KR20080016880A - 집적 칩 - Google Patents

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크리스토퍼 실프베니우스
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폭스탈 커뮤니케이션스 아베
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Abstract

본 발명은 데이터 통신, 원거리 통신, 및 하나 이상, 둘 이상의 파장에 대한 광학적 분석을 위한 집적 칩으로서, 발광에 사용될 수 있을 뿐만 아니라 광을 검출하는데 사용될 수 있는 것인 집적 칩에 관한 것이다. 본 발명은, 집적 칩(1)이 제1 포트(3)가 마련된 제1 도파로(2)를 포함하고, 제1 도파로(2)는 하나 이상의 제2 포트(5)가 마련된 하나 이상의 제2 도파로(4)와 하나의 제3 포트(7)가 마련된 하나의 제3 도파로(6)를 각각 향하는 방향에 있어서 제1 포트(3)로부터 확대되며, 제2 포트와 제3 포트는 소정의 간격을 두면서 서로 평행하게 배치되거나 또는 서로에 대해 소정의 각도를 이루도록 배치되고, 집적 칩(1)의 다양한 부품이 단일 집적화되는 것을 특징으로 한다.

Description

집적 칩{INTEGRATED CHIP}
본 발명은 데이터 통신 및 원거리 통신을 위한 집적 칩 또는 분석 용례를 위한 집적 칩에 관한 것으로서, 이러한 집적 칩은 레이저 등과 같이 파장 대역이 좁은 광원으로부터 또는 예컨대 광 다이오드 등과 같은 광대역 광원으로부터 광을 발하는데 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 레이저 광 혹은 다른 광원으로부터의 광, 예컨대 광 다이오드로부터의 광이나 생물학적 표본 등에서 발하는 광을 검출하는데 사용될 수 있다.
데이터 통신 및 원거리 통신의 경우, 레이저 및 광 다이오드는 광을 발하는데 사용되고, 광검출기는 광 도체를 따라 보내어진 광을 검출하는데 사용된다. 레이저 칩은 대개 보내려는 정보를 갖도록 변조된 레이저 광을 발하는데 사용되는 반면에, 칩 형태의 광검출기는 수신된 레이저 광을 검출하는데 사용된다. 전술한 기능성을 갖는 각 칩은 서로 다른 부품을 포함한다.
또한, 다수의 파장을 갖는 레이저 광을 송신 및 수신하는 것과 같은 여러 기능을 가진 복합 칩을 이용할 수도 있다. 기존의 방안을 사용하는 경우에는, 전술한 방식으로 여러 기능을 가진 칩을 형성하려면, 예컨대 실리콘으로 이루어진 하나의 공통 기판 상에, 별도의 레이저 다이오드, 광 다이오드, 포토 다이오드, 파장- 선택 프리즘, 도파로 등과 같은 수 개의 개별 부품을 많은 비용을 들어 매우 정밀하게 정렬하는 것을 이용할 필요가 있다.
따라서, 이러한 칩은 제조하는데 많은 비용이 들고 제조하기가 복잡한 것으로 알려져 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하여, 여러 기능으로 사용될 수 있는 동시에 공지의 칩에 비해 간단하고 저렴하게 제조되는 칩을 제공한다.
따라서, 본 발명은 데이터 통신, 원거리 통신, 및 하나 이상, 둘 이상의 파장에 대한 광학적 분석을 위한 집적 칩에 관한 것으로서, 이러한 집적 칩은 발광에 사용될 수 있을 뿐만 아니라 광을 검출하는데 사용될 수 있으며, 집적 칩은 제1 포트가 마련된 도파로를 포함하고, 이 도파로는 제2 포트가 마련된 제2 도파로와 제3 포트가 마련된 제3 도파로를 향하는 방향에 있어서 제1 포트로부터 확대되며, 제2 포트와 제3 포트는 소정의 간격을 두면서 서로 평행하게 배치되거나 또는 서로에 대해 소정의 각도를 이루도록 배치되고, 전술한 집적 칩의 다양한 부품이 단일 집적화되는 것을 특징으로 한다.
이하에서는, 첨부 도면에 도시된 본 발명의 실시예를 부분적으로 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 단일 집적 칩의 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 기본 구조의 단면도.
도 3은 본 발명이 적용된 광학 시스템에 있어서의 제1 기능을 개략적으로 보여주는 도면.
도 4는 본 발명이 적용된 광학 시스템에 있어서의 제2 기능을 개략적으로 보여주는 도면.
도 5는 다른 연결 기법을 보여주는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 두 개의 결합된 부품을 보여주는 도면.
전술한 바와 같이, 본 발명은 다수의 파장을 송신하고 수신하는 것 등과 같은 복수 개의 기능이 하나의 유닛에 집적되어 있는 단일 집적 칩에 관한 것이다.
하위 부품을 제조하는 재료로 직접 단일 집적화하는 방법을 달성하기 위한 기본 원리로서, 각각의 포함 부품의 성능 중 일부분이 희생되어야만 하며, 예컨대 포함되는 모든 부품에 적합한 공통의 기본 구조로 인하여 변조 속도의 제한 또는 내부 손실이 증대된다. 공통의 기본 구조는 임의의 개별적인 하위 부품의 기능에 대하여 최적화되지 않을 개연성이 있다.
그러나, 발생하는 손실 등은 기능성을 완전히 없애지는 않으며, 즉 손실은 남아 있는 성능이 소정 범위의 용례에 있어서의 기술적 요건을 충분히 충족시키도록 상기 기능성을 약간만 제한한다.
따라서, 본 발명은 데이터 통신, 원거리 통신, 및 하나 이상, 둘 이상의 파장에 대한 광학적 분석을 위한 집적 칩에 관한 것으로서, 이러한 집적 칩은 발광에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 예컨대 데이터 통신 및 원거리 통신을 위한 1480∼ 1600 nm 등과 같은 광역 스펙트럼에 걸쳐서, 또는 광학적 분석을 위한 다른 특정 범위에 걸쳐서 광을 검출할 수 있다
도 1은 입력 도파로와, 다중 모드 간섭계(MMI) 커플링, 그리고 출력부에 분포 궤환형(DFB) 레이저를 구비하는 본 발명에 따른 단일 집적 칩을 금속화 이전의 상태로 보여주는 개략도이다.
본 발명에 따르면, 칩(1)은 제1 포트(3)가 마련된 제1 도파로(2)를 포함하고, 광은 제1 포트 안으로 또는 제1 포트에서 밖으로 안내되도록 되어 있다. 제1 도파로(2)는 제2 포트(5)가 마련된 제2 도파로(4)와 제3 포트(7)가 마련된 제3 도파로(6)를 향하는 방향에 있어서 제1 포트(3)로부터 확대되며, 제2 포트(5)와 제3 포트(7)는 소정의 간격을 두면서 서로 평행하게 배치되거나 또는 서로에 대해 소정의 각도를 이루도록 배치된다. 제2 포트(5)와 제3 포트(7)는 광을 안과 밖으로 안내하도록 구성되어 있다. 본 발명에 따르면, 서로 다른 칩(1)의 부품이 단일 집적화된다.
본 발명에 따르면, 제1 도파로(2)의 확대부는 커플러의 하류에서 끝나서 2개 이상의 포트로 이어질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제2 도파로(4)와 제3 도파로(6) 각각은 각각의 격자부(9, 10)와 함께 RWG-DFB 레이저를 구성하는데, 이들 도파로가 구성하는 레이저는 서로 다른 파장으로 또는 동일한 파장으로 동조된다.
입사광을 검출하려면, 포토 다이오드 등과 같은 광검출기(25, 26)가 레이저 또는 광 다이오드 대신에 배치되거나, 광검출기가 DFB 레이저의 하류에 위치하여, 부품의 수명 동안에 레이저 또는 광 다이오드의 상태를 모니터하는 것이 바람직하다.
제2 바람직한 실시예에 따르면, 광 다이오드는 제1 도파로(2), 제2 도파로(4), 및/또는 제3 도파로(6)에 배치된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 도파로의 확대부(8)는 파장-선택 커플러를 포함하여, 동시에 양방향으로 작동할 수 있다. 이러한 방식에서는, MMI 커플러, 소멸파 결합기, 어레이 도파로 커플러 등과 같은 타입의 파장-선택 커플러가 사용되고, 이는 원칙적으로는 파워의 손실을 전혀 일으키지 않는데, 이는 소정 파장의 광이 모두 검출 대상 포트로 향하게 되고, 송신의 경우에는 역의 관계가 형성되기 때문이다.
그러나, 다중 모드 간섭계(MMI)를 사용하는 것이 바람직한데, 이는 다중 모드 간섭계가 안정적으로 생산될 수 있고 편광에 좌우되지 않도록 제조될 수 있기 때문이다. 또한, 다중 모드 간섭계는 여러 파장을 처리할 수 있고, 포트의 수를 변경할 수 있다. 또한, 낮은 비용으로 MMI를 제조할 수 있다. 또한, 입력 도파로가 분리되어 있거나 혹은 분리되어 있지 않은 소멸파 결합기도 MMI 커플러의 장점과 유사한 장점을 갖고, 나아가 포트로부터의 내부 반사가 전혀 없다. 소멸파 결합기는 2개 이상의 도파로를 포함할 수 있다.
MMI 도파로(8)는 입사 기반 모드가 보다 높은 등급의 여러 모드와 입사 기반 모드와의 조합으로 확장될 수 있게 한다. 발생하는 간섭 패턴은 MMI 도파로의 물리적 치수와 함께, 기본 구조의 두께 및 굴절률과 가공 처리 동안에 발생된 다른 물질의 두께 및 굴절률에 의존한다. 입력 포트로부터 소정 거리(MMI의 길이에 상응함)를 두고 떨어져 있는 두 개의 입사 파장은 각 출력 포트가 배치되는 서로 다른 위치(MMI의 폭에 비례)에 있어서 최대로 중첩되도록, 1x2 MMI를 구성할 수 있다. MMI와 그 밖의 커플러는 대칭 기능을 가질 수 있고, 즉 출력 포트가 광 입력부로서 기능할 수 있다면, 두 개의 입력 포트로부터의 광은 단일 출력 포트에 도입될 것이다. 또한, MMI와 소멸파 결합기는 편광에 좌우되지 않는 방식으로 구성될 수 있으며, 이는 중요한 점이다. 또한, MMI와 소멸파 결합기는 컴팩트하게 구성될 수 있는데, 이는 낮은 비용의 용례에 있어서 광 흡수를 줄이는데 중요한 점이다.
변형례에 따르면, 도파로의 확대부(8)는 "성형 커플러"라 알려진 것을 포함한다. 성형 커플러는 섬유로부터 입력되는 광 모드를 확대하므로, 두 개의 포트가 나란히 배치될 수 있다. DFB 필터 또는 다른 필터의 변형례가 평행한 포트들에 배치되므로, 단 하나의 파장만이 각 포트를 통과할 수 있다. 이는 간결한 방안이지만, 입력 광 파워의 대부분에 있어서 손실이 사라진다.
도파로의 확대부(8)가 성형 커플러를 포함하는 경우에, 도시 생략된 파장-선택 필터가 제2 포트(5)와 제3 포트(7)에 각각 형성된다.
도 2는 본 발명에 따른 기본 구조를 보여준다. 도 2에 도시된 예에서 기본 구조는 RWG 레이저를 제공하도록 가공 처리되어 있다.
MOCVD 또는 MBE를 이용하여 InP(또는 GaAs) 기판 상에 에피택셜 층을 제조한다.
기본 구조는 위로부터 아래로 향하는 방향으로, Ti/Pt/Au p-접점(11)과, p- InGaAs 접점 층(12)과, SiNx 또는 SiOx의 층(13)과, p-InP 클래딩 층(14)과, p-SCH:InGaAsP 또는 AlInGaAs의 층(15), 그리고 양자 우물(24)이 경계층으로 둘러싸여 이루어지거나 또는 양자 우물과 경계층이 모두 벌크 층(23)으로 대체되어 이루어진 층(16)을 포함한다. 층(16)은 도 2의 우측에 보다 상세히 도시되어 있는데, 우측의 상세한 도시를 통해, 층(16)이 예컨대 1310 nm의 파장을 생성하기 위해 양자 우물과 경계층이 교대로 배치되어 이루어진 1-24의 교대 층을 포함하거나, 또는 별법으로서 예컨대 1480 내지 1600 nm의 대역에 있는 1550 nm의 제2 파장을 생성하거나 검출하기 위해 양자 우물과 경계층이 교대로 배치되어 이루어지거나, 혹은 상기 두 가지 타입의 층이 모두 벌크 층으로 대체되어 이루어진 1-24의 교대 층을 포함한다는 것은 명백하다. 편광에 좌우되지 않는 광검출기를 확보하려면, 입사 신호의 TE 및 TM 모드에 있어서 동일한 감도를 갖는 벌크 층을 사용하는 것이 유익하다. 별법으로서, 편광에 좌우되지 않는 광검출기는, TE 및 TM 모드가 광검출기에서 동일한 정도로 흡수되도록 양자 우물 패키지 또는 벌크 층의 응력을 최적화하는 것을 통해 확보될 수 있다. 또한, 기본 구조는 n-SCH:InGaAsp 또는 AlInGaAs의 층(17)을 포함하고, 이에 이어서 예컨대 0.5 ㎛ 두께의 n-InP로 이루어진 버퍼 층(18)과 예컨대 1 ㎛ 두께의 n-클래딩 층이 마련된다. 그 아래에는 n-InP 기판(19)과, 예컨대 500 Å의 Ti-W로 이루어진 n-접점(20)이 위치하고, 이에 이어서 예컨대 1000∼4000 Å 두께의 Au가 마련된다. 또한, 예컨대 CuW, AlN 등으로 이루어진 솔더 층(21)과 기판(22)이 마련된다. 층(15 및 17)의 두께는 1.1 ㎛일 수 있고, 층(19)의 두께는 80 내지 120 ㎛일 수 있다. 도파로(2, 5, 7)의 폭은 5 내지 15 ㎛일 수 있다.
SiNx/SiOx 층은 생략될 수 있고, p-클래딩과 n-클래딩의 에칭 깊이는 서로 다를 수 있으며, 에칭 부위에서 재성장이 이루어지거나 에칭 부위에 PCBTM 또는 유사한 폴리머가 채워질 수 있다. MMI의 경우에 동일한 공정이 사용되지만, 도파로의 폭은 100 ㎛ 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 기본 구조는 금속 유기 화학 증착(MOCVD), 또는 분자빔 에피택시(MBE) 등과 같은 종래의 방법에 의해 제조될 수 있으며, 공통의 에칭 깊이를 갖는 하위 부품으로 충분한 기능성을 확보할 수 있다면, 이후의 공정 단계의 수는 매우 낮은 수로 유지될 수 있다. 물론 여러 에칭 깊이를 사용할 수 있고, 이는 시스템의 성능을 향상시킬 수 있지만, 이는 제조 비용을 다소 증대시키며, 매우 저렴한 제조 비용이 중요한 경우에는 예컨대 CD-롬 레이저의 레벨에서 장애를 일으킬 수 있다. 그러나, 시스템의 부품인 하위 부품 사이를 광학적 및 전기적으로 절연하는 데에는 보다 큰 에칭 깊이가 필요할 수 있다.
상기 기본 구조를 레지스트로 피복하고, E-빔, 리소그래피 또는 간섭 패턴으로 패턴을 형성하며, 이후에 건식-에칭 또는 습식-에칭을 행하여 도파로 구조를 제공할 수 있다.
에칭은 p-접점 층, p-클래딩, 능동 도파로, 또는 n-클래딩에서 종료될 수 있다.
관련 부위에서, 이러한 구조는 이후에 저항성 InP, GaAs, InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs의 재성장 절차를 받거나, PCB 또는 유사한 폴리머가 부분적으로 도파로의 에지에 미치도록 혹은 도파로의 에지 위에 피복될 수 있으며, 또는 접점 표면(패드)가 형성된 추가적인 레지스트 피복이 뒤이어 증착 또는 스퍼터링 코팅에 의해 대략 500 Å의 Ti, 500 Å의 Pt 및 1000∼4000 Å의 Au로 피복될 수 있고, 이후에 추가적인 레지스트 피복은 금속 리프트-오프 처리를 받는다.
관련 부위에서, 이러한 구조는 이후에 질화규소, 산화규소, 또는 그 밖의 유전체 재료로 피복될 수 있고, 이후에 질화규소 등이 점진적으로 개방되어, 이후의 금속화부가 나머지 영역에서는 접촉이 차단된 채로, 선택 영역에서 반도체와 직접 접촉하게 된다.
그 후, 이러한 구조는 이면 측이 스퍼터-코팅(증착)에 의해 500 Å의 Ti-W 합금 및 1000∼4000 Å의 Au로 금속화되기 이전에 이면 측으로부터 얇아져서 총 두께가 80∼120 ㎛가 되도록 연마될 수 있다. 또한, 관련 부위에서, 이면 측에는 증착 또는 스퍼터링에 의해 4000∼8000 Å 두께의 Au-Sn 공융 합금이 피복될 수 있다.
기본적으로 칩의 구성에 관해서는 3가지 변형례가 있다.
제1 변형례는 광을 도파로에 대해 약하게 결합시키는 "돌출 도파로(RWG)"로 알려진 얕은 도파로에 기초한다. 이 방법은 예컨대 980 nm의 펌프 레이저의 대량 생산에 사용된다는 점과, 고감도 능동 층이 끝까지 에칭되지 않는다는 점이 장점이다. 또한, 접점 금속과 반도체 사이에 SiNx 또는 SiOx 유전체를 구비하지 않는 RWG 레이저의 변형례를 통해 양호한 결과가 얻어지며, 이 경우에 전류는 에칭되어 없어진 영역, 즉 도파로 측에서 원칙상 금속으로부터 반도체까지 통과할 수 있다. 그러나, 실제로 전류는 도파로의 상부에 있는 고준위 도핑된 p-접점 층에만, 즉 에칭되어 없어지지 않은 부분에만 흐른다.
또한, SiNx 또는 SiOx 재료에 종종 나타나는 응력은 시간이 지남에 따라 반도체 재료를 떼어놓고 부품의 상태를 저하시킬 가능성이 있다. 중간 유전체가 없는 경우에 매우 안정적인 부품이 제공되었다. 낮은 제조 비용을 달성하는 것의 주요 장점은, 정확한 위치에서 반도체와 접촉할 수 있게 하도록 SiNx 또는 SiOx 재료에 개구를 형성하는 까다로운 가공 처리 단계들을 사용할 필요가 없다는 것이다. 별법으로서, 단 하나의 현저히 덜 까다로운 단계, 즉 리소그래피에 의해 접점 패드를 +/- 2∼10 ㎛의 정밀도로 형성하는 단계만이 유지된다. 이는 접점 개구의 제조 정밀도가 +/- 1∼2 ㎛인 경우에 대비된다.
또한, 이후에 Ti-Pt-Au 등으로 피복될 표면 상에 레지스트가 존재하는 단계가 줄어드는데, 이러한 단계에서 레지스트와 관련된 잔류물이 종종 접촉 저항을 증대시키거나 심지어 수율을 급격히 저하시키며, 그 이유는 레지스트와 관련된 잔류물이 제조 중에 검출하기가 곤란하고, 투명하며, 두께가 기꺼해야 대략 10∼50 Å이기 때문이다.
제2 변형례는 SiNx/SiOx 또는 PCB 또는 다른 폴리머를 유전체로서 구비하는 980 nm 타입의 펌프 레이저에 따른 표준 RWG 공정이다. 이 변형례는 전술한 제1 실시예보다 많은 비용이 들지만, 다소 더 나은 성능을 제공한다.
제3 변형례는 능동 도파로를 보다 깊게 끝까지 에칭하고, MOCVD 또는 HVPE를 이용하여 부품에 저항성 InP를 재성장시키는 것이다. 이 변형례는 보다 뛰어난 부품 성능을 제공하지만, 동시에 가장 많은 비용이 드는 제조 변형례이다. 그러나, 가장 뛰어난 성능을 제공한다.
본 발명의 집적 칩은 전술한 모든 변형례에 따라 제조될 수 있다.
에칭은 건식 에칭 또는 습식 에칭으로 수행될 수 있으며, 마스크 형성은 리소그래피 또는 전자빔 패턴 생성을 이용하여 실시될 수 있다. DFB 및 분포 브래그 격자(DBG)는 전자빔 패턴 생성을 이용하여 또는 광학 간섭에 의해 형성될 수 있다. 가장 직접적인 제조 방법은 모든 도파로 타입, 모든 DFB 및 모든 DBG를 동시에 형성하기 위해 전자빔 패턴 생성을 이용하고, 이와 더불어 에칭에 의해 동일한 공정 단계로 도파로, DFB 및/또는 DBG를 생성하는 건식 에칭 공정을 행하는 것이다.
그러나, 적절한 습식 에칭 방법을 이용하는 것을 배제할 수는 없다.
MMI 및 소멸파 결합기는 설계의 관점에서 융통성이 있으며, 다양한 수의 포트 및 다양한 파장 감도를 갖는 다수의 변형례로 제조될 수 있다. 예컨대 상업적으로 관심을 끌고 있는 사례인, 1490 nm의 신호를 수신하는 하나의 포트가 부가되어 있고 이 포트에 포토 다이오드가 설치되어 있는 사례를 가정할 수 있으며, 이러한 방식에서는 "삼중 구조"로 알려진 것이 만들어질 수 있다. MMI 및 소멸파 결합기는 대개 정착부에 위치하여 1550 nm의 데이터를 수신하고 1310 nm의 데이터를 송신하며(두 경우 모두 데이터는 디지털로 코딩됨), 또한 아날로그 방식으로 코딩된 1490 nm의 케이블-TV 신호를 수신한다. 집적 칩은 정보를 1550 및 1490 nm로 송신하고 1310 nm로 수신하는 링크의 타측에서도 동일한 방식으로 제조될 수 있다.
격자에 의해 캐비티가 충분히 형성된 무-파셋(facet-free) 레이저와, 제조 중에 서로 직접적으로 정렬되는 MMI 도파로의 변이에 대해 전방으로 직접 안내되는 광을 조합하면, 또 다른 용례에 대한 기회가 열린다. 예를 들어, 이러한 한 가지 다른 용례는, 예컨대 ITU 채널을 따라 서로 다른 발진 파장 λN을 갖는 N개의 레이저에 N개의 출력부가 연결된 1xN MMI를 구비하며, 이 용례는 아마도 다른 방안에 비해 파장의 드리프트에 관하여 더 안정적일 것이다. 또한, 모든 파장을 항상 이용할 수 있고, 이러한 방식에서는 동조 가능한 용례에서 파장을 변경하는데 걸리는 시간이 원칙상 제로이다. 별법으로서, N개의 채널을 동시에 사용할 수 있거나, 또는 N/2개의 채널을 동시에 사용하고 N/2개의 채널이 이후에 백업 대체물의 역할을 할 수 있다. 또한, 대형 MMI 또는 다른 커플러와 관련된 보다 특수한 요건에 맞춰 설계 또는 제조될 수 있는 유닛에 있어서 파장의 제어 또는 도파로의 제어를 분리하는 것이 유익하다면, MMI 및 소멸파 결합기를 캐스케이드-결합하는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 집적 칩(1)의 사용례를 보여준다. 단일-모드 섬유(27)는 2개의 파장의 광, 즉 1310 nm의 파장(또는 1260∼1360 nm의 대역에 있는 유사한 파장)의 광과 1550 nm의 파장(또는 1480∼1600 nm의 대역에 있는 유사한 파장)의 광을 각각 제1 포트(3)로 그리고 제1 포트(3)로부터 안내한다. 1310 nm의 파장은 제2 도파로(4)로 향하는 반면에 1550 nm의 파장은 제3 도파로(6)로 향하도록 MMI(1)에서 광이 선택된다. 상응하는 방식으로, 1310 nm의 파장을 갖는 광은 제2 도파 로(4)에서 레이저에 의해 생성되고, 1550 nm의 파장을 갖는 광은 제3 도파로(6)에서 레이저에 의해 생성된다. 가장 일반적인 용도는 하나의 파장으로 송신하고 하나의 파장으로 수신하는 것이다.
도 4는 도 3에 도시된 것과 기본적으로 동일한 것을 보여주지만, 도 4의 MMI(1)는 레이저 또는 광검출기로서 구성된 3개의 평행한 도파로(28, 29, 30)를 구비하도록 구성되어 있다. 단일-모드 섬유(27)에 있어서의 입사광은, 예컨대 2개의 서로 다른 파장, 예를 들면 1490 nm와 1550 nm의 파장을 가질 수 있다. MMI, 즉 3개의 도파로(28, 29, 30)의 각 도파로에 의해 3개의 서로 다른 파장이 선택되며, 이러한 파장의 송신은 1310 nm로 실시된다(또는 1310 nm을 수신하면서, 1490 nm와 1550 nm를 송신함).
도 5는 4개의 서로 다른 파장을 갖는 단일-모드 섬유(2)에 있어서의 입사광이 도파로(34, 36)에 격자부를 구비하지 않는 제1 MMI(30)에서 나누어져, 4개의 파장 중 2개의 파장이 제1 도파로(34)에 대해 선택되고, 나머지 2개의 파장이 제2 도파로(36)에 대해 선택되는 커플링을 보여준다. 도파로(32)는 광을 제2 MMI(31)로 안내하고, 도파로(33)는 광을 제3 MMI(32)로 안내한다. 단 하나의 파장의 광이 도파로(37∼40) 각각에 대해 선택되도록, 광이 제2 MMI(31)와 제3 MMI(32) 각각에서 나누어진다. 도파로(37∼40)는 관련 파장용의 레이저를 포함할 수 있다. 이 커플링은 재귀적이므로, 각 포트는 송신기 또는 수신기로서 구성될 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 두 개의 결합된 부품을 보여준다. 이러한 부품은 웨이퍼 상에서 직접적으로 제어 계측하기 위해 분열하기 이전에는, 하나의 유닛으로 제조되어 있는 두 개의 부품(1)을 사용함으로써 얻어질 수 있으며, 이는 제조 비용을 감소시킨다.
다수의 실시예를 전술하였다. 당업자가 이들 실시예를 특정 용도에 맞게 변경할 수 있다는 것은 명백하다.
한 가지 용례는 샘플을 생물학적으로 분석하는 것인데, 이러한 용례에서는 광역 스펙트럼을 갖는 광원(1100∼2000 nm의 광 다이오드)이나 또는 파장 대역이 좁은 하나 또는 수 개의 스펙트럼을 갖는 광원(레이저)를 이용하여 광을 조사(照射)하고, 샘플에서 발하는 광은 파장-선택 커플러를 통해 특유의 광검출기로 안내된다. 또한, 다중 채널 파장-선택기 등과 같은 다른 타입의 커플러를 사용하여, 파장 선택을 수 개의 포트로 증대시킬 수 있다는 것도 고려할 수 있다. 광 다이오드 또는 레이저를 통해 (1100∼2000 nm) 광을 검출하고 발광하기 위한 수광 영역은, 포토 다이오드를 위한 부대역 흡수를 통해 그리고 광 다이오드 및 레이저의 능동 영역(> 2000 nm)에서 캐스케이드-결합을 사용함으로써, 증대될 수 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되는 것으로 간주되지 않는데, 이는 본 발명이 첨부된 청구범위의 범위 내에서 변경될 수 있기 때문이다.

Claims (11)

  1. 데이터 통신, 원거리 통신, 및 하나 이상, 둘 이상의 파장에 대한 광학적 분석을 위한 집적 칩으로서, 이러한 집적 칩은 발광에 사용될 수 있을 뿐만 아니라 광을 검출하는데 사용될 수 있으며,
    집적 칩(1)은 제1 포트(3)가 마련된 제1 도파로(2)를 포함하고, 제1 도파로(2)는 하나 이상의 제2 포트(5)가 마련된 하나 이상의 제2 도파로(4)와 하나의 제3 포트(7)가 마련된 하나의 제3 도파로(6)를 각각 향하는 방향에 있어서 제1 포트(3)로부터 확대되며, 제2 포트와 제3 포트는 소정의 간격을 두면서 서로 평행하게 배치되거나 또는 서로에 대해 소정의 각도를 이루도록 배치되고, 집적 칩(1)의 다양한 부품이 단일 집적화되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  2. 제1항에 있어서, 제2 도파로(4)와 제3 도파로(6) 각각은 격자부(9, 10)를 포함하고, 이에 의해 각 도파로가 레이저를 구성하며, 두 개의 레이저가 동일한 파장 또는 서로 다른 파장으로 동조되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  3. 제1항에 있어서, 광 다이오드는 제1 도파로(2), 하나 이상의 제2 도파로(4), 및/또는 제3 도파로(6)에 배치되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 레이저(4, 6) 대한 모니터로서 레이저의 하류에 설치되거나 또는 레이저를 대신하여 설치되는 포토 다이오드 등과 같은 광검출기(25, 26)가, 입사광을 검출하기 위해 배치되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 도파로(2)의 확대부에 소멸파 결합기가 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 도파로(2)의 확대부에 MMI가 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 도파로(2)의 확대부에 "성형 커플러"로 알려진 것이 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  8. 제7항에 있어서, 제2 포트(5)와 제3 포트(7) 각각에는 파장-선택 필터(25, 26)가 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 집적 칩(1)은 InGaAsP 또는 AlInGaAs로 이루어진 두 개의 층(15, 17)을 포함하고, 상기 두 개의 층 사이에는, 경계층(23)으로 둘러싸인 양자 우물(24)로 이루어진 적층체 또는 양자 우물과 경계층이 벌크 층으로 대체되어 이루어진 적층체가 존재하는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  10. 제9항에 있어서, 양자 우물(24) 또는 벌크 층은 InGaAsP 또는 AlInGaAs로 형성되고, 경계층(23)은 InGaAsP 또는 AlInGaAs로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 도파로(2)의 확대부는 커플러의 하류에서 끝나서 2개 이상의 포트로 이어질 수 있는 것을 특징으로 하는 집적 칩.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150097306A (ko) * 2014-02-18 2015-08-26 삼성전자주식회사 실리콘 기판 상에 반도체 광증폭기와 통합 형성된 양자점 레이저 소자
WO2017222094A1 (ko) * 2016-06-23 2017-12-28 주식회사 포벨 반도체 레이저 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL166810A0 (en) * 2005-02-10 2006-01-15 Univ Ramot All-optical devices and methods for data processing
SE534300C2 (sv) * 2009-12-04 2011-07-05 Ekklippan Ab Integrerat chip innefattande laser och filter
SE534346C2 (sv) * 2009-12-04 2011-07-19 Ekklippan Ab Integrerat chip innefattande dike
SE0950938A1 (sv) * 2009-12-04 2011-06-05 Ekklippan Ab Optisk kopplare
JP5742344B2 (ja) * 2011-03-20 2015-07-01 富士通株式会社 受光素子、光受信器及び光受信モジュール
US9748427B1 (en) * 2012-11-01 2017-08-29 Hrl Laboratories, Llc MWIR photodetector with compound barrier with P-N junction
JP6798313B2 (ja) * 2014-10-02 2020-12-09 日本電気株式会社 リブ型光導波路およびそれを用いた光合分波器
GB2534917B (en) * 2015-02-05 2017-09-27 Toshiba Res Europe Ltd A quantum communication system and a quantum communication method
US10481333B2 (en) * 2017-07-06 2019-11-19 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Athermal silicon photonics wavelength locker and meter
CN111326950B (zh) * 2020-03-03 2021-06-08 中国科学院半导体研究所 基于电极光栅的双波长可调谐半导体激光器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6089990A (ja) * 1983-10-21 1985-05-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光集積回路
JPS60176289A (ja) * 1984-02-22 1985-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 光集積回路
JPS63160391A (ja) * 1986-12-24 1988-07-04 Toshiba Corp 分布帰還型半導体レ−ザ装置
DE3931588A1 (de) * 1989-09-22 1991-04-04 Standard Elektrik Lorenz Ag Interferometrischer halbleiterlaser
JPH04196272A (ja) * 1990-11-27 1992-07-16 Mitsubishi Electric Corp 光集積デバイス
JPH04207078A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Fujitsu Ltd 光半導体装置
DE4130047A1 (de) * 1991-09-10 1993-03-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum betreiben eines halbleiterbauelements als optisches filter und halbleiterbauelement zur durchfuehrung des verfahrens
DE4223175A1 (de) * 1992-07-15 1994-01-20 Sel Alcatel Ag Endstelleneinrichtung für simultanen bidirektionalen optischen Informationsaustausch
JPH07142699A (ja) * 1993-11-19 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体光集積素子及びその製造方法
JPH07307516A (ja) * 1994-05-13 1995-11-21 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 波長可変半導体レーザ装置
JPH08201648A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波回路
US5987050A (en) * 1998-11-16 1999-11-16 Lucent Technologies, Inc. Laser transmitter based on a coupler and having a controlled output port
US6767515B2 (en) * 2000-06-20 2004-07-27 The Regents Of The University Of California Tunable laser cavity sensor chip
SG93242A1 (en) * 2000-06-21 2002-12-17 Univ Singapore Multi-wavelength semiconductor lasers
JP2002164608A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置およびその製造方法
WO2002078144A1 (fr) * 2001-03-27 2002-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur et procede de tirage de cristal
GB0201950D0 (en) * 2002-01-29 2002-03-13 Qinetiq Ltd Multimode interference optical waveguide device
US7006719B2 (en) * 2002-03-08 2006-02-28 Infinera Corporation In-wafer testing of integrated optical components in photonic integrated circuits (PICs)
US20040105476A1 (en) * 2002-08-19 2004-06-03 Wasserbauer John G. Planar waveguide surface emitting laser and photonic integrated circuit
CA2462178C (en) 2002-10-08 2012-04-03 Infinera Corporation Transmitter photonic integrated circuit (txpic) chips
JP4149245B2 (ja) * 2002-10-11 2008-09-10 矢崎総業株式会社 給電装置とそれを用いたハーネス配索構造
EP1458069A1 (en) 2003-03-12 2004-09-15 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Widely tunable DBR laser source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150097306A (ko) * 2014-02-18 2015-08-26 삼성전자주식회사 실리콘 기판 상에 반도체 광증폭기와 통합 형성된 양자점 레이저 소자
WO2017222094A1 (ko) * 2016-06-23 2017-12-28 주식회사 포벨 반도체 레이저 장치

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