KR20080082479A - 감쇠 전반사 프로브 및 이를 구비한 분광계 - Google Patents

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Abstract

감쇠 전반사 프로브는 프리즘과 지지체를 구비한다. 프리즘은 원자외선 영역의 광을 투과시키는 광학 물질로 구성되며, 샘플과 접촉하는 접촉면과, 샘플과 접촉하지 않는 입사면 및 출사면을 갖고 있다. 지지체는 개구를 갖고 있으며, 개구 부근에서 프리즘과 기밀하게 연결되어 있어, 결국에는 개구에 접하는 접촉면을 노출시킨다. 프리즘의 접촉면, 입사면 및 출사면은, 입사면을 투과하는 광이 임계각보다 큰 입사각으로 접촉면에 입사하도록, 또한, 접촉면에 의해 전반사되는 광이 출사면을 관통하도록, 형성되어 있다.

Description

감쇠 전반사 프로브 및 이를 구비한 분광계{ATTENUATED TOTAL REFLECTION PROBE AND SPECTROMETER THEREWITH}
본 발명은 원자외선 영역(far ultraviolet region)의 스펙트럼 분석에 관한 것이다.
최근, 수질을 변경하지 않고, 수용액 내의 물의 순도 또는 특성에 있어서의 극소 변화를 측정하는 것이 점점 요구되고 있다. 예를 들어, 반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서, 이론상의 한계치 부근의 레벨에서 물의 전기 저항에 대응하여 고순도를 가진 수용액이 필요하다. 특히, 오존 또는 수소 등의 미세한 기체를 용해함으로써 특별한 효과가 기대되는 순수(純水)가 최근에 또한 사용되고 있다.
물 또는 물 내의 용액 성분의 수질과 정량 분석에 있어서, 스펙트럼 분석은 매우 강력한 기구로서 여러 방식으로 사용되고 있다. 스펙트럼 분석 기술은, 측정 될 파장 영역을 기준으로, 주로 자외선 및 가시광선 분광법, 근적외선 분광법 및 적외선 분광법으로 분류된다.
특히, 근적외선 분광법에서, 물의 특성인 수소 결합으로 인한 흡광 스펙트럼 이 800 ~ 1,400㎚ 영역에서 두드러지게 관측된다. 예를 들어, 일본 특허 공개 공보 H03-175341/1991에는 분광법을 이용하여 용질 성분을 측정하는 방법이 제안되어 있다. 물 내의 물 분자 사이에는 수소 결합이 형성되고, 수소 결합의 상태는 용존 용질(dissolved solutes)로 인해 매우 민감하게 물로 변경된다. 용존 성분은, 스펙트럼의 변화를 연구함으로써, 정량적으로 분석될 수 있다. 구체적으로, 무기 전해질이 수용액 내의 이온으로서 분해될 때, 물 분자 자신의 결합 상태, 또는 수화 이온 부근의 물 분자와 벌크 워터 내의 물 분자간의 수소 결합은 수소 결합의 분리 또는 왜곡으로 인한 영향을 받는다. 따라서, 수용액의 근적외선 스펙트럼은 순수(純水)의 근적외선 스펙트럼과 달라진다. 이온 종의 농도는, 사전 결정된 캘리브레이션 곡선을 이용하여, 이온 종의 흡광 스펙트럼이 아닌 물의 흡광 스펙트럼으로부터 정량적으로 측정될 수 있다.
수용액 내의 수화 물질(hydrated substance)의 농도를 결정하기 위해서 원자외선 스펙트럼을 측정하는 방법이 최근 제안되고 있다(일본 특허 공개 공보 2005-214863 및 Applied Spectroscopy Vol. 58, No. 8 (2004) 910-916). 이것은, 상술한 근적외선 스펙트럼과 마찬가지로, 물의 원자외선 스펙트럼이 물의 수소 결합 상태와 밀접한 관계가 있다는 사실을 근거로 하고 있다. 물의 흡광 스펙트럼은 n→σ* 변이로 인해 150㎚ 부근에서 파장 피크를 갖고 있으며, 이 피크는 물 분자 자체와 수화 이온에 의해 발생되는 전계의 영향으로 파장이 점점 길어지는 쪽으로 시프트하게 된다. 그러므로, 흡광 스펙트럼의 일부가 종래의 분광 장치(진공 시스템 또는 질소 가스 퍼지를 필요로 하지 않는 분광 장치)를 이용하여 측정될 수 있는 파장 영역으로 시프트된다. 원자외선 스펙트럼을 측정하여, 수용액을 질적으로 분석할 수 있으며, 또한 극소 농도의 용질을 정량적으로 측정할 수 있다. 물의 원자외선 스펙트럼을 이용한 이러한 분석은 근자외선 스펙트럼을 이용하는 것보다 질적 및 정량적으로 매우 민감하다. 그러나, 물 자체의 흡광도가 원자외선 영역에서 매우 크기 때문에, 스펙트럼은 투과 스펙트럼의 하한치에 대응하는 180㎚보다 긴 파장 영역에서만 측정될 수 있다.
매우 큰 흡광도를 가진 물질의 흡광 스펙트럼을 측정하기 위한 감쇠 전반사(ATR; attenuated total reflection) 분광 분석법이 본 발명에 사용되기 때문에, 이하에서는 이 분광 분석법에 대해 설명한다. 감쇠 전반사 분광 분석법을 이용하여, 광이 전반사되는 광학 프로브의 표면으로부터 뻗어 나오는 파장 정도로 샘플로의 광 침투력(소실파)으로 인한 샘플 내의 흡광도를 측정할 수 있다. 획득한 흡광 스펙트럼은 파장 정도의 셀 길이로 측정된 스펙트럼과 이론적으로 유사하다. 일본 특허 공개 공보 S62-75230/1987에는 ATR 프로브를 이용하여 진한 용액을 측정하는 것이 제안되어 있다. 합성 수정 또는 사파이어는 광학 프로브를 제조하는 물질로서 사용된다. 예를 들어, 일본 특허 공개 공보 H07-12716/1995에는, 감쇠 전반사 분광 분석법 자체의 감도를 향상시키는 것이 제안되어 있다.
근적외선 영역에서의 물의 흡광 스펙트럼에서 관측된 흡광도는, 고유의 금지 전이로 인해 발생하기 때문에, 약하고, 그 결과, 수용액 내의 용질의 극소 농도를 측정할 수 없다. 따라서, 근적외선 영역에서는 정밀하게 측정될 수 없는 용질의 극소 농도를 측정할 필요가 있다. 한편, 물은 150㎚ 파장 부근에서 큰 흡광 피크 를 가지고 있다. 원자외선 영역에서의 흡광 스펙트럼의 변화를 검출함으로써, 수용액 내의 용질을 근적외선 스펙트럼에서보다 매우 높은 감도로 질적 및 정량적으로 측정할 수 있다. 그러나, 물의 원자외선의 흡광도는 원자외선 영역에서의 물 또는 수용액의 스펙트럼 측정에 있어서 큰 장애가 된다. 물 이외의 물질이 원자외선 영역에서 강한 흡광도를 가지고 있다면, 또한 그 흡광도는 스펙트럼 측정에 있어서 큰 장애가 된다. 투과도는 원자외선 영역에서 충분히 크지 않거나, 광학 프로브는 샘플 물질과 접촉하는 표면에서 전반사를 발생할 수 없기 때문에, 적외선 및 가시광선 영역에 적용되는 상기 종래의 감쇠 전반사 기술은 원자외선 영역에 적용될 수 없다는 것을 알아야 한다.
본 발명의 목적은 180㎚의 파장 또는 그보다 짧은 원자외선 영역에서 스펙트럼을 용이하게 측정하는 것이다.
본 실시예의 감쇠 전반사 프로브는 프리즘 및 지지체를 가지고 있다. 원자외선 영역의 광을 투과시키는 광학 물질로 구성된 프리즘은 샘플과 접촉되는 접촉면과, 샘플과 접촉되지 않는 입사면 및 출사면을 가지고 있다. 지지체는 개구를 구비하고 그 개구 주변에서 프리즘과 기밀하게 연결되어 있다. 따라서, 결국에 지지체는 개구에 접하는 접촉면을 샘플에 노출시킨다. 프리즘의 접촉면, 입사면 및 출사면은 입사면을 투과하는 광이 임계각보다 큰 입사각으로 접촉면에 입사하도록, 또한, 접촉면에 의해 전반사되는 광이 출사면을 관통하도록, 형성되어 있다.
본 실시예의 분광계는 감쇠 전반사 프로브를 구비하고 있다. 광원은 감쇠 전반사 프로브를 향해 자외선광을 방사하고, 광검출기는 감쇠 전반사 프로브로부터 수광된 광을 검출한다. 자외선광을 산란하는 광학 구성 요소는 광원으로부터 광검출기까지의 광로에 마련된다.
본 발명의 이점은 큰 흡광도를 가진 물질에 대해 원자외선 영역에서 분광 분 석법을 수행한다는 것이다.
본 발명의 이들 목적 및 다른 목적 및 특징은 첨부 도면을 참조하여 바람직한 실시예와 연관된 이하의 설명으로부터 자명해 질 것이다.
본 발명의 실시예는 도면을 참조하여 이하에 설명되며, 도면에서, 동일 참조 부호는 몇몇 도면에 걸쳐 유사 또는 대응 부분을 지칭한다.
근적외선 영역에서의 물의 흡광 스펙트럼은 본래의 금지 전이로 인해 약한 흡광도를 가지고 있기 때문에, 근적외선 분광 분석법으로 용질의 극소 농도를 측정할 수 없다. 따라서, 본 발명자는 원자외선 스펙트럼을 연구하여 순수가 원자외선 영역인 파장이 150㎚ 부근에서 매우 높은 흡광 피크를 가지고 있으며, 또한, 수용액에 수화된 용질의 극소 농도는, 원자외선 스펙트럼에서 고 흡광 피크의 기울기의 변화를 측정함으로써, 판정될 수 있다는 것을 알았다. 환언하면, 스펙트럼은 원자외선 영역에서 150㎚ 부근의 흡광 피크에서 200㎚ 부근의 흡광 보텀(bottom)으로 급격히 감소하고, 피크 위치와 흡광 대역의 대역폭은 극소량의 용질의 수화에도 영향을 받는다. 따라서, 흡광 피크의 기울기를 이용하여 흡광 피크의 아주 작은 파장의 변화라도 매우 높은 감도로 검출될 수 있으며, 이는 수용액 내의 용질의 극소 농도를 측정하는데 사용될 수 있다. 이는 일본 특허 공개 공보 2005-214863에 개시되어 있다. 극소량의 용질은 물의 흡광 피크의 기울기에서의 복수 파장에서 측정된 흡광도의 다변수 분석에 의해 결정된 캘리브레이션 곡선으로 측정될 수 있다. 예를 들어, 일본 특허 공개 공보 2005-214863에서, 도 1은 0과 20 ppm(parts per million) 사이의 11개의 농도(즉, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 16, 20 ppm)의 염화 수소(HCI) 용액의 원자외선 스펙트럼을 도시하며, 도 2는 HCI의 농도를 예측하기 위한 캘리브레이션 모델의 상관 관계를 도시한다. 상관 계수 R는 0.9987이며, 표준 편차는 0.18ppm이다. 극소량의 HCI는 적어도 100ppm까지 고정밀도로 측정될 수 있다. 수용액내의 HCI의 검출 한계치는 측정값의 일예로서 0.5ppm이다.
물과 수용액에 대한 상술한 측정값의 예에서, 측정할 파장은 물의 흡광 대역의 기울기에서 190 내지 210㎚로 제한된다. 이는 180㎚보다 짧은 파장 영역에서 투과 스펙트럼을 측정하는데 어려움이 있기 때문이다. 예를 들어, 150㎚ 부근에서 피크를 가진 흡광 대역에서의 흡광도는 매우 크기 때문에, 셀 내의 샘플을 투광하는 셀 길이는 몇백㎚ 정도로 감소되어야 한다. 또한, 측정 환경에서 자외선광을 흡광하는 산소를 제거할 필요가 있다. 한편으로, 수용액 내의 용질을 보다 높은 감도로 분석하기 위해서, 160 내지 180㎚의 파장 영역에서 흡광 피크의 기울기를 측정할 필요가 있으며, 여기서, 흡광 스펙트럼의 변화는 흡광도가 큼에도 불구하고 크게 보일 수 있다.
원자외선 영역에서의 흡광 피크(150㎚) 부근에서 물 또는 수용액의 스펙트럼을 측정하기 위해서, 셀 길이는 대략 100㎚만큼 짧아야 한다. 따라서, 본 발명자는 매우 큰 흡광도를 가진 물질의 흡광 스펙트럼에 대해서 분광 분석법으로 알려진 감쇠 전반사(ATR)에 주목하였다. 원자외선 스펙트럼으로 수용액 내의 용질 농도를 측정하는 일본 특허 공개 공보 2005-214863에 개시된 방법에서, 용질 농도는 물의 스펙트럼을 기준으로 하지 않고 용질의 흡광 대역을 기준으로 측정된다. 한편, 감쇠 전반사 분광 분석법에 있어서의 광학 프로브(이하 ATR 프로브라 함) 및 이하에 설명되는 분광계를 이용함으로써, 일본 특허 공개 공보 2005-214863의 상술한 분석 방법은 180 내지 160㎚의 파장 영역으로 확대하여 보다 정밀한 감도로 측정할 수 있다.
감쇠 전반사 분광 분석법이 이하에 설명된다. 도 1은 합성 수정(합성 실리카) 등의 높은 굴절율을 가진 물질로 이루어진 프리즘의 상부측과, 예를 들어, 물 과 같은 피측정 샘플 등의 낮은 굴절율을 가진 물질 사이의 계면을 나타내고 있다. 프리즘의 측면으로부터 계면 상에 광이 입사할 때, 입사각 θ이 임계각보다 크면 전반사된다. 광이 전반사로 전반사됨에도 불구하고, 광은 파장 정도만큼 낮은 굴절율의 물질을 관통한다. 계면을 따라 전파한 후에 반사된다. 낮은 굴절율의 물질을 관통하는 광은 소실파(evanescent wave)로 불린다. 소실파의 전계는 반사 지점에서 최대이며, 계면을 따라 그리고 계면에 수직인 방향에서 급격히 감쇠한다. 도 1에서, 소실파의 전계 변화가 계면에 수직인 방향으로 개략적으로 도시되어 있다. 소실파의 전계가 1/e의 비율로 감쇠하는 거리는 관통 깊이로 불린다. 감쇠 전반사를 이용함으로써, 소실파의 흡광도(전반사 상에서의 파장 정도의 광의 관통도)는 흡광 스펙트럼으로서 측정될 수 있다. 광의 관통 깊이는 종래의 투과 스펙트럼 측정에서 광로 길이에 대응하기 때문에, 파장 정도의 셀 길이를 가진 투과 스펙트럼과 유사한 흡광 스펙트럼이 이론적으로 획득될 수 있다. 따라서, 물의 흡광 스펙트럼을 측정하기 위한 정도의 셀 길이는 몇백㎚ 이하이다는 조건을 만족해야 하며, 160 내지 180㎚ 사이의 파장 영역에서의 측정이 수용액 내의 극소량의 용질에 대한 분석에 있어서 중요하다는 필요 조건을 만족해야 한다. 따라서, 160 내지 180㎚ 사이의 파장 영역에서 ATR 프로브로 반사/흡광 스펙트럼을 측정하는 것이 본 명세서에 제안된다.
감쇠 전반사 측정을 위해 사용되는 광학 프로브(ATR 프로브)는 측정될 파장 영역에서 이하의 2가지 조건을 충족시켜야 한다.
(A) 전반사 조건 : 광학 프로브의 물질의 굴절율은 샘플의 굴절율보다 크다
(B) 투과 조건 : 광학 프로브의 물질은 투명하다.
불행하게도, 물의 굴절율은 원자외선 영역에서의 파장의 감소에 따라 눈에 띄게 증가하며(도 4를 참조), 현재 이용되는 물질은 ATR 프로브에 있어서의 2가지 조건을 충족하지 못한다. 예를 들어, 물보다 높은 굴절율을 가진 수정 또는 사파이어 등의 물질은 160㎚ 부근에서 충분한 투과도를 갖고 있지 않으며, 파장 영역에서 원자외선광을 투과하는 염화 마그네슘 또는 염화 칼슘 등의 물질은 물보다 낮은 굴절율을 가지고 있거나, 전반사 조건을 만족하지 않는다. 따라서, 종래의 광학 프로브는 200㎚ 보다 긴 또는 기껏해야 190㎚의 파장 영역에 대해서만 이용가능하다. 환언하면, 150㎚ 부근의 피크 파장 아래에서 사용될 수 있는 광학 프로브는 아직까지 보고되지 않았다.
본 발명자는 단층 구조의 ATR 프로브를 제안한다. 그러나, 단층 프로브를 설명하기 전에, 다층 ATR 프로브가 설명된다. 본 발명자는 전반사 및 투과에 대한 상술한 2가지 조건에서의 다층 ATR 프로브를 연구하였다. 다층 ATR에서, 광은 투 과 조건을 만족하는 제 1 광학 물질로부터 전반사 조건을 만족하는 제 2 광학 물질로 전파한다. 그 다음, 제 2 광학 물질과 샘플 사이의 계면에 의해 반사된다. 광의 감쇠 전반사의 측정과 관련하여, 원자외선 영역에서 물보다 높은 굴절율을 가진 수정 또는 사파이어 등의 제 2 광학 물질은 160㎚ 부근에서 충분한 투과율을 가지고 있지 않지만, 광학 물질에서의 광로 길이가 짧아지면, 투과 광이 남게 되어, 반사/투과 스펙트럼을 측정할 수 있다. 예를 들어, 원자외선 영역에서 높은 투과도를 가진 합성 수정 또는 사파이어의 원자외선 영역에서의 내부 투과도(반사 손실을 고려하지 않은 물질 자체의 투과도)는 1㎜의 길이에 대해 160㎚ 부근에서 50% 이상이다. 버티컬형의 3층 구조에서, 제 2 부분, 즉 중앙 부분은 높은 굴절율과 낮은 투과도를 가진 물질로 구성되고, 제 2 부분의 양쪽의 제 1 부분들은 낮은 굴절율과 높은 투과도를 가진 물질로 구성되어 있다. 제 2 부분에서의 광학 길이는 1㎜ 이하의 값을 가지도록 감소될 수 있다는 것을 알았다. 제 2 부분의 물질이 원자외선 영역에서 투과도가 높은 수정 또는 사파이어인 경우에, 광학 길이는 1㎜보다 길지만 5㎜만큼 충분히 짧거나 5㎜보다 짧으며, 내부 투과도는 160㎚ 부근에서 10% 이상으로 된다. 따라서, 다층 ATR 프로브는 하나의 ATR 프로브용으로 사용된다. 이러한 다층 ATR 프로브를 실현할 수 있다는 것을 알았지만, 본 발명자는 이하에 설명하는 바와 같이, 상이한 유형의 ATR 프로브 또는 단층 구조를 제안한다.
도 2 및 도 3은 이러한 개념을 토대로 한 실시예에 따른 광학 프로브를 도시한다. 광학 프로브는 샘플 물질에 접근하기 위한 개구(12)를 가진 직사각형의 지지 플레이트(10)와, 고굴절율의 물질로 구성된 직사각형 플레이트(14)를 구비하고 있다. 지지 플레이트(10)는 개구(12)를 밀봉하면서 직사각형 플레이트(14)에 고정된다. 개구(12)의 형상은 원형으로 제한되지 않고, 예를 들어, 직사각형일 수 있다. 고굴절율의 플레이트(14)는 지지 플레이트(10)의 전체 개구(12)를 커버한다. 고굴절율의 플레이트(14)와 지지 플레이트(10) 사이의 접촉 영역은 광학 접촉 또는 열 용해로 접착된다. 접착제는, 불순물이 물 등의 샘플 내에서 이동하거나 접착층 내에 샘플로 채워진 공간이 형성될 수 있으므로, 선호되지는 않는다. 지지 플레이트(10)는 물 등의 샘플 물질과 접촉하도록 측면 상에서 고굴절율의 플레이트(14)를 지지하도록 배열되어 있다. 고굴절율의 플레이트(14)는 개구(12)에 있어서의 평탄 접촉면(16) 상에서 샘플 물질과 접촉한다. 고굴절율의 플레이트(14)는 접촉면(16) 외에도, 서로 대향하는 입사면(18)과 출사면(20)을 가지고 있다. 2개의 면(18, 20)은 샘플 물질과 접촉하지 않는다. 2개의 면(18, 20)은 평탄하고, 접촉면(16)에 대한 각도는 전반사를 위해 임계각보다 크게 설정된다. 고굴절율의 플레이트(14)의 높이 또는 두께는 입사각 및 개구(12) 또는 접촉면(16)의 위치 및 크기에 따라 결정된다. 도 3에서, 평행선은 입사광 및 출사광을 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 입사면(18)에 수직으로 입사하는 자외선광은 접촉면(16)에서 전반사되어, 출사면(20)에 수직으로 입사되어 투과된다. 고굴절율의 플레이트(14)는 입사면(18), 출사면(20) 및 접촉면(16)에 대한 상술한 기하학적 조건을 제외한 임의의 형상을 가질 수 있거나, 반드시 플레이트 형상일 필요는 없다. 따라서, 일반적으로, 평탄면을 가진 투명 광학 구성 요소로서 프리즘이라 지칭할 수 있다. 지지 플레이트(10)는 반드시 플레이트일 필요는 없으며, 일반적으로 프리즘에 개구 및 밀 봉재를 제공하는 지지체로 지칭될 수 있다.
고굴절율의 플레이트(14)의 광학 물질은 대략 160㎚ 아래에서 원자외선 영역에서의 물 등의 샘플의 굴절율보다 높은 굴절율을 갖고 있다(전반사 조건). 광학 물질은, 예를 들어, 합성 수정(SiO2), 수정 또는 사파이어이다. (도 4는 사파이어, 합성 수정(SiO2) 또는 수정, 물 및 염화 마그네슘 등의 다양한 물질의 굴절율에 따른 파장을 나타내고 있으며, 여기서 실선은 근사치 함수를 나타낸다.) 한편, 광학 프로브에서, 지지 플레이트(10)는 고굴절율의 플레이트(14)에 상대적으로 샘플의 측면에 배열되어 있기 때문에 광을 투과하지 않는다. 따라서, 지지 플레이트(10)는 원자외선 영역에서 투과 특성을 가질 필요는 없다. 고굴절율의 플레이트(14)와의 양호한 접착만이 필요하다. 지지 플레이트(10)용으로 가장 바람직한 물질은 고굴절율의 플레이트(14)의 물질과 동일하며, 그러나, 이러한 물질로 한정되지 않는다.
하나의 예로, 지지 플레이트(10)의 두께와 고굴절율의 플레이트(14)의 두께는 모두 1㎜이다. 지지 플레이트(10)의 개구(12)는 2.0㎜의 직경을 가지고 있다. 고굴절율의 플레이트(14)는 5.0㎜ ×4.0㎜의 크기를 갖는다. 입사면(18) 또는 출사면(20)(즉, 고굴절율의 플레이트(14)의 측면)과 접촉면(16) 사이의 각도는 110도이다. 이러한 예에서, 고굴절율의 플레이트(14)의 광학 물질을 통과하는 광로는 대략 3.8㎜이다.
상술한 광학 프로브에서, 샘플 물질과 접촉하는 고굴절율의 플레이트(14)의 광학 물질이 원자외선 영역에서 높은 투과도를 가진 합성 수정인 경우에, 160㎚ 파장의 원자외선광의 투과도는 샘플과의 계면에서 대략 70%로 되고, 고굴절율의 플레이트(14)를 투과한 후에는 대략 50%로 된다. 고굴절율의 플레이트(14)가 사파이어로 구성되어 있으면, 투과도는, 150㎚의 자외선광이 사파이어를 통과한 후에 대략 20%로 된다. 상술한 프로브에서, 광학 물질의 광로 길이가 5㎜ 이하로 충분히 짧다면, 내부 투과도는 160㎚ 부근에서 대략 10% 이상이다. 따라서, 프로브는 ATR 프로브로서 사용될 수 있다.
일반적으로, 전반사 조건을 만족하는 고굴절율의 플레이트(14)에서, 입사면(18)으로부터 접촉면(16)을 지나 출사면(20)까지의 광로 길이는 160㎚의 파장에 있어서의 투과도가 10% 이상, 바람직하게 20% 이상, 보다 바람직하게 50% 이상으로 되도록 설정된다. 160㎚ 부근에서의 물과의 계면에서의 반사도는, 플레이트(14)의 굴절율과 입사광의 입사각에 따라서 대략 10%이다는 것을 알아야 한다. 일반적인 분광계는, 남은 광의 강도가 입사광의 강도의 100분의 1보다 작게 될 때의 장치의 안정도를 고려하여 충분한 측정의 해상도를 갖고 있지 않다. 따라서, 광학 물질을 투과하는 광의 내부 투과도는 상술한 바와 같이, 10% 이상으로 필요하다.
ATR 프로브로 획득된 측정 데이터의 예가 이하에 설명된다. 도 5는 사파이어로 구성된 고굴절율의 플레이트(14)를 가진 광학 프로브로 측정된 용질(요오드화 나트륨 NaI)의 상이한 농도의 수용액의 흡광도에 따른 파장을 나타내고 있다. 입사각은 60°이다. NaI로 인한 흡광 피크는 165㎚ 부근에서 관측된다. 용질 농도의 증가로, NaI로 인한 흡광 피크는 증가하고, 물의 흡광 피크는 180㎚ 아래의 파 장 영역에서 보다 긴 파장으로 시프트한다. 시프트의 정량적 분석으로, NaI로 인한 흡광 피크를 정량적으로 분석하는 것보다 더 민감하게 용질 농도를 분석할 수 있다.
도 6은 상술한 광학 프로브 또는 ATR 프로브를 이용하여 160 내지 210㎚ 사이의 파장 영역에서의 측정을 위한 원자외선 분광계를 도시한다. 분광계는 수용액 내의 극소 용질의 농도를 측정하는데 사용될 수 있다. ATR 프로브(102)는 샘플 경로(100)에서 샘플 물질(18)과 접촉하도록 마련되어 있다. 대안으로, 샘플 물질은 셀 내에 도입되고, 광학 프로브는 셀 내의 샘플 물질과 접하도록 설정된다. 대안으로, 셀을 이용하지 않고, 샘플 물질이 도입되는 파이프의 벽이 프로브로서 사용된다. 중양자(deuteron) 램프 등의 자외선 광원(104)은 광을 방사하며, 광은 모노크로메이터(monochromator) 등의 회절 미러(106)를 통과하고, 미러(108)에 의해 반사되어 광학 프로브(102)에 입사한다. 회절 미러(106) 이외의 광학 구성 요소는 광원으로부터 광검출기까지의 광로에서 자외선광을 산란시키는데 사용될 수 있다. 광학 프로브(102)로의 광의 입사각은 적절히 설정된다. 광학 프로브(101)로부터 반사된 광은 미러(110)에 의해 반사되어 자외선 센서(112)에 입사한다. 상술한 광학계에서, 질소 가스가 도입되어 분광계 내의 광학계로부터 산소 가스를 퍼지한다. 대안으로, 아르곤 가스는 산소를 퍼지하는데 사용될 수 있다. 따라서, 광로 내의 산소 가스는 자외선광을 흡광하지 않는 가스로 대체될 수 있다. 대안으로, 광학계는 진공으로 배출될 수 있다. 자외선 센서(112)로 검출된 스펙트럼은 측정된 데이터로부터 흡광도를 계산하는 데이터 프로세서(114)에 의해 처리된다. 캘리브레이 션 곡선은 복수의 파장에서의 흡광도에 대한 공지의 다변수 분석으로 결정된다. 160㎚에서의 물의 스펙트럼을 측정하기 위해서, 종래의 분광계에서는 대략 100㎚의 셀 길이가 필요하다. 본 실시예에서, ATR 프로브를 이용함으로써 매우 짧은 셀 길이가 실질적으로 실현되고, 물의 흡광 피크를 측정할 수 있다. 더욱이, 측정은 실시간으로 실행될 수 있다. 자외선광이 매우 짧은 거리만큼만 샘플을 관통하기 때문에, 실질적으로 전체 샘플이 자외선광에 노출되는 것은 아니다.
당업자라면 알 수 있는 바와 같이, 상술한 광학 프로브는 물 이외에도, 원자외선 영역에서 큰 흡광도를 가진 액체, 기체 또는 고체 샘플을 측정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 이소프로필 알코올 등의 액체 또는 산소 등의 기체를 측정할 수 있다. 도 7은 사파이어로 구성된 고굴절율의 플레이트(14)로 측정된 원자외선 영역에서의 메탄올, 에탄올 및 이소프로필 알코올의 스펙트럼의 예를 나타낸다.
상술한 바와 같이, 원자외선 영역에서의 분광 분석법은 큰 흡광도를 가진 물질에 대해서 실행될 수 있다. 따라서, 수용액 등의 극소량의 용질은 고감도로 용이하게 검출될 수 있거나, 정량적으로 측정될 수 있다.
본 발명이 첨부 도면을 기준으로 바람직한 실시예와 연관하여 충분히 설명되었음에도 불구하고, 당업자라면 다양한 변경 및 수정이 가능하다는 것을 알아야 한다. 이러한 변경 및 수정은 이하의 청구범위를 벗어나지 않는 한 청구범위에 의해 규정된 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 간주되어야 한다.
도 1은 일반적인 감쇠 전반사 프로브의 구조를 도시하는 개략도,
도 2는 광학 프로브의 평면도, 정면도 및 측면도,
도 3은 광학 프로브에 입사하는 광의 경로를 도시하는 도면,
도 4는 원자외선 영역에서의 여러 광학 물질의 굴절율에 따른 파장의 그래프,
도 5는 사파이어로 이루어진 광학 프로브로 측정한, 용질 농도에 대비한 흡광도의 실험치 데이터의 그래프,
도 6은 원자외선 분광 분석법으로 극소량의 용질을 측정하기 위한 장치의 블럭도,
도 7은 물 이외의 물질의 원자외선 스펙트럼의 그래프.

Claims (6)

  1. 원자외선 영역(far ultraviolet region)의 광을 투과시키는 광학 물질로 구성되어 있으며, 샘플과 접촉하는 접촉면과, 상기 샘플과 접촉하지 않는 입사면 및 출사면을 포함하는 프리즘과,
    개구를 구비하며, 상기 개구 부근에서 상기 프리즘과 기밀하게 연결되어 있으며, 결국 상기 개구에 접하는 상기 접촉면을 노출시키는 지지체
    를 포함하되,
    상기 프리즘의 상기 접촉면, 상기 입사면 및 상기 출사면은, 상기 입사면을 투과하는 광이 임계각보다 큰 입사각으로 상기 접촉면에 입사하도록, 또한, 상기 접촉면에 의해 전반사된 광이 상기 출사면을 관통하도록, 형성되어 있는
    감쇠 전반사 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 입사면으로부터 상기 접촉면을 지나 상기 출사면까지의 광로는 상기 입사면에 입사하는 160㎚ 파장의 광에 대해 10% 이상의 내부 투과도를 갖고 있는 감쇠 전반사 프로브.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프리즘의 광학 물질은 합성 수정, 수정 및 사파이어 중 하나인 감쇠 전반사 프로브.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프리즘의 광학 물질은 합성 수정이며, 상기 지지체는 합성 수정으로 구성되어 있는 감쇠 전반사 프로브.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프리즘의 광학 물질은 사파이어이며, 상기 지지체는 사파이어로 구성되어 있는 감쇠 전반사 프로브.
  6. 원자외선 영역의 광을 투과시키는 광학 물질로 구성되어 있으며, 샘플과 접촉하는 접촉면과, 상기 샘플과 접촉하지 않는 입사면 및 출사면을 포함하는 프리즘과,
    개구를 구비하며, 상기 개구 부근에서 상기 프리즘과 기밀하게 연결되어 있 으며, 결국 상기 개구에 접하는 상기 접촉면을 노출시키는 지지체를 포함하되,
    상기 프리즘의 상기 접촉면, 상기 입사면 및 상기 출사면은, 상기 입사면을 투과하는 광이 임계각보다 큰 입사각으로 상기 접촉면에 입사하도록, 또한, 상기 접촉면에 의해 전반사된 광이 상기 출사면을 관통하도록, 형성되어 있는 감쇠 전반사 프로브와,
    상기 감쇠 전반사 프로브를 향해 자외선광을 방사하는 광원과,
    상기 감쇠 전반사 프로브로부터 수광된 전반사광을 검출하는 광검출기와,
    상기 광원으로부터 상기 광검출기까지의 광로에서 자외선광을 산란시키는 광학 구성 요소
    를 포함하는
    분광계.
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