수지 100질량부에 대하여 멜라민계 수지를 5 내지 80질량부의 비율로 함유하는 것이 추장된다. 멜라민계 수지가 5질량부 미만인 경우, 소망하는 내식성이 얻어지지 않고, 한편 멜라민계 수지가 80질량부를 초과하면, 이소시아네이트계 수지의 첨가에 의한 효과가 양호하게 발휘되지 않아, 소망하는 가공성 향상 작용을 얻을 수 없다. 보다 바람직하게는, 이소시아네이트계 수지 100질량부에 대하여 10질량부 이상 40질량부 이하, 보다 바람직하게는 15질량부 이상 30질량부 이하이다.

본 발명의 수지 도장 금속판은 금속판(상기 하지 처리한 것도 포함함)의 표면에, 상기한 바와 같은 각종 첨가제를 포함하는 수지 피막이 피복된 것이지만, 필요에 따라, 내흠집성이나 내지문성 등의 부여를 목적으로 하여, 도전성 피막의 표면에 별도의 수지 피막을 더 적층한 3층의 피막 구조로 하여도 좋다.

다음에, 본 발명의 수지 도장 금속판을 제조하는 방법을 설명한다.

본 발명의 수지 도장 금속판은 베이스 수지 및 가교제 외에, 필요에 따라 여러 가지의 첨가제를 포함하는 도료를, 공지의 도장 방법으로 금속판의 표면에 도포하고, 베이킹(소부)을 행함으로써 소정의 스페이서층 및 도전성 수지 피막을 순차 형성함으로써 얻어진다. 즉, 스페이서층을 형성하기 위한 도장을 행하여 베이킹한 후, 그 도장 위에 도전성 수지 피막을 형성하기 위한 도장을 행하여 베이킹함으로써, 스페이서층 위에 도전성 수지 피막이 형성된 구성으로 한다.

도료의 고형분 농도는 사용하는 도료의 점도나 도장 조건 등에 따라, 도포하기 쉽도록 적절히 조정하면 되지만, 대체로 10 내지 50%의 범위 내인 것이 바람직하다.

베이킹 조건은, 예컨대 도료의 희석에 이용하는 용제의 종류 등에 따라 금속판의 골부(오목부)에의 유입의 정도가 변화하는 것 등을 고려하여, 대체로 1분간 이내에 베이킹을 완료하는 것이 바람직하다.

도장 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 표면을 청정화하여, 필요에 따라 도장 전처리(예컨대, 인산염 처리, 크로메이트 처리 등)를 실시한 장척의 금속대(帶) 표면에, 롤 코터법, 스프레이법, 커튼 플로우 코터법 등을 이용하여 도료를 도공하고, 열풍 건조로를 통과시켜 건조시키는 방법 등을 들 수 있다. 피막 두께의 균일성이나 처리 비용, 도장 효율 등을 종합적으로 감안하여 실용상 바람직한 것은 롤 코터법이다.

본 발명의 수지 도장 금속판이 적용되는 전자 기기 부재로는, 예컨대 닫혀진 공간에 반도체 소자를 내장하는 전자 기기 부재로서, 해당 전자 기기 부재는 그 외벽의 전부 또는 일부가 상기 전자 기기 부재용 도장체로 구성되어 있는 전자 기기 부재도 포함된다. 상기 전자 기기 부재로는, CD, LD, DVD, CD-ROM, CD-RAM, PDP, LCD 등의 정보 기록 제품; 퍼스널 컴퓨터, 카 네비게이션, 카 AV 등의 전기·전자·통신 관련 제품; 프로젝터, 텔레비전, 비디오, 게임기 등의 AV 기기; 카피기, 프린터 등; 에어컨디셔너 실외기 등의 전원 박스 커버, 제어 박스 커버, 자동 판매기, 냉장고 등을 들 수 있다.

[실시예]

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 의해 제한되지 않고, 전·후기의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적절히 변경을 가하여 실시하는 것도 가능하고, 이들은 어떤 것도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

실시예 1

본 실시예에서는, 도전성 입자로서 자성을 갖지 않는 금속 입자를 이용하였을 때의 전자파 흡수성 및 가공성을 조사하였다. 금속판으로서는 전기 아연 도금 강판(판 두께: 0.8㎜; 표리면에 각각 도금 부착량: 20g/㎡의 도금층이 형성되어 있음) 및 합금화 용융 아연 도금 강판(판 두께: 0.8㎜; 표리면에 각각 도금 부착량: 30g/㎡의 도금층이 형성되어 있고, 도금 중의 Fe 함유량은 10.3%)의 2종류를 이용하였다.

도전성 피막 및 스페이서층을 형성하기 위한 도료는 이하와 같이 하여 조제하였다.

(도전성 피막용 도료의 조제)

우선, 베이스 수지로서, 도요 방적(주)제 폴리에스테르 수지 「바이론 GK780」을, 가교제로서 스미또모 화학(주)제 멜라민 수지 「스미멀 M-40ST」를 각각 이용하고, 베이스 수지와 가교제(고형분(80)%)를 중량비 80:20으로 혼합하여 매트릭스 수지로 하고, 도전성 입자로서 아사히 화성(주)제 「알루미페이스트 M-301」(고형분 66%, 입경 19㎛, 두께 0.4㎛)을 표 1 및 표 2에 나타낸 양(수지 피막 중의 함유량)이 되도록 첨가하였다. 이 원료 조성물의 고형분 농도가 15% 또는 30%로 되도록, 크실렌/사이클로헥사논 혼합 용제(크실렌:사이클로헥사논=1:1)로 희석하고, 핸드 호모지나이저로 10000rpm에서 10분 교반하여 원료 조성물을 조제하였다.

(스페이서층용 도료의 조제)

상술한 도전성 피막용 도료의 조제에 있어서, 도전성 입자를 첨가하지 않았던 것 외에는 상기와 마찬가지로 하여 원료 조성물을 조제하였다.

이와 같이 하여 얻어진 각 수지 피막용 원료 조성물을, 표 1 및 표 2에 나타낸 막 두께로 되도록 각종 금속판에 바 코팅으로 도공하고, 열풍 건조로 내에서 도달 판 온도 230℃에서 약 120초간 베이킹하여 수지 도장 금속판을 제작하였다. 수지 피막의 두께는 희석 도료의 고형분 농도 및 바 코팅 도장에 이용하는 바의 순번을 바꿈으로써 2 내지 60㎛의 범위 내로 변화시켰다. 예컨대, 표 2의 No. 2(비교예)에 대해서는, GA(합금화 용융 아연 도금 강판)에, 고형분 30%의 도료(알루미늄 페이스트 M-301은 고형분 중 30중량%)를 No. 18의 바 코터를 이용하여 도포하고, 스페이서용 조성물 또는 도전성 조성물을 도포할 때마다 판의 온도가 230℃에 도달하도록 설정한 열풍 건조로 내에서 120초 가열하여 도료를 경화시켰다. 얻어진 도장막의 두께는 8㎛였다. 또한, 표 2의 No. 3(실시예)에 대해서는, GA(합금화 용융 아연 도금 강판)에, 고형분 33.4%의 폴리에스테르 도료를 No. 12의 바코터를 이용하여 도포하고, 판의 온도가 230℃에 도달하도록 설정한 열풍 건조로 내에서 120초 가열하여 도료를 경화시켰다. 얻어진 피막의 두께는 5㎛였다. 이 피막을 하층 피막(스페이서층)으로 하고, 상기 No. 2와 같은 조건에서 알루미페이스트 M-301을 함유하는 도막(상층 피막)을 부여하였다. 합계의 도장막 두께는 1.3㎛였다.

수지 피막의 평균 두께는 이하에 나타내는 방법으로 구하였다. 우선, 도료 중에 마커로서 산화규소(SiO₂)를 1 내지 10중량%의 중량 비율로 첨가하고, 형광 X선 분석법으로써 Si 부착량을 측정하였다. Si 부착량의 측정에 있어서는, 미리 Si량과 형광 X선 강도의 관계를 나타내는 검량선을 작성하여 두고, 이 검량선에 근거하여 Si 부착량을 측정하였다. 다음에, 상기한 바와 같이 하여 측정한 Si 부착량으로부터 비중 환산을 행하여 수지 피막의 중량을 산출하고, 평균 두께 t(㎛)를 구하였다. 구체적인 환산 방법은 이하와 같다.

수지 피막의 평균 두께 t(㎛)={A/(B×C×D)}×1000

식 중,

A=Si 부착량(mg/㎡)

B=28/60(Si/SiO₂)

C=SiO₂의 중량 비율

D=수지 피막의 비중(g/㎤)

이와 같이 하여 얻어진 수지 도장 금속판에 대하여, 이하와 같이 전자파 흡수성 및 가공성을 평가하였다.

(전자파 흡수성의 평가)

도 2는 수지 도장 금속판의 전자파 흡수성을 평가하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 직방체 형상의 하우징(1) 내에는, 고주파 루프 안테나(5)가 설치되고, 자계 결합되도록 구성되어 있다. 고주파 루프 안테나(5)는 커넥터(도시하지 않음)를 통해 동축 케이블(6)의 한 끝에 접속되고, 동축 케이블(6)의 다른 끝은 네트워크 애널라이저(7)에 접속되어 있다. 네트워크 애널라이 저(7)에서는 주파수를 소인(掃引)하면서 전자파를 발생하고, 동축 케이블(6), 고주파 루프 안테나(5)를 경유하여 하우징(1) 내에 입력(고주파 입력파: 화살표 B)하도록 되어 있다. 하우징(1)의 공진 주파수에서는, 입력된 전자파가 축적되기 때문에, 반사량이 적어지는 특성이 관찰된다(도 3 참조). 그리고, 화살표 C로 표시되는 고주파 반사파는 관찰값으로서 네트워크 애널라이저(7)에 입력(고주파 반사파: 화살표 C)된다.

이 때, 하우징(1)에 있어서의 하기 수학식 1로 구해지는 Q값을 계측하면, 하우징(1) 내에 축적되는 에너지의 크기를 알 수 있다. 또한, 하기 수학식 1로부터 구해지는 Q값은 어드미턴스 궤도를 만족하는 조건으로부터, 구하는 주파수차 Δf와 공진 주파수 fr로부터 계산되는 것이다(예컨대, 나카시마 마사미츠 저, 「모리키타 전기 공학 시리즈 3 마이크로파 공학 -기초와 원리-」 모리키타 출판 주식회사 발행, 제159 내지 163페이지).

Q값=fr/Δf

상기 수학식 1로부터 구해지는 Q값이 작아질수록, 하우징(1) 내에 축적되는 에너지가 감소하는 것을 의미한다. 따라서, Q값이 작아질수록, 하우징(1)으로부터 내부에 반사되는 전자계 레벨도 감소하게 된다.

이 때의 모양을 모식적으로 도 4에 나타내는데, 이 도면은 Ez=0, TE₀₁₁이라는 가장 낮은 주파수의 공진 모드에서의 전자계 분포를 도시한 것이고, 도면 중 E는 고주파 자계, F는 고주파 전계를 각각 나타내고 있다. 상기 Ez는 z 방향의 전계 강도를 의미하고, TE₀₁₁은 공진 모드의 전자계 분포의 자태를 나타내고 있다. 이 TE는 z 방향으로 파가 진행하는 것으로 하여, 그 가로 방향으로 전계가 존재하는 것을 의미하고 있다. 첨자 「011」은 x, y, z 방향에 대하여, y 및 z 방향으로는 전계의 강도 분포가 하나 있고, x 방향으로는 전계의 강도 분포가 변화하지 않는 것을 나타내고 있다(예컨대, 상기 문헌 제141 내지 144페이지 참조).

또한, 도 4에 나타낸 전자계 분포는 이하의 식으로 나타낼 수 있다.

여기서, k_y=π/b, k_z=π/c, k_c=k_y이다. b, c는 도 4의 직방체(하우징(1))의 y, z 방향의 길이, j는 허수, ω는 각 주파수, μ는 공기의 투자율을 각각 나타낸다.

본 발명자들은 샘플 동판의 내면에 차지하는 비율을 100% 가까이까지(즉, 하우징 내면의 전체 면까지) 높일 수 있는 하우징을 제작하였다. 도 5는 이 하우징을 구성하는 SUS제 프레임을 나타내는 설명도로, 도 5(a)는 평면도, 도 5(b)는 정면도, 도 5(c)는 좌측면도를 각각 나타내고 있다. 또한, 이 프레임은 상하좌우가 대칭으로 되도록 구성되어 있고, 따라서 저면도는 평면도[도 5(a)]와, 배면도는 정면도[도 5(b)]와, 우측면도는 좌측면도[도 5(c)]와 각각 동일하게 나타나는 것이다.

도 5에 나타낸 프레임에, 도 6, 도 7에 나타내는 SUS판을 부착(부착 나사)하여 하우징(240×180×90m)으로 하였다. 또한, 도 6(a)는 프레임의 정면·배면 부분에 배치되는 SUS 강판(2매), 도 6(b)는 프레임의 좌우측면 부분에 배치되는 SUS판(2매), 도 7(a)는 상면 부분에 배치되는 SUS판, 도 7(b)는 저면 부분에 배치되는 SUS판을 각각 나타내고 있다. 샘플 강판은 도 6(a), 도 6(b), 도 7(a)의 내측의 선에 합치하는 형상의 것을 부착하였다.

상기한 바와 같은 구성에 의해, 하우징을 제작하면 그 내면을 100%에 가까운 비율까지 샘플 강판으로 채울 수 있다. 또한, 부착 나사는 그 피치를 20 내지 40㎜로 하고, 접촉 저항을 감소시키고 있으므로, 다수개의 나사 멈춤 부재가 필요하다. 나사 멈춤 부재는 토크를 관리함으로써, Q값 측정의 재현성을 높일 수 있다. 이러한 하우징을 이용하여 Q값을 측정하고(도 2), 하기의 식에 의해 전자파 흡수성을 산출하였다.

샘플 동판의 전자파 흡수성(dB)=10×log₁₀([EG]/[A])

단, [EG]: 기판으로 되는 전기 아연 도금 강판의 Q값

[A]: 샘플 강판의 Q값

상기 방법에 의해 산출된 값(dB)이 높을수록 전자파 흡수성이 우수하다고 평가된다. 본 실시예에서는 상기한 바와 같이 하여 산출된 값이, 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)의 경우에는 4.0dB 이상인 것을 전자파 흡수성이 우수(합격)하다고 평가하고, 전기 아연 도금 강판(EG)의 경우에는 0.5dB 이상인 것을 전자파 흡수성 이 우수(합격)하다고 평가하였다.

(가공성의 평가)

JIS K5600-5-1의 내굴곡성 시험에 기재된 타입 2의 시험 장치를 이용하여, 0T 굽힘(180°굽힘)을 행하여, 굽힌 후의 수지 피막(굽힘 후에는 수지 피막이 굽힘부 외측에 있음)의 박리 상태를 육안으로 관찰하고, 하기 기준으로 평가하였다. 본 실시예에서는, ◎ 및 ○를 합격으로 하였다.

◎: 박리는 전혀 없다.

○: 가공부의 일부분에 근소한 미소 크랙이 발생하고 있다.

Δ: 가공부 전체에 미소 크랙이 발생하고 있다.

×: 가공부 전체에 균열이 발생하였다.

*: 표면 외관이 열화되고, 입자의 탈락이 발생하였다.

이들 결과를 표 1 및 표 2에 병기한다. 상기 표 중, 「하층 피막」은 스페이서층을 의미하고, 「상층 피막」은 도전성 피막을 의미하고 있다. 또한, 이들 표에는 종합 평가의 난을 마련하여, 전자파 흡수성 및 가공성의 양쪽이 합격인 것에 ○, 어느 한쪽의 것이 불합격인 것에 ×를 부여하였다. 종합 평가가 ○인 것을 「본 발명예」로 한다.

표 1은 전기 아연 도금 강판(EG)을 이용하였을 때의 결과를 나타내고 있다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명과 같은 적층 구조(No. 3)를 채용하면, 스페이서층(하층 피막)을 갖지 않는 단층 구조(No. 2)에 비해 전자파 흡수성이 향상되었다.

표 2는 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)을 이용하였을 때의 결과를 나타내고 있다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 금속판과 도전성 피막(상층 피막) 사이에, 두께가 적절히 제어된 스페이서층(하층 피막)을 갖는 적층 구조(No. 3 내지 4, 6, 10 내지 13)를 채용하면, 스페이서층을 갖지 않는 단층 구조(No. 2)에 비해 전자파 흡수성이 향상되었다.

이에 대하여, 스페이서층(하층 피막)의 두께가 두꺼운 No. 5 및 도전성 피막(상층 피막)의 두께가 두꺼운 No. 7에서는 모두 가공성이 저하하였다. 또한, 도전성 피막의 두께가 얇은 No. 8 및 도전성 피막에 포함되는 도전성 입자의 함유량이 적은 No. 9에서는 모두 전자파 흡수성이 저하한 외에, No. 8에서는 표면 외관이 열화되고, 입자의 탈락이 발생하였다.

실시예 2

본 실시예에서는, 도전성 입자로서, 퍼멀로이(78% Ni)[미쓰비시 제강(주) 제, 평균 입경 7.8㎛]를 이용하여, 표 3 및 표 4에 나타내는 범위로 되도록 조정한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 수지 도장 금속판을 제작하고, 전자파 흡수성 및 가공성을 평가하였다. 이들 결과를 표 3 및 표 4에 병기한다.

표 3은 전기 아연 도금 강판(EG)을 이용하였을 때의 결과를 나타내고 있다. 표 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명과 같은 적층 구조(No. 2)를 채용하면, 스페이서층(하층 피막)을 갖지 않는 단층 구조(No. 1)에 비해 전자파 흡수성이 향상되었다.

표 4는 합금화 용융 아연 도금 강판(GA)을 이용하였을 때의 결과를 나타내고 있다. 표 4에 나타내는 바와 같이, 금속판과 도전성 피막(상층 피막) 사이에, 두께가 적절히 제어된 스페이서층(하층 피막)을 갖는 적층 구조(No. 2, 4 내지 5, 7, 12 내지 15)를 채용하면, 스페이서층을 갖지 않는 단층 구조(No. 1)에 비해 전자파 흡수성이 향상되었다.

이에 반하여, 스페이서층(하층 피막)의 두께가 얇은 No. 3, 도전성 피막의 두께가 얇은 No. 9 및 도전성 피막에 포함되는 도전성 입자의 함유량이 적은 No. 10, 11에서는 모두 전자파 흡수성이 저하하였다. 또한, No. 9에서는 표면 외관이 열화되고, 입자의 탈락이 발생하였다. 한편, 스페이서층의 두께가 두꺼운 No. 6, 도전성 피막(상층 피막)의 두께가 두꺼운 No. 8, 도전성 피막에 포함되는 도전성 입자의 함유량이 많은 No. 16에서는 모두 가공성이 저하하였다.

도 1은 본 발명의 수지 도장 금속판의 일례를 모식적으로 설명하는 단면도이다.

도 2는 도장 강판에 있어서의 전자파 흡수 성능의 평가 방법을 설명하는 도면이다.

도 3은 입력된 전자파가 하우징의 공진 주파수에서 반사량이 적어지는 상태를 설명하는 도면이다.

도 4는 전자파 흡수성을 측정하였을 때의 상태를 모식적으로 나타낸 설명도이다.

도 5는 전자파 흡수성을 측정하기 위한 하우징을 구성하는 SUS제 프레임을 나타내는 설명도이다.

도 6은 프레임의 좌우측면 부분에 배치되는 SUS판의 형상을 나타내는 설명도이다.

도 7은 프레임의 상면 부분 및 저면 부분에 배치되는 SUS판의 형상을 나타내는 설명도이다.

Claims (3)

1. 금속판의 적어도 한 면에, 도전성 입자를 함유하는 도전성 수지 피막(A)을 구비한 수지 도장 금속판으로서,

   상기 금속판과 상기 도전성 수지 피막(A) 사이에, 상기 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)을 갖고 있고,

   상기 도전성 수지 피막(A)은 10 내지 60%(질량%의 의미, 이하 동일)의 도전성 입자를 함유하며, 또한 두께가 3 내지 50㎛의 범위이고,

   상기 도전성 입자를 함유하지 않는 수지 피막(B)의 두께는 3 내지 50㎛의 범위인, 적층형 수지 도장 금속판.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전성 입자는 자성 분말인 적층형 수지 도장 금속판.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 금속판은 합금화 용융 아연 도금 강판인 적층형 수지 도장 금속판.

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