KR20070118007A - 적층 수지판 - Google Patents
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Abstract
부의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (A) 와 정의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (B) 를 공압출 성형에 의해 적층 일체화함으로써, 두께 방향의 리타데이션값이 100㎚ 이하인 적층 수지판으로 한다. 열가소성 수지 (A) 로는, 메타크릴산 메틸계 수지가 바람직하게 사용되고, 열가소성 수지 (B) 로는, 폴리카보네이트 수지가 바람직하게 사용된다.
적층 수지판
Description
본 발명은, 광학 변형이 작은 다층 구조의 수지판에 관한 것이다.
액정 표시 장치의 부재 등에 사용되는 광학 용도의 수지판으로는, 광학 변형이 작은 것이 요망되는 경우가 많고, 이러한 수지판의 대표적인 것으로서, 부(負)의 고유 복굴절값을 갖는 수지와 정 (正) 의 고유 복굴절값을 갖는 수지를 합금화하여 성형한 것이 알려져 있다. 또한, 그 합금 재료로는, 예를 들어 메타크릴산 메틸계 수지와 염화 비닐 수지의 합금, 메타크릴산 메틸계 수지와 불화 비닐리덴 수지의 합금, 스티렌계 수지와 방향족 폴리카보네이트 수지의 합금 등이 알려져 있다 (예를 들어 일본 공개특허공보 소61-19656호 참조).
상기와 같은 합금 재료는, 성형 조건에 따라서는 수지 성분끼리가 분리되어 백탁되거나, 혼련 조건에 따라서는 수지 성분끼리가 상용 (相溶) 되지 않는 경우가 있어, 반드시 사용이 용이한 것은 아니었다. 또한, 광학 용도의 수지판으로는, 박육 (薄肉) 한 것이 요망되는 경우가 많은데, 그 박육 성형에 의해 큰 외부 응력이 가해지면, 상기와 같은 합금 재료를 사용해도 광학 변형이 커지는 경우가 있었 다.
그래서, 본 발명자들은 조제가 용이하고, 박육이어도 광학 변형이 작은 수지판을 개발하기 위해 예의 검토한 결과, 부의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지와 정의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지를, 두께 방향의 리타데이션값이 소정값 이하가 되도록 공압출 성형에 의해 적층 일체화함으로써, 상기 원하는 수지판이 얻어지는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 부의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (A) 와 정의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (B) 를 공압출 성형에 의해 적층 일체화하여 이루어지고, 두께 방향의 리타데이션값이 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 적층 수지판을 제공하는 것이다.
본 발명의 적층 수지판은 조제가 용이하고, 박육이어도 광학 변형이 작기 때문에, 각종 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 형태
본 발명에서 사용하는 「부의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (A)」 란, 분자가 1 축성 배향을 취하여 형성된 층에 광이 입사되었을 때, 그 배향 방향의 광의 굴절률이 그 배향 방향에 직교하는 방향의 광의 굴절률보다 작아지는 열가소성 수지를 말한다.
이러한 열가소성 수지 (A) 로는, 예를 들어 스티렌계 수지, 아크릴로니트릴계 수지, 메타크릴산 메틸계 수지, 셀룰로오스에스테르 수지 등을 들 수 있고, 필 요에 따라 그들 2 종 이상을 사용해도 된다. 그 중에서도, 메타크릴산 메틸계 수지가 바람직하게 사용된다.
메타크릴산 메틸계 수지는, 메타크릴산 메틸을 주체로 하는 중합체이고, 메타크릴산 메틸의 단독 중합체이어도 되고, 메타크릴산 메틸 50 중량% 이상과 메타크릴산 메틸 이외의 단량체 50 중량% 이하의 공중합체이어도 된다.
공중합체인 경우, 메타크릴산 메틸 이외의 단량체로는, 예를 들어 스티렌계 단량체를 들 수 있다. 스티렌계 단량체란, 스티렌 또는 치환 스티렌을 말하며, 이 치환 스티렌으로는, 예를 들어 클로로스티렌, 브로모스티렌과 같은 할로겐화 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌과 같은 알킬스티렌 등을 들 수 있다. 스티렌계 단량체를 사용하는 경우, 그 사용량은, 전체 단량체를 기준으로 하여, 바람직하게는 10 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15 질량% 이상인 것이 저흡습성 등의 면에서 유리하다.
또한, 메타크릴산 메틸 이외의 단량체로서, 메타크릴산 메틸 이외의 메타크릴산 에스테르류도 들 수 있다. 이러한 메타크릴산 에스테르류로는, 예를 들어 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 부틸, 메타크릴산 시클로헥실, 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 2-히드록시에틸 등을 들 수 있다.
또한, 메타크릴산 메틸 이외의 단량체의 예로서, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 부틸, 아크릴산 시클로헥실, 아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 2-히드록시에틸과 같은 아크릴산 에스테르류, 메타크릴 산, 아크릴산과 같은 불포화산류, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 무수 말레산, 페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드 등도 들 수 있다. 또, 이들 메타크릴산 메틸 이외의 단량체는, 필요에 따라 그들의 2 종 이상을 사용해도 된다.
본 발명에서 사용하는 「정의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (B)」 란, 분자가 1 축성의 배향을 취하여 형성된 층에 광이 입사되었을 때, 그 배향 방향의 광의 굴절률이 그 배향 방향에 직교하는 방향의 광의 굴절률보다 커지는 수지를 말한다.
이러한 열가소성 수지 (B) 로는, 예를 들어 올레핀계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 지환식 구조 함유 수지 등을 들 수 있고, 필요에 따라 그들의 2 종 이상을 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 폴리카보네이트 수지나 지환식 구조 함유 수지가 바람직하게 사용되고, 특히 폴리카보네이트 수지가 강도나 내열성 면에서 바람직하게 사용된다.
폴리카보네이트 수지는, 2 가 페놀과 카르보닐화제를 계면 중축합법이나 용융 에스테르 교환법에 의해 중합시킨 것이어도 되고, 카보네이트 프리폴리머를 고상 에스테르 교환법에 의해 중합시킨 것이어도 되고, 고리형 카보네이트 화합물을 개환 중합법에 의해 중합시킨 것이어도 된다.
여기에서 사용되는 2 가 페놀의 예로는, 하이드로퀴논, 레졸시놀, 4,4'-디히드록시디페닐, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스{(4-히드록시-3,5-디메틸)페닐}메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 2,2-비 스(4-히드록시페닐)프로판 (통칭 비스페놀 A), 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3,5-디메틸)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3,5-디브로모)페닐}프로판, 2,2-비스{(3-이소프로필-4-히드록시)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3-페닐)페닐}프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3,3-디메틸부탄, 2,4-비스(4-히드록시페닐)-2-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)펜탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-이소프로필시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}플루오렌, α,α'-비스(4-히드록시페닐)-o-디이소프로필벤젠, α,α'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠, α,α'-비스(4-히드록시페닐)-p-디이소프로필벤젠, 1,3-비스(4-히드록시페닐)-5,7-디메틸아다만탄, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술폭사이드, 4,4'-디히드록시디페닐술파이드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 4,4'-디히드록시디페닐에테르 및 4,4'-디히드록시디페닐에스테르 등을 들 수 있고, 필요에 따라 그들의 2 종 이상을 사용할 수도 있다.
그 중에서도, 비스페놀 A, 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3,3-디메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, α,α'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠이 바람직하게 사용되고, 특히 비스페놀 A 의 단독 사용이나, 1,1-비 스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산과 비스페놀 A, 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판 및 α,α'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠에서 선택되는 적어도 1 종과의 병용이 바람직하다.
또한, 카르보닐화제로는, 예를 들어 포스겐과 같은 카르보닐할라이드, 디페닐카보네이트와 같은 카보네이트에스테르, 2 가 페놀의 디할로포르메이트와 같은 할로포르메이트 등을 들 수 있다.
지환식 구조 함유 수지는, 반복 단위 중에 지환식 구조를 갖는 중합체이고, 주쇄 및 측쇄 중 어느 것에 지환식 구조를 갖고 있어도 되는데, 광투과성 면에서, 주쇄에 지환식 구조를 갖는 것이 바람직하다.
이러한 지환식 구조 함유 수지의 예로는, 노르보르넨계 중합체, 단 고리의 고리형 올레핀계 중합체, 고리형 공액디엔계 중합체, 비닐지환식 탄화수소계 중합체, 이들의 수소첨가물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 광투과성 면에서, 노르보르넨계 중합체 수소첨가물, 비닐 지환식 탄화수소계 중합체나 그 수소화물이 바람직하고, 특히 노르보르넨계 중합체 수소첨가물이 바람직하다.
열가소성 수지 (A) 나 열가소성 수지 (B) 에는, 내충격성 향상을 위해 고무상 중합체를 분산시키는 것이 바람직하고, 특히 열가소성 수지 (A) 에 고무상 중합체를 분산시키는 것이 바람직하다.
고무상 중합체로는, 예를 들어 폴리부타디엔 고무, 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합 고무, 스티렌/부타디엔 공중합 고무와 같은 디엔계 고무, 아크릴계 고무, 에틸렌/프로필렌/비공액디엔계 고무 등을 들 수 있다. 또한, 이들 고무상 중합 체에 메타크릴산 알킬, 아크릴산 알킬, 스티렌, 치환 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 단량체를 그래프트 중합시켜 이루어지는 그래프트 공중합체도 바람직하게 사용된다. 그래프트 공중합체로 하는 경우, 고무상 중합체와 그래프트시키는 단량체의 비율은, 통상 전자가 5∼80 중량부, 후자가 95∼20 중량부이다. 이들 그래프트 공중합체로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 소55-147514호나 일본 특허공보 소47-9740호에 기재된 것을 사용할 수 있다.
또한, 그래프트 공중합체의 바람직한 예로서, 고무상 중합체를 내층으로 하고, 그래프트 중합 사슬을 외층으로 하는 다층 구조 중합체를 들 수 있다. 이 경우, 내층의 고무상 중합체로는, 아크릴계 고무를 사용하는 것이 바람직하고, 이 아크릴계 고무는, 아크릴산 알킬의 단독 중합체이어도 되고, 아크릴산 알킬 50 중량% 이상과 아크릴산 알킬 이외의 단량체 50 중량% 이하의 공중합체이어도 된다. 여기에서, 아크릴산 알킬의 예로는, 아크릴산 프로필, 아크릴산 부틸, 아크릴산 2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산 알킬 이외의 단량체의 예로는, 메타크릴산 알킬, 알콕시아크릴산 알킬, 아크릴산 시아노에틸, 아크릴아미드, 아크릴산 히드록시알킬, 메타크릴산 히드록시알킬, 아크릴산, 메타크릴산, 스티렌, 치환 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등을 들 수 있고, 나아가 메타크릴산 알릴과 같은 가교성 단량체를 사용할 수도 있다. 아크릴계 고무의 유리 전이점 (Tg) 은 25℃ 미만인 것이 좋다.
또한, 상기 외층의 그래프트 중합 사슬은, 알킬기의 탄소수가 1∼4 인 메타크릴산 알킬의 단독 중합체나, 그 메타크릴산 알킬 50 중량% 이상과 그 메타크릴산 알킬 이외의 단량체 50 중량% 이하의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기에서, 그 메타크릴산 알킬로는, 메타크릴산 메틸이 바람직하게 사용된다. 또, 그 메타크릴산 알킬 이외의 단량체로는, 탄소수가 5 이상인 메타크릴산 알킬, 아크릴산 알킬, 스티렌, 치환 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등을 들 수 있고, 또한 메타크릴산 알릴과 같은 가교성 단량체를 사용할 수도 있다. 이 외층 중합체의 유리 전이점 (Tg) 은 25℃ 이상인 것이 좋다.
또한, 상기 외층 중합체와 동일한 중합체를, 내층의 아크릴계 고무의 더욱 내측에 존재시킬 수도 있다. 이상과 같은 다층 구조 중합체는, 그 전체 중량을 기준으로 하여, 아크릴계 고무층을 20∼60 중량% 함유하는 것이 좋다. 이들 다층 구조 중합체로는, 예를 들어 일본 특허공보 소55-27576호나 일본 공개특허공보 평6-80739호, 일본 공개특허공보 소49-23292호에 기재된 것을 사용할 수 있다.
고무상 중합체를 사용하는 경우, 그 양은, 열가소성 수지 (A) 또는 열가소성 수지 (B) 100 질량부에 대하여, 통상 3∼100 질량부, 바람직하게는 5∼80 질량부, 더욱 바람직하게는 7∼60 질량부이다.
또, 열가소성 수지 (A) 나 열가소성 수지 (B) 에는, 광확산제를 분산시켜도 된다.
광확산제로는, 기재가 되는 수지와 굴절률이 다른 무기계 또는 유기계의 투명 미립자가 바람직하게 사용되고, 그 입자직경은 통상 1∼50㎛ 정도이다. 그 예로는, 탄산 칼슘, 황산 바륨, 산화 티탄, 수산화 알루미늄, 실리카, 유리, 활석, 운모, 화이트카본, 산화 마그네슘, 산화 아연과 같은 무기 입자나, 이들 무기 입자 에 지방산 등으로 표면 처리를 실시한 것, 가교 또는 고분자량 스티렌계 수지 입자, 가교 또는 고분자량 아크릴계 수지 입자, 가교 실록산계 수지 입자와 같은 수지 입자를 들 수 있다.
표층을 구성하는 수지에 광확산제를 분산시키면, 압출 성형시에 광확산제가 표면에 떠올라, 양호한 광택 제거 효과를 발현시키는 것이 가능하다. 이 경우, 광확산제는, 반드시 기재가 되는 수지와 굴절률이 다를 필요는 없고, 기재가 되는 수지와 굴절률이 동일하거나 비슷할 때에는, 투명감이 있는 광택 제거 상태가 되고, 굴절률에 차이가 있을 때에는 흰 빛을 띤 광택 제거 상태가 된다.
광확산제를 사용하는 경우, 그 양은, 열가소성 수지 (A) 또는 열가소성 수지 (B) 100 질량부에 대하여, 1∼40 질량부 정도가 바람직하다.
또한, 열가소성 수지 (A) 나 열가소성 수지 (B) 에는, 알킬술폰산 나트륨, 알킬황산 나트륨, 스테아르산 모노글리세라이드, 폴리에테르에스테르아미드와 같은 대전 방지제, 힌더드페놀과 같은 산화 방지제, 인산 에스테르와 같은 난연제, 팔미트산, 스테아릴알코올과 같은 활제, 힌더드아민과 같은 광안정제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제, 말론산 에스테르계 자외선 흡수제, 옥살산 아닐리드계 자외선 흡수제, 아세트산 에스테르 자외선 흡수제와 같은 자외선 흡수제, 염료, 형광 증백제 등을 첨가해도 된다. 또, 이상의 첨가제는, 필요에 따라 그들의 2 종 이상을 사용해도 된다.
열가소성 수지 (A) 나 열가소성 수지 (B) 에 이상의 첨가제를 배합하는 방법으로는, 예를 들어 수지와 첨가제를 헨쉘 믹서나 텀블러 등으로 기계적으로 혼합한 후, 용융 혼련하는 방법을 들 수 있다. 또한, 이 용융 혼련은, 예를 들어 1 축 또는 2 축의 압출기나 각종 니더 등을 사용하여 실시할 수 있다.
이상과 같은 열가소성 수지 (A) 와 열가소성 수지 (B) 를 공압출 성형함으로써, 본 발명의 적층 수지판이 얻어진다. 열가소성 수지 (A) 와 열가소성 수지 (B) 의 배치에 관해서는, 양자 1 층씩의 2 층 구성이어도 되고, 교대로 적층하여 3 층 이상으로 해도 된다. 바람직한 형태로는, 층수를 3 층 이상의 홀수로 하고, 양 표층을 동일한 소재로 하는 것이 롤이나 벨트에 압착시켜 생산하기 쉬운 경향이 있다. 3 층 구성에서 중간층에 열가소성 수지 (A) 를 배치하고, 양 표층에 열가소성 수지 (B) 를 배치하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 적층 수지판의 두께는, 통상 0.01∼2㎜, 바람직하게는 0.01∼1㎜, 더욱 바람직하게는 0.02∼0.7㎜ 이다. 너무 얇으면 성형하기 어려워지고, 너무 두꺼우면 성형시에 냉각 시간을 길게 할 필요가 있어 생산성이 나빠지는 경향이 있다.
각 층의 층두께 비율은 2 층 구성이면, 수지 (A)/수지 (B) 의 비율이, 통상 1/99∼99/1, 바람직하게는 2/98∼98/2, 더욱 바람직하게는 5/95∼95/5 이다. 3 층 구성이면, 수지 (A)/수지 (B)/수지 (A) 또는 수지 (B)/수지 (A)/수지 (B) 의 비율이, 통상 1/98/1∼49/2/49, 바람직하게는 2/96/2∼48/4/48, 더욱 바람직하게는 3/92/3∼45/10/45 이다. 그 이상의 층수이면, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 두께를 각각 적산하고, 수지 (A)/수지 (B) 의 비율이, 통상 1/99∼99/1, 바람직하게는 2/98∼98/2, 더욱 바람직하게는 5/95∼95/5 이다.
열가소성 수지 (A) 와 열가소성 수지 (B) 를 공압출 성형하는 방법으로는, 예를 들어 1 축 또는 2 축의 압출기를 2 대 이상 사용하여, 양 수지를 각각 용융 혼련한 후, 피드 블록 다이나 멀티 매니폴드 다이에 의해 양 수지를 적층 일체화하고, 이어서 금속 롤이나 고무 롤, 금속 탄성 롤, 금속 벨트, 고무 벨트 등의 냉각 유닛으로 냉각시키는 방법을 들 수 있다.
상기 냉각시에는, 적층 수지판의 표면을 정리하기 위해, 롤이나 벨트로 용융 상태의 적층 수지판에 압력을 가하여 끼워 넣으면서 냉각시키는 것이 바람직하다. 또한, 이 방법에 의하면, 롤이나 벨트에 블라스트에 의한 요철이나 조각 처리를 실시하고, 그 형상을 적층 수지판에 전사할 수 있다는 이점도 있다.
일반적으로, 상기와 같이 압력을 가하여 끼워 넣어 냉각시키면, 얻어지는 수지판에 변형이 잔류하여 무지개 모양이 발생하는 경향이 있다. 이 경향은 광탄성 계수가 높은 방향족 화합물을 주골격에 갖는 수지에 많이 보이는데, 광탄성 계수가 낮은 메타크릴산 메틸 수지라도, 수지판의 두께를 얇게 한 경우, 변형이 남아 두께 방향의 리타데이션값이 높아지는 경향이 있다. 이것에 대하여, 본 발명에서는, 부의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (A) 와 정의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (B) 를 적층 일체화하기 때문에, 양면으로부터 압력을 가해 두께를 얇게 해도, 두께 방향의 리타데이션값을 작게 할 수 있다.
본 발명의 적층 수지판의 두께 방향의 리타데이션값은 100㎚ 이하, 바람직하게는 30㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 15㎚ 이하로 할 필요가 있다. 두께 방향의 리타데이션값이 100㎚ 를 초과하면 착색되기 쉽고, 예를 들어 액정 표시 장치의 부 재로서 사용했을 때 화면의 품위를 손상시키기 쉬워진다.
두께 방향의 리타데이션값을 100㎚ 이하로 하기 위해서는, 열가소성 수지 (A) 와 열가소성 수지 (B) 의 층두께 비율을 최적화하면 된다. 층두께 비율의 최적화는, 각각의 수지의 고유 복굴절값을 감안하여, 예를 들어 열가소성 수지 (A) 로서 메타크릴산 메틸계 수지 (고유 복굴절값 -0.0043) 를 사용하고, 열가소성 수지 (B) 로서 폴리카보네이트 수지 (고유 복굴절값 +0.106) 를 사용하는 경우에는, 고유 복굴절값의 절대값이 작은 메타크릴산 메틸 수지의 층두께를 크게 함으로써, 두께 방향의 리타데이션값을 작게 할 수 있다.
또한, 두께 방향의 리타데이션값은 적층 수지판에 성형할 때의 배향에 의해서도 변화된다. 배향 복굴절률은 광탄성 계수와 응력의 곱이고, 광탄성 계수가 높은 수지를 사용하여, 압력이 가해지는 성형 방법을 채용하면, 배향 복굴절률이 커지고, 두께 방향의 리타데이션값도 커지는 경향이 있다. 광탄성 계수가 낮은 수지 (10×10-12Pa-1 이하) 로는, 예를 들어 열가소성 수지 (A) 에서는 메타크릴산 메틸계 수지를 들 수 있고, 열가소성 수지 (B) 에서는 지환식 구조 함유 수지를 들 수 있고, 광탄성 계수가 높은 수지 (10×10-12Pa-1 이상) 로는, 예를 들어 열가소성 수지 (A) 에서는 스티렌계 수지를 들 수 있고, 열가소성 수지 (B) 에서는 폴리카보네이트 수지를 들 수 있다. 두께 방향의 리타데이션값이 작은 적층 수지판을 용이하게 얻기 위해서는, 열가소성 수지 (A) 및 열가소성 수지 (B) 의 적어도 일방에 관해서는, 광탄성 계수가 낮은 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 나타내는데, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다. 또, 각 예에서 얻은 수지판은, 이하의 방법으로 평가하였다.
(1) 리타데이션값
자동 복굴절계 (오지 계측기 주식회사 제조 KOBRA-CCD/X) 를 사용하여, 수지판의 두께 방향의 리타데이션값을 측정하였다.
(2) 표면 상태
수지판을 관찰하여, 표면의 광택이 잘 나는지를 확인하고, 광택이 잘 나면 ○, 거칠면 × 로 하였다.
(3) 광학 변형
편광판 2 장을 직교 방향으로 겹쳐 그 사이에 수지판을 끼워 넣고, 밀착시킨 상태에서 수지판만을 그 자리에서 회전시켰다. 편광판 색조의 변화 정도를 확인하고, 어두운 상태에서 전혀 변화되지 않으면 ○, 어두워지거나 밝아지면 △, 노랗게 착색되는 경우가 있으면 × 로 하였다.
또한, 각 예에서 사용한 수지는 다음과 같다.
MA1 : 메타크릴산 메틸/아크릴산 메틸=96/4 (질량비) 의 공중합체 (고유 복굴절값 -0.0043, 굴절률 1.49)
MA2 : 메타크릴산 메틸/아크릴산 메틸=90/10 (질량비) 의 공중합체 (고유 복굴절값 -0.0043, 굴절률 1.49) 60 질량부와, 하기 참고예에서 얻은 고무상 중합체 40 질량부의 혼합물.
PC : 비스페놀 A 형 폴리카보네이트 수지 (스미토모 다우 주식회사 제조 카리바 301-10 ; 고유 복굴절값 +0.106, 굴절률 1.59)
참고예 (고무상 중합체의 제조)
내용적 5L 의 유리제 반응 용기에, 이온 교환수 1700g, 탄산 나트륨 0.7g 및 과황산 나트륨 0.3g 을 넣어 질소 기류하에서 교반하고, 분산제 (카오 주식회사 제조 펠렉스 OT-P) 4.46g, 이온 교환수 150g, 메타크릴산 메틸 150g 및 메타크릴산 알릴 0.3g 을 첨가한 후, 75℃ 로 승온시켜 150 분간 교반을 계속하였다. 이어서, 아크릴산 부틸 689g, 스티렌 162g 및 메타크릴산 알릴 17g 의 혼합물과, 과황산 나트륨 0.85g, 분산제 (카오 주식회사 제조 펠렉스 OT-P) 7.4g 및 이온 교환수 50g 의 혼합물을, 각각 90 분간에 걸쳐 첨가하고, 추가로 90 분간 중합을 계속하였다. 중합 완료후, 추가로 메타크릴산 메틸 326g 및 에틸아크릴레이트 14g 의 혼합물과, 과황산 나트륨 0.34g 을 용해시킨 이온 교환수 30g 을, 각각 30 분간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가 종료후, 추가로 60 분간 유지하여 중합을 완료하였다. 얻어진 라텍스를 0.5 질량% 염화 알루미늄 수용액에 투입하여 고무상 중합체를 응집시켰다. 이것을 온수로 5 회 세정한 후, 건조시켜 고무상 중합체를 얻었다.
실시예 1∼9, 비교예 1
압출기 1 (도시바 기계 주식회사 제조 ; 스크루 직경 65㎜, 1 축식, 벤트 부착) 및 압출기 2 (히타치 조선 주식회사 제조 ; 스크루 직경 45㎜, 1 축식, 벤트 부착) 에 각각 표 1 에 나타내는 수지를 공급하고, 피드 블록으로 각 수지를 분배 하여 표 1 에 나타내는 1∼3 층 구성으로 하고, 용융 수지판을 경면 롤로 표리 양면으로부터 끼워 넣고 (실시예 1, 2, 4∼9, 비교예 1), 또는 경면 롤에 편면만 터치시켜 (실시예 3) 냉각시키고, 표 1 에 나타내는 두께 및 층두께의 수지판을 얻었다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
본 발명의 적층 수지판은 조제가 용이하고, 박육이어도 광학 변형이 작기 때문에, 각종 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.
Claims (7)
- 부 (負) 의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (A) 와 정 (正) 의 고유 복굴절값을 갖는 열가소성 수지 (B) 를 공압출 성형에 의해 적층 일체화하여 이루어지고, 두께 방향의 리타데이션값이 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 적층 수지판.
- 제 1 항에 있어서,두께가 0.01∼2㎜ 인 적층 수지판.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,열가소성 수지 (A) 가 메타크릴산 메틸계 수지인 적층 수지판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,열가소성 수지 (B) 가 폴리카보네이트 수지인 적층 수지판.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,공압출 성형시, 용융 상태의 적층 수지판의 양면을 롤 또는 벨트에 의해 끼워 넣어 냉각시켜 이루어지는 적층 수지판.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,열가소성 수지 (A) 에 고무상 중합체가 분산되어 있는 적층 수지판.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,열가소성 수지 (A) 를 중간층으로 하고, 열가소성 수지 (B) 를 양 표층으로 하는 3 층 구조인 적층 수지판.
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