KR20080052670A - 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을포함하는 반사방지막 형성 조성물 - Google Patents

이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을포함하는 반사방지막 형성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20080052670A
KR20080052670A KR1020087009352A KR20087009352A KR20080052670A KR 20080052670 A KR20080052670 A KR 20080052670A KR 1020087009352 A KR1020087009352 A KR 1020087009352A KR 20087009352 A KR20087009352 A KR 20087009352A KR 20080052670 A KR20080052670 A KR 20080052670A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
benzoic acid
antireflection film
compound
group
forming composition
Prior art date
Application number
KR1020087009352A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101226050B1 (ko
Inventor
타카히로 키시오카
리키마루 사카모토
다이스케 마루야마
Original Assignee
닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 filed Critical 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Publication of KR20080052670A publication Critical patent/KR20080052670A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101226050B1 publication Critical patent/KR101226050B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

[목적] 반사광 방지 효과가 높고, 포토레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않으며, 하부에 큰 쳐짐 형상을 갖지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, ArF 엑시머 레이저 및 F2 엑시머 레이저 등의 조사광을 이용한 리소그래피 프로세스에서 사용할 수 있는 반사 방지막, 및 이 반사 방지막을 형성하기 위한 반사 방지막 형성 조성물을 제공하는 것이다.
[해결수단] 2개 또는 3개의 2,3-에폭시프로필기를 갖는 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응에 의해 얻어지는 반응 생성물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물이다.
반사광, 포토레지스트, 인터믹싱, 리소그라피, 안식향산 화합물, 이소시아눌산 화합물, 반사방지막

Description

이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함하는 반사방지막 형성 조성물{COMPOSITION FOR ANTIREFLECTION FILM FORMATION, COMPRISING PRODUCT OF REACTION BETWEEN ISOCYANURIC ACID COMPOUND AND BENZOIC ACID COMPOUND}
본 발명은 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다. 상세히는 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 있어, 반도체 기판상에 도포된 포토레지스트층으로의 노광 조사광의 반도체 기판으로부터의 반사를 경감시키는 반사 방지막, 및 이 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는 파장 248nm, 193nm 및 157nm 등의 노광 조사광을 이용하여 이루어지는 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에서 사용되는 반사 방지막, 및 이 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다. 또한, 당해 반사 방지막을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 디바이스의 제조에 있어, 포토레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세 가공이 이루어지고 있다. 상기 미세 가공은 실리콘 웨이퍼 상에 포토레지스트 조성물의 박형을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 매개로 자외선 등의 활성 광선을 조사하고, 현상하여, 얻어 진 레지스트 패턴을 보호막으로 하여 실리콘 웨이퍼를 에칭 처리하는 가공법이다. 그러나, 근래, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되고, 사용되는 활성 광선도 i선(파장 365nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248nm)로부터 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm)로 단파장화되는 경향이 있다. 이에 따라 활성 광선의 기판으로부터의 난반사나 정재파의 영향이 큰 문제가 되고 있다. 따라서 포토레지스트와 기판 사이에 반사 방지막(bottom anti-reflective coating)을 마련하는 방법이 널리 검토되게 되었다.
반사 방지막으로는, 티탄, 이산화티탄, 질화티탄, 산화크롬, 카본, α-실리콘 등의 무기 반사 방지막과, 흡광성 물질과 고분자 화합물로 이루어진 유기 반사 방지막이 알려져 있다. 전자는 막 형성에 진공증착 장치, CVD 장치, 스퍼터링 장치 등의 설비를 필요로 하는데 반해, 후자는 특별한 설비를 필요로 하지 않는 점에서 유리하여, 수많은 검토가 이루어지고 있다. 예를 들어, 미국 특허 제 5919599호 명세서에 기재된 가교형성 치환기인 히드록실기와 흡광기를 동일 분자 내에 갖는 아크릴 수지형 반사 방지막, 미국 특허 제5693691호 명세서에 기재된 가교형성 치환기인 히드록실기와 흡광기를 동일 분자 내에 갖는 노볼락 수지형 반사 방지막 등을 들 수 있다.
유기계 반사 방지막에서 요구되는 물성으로는, 광이나 방사선에 대해 큰 흡광도를 가질 것, 포토레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않을 것(포토레지스트 용제에 불용일 것), 도포 시 또는 가열 건조 시에 반사 방지막 재료로부터 상도 포토레지스트 중으로의 저분자 확산물이 없을 것, 포토레지스트에 비해 큰 드라이 에 칭 속도를 가질 것 등이 있다.
근래, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저를 사용한 리소그래피 프로세스에 있어 가공 치수의 미세화, 즉 형성되는 포토레지스트 패턴 사이즈의 미세화가 진행되어 왔다. 포토레지스트 패턴의 미세화가 진행되면서, 그에 따라 포토레지스트 패턴의 도괴 등을 방지하기 위해 포토레지스트의 박막화가 요구되게 되었다. 그리고, 포토레지스트를 박막으로 사용하는 경우에는, 함께 사용되는 유기 반사 방지막의 에칭에 의한 제거 공정 시에 발생하는 포토레지스트층의 막 두께의 감소를 억제하기 위해, 보다 단시간의 에칭으로 제거 가능한 유기 반사 방지막이 요구되게 되었다. 즉 에칭 제거 공정을 단시간화하기 위해 지금까지 보다도 박막으로 사용 가능한 유기 반사 방지막, 또는 포토레지스트와의 에칭 속도의 선택비가 지금까지 보다도 큰 유기 반사 방지막이 요구되게 되었다.
또한, 반사 방지막에는, 양호한 형상의 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있을 것이 요구된다. 특히, 그 하부에 큰 쳐짐 형상(푸팅:footing)을 갖지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있을 것이 요구된다. 이는, 포토레지스트 패턴이 큰 쳐짐 형상을 가지면, 그 후의 가공 공정에 악영향을 미치는 것에 의한다.
또한, 리소그래피 기술의 진전에 따라, 사용되는 포토레지스트의 종류도 증가하고 있다. 이 때문에, 다양한 포토레지스트의 사용에 대응하기 위해 새로운 반사 방지막의 개발이 항상 요구되고 있다.
그런데, 방향족 화합물 또는 지환식 화합물로 치환된 트리스(히드록시알킬)이소시아눌레이트를 광역 자외선 흡수제로 이용하는 기술(예를 들어, 특허문헌1 참 조)이나, 시아눌산을 중합성 중합성 유기화합물로 포함하는 경화 조성물(예를 들어, 특허문헌2 참조)이 알려져 있다. 또한, 시아눌산 화합물을 포함하는 반사 방지막 조성물에 대해 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌3 참조). 또한, 1,3,5-트리스(2-히드록시에틸)시아눌산에 의해 합성되는 폴리에스테르가 반사 방지막에 사용되는 것이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌4, 특허문헌5 참조).
또한, 수지 바인더 및 광산 발생제 등을 포함하는 반사 방지피막 조성물이 알려져 있고(예를 들어, 특허문헌6 참조), 나아가, 질소함유 화합물 및 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물 등을 포함하는 반사 방지막 형성용 조성물이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌7 참조).
특허문헌1: 일본 특개평 11-279523호 공보
특허문헌2: 일본 특개평 10-204110호 공보
특허문헌3: 국제공개 제02/086624호 팜플렛
특허문헌4: 유럽특허출원공개 제1298492호 명세서
특허문헌5: 유럽특허출원공개 제1298493호 명세서
특허문헌6: 일본 특개평 11-133618호 공보
특허문헌7: 일본 특개평 11-38622호 공보
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 단파장의 광, 특히 파장 193nm 또는 157nm의 광에 강한 흡수를 갖는 반사 방지막을 위한 리소그래피용 반사 방지막 형성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 또는 F2 엑시머 레이저(파장 157nm)의 조사광을 사용하여 이루어지는 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용할 수 있는 반사 방지막 형성 조성물을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 목적은, ArF 엑시머 레이저 또는 F2 엑시머 레이저의 조사광을 미세 가공에 사용할 때, 기판으로부터의 반사광을 효과적으로 흡수하고, 포토레지스트층과의 인터 믹싱을 일으키지 않으며, 포토레지스트에 비해 큰 드라이 에칭 속도를 갖는 반사 방지막, 및 이를 위한 반사 방지막 형성 조성물을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 또 다른 목적은, 하부에 큰 쳐짐 형상을 갖지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 반사 방지막, 및 이를 위한 반사 방지막 형성 조성물을 제공하는 것이다. 그리고 본 발명의 다른 목적은, 이와 같은 반사 방지막 형성 조성물을 이용한 리소그래피용 반사 방지막의 형성 방법, 및 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
과제를 해결하기 위한 수단
이러한 현상을 감안하여 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 2개 또는 3개의 2,3-에폭시프로필기를 갖는 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물에 의해, 단파장의 광, 특히 ArF 엑시머 레이저 및 F2 엑시머 레이저를 이용한 프로세스에서 우수한 성능을 갖는 반사 방지막을 형성할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은, 제1 관점으로, 식(1):
Figure 112008027791930-PCT00001
(식 중, R1은 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 벤질기, 2-프로페닐기, 2,3-에폭시프로필기, 또는 페닐기를 나타낸다)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물, 가교성 화합물 및 용제, 및 광산 발생제 또는 산화합물 중 어느 하나 또는 이들 모두를 포함하는 반사 방지막 형성 조성물,
제2 관점으로, 상기 반응 생성물, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 제1 관점 기재의 반사 방지막 형성 조성물,
제3 관점으로, 상기 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물, 및 용제를 포함하는 제1 관점 기재의 반사 방지막 형성 조성물,
제4 관점으로, 상기 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 제1 관점 기재의 반사 방지막 형성 조성물,
제5 관점으로, 상기 식(1)로 나타내는 화합물이 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아눌산인 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물,
제6 관점으로, 상기 안식향산 화합물이, 할로겐 치환기를 갖는 히드록시 안식향산 화합물인 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물,
제7 관점으로, 상기 할로겐 치환기가 브로모기 또는 요오드기인 제6 관점 기재의 반사 방지막 형성 조성물,
제8 관점으로, 상기 할로겐 치환기를 갖는 히드록시 안식향산 화합물이, 2,5-디클로로-3-히드록시-6-메톡시 안식향산, 2,4,6-트리요오드-3-히드록시 안식향산, 2,4,6-트리브로모-3-히드록시 안식향산, 2-브로모-4,6-디메틸-3-히드록시 안식향산, 2-플루오로-5-히드록시 안식향산, 3,5-디브로모-4-히드록시 안식향산, 2,4-디히드록시-5-브로모 안식향산, 3-요오드-5-니트로-4-히드록시 안식향산, 4-클로로-2-히드록시 안식향산, 3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산, 4-아미노-3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산, 및 3,5-디브로모-2-히드록시 안식향산 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 화합물인 제6 관점에 기재된 반사 방지막 형성 조성물,
제9 관점으로, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물이 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물을, 상기 식(1)로 나타내는 화합물:안식향산 화합물로 하여 1:2~1:3의 몰비로 반응시켜 얻어지는 반응 생성물인 제1 관점 내지 제4 관점의 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물,
제10 관점으로, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 반사 방지막,
제11 관점으로, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하는 공정, 이 반사 방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막과 상기 포토레지스트층으로 피복된 반도체 기판을 노광하는 공정, 이 노광 후에 상기 포토레지스트층을 현상하는 공정을 포함하는 반도체 장치 제조에 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법,
제12 관점으로, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하는 공정, 이 반사 방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막과 상기 포토레지스트층으로 피복된 반도체 기판을 F2 엑시머 레이저(파장 157nm)의 조사광으로 노광하는 공정, 이 노광 후에 상기 포토레지스트층을 현상하는 공정을 포함하는 반도체 장치 제조에 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법, 이다.
발명을 실시하기 위한 최적의 형태
본 발명은, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물에 관한 것이다. 그리고, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은, 그 외, 폴리머 성분, 흡광성 화합물 및 계면 활성제 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서, 고형분의 비율은, 각 성분이 용제 에 균일하게 용해되어 있는 한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 0.5~50질량%이고, 또는 1~30질량%이고, 또는 10~25질량%이다. 여기서 고형분이란, 반사 방지막 형성 조성물의 전 성분에서 용제 성분을 제외한 것이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함한다. 상기 식(1)에서 R1은 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 벤질기, 2-프로페닐기, 2,3-에폭시프로필기, 또는 페닐기를 나타낸다. 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 시클로헥실기 및 노르말펜틸기 등을 들 수 있다.
상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응은, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 젖산에틸, 젖산부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 N-메틸피롤리돈 등의 유기 용제에 용해시킨 용액 상태에서 행하는 것이 바람직하다. 그리고, 이 반응에서는, 벤질트리에틸암모늄클로리드, 테트라부틸암모늄클로리드 및 테트라에틸암모늄브로미드 등의 사급암모늄염을 촉매로 이용하는 것도 가능하다. 본 반응의 반응 온도, 반응 시간은 사용하는 화합물, 농도 등에 의존하는데, 반응 시간 0.1~100시간 또는 1~50시간, 반응 온도 20℃~200℃ 또는 50℃~180℃의 범위에서 적의 선택된다. 촉매를 이용하는 경우, 사용하는 화합물의 전 질량에 대해 0.001~30질량%의 범위에서 이용할 수 있다.
반응에 사용되는 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 비율은, 몰비로 상기 식(1)로 나타내는 화합물:안식향산 화합물로 예를 들어 5:1~1:5이 고, 또는 3:1~1:3이고, 또는 1:1~1:3이고, 또는 1:2~1:3이고, 또는 2:5~1:3이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 반응 생성물은, 예를 들어 다음과 같이 하여 얻을 수 있다. 적당한 유기 용제에 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물을 몰비가 1:2~1:3이고, 농도가 15~35질량%가 되도록 용해시킨다. 다음으로, 벤질트리에틸암모늄클로리드 등의 사급암모늄염을, 유기 용제를 제외한 사용되는 화합물의 전체 질량에 대해 0.5~3질량%의 비율로 첨가한다. 그 후, 반응 온도 100℃~150℃, 반응 시간 10~30시간으로 반응시킴으로써, 반응 생성물을 얻을 수 있다. 또는, 적당한 유기 용제에 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물을 몰비가 1:2~1:3이고, 농도가 40~60질량%가 되도록 용해시킨다. 그 후, 사급암모늄염을 첨가하지 않고 반응 온도 100℃~150℃, 반응 시간 10~30시간으로 반응시킴으로써, 반응 생성물을 얻을 수 있다.
상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응에서는, 상기 식(1)의 에폭시기와 안식향산 화합물의 카르복실기 사이에서, 에폭시 개환 반응이 일어나서 반응 생성물을 부여한다. 안식향산 화합물을 A-COOH(식 중, A는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 벤젠환을 나타낸다.)로 나타낸 경우, 상기 식(1)의 질소 원자 상의 2,3-에폭시프로필기는, 안식향산 화합물과의 반응에 의해, 하기의 식(2)로 나타내는 기로 변환된다.
Figure 112008027791930-PCT00002
그리고, 상기 식(1)의 화합물과 안식향산 화합물의 반응에서는, 반응에 사용되는 이들 화합물의 비율에도 의존하는데, 반응 생성물로는, 상기 식(1)의 2,3-에폭시프로필기의 하나가 상기 식(2)의 기로 변환된 화합물인 경우와, 2개의 2,3-에폭시프로필기가 상기 식(2)의 기로 변환된 화합물인 경우를 고려할 수 있다. 또한, 상기 식(1)에서 R1이 2,3-에폭시프로필기인 경우에는, 상기 식(1)의 2,3-에폭시프로필기 3개 모두가 상기 식(2)로 변환된 화합물도 반응 생성물로 생각할 수 있다. 이 때문에, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물로는, 일종의 화합물인 경우와 이종 이상의 화합물의 혼합물인 경우를 고려할 수 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물로는, 일종의 화합물인 경우이어도 좋고, 또한 이종 이상의 화합물의 혼합물인 경우이어도 좋다.
또한, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과의 반응에 사용되는 안식향산 화합물이 히드록시 안식향산 화합물이나, 카르복실기를 두개 갖는 화합물, 예를 들어 푸탈산 화합물인 경우에는, 이들 화합물의 카르복실기와 수산기, 또는 2개의 카르복실기 모두가, 상기 식(1)의 2,3-에폭시프로필기와 에폭시 개환 반응을 일으키는 것을 고려 할 수 있다.
히드록시 안식향산 화합물 및 푸탈산 화합물을 HOOC-B-(C=O)n-OH(식 중, B는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 벤젠환을 나타내고, n은 0 또는 1이고, n=O은 히드록시 안식향산 화합물을, n=1은 푸탈산 화합물을 나타낸다.)로 나타낸 경우, 하나의 카르복실기가 상기 식(1)의 2,3-에폭시프로필기와 반응하고, 이하의 식(3)의 기로 변환된다. 또한, 식(3) 중 나머지의 카르복실기 또는 수산기가, 추가로 상기 식(1)의 다른 2,3-에폭시프로필기와 반응한 경우, 이하의 식(4)의 구조를 갖는 반응 생성물을 생성시키는 것을 고려할 수 있다. 나아가, 식(4)의 구조가 연속한 상태, 즉 올리고머(또는 폴리머)의 반응 생성물을 생성하는 것을 고려할 수 있다.
Figure 112008027791930-PCT00003
이로 인해, 안식향산 화합물로서 히드록시 안식향산 화합물이나, 카르복실기를 2개 갖는 화합물을 사용한 경우, 그 반응 생성물은, 일종의 화합물인 경우, 이종 이상의 화합물인 경우, 올리고머(또는 폴리머)인 경우, 또는 이들의 혼합물인 경우를 생각할 수 있게 된다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 반응 생성물로는, 이들 중 어느 경우이어도 좋다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 반응 생성물을 위해 사용되는 상기 식(1)로 나타내는 화합물로는, 2-프로페닐-디글리시딜이소시아눌산, 페닐디글리시딜이소시아눌산 및 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아눌산 등을 들 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 반응 생성물을 위해 사용되는 안식향산 화합물로는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 안식향산을 사용할 수 있다. 또한 메틸기, 에틸기 및 이소프로필기 등의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 부톡시기 등의 알콕시기, 메톡시카르보닐기 및 프로폭시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 불소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 치환기, 벤질기, 페닐기, 페녹시기, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 메틸티오기 및 아미노기로 이루어진 그룹에서 선택되는 기로 치환된 안식향산 화합물을 사용할 수 있다.
안식향산 화합물로는, 예를 들어, 안식향산, 이소푸탈산모노에틸에스테르, 2,4-디브로모 안식향산, 4-메틸 안식향산, 2-메톡시 안식향산, 2,3,5-트리요오드 안식향산, 2-클로로-4-니트로 안식향산, 4-플루오로 안식향산, 4-요오드 안식향산, 2-브로모 안식향산, 4-tert-부틸 안식향산, 3-트리플루오로메틸 안식향산, 2-니트로 안식향산, 4-이소프로폭시 안식향산, 3-시아노 안식향산, 4-시아노 안식향산, 3-페닐 안식향산, 3-브로모-4-메틸 안식향산, 2,4,6-트리브로모 안식향산, 4-메틸티오 안식향산, 2-브로모-4-플루오로 안식향산, 4,5-디클로로-벤젠-1,3-디카르본 산, 5-아미노-2,4,6-트리요오드-이소푸탈산, 벤젠-1,4-디카르본산, 2,3,5,6-테트라브로모-벤젠-1,4-디카르본산, 4,5-디클로로푸탈산, 5-메톡시-3-메틸-푸탈산 및 3,4,5,6-테트라브로모푸탈산 등을 들 수 있다. 또한, 안식향산 화합물로는, 히드록시 안식향산 화합물을 들 수 있고, 할로겐 치환기를 갖는 히드록시 안식향산 화합물이 바람직하다. 할로겐 치환기로는, F2 엑시머 레이저에 대한 흡수라는 점에서, 브로모기(-Br), 또는 요오드기(-I)가 바람직하다. 히드록시 안식향산 화합물로는 예를 들어, 4-히드록시 안식향산, 3-히드록시 안식향산, 3,5-디히드록시 안식향산, 2-아미노-3-히드록시 안식향산, 2,5-디클로로-3-히드록시-6-메톡시 안식향산, 2,4,6-트리요오드-3-히드록시 안식향산, 2,4,6-트리브로모-3-히드록시 안식향산, 2-브로모-4,6-디메틸-3-히드록시 안식향산, 2-플루오로-5-히드록시 안식향산, 3-메톡시-4-히드록시 안식향산, 3,5-디브로모-4-히드록시 안식향산, 2,4-디히드록시-5-브로모 안식향산, 3-요오드-5-니트로-4-히드록시 안식향산, 2-히드록시 안식향산, 4-클로로-2-히드록시 안식향산, 3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산, 3-메톡시-2-히드록시 안식향산, 2-히드록시-6-이소프로필-3-메틸 안식향산 및 4-아미노-3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산 등을 들 수 있다.
상기 식(1)로 나타내는 화합물과의 반응에 있어, 이들 안식향산 화합물은 일종만을 사용할 수 있다. 또한, 2종 이상의 안식향산 화합물을 적의 조합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, 4-니트로 안식향산과 3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 예를 들어 4-히드록시 안식향산과 4-시아노 안식향산을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 예를 들어 4-히드록시 안식향산과 2,3,5-트리요오드 안식향산을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 포함되는 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물의 함유량으로는, 고형분 중에서 예를 들어 50~99질량%이고, 또는 60~95질량%이고, 또는 65~90질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 광산 발생제를 포함할 수 있다. 광산 발생제는 포토레지스트의 노광 시에 산을 발생하므로, 반사 방지막의 산성도를 조절할 수 있다. 이는 반사 방지막의 산성도를 상층의 포토레지스트의 산성도로 맞추기 위한 하나의 방법이다. 또한, 반사 방지막의 산성도를 조절함으로써, 상층에 형성되는 포토레지스트의 패턴 형상의 조절이 가능해진다. 광산 발생제로는, 오늄염 화합물, 술폰이미드화합물 및 디술포닐디아조메탄화합물 등을 들 수 있다.
오늄염 화합물로는 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄노나플루오로노르말부탄술포네이트, 디페닐요오드늄퍼플루오로-노르말옥탄술포네이트, 디페닐요오드늄컴퍼술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄컴퍼술포네이트 및 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 요오드늄염 화합물, 및 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄노나플루오로-노르말부탄술포네이트, 트리페닐술포늄컴퍼술포네이트 및 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 술포늄염 화합물 등을 들 수 있다.
술폰이미드 화합물로는, 예를 들어 N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)숙신이미드, N-(노나플루오로노르말부탄술포닐옥시)숙신이미드, N-(컴퍼술포닐옥시)숙신이 미드 및 N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)나프탈이미드 등을 들 수 있다.
디술포닐디아조메탄 화합물로는 예를 들어, 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸벤젠술포닐)디아조메탄 및 메틸술포닐-p-톨루엔술포닐디아조메탄 등을 들 수 있다.
상기 외에 광산 발생제로는, 벤조인트실레이트, 피로가롤메탄술폰산트리에스테르 및 니트로벤질-9,10-디에톡시안트라센-2-술포네이트 및 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등을 들 수 있다.
이들 광산 발생제는 일종만을 사용할 수 있고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 광산 발생제의 함유량으로는, 고형분 중에서, 예를 들어 0.01~10질량%이고, 또는 0.1~5질량%이고, 또는 0.5~3질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 가교성 화합물을 포함할 수 있다. 이와 같은 가교성 화합물로는, 특별히 한정되지는 않으나, 적어도 2개의 가교형성 치환기를 갖는 가교성 화합물이 바람직하게 이용된다. 예를 들어, 히드록시메틸기 또는 알콕시메틸기로 치환된 질소 원자를 2개 이상 갖는 함질소 화합물을 들 수 있다. 이는 예를 들어, 히드록시메틸기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 부톡시메틸기 및 헥실옥시메틸기 등의 기로 치환된 질소 원자를 2개 이상 갖는 함질소 화합물이다.
상기 함질소 화합물의 예로 메티롤기, 메톡시메틸기 등의 가교형성 치환기를 갖는 멜라민계 화합물, 벤조구아나민 화합물 및 치환요소계 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 메톡시메틸화글리콜우릴, 메톡시메틸화벤조구아나민 및 메톡시메틸화멜라민 등의 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 헥사메톡시메틸멜라민, 테트라메톡시메틸벤조구아나민, 1,3,4,6-테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴, 1,3,4,6-테트라키스(히드록시메틸)글리콜우릴, 1,3-비스(히드록시메틸)요소, 1,1,3,3-테트라키스(부톡시메틸)요소, 1,1,3,3-테트라키스(메톡시메틸)요소, 1,3-비스(히드록시메틸)-4,5-디히드록시-2-이미다졸리논 및 1,3-비스(메톡시메틸)-4,5-디메톡시-2-이미다졸리논 등의 함질소 화합물을 들 수 있다.
또한, 가교성 화합물로는 N-히드록시메틸아크릴아미드, N-메톡시메틸메타크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-부톡시메틸메타크릴아미드 등의 히드록시메틸기 또는 알콕시메틸기로 치환된 아크릴아미드 화합물 또는 메타크릴아미드 화합물을 사용하여 제조되는 폴리머를 이용할 수 있다. 이와 같은 폴리머로는, 예를 들어 폴리(N-부톡시메틸아크릴아미드), N-부톡시메틸아크릴아미드와 스틸렌의 공중합체, N-히드록시메틸메타크릴아미드와 메틸메타크릴레이트의 공중합체, N-에톡시메틸메타크릴아미드와 벤질메타크릴레이트의 공중합체 및 N-부톡시메틸아크릴아미드와 벤질메타크릴레이트와 2-히드록시프로필메타크릴레이트의 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 가교성 화합물은 자기 축합에 의한 가교 반응을 일으킬 수 있다. 또한, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물 중의 수산기와 가 교 반응을 일으킬 수 있다. 그리고, 이와 같은 가교 반응에 의해 형성되는 반사 방지막은 강고해 진다. 그리고, 유기 용제에 대한 용해성이 낮은 반사 방지막이 된다. 가교성 화합물은 일종만을 사용하여도 좋고, 또한 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 가교성 화합물의 함유량으로는, 고형분 중에서, 예를 들어 0.1~40질량%이고, 또는 0.1~35질량%이고, 또는 5~30질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 산화합물을 포함할 수 있다. 산화합물로는, p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄-p-톨루엔술포네이트, 살리실산, 컴퍼술폰산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산 및 히드록시 안식향산 등의 산화합물을 들 수 있다. 산화합물로는 또한, 방향족 술폰산 화합물을 사용할 수 있다. 방향족 술폰산 화합물의 구체적인 예로는 p-톨루엔술폰산, 피리디늄-p-톨루엔술포네이트, 술포살리실산, 4-클로로벤젠술폰산, 4-히드록시벤젠술폰산, 벤젠디술폰산, 1-나프탈렌술폰산 및 피리디늄-1-나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다. 이들 산화합물은 일종만을 사용할 수 있고, 또는 2종이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서의 산화합물의 함유량으로는, 고형분 중에서 예를 들어 0.01~10질량%이고, 또는 0.1~5질량%이고, 또는 0.5~3질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 그 외 폴리머 성분, 흡광성 화합물 및 계면 활성제 등을 포함할 수 있다.
폴리머 성분으로는 특별히 제한은 없으나, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 티올기 중에서 선택되는 적어도 하나의 가교 형성 치환기를 갖는 폴리머가 바람직하다. 이와 같은 폴리머를 첨가함으로써, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 의해 형성되는 반사 방지막의 굴절률, 감쇄 계수, 에칭 속도 등의 특성을 조절할 수 있다. 이와 같은 폴리머로는, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 비닐알코올, 2-히드록시에틸비닐에테르, 아크릴산, 메타크릴산 등을 구성 단위의 하나로 함유하는 폴리머를 들 수 있다. 이와 같은 폴리머의 중량 평균 분자량(표준폴리스틸렌 환산)으로는 500~1000000이면 되고, 바람직하게는 500~500000이고, 또한 1000~100000이다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 폴리머가 포함되는 경우, 그 함유량은 고형분 중에서 0.1~20질량% 또는 0.1~10질량%이다.
이와 같은 폴리머로는, 예를 들어 폴리-2-히드록시에틸메타크릴레이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 2-히드록시프로필아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필아크릴레이트와 안트릴메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필아크릴레이트와 벤질메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 2,2,2-트리클로로에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 스틸렌의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 2-클로로에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 비닐알코올의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 아크릴산의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 멀레이드의 코폴리머, 2-히드록시프로필메타크릴레이트와 멀레이미드와 벤질아크릴레이트의 코폴리머, 비닐알코올과 멀레이미드의 코폴 리머, 비닐알코올과 메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시에틸비닐에테르와 에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시에틸비닐에테르와 2-히드록시프로필메타크릴레이트의 코폴리머 및 메타크릴산과 멀레이미드의 코폴리머 등을 들 수 있다.
또한 상기 폴리머로 예를 들어, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 나프톨노볼락 등을 들 수 있다.
흡광성 화합물로는, 반사 방지막 위에 마련되는 포토레지스트층 중의 감광 성분의 감광 특성 파장 영역에서 광에 대해 높은 흡수능을 갖는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 흡광성 화합물로는, 예를 들어 벤조페논 화합물, 벤조트리아졸 화합물, 아조 화합물, 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 안트라퀴논 화합물, 트리아진 화합물, 트리아진트리온 화합물, 퀴놀린 화합물 등을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는, 예를 들어 1-나프탈렌카르본산, 2-나프탈렌카르본산, 1-나프톨, 2-나프톨, 나프틸초산, 1-히드록시-2-나프탈렌카르본산, 3-히드록시-2-나프탈렌카르본산, 3,7-디히드록시-2-나프탈렌카르본산, 6-브로모-2-히드록시나프탈렌, 2,6-나프탈렌디카르본산, 9-안트라센카르본산, 10-브로모-9-안트라센카르본산, 안트라센-9,10-디카르본산, 1-안트라센카르본산, 1-히드록시안트라센, 1,2,3-안트라센트리올, 9-히드록시메틸안트라센, 2,7,9-안트라센트리올, 안식향산, 4-히드록시안식향산, 4-브로모 안식향산, 3-요오드 안식향산, 2,4,6-트리브로모페놀, 2,4,6-트리브로모레졸시놀, 3,4,5-트리요오드 안식향산, 2,4,6-트리요오드-3-아미노 안식향산, 2,4,6-트리요오드-3-히드록시 안식향산 및 2,4,6-트리브로모-3-히드록시 안 식향산 등을 들 수 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 흡광성 화합물이 포함되는 경우, 그 함유량은 고형분 중에서 0.1~20질량% 또는 0.1~10질량%이다.
계면 활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노펄미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노펄미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄 지방산 에스테르류 등의 논이온계 계면 활성제, 상품명 에프톱 EF301, EF303, EF352((주)젬코 제), 상품명 메가팍 F171, F173, R-08, R-30(다이닛폰잉키카가꾸코교(주) 제), 플로라드 FC430, FC431(스미토모 쓰리엠(주) 제), 상품명 아사히가드 AG710, 사프론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히 가라스(주) 제) 등의 불소계 계면 활성제 및 오르가노실록산폴리머 KP341(신에쯔카가꾸코교(주) 제) 등을 들 수 있다. 이들 계면 활성제는 단독으로 사용하여도 좋으며, 또한 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 계면 활성제가 포함되는 경우, 그 함유량은 고형분 중에서 0.0001~5질량% 또는 0.001~2질량%이다. 계면 활성제는, 반사 방지막 형성 조성물 도포 시에 핀홀이나 스트레이션 등의 발생을 억제하는데 유효하다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는, 상기 이외에 필요에 따라 레올로지 조정제 및 접착 보조제 등을 첨가할 수 있다. 레올로지 조정제는, 반사 방지막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 소성 공정에서 홀 내부로의 반사 방지막 형성 조성물의 충진성을 높히는데 유효하다. 접착 보조제는, 반도체 기판 또는 포토레지스트와 반사 방지막의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에서 포토레지스트의 박리를 억제하는데 유효하다.
레올로지 조정제의 구체적인 예로는, 디메틸푸탈레이트, 디에틸푸탈레이트, 디이소부틸푸탈레이트, 디헥실푸탈레이트, 부틸이소데실푸탈레이트, 디노르말부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 옥틸데실아디페이트, 디노르말부틸멀레이트, 디에틸멀레이트, 디노닐멀레이트, 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라히드로프루프릴올레이트, 노르말부틸스테아레이트 및 글리세릴스테아레이트 등을 들 수 있다.
접착 보조제의 구체적인 예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, N-N'-비스(트리메틸시릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-멜캅토벤즈이미다 졸, 2-멜캅토벤조티아졸, 2-멜캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 멜캅토이미다졸, 멜캅토피리미딘, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 및 티오요소화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 사용되는 용제로는, 상기의 고형분을 용해할 수 있는 용제라면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 용제로는, 예를 들어 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸세로솔부아세테이트, 에틸세로솔부아세테이드, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸, 초산에틸, 초산부틸, 젖산에틸 및 젖산부틸 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다. 나아가, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 고비점 용제를 혼합하여 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물의 사용에 대해 설명한다.
반도체 기판(예를 들어, 실리콘/이산화실리콘 피복 기판, 실리콘나이트라이드 기판, 실리콘 웨이퍼 기판, 유리 기판 및 ITO기판 등) 위에, 스피너, 코터 등의 적당한 도포 방법에 의해 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물이 도포되고, 그 후 소성함으로써 반사 방지막이 형성된다. 소성하는 조건으로는, 소성 온도 80℃~250℃, 소성 시간 0.3~60분간 중에서 적의 선택된다. 바람직하게는, 소성 온도 130℃~250℃, 소성 시간 0.5~5분간이다. 여기서, 형성되는 반사 방지막의 막 두께로는, 예를 들어 0.01~3.0㎛이고, 바람직하게는 예를 들어 0.03~1.0㎛이고, 또는 0.05~0.5㎛이고, 또는 0.05~0.2㎛이다.
다음으로, 반사 방지막 위에 포토레지스트층이 형성된다. 포토레지스트층의 형성은 주지의 방법, 즉 포토레지스트 조성물 용액의 반사 방지막 상으로의 도포 및 소성에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 상에 도포, 형성되는 포토레지스트로는 노광 조사광에 감광하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 네가형 포토레지스트 및 포지형 포토레지스트 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르로 이루어진 포지형 포토레지스트, 산에 의해 분해하여 알칼리 용해 속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산 발생제로 이루어지는 화학 증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해하여 포토레지스트의 알칼리 용해 속도를 상승시키는 저분자 화합물과 알칼리 가용성 바인더와 광산 발생제로 이루어지는 화학 증폭형 포토레지스트, 및 산에 의해 분해하여 알칼리 용해 속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해하여 포토레지스트의 알칼리 용해 속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산 발생제로 이루어진 화학 증폭형 포토레지스트 등이 있다. 또한, 예를 들어, Proc. SPIE, Vol. 3999, 330-334(2000), Proc. SPIE, Vol. 3999, 357-364(2000)이나, Proc. SPIE, Vol. 3999, 365-374(2000)에 기재되어 있는 함불소 원 자 폴리머계 포토레지스트를 들 수 있다.
다음으로, 소정의 마스크를 통하여 노광이 이루어진다. 노광에는, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 및 F2 엑시머 레이저(파장 157nm) 등을 사용할 수 있다. 노광 후, 필요에 따라 노광후 가열(post exposure bake)을 행할 수도 있다. 노광후 가열은, 가열 온도 70℃~150℃, 가열 시간 0.3~10분간에서 적의 선택된다.
이어서, 현상액에 의해 현상이 이루어진다. 이에 의해, 예를 들어 포지형 포토레지스트가 사용된 경우는, 노광된 부분의 포토레지스트가 제거되고 포토레지스트 패턴이 형성된다.
현상액으로는, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알칼리 금속 수산화물 수용액, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 콜린 등의 수산화사급 암모늄 수용액, 에탄올아민, 프로필아민, 에틸렌디아민 등의 아민 수용액 등의 알칼리성 수용액을 예로 들 수 있다. 현상액으로는, 범용되고 있는 2.38질량%의 수산화테트라메틸암모늄 수용액을 사용할 수 있다. 나아가, 이들 현상액에 계면 활성제 등을 첨가할 수도 있다. 현상액의 조건으로는 온도 5℃~50℃, 시간 10~300초에서 적의 선택된다.
그리고, 이와 같이 하여 선택된 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여, 반사 방지막의 제거 및 반도체 기판의 가공이 이루어진다. 반사 방지막의 제거는, 테트라플루오로메탄, 퍼플루오로시클로부탄(C4F8), 퍼플루오로프로판(C3F8), 트리플루오 로메탄, 일산화탄소, 아르곤, 산소, 질소, 육불화황, 디플루오로메탄, 삼불화질소 및 삼불화염소 등의 가스를 이용하여 이루어진다.
반도체 기판상에 본 발명의 반사 방지막이 형성되기 전에, 평탄화막이나 갭필재층이 형성될 수도 있다. 큰 단차나 홀을 갖는 반도체 기판이 사용되는 경우에는, 본 발명의 반사 방지막이 형성되기 전에 평탄화막이나 갭필재층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물이 도포되는 반도체 기판은, 그 표면에 CVD법 등으로 형성된 무기계의 반사 방지막을 갖는 것이어도 좋으며, 그 위에 본 발명의 반사 방지막을 형성할 수도 있다.
나아가, 본 발명의 반사 방지막은, 기판과 포토레지스트의 상호 작용을 방지하기 위한 층, 포토레지스트에 이용되는 재료 또는 포토레지스트로의 노광 시에 생성되는 물질의 기판으로의 악영향을 방지하는 기능을 갖는 층, 가열 소성 시에 기판에서 생성되는 물질의 상층 포토레지스트로의 확산을 방지하는 기능을 갖는 층, 및 반도체 기판 유전체층에 의한 포토레지스트층의 포이즈닝 효과를 감소시키기 위한 배리어층으로서 사용할 수도 있다.
또한, 반사 방지막 형성 조성물에 의해 형성되는 반사 방지막은, 듀얼다마신프로세스에서 이용되는 비아홀이 형성된 기판에 적용되고, 비아홀을 빈틈 없이 충진할 수 있는 매입재로 사용할 수 있다. 또한, 요철이 있는 반도체 기판의 표면을 평탄화하기 위한 평탄화재로 사용할 수도 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하나, 이에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[합성예1]
트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아눌산(닛산카가꾸코교(주) 제, 상품명 TEPIC) 175g, 3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산 628g 및 벤질트리에틸암모늄클로리드 9.2g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 3250g에 용해시킨 후, 130℃에서 24시간 반응시켜 반응 생성물을 포함하는 용액을 얻었다. 한편, 반응 생성물에는, 2,3-에폭시프로필기가 식(5)의 기로 변환된 이소시아눌산 화합물 및 식(6)의 구조를 갖는 올리고머(또는 폴리머)가 포함되는 것으로 생각할 수 있다.
Figure 112008027791930-PCT00004
[합성예2]
트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아눌산(닛산카가꾸코교(주) 제, 상품명 TEPIC) 457g, 4-히드록시 안식향산 407g 및 4-시아노 안식향산 136g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 1000g에 용해시킨 후, 130℃에서 24시간 반응시켜 반응 생성물을 포함하는 용액을 얻었다. 한편, 반응 생성물에는, 2,3-에폭시프로필기가 식(7) 또는 식(8)의 기로 변환된 이소시아눌산 화합물이 포함되는 것으로 생각할 수 있다.
Figure 112008027791930-PCT00005
[실시예1]
합성예1에서 얻은 반응 생성물 4.7g을 포함하는 용액 23.3g에 프로필렌글리콜모노메틸에테르 9.6g, 젖산에틸 65.8g, 광산 발생제로 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 0.11g, 테트라메톡시메틸글리콜우릴(닛폰사이테크인더스트리즈(주)(구 미쯔이사이테크(주)) 제, 상품명 파우더링크1174) 1.2g 및 피리디늄-p-톨루엔술포네이트 0.06g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 공경 0.10㎛의 폴리에틸렌제 미크로필터를 이용하여 여과하고, 이어서 공경 0.05㎛의 폴리에틸렌제 미크 로필터를 이용하여 여과하여 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
[실시예2~9]
광산 발생제로 실시예1에서 이용한 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트를 대신하여 각각 하기의 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예1과 마찬가지의 방법으로 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트(실시예2), 트리페닐술포늄노나플루오로노르말부탄술포네이트(실시예3), N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)숙신이미드(실시예4), 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트(실시예5), 비스(페닐술포닐)디아조메탄(실시예6), 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(실시예7), N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)나프탈이미드(실시예8), 및 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트(실시예9).
[실시예10]
합성예1에서 얻은 반응 생성물 4.7g을 포함하는 용액 23.3g에 프로필렌글리콜모노메틸에테르 9.6g, 젖산에틸 65.8g, 테트라메톡시메틸글리콜우릴(닛폰사이테크인더스트리즈(주)(구 미쯔이사이테크(주)) 제, 상품명 파우더링크1174) 1.2g 및 피리디늄-p-톨루엔술포네이트 0.06g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 공경 0.10㎛의 폴리에틸렌제 미크로필터를 이용하여 여과하고, 이어서 공경 0.05㎛의 폴리에틸렌제 미크로필터를 이용하여 여과하여 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
[실시예11]
합성예2에서 얻은 반응 용액 19.8g에 프로필렌글리콜모노메틸에테르 95g, 테트라메톡시메틸글리콜우릴(닛폰사이테크인더스트리즈(주)(구 미쯔이사이테크(주)) 제, 상품명 파우더링크1174) 1.00g, 피리디늄-p-톨루엔술포네이트 0.05g 및 계면 활성제 메가팍R-30(다이닛폰잉키카가꾸코교(주) 제) 0.002g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 공경 0.10㎛의 폴리에틸렌제 미크로필터를 이용하여 여과하고, 이어서 공경 0.05㎛의 폴리에틸렌제 미크로필터를 이용하여 여과하여 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
[포토레지스트 용제로의 용출 시험]
실시예1~11에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 스피너에 의해 각각 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 상에 도포하였다. 핫플레이트 상 205℃에서 1분간 소성하고, 반사 방지막(막 두께 0.08㎛)을 형성하였다. 이들 반사 방지막을 포토레지스트에 사용하는 용제인 젖산에틸 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 침적하고, 이들 용제에 불용인 것을 확인하였다.
[포토레지스트와의 인터 믹싱 시험]
실시예1~11에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 스피너에 의해 각각 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상 205℃에서 1분간 소성하고, 반사 방지막(막 두께 0.08㎛)을 형성하였다. 이들 반사 방지막 상에 시판의 포토레지스트 용액(스미토모카가꾸코교(주)사 제, 상품명 PAR710)을 스피너에 의해 도포하고, 핫플레이트 상 90℃에서 1분간 가열하여 포토레지스트층을 형성하였다. 포토레지스트를 노광후, 노광후 가열(post exposure bake)을 90℃에서 1.5분간 행하였다. 포토레지스트를 현상시킨 후, 반사 방지막의 막 두께를 측정하고, 반사 방지막과 포토레지스트층의 인터 믹싱이 일어나지 않았음을 확인하였다.
[광학파라메터의 시험]
실시예1~11에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 스피너에 의해 각각 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상 205℃에서 1분간 소성하고, 반사 방지막(막 두께 0.06㎛)을 형성하였다. 그리고 이들 반사 방지막을 분광 엘립소메터(J. A. Woollam사 제, VUV-VASE VU-302)를 이용하여 파장 193nm 및 157nm에서의 굴절률(n값) 및 감쇄계수(k값)를 측정하였다. 그 결과, 실시예1~10에서의 반사 방지막은, 파장 193nm에서의 굴절률(n값)은 1.81이고, 감쇄계수(k값)는 0.44이었다. 또한, 실시예1~10의 반사 방지막은, 파장 157nm에서의 굴절률(n값)은 1.60이고, 감쇄계수(k값)는 0.44이었다. 실시예11의 반사 방지막은, 파장 193nm에서의 굴절률(n값)은 1.69이고, 감쇄계수(k값)는 0.47이었다.
[포토레지스트 패턴 형상의 평가]
실시예1~11에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물의 용액을 스피너에 의해 각각 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상 205℃에서 1분간 소성하고, 반사 방지막(막 두께 0.08㎛)을 형성하였다. 이들 반사 방지막의 상층에 시판의 포토레지스트 용액(토쿄오카코교(주) 제, 상품명 TARF-P6111)을 스피너에 의해 도포하고, 핫플레이트 상 90℃에서 1분간 가열하여 포토레지스트층(막 두께 0.33㎛)을 형성하였다. 그리고, ASML사 제 PAS5500/990 스캐너(파장 193nm, NA, σ:0.63, 0.87/0.57(Annuler))를 이용하여 현상 후에 포토레지스트의 라인폭 및 그 라인 사 이의 폭이 0.09㎛이고, 즉 0.09㎛L/S(덴스라인)이고, 그리고 이와 같은 라인이 9개 형성되도록 설정된 마스크를 통하여 노광을 행하였다. 그 후, 핫플레이트 상 130℃에서 1분간 노광후 가열을 행하고, 냉각 후, 공업 규격의 60초 싱글패들식 공정에 의해 0.26 규정의 테트라메틸암모늄히드록시드 현상액을 이용하여 현상하여, 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
얻어진 포토레지스트 패턴의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰하였다. 실시예10 및 실시예11에서 형성된 반사 방지막의 경우, 포토레지스트의 하부에 약간의 쳐짐 형상이 관찰되었다. 실시예1 내지 실시예9에서 형성된 반사 방지막의 경우, 포토레지스트의 하부에 쳐짐 형상이 나타나지 않았다.
본 발명은, 단파장의 광, 특히 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 및 F2 엑시머 레이저(파장 157nm)에 대해 강한 흡수를 나타내는 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물이다. 얻어진 반사 방지막은, 기판으로부터의 반사광을 효율 좋게 흡수한다.
본 발명에 의해, ArF 엑시머 레이저 및 F2 엑시머 레이저 등을 이용한 미세 가공에 있어, 반도체 기판으로부터의 반사광을 효과적으로 흡수하고, 포토레지스트층과의 인터믹싱을 일으키지 않는 반사 방지막을 제공할 수 있다.
본 발명에 의해, 하부에 쳐짐 형상을 거의 갖지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 반사 방지막을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 반사 방지막을 이용함으로써, ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 등을 이용한 리소그래피 프로세스에서, 양호한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (12)

  1. 식(1):
    [화학식 1]
    Figure 112008027791930-PCT00006
    (식 중, R1은 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 벤질기, 2-프로페닐기, 2,3-에폭시프로필기, 또는 페닐기를 나타낸다)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물, 가교성 화합물 및 용제, 및 광산 발생제 또는 산화합물 중 어느 하나 또는 이들 모두를 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반응 생성물, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물, 및 용제를 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 반응 생성물, 광산 발생제, 가교성 화합물, 용제 및 산화합물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식(1)로 나타내는 화합물이 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아눌산인 반사 방지막 형성 조성물.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 안식향산 화합물이, 할로겐 치환기를 갖는 히드록시 안식향산 화합물인 반사 방지막 형성 조성물.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 할로겐 치환기가 브로모기 또는 요오드기인 반사 방지막 형성 조성물.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 할로겐 치환기를 갖는 히드록시 안식향산 화합물이, 2,5-디클로로-3-히드록시-6-메톡시 안식향산, 2,4,6-트리요오드-3-히드록시 안식향산, 2,4,6-트리브로모-3-히드록시 안식향산, 2-브로모-4,6-디메틸-3-히드록시 안식향산, 2-플루오로-5-히드록시 안식향산, 3,5-디브로모-4-히드록시 안식향산, 2,4-디히드록시-5-브로모 안식향산, 3-요오드-5-니트로-4-히드록시 안식향산, 4-클로로-2-히드록시 안식향산, 3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산, 4-아미노-3,5-디요오드-2-히드록시 안식향산, 및 3,5-디브로모-2-히드록시 안식향산 등으로 이루어진 그룹에서 선택되는 화합물인 반사 방지막 형성 조성물.
  9. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물이 상기 식(1)로 나타내는 화합물과 안식향산 화합물을 상기 식(1)로 나타내는 화합물:안식향산 화합물로 하여 1:2~1:3의 몰비로 반응시켜 얻어지는 반응 생성물인 반사 방지막 형성 조성물.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 반사 방지막.
  11. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하는 공정, 이 반사 방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막과 상기 포토레지스트층으로 피복된 반도체 기판을 노광하는 공정, 이 노광 후에 상기 포토레지스트층을 현상하는 공정을 포함하는 반도체 장치 제조에 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
  12. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하는 공정, 이 반사 방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막과 상기 포토레지스트층으로 피복된 반도체 기판을 F2 엑시머 레이저(파장 157nm)의 조사광으로 노광하는 공정, 이 노광 후에 상기 포토레지스트층을 현상하는 공정을 포함하는 반도체 장치 제조에 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
KR1020087009352A 2005-09-27 2005-09-27 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함하는 반사방지막 형성 조성물 KR101226050B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2005/017735 WO2007036982A1 (ja) 2005-09-27 2005-09-27 イソシアヌル酸化合物と安息香酸化合物との反応生成物を含む反射防止膜形成組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080052670A true KR20080052670A (ko) 2008-06-11
KR101226050B1 KR101226050B1 (ko) 2013-01-24

Family

ID=37899422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087009352A KR101226050B1 (ko) 2005-09-27 2005-09-27 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함하는 반사방지막 형성 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11372330B2 (ko)
EP (1) EP1939688A4 (ko)
KR (1) KR101226050B1 (ko)
CN (1) CN101268419A (ko)
WO (1) WO2007036982A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009057458A1 (ja) * 2007-10-31 2009-05-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
US8329387B2 (en) 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
US10437150B2 (en) * 2008-11-27 2019-10-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming resist underlayer film with reduced outgassing
US8507192B2 (en) * 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US8465902B2 (en) * 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
JP6196194B2 (ja) * 2014-08-19 2017-09-13 信越化学工業株式会社 紫外線吸収剤、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
US11977333B2 (en) 2019-07-31 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacturing
US20230042522A1 (en) * 2021-07-23 2023-02-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet composition
CN116082914B (zh) * 2022-11-24 2024-04-30 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 一种有机抗反射涂层组合物及其制备方法和图案形成方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5886102A (en) * 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
JP3674210B2 (ja) 1997-01-24 2005-07-20 Ｊｓｒ株式会社 光学部品製造用硬化性組成物
US5939236A (en) 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
JP3473887B2 (ja) 1997-07-16 2003-12-08 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
CN1182440C (zh) * 1997-09-30 2004-12-29 西门子公司 用于深紫外线光刻的层状结构以及形成光刻层状结构的方法
JPH11279523A (ja) 1998-03-26 1999-10-12 Kyodo Chem Co Ltd 広域紫外線の吸収剤
US6410209B1 (en) * 1998-09-15 2002-06-25 Shipley Company, L.L.C. Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm
TW556047B (en) 2000-07-31 2003-10-01 Shipley Co Llc Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition
KR100929042B1 (ko) * 2000-08-17 2009-11-26 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 내에칭성 반사방지 코팅 조성물
CN1257435C (zh) 2001-04-10 2006-05-24 日产化学工业株式会社 形成光刻用防反射膜的组合物
TW591341B (en) 2001-09-26 2004-06-11 Shipley Co Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7323289B2 (en) 2002-10-08 2008-01-29 Brewer Science Inc. Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties
DE60330798D1 (de) 2002-10-09 2010-02-11 Nissan Chemical Ind Ltd Zusammensetzung zur bildung einer antireflexschicht für die lithographie
JP4438931B2 (ja) 2003-08-18 2010-03-24 日産化学工業株式会社 フォトレジストパターンの形成方法
TWI360726B (en) * 2003-10-30 2012-03-21 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition containing de
US7790356B2 (en) 2004-04-09 2010-09-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Condensation type polymer-containing anti-reflective coating for semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
EP1939688A4 (en) 2010-06-02
US20090117493A1 (en) 2009-05-07
WO2007036982A1 (ja) 2007-04-05
US11372330B2 (en) 2022-06-28
KR101226050B1 (ko) 2013-01-24
EP1939688A1 (en) 2008-07-02
CN101268419A (zh) 2008-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101226050B1 (ko) 이소시아눌산 화합물과 안식향산 화합물의 반응 생성물을 포함하는 반사방지막 형성 조성물
KR100853004B1 (ko) 축합계 폴리머를 갖는 반도체용 반사 방지막
JP4509106B2 (ja) ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物
KR101343075B1 (ko) 에틸렌디카르보닐구조를 갖는 폴리머를 포함하는 리소그라피용 반사 방지막 형성 조성물
KR101045308B1 (ko) 반사 방지막 형성 조성물
WO2007023710A1 (ja) ビニルナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物
JPWO2004034148A1 (ja) リソグラフィー用反射防止膜形成組成物
JP5382321B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP7268684B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JPWO2004074938A1 (ja) アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物
WO2012017790A1 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
WO2012081619A1 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP4214380B2 (ja) エポキシ化合物誘導体を含む反射防止膜形成組成物
JP4243825B2 (ja) リソグラフィー用反射防止膜形成組成物
KR101152972B1 (ko) 덱스트린 에스테르 화합물을 함유하는 하층막 형성 조성물
JP2004126161A (ja) 反射防止膜形成組成物
JP2005321752A (ja) イソシアヌル酸化合物と安息香酸化合物との反応生成物を含む反射防止膜形成組成物
JP4126556B2 (ja) トリアジントリオン構造を有する反射防止膜
JP4753018B2 (ja) 付加重合性樹脂を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
JP7322949B2 (ja) ジシアノスチリル基を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物
JP4438931B2 (ja) フォトレジストパターンの形成方法
JP2003295456A (ja) 反射防止膜形成組成物
TWI431029B (zh) 含三聚異氰酸化合物與苯甲酸化合物之反應生成物的防反射膜形成用組成物
CN117836718A (zh) 抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN103838086A (zh) 含有异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物的反应生成物的形成防反射膜的组合物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161222

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171221

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 7