KR20070112959A - 패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법 - Google Patents

패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토마스크를 사용하지 않는 패턴 형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인 프린팅공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 포토마스크를 대용하는 몰드판을 사용하여 레지스트층의 미세패턴을 형성하는 인-플레인 프린팅 공정 및 상기 레지스트층을 형성하는 레진의 조성물이 액정고분자전구체와, 친수성 아크릴레이드와, 점도조절제와, 광개시제와, 기타 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인 프린팅 공정방법 {A resin compositions and in-plane printing process method for use in this}
도 1a 내지 도 1e는 종래에 포토 리소그래피(Photo litography)공정방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 사시도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 의한 인-플레인 프린팅(In-plane printing)공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부문에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 식각대상층
120 : 레지스트층 130 : 몰드판
본 발명은 전자회로 등에 구성되는 미세 패턴을 형성하기 위한 패턴형성용 레진(resin)조성물 및 이를 이용하는 인-플레인 프린팅(In-plane printing) 공정방 법에 관한 것으로, 포토마스크(Photo Mask)를 사용하지 않고 미세패턴을 안정적으로 형성하기 위한 패턴형성용 레진(resin)조성물 및 이를 이용하는 인-플레인 프린팅(In-plane printing) 공정방법에 관한 것이다.
일반적으로, 고집적화된 전자회로의 미세패턴을 형성하기 위해 널리 이용되는 포토 리소그래피(Photo lithography)공정은 도 1에 도시한 바와 같이, 기판에 도포되어 있는 식각대상물 상에 레지스트를 도포하는 포토-레지스트 도포(Photo-Resist Coating)과정, 노광장비를 이용하여 미세패턴이 형성되어 있는 마스크(Mask)를 통해 상기 레지스트에 패터닝을 하는 노광(Exposure)과정, 현상(Develop)과정, 식각(Etching)과정, 박리(Strip)과정을 포함하는 일련의 연속적인 사진 공정이다.
이하, 도 1a 및 도 1e를 참조하여, 평판표시장치 소자구현의 예를 들어 일반적인 포토 리소그래피 공정을 설명하면 하기와 같다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 구현하고자 하는 소자에 따라 반도체물질 또는 금속물질을 증착하여 식각대상층(10)을 형성하고, 이 식각대상층(10)의 상부에 포토-레지스트를 도포하여 레지스트층(20)을 형성하는 포토레지스트 도포과정을 진행한다.
이후, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 레지스트층(도 1a의 20)이 형성된 기판(1)상부에 투과부와 차단부로 구성된 마스크(3)가 위치하도록 하고, 마스크(3)의 상부로부터 광(UV)을 조사하는 공정인 노광과정을 진행한다.
이러한 노광과정을 거친 기판(1)상의 레지스트층(도 1a의 20)은 상기 마스 크(3)의 차단부와 대응되는 레지스트층의 영역(21)을 제외하고, 마스크(3)의 투과부를 통해 광(UV)이 조사된 레지스트층의 영역(22)은 화학적으로 변형되는 과정을 겪게 된다.
여기에, 도 1c에 도시한 바와 같이, 현상과정을 통해 상기 변형된 레지스트층의 영역(22)을 스트립(Strip)용액과의 반응과정에 의하여 제거한다. 이에 따라, 기판(1)상의 식각대상층(10)의 상부에는 소정의 형태로 패터닝된 레지스트층(21)만이 남게 된다.
이후, 식각과정을 통해 패터닝된 레지스트층(21) 사이의 식각대상층을 식각한다. 이러한 식각과정은, 도 1d에 도시한 바와 같이, 식각방식에 따라 습식식각(Wet etch)과, 건식식각(Dry etch)이 있는데, 습식식각은 화학약품을 식각대상층(12)의 표면에 분사하여 식각하는 방식이고, 건식식각은 식각용 가스를 플라즈마(Plasma)상태로 만들고 상하 전극을 이용하여 플라즈마 상태의 식각용 가스를 식각대상층에 충돌시켜 식각하는 방식이다.
이러한 과정을 거치면 기판(1)상에는 패터닝된 식각대상층(11) 및 레지스트층(21)만이 남게 되고, 도 1e에 도시한 바와 같이, 박리 과정을 통해 기판(1)상에 남아있는 레지스트층(도 1d 의 21)을 제거하여 구현하고자 하는 소자의 패턴(11)을 형성한다.
이러한 포토리소그래피 공정은 고가의 포토마스크와 노광장비가 필요하며, 구현하고자 하는 소자의 레이어(Layer)의 수에 따라 다수개의 포토마스크를 사용하는 반복과정을 필요로 하기 때문에 재료의 낭비가 크고, 공정소요시간이 긴 단점이 있었다.
본 발명은 전술한 포토 리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 포토 마스크가 필요없고, 재료의 낭비없이 패터닝이 가능한 인-플레인 프린팅(In-plane printing) 공정을 제안한다.
상기 인-플레인 프린팅 공정은 포토 마스크 대신 미세 패턴이 양각 또는 음각으로 형성되는 몰드판을 사용하여 식각대상층에 가압하므로써 패턴을 형성하는 방법으로 고가의 포토마스크 및 노광장비를 필요로 하지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 포토마스크를 사용하지 않는 인-플레인 프린팅 공정에서, 패턴의 정밀도를 높인 패턴형성용 레진을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 의한 패턴형성용 레진 조성물은 10% 미만의 액상 고분자 전구체와; 40% ~ 60% 의 친수성 아크릴레이드와; 10% ~ 20% 의 점도조절제와; 1% ~ 5% 의 광개시제와; 6% 미만의 기타 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액상고분자전구체는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 옥타플루오로페틸 아크릴레이드(Octafluorophetyl acrylate) 또는 옥타플루오로페틸 메타크릴레이드(Octafluorophetyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
상기 친수성 아크릴레이드는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 다이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이드(Diethylene glycol diacrylate) 또는 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이드(Diethylene glycol dimethacrylate)인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 패턴형성용 레진 조성물은 상기 제1 실시예에 의한 레진 조성물에 10% ~ 20% 의 광 반응제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 반응제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 글리시딜 아크릴레이드(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이드(Glycidyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 실시예에 의한 패턴형성용 레진 조성물은 상기 제1 실시예에 의한 레진 조성물에 10% ~ 20% 의 열 전달 유도제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 열 전달 유도제는 폴리스틸렌(Polystyrene), 또는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 폴리메틸 아크릴레이드(Polymethyl acrylate) 또는 폴리메틸 메타크릴레이드(Polymethyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4 실시예에 의한 패턴형성용 레진 조성물은 몰드판 가압성형으로 패터닝되는 패턴형성용 레진조성물에 있어서, 상기 패턴형성용 레진 조성물은 10% ~ 30% 친수성 액상고분자전구체와; 10% ~ 20% 의 점도조절제와; 1% ~ 5% 의 광개시제와; 25% 미만의 기타 첨가제를 포함하고, 10% ~ 20% 의 광 반응제 또는 열 반응 유도제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 친수성 액상고분자전구체는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 옥타플루오로-2-하이드로실-6-헵틸 아크릴레이드(Octafluoro-2- hydroxyl-6-heptyl acrylate) 또는 옥타플루오로-2-하이드로실-6-트라이플루오로메틸헵틸 메타크릴레이드(Octa fluoro-2-hydroxyl-6-tri fluoromethylheptyl metha crylate)인 것을 특징으로 한다.
상기 광 반응제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 글리시딜 아크릴레이드(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이드(Glycidyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
상기 열 전달 유도제는 폴리스틸렌(Polystyrene), 또는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 폴리메틸 아크릴레이드(Polymethyl acrylate) 또는 폴리메틸 메타크릴레이드(Polymethyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
상기 제1 실시예 내지 제4 실시예의 공통적인 특징으로서,
상기 점도 조절제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 뷰틸 아크릴레이드(buthyl acrylate) 또는 뷰틸 메타크릴레이드(buthyl methacrylate)인 것을 특징으로 한다.
상기 광 개시제는 Irgacure379 인 것을 특징으로 한다.
상기 몰드판은 폴리다이메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 폴리우레탄 아크릴레이드(Polyurethane acrylate)의 조성물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 의한 레진 조성물을 이용한 인-플레인 프린팅 공정방법으로서, 식각대상층이 상부에 증착되어 있는 기판 을 준비하고, 상기 식각대상층 상부에 레진 조성물의 레지스트층이 도포되는 단계와; 상기 레지스트층과 양각 및 음각형상으로 구성된 몰드판이 접촉되고, 광이 조사되어, 상기 음각형상에 대응되는 레지스트 패턴이 형성되는 단계와; 상기 몰드판이 제거되고, 상기 식각대상층에서 상기 레지스트 패턴사이로 노출된 부분이 제거되는 단계와; 상기 패터닝된 레지스트층이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예 및 제4 실시예에 의한 패턴형성용 레진(resin)조성물 및 이를 이용하는 인-플레인 프린팅(In-plane printing) 공정방법을 설명하면 하기와 같다.
도 2a 내지 도 2f는 레진 조성물을 식각 레지스트(Etching resist)로 사용하는 인-플레인 프린팅 공정과정을 설명하기 위한 공정단면도로서, 도 2a 내지 도 2f를 참조하면, 기판상에 식각대상층이 증착되고, 이 식각대상층 상에 도포되는 식각 레지스트층을 형성하는 레진 도포과정, 몰드판을 이용한 식각 레지스트 패터닝 및, 이 패터닝을 위한 식각공정, 식각 레지스트 패턴의 박리공정을 포함한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 레진 도포과정은 기판(100)상에 형성하고자 하는 식각대상층(110)이 증착되고, 이 식각대상층(110)의 전면에 레진 조성물이 도포되어 식각 레지스트층(120)이 형성되는 과정을 포함한다.
여기서 상기 식각대상층(110)에 형성되는 물질에는 반도체소자를 구현하는 경우, 전극층, 유기물층, 반도체층의 구성군이 될 수 있으며, 평판표시장치를 구현 하는 경우, 박막트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인전극, 게이트라인 및 데이터라인 등의 구성군이 될 수 있다.
이어서, 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 레지스트층(120)상에 양각 및 음각형상이 형성된 몰드판(130)이 정렬된다. 이 몰드판(130)은 탄성이 비교적 큰 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS)성분의 소프트몰드(Soft mold), 또는 석영(Quartz)성분의 하드몰드(Hard mold)일 수 있으며, 상기 양각 및 음각형상은 형성하고자 하는 구성군에 대응하는 형상 및 상기 레지스트층(120)의 두께를 고려하여 결정된다.
상기 몰드판(130)이 정렬되면, 식각대상층(110)에 접촉이 가능할 정도로 레지스트층(120)에 가압된다. 이와 동시에 노광장치에 의해 자외선(UV)이 몰드판을 투과하여 상기 레지스트층(120)에 조사된다. 이러한 과정을 거치게 되면, 기판(100)과 몰드판(130)사이의 압력으로 발생하는 모세관 힘과, 레지스트층(120)과 몰드판(130)사이의 반발력에 의해, 도 2c에 도시한 바와 같이, 레지스트층(121)은 몰드판(130)의 음각패턴으로 이동하게 된다.
이후, 각 레지스트층(121)은 광중합반응에 의해 몰드판(130)의 양각 또는 음각패턴에 따라 레진이 경화(Cure)되어, 상기 음각패턴의 반전전사 형태로 식각 레지스트 패턴이 형성된다.
적정한 시간 이후, 도 2d에 도시한 바와 같이, 기판(100)으로부터 몰드판(130)을 들어올리게 되면, 상기 음각패턴의 형상과 동일한 소정 형상의 레지스트층(121)이 상기 식각대상층(110)의 상부에 남게 된다.
이때, 레지스트층(121)과 몰드판(130)간 및 레지스트층(121)과 기판(100) 내지 식각대상층(110) 간에는 서로의 접촉면에서 계면에너지가 작용한다.
레지스트층(121), 몰드판(130) 및, 기판(100) 내지 식각대상층(110)간에 접촉면에서의 계면에너지에 대한 관계식을 나타내면 하기의 식 1과 같다.
Figure 112006036371796-PAT00001
.................식 1
상기 식 1에서, R, M, S는 각각 레지스트층(121), 몰드판(130) 및, 기판(100) 내지 식각대상층(110)을 나타내며,
Figure 112006036371796-PAT00002
는 각 층을 구성하고 있는 조성물질의 표면에너지(Surface energy)를 나타낸다.
여기서,
Figure 112006036371796-PAT00003
은 레지스트층(121)과 몰드판(130)간에 이루는 계면면적을 나타내고,
Figure 112006036371796-PAT00004
는 레지스트층(121)과 기판(100) 내지 식각대상층(110)간에 이루는 계면면적을 나타낸다. 즉, 레지스트층(121)을 구성하고 있는 레진은, 레진과 몰드판(130)이 이루고 있는 계면면적에 레진과 몰드판(130)의 접촉력을 승산한 값이, 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 계면면적에, 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 접촉력(Work of adhesion)을 승산한 값보다 작게 되는 성분으로 이루어진다. 여기서 상기 접촉력은 식 1에 나타낸 바와 같이, 접촉하는 두 물질의 각각의 표면에너지에 두 물질의 계면에너지를 감한 값과 같다.
따라서, 상기 식 1에서 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 접촉력에 관한 관계식을 다시 나타내면 하기의 식 2와 같다.
Figure 112006036371796-PAT00005
.................식 2
상기 식 2에서,
Figure 112006036371796-PAT00006
는 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 접촉력을 나타낸다. 따라서,
Figure 112006036371796-PAT00007
을 높이기 위해서
Figure 112006036371796-PAT00008
값이 작아져야 된다. 상기
Figure 112006036371796-PAT00009
값을 다시 식으로 나타내면 하기의 식 3과 같다.
Figure 112006036371796-PAT00010
.................식 3
상기 식 3에서
Figure 112006036371796-PAT00011
는 0°부터 90° 사이의 값이며, 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 접촉각을 나타낸다. 즉, 식 2 및 식 3에 따라 접촉각이 작아질수록 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)과의 접촉력이 커지게 된다.
이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 의한 레진의 조성물은 기판(100) 내지 식각대상층(110)의 구성성분과의 접촉각이 작은 액상 고분자 전구체(Liquid prepolymer)형태의 플루오로 아크릴레이드/메타크릴레이드(Fluoro acrylate/metha crylate)계열이 포함된다.
또한, 상기 몰드판(130)이 소프트몰드일 경우, 일반적으로 사용되는 폴리다이메틸실록세인은 소수성기(Hydrophobic group)이므로, 레진의 조성물은 친수성기(Hydrophilic group)를 포함하는 액상 고분자 전구체 형태의 아크릴레이드/메타크릴레이드가 포함된다.
또한, 상기 레진 조성물의 아크릴레이드는 별도의 표기가 없어도 존재할 수 있는 다수개의 치환기, 즉 di-acrylate 또는 tri-acrylate 와 같은 multi-acrylate가 포함된다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에서는, 패턴형성용 레진은 하기의 표 1과 같은 조성 및 조성비를 갖게 된다.
표 1
조성 플루오로 아크릴레이드 친수성기 아크릴레이드 점도 조절제 광 개시제 기타
조성비 10% 미만 40% ~ 60% 10% ~ 20% 1% ~ 5% 6% 미만
바람직하게는, 플루오로 아크릴레이드/메타크릴레이드는 옥타플루오로페틸 아크릴레이드(Octafluorophetyl acrylate) 내지는 옥타플루오로페틸 메타크릴레이드(Octafluorophetyl metacrylate) 이고, 친수성기 아크릴레이드는 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이드(Diethylene glycol dimethacrylate) 이며, 점도 조절제는 하려는 패턴에 따라 적당한 비의 레진조성재료가 이용된다.
추가적인 화학적 반응을 통해서 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)간의 접촉력을 증가 시킬 수 있다. 하기 본 발명의 제2 실시예에서는 광반응을 통해서 접촉력을 증가시키기 위해 액상고분자전구체 형태의 광반응제가 포함된다.
본 발명의 제2 실시예에서는, 패턴형성용 레진이 하기의 표 2와 같은 조성 및 조성비를 갖게 된다.
표 2
조성 플루오로 아크릴레이드 친수성기 아크릴레이드 점도 조절제 광 개시제 광 반응제 기타
조성비 10% 미만 40% ~ 60% 10% ~ 20% 1% ~ 5% 10% ~ 20% 6% 미만
바람직하게는, 플루오로 아크릴레이드/메타크릴레이드는 옥타플루오로페틸 아크릴레이드(Octafluorophetyl acrylate) 내지는 옥타플루오로페틸 메타크릴레이드(Octafluorophetyl metacrylate) 이고, 친수성기 아크릴레이드는 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이드(Diethylene glycol dimethacrylate) 이며, 점도 조절제는 뷰틸 메타크릴레이드(Buthyl methacrylate) 이며, 광 반응제는 글리시딜 메타크릴레이드(Glycidyl methacrylate)이며, 광 첨가제는 Irgacure379 이고, 기타 첨가물은 형성하려는 패턴에 따라 적당한 량의 레진조성재료가 이용된다.
또한, 추가적인 화학적 반응을 통해서 레진과 기판(100) 내지 식각대상층(110)간의 접촉력을 증가 시킬 수 있다. 하기 본 발명의 제3 실시예에서는 열 반응을 통해서 접촉력을 증가시키기 위해 액상고분자전구체에 열 흐름(Thermal Flow)유도제가 포함된다.
본 발명의 제3 실시예에서는, 패턴형성용 레진이 하기의 표 3과 같은 조성 및 조성비를 갖게 된다.
표 3
조성 플루오로 아크릴레이드 친수성기 아크릴레이드 점도 조절제 광 개시제 열 흐름 유도제 기타
조성비 10% 미만 40% ~ 60% 10% ~ 20% 1% ~ 5% 10% ~ 20% 6% 미만
바람직하게는, 플루오로 아크릴레이드/메타크릴레이드는 옥타플루오로페틸 아크릴레이드(Octafluorophetyl acrylate)내지는 옥타플루오로헵틸 메타크릴레이드(Octafluorophetyl metacrylate) 이고, 친수성기 아크릴레이드는 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이드(Diethylene glycol dimethacrylate) 이며, 점도 조절제는 뷰틸 메타크릴레이드(Buthyl methacrylate) 이며, 열 흐름 유도체는 폴리스틸 렌(Polystyrene) 이며, 광 첨가제는 Irgacure379 이고, 기타 첨가물은 형성하려는 패턴에 따라 적당한 비의 레진조성재료가 이용된다.
또한, 상기 플루오로 아크릴레이드와 친수성기 아크릴레이드의 기능을 동시에 가진 하나의 재료로 대체할 수 있다. 본 발명의 제4 실시예에서는, 패턴형성용 레진이 하기의 표 4와 같은 조성 및 조성비를 갖게 된다.
표 4
조성 플루오로 소수성기 아크릴레이드 점도 조절제 광반응제 /열유도체 광 개시제 기타
조성비 10% ~ 30% 10% ~ 20% 10% ~ 20% 1% ~ 5% 25% 이하
바람직하게는, 플루오로 친수성기 아크릴레이드는 옥타플루오로-2-하이드록실-6-페틸 메타크릴레이드(Octafluoro-2-hydroxyl-6-trifluorophetyl methacrylate) 내지 옥타플루오로-2-하이드록실-6-트라이플루오로메틸페틸 메타크릴레이드(Octafluoro-2-hydroxyl-6-trifluoromethylphetylmethacrylate)이고, 점도 조절제는 뷰틸 메타크릴레이드(Buthyl methacrylate) 이며, 광 반응제 또는 열 흐름 유도체는 글리시딜 아크릴레이드(Glycidyl acrylate) 또는 폴리스틸렌(Polystyrene)이며, 광 첨가제는 Irgacure379 이다. 또한, 기타 첨가물은 형성하려는 패턴에 따라 적당한 비의 레진조성재료가 이용된다.
상술한 몰드판 제거과정이 끝나면, 습식 식각장치(Wet etching device) 또는 건식 식각장치(Dry etching device)를 이용하여 식각(Etching)공정을 거쳐, 도 2e와 같이, 상기 식각대상층(도 2d 의110)은 식각되고, 이때 상기 레지스트층(121)은 마스크 역할을 하므로 레지스트층(121)의 형성된 패턴하부에 위치한 식각대상 층(111)의 부분만이 기판(100)상에 잔류되고, 그 이외의 부분은 제거된다. 이어서, 도 2f에 도시한 바와 같이, 레지스트층(도 2e의 121)은 박리(Strip)과정을 거쳐 제거되고, 기판상에 잔류된 패턴에 대한 전기적, 광학적 검사를 통해 형성된 패턴의 불량여부가 판정된다.
여기서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 몰드판(130)은 기판(100)과 분리된 후, 자외선(UV)과 오존(O3)으로 세정된 다음, 다른 패터닝 공정에 재 투입된다.
상술한 인-플레인 프린팅 공정은, 포토 리소그래피공정에서 이용되는 고가의 포토마스크를 대신, 몰드판 이용하여 패턴을 형성하므로서, 제작단가와 공정수를 낮출 수 있게 된다.
또한, 상기 레지스트층을 구성하는 레진의 조성물은 몰드판간에 접촉력이 낮고, 기판 내지 식각대상층간에 접촉력이 높은 물질로 구성됨으로서, 몰드판의 제거 과정시에 발생하는 스트레스로 인한 패턴의 변형이 최소화되게 된다.
상기에서는 반복적인 실험과정을 거쳐 나온 결과물을 토대로 바람직한 실시예를 제시하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 의한 패턴형성용 레진은 레진과 몰드간에 접촉력이 작 고, 레진과 기판내지 식각대상층간의 접촉력이 큰 재료로 조성되어, 인-플레인 프린팅 공정 중 몰드판와 기판의 분리과정시 발생하는 스트레스가 감소되어, 사용되는 몰드판의 수명이 연장된다. 또한 형성된 패턴의 변형이 방지되어, 패턴의 정밀도를 높일 수 있다.

Claims (20)

  1. 몰드판 가압성형으로 패터닝되는 패턴형성용 레진조성물에 있어서, 상기 패턴형성용 레진 조성물은,
    10% 미만의 액상 고분자 전구체와;
    40% ~ 60% 의 친수성 아크릴레이드와;
    10% ~ 20% 의 점도조절제와;
    1% ~ 5% 의 광개시제와;
    6% 미만의 기타 첨가제;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 몰드판은 폴리다이메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 폴리우레탄 아크릴레이드(Polyurethane acrylate)의 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 액상고분자전구체는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 옥타플루오로페틸 아크릴레이드(Octafluorophetyl acrylate) 또는 옥타플루오로페틸 메타크릴레이드(Octafluorophetyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 친수성 아크릴레이드는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 다이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이드(Diethylene glycol diacrylate) 또는 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이드(Diethylene glycol dimethacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 점도 조절제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 뷰틸 아크릴레이드(buthyl acrylate) 또는 뷰틸 메타크릴레이드(buthyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 광 개시제는 Irgacure379 인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성 물.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레진 조성물은 10% ~ 20% 의 광 반응제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 광 반응제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 글리시딜 아크릴레이드(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이드(Glycidyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레진 조성물은 10% ~ 20% 의 열 전달 유도제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 열 전달 유도제는 폴리스틸렌(Polystyrene), 또는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 폴리메틸 아크릴레이드(Polymethyl acrylate) 또는 폴리메틸 메타크릴레이드(Polymethyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  11. 몰드판 가압성형으로 패터닝되는 패턴형성용 레진조성물에 있어서, 상기 패턴형성용 레진 조성물은,
    10% ~ 30% 친수성 액상고분자전구체와;
    10% ~ 20% 의 점도조절제와;
    1% ~ 5% 의 광개시제와;
    25% 미만의 기타 첨가제;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 몰드판은 폴리다이메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 폴리우레탄 아크릴레이드(Polyurethane acrylate)의 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 친수성 액상고분자전구체는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 옥타플루오로-2-하이드로실-6-헵틸 아크릴레이드(Octafluoro-2- hydroxyl-6-heptyl acrylate) 또는 옥타플루오로-2-하이드로실-6-트라이플루오로메틸헵틸 메타크릴레이드(Octa fluoro-2-hydroxyl-6-trifluoromethylheptyl metha crylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 점도조절제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 뷰틸 아크릴레이드(buthyl acrylate) 또는 뷰틸 메타크릴레이드(buthyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 광 개시제는 Irgacure379 인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레진 조성물은 10% ~ 20% 의 광 반응제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 광 반응제는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 글리시딜 아크릴레이드(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이드(Glycidyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레진 조성물은 10% ~ 20% 의 열 전달 유도제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 열 전달 유도제는 폴리스틸렌(Polystyrene), 또는 다수개의 치환기가 선택될 수 있는 아크릴레이드 계열의 폴리메틸 아크릴레이드(Polymethyl acrylate) 또는 폴리메틸 메타크릴레이드(Polymethyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레진 조성물.
  20. 제1 항 또는 제11 항 중 선택된 하나의 항의 기재에 따른 레진 조성물을 이용한 인-플레인 프린팅 공정방법으로서,
    식각대상층이 상부에 증착되어 있는 기판을 준비하고, 상기 식각대상층 상부에 레진 조성물의 레지스트층이 도포되는 단계와;
    상기 레지스트층과 양각 및 음각형상으로 구성된 몰드판이 접촉되고, 광이 조사되어, 상기 음각형상에 대응되는 레지스트 패턴이 형성되는 단계와;
    상기 몰드판이 제거되고, 상기 식각대상층에서 상기 레지스트 패턴사이로 노출된 부분이 제거되는 단계와;
    상기 패터닝된 레지스트층이 제거되는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 인-플레인 프린팅 공정방법.
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TW096118379A TWI435177B (zh) 2006-05-24 2007-05-23 用以形成圖案之合成物及其平面切換式印刷方法
US11/802,552 US8822125B2 (en) 2006-05-24 2007-05-23 Composition for forming pattern and in-plane printing method using the same
CN200710106134.1A CN101078880B (zh) 2006-05-24 2007-05-24 用于形成图案的组合物及使用该组合物的面内印刷法
JP2007137607A JP4658997B2 (ja) 2006-05-24 2007-05-24 パターン形成用レジン組成物及びこれを利用するインプレーンプリンティング工程方法
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103472674B (zh) * 2009-09-18 2017-04-26 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、抗蚀图案形成方法、聚合物和聚合性化合物
KR101711646B1 (ko) * 2009-12-11 2017-03-03 엘지디스플레이 주식회사 임프린트용 몰드의 제조방법 및 임프린트용 몰드를 이용한 패턴 형성방법
JP6338657B2 (ja) * 2013-06-19 2018-06-06 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料
KR102143674B1 (ko) * 2013-11-29 2020-08-12 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 다이 구조물을 가지는 다이, 뿐만 아니라 이의 제조 방법
US11718580B2 (en) 2019-05-08 2023-08-08 Meta Platforms Technologies, Llc Fluorene derivatized monomers and polymers for volume Bragg gratings
US11780819B2 (en) 2019-11-27 2023-10-10 Meta Platforms Technologies, Llc Aromatic substituted alkane-core monomers and polymers thereof for volume Bragg gratings
US11879024B1 (en) * 2020-07-14 2024-01-23 Meta Platforms Technologies, Llc Soft mold formulations for surface relief grating fabrication with imprinting lithography

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1172790A (en) * 1980-11-24 1984-08-14 Gerald M. Leszyk Radiation curable composition including an acrylated urethane, and unsaturated carboxylic acid, a multifunctional acrylate and a siloxy-containing polycarbinol
US4771078A (en) * 1985-11-12 1988-09-13 The Goodyear Tire & Rubber Company Method of producing a foam from a radiation-curable composition
US5162391A (en) 1989-03-10 1992-11-10 Kuraray Co., Ltd. Oxygen permeable hard contact lens
DE69202595T2 (de) * 1991-03-08 1996-02-29 Agfa Gevaert Nv Röntgenschirm mit randverstärkender Schicht.
JP3108550B2 (ja) * 1992-11-11 2000-11-13 株式会社メニコン 軟質眼用レンズ材料
JP3813222B2 (ja) 1995-12-27 2006-08-23 三菱化学株式会社 カラーフィルター用ブラックレジスト組成物
JPH09265184A (ja) 1996-03-29 1997-10-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント及びこれを用いた蛍光体パターンの製造法
CN1347929A (zh) * 2000-10-10 2002-05-08 麦克德米德有限公司 用于制造印刷板的光敏树脂组合物
JP4019645B2 (ja) * 2001-03-12 2007-12-12 東洋インキ製造株式会社 重合性組成物
CN100454042C (zh) * 2001-11-30 2009-01-21 株式会社尼康 光学用树脂前体组合物、光学用树脂、光学元件及光学物品
US7060774B2 (en) * 2002-02-28 2006-06-13 Merck Patent Gesellschaft Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their use
US6869675B2 (en) * 2002-11-12 2005-03-22 Eastman Kodak Company Durable overcoat material
US7750059B2 (en) 2002-12-04 2010-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
DE602005003244T2 (de) 2004-01-23 2008-09-25 Fujifilm Corp. Lithographiedruckplattenvorläufer und lithographisches Druckverfahren
WO2005103175A1 (en) * 2004-04-22 2005-11-03 Jsr Corporation Low refractive index coating composition
KR101031693B1 (ko) 2004-06-18 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR101237766B1 (ko) 2004-09-13 2013-02-28 다우 코닝 코포레이션 실리콘 주형을 사용하는 리소그래피 기술
WO2006114958A1 (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Asahi Glass Company, Limited 光硬化性組成物、微細パターン形成体およびその製造方法
US7625515B2 (en) * 2006-06-19 2009-12-01 Iowa State University Research Foundation, Inc. Fabrication of layer-by-layer photonic crystals using two polymer microtransfer molding

Also Published As

Publication number Publication date
JP4658997B2 (ja) 2011-03-23
US20070273053A1 (en) 2007-11-29
US20140367358A1 (en) 2014-12-18
JP2007314791A (ja) 2007-12-06
US9000064B2 (en) 2015-04-07
US8822125B2 (en) 2014-09-02
KR101345280B1 (ko) 2013-12-26
TW200743909A (en) 2007-12-01
CN101078880B (zh) 2010-11-03
CN101078880A (zh) 2007-11-28
DE102007023581B4 (de) 2022-03-10
TWI435177B (zh) 2014-04-21
DE102007023581A1 (de) 2007-11-29

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