KR20080055864A - 모놀리식 집적 회로를 구비한 센서 장치의 제조 방법 - Google Patents
모놀리식 집적 회로를 구비한 센서 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 센서 장치(10)를 제조하기 위한 제조 방법으로서,상기 센서 장치는- 모놀리식 집적 회로(30) 및- 미세 기계적인 센서 구조(20)를 포함하고,- 상기 센서 구조(20)는 제1 부분 구조(21)를 포함하며,- 상기 회로(30)는 제2 부분 구조(31)를 포함하며,기판(1) 내에는, 상기 제1 부분 구조(21)를 형성하기 위해 제1 도핑 영역(25)이 형성되며, 제2 부분 구조(31)를 형성하기 위해 제2 도핑 영역(35)이 형성되며,상기 제1 및 제2 도핑 영역은 동일한 도핑 공정으로 형성되고,도핑 공정이 이루어지는 동안 상기 제1 도핑 영역(21, 25)에는 제1 도펀트 농도(26)가 내포되며, 상기 제2 도핑 영역(31, 35)에는 제2 도펀트 농도(36)가 내포되며,상기 제1 도펀트 농도(26)는 상기 제2 도펀트 농도(36)보다 낮은 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 센서 구조(20)는 멤브레인을 포함하며, 멤브레인의 두께는 제1 도핑 영 역에 도핑부를 사전 지정함으로써 설정되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 부분 구조(21)와 상기 제2 부분 구조(31)는 동일한 마스크 평면으로 제조되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 도펀트 농도(26)는 상기 제1 부분 구조(21)의 격자형 구조화로 상기 제1 도핑 영역(25)에 내포되며, 상기 격자형 구조화는 제1 부분 영역들(27)과 제2 부분 영역들(28)이 교호적으로 형성되어 제공되며, 상기 제1 부분 영역들(27)에는 상기 제2 도펀트 농도(36)가 내포되며, 상기 제2 부분 영역들(28)에는 도펀트가 내포되지 않는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 부분 구조는 상기 제1 도핑 영역을 기초로 하여 열적 확산 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 모놀리식 집적 회로(30) 및미세 기계적인 센서 구조(20)를 갖는 센서 장치(10)로서,- 상기 센서 구조(20)에 할당되는 제1 부분 구조(21)는 제1 도핑 영역(25)을 포함하며,- 상기 회로(30)에 할당되는 제2 부분 구조(31)는 제2 도핑 영역(35)을 포함하며,상기 제1 도핑 영역(25)은 제1 도펀트 농도(26)를 가지며, 상기 제2 도핑 영역(35)은 제2 도펀트 농도(36)를 가지며,상기 제1 도펀트 농도(26)는 상기 제2 도펀트 농도(36)보다 낮은 것을 특징으로 하는 센서 장치(10).
- 제6항에 있어서,상기 제1 부분 구조(21) 또는 상기 제1 도핑 영역(25)은 상기 제2 부분 구조(31) 또는 상기 제2 도핑 영역(35)보다 얇은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 센서 장치(10).
- 제7항에 있어서,상기 제1 도핑 영역(25) 내 제1 도펀트 농도(26)는 제1 부분 구조(21) 내 격자형 구조화로 제공되며, 그 격자형 구조화는 높은 도펀트 농도를 갖는 제1 부분 영역들(27)과 낮은 도펀트 농도를 갖는 제2 부분 영역들(28)이 교호적으로 제공됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 장치(10).
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