KR20080017320A - 무전해금도금액 - Google Patents

무전해금도금액

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KR20080017320A
KR20080017320A KR1020077027275A KR20077027275A KR20080017320A KR 20080017320 A KR20080017320 A KR 20080017320A KR 1020077027275 A KR1020077027275 A KR 1020077027275A KR 20077027275 A KR20077027275 A KR 20077027275A KR 20080017320 A KR20080017320 A KR 20080017320A
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Abstract

본 발명에 의하여 시안화금 화합물과 수산 및/또는 그 염을 함유하고 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액이 제공된다. 시안화금 화합물은 금 이온 농도로 0.5~10g/L, 수산 및/또는 그 염은 5~50g/L가 바람직하다. 상기 무전해금도금액은 하지 용출금속의 은폐제를 함유하는 것이 바람직하고 상기 은폐제는 에틸렌 디아민사초산 및/또는 그 염이 바람직하다.
시안화금 화합물, 수산, 금속용출억제제, 무전해금도금액, 은폐제 에틸렌디아민사초산

Description

무전해금도금액 {ELECTROLESS GOLD PLATING LIQUID}
본 발명은 무전해금도금액에 관한 것이다. 더욱 상세하게 설명하면 본 발명은 미세 배선기판의 미세 배선 표면에 와이어 본딩 접합용 금도금 피막을 형성할 때에 매우 적합하게 사용되는 무전해금도금액에 관한 것이다.
프린트 기판 등의 배선기판에 있어서는, 통상 기판상에 형성된 미세한 동 배선의 표면은 니켈 도금되어 있고 또한 그 위에 금도금이 되어 있다. 최근에 전자 부품의 소형화에 수반하여 배선은 미세화되는 한편, 기판상에 다수의 전기적으로 독립한 배선이 형성된 배선기판이 주류를 형성하고 있다. 전기적으로 독립한 배선에 후부(厚付) 금도금을 할 경우에는 무전해금도금액을 이용한 피막 형성 방법이 채택된다(일본국 특허 제 3146757호 공보).
일반적으로 후부 금도금을 수행할 때에는 먼저 동 배선의 표면에 형성된 무전해니켈도금 피막 상에 두께 0.1㎛ 정도의 하지(下地;하부 모재(母材)) 금도금 피막이 치환 무전해금도금에 의해 형성된다. 그런 다음에 필요에 따라서 환원 무전해금도금(자기 촉매형 무전해금도금: 일본국 특개 2000-87251호 공보)에 의하여 후부 금도금 피막이 형성된다.
무전해니켈도금 처리와 무전해금도금 처리된 동 배선기판은, 얻어진 금도금 피막의 특성을 평가하기 위하여 와이어 본딩 강도, 납땜성, 납땜 볼 쉐어 강도 등의 특성 평가를 수행한다. 그렇지만, 종래의 시안을 함유하는 치환 금도금액을 이용한 금도금 처리(일본국 특개평 5-287541호)에서는 치환 금도금 처리시에 무전해니켈 피막이 부식된다.
한편, 치환 환원 타입의 무전해금도금액(환원제를 포함한 치환 금도금액)을 이용하는 금도금 처리에서는, 환원제의 환원 작용에 의해 금이 석출하기 때문에 하지의 무전해니켈 피막은 부식하지 않는다. 그러나 무전해니켈 피막 표면이 일단 금도금 피막으로 피복되면 그 이상으로 금이 석출하여 금도금 피막이 계속 성장하지는 않는다. 따라서, 일반의 환원 금도금법에 의해 도금 피막이 형성되는 경우와 같이 후부 금도금 피막은 형성되지 않는다.
상기 금도금 피막의 표면에는 통상 추가로 환원 금도금 처리가 수행되어 막 두께가 두꺼운 상도(上塗;위에 덧칠하는) 금도금 피막이 형성된다. 그러나 상기 치환 환원 타입의 무전해금도금에 의하여 형성된 금도금 피막은 하지 니켈 피막과의 밀착성이 나빠진다. 그 때문에, 상기 상도 금도금 피막과 금 배선이 접합 되는 와이어 본딩 처리를 하게 되면 접합 된 와이어가 하지 니켈 피막으로부터 쉽게 박리 된다는 문제가 있다. 또한, 도금액 중의 환원제의 분석·보충을 도금 작업중에도 수시로 수행하여야하는 문제가 있다.
상기 환원제를 포함한 치환 금도금액에 대하여 하지 금속용출억제제로서 작용하는 표면 산화 억제제를 포함한 치환 금도금액이 제안되고 있다. 이 치환 도금액에는 환원제가 포함되어 있지 않다(일본국 특재표 2004-38063호). 이 특허 문헌 에 기재되어 있는 금도금 처리에 의하면 도금 작업중에 있어서의 환원제의 분석·보충이 불필요하고 하지 금속용출이 억제되어 납땜 접합 강도가 개선된다고 기재되어 있다.
그러나 이 금도금 처리로 형성된 금도금 피막에 와이어 본딩을 실시하게 되면 접합 된 와이어가 쉽게 박리하게 되는데 이러한 문제점은 해결되지 않았다.
본 발명자는 상기의 문제를 해결하기 위하여 여러 가지로 검토한 결과, 시안화금 화합물과 수산(蓚酸) 및/또는 그 염을 함유하며 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 치환 무전해금도금액을 이용하여 형성되는 금도금 피막은 하지 금속에 대한 밀착성이 높다는 것을 알 수 있었다.
그 이유에 대하여 본 발명자는 다음과 같이 생각하였다. 즉, 일반적으로 치환형 무전해금도금액은 금도금 피막의 하지가 되는 니켈 피막의 부식을 억제하는 목적으로 하지 금속용출억제제가 배합되어 있다. 이 하지 금속용출억제제로 도금중에 니켈 피막 표면의 산화가 억제되고 니켈 피막 표면은 평활하게 유지된다. 이 평활한 니켈 피막 표면에 형성되는 금도금 피막은 니켈 표면이 평활하기 때문에 니켈 피막과의 밀착성이 떨어진다. 그 결과, 무전해 상도 금도금 처리 후, 이 상도 금도금 피막에 와이어 본딩하면 접합 된 와이어가 쉽게 박리 된다.
한편, 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 치환 무전해금도금액을 이용하여 니켈 피막에 금도금을 할 경우, 니켈 피막 표면은 도금중에 적당히 산화되어 표면에 요철을 발생시켜 표면적이 증가하게 된다. 따라서, 니켈 피막 표면에 도금하여 생기는 금도금 피막은 니켈 피막과의 접촉 면적이 증가하게 된다. 그 결과, 니켈 피막과 금도금 피막과의 밀착성이 좋아진다. 즉, 적당히 부식된 니켈 피막에는 이른바 적당한 앵커 효과가 있다는 것을 알아냈다.
이 앵커 효과에 의하여 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 도금액은 와이어 본딩 접합용 치환 무전해금도금액의 하지 금도금액으로서 우수하다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결한 무전해금도금액을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성을 위한 본 발명을 다음과 같이 기재한다.
[1] 시안화금 화합물과 수산 및/또는 그 염을 함유하고 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
[2] [1]에 있어서, 시안화금 화합물을 금 이온 농도로 0.5~10g/L, 수산 및/또는 그 염을 5~50g/L 함유하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
[3] [1]에 있어서, 하지 용출금속 은폐제(隱蔽劑)를 함유하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
[4] [3]에 있어서, 하지 용출금속 은폐제가 에틸렌 디아민사초산 및/또는 그 염인 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
[5] [1]에 있어서, 결정 조정제를 함유하고 상기 결정 조정제가 비소 화합물, 탈륨 화합물 및 납 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
본 발명의 무전해금도금액은 시안화금 화합물과 수산 혹은 그 염을 함유하고 하지 금속용출억제제를 포함하지 않기 때문에 이 도금액을 이용하여 도금을 수행하면 하지의 니켈 표면에 적당한 부식이 발생하여 표면적이 증가한다. 그 결과, 니켈 피막 표면과 금도금 피막과의 사이에 적당한 앵커 효과가 발생하여 상호 간의 밀착성이 좋아진다. 이 금도금 피막에 와이어 본딩된 와이어는 양호한 접합 강도를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 무전해금도금액을 이용하여 형성된 무전해금도금 피막에 대해 와이어 본딩 접합을 한 예를 나타내는 개략적인 설명 도이다.
도 2는 종래의 무전해금도금액을 이용하여 형성되는 무전해금도금 피막에 대해 도금 볼 접합을 한 예를 나타내는 개략적인 설명 도이다. 도 2(A)는 납땜 볼을 접합하기 전 상태를 나타낸다. 도 2(B)는 금도금 피막(26)에 납땜 볼(32)이 접합 된 후의 상태를 나타낸다.
부호 2는 동 배선기판의 동소지부(銅素地部); 4는 무전해니켈 피막; 6은 무전해금도금 피막; 8은 금 리드 선; 10은 니켈 피막과 금도금 피막과의 계면; 22는 동소지부; 24는 니켈 피막; 26은 무전해금도금 피막, 32는 납땜 볼; 34는 설더 레지스트이다.
이하, 본 발명의 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 치환 무전해금도금액에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 무전해금도금액은 필수 성분으로서 시안화금 화합물과 수산 및/또는 그 염을 함유한다.
시안화금 화합물로서는 시안화금 나트륨, 시안화금 칼륨 등이 바람직하다. 본 무전해금도금액 중의 금 이온 농도는 바람직하게는 0.5~10g/L, 더욱 바람직하게는 1~5g/L이다. 금 이온 농도가 0.5g/L 미만에서는 금도금 피막의 석출 속도가 작다. 10g/L 이상인 경우는 금도금 피막 석출과 관련한 문제는 없으나 금 이온 농도를 높여도 그에 상응하는 메리트도 없고 오히려 경제적인 측면에서 바람직하지 않다.
수산 및/또는 그 염의 농도는 바람직하게는 5~50g/L, 더욱 바람직하게는 10~30g/L이다. 수산 및/또는 그 염의 농도가 5g/L미만이거나, 또는 50g/L 이상이면 하지 금속인 무전해니켈 피막의 부식을 과도하게 발생시키는 경향이 나타난다. 염으로서는 나트륨염, 칼륨염이 바람직하다.
본 발명의 무전해금도금액은 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는다. 하지 금속용출억제제로서는 주 쇄 또는 고리 중에 질소 원자를 복수 개 포함하고, 한편 이들 질소 원자 중 1개 이상은 -NH- 구조인 유기 화합물이 알려져 있다. 구체적으로는 벤조트리아졸, 벤조이미다졸 및 메르캅트이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 하지 금속용출억제제가 무전해금도금액에 포함되어 있으면 금도금 피막의 석출 속도가 작아져 한층 더 니켈 피막 표면과 금도금 피막과의 사이의 밀착성이 나빠진다.
단, 상술한 바와 같이 치환형 무전해금도금액 안에는 니켈 피막의 부식을 억제하는 목적으로 하지 금속용출억제제를 함유하는 것이 있다. 이 하지 금속용출억제제를 함유한 치환형 무전해금도금액을 이용하여 니켈 피막 표면에 금도금을 할 경우 니켈 피막 표면은 평활하게 유지된다. 그 결과, 후처리로서 수행되는 무전해금도금 상도 처리 후, 이 상도 금도금 피막에 와이어 본딩하면, 접합 된 와이어와 금도금 피막과의 사이의 접합 강도가 부족하게 된다.
와이어 본딩 특성에 대하여 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다. 도 1은 동 배선기판상에 형성된 무전해니켈 피막에 본 발명의 무전해금도금액을 이용하여 하지 금도금 피막을 형성하고 더 나아가 정법(定法)에 의하여 상도 금도금 피막을 형성하는 것으로서 두께를 증가시킨 금도금 피막에 와이어 본딩 접합한 경우의 일례를 나타내는 개략적인 설명 도이다.
도 1에 있어서, 2는 미도시(未圖示)의 프린트 기판상에 형성된 동배선의 동소지부이다. 동소지부(2)의 표면에는 무전해도금으로 형성한 니켈 피막(4)이 적층되어 있다. 상기 니켈 피막(4)의 표면에는 무전해금도금 피막(6)이 형성된다. 금도금 피막(6)에는 금 와이어(8)가 와이어 본딩 접합 된다. 와이어 본딩 접합은 통상 초음파와 하중을 부여하는 것에 의하여 수행된다.
초음파와 하중을 부여하면 와이어(8)와 금도금 피막(6)과의 계면(10)에 있어서 마찰열이 발생한다. 이 마찰열에 의하여 금도금 피막(6)과 금 와이어 선(8)의 상호 접촉 면이 융착하여 금도금 피막(6)과 금 리드 선(8)은 접합 면에서 접합하게 된다.
본 발명의 무전해금도금액은 시안화금 화합물과 수산 및/또는 그 염을 함유하고 하지 금속용출억제제를 포함하지 않기 때문에 도금중에 니켈 피막(4)의 표면은 적당히 부식하게 된다. 그 결과, 도 1에 나타낸 바와 같이, 니켈 피막(4)과 금도금 피막(6)과의 계면(10)에는 미세한 요철이 형성된다. 니켈 피막(4)과 금도금 피막(6)과의 계면(10)에 형성된 미세한 요철은 양자의 계면에 있어서의 접촉 면적을 증가시킨다. 그 결과로 양자 간의 접착 강도가 향상된다.
이에 대하여 하지 금속용출억제제를 함유하는 종래의 치환형 무전해금도금액으로 금도금을 할 경우, 하지 금속용출억제제의 환원 작용에 의하여 니켈 피막 표면은 평활하게 유지할 수 있다. 그 결과, 금도금 피막과 니켈 피막(4)의 접촉 면적은 상대적으로 작은 상태로 유지된다. 따라서, 이 금도금 피막에 접합 된 와이어는 금도금 피막(6)과 니켈 피막(4) 간에서 박리 되기 쉬워진다.
도 2는 금도금 피막(26)에 납땜 볼 접합을 한 경우를 나타내고 있다. 도 2(a)는 납땜 볼을 접합하기 전의 상태를 나타내고 있다. 도 2중 22는 동소지부, 24는 무전해도금으로 형성된 니켈 피막, 26은 상기 니켈 피막(24)의 표면에 형성된 무전해금도금 피막이다.
도 2(B)는 금도금 피막(26)에는 납땜 볼(32)이 접합 된 후의 상태를 나타낸다. 이 경우, 납땜 볼(32)이 접합 된 부분의 금도금 피막(26)은 접합시에 납땜 볼(32) 내로 흡수되어 합금화 된다. 그 결과, 납땜 볼은 니켈 피막(24)에 직접 접합 된다. 니켈 피막(24)은 산화되지 않은 표면이 산화된 표면보다 납땜 볼(32)과의 접착성이 좋아진다. 따라서, 납땜 볼을 접합할 경우, 무전해금도금액에는 하지 금 속용출억제제를 첨가하여 니켈 피막(24)의 산화를 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 34는 솔더 레지스트이다.
본 발명의 무전해금도금액은 그 밖의 임의 성분으로서 하지 용출금속의 은폐제(킬레이트제), pH 완충제, 결정 조정제, 추가로 통상 금도금액에 첨가되는 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 이러한 첨가량은 일반적인 방법에 따른다.
하지 용출금속의 은폐제로서는 에틸렌 디아민사초산, 히드록시에틸이미노이 초산, 니트로삼초산 등의 이미노이초산 구조를 분자 내에 가지는 각종 킬레이트제, 및/또는 그 염이 바람직하다. 이들 중에서 에틸렌 디아민사초산이 특히 바람직하다. 무전해금도금액에서의 하지 용출금속의 은폐제의 농도는 바람직하게는 1~30g/L, 더욱 바람직하게는 3~10g/L 이다. 하지 용출금속의 은폐제의 농도가 1g/L 미만에서는 용출금속의 은폐 효과가 약하고 30g/L 이상이면 무전해니켈 피막의 부식을 일으키기 쉬워진다. 염으로서는 나트륨염, 칼륨염이 바람직하다.
pH 완충제로서는 인산염, 붕산염, 프탈산 염 등을 이용할 수 있다. 인산염으로서는, 예를 들면 인산 수소 칼륨, 인산 이수소칼륨 및 인산 수소이나트륨 등을 이용할 수 있다. 무전해금도금액에 있어서의 pH 완충제의 농도는 바람직하게는 1~50g/L, 더욱 바람직하게는 3~30g/L이다. 완충제 농도가 1g/L 미만의 경우는 pH의 변동이 크고 50g/L 이상인 경우는 특히 문제는 없으나 경제성이 없게 된다.
결정 조정제로서는 비소 화합물, 탈륨 화합물 및 납 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 1종을 들 수 있다. 비소 화합물, 탈륨 화합물 및 납 화합물로서는, 예를 들면 아비산, 비산, 초산 탈륨, 황산 탈륨, 질산 탈륨, 개미산탈륨, 마 론산탈륨, 초산납, 질산납 및 염화납 등을 이용할 수 있다.
본 발명의 무전해금도금액에서 비소 화합물, 탈륨 화합물 및 납 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 1종의 함유량은 합계가 바람직하게는 1~100mg/L, 더욱 바람직하게는 2~50mg/L 이다. 이들 결정 조정제의 함유량이 1mg/L 미만이면 평활한 결정 성장을 재촉하는 효과가 없고 100mg/L 이상이면 도금 외관이 나빠지는 경향이 있다.
본 발명의 무전해금도금액인 pH는 4.5~7.0이 바람직하고 5.0~6.5가 더욱 바람직하며 5.0~6.0이 특히 더 바람직하다. pH가 4.5 미만인 경우는 도금액의 안정성이 나빠진다. pH가 7.0 이상인 경우는 하지 금속을 부식시키는 경향을 나타낸다. pH는 수산화 칼륨, 수산화 나트륨 및 수산화 암모늄 등을 첨가하여 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명의 무전해금도금액은 액온(液溫; 액체의 온도) 60~95℃에서 사용 가능하지만 70~90℃에서 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 도금액의 온도가 60℃ 미만인 경우는 도금의 진행이 더디고 95℃ 이상이면 도금액이 분해되기 쉽다.
도금 시간은 도금 온도에도 관련되지만 통상 1~20분이 바람직하고 3~10분이 더욱 바람직하며 5분 정도가 통상적인 도금 시간이다.
실시예
본 발명에 대하여 실시 예를 참조하여 더욱 자세하게 설명한다.
[실시예 1]
솔더 레지스트를 사용하여 형성한 크기 50×50mm 의 동소지 미세 회로를 가 지는 수지제 테스트 기판(선 폭 50~100㎛, 본딩용 패드, 쉐어 강도용의 랜드 지름 0.6mm)를 준비했다. 이 테스트 기판상에 시판 중인 무전해니켈도금액(닛뽕카니젠 회사제품 SN-150)을 이용하여 두께 5㎛의 무전해니켈도금 피막을 형성했다. 이하, 이 무전해니켈도금을 수행한 기판을 니켈 도금 시료라고 칭한다.
순수(純水; 순수한 물)에 시안화금 칼륨을 Au로서 2g/L, 수산칼륨 일수화물을 20g/L, 에틸렌 디아민사초산을 5g/L, 인산 이수소칼륨을 5g/L 용해시켜서 하지 금도금용 치환 무전해금도금액을 조제했다.
이 하지 금도금액을 pH 5.0으로 조정하고 액온 85℃로서 상기 니켈 도금 시료를 이것에 5분간 침지하여 하지 금도금 처리를 수행했다. 이하, 이 하지 금도금 처리를 수행한 기판을 하지 금도금 시료라고 칭한다. 하지 금도금 시료를 도금액으로부터 꺼내서 막 형광 X선 두께 측정기로 석출 막 두께를 측정했다. 하지 금도금 시료의 금 막 두께는 0.05㎛였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 조제하여 얻은 도금액을 수산화 칼륨으로 pH 7.0으로 조정하고 액온 85℃로서 이것에 니켈 도금 시료를 5분간 침지했다. 5분 후에 하지 금도금 시료를 꺼내서 막 형광 X선 두께 측정기로 석출 막 두께를 측정했다. 하지 금도금 시료의 금 막 두께는 0.05㎛였다.
[비교예 1]
순수에 시안화금 칼륨을 Au로서 2g/L, 수산칼륨 일수화물을 20g/L, 에틸렌 디아민사초산을 5g/L, 인산 이수소칼륨을 5g/L, 벤조트리아졸을 5g/L 용해시켜 치 환 무전해금도금액을 조제했다.
이 수용액을 pH 5.0으로 조정하고 액온 85℃로서 니켈 도금 시료를 5분간 침지했다. 5분 후에 하지 금도금 시료를 도금액에서 꺼내어 막 형광 X선두께 측정기로 석출 막 두께를 측정했다. 하지 금도금 시료의 금 막 두께는 0.04㎛였다.
[비교예 2]
비교예 1에서 조제하여 얻은 도금액을 수산화 칼륨으로 pH 7.0으로 조정하고 액온 85℃로서 니켈 도금 시료를 5분간 침지했다. 5분 후에 도금액에서 하지 금도금 시료를 꺼내어 막 형광 X선두께 측정기로 석출 막 두께를 측정했다. 하지 금도금 시료의 금 막 두께는 0.03㎛였다.
[평가 시험]
실시예 1~2 및 비교예 1~2에서 얻어진 하지 금도금 처리 종료된 시료를 다시 환원 금도금액(엔이 캠 카트 회사제품 스퍼멕스 #850)을 이용하여 무전해금도금 상도 처리를 수행하고 금 막 두께를 0.5㎛로 했다. 이하, 이 상도 금도금을 수행한 기판을 상도 금도금 시료라고 칭한다. 얻어진 상도 금도금 시료에 대하여 와이어 본딩풀 강도 시험을 실시하여 표 1에 나타낸 시험 결과를 얻었다.
표 1중에서 와이어 접합 불능이란, 와이어 본딩을 20개 실시하여 와이어가 접합되지 않은개미산 수량을 나타낸다.
[실시예 3]
EDTA를 첨가하지 않는 이외는 실시예 1과 동일하게 하지 금도금용 치환 무전해금도금액을 이용하여 실시예 1과 동일하게 수행했다.
막 형광 X선두께 측정기로 석출 막 두께를 측정했다. 하지 금도금 시료의 금 막 두께는 0.05㎛였다. 금도금 피막의 성질과 상태는 실시예 1과 같았다. 동 실행을 3회 추가로 반복하였으나 이상은 발생하지 않았고 금도금 피막의 성질과 상태는 양호하였다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2
도금액 pH 5.0 7.0 5.0 7.0
85℃, 5분 도금 시의 금 막 두께 0.05㎛ 0.05㎛ 0.04㎛ 0.03㎛
와이어 본딩 시험결과
와이어 비접합 0/20 0/20 9/20 20/20
풀 강도(평균) 7.6g 7.3g 6.7g(접합한 것의 평균) --- 측정 불가
시험결과는 실시예 1~2가 비교예 1~2에 비하여 와이어 접합 개수, 풀 강도가 동시에 양호했다.

Claims (5)

  1. 시안화금 화합물과 수산 및/또는 그 염을 함유하고 하지 금속용출억제제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
  2. 제 1 항에 있어서,
    시안화금 화합물을 금 이온 농도로 0.5~10g/L, 수산 및/또는 그 염을 5~50g/L 함유하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
  3. 제 1 항에 있어서,
    하지 용출금속의 은폐제를 함유하는 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
  4. 제 3 항에 있어서,
    하지 용출금속은폐제가 에틸렌 디아민사초산 및/또는 그 염인 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    결정 조정제를 함유하고 상기 결정 조정제가 비소 화합물, 탈륨 화합물 및 납 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 와이어 본딩 접합용의 금도금 피막 형성용 무전해금도금액.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102286736A (zh) * 2011-08-29 2011-12-21 深圳市化讯应用材料有限公司 一种置换型化学镀金液
CN104540983B (zh) * 2012-10-04 2019-05-21 日本电镀工程股份有限公司 非氰系电解镀金液
CN109457239B (zh) * 2018-12-27 2021-08-17 吉安宏达秋科技有限公司 还原型非氰镀金液、镀金方法以及镀金产品
CN110344089B (zh) * 2019-06-26 2021-11-09 深圳市瑞世兴科技有限公司 一种亚硫酸金钠镀液及其电镀方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538461B2 (ja) * 1991-02-22 1996-09-25 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき方法
JP3146757B2 (ja) * 1993-05-26 2001-03-19 日立化成工業株式会社 置換金めっき液
JP2000087251A (ja) 1998-09-04 2000-03-28 Okuno Chem Ind Co Ltd 無電解金めっき液
JP4051513B2 (ja) * 1998-12-14 2008-02-27 奥野製薬工業株式会社 置換型無電解金めっき液
JP2003193250A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Meltex Inc 無電解金めっき液
JP4146180B2 (ja) * 2002-07-08 2008-09-03 富士フイルム株式会社 カメラ

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