KR20080015121A

KR20080015121A - 스피커

Info

Publication number: KR20080015121A
Application number: KR1020077029954A
Authority: KR
Inventors: 오사무 후나하시
Original assignee: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date: 2006-02-06
Filing date: 2007-02-05
Publication date: 2008-02-18
Also published as: JP2007208877A; CN101326854A; EP1892996A1; EP1892996A4; CN101326854B; US20090080686A1; WO2007091513A1; US7974434B2; JP4735299B2

Abstract

프레임(5)과, 이 프레임(5)에 지지된 자기 회로(1)와, 이 자기 회로(1)에 마련된 자기 갭(8)에 대하여 자유롭게 진폭 운동가능하게 배치된 보이스 코일체(2)와, 외주부가 프레임(5)에 제 1 에지(4)를 거쳐서 접속되고, 내주부가 보이스 코일체(2)에 접속된 진동판(3)과, 이 진동판(3)보다 자기 회로(1)측에 마련되고, 내주부가 보이스 코일체(2)에 접속된 댐퍼(10)와, 이 댐퍼(10)의 외주부를 프레임(5)에 접속한 제 2 에지(11a)를 구비하며, 제 2 에지(11a)를, 진동판(3)측, 또는 그 반대측으로 돌출하는 구조로 하는 동시에, 이 제 2 에지(11a)에는, 적어도 이 제 2 에지(11a)의 돌출 방향과는 반대 방향의 돌출 구조를 갖는 제 3 에지를 결합시킨 스피커이다. 왜곡이 작고, 구동 효율이 높은 스피커를 제공할 수 있다.

스피커, 진동판, 돌출 구조

Description

스피커{SPEAKER}

본 발명은 스피커에 관한 것이다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 종래의 스피커는, 진동판(3A)과, 자기 회로(1A)내의 갭을 자유롭게 진폭 운동가능하게 배치되고, 진동판(3A)의 내주 단부에 접속되는 보이스 코일체(2A)와, 진동판(3A)의 외주 단부에 에지(4A)를 거쳐서 접속되는 프레임(5A)과, 진동판(3A)의 이면에 배치되는 서스펜션 홀더(6A)와, 서스펜션 홀더(6A)와 프레임(5A)을 접속하는 에지(7A)를 갖는 구조이었다. 또, 에지(4A)와 에지(7A)를 서로 역방향으로 돌출시키는 구조로 함으로써 진동판(3A)의 상하 진폭을 상하 대칭으로 하여, 스피커에 있어서의 왜곡을 저감시키고 있었다. 또한, 이 출원 발명에 관련되는 선행기술 문헌 정보로서는, 예컨대 특허문헌 1이 공지되어 있다.

도 8에 도시한 스피커는 진동판(3A)을 확실하게 지지하는 서스펜션 홀더(6A)를 이용하고 있으므로 질량이 커진다. 대출력을 가하는 저음용으로서는 질량이 커지는 것 자체가 지나치게 문제가 되는 일은 적지만, 중고음용으로서는 질량 증가에 의해 구동 효율이 낮아지는 것이 문제가 된다.

특허문헌 1 : 일본 공개 특허 공보 제 2004-7332 호

본 발명의 스피커는, 프레임과, 이 프레임에 지지된 자기 회로와, 이 자기 회로에 마련된 자기 갭에 대하여 자유롭게 진폭 운동가능하게 배치된 보이스 코일체와, 외주부가 프레임에 제 1 에지를 거쳐서 접속되고, 내주부가 보이스 코일체에 접속된 진동판과, 이 진동판보다 자기 회로측에 마련되고, 내주부가 보이스 코일체에 접속된 댐퍼와, 이 댐퍼의 외주부를 프레임에 접속한 제 2 에지를 구비하며, 제 2 에지를 진동판측 또는 그 반대측으로 돌출하는 구조로 하는 동시에, 이 제 2 에지에는, 적어도 이 제 2 에지의 돌출 방향과는 반대 방향의 돌출 구조를 갖는 제 3 에지를 결합시킨 스피커이다. 이러한 구성에 의해, 스피커의 상하 진폭을 상하 대칭으로 하여, 스피커의 왜곡을 억제할 수 있는 동시에 경량화에 의해 구동 효율을 향상시킬 수 있는 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 스피커의 단면도,

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 스피커의 주요부의 확대 단면도,

도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 스피커의 단면도,

도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서의 스피커의 단면도,

도 5는 본 발명의 더욱 다른 실시형태에 있어서의 스피커의 단면도,

도 6은 본 발명의 일 실시형태의 스피커에 있어서의 결합 에지와 그 주변의 부분 단면도,

도 7은 본 발명의 다른 실시형태의 스피커에 있어서의 결합 에지와 그 주변의 부분 단면도,

도 8은 종래의 스피커의 단면도.

(부호의 설명)

1 : 자기 회로 2 : 보이스 코일체

3 : 진동판 4 : 제 1 에지

5 : 프레임 8 : 자기 갭

10 : 댐퍼 11a, 11d : 제 2 에지

11b, 11c, 11e : 제 3 에지 11f, 11m : 결합 에지

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 스피커를 도시하는 단면도이다. 절구(bowl)형상의 프레임(5)의 바닥부 중앙에 배치된 자기 회로(1)는 원판형상 마그네트(1a), 원판형상 플레이트(1b), 원통형의 요크(yoke)(1c)를 조합하여 접착함으로써 형성된다. 요크(1c)의 측벽 부분의 내주 측면과 플레이트(1b)의 외주 측면 사이에서, 자기 회로(1)에 있어서의 상면측을 향해서 개구된 원통형의 자기 갭(8)이 형성되어 있다.

보이스 코일체(2)는 원통형의 본체(2a)의 외주부에 코일(2b)이 권취된 구조이다. 자기 갭(8)에 대하여 상하 방향으로 운동가능하게 배치된 보이스 코일체(2)가 얇은 접시형상의 진동판(3)을 진동시키는 것에 의해 음이 재생된다. 또, 보이스 코일체(2)의 상단 부분에는 방진 대책으로서의 더스트 캡(9)이 마련되어 있다.

진동판(3)은 스피커의 발음원이며, 높은 강성과 적절한 내부 손실을 양립한 펄프 및 수지를 주요 재료로 하여 제작된다. 진동판(3)의 외주 단부 부분은 상방으로 돌출한 제 1 에지(4)[이하, 에지(4)라고 기재함]를 거쳐서 프레임(5)의 개구 단부 부분에 접속되고, 또 진동판(3)의 내주 단부 부분은 보이스 코일체(2)의 본체(2a)의 외주측에 고정되어 있다. 또, 에지(4)는 진동판(3)에 동적 부하(dynamic load)를 가하지 않도록 발포 수지, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다. 발포 수지로서는 발포 우레탄 수지, 발포 고무 등을 들 수 있다.

도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이, 댐퍼(10)의 내주 단부 부분은 보이스 코일체(2)의 본체(2a)의 외주측이고, 또한 진동판(3)을 고정한 부분보다도 자기 회로(1)측에 접속된다. 즉, 도 1에서는, 진동판(3)을 고정한 위치보다도 하측에 댐퍼(10)가 접속된다. 한편, 댐퍼(10)의 외주 단부 부분은 댐퍼(10)와는 별체인 제 2 에지(11a)[이하, 에지(11a)라고 기재함]를 거쳐서 프레임(5)에 접속된다.

또, 이 댐퍼(10)는 링형상의 골함석 구조로 되어 있고, 보이스 코일체(2)의 운동에 대응하여 신축한다. 또한, 진동판(3)에 마련된 에지(4)와 마찬가지로, 진동판(3)에 큰 동적 부하를 가하지 않도록 발포 우레탄 수지, 발포 고무, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다. 에지(11a)는 프레임측(즉, 하방), 또는 진동 판(3)측(즉, 상방)중 어느 하나의 방향으로 돌출하는 구조이어도 좋다. 단지, 에지(11a)는 에지(4)와는 반대 방향으로 돌출한다. 본 실시형태에서는 에지(4)를 도 1과 같이 상방으로 돌출한 단면 반원형상으로 하고 있으므로, 에지(11a)는 하방, 즉 프레임(5)측으로 돌출하고 있고, 그 단면은 반원형상이다.

본 실시형태의 스피커에서는, 이 에지(11a)에, 적어도 이 에지(11a)의 돌출 방향과는 반대 방향의 돌출 구조를 갖는 제 3 에지(11b)[이하, 에지(11b)라고 기재함]가 접합되어 있다. 이 에지(11b)도 진동판(3)에 큰 동적 부하를 가하지 않도록 발포 수지, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다. 발포 수지로서는 발포 우레탄 수지, 발포 고무 등을 들 수 있다. 또, 본 실시형태에서는 에지(11a)가 도 1과 같이 하방으로 돌출한 반원형상의 단면으로 하고 있으므로, 이 에지(11b)는 그 반대측의 상방으로 돌출하는 반원형상의 단면으로 하고 있다.

여기서, 제 1 에지(4), 제 2 에지(11a) 및 제 3 에지(11b)의 각각의 탄성률은 이하의 관계인 것이 바람직하다. 즉, 제 1 에지(4)의 탄성률을 가장 작게 하고, 제 2 에지(11a)의 탄성률을 가장 크게 하고, 또한 제 3 에지(11b)의 탄성률을 제 1 에지(4)의 탄성률과 제 2 에지(11a)의 탄성률의 중간으로 설정하고 있다. 이와 같이 설정한 이유에 대해서는 이후에 상술한다. 여기에서, 탄성률이 작아질수록 에지는 연해지고, 탄성률이 커질수록 에지는 단단해진다.

본 실시형태의 스피커에 있어서, 보이스 코일체(2)의 코일(2b)에 음성 신호를 인가하면, 자기 갭(8)의 자계와 반응하여, 보이스 코일체(2)가 상하 방향으로 운동하고, 이 운동에 의해 진동판(3)이 진동하여 음이 발생한다. 이때, 댐퍼(10) 의 외주 단부 부분에 에지(11a)에 부가하여 에지(11b)를 마련함으로써 스피커의 왜곡이 억제되고, 스피커의 구동 효율을 높일 수 있었다.

댐퍼(10)는, 본래 그 내주 단부가 보이스 코일체(2)에 접속되고, 외주 단부가 프레임(5)에 접속됨으로써, 보이스 코일체(2)의 운동시에 있어서의 롤링(rolling)을 억제하는 것이다. 그 때문에, 댐퍼(10)는 보이스 코일체(2)의 운동에 추종하기 용이하게 하기 위해서 링형상의 골함석 구조이고, 탄성을 갖게 하고 있다.

이와 같이 링형상의 골함석 구조로 하면, 진폭량이 작을 때에는, 보이스 코일체(2)의 운동에 큰 부하로 되는 일은 적지만, 보이스 코일체(2)의 진폭량이 커짐에 따라서 부하가 커져 버린다.

여기에서, 본 실시형태에서는, 댐퍼(10)의 외주부를, 에지(11a, 11b)를 거쳐서 프레임(5)에 접속한 것이다. 이러한 구성으로 함으로써, 보이스 코일체(2)의 가동 폭이 커지고, 댐퍼(10)가 부하로 되었을 때에 에지(11a, 11b)에 응력이 가해진다. 이 응력에 따라서 에지(11a, 11b)의 단면형상이 대략 원형의 상태로부터 탄성 변형한다. 에지(11a, 11b)가 탄성 변형할 수 있기 때문에, 보이스 코일체(2)의 진폭량이 커졌을 때에도 댐퍼(10)의 존재에 의해 그 진폭이 저해되기 어려워져, 스피커의 왜곡이 억제되는 동시에, 구동 효율의 저하도 동시에 억제되게 된다.

본 실시형태에 있어서는, 보이스 코일체(2)를 2개의 지지체에 의해 상하 방향으로 지지하고 있다. 즉, 제 1 지지체는 진동판(3)과 에지(4)로 이루어지고, 제 2 지지체는 댐퍼(10), 에지(11a) 및 에지(11b)로 이루어지는 결합체이다. 진동 판(3)의 구동 효율을 높이기 위해서, 에지(4)는 그 두께를 얇게 하여 그 중량을 가볍게 하고, 이로써 진동판(3)과 에지(4)의 중량을 가볍게 하여, 진동판(3)의 구동 효율을 높이는 구조로 하고 있다.

그러나, 에지(4)를 얇게 하면 보이스 코일체(2)의 지지 강도가 저하한다. 그 저하 정도를 보충하기 위해서, 에지(11a, 11b)는 에지(4)보다도 두껍게 되고, 이로써 보이스 코일체(2)의 지지 강도가 저하하는 것을 방지하고 있다. 이 결과, 댐퍼(10), 에지(11a) 및 에지(11b)로 이루어지는 결합체의 탄성률은 에지(4)의 탄성률보다도 크게, 즉 단단하게 하고 있다.

상기 구성의 경우, 보이스 코일체(2)의 지지는 댐퍼(10), 에지(11a) 및 에지(11b)의 결합체로 이루어지는 제 2 지지체에 의한 지지가 지배적이다. 따라서, 진동판(3)의 상하 운동의 왜곡을 억제하기 위해서는, 댐퍼(10), 에지(11a) 및 에지(11b)로 이루어지는 결합체에 있어서의 상하 부하를 가능한 한 동일한 상태로 할 필요성이 있다.

여기에서, 우선, 도 2에 도시하는 실시형태에 있어서의 에지(11a)의 형상에 대하여 검토한다.

도 2에 도시하는 실시형태에 있어서의 에지(11a)는 진동판(3)을 기준으로 하여 프레임측(하방)으로 돌출하는 형상으로 되어 있으므로, 도 2에 있어서의 하방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 상방, 즉 진동판(3)의 방향으로는 변형하기 어렵게 되어 있다.

여기에서, 에지(11a)에 있어서의 상기 상하 방향으로의 변형의 용이성의 차 이를 흡수하기 위한 제 3 에지(11b)[이하, 에지(11b)라고 기재함]를 마련했다.

댐퍼(10)는 링형상의 골함석 구조로 되어 있고, 진동판(3)측을 향해서 돌출하는 제 1 돌출부(10a)와, 이 제 1 돌출부(10a)와는 반대 방향으로 돌출하는 제 2 돌출부(10b)를 각각 복수 갖는 구조로 되어 있어, 기본적으로는 상하 방향에 있어서의 부하는 대략 동등하게 할 수 있다.

이에 대하여, 에지(11a)는 하방으로만 돌출한 상태이므로 하방으로 변형하기 쉽다. 여기에서, 본 실시형태에서는, 에지(11a)에 있어서의 상하의 부하 차이를 흡수하기 위해서, 에지(11a)에 접합하는 에지(11b)를 마련하고 있다.

도 2에 도시하는 바와 같이 본 실시형태에 있어서의 에지(11b)는 상방, 즉 진동판(3)측으로 돌출하는 형상으로 되어 있다. 이 때문에, 에지(11b) 자체는, 도 2에 있어서의 상방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 하방으로는 변형하기 어렵게 되어 있다. 이 때문에, 이들의 에지(11a, 11b)를 일체로 하여 단면이 대략 원형으로 되도록 조합하면, 일체화된 에지(11a, 11b)의 상하 부하의 크기를 대략 동등하게 할 수 있다.

이하, 이들 에지(11a, 11b)에 대해서 더욱더 상술한다.

본 실시형태에서는, 제 3 에지(11b)의 탄성률을 제 2 에지(11a)의 탄성률보다도 약간 작게 하고 있다. 그 이유는, 진동판(3)의 외주 단부 부분을 프레임(5)에 접속한 에지(4)가 본 실시형태에서는 도 1과 같이 상방으로 돌출한 형상으로 되어 있으므로, 이 에지(4)에 의한 부하의 차이를 고려한 때문이다. 또, 제 3 에지(11b)의 탄성률을 제 2 에지(11a)의 탄성률보다도 작게 할 목적으로, 제 3 에 지(11b)를 발포 수지로 형성하고, 한편 제 2 에지(11a)를 고무 재료로 형성하고 있다. 발포 수지로서는, 예컨대 발포 우레탄 수지를 사용할 수 있고, 고무 재료로서는, 예컨대 SBR 고무를 사용할 수 있다.

에지(4)는, 전술한 바와 같이, 두께를 얇게 하여, 중량을 가볍게 하고 있다. 이로써 진동판(3)과 에지(4)의 중량이 가벼워지고, 진동판(3)의 구동 효율을 높일 수 있다. 그 때문에 상하 운동에 대한 부하의 크기는 그다지 크지 않지만, 그것에 의해서도 도 1에 있어서 상방으로 돌출하여 있으면, 역시 상방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 하방으로는 변형하기 어렵기 때문에, 약간이기는 하지만, 상하 운동 부하의 차이가 생긴다.

여기에서 본 실시형태에서는, 에지(11b)의 탄성률을 에지(11a)의 탄성률보다도 약간 작게, 즉 연하게 하고 있다.

즉, 에지(4, 11b)는, 모두 상방으로 볼록한 형상인 것에 의해, 하방보다도 상방으로 이동하기 쉽다. 한편, 에지(11a)는 하방으로 볼록한 형상인 것에 의해, 상방보다도 하방으로 이동하기 쉽게 되어 있다. 이상의 사실로부터, 하나의 에지(11a)에 대하여, 에지(11b)와 에지(4)를 1세트로서 검토할 필요가 있다. 이러한 이유로, 전술한 바와 같이 에지(11b)는 에지(11a)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다. 그 결과로서, 진동판(3)의 상하 진폭이 상하 대략 대칭으로 되어, 스피커에 있어서의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 더욱이, 에지(4)를 경량화하고 있으므로, 중고음용으로서도 구동 효율이 높은 스피커를 제공할 수 있다.

이와 같이 댐퍼(10)를, 에지(11a, 11b)를 거쳐서 프레임(5)에 접속하는 구성 에 있어서는, 보이스 코일체(2)의 가동 폭이 어느 정도 커질 때까지는 링형상으로 골함석 구조의 댐퍼(10)에 의해 스피커 입력 파워에 대한 진폭 직선성, 즉 파워 리니어리티(power linearity)가 확보될 수 있다. 또한, 보이스 코일체(2)의 가동 폭이 소정 이상으로 되어, 그 파워 리니어리티가 확보되기 어려워졌을 경우에는 에지(11a, 11b)의 탄성에 의해 그 직선성을 보충할 수 있다. 상기의 특성을 실현하기 위해서, 에지(11a, 11b)를 접합한 에지의 탄성률은 댐퍼(10)의 탄성률보다 크게 설정하는 것이 바람직하다. 이하, 제 2 에지와 제 3 에지를 접합한 에지를 결합 에지라고 칭한다.

또한, 댐퍼(10)에 대하여, 결합 에지는, 다른 탄성률을 갖고, 보이스 코일체(2)의 가동 폭에 따라 양자가 독립하여 기능하도록 설정하는 것이 바람직하다. 댐퍼(10)와 에지(11a, 11b) 사이, 보다 구체적으로는 댐퍼(10)와 에지(11a, 11b)의 접속 영역(12)에 있어서의 탄성률을, 댐퍼(10) 및 에지(11a, 11b)의 탄성률보다 크게 설정함으로써, 댐퍼(10)에 대하여 결합 에지의 독립성을 확보할 수 있다.

또, 접속 영역(12)의 탄성률을 댐퍼(10), 에지(11a) 및 에지(11b)의 탄성률보다 크게 설정하기 위해서는, 예를 들면 에지(11a, 11b)와 댐퍼(10)를 접착하는 접착제의 종류를 아크릴계 등의 경질의 접착제를 이용하거나, 접속 영역(12)에 보강 재료를 점착하는 것이 바람직하다.

도 3 내지 도 5는 각각 다른 실시형태를 도시하고 있고, 도 1, 도 2의 댐퍼(10) 및 에지(11a, 11b)의 부분만을 변경한 것이다. 다른 부분은 도 1과 동일한 상태로 되어 있고, 이들 도 3 내지 도 5에 있어서, 도 1, 도 2와 동일한 부분에는 동일한 번호를 붙이고, 설명을 간략화한다.

도 3에 도시하는 실시형태는, 도 1, 도 2의 에지(11b) 대신에, 제 3 에지(11c)[이하, 에지(11c)로 기재함)를 마련한 것이다. 이 에지(11c)는, 단면 상태에서, 진동판(3)측으로 돌출하는 돌출 형상을 2개, 그 반대 방향으로의 돌출 형상을 1개 갖는 파형 형상을 하고 있다.

또, 이 에지(11c)도 진동판(3)에 큰 동적 부하를 가하지 않도록 발포 우레탄 수지, 발포 고무, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다.

에지(11c)는, 상방에 2개의 돌출 형상을 갖고, 그 반대의 하방에 하나의 돌출 형상을 가지므로, 도 3에 있어서의 상방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 하방으로는 변형하기 어렵게 되어 있다. 이 때문에, 이들 에지(11a, 11c)를 일체로 도 3과 같이 조합하면, 일체화된 에지(11a, 11c)의 상하 부하의 크기를 대략 동등하게 할 수 있다.

이하, 이들 에지(11a, 11c)에 대해서 더욱더 상술한다. 에지(11c)는 에지(11a)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다. 그 이유는, 진동판(3)의 외주 단부 부분을 프레임(5)에 접속한 에지(4)가 본 실시형태에서도 도 1과 같이 상방으로 돌출한 형상으로 되어 있으므로, 이 에지(4)에 의한 부하의 차이를 고려한 때문이다.

도 1에 있어서, 에지(4)의 두께를 얇게 하여, 중량을 가볍게 함으로써 진동판(3)과 에지(4)의 중량이 가벼워지고, 진동판(3)의 구동 효율이 높아지는 구조로 하고 있으므로, 상하 운동에 대한 부하의 크기는 그다지 크지 않다. 그것에 의해서도 에지(4)가 상방으로 돌출하고 있는 것에 의해, 역시 상방으로는 변형하기 쉽 고, 역으로 하방으로는 변형하기 어렵기 때문에, 약간이기는 하지만, 상하의 동적 부하의 차이가 생기기 쉽다.

여기에서 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 에지(11c)는 에지(11a)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다.

즉, 도 3에 있어서, 에지(4)는 상방에 하나의 볼록부를 갖고, 에지(11c)는, 상방에 2개의 볼록부를 갖는 단면형상인 것에 의해, 하방보다도 상방으로 이동하기 쉽고, 한편 에지(11a)는, 하방에 볼록의 단면형상인 것에 의해 상방보다도 하방으로 이동하기 쉽게 되어 있다. 이상으로부터, 하나의 에지(11a)에 대하여, 에지(11c)와 에지(4)를 1세트로서 최적화할 필요가 있다. 이상의 이유로, 에지(11c)는 에지(11a)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다.

이 결과, 진동판(3)의 상하 진폭이 상하 대략 대칭으로 되어, 스피커에 있어서의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 더구나 에지(4)를 경량화하고 있으므로, 중고음용으로서도, 구동 효율이 높은 스피커를 제공할 수 있다.

다음에 도 4에 도시하는 실시형태는, 도 1, 도 2의 제 2 에지(11a) 대신에, 제 2 에지(11d)[이하, 에지(11d)라고 기재함]를 마련한 것이다. 이 에지(11d)는, 단면 상태에서, 상방, 즉 진동판(3)측에 하나의 돌출 형상을 갖고, 하방에 2개의 돌출 형상을 갖는 파형 형상이다.

또, 이 에지(11d)도 진동판(3)에 큰 동적 부하를 가하지 않도록 발포 우레탄 수지, 발포 고무, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다.

도 4에 도시하는 바와 같이 본 실시형태에 있어서의 에지(11d)는, 상방에 하 나의 돌출 형상, 하방에 2개의 돌출 형상을 가지므로, 도 3에 있어서의 하방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 상방으로는 변형하기 어렵게 되어 있다. 이 때문에, 이들 에지(11d, 11b)를 일체로 도 4와 같이 조합하면, 일체화된 에지(11d, 11b)의 상하 부하의 크기를 대략 동일한 상태로 할 수 있다.

이하, 이들 에지(11d, 11b)에 대해서 더욱더 상술한다. 에지(11b)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다. 그 이유는, 진동판(3)의 외주 단부 부분을 프레임(5)에 접속한 에지(4)가 본 실시형태에서도 도 1과 같이 상방으로 돌출한 형상으로 되어 있으므로, 이 에지(4)에 의한 부하의 차이를 고려한 때문이다.

도 1에 있어서, 에지(4)는 얇고 경량으로 함으로써 진동판(3)과 에지(4)의 중량을 가볍게 하여, 진동판(3)의 구동 효율을 높이는 구조로 되어 있다. 따라서, 상하 운동에 대한 부하의 크기는 그다지 크지 않다. 그것에 의해서도 상하 방향에서의 형상의 차이에 의해, 상하의 동적 부하의 차이가 생기기 쉽다.

여기에서 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 에지(11b)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 (연하게) 하고 있다.

즉, 도 4에 있어서, 에지(4, 11b)는 상방으로 볼록의 단면형상인 것에 의해, 하방보다도 상방으로 이동하기 쉽고, 한편 에지(11d)는, 하방에 2개의 볼록부를 갖는 단면형상인 것에 의해 상방보다도 하방으로 이동하기 쉽게 되어 있다. 이상으로부터, 하나의 에지(11d)에 대하여, 에지(11b)와 에지(4)를 1세트로서 최적화할 필요가 있다. 이상의 이유로, 에지(11b)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다.

다음에 도 5에 도시하는 실시형태는, 도 1, 도 2의 에지(11a, 11b) 대신에, 도 4의 에지(11d)와 제 3 에지(11e)[이하, 에지(11e)라고 기재함]를 마련한 것이다. 이 에지(11d)는, 단면 상태에서, 상방으로 돌출하는 돌출 형상을 1개 갖고, 그 반대의 하방으로의 돌출 형상을 2개 갖는 파형 형상을 하고 있다. 또 에지(11e)는, 단면 상태에서, 상방으로 돌출하는 돌출 형상을 2개 갖고, 그 반대의 하방으로의 돌출 형상을 1개 갖는 파형 형상을 하고 있다.

또, 이들 에지(11d, 11e)도 진동판(3)에 큰 동적 부하를 가하지 않도록 발포 우레탄 수지, 발포 고무, SBR 고무나 포 등의 재료로 형성되어 있다.

도 5에 도시하는 바와 같이 본 실시형태에 있어서의 에지(11d)는, 상방에 하나의 돌출 형상, 하방에 2개의 돌출 형상을 가지므로, 도 5에 있어서의 하방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 상방으로는 변형하기 어렵게 되어 있다. 또 에지(11e)는, 상방에 2개의 돌출 형상, 하방에 하나의 돌출 형상을 가지므로, 도 5에 있어서의 상방으로는 변형하기 쉽고, 역으로 하방으로는 변형하기 어렵게 되어 있다.

이 때문에, 이들 에지(11d, 11e)를 일체로 도 5와 같이 조합하면, 일체화된 에지(11d, 11e)의 상하 부하의 크기를 대략 동일한 상태로 할 수 있다.

이하, 에지(11d, 11e)에 대해서 더욱더 상술한다. 에지(11e)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다. 그 이유는, 진동판(3)의 외주 단부 부분을 프레임(5)에 접속한 에지(4)가 본 실시형태에서도 도 1과 같이 상방으로 돌출한 형상에 되어 있으므로, 이 에지(4)에 의한 부하의 차이를 고려한 때문이다.

에지(4)는 얇고 경량으로 함으로써, 진동판(3)과 에지(4)의 중량을 가볍게 하여, 진동판(3)의 구동 효율을 높이는 구조로 되어 있다. 따라서, 상하 운동에 대한 부하의 크기는 그다지 크지 않지만, 그것에 의해서도 상하 방향에서의 형상의 차이에 의해, 상하의 동적 부하의 차이가 생기기 쉽다.

여기에서 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 에지(11e)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 (연하게) 하고 있다.

즉, 도 5에 있어서 보이스 코일체(2)로서는, 에지(4, 11e)의 형상에 기인하여, 하방보다도 상방으로 이동하기 쉽고, 한편 에지(11d)의 형상에 기인하여, 상방보다도 하방으로 이동하기 쉽게 되어 있다. 이상으로부터, 하나의 에지(11d)에 대하여, 에지(11e)와 에지(4)를 1세트로서 최적화할 필요가 있으므로, 에지(11e)는 에지(11d)보다도 탄성률을 약간 작게 하고 있다.

또, 본 실시형태에서는, 제 2 에지(11a, 11d)에 대하여, 제 3 에지(11b, 11c, 11e)를 별체로서 형성하는 태양을 설명했다. 이 대신에, 댐퍼(10)의 면에 대하여 하방으로 돌출한 돌출 구조의 제 2 에지와, 상방으로 돌출한 돌출 구조인 제 3 에지가 미리 일체로 성형된 결합 에지를 사용할 수도 있다. 그 예를 도 6 및 도 7에 도시한다. 도 6 및 도 7은 각각 일체 성형된 결합 에지(11f) 및 결합 에지(11m)의 단면형상을 설명하는 도면이다.

도 6의 결합 에지(11f)는, 단면형상에 있어서, 1개의 상방으로의 돌출 구 조(11g)와 2개의 하방으로의 돌출 구조(11h)를 갖는다. 결합 에지(11f)는 접속 영역(12)에서 댐퍼(10)에 고정되어 있다. 도 6의 예에서는, 돌출 구조(11g)와 돌출 구조(11h)가 공극을 두고서 서로 대향하고 있다.

도 7의 결합 에지(11m)는, 단면형상에 있어서, 1개의 상방으로의 돌출 구조(11n)와 2개의 하방으로의 돌출 구조(11p)를 갖는다. 돌출 구조(11n)는 댐퍼면(AA)보다도 상방으로 돌출하여 있다. 결합 에지(11m)는 접속 영역(12)에서 댐퍼(10)에 고정되어 있다. 결합 에지(11m)는 한 장의 시트를 열 프레스 가공함으로써 간편하게 형성할 수 있다.

또, 도 6의 결합 에지(11f)는, 도 4에 도시하는 바와 같은, 제 2 에지(11d)와 제 3 에지(11b)로 이루어지는 결합 에지를 일체 성형품으로 한 예이다. 마찬가지로 도 2, 도 3, 도 5에 기재한 결합 에지에 대해서도 일체 성형된 결합 에지로 할 수 있다.

또, 도 7의 결합 에지(11m)에 있어서, 돌출 형상이나 돌출부의 수에 의해 상방으로의 돌출 구조(11n)의 개수를 하방으로의 돌출 구조(11p)의 개수보다 많게 할 경우도 있다.

도 6 및 도 7의 경우에 있어서도, 결합 에지(11f 및 11m)의 상방으로의 돌출 구조(11g, 11n)의 탄성률을, 제 1 에지(4)의 탄성률보다도 크고, 또한 결합 에지(11f 및 11m)의 하방으로의 돌출 구조(11h, 11p)의 탄성률보다도 작게 하는 것이 바람직하다.

본 실시형태의 스피커에서는, 진동판(3)의 상하의 진폭을 상하 방향으로 대 략 대칭으로 하는 동시에, 스피커의 진폭 직선성, 즉 파워 리니어리티 향상에 의한 스피커 왜곡을 저감시킬 수 있다. 더구나 에지(4)를 경량화하고 있으므로, 중고음용으로서도, 구동 효율이 높은 스피커를 제공할 수 있다.

본 발명은, 스피커에 있어서, 스피커의 왜곡을 저감시킬 수 있는 동시에, 구동 효율을 개선할 수 있고, 특히 플랜지, 중음, 고음역용의 스피커에 유용하게 된다.

Claims

프레임과,

상기 프레임에 지지된 자기 회로와,

상기 자기 회로에 마련된 자기 갭에 대하여 자유롭게 진폭 운동가능하게 배치된 보이스 코일체와,

제 1 에지를 거쳐서 외주부가 상기 프레임에 접속되고, 내주부가 상기 보이스 코일체에 접속된 진동판과,

상기 진동판보다 상기 자기 회로측에 마련되고, 내주부가 상기 보이스 코일체에 접속된 댐퍼와,

상기 댐퍼의 외주부를 상기 프레임에 접속하는 제 2 에지와,

상기 제 2 에지에 접합되는 제 3 에지를 갖고,

상기 제 2 에지가 상기 진동판측, 또는 그것과는 반대의 상기 프레임측으로 돌출하는 돌출 구조를 갖고,

상기 제 3 에지가 적어도 상기 제 2 에지의 돌출 방향과는 반대 방향으로 돌출하는 돌출 구조를 갖는

스피커.
제 1 항에 있어서,

상기 댐퍼, 상기 제 2 에지 및 상기 제 3 에지로 이루어지는 결합체의 탄성 률이 상기 제 1 에지의 탄성률보다도 큰

스피커.
제 2 항에 있어서,

상기 제 3 에지의 탄성률이 상기 제 2 에지의 탄성률보다도 작은

스피커.
제 2 항에 있어서,

상기 제 3 에지가 발포 수지에 의해 형성되고, 상기 제 2 에지는 고무 재료에 의해 형성된

스피커.
제 4 항에 있어서,

상기 제 1 에지와 상기 제 3 에지가 우레탄 수지로 형성되고, 상기 제 1 에지의 탄성률이 상기 제 3 에지의 탄성률보다도 작은

스피커.
제 1 항에 있어서,

상기 제 3 에지의 탄성률이 상기 제 1 에지의 탄성률보다도 크고, 또한 상기 제 2 에지의 탄성률보다도 작은

스피커.
프레임과,

상기 프레임에 지지된 자기 회로와,

상기 자기 회로에 마련된 자기 갭에 대하여 자유롭게 진폭 운동가능하게 배치된 보이스 코일체와,

제 1 에지를 거쳐서 외주부가 상기 프레임에 접속되고, 내주부가 상기 보이스 코일체에 접속된 진동판과,

상기 진동판과 상기 프레임 사이에 마련되고, 내주부가 상기 보이스 코일체에 접속된 댐퍼와,

상기 댐퍼의 외주부를 상기 프레임에 접속하는 결합 에지를 갖고,

상기 결합 에지가 상기 댐퍼면에 대하여 상방 및 하방으로 돌출하는 돌출 구조를 갖는

스피커.
제 7 항에 있어서,

상기 댐퍼와 상기 결합 에지로 이루어지는 결합체의 탄성률이 상기 제 1 에지의 탄성률보다도 큰

스피커.
제 7 항에 있어서,

상기 제 1 에지는 상방으로 돌출하는 돌출 구조이며,

상기 결합 에지의 상방으로의 돌출 구조의 탄성률이 상기 제 1 에지의 탄성률보다도 크고, 또한 상기 결합 에지의 하방으로의 돌출 구조의 탄성률보다도 작은

스피커.