KR20070112697A

KR20070112697A - 다층인쇄회로기판

Info

Publication number: KR20070112697A
Application number: KR1020067024149A
Authority: KR
Inventors: 다까시 기꾸찌; 시게루 다나까; 에이이찌로 구리바야시; 그레그 클레멘츠
Original assignee: 가네카 텍사스 코포레이션; 가부시키가이샤 가네카
Priority date: 2004-04-27
Filing date: 2005-04-27
Publication date: 2007-11-27
Also published as: JP2007535179A; US20080032103A1; CN1994030A; WO2005107344A1

Abstract

본 발명의 다층인쇄회로기판은 고주파 응용에 사용할 수 있고, 환경변화에 쉽게 영향받지 않고, 안정한 유전특성을 갖는다. 고주파 범위에서 사용하기에 적당한 다층인쇄회로기판은 층간결합부재를 사이에 두고 적층된 두 개 이상의 인쇄배선시트를 포함한다. 두 개 이상의 인쇄배선시트 중의 하나 이상은 절연필름, 절연필름의 하나 이상의 표면 위에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층, 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함한다. 층간결합부재는 열가소성 폴리이미드를 함유한다.

다층인쇄회로기판, 고주파 응용, 층간결합부재

Description

다층인쇄회로기판{MULTILAYER PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 환경의 영향을 쉽게 받지 않고 신뢰성이 높은, 고주파 응용에 사용할 수 있는 다층인쇄회로기판에 관한 것이다.

전기장치 소형화로 인한 장착공간 감소 및 기능 개선으로 인한 상호접속수 증가를 대처하기 위해, 다수의 배선층을 적층하여 삼차원 배선구조를 형성한 다층인쇄회로기판을 이용하여 왔다. 현재, 에폭시 수지 함침 유리섬유(glass cloth) 등으로 이루어진 강성 기판을 갖는 다층인쇄회로기판이 우세하게 사용되고 있다. 강성 기판의 일례가 일본 특허 공개 7-162154(발명의 명칭: 다층인쇄배선기판")에 기재되어 있다. 강성 기판의 사용은 다음 중 하나 이상의 문제를 안고 있다.

첫번째 문제는 기판의 유연성에 관한 것이다. 일반적으로 강성 기판은 유리섬유, 아라미드 종이 등으로 구성된 섬유 기재에 에폭시 수지 또는 페놀 수지와 같은 열경화성 수지를 함침시킨 후 경화시켜서 제조한다. 따라서, 강성 기판은 낮은 유연성을 갖는다. 결과적으로, 전자장치의 개방 공간에 배치되도록 기판을 접기가 어렵다.

두번째 문제는 기판의 두께에 관한 것이다. 상기한 바와 같이, 강성 기판은 유리섬유, 아라미드 종이 등으로 구성된 섬유 기재에 열경화성 수지를 함침시켜서 제조한다. 따라서, 기판의 두께가 기재의 섬유 두께에 의해 제한되어, 기판의 두께를 감소시키는 데 한계가 있다. 게다가, 기재에 열경화성 수지가 함침되기 때문에, 기판 자체의 유전 특성이 별로 좋지 않다. 층간절연을 확고히 한다는 견지에서, 기판의 두께를 감소시키는 것은 가능하지 않다. 각각 큰 두께를 갖는 다수의 기판을 적층시켜서 다층회로기판을 형성한다면, 다층회로기판의 두께는 상대적으로 커질 것이다.

세번째 문제는 표면 평활도에 관한 것이다. 강성 기판은 섬유 기재를 포함하기 때문에 기판의 표면 평활도가 별로 좋지 않다. 결과적으로, 기판에 금속 배선층을 배치해서 배선시트를 형성할 때 전송손실이 증가한다.

상기한 문제를 고려해서, 강성 기판을 포함하는 배선시트를 절연필름으로 이루어진 기판을 포함하는 배선시트 위에 부분 배치한 다층인쇄회로기판이 개발되어 왔다. 이러한 인쇄회로기판은 일본특허 공개 6-268339(발명의 명칭: 유연성-강성 다층인쇄배선기판 및 그의 제조)에 기재되어 있다. 이러한 구조를 갖는 다층인쇄회로기판은 유연성 부분을 가지고 있기 때문에, 이 부분에서 접을 수가 있고, 따라서 유연성 문제는 극복된다. 그러나, 강성 기판을 여전히 포함하기 때문에, 기판 두께 및 표면 평활도의 문제는 극복되지 않는다.

남아있는 문제를 대처하기 위해, 각각 절연필름으로 이루어진 기판들을 포함하는 배선시트만으로 이루어진 다층인쇄회로기판을 사용하게 되었다. 이러한 다층인쇄회로기판의 경우, 절연필름이 기판에 사용되기 때문에, 층간절연이 강성 기판에 비해 보다 더 쉽게 보장될 수 있다. 각 배선시트의 두께 및 전체 다층기판의 두께가 감소될 수 있다. 게다가, 고평활도 필름이 기재로 사용되기 때문에, 표면 평활도 문제가 극복된다. 게다가, 강성 기판이 사용되는 경우, 전도성 애노딕 필라멘트(CAF)가 비아홀 사이 또는 비아홀과 패턴 사이의 유리섬유 계면을 따라서 성장할 수 있어서, 그 결과 절연특성 저하가 발생한다. 그러나, 절연필름이 사용될 때는, CAF를 발생하는 유리섬유가 관여되지 않기 때문에, CAF로 인한 절연성질 저하를 피할 수 있다.

한편, 최근에는 전자장치에서 정보처리능력을 개선하기 위해, 회로를 통해 전송되는 전기신호의 주파수를 증가시키고 있다. 전기신호의 주파수가 증가하기 때문에, 배선 기판이 전기신뢰성을 유지하고, 전기신호 전송속도 감소 및 전기신호 손실을 방지하는 것이 요구된다. 고주파 범위(GHz 이상)에서 저유전상수 및 저유전손실탄젠트를 갖는 물질이 필요하다.

여기서, 상기 다층인쇄회로기판을 검사해보겠다. 강성 기판이 부분적으로 또는 전체적으로 사용된 다층인쇄회로기판의 경우, 기판의 유전특성이 일반적으로 불량하고, 고주파 범위에서 저유전특성을 나타내기가 어렵다. 게다가, 고주파 범위에서는 불량한 표면 평활도로 인한 전송손실 영향이 증가한다. 따라서, 전기신호의 주파수 증가에 대처하기가 어렵다.

각각 절연필름으로 이루어진 기판을 포함하는 다층인쇄회로기판을 제조하기 위해, 각각 절연필름 및 상기 절연필름 위에 접착층을 사이에 두고 배치된 금속배선층을 포함하는 인쇄배선시트를 층간결합부재를 이용해서 적층시킨다. 예를 들면, 에폭시수지와 같은 열경화성 수지를 접착제로 사용해서 폴리이미드 필름 위에 동박을 적층시키고, 에칭에 의해 회로를 형성한다. 층간결합부재로서 에폭시 또는 아크릴 수지와 같은 열경화성 수지가 보통 사용된다. 이러한 다층인쇄회로기판도 또한 불량한 유전특성을 갖는다. 결과적으로, 주파수가 한층 더 증가, 특히 10 GHz 이상의 범위로 증가할 때, 전체 다층기판의 유전특성이 열화되는 것으로 믿어진다.

다른 한편, 접착층을 포함하지 않거나 또는 폴리이미드 물질로 이루어진 접착층을 포함하는 동장적층판을 몇몇 회사에서 제안하였다. 이러한 적층판의 예는 일본특허공개 3-104185(발명의 명칭: 양면 전도체 폴리이미드 적층판의 제조), 5-327207(발명의 명칭: 폴리이미드 기재 플레이트의 제조) 및 2001-129918(적층 시트 제조방법)에 기재되어 있다.

층간결합부재에 관해서는, 폴리이미드 니스(vanish)를 배선시트에 도포한 후 건조시켜서 접착층을 형성하고 이 접착층을 이용해서 층간결합을 달성하는 방법이 제안되어 있다. 이러한 방법의 예는 일본특허공개 5-275568(발명의 명칭: 다층 상호접속 회로기판 및 그의 제조)에 기재되어 있다.

상기한 바와 같은 다층회로기판의 개선에도 불구하고, 성능, 제법 및 신뢰성에 있어서 추가 개선을 여전히 달성할 수 있다. 예를 들면, 추가 개선은 고주파 범위에서의 유전특성 감소, 납땜 내열성 증가 및 치수안정성 증가를 포함할 수 있다.

발명의 요약

한 양상으로서, 본 발명은 층간결합부재를 사이에 두고 적층된 2개 이상의 인쇄배선시트를 포함하는 다층인쇄회로기판에 관한 것이다. 인쇄배선시트 중 하나 이상은 비열가소성 폴리이미드 필름, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름의 하나 이상의 표면에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층, 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함한다. 층간결합부재는 열가소성 폴리이미드를 함유한다.

본 발명의 다른 양상 및 이점은 다음 설명 및 첨부된 특허청구의 범위로부터 명백해질 것이다.

발명의 개시

고주파 범위에서 개선된 유전특성을 갖는 다층인쇄회로기판을 제공하는 본 발명의 하나 이상의 실시태양은 환경 변화에 쉽게 영향을 받지 않고, 높은 신뢰성을 갖는다.

한 실시태양에서, 본 발명에 따른 다층인쇄회로기판은 층간결합부재를 사이에 두고 적층된 2개 이상의 인쇄배선시트를 포함한다.

본 발명의 하나 이상의 실시태양에 따르면, 인쇄배선시트는 비열가소성 폴리이미드 필름, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름의 하나 이상의 표면에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층, 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함한다. 층간결합부재는 열가소성 폴리이미드를 함유한다. 인쇄배선시트 및 층간결합부재를 결합시킴으로써, GHz 이상의 고주파 범위에서도 우수한 저유전특성을 나타낸다. 게다가, 우수한 납땜 내열성, 장기 내열성, 및 전체 다층인쇄회로기판의 치수안정성과 같은 이점을 나타낼 수 있다. 인쇄배선시트, 층간결합부재, 및 본 발명에 따른 다층인쇄회로기판의 제조 방법을 나열 순서로 아래에서 설명할 것이다. 본 발명의 하나 이상의 실시태양에 따른 다층인쇄회로기판에 사용되는 인쇄배선시트는 비열가소성 폴리이미드 필름, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름의 하나 이상의 표면에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층, 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함한다.

인쇄배선시트에 사용되는 비열가소성 필름은 특별하게 제한되지는 않고, 일반적으로는 다양한 유형의 수지 필름 중 어느 것이라도 사용할 수 있다.

폴리이미드 필름으로는, 애피칼(APICAL) (카네카 코포레이션 (Kaneka Corporation) 제조), 캡톤(Kapton)(토레이-듀폰 컴퍼니(Toray-DuPont Company)에서 제조) 또는 유필렉스(UPILEX)(우베 인더스트리즈, 엘티디.(Ube Industries, Ltd.)에서 제조)와 같은 상업적으로 입수가능한 폴리이미드 필름을 사용할 수 있다. 생성된 인쇄배선시트에서의 흡수계수 및 유전특성과 같은 물성의 균형을 고려할 때, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 얻어지는 폴리이미드 필름을 사용하는 것이 바람직하다.

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임). 표현 메카니즘이 아직 명확하게 밝혀지지는 않았지만, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 사용함으로써, 생성된 폴리이미드 필름은 저흡수성 및 저유전특성을 보여준다. 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물의 함량은 바람직하게는 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상, 더 바람직하게는 50 몰% 이상이다. 함량이 상기 하한치 미만이면, 어떤 경우에는 저흡수성 및 저유전특성을 충분히 얻을 수 없다.

화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물 이외에 사용할 수 있는 산 이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시프탈산 이무수물, 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, p-페닐렌비스(트리멜리트산 모노에스테르 무수물), 에틸렌비스(트리멜리트산 모노에스테르 무수물), 비스페놀 A 비스(트리멜리트산 모노에스테르 무수물) 및 이들의 유사체를 포함한다.

디아민의 예로는 4,4'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 벤지딘, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡 시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐 술폰, 4,4'-디아미노디페닐 술폰, 4,4'-옥시디아닐린, 3,3'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 1,5-디아미노나프탈렌, 4,4'-디아미노디페닐디에틸실란, 4,4'-디아미노디페닐실란, 4,4'-디아미노디페닐에틸포스핀 옥시드, 4,4'-디아미노디페닐 N-메틸아민, 4,4'-디아미노디페닐 N-페닐아민, 1,4-디아미노벤젠 (p-페닐렌디아민), 1,3-디아미노벤젠, 1,2-디아미노벤젠, 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}술폰, 비스{4-(3-아미노페녹시)페닐}술폰, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논 및 이들의 유사체를 포함한다.

산 이무수물을 함유하는 산 이무수물 성분 및 방향족 디아민 성분의 중합에 의해 제조한 폴리아믹산을 필름으로 형성하고 이미드화함으로써 본 발명의 한 실시태양에 따른 폴리이미드 필름을 제조한다. 중합, 필름 형성 및 이미드화 단계에 사용되는 장치 및 조건은 특별히 제한되지는 않으며, 흔히 알려져 있는 장치 및 조건을 사용할 수 있다. 게다가, 무기 또는 유기 충전제를 윤활제로서 혼입할 수 있고, 접착강도를 개선시키기 위해 필름 표면에 코로나 처리 또는 플라즈마 처리와 같은 다양한 유형의 처리를 할 수 있다.

본 발명의 한 실시태양에 따른 다층인쇄회로기판을 고주파 응용에서 안정적으로 사용하기 위해서는, 절연층(비열가소성 필름 + 접착층)이 12.5 GHz에서 3.4 이하의 유전상수 및 0.010 이하의 유전손실탄젠트를 갖는 것이 바람직하다.

환경에 덜 민감한 회로기판을 제조하기 위해 그리고 안정한 저유전특성을 달 성하기 위해, 절연층의 흡수계수를 조절할 수 있다. 특히, 절연층(절연필름 + 접착층)의 흡수계수는 바람직하게는 1.6% 이하, 특히 바람직하게는 1.4% 이하이다. 흡수계수가 상기 상한치를 초과하면, 고습 환경에서 절연층에 흡수되는 물의 양이 증가하고, 그 결과 저유전특성을 나타내는 데 어려움이 있을 수 있다.

흡수계수를 상기 범위로 제한함으로써, 환경의 영향을 줄일 수 있고, 안정한 저유전특성을 달성할 수 있다. 특히, 절연층 시료를 각각 20 ℃ 및 40% R.H., 20 ℃ 및 60% R.H., 및 20℃ 및 80% R.H.의 조건에서 12 시간 동안 방치한 후 12.5 GHz에서 측정할 때, 각 시료의 절연층은 유전상수가 3.4 이하, 유전손실탄젠트가 0.010 이하이다. 상기한 환경 중 어느 하나에서 또는 모두에서 유전상수 및 유전손실탄젠트가 상기 범위를 초과할 때는, 제품을 고주파 범위에서 안정적으로 사용하는 것이 어려워질 수 있다.

하나 이상의 실시태양에서, 비열가소성 폴리이미드 필름은 약 450℃ 내지 500℃에서 가열할 때 필름의 형상을 유지하고 융합되지 않는 폴리이미드 필름으로 정의한다.

바람직하게는, 접착층은 저유전특성, 및 저유전특성과 내열성 같은 다른 물성간의 우수한 균형의 견지에서 열가소성 폴리이미드를 함유한다. 접착층에 함유되는 열가소성 폴리이미드의 바람직한 예는 열가소성 폴리이미드, 열가소성 폴리아미드-이미드, 열가소성 폴리에테르이미드 및 열가소성 폴리에스테르이미드를 포함한다. 이들 중에서도, 저흡수성 및 저유전특성에서의 우수성을 고려해서, 에스테르 결합을 구조 내에 함유하는 열가소성 폴리에스테르이미드가 특히 바람직하다.

하나 이상의 실시태양에서, 금속배선층과 절연필름을 결합시키는 데 사용되는 열가소성 폴리이미드는 압축 모드(프로브 직경: 3 ㎜, 하중 : 5g)를 이용한 열역학적분석(TMA)에서 10℃ 내지 400℃의 온도 범위에서(가열속도: 10℃/분) 영구압축을 가지는 것이 필요하다.

기존의 장치를 이용하여 동박과 같은 금속박을 결합시켜서 배선층을 형성할 때, 바람직하게는 본 발명의 한 실시태양의 열가소성 폴리이미드는 150℃ 내지 300℃ 범위의 유리전이온도(Tg)를 갖는다. Tg가 상기 범위를 초과하면, 접착성을 발현하는 온도도 증가해서, 기존 장치를 이용한 작업 수행이 어려워질 수 있다. Tg가 상기 범위 미만이면, 접착층의 내열성이 저하될 수 있는 가능성이 있다. 추가로, Tg는 동적 기계분석기(DMA)로 측정한 저장탄성율의 변곡점으로부터 결정할 수 있다.

본 발명의 한 실시태양에 사용되는 열가소성 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산의 제조에 있어서는 흔히 알려진 장치, 반응조건 등을 사용할 수 있다. 무기 또는 유기 충전제는 필요한 만큼 혼입할 수 있다.

본 발명의 한 실시태양에 따른 다층인쇄회로기판에 사용되는 인쇄배선시트는 절연필름, 절연필름의 하나 이상의 표면에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층, 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함한다. 금속배선층은 금속박과 절연필름을 그들 사이에 접착층을 두고 결합시킨 후 금속박층의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거하는 방법, 또는 무전해 및 전해 도금에 의해 회로패턴용 금속층을 접착층의 한 표면 위에 형성하는 방법에 의해 생성한다. 후자의 방법에서는 금 속박을 접착층 표면에 결합시킨 후 전표면을 에칭하고, 금속박의 거칠고 조야한 표면이 전이된 표면을 무전해 및 전해 도금하는 방법을 이용할 수 있다. 후자의 방법은 부가적 방법으로 회로패턴을 형성하는 데 사용하는 것이 바람직하고, 정교한 배선을 형성할 필요가 있을 때 사용하는 것이 특히 바람직하다. 금속박은 특별히 제한되지는 않는다. 전자장치 및 전기장치 응용에서, 사용할 수 있는 금속박의 예는 동 또는 동합금, 스테인레스강 또는 그의 합금, 니켈 또는 니켈합금(42 합금을 포함함), 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 박을 포함한다. 일반적으로 압연 동박 및 전해 동박과 같은 동박을 인쇄배선시트용으로 사용한다. 바람직하게는 이러한 동박을 또한 본 발명의 한 실시태양에서 사용할 수 있다. 추가로, 방청층, 내열층 또는 접착층을 코팅에 의해 금속박 표면에 제공할 수 있다. 금속박의 두께는 특별히 제한되지는 않고, 금속박은 본 발명에 따라서 그 기능을 충분히 수행할 수 있기만 한다면 어떠한 두께라도 이용할 수 있다. 금속박의 에칭 조건에 관해서는, 공지된 어떠한 방법의 조건들이라도 이용할 수 있다.

절연필름에 금속박을 결합시키는 방법의 예는 단층 접착시트를 형성한 다음, 절연필름 및 금속박을 접착시트와 적층시키고, 이어서 열압축 결합시키는 방법; 금속박에 접착층을 형성하고 이렇게 해서 얻은 적층판 및 절연필름을 서로 결합시키는 방법; 및 접착층을 절연필름 위에 형성하고, 이렇게 해서 얻은 적층판 및 금속박을 서로 결합시키는 방법을 포함한다. 이 방법들 중에서, 두번째 또는 세번째 방법을 이용하는 경우, 접착층에 함유된 열가소성 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산을 완전히 이미드화시키면, 어떤 경우에는 유기용매에서의 용해도가 감소할 수 있고, 따라서 접착층이 금속박 또는 절연필름에 고착하기가 어려워질 수 있다. 이러한 견지에서, 더 바람직하게는, 열가소성 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산을 함유하는 용액을 제조하고, 이 용액을 금속박 또는 절연필름에 가한 후, 이미드화를 수행한다. 이미드화는 열적 경화 방법 또는 화학적 경화 방법에 의해 수행할 수 있다. 화학적 경화 방법의 경우, 어떤 경우에는 접착층을 열적으로 열화시킴이 없이 화학전환제 등이 제거되도록 가열조건을 설정해야 한다. 따라서, 열적 경화 방법에 의한 이미드화가 더 바람직하다. 이것은 유기용매에 용해될 수 있는 열가소성 폴리이미드를 사용하는 경우에는 적용되지 않는다.

비열가소성 폴리이미드 필름 및 접착층의 두께는 본원에 따라 전체 두께를 설정하도록 적절하게 조정할 수 있다. 바람직하게는, 인쇄배선시트에서 비열가소성 폴리이미드 필름 및 접착층의 전체 두께는 30 ㎛ 이하이다.

게다가, 절연층(비열가소성 폴리이미드 필름 + 접착층)의 흡수계수는 두께비 뿐만 아니라 절연필름 및 접착층 각각의 흡수계수에 의해 크게 영향받는다. 따라서, 두께는 이들 인자를 고려해서 결정하는 것이 바람직하다. 금속박을 결합시키는 데 사용되는 장치의 예는 단일-평판 프레스, 다단-평판 프레스, 이중벨트 프레스 및 써멀 롤 라미네이터(thermal roll laminator)를 포함하고, 하지만 열거된 것에 제한되지는 않는다. 결합 조건은 접착층의 유리전이온도 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.

본 발명의 실시태양에서 사용되는 층간결합부재용 물질은 고주파 범위에서의 저유전특성, 내열성, 즉 납땜 단계와 같은 고온처리에 대한 내성, 치수안정성, 및 내장 배선패턴에 필요한 유동성을 갖는 것이 필요하다.

따라서, 본 발명의 실시태양에 사용되는 층간결합부재는 열가소성 폴리이미드 수지를 함유해야 한다.

본 발명의 한 실시태양의 층간결합부재는 바람직하게는 하나 이상의 열가소성 폴리이미드 수지를 함유하는 열가소성 폴리이미드 수지 성분(A), 하나 이상의 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 성분(B) 및 하나 이상의 에폭시 경화제를 함유하는 에폭시 경화제 성분(C)를 포함하는 열경화성 수지 조성물로 이루어진다.

층간접착제로는, 적층 동안의 우수한 유전손실탄젠트 및 수지 유동성을 고려하여, 열가소성 폴리이미드 수지 성분(A) 대 에폭시 수지 성분(B)와 에폭시 경화제 성분(C)의 합의 배합비(질량 기준), 즉 (A)/[(B)+(C)]가 바람직하게는 0.4 내지 2.0, 더 바람직하게는 0.70 내지 1.35, 훨씬 더 바람직하게는 0.8 내지 1.3이다.

본 발명의 한 실시태양에서 사용되는 층간결합부재의 경우, 하나 이상의 열가소성 폴리이미드 수지를 함유하는 열가소성 폴리이미드 수지 성분(A)를 혼입함으로써, 열경화성 수지 조성물에 내열성을 부여하고, 열경화성 수지 조성물을 경화시켜서 얻은 경화 수지에 유연성, 우수한 기계적 특성 및 내화학성을 부여한다. 게다가, 고주파 범위에서의 우수한 유전특성, 즉 저유전상수 및 저유전손실탄젠트를 부여할 수 있다. 열가소성 폴리이미드 수지가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 열가소성 폴리이미드 수지는 열경화성 수지와 혼합되기 위해서는 유기용매에 용해될 수 있어야 하고, 열경화성 수지 혼입으로 인한 유전상수 및 유전손실탄젠트 증가를 상쇄하기 위해서는 저유전특성을 가져야 한다. 상기 특성들간의 균형을 이루기 위해, 바람직하게는 폴리이미드 수지 성분(A)에 함유된 하나 이상의 폴리이미드 수지는 화학식 2로 나타내어지는 산 이무수물을 함유하는 산 이무수물 성분 50 몰% 이상의 양을 방향족 디아민 성분과 반응시킴으로써 제조한다.

(상기 식에서, Y는 -O- 또는 -C(=O)O-를 나타내고, Z는 2가 유기기를 나타냄). 폴리이미드 수지 제조에 이용되는 방법 및 조건은 특별히 제한되지는 않고, 공지된 어떠한 방법 및 조건이라도 이용할 수 있다.

산 이무수물 성분의 다른 예는 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐에테르 테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디메틸디페닐실란테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-테트라페닐실란테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-푸란테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐술피드 이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐프로판 이무수물, 3,3',4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 비스(프탈산)페닐포스핀 옥시드 이무수물, p-페닐렌-비스(트리페닐프탈산) 이 무수물, m-페닐렌-비스(트리페닐프탈산) 이무수물, 4,4'-비스(트리페닐프탈산)-디페닐 에테르 이무수물, 및 4,4'-비스(트리페닐프탈산)-디페닐메탄 이무수물을 포함한다.

디아민 성분의 다른 예는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐 에테르, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐 술폰, 1,5-디아미노나프탈렌, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 5-아미노-1-(4'-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단, 6-아미노-1-(4'-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,5-디아미노-3'-트리플루오로메틸벤즈아닐리드, 3,5-디아미노-4'-트리플루오로메틸벤즈아닐리드, 3,4'-디아미노디페닐 에테르, 2,7-디아미노플루오렌, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 4,4'-메틸렌-비스(2-클로로아닐린), 2,2',5,5'-테트라클로로-4,4-디아미노비페닐, 2,2'-디클로로-4,4'-디아미노-5,5'-디메톡시비페닐, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-(p-페닐렌이소프로필리덴)비스아닐린, 4,4'-(m-페닐렌이소프로필리덴)비스아닐린, 2,2'-비스[4-(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 및 4,4'-비스[4-(4-아미노-2-트리플루오로메틸)페녹시]-옥타플루오로비페닐을 포함한다.

에폭시 수지 성분(B)로는 1 분자 당 2개 이상의 반응성 에폭시기를 갖는 화 합물을 본 발명의 한 실시태양에 사용하는 것이 바람직하다.

에폭시 수지의 예로는 비스페놀 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지, 비페닐 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락 에폭시 수지, 폴리글리콜 에폭시 수지, 알리시클릭 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 글리시딜아민 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지, 우레탄 개질 에폭시 수지, 고무 개질 에폭시 수지 및 에폭시 개질 폴리실록산과 같은 에폭시 수지; 이들 에폭시 수지를 할로겐화시켜서 얻은 수지; 및 융점을 갖는 결정성 에폭시 수지를 포함하고, 하지만 열거된 것에 제한되는 것은 아니다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 둘 이상을 조합해서 사용할 수 있다.

상기 에폭시 수지 중에서, 분자 사슬에 하나 이상의 방향족 고리 및(또는) 지방족 고리를 갖는 에폭시 수지, 비페닐 골격을 갖는 비페닐 에폭시 수지, 나프탈렌 골격을 갖는 나프탈렌 에폭시 수지, 및 융점을 갖는 결정성 에폭시 수지를 사용하는 것이 더 바람직하다. 이들 에폭시 수지는 쉽게 입수가능하고, 성분(A), (B) 및 (C)와의 상용성이 높고, 경화 수지에 우수한 내열성 및 절연성질을 부여할 수 있다.

바람직하게는, 에폭시 수지 성분(B)에 사용되는 에폭시 수지는 상기 군에서 어떤 에폭시 수지가 선택되든 고순도를 갖는다. 이로 인해, 얻어지는 열경화성 수지 조성물 및 경화가능 수지에서 고신뢰성 전기절연을 달성할 수 있다. 본 발명의 한 실시태양에서, 에폭시 수지 중의 할로겐 및 알칼리 금속의 함량은 고순도 기준으로 사용한다. 특히, 120℃ 및 2 기압에서 추출할 때, 에폭시 수지 중의 할로 겐 및 알칼리 금속의 함량은 바람직하게는 25 ppm 이하, 더 바람직하게는 15 ppm 이하이다. 할로겐 및 알칼리 금속의 함량이 25 ppm보다 높으면, 경화 수지에서 전기절연의 신뢰성이 손상된다.

층간결합부재에 포함된 에폭시 경화제 성분(C)로는 1 분자 당 2개 이상의 활성 수소원자를 갖는 화합물이라면 어떤 것이라도 제한없이 사용할 수 있다. 활성수소원의 예는 아미노기, 카르복실기, 페놀성 히드록실기, 알콜성 히드록실기 및 티올기를 포함한다. 이러한 관능기를 갖는 화합물을 본 발명의 한 실시태양의 에폭시 경화제 성분(C)로 사용할 수 있다. 이들 중에서, 바람직하게는 본 발명의 한 실시태양의 열경화성 수지 조성물의 성질들간의 우수한 균형을 고려해서 아미노기 함유 아민 에폭시 경화제 및 페놀성 히드록실기 함유 폴리페놀 에폭시 경화제를 사용할 수 있다.

본 발명의 한 실시태양에서 사용할 수 있는 폴리페놀 에폭시 경화제의 예는 페놀 노볼락, 크실릴렌 노볼락, 비스페놀 A 노볼락, 트리페닐메탄 노볼락, 비페닐 노볼락 및 디시클로펜타디엔페놀 노볼락을 포함한다.

게다가, 본 발명의 한 실시태양에서는 바람직하게는 아민 에폭시 경화제를 에폭시 경화제 성분(C)로 사용할 수 있다. 아민 에폭시 경화제는 열경화성 수지 조성물에 양호한 수지 유동성을 부여할 수 있고 경화 수지에 양호한 내열성을 부여할 수 있다.

아민 에폭시 경화제 성분의 예는 아닐린, 벤질아민 및 아미노헥산과 같은 모노아민; 다양한 유형의 디아민; 및 디에틸렌트리아민, 테트라에틸렌페타민, 및 펜 타에틸렌헥사민과 같은 폴리아민을 포함하고, 하지만 열거된 것에 제한되지는 않는다. 이들 아민 중에서, 우수한 내열성, 및 경화성 조절 용이성의 견지에서 방향족 디아민을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 한 실시태양에 따른 층간결합부재는 성분 (A) 내지 (C) 이외에 또한 다른 성분들(D)를 필요한 만큼 함유할 수 있다. 다른 성분들(D)는 특별히 제한되지는 않는다. 다른 성분들(D)의 특이한 예는 에폭시 수지 조성물과 에폭시 경화제 조성물간의 반응을 촉진시키기 위한 경화촉진제(D-1), 무기 충전제(D-2), 및 열경화성 수지 성분(D-3)를 포함한다.

본 발명의 한 실시태양에 사용되는 경화촉진제(D-1)은 특별히 제한되지는 않는다. 이들의 예는 이미다졸 화합물; 트리페닐포스핀과 같은 포스핀 화합물; 3급 아민, 트리메탄올아민, 트리에탄올아민 및 테트라에탄올아민과 같은 아민 화합물; 및 1,8-디아자-비시클로[5,4,0]-7-운데세늄 테트라페닐 보레이트와 같은 보레이트 화합물을 포함한다. 이들 경화촉진제는 단독으로 또는 2개 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서, 이미다졸 화합물이 바람직하다. 이미다졸 화합물은 단독으로 또는 2개 이상을 조합해서 사용할 수 있다.

경화촉진제의 사용량(혼합비)는 그것이 에폭시 수지 성분과 에폭시 경화제간의 반응을 촉진시킬 수 있고 경화성 수지의 유전특성을 손상시키지 않는 범위 내에 있기만 하면 특별히 제한되지는 않는다. 일반적으로, 경화촉진제는 에폭시 수지 성분(C)의 총량 100 중량부에 대해 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부, 더 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부의 양으로 사용한다.

이들 화합물 중에서, 우수한 회로 내장 성질, 입수성, 용매에서의 용해도 등을 고려하여, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸-(1')]-에틸-s-트리아진을 사용하는 것이 더 바람직하다.

무기충전제(D-2)는 특별히 제한되지는 않는다. 이들의 예로는 용융 실리카, 결정질 실리카 및 알루미나를 포함한다. 이들은 단독으로 또는 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서, 바람직하게는 구형 용융 실리카를 사용할 수 있는데, 그 이유는 구형 용융 실리카는 본 발명의 하나 이상의 실시태양의 이점인 수지 유동성에 실질적으로 유해한 영향을 주지 않고, 열팽창계수를 아주 감소시키기 때문이다. 하나 이상의 실시태양에서, 무기충전제는 바람직하게는 수지 조성물 100 중량부에 대해 약 1 내지 200 중량부, 더 바람직하게는 약 30 내지 100 중량부의 양으로 사용할 수 있다.

열경화성 성분(D-3)은 특별히 제한되지는 않는다. 이들의 예는 비스말레이미드 수지, 비스알릴나드이미드 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 히드로실릴 경화가능 수지, 알릴 경화가능 수지, 및 불포화 폴리에스테르 수지와 같은 열경화성 수지; 및 알릴기, 비닐기, 알콕시실릴기 또는 히드로실릴기와 같은 반응성 기를 폴리머 사슬의 측쇄 또는 말단에 함유하는 반응성 측쇄기 함유 열경화성 폴리머를 포함한다. 이들 열경화성 성분은 단독으로 또는 2개 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 열경화성 성분을 혼입함으로써, 얻어지는 열경화성 수지 조성물 및 경화 수지의 접착성, 내열성 및 작업성과 같은 특성을 개선시키는 것이 가능하다.

열경화성 성분의 사용량(혼합비)는 특성을 개선시키는 효과를 나타낼 수 있 고 경화가능 수지의 유전특성에 손상을 주지 않기만 한다면 특별히 제한되지는 않는다.

본 발명의 한 실시태양의 층간결합부재에 있어서, 상기한 바와 같이 성분들의 조성 및 혼합비를 적절히 조정함으로써 우수한 회로 내장 성질을 가공 동안에 보여주고, 경화후 고주파 범위에서 우수한 유전특성을 보여준다.

본 발명의 한 실시태양의 층간결합부재는 용액 형태로 공급해서, 인쇄배선시트에 도포하고 사용을 위해 반경화시킬 수 있다. 별법으로, 층간결합부재는 시트로 예비 형성한 후 사용을 위해 공급할 수 있다. 배선시트의 적층 용이성을 고려하면, 후자의 방법이 바람직하다.

층간결합부재 시트를 형성하기 위해서는, 상황에 따라 성분(A) 내지 (C), 또는 (A) 내지 (D)를 용해한 용액을 제조하여야 한다. 그 제조 방법은 특별히 제한되지는 않는다. 성분들을 각각 적당한 용매에 용해해서 용액을 형성하고, 얻은 용액들을 혼합할 수 있다. 열경화성 수지 조성물 또는 성분 (A) 내지 (D)를 용해할 수 있는 용매라면 어떤 것이라도 제한없이 사용할 수 있다. 바람직하게는, 용매는 비점이 150℃ 이하이다. 용매의 바람직한 예는 시클릭 에테르, 예를 들면 테트라히드로푸란, 디옥솔란 및 디옥산; 및 직쇄형 에테르, 예를 들면 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리글라임, 디에틸렌 글리콜, 에틸 셀로솔브 및 메틸 셀로솔브와 같은 에테르를 포함한다. 게다가, 바람직하게는 이들 에테르를 톨루엔, 크실렌, 글리콜, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 시클릭 실록산, 및 직쇄형 실록산과 같은 다른 용매와 혼합한 혼합 용매도 사용할 수 있다. 이 들 용매는 단독으로 또는 2개 이상을 조합해서 사용할 수 있다.

시트 형성 방법은 특별히 제한되지는 않는다. 보통, 용액을 필름 기재(지지체)의 표면에 캐스팅 또는 도포한 후, 수지 용액을 건조시켜서 필름을 형성한다. 이 방법에 의해 형성된 시트에서, 열경화성 수지 성분은 반경화 상태(단계 B)에 있다. 지지체로부터 반경화 시트를 박리함으로써 층간결합부재 시트를 얻는다.

지지체로 사용되는 필름 기재는 특별히 제한되지는 않고, 공지의 수지 필름을 적당히 사용할 수 있다.

게다가, 필름 기재 이외의 다른 지지체도 사용할 수 있다. 이러한 지지체로는 예를 들면 드럼 또는 무한 벨트를 사용할 수 있다.

층간결합부재의 두께는 특별히 제한되지는 않고, 응용에 의존해서 적절하게 정할 수 있다. 본 발명의 하나 이상의 실시태양에 따른 다층인쇄회로기판은 상기한 2개 이상의 인쇄배선시트들을 그들 사이에 층간결합부재를 놓고 열압축결합시킴으로써 제조한다. 적층 수는 특별히 제한되지는 않고, 응용에 의존해서 적절하게 선택할 수 있다. 상기한 것 이외의 다른 인쇄배선시트를 전체 다층기판의 특성에 손상을 주지 않는 정도까지 부분적으로 사용할 수 있다.

특별히 제한되지는 않지만, 열압축결합 처리에서 처리온도는 바람직하게는 50℃ 내지 250℃, 더 바람직하게는 60℃ 내지 200℃, 훨씬 더 바람직하게는 80℃ 내지 180℃의 범위이다. 처리온도가 250℃를 초과하면, 열압축결합 처리 동안에 층간결합부재가 경화되어 적층을 만족스럽게 수행할 수 없을 수 있다. 처리온도가 50℃ 미만이면, 층간결합부재의 유동성이 저하되어 전도성 회로패턴 내장에 어려움 이 발생한다.

층간결합부재는 다층인쇄회로기판의 층간절연물질 또는 전도성 회로 패턴을 을 보호하기 위한 보호물질로 역할할 수 있다. 따라서, 바람직하게는, 회로패턴을 내장한 후, 층간결합부재를 열경화 등에 의해 완전 경화시킨다. 특이한 열경화 방법이 특별히 제한되지는 않는다. 열경화는 수지층, 즉 열경화성 수지 조성물의 충분한 경화를 가능하게 하는 조건 하에서 수행할 수 있다.

층간결합부재를 경화시킬 때, 에폭시 수지 성분(B)의 경화반응이 철저히 진행하게 하기 위해서는 금속층 및 수지층을 서로 결합시킨 후 후가열처리를 수행하는 것이 바람직하다. 후가열처리의 조건은 특별히 제한되지는 않지만, 가열처리는 바람직하게는 150℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 10분 내지 3시간 동안 수행하는 것이 바람직하다.

적층 절차에 있어서, 모든 층들을 적층시킨 후 층간결합부재를 경화시키는 방법, 또는 적층 및 경화를 한 층씩 수행하는 방법을 이용할 수 있다. 게다가, 다층인쇄회로기판에서는 전기적 연결을 위한 비아홀을 수직방향으로 형성하는 것이 필요하다. 본 발명의 한 바람직한 실시태양에 따른 다층인쇄회로기판에서, 비아홀은 공지 방법으로, 예를 들면 레이저를 이용해서, 기계적 드릴링에 의해, 또는 펀칭에 의해 형성하고, 전기전도는 공지 방법에 의해, 예를 들면 전도성 페이스트를 이용하여 무전해도금에 의해, 또는 직접 도금에 의해 달성한다.

본 발명의 하나 이상의 실시태양에 따른 상기 물질 및 방법에 의해 제조한 다층인쇄회로기판은 고주파 범위에서 우수한 저유전특성을 가지고, 전기신호의 주 파수 증가에 대처할 수 있다. 따라서, 전자장치의 가공성 개선에 크게 기여할 수 있다.

게다가, 본 발명의 한 실시태양의 층간결합부재와 특이한 인쇄배선시트를 결합시킴으로써 제조한 다층인쇄회로기판은 우수한 납땜내열성을 나타낼 수 있다. 특히, 회로기판을 40℃ 및 90 % R.H. 조건에서 96 시간 동안 방치한 후 10초 동안 250℃의 납땜조에 침지한 경우조차도 층들 사이에 기포형성, 백화 및 층간박리가 일어나지 않는 다층인쇄회로기판을 제조하는 것이 가능하다.

게다가, 우수한 장기 내열성을 층간결합부재에 부여할 수 있다. 특히,다층인쇄회로기판을 150℃에서 500시간 동안 방치한 후 층간고착강도 보유율이 70% 이상인 다층인쇄회로기판을 제조하는 것이 가능하다.

게다가, 우수한 치수안정성을 갖는 다층인쇄회로기판을 제조하는 것이 가능하고, 다층인쇄회로기판을 250℃에서 30분 동안 방치한 후 전체 다층인쇄회로기판의 치수변화율을 - 0.20% 내지 + 0.20%의 범위에서 고정시킬 수 있다.

우수한 유전특성, 납땜내열성, 장기 내열성 및 치수안정성 이외에, 다층인쇄회로기판의 두께를 감소시키는 것이 가능하다. 결과적으로, 본 발명의 한 실시태양의 다층인쇄회로기판은 고주파 고밀도 장착 영역에서 적당하게 사용할 수 있다. 본 발명의 하나 이상의 실시태양의 다층인쇄회로기판에 있어서, 응용은 상기한 것들에 제한되지는 않는다. 또한, 본 발명의 하나 이상의 실시태양의 다층인쇄회로기판은 종래의 다층인쇄회로기판이 대처할 수 없는 신뢰성을 필요로 하는 응용에 적당하게 사용할 수 있다.

본 발명의 실시태양을 하기 실시예를 토대로 하여 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명이 거기에 제한되는 것은 아님을 이해해야 한다.

하기 합성예, 실시예 및 비교예에서, 폴리이미드의 열가소성 또는 비열가소성, 유전상수 및 유전손실탄젠트, 접착필름의 유리전이온도, 층간결합부재의 용융점도, 회로 내장 성질, 및 다층회로기판의 납땜내열성, 장기 내열성 및 치수안정성은 하기 방법들에 의해 결정하거나, 측정하거나 또는 평가한다.

(열가소성 결정 1)

인쇄배선시트의 접착층에 사용되는 폴리이미드의 열가소성은 세이코 일렉트로닉스 인크.(Seiko Electronics Inc.)에서 제조한 TMA 120C를 사용해서 압축 모드(프로브 직경 3 ㎜)로 5 g의 하중에서 결정하였고, 여기서는 필름을 10℃/분으로 10℃ 내지 400℃까지 가열한 후 10℃로 냉각시켜서 영구압축이 일어났는지의 여부를 검사하였다.

(열가소성 결정 2)

층간결합부재에 사용되는 폴리이미드의 열가소성은 상기 열가소성 결정 1에서처럼 세이코 일렉트로닉스 인크.에서 제조한 TMA 120C을 사용해서 압축모드(프로브 직경 3 ㎜)로 5g의 하중에서 결정하였고, 여기서는 필름을 10℃/분으로 10 내지 400 ℃까지 가열한 후 10℃로 냉각시켜서 영구압축이 일어났는지의 여부를 검사하였다.

(비열가소성 결정)

인쇄배선시트에 사용되는 폴리이미드 필름의 비열가소성은 450℃에서 1분 동안 가열한 후 필름이 융합됨이 없이 형상을 유지하는지의 여부를 육안검사로 결정하였다.

(유전상수 및 유전손실탄젠트)

유전상수 및 유전손실탄젠트는 하기 조건 하에서 케이에스 시스템즈 코., 엘티디.(KS Systems Co., Ltd.)에서 제조한 분자배향분석기 모델 MOA-2012A를 사용해서 측정하였다.

측정 주파수: 12.5 GHz

측정각: 0°, 45°, 90°

유전상수 및 유전손실탄젠트는 3개의 각도에서 측정하고, 그들의 평균을 측정 물질의 유전상수 및 유전손실탄젠트로 결정하였다.

(유리전이온도)

유리전이온도는 세이코 인스트루먼츠 인크.(Seiko Instruments Inc.)에서 제조한 DMS200으로 실온 내지 400 ℃의 범위에서 3℃/분의 가열속도로 측정한 저장탄성율의 변곡점으로부터 결정하였다.

(용융점도)

열경화 전의 수지 시트에 있어서, 전단 모드의 동적 점탄성 분석기(CVO, 볼링 코프.(Bohling Corp.)에서 제조함)를 사용하여 아래의 조건 하에서 복소점도(Pa.s)를 측정하고, 복소점도를 용융점도(poise)로 전환하였다. 각 수지 시트의 용융점도를 60℃ 내지 200℃의 범위에서 최소 점도를 토대로 하여 평가하였다.

측정 주파수: 1Hz

가열속도: 12℃/분

측정 시료: 직경 3 ㎜의 원형 수지 시트

(회로 내장 성질)

층간결합부재 시트(50 ㎛ 두께)를 두께 18 ㎛, 회로 폭 50 ㎛ 및 회로 간격 50 m(하기 합성예 8 및 9 참조)의 회로를 갖는 인쇄배선시트의 회로형성표면과 두께 18 ㎛의 동박(아이템 번호 : BHY22BT, 저팬 에너지 코포레이션(Japan Energy Corporation))에서 제조함)의 광택 표면 사이에 삽입하고, 180℃ 및 3 MPa에서 1시간 동안 열 및 압력을 가해서 적층판을 제조하였다. 얻어진 적층판의 동박을 염화철(III)-염산 용액을 사용해서 화학적으로 제거하였다. 수지 시트의 노출표면을 광학현미경(배율: 50배)을 사용하여 육안으로 관찰해서 회로 사이 공간에 기포가 포함되었는지의 여부를 검사하였다.

다음 기준에 따라 적층성을 평가하였다.

만족(O): 회로 사이의 공간에 기포(수지로 충전되지 않은 부분)가 포함되지 않음을 관찰함.

불만족(X): 기포가 포함됨을 관찰함.

(납땜내열성)

각각 두께 18 ㎛, 회로 폭 50 ㎛ 및 회로 간격 50 m의 회로를 갖는 두 개의 인쇄배선시트들을 그들 사이에 층간결합부재 시트(두께 50 m)를 놓고 쌓고, 180℃ 및 3 MPa에서 1 시간 동안 열 및 압력을 가해서 적층판을 제조하였다. 얻은 적층 판을 50 ㎜ x 50 ㎜ 정사각형으로 절단해서, 120℃ 에서 30분 동안 건조 및 제습시킨 후, 40℃ 및 90% R.H.로 조절된 환경실험실에서 96시간 동안 방치하였다.

수분을 흡수한 적층판을 10초 동안 250 ℃의 납땜조에 침지시켰다. 침지 후, 최외층에 있는 도선 및 도선에 부착된 땜납을 에칭에 의해 제거하였다. 에칭 후의 적층판을 육안 검사하고 다음 기준에 따라 평가하였다.

만족(O): 층간결합부재층에서 외관상 결함이 관찰되지 않음.

불만족(X): 층간결합부재층에서 기포형성, 백화 및 층간박리와 같은 외관상 결함이 관찰됨.

(장기 내열성)

납땜 내열성 평가에서와 같이 제조한 한 변의 길이가 50 ㎜인 정사각형 적층판을 500 시간 동안 150℃ 오븐에서 방치하였다. 가열된 적층판을 회로를 따라서 폭 10 ㎜의 스트립으로 절단하였다. 양쪽면에 배선시트를 갖는 절연층들을 각각 에어척(air chuck)을 이용해서 고정시키고, 180⁰ 박리시험을 수행하였다.

150℃ 로 설정된 오븐에 놓기 전에 적층판에 대해 유사한 박리시험을 수행하였다. 오븐에 놓기 전의 박리강도(100)에 대한 오븐에서 가열한 후의 적층판의 박리강도를 계산하고, 이리하여 유지율(%)을 결정하였다.

(치수변화율)

납땜 내열성 평가에서와 같이 제조한 한 변의 길이가 50 ㎜인 정사각형 적층판의 최외층 표면상의 배선들을 에칭에 의해 제거하였다. 이와 같이 하여 얻은 적 층판을 23℃ 및 60% R.H.의 써모하이그로스태틱 룸(thermo-hygrostatic room)에서 24 시간 동안 방치하였다. 이어서, 써모하이그로스태틱 룸에서, 광학현미경을 사용해서 층간결합부재층에 내장된 회로의 피치(폭+간격)를 전체 폭을 가로질러서 육안 측정하고, 평균 회로 피치를 계산하였다.

이어서, 측정한 적층판을 30분 동안 150℃ 오븐에서 방치하였다. 이렇게 하여 얻은 적층판에 대해서, 상기한 것과 동일 방식으로 평균 회로 피치를 계산하였다. 치수변화율을 하기 식에 따라서 계산하였다(하기 식에서, D1은 가열전 평균피치이고, D2는 가열후 평균피치임).

치수변화율 = (D2 -D1)/ D1 X 100(%)

(합성예 1 : 열가소성 폴리이미드 전구체 합성)

2000 mL 들이 유리 플라스크에 780g의 DMF 및 117.2g의 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰(이하, "BAPS"로 표기함)을 채우고, 여기에 71.7g의 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(이하, "BDPA"로 표기함)을 질소 분위기 하에서 교반하면서 점진적으로 첨가하였다. 이어서, 여기에 5.6g의 3,3',4,4'-에틸렌 글리콜 디벤조에이트 테트라카르복실산 이무수물(이하, "TMEG"로 표기함)을 첨가하고, 얼음조에서 30분 동안 교반을 수행하였다. 이 반응용액에 별도로 20 g의 DMF 중에 5.5g의 TMEG를 용해시켜 제조한 용액을 교반하에서 점도를 모니터링하면서 점진적으로 첨가하였다. 점도가 3,000 poise에 도달했을 때 첨가 및 교반을 중단하였다. 이렇게 해서 폴리아믹산 용액을 제조하였다.

이렇게 해서 얻은 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 20 m가 되도록 25 ㎛ 두 께 PET 필름(세라필 HP(Cerapeel HP), 토요 메탈라이징 코., 엘티디.(Toyo Metallizing Co., Ltd.)에서 제조함) 위로 캐스팅하고, 120℃에서 5분 동안 건조를 수행하였다. 건조된 자기지지형 필름을 PET로부터 분리해서 금속 핀 프레임에 고정시키고, 150℃에서 5분 동안, 200℃에서 5분 동안, 250℃에서 5분 동안, 및 350℃에서 5분 동안 건조를 수행하였다. 검사 결과, 생성된 단층 시트는 열가소성을 가진다는 것이 밝혀졌다. 게다가, 측정 결과, 단층 시트의 유리전이온도는 270℃이었다.

(합성예 2 : 열가소성 폴리이미드 전구체 합성)

2000 mL 들이 유리 플라스크에 780g의 DMF 및 103.9g의 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(이하, "BAPP"로 표기함)을 채우고, 여기에 28.6g의 벤조페논테트라카르복실산 이무수물(이하, "BTDA"로 표기함)을 질소 분위기에서 교반하면서 점진적으로 첨가하였다. 이어서, 여기에 65.4g의 3,3',4,4'-에틸렌 글리콜 디벤조에이트 테트라카르복실산 이무수물(이하, "TMEG"로 표기함)을 첨가하고, 얼음조에서 30분 동안 교반을 수행하였다. 이 반응용액에 별도로 20 g의 DMF 중에 2.1g의 TMEG를 용해시켜 제조한 용액을 교반하에서 점도를 모니터링하면서 점진적으로 첨가하였다. 점도가 3,000 poise에 도달했을 때 첨가 및 교반을 중단하였다. 이렇게 해서 폴리아믹산 용액을 제조하였다.

이렇게 해서 얻은 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 20 ㎛가 되도록 25 ㎛ 두께 PET 필름(세라필 HP(Cerapeel HP), 토요 메탈라이징 코., 엘티디.(Toyo Metallizing Co., Ltd.)에서 제조함) 위로 캐스팅하고, 120℃에서 5분 동안 건조를 수행하였다. 건조된 자기지지형 필름을 PET로부터 분리해서 금속 핀 프레임에 고정시키고, 150℃에서 5분 동안, 200℃에서 3분 동안, 250℃에서 3분 동안, 및 300℃에서 2분 동안 건조를 수행하였다. 검사 결과, 생성된 단층 시트는 열가소성을 가진다는 것 이 밝혀졌다. 게다가, 측정 결과, 단층 시트의 유리전이온도는 190℃이었다.

(합성예 3 : 열가소성 폴리이미드의 합성)

DMF가 채워진 2000 mL 들이 유리 플라스크에 0.95 당량의 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(이하, "APB"로 표기함) 및 0.05 당량의 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐(이하, "HAB"로 표기함)을 첨가하고, 용해시키기 위해 질소 분위기에서 교반을 수행해서 DMF 용액을 제조하였다. 이어서, 플라스크 내부를 질소로 퍼징(purging)한 후, DMF 용액을 얼음조에서 냉각하면서 교반하고, 여기에 1 당량의 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)비스프탈산 무수물(이하, "IPBP"로 표기함)을 첨가하였다. 추가로 3시간 동안 교반을 수행하고, 이렇게 해서 폴리아믹산 용액을 제조하였다. DMF 사용량은 APB, HAB 및 IPBP 단량체들의 첨가비가 30 중량%가 되도록 정하였다.

300g의 양의 폴리아믹산 용액을 불소수지로 코팅된 팬에 옮기고, 진공오븐에서 3 시간 동안 200℃ 및 5 ㎜Hg(약 0.007 기압, 약 5.65 hPa)에서 감압가열을 수행하고, 이렇게 해서 폴리이미드 수지를 얻었다.

생성된 폴리이미드 수지를 30%의 SC를 갖도록 디옥솔란에 용해시켰다. 이렇게 해서 얻은 용액을 PET 필름(세라필 HP, 토요 메탈라이징 코., 엘티디.에서 제조 함) 위로 캐스팅하고, 80℃에서 5분 동안 건조시켰다. 건조된 시트를 PET로부터 분리해서 금속 프레임에 고정하고, 120℃에서 5분 동안, 150℃에서 5분 동안 및 200℃에서 5분 동안 건조를 수행하였다. 이렇게 해서 20 ㎛ 두께의 필름을 얻었다. 검사 결과, 생성된 단층 시트는 열가소성을 가진다는 것이 밝혀졌다. 게다가, 측정 결과, 단층 시트의 유리전이온도는 160℃이었다.

(합성예 4 : 폴리이미드 필름의 합성)

반응계를 5℃로 유지한 채로, 50 몰%의 양의 4,4'-디아미노디페닐에테르(이하, "4,4'-ODA"로 표기함) 및 50 몰%의 양의 파라페닐렌디아민(이하, "p-PDA"로 표기함)을 N,N'-디메틸아세트아미드(이하, "DMAc"로 표기함)에 첨가한 후, 30분 동안 교반하였다. 그 다음, 여기에 50 몰%의 양의 p-페닐렌 비스(트리멜리트산 모노에스테르 무수물)(이하, "TMHQ"로 표기함)을 첨가하고, 30분 동안 교반을 수행하였다. 이어서, 여기에 47 몰%의 양의 피로멜리트산 이무수물(이하, "PMDA"로 표기함)을 첨가한 후, 30분 동안 교반하였다.

마지막으로, 고체 농도가 7%가 되도록 DMAc에 3 몰%의 PMDA를 용해시켜서 용액을 제조하였다. 이 용액을 상기 반응용액에 점도를 모니터링하면서 점진적으로 첨가하고, 20℃에서의 점도가 4,000 poise에 도달했을 때 중합을 종결하였다. 최종 용액의 고체 함량은 18%이었다.

중합용액을 약 0℃로 냉각시켰다. 여기에 폴리아믹산 용액 기준으로 45 중량%의 양의 이미드화 촉진제를 첨가하였고, 이미드화 촉진제는 폴리아믹산 용액의 폴리아믹산 1 몰에 대해 2 몰%의 아세트산 무수물, 1 몰%의 이소퀴놀린 및 4 몰%의 DMAc로 이루어졌다. 혼합기로 연속 교반을 수행하고, 혼합물을 T-다이로부터 압출하고, 다이 밑에서 20 ㎜ 이동하는 스테인레스강 무한벨트 위로 캐스팅하였다. 수지 필름을 130℃에서 100초 동안 가열하고, 무한벨트로부터 분리하였다. 이렇게 해서 자기지지형 겔 필름을 얻었다(휘발물질 함량: 54 중량%).

생성된 겔 필름을 텐터 클립에 고정하고, 300℃에서 30초 동안, 400℃에서 30초 동안 및 500℃에서 30초 동안 건조 및 이미드화를 수행하였다. 이렇게 해서 두께 18 ㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.

(합성예 5 - 10 : 층간결합부재 시트 형성)

각 합성예에서, 표 1에 나타낸 혼합비를 만족시키도록 성분들을 디옥솔란에 용해함으로써 수지 용액(니스), 즉 본 발명의 실시태양에 따르는 열경화성 수지 조성물을 제조하였다.

생성된 수지 용액을 지지체로 기능하는 125 ㎛ 두께 PET 필름(상표명, 세라필 HP, 토요 메탈라이징 코., 엘티디.에서 제조함)의 표면 위로 캐스팅하였다. 열풍오븐으로 60℃, 80℃, 100℃, 120℃ 및 140℃에서 각각 3분 동안 가열해서 건조를 수행하였다. 이렇게 해서 PET 필름을 필름 기재로 포함하는 이중층 시트를 형성하였다. 이중층 시트로부터 PET 필름을 분리함으로써, 단층 시트(열경화 전의 수지 시트)를 얻었다. 수지 시트의 두께는 50㎛이었다.

(합성예 11: 인쇄배선시트 제조)

합성예 1에서 제조한 열가소성 폴리이미드 전구체 용액을 DMF로 7% 고체 함량이 되도록 희석한 후, 합성예 4에서 제조한 폴리이미드 필름의 양쪽 면에 최종 두께가 4 ㎛가 되도록 도포한 후, 140℃에서 1분 동안 건조하였다.

이어서, 410℃로 조절된 원적외선 오븐을 통해 2.5 m/분의 속도로 필름을 통과시킴으로써 열가소성 폴리이미드 전구체를 이미드화시켰다. 이렇게 해서 양면 접착 필름을 얻었다.

이렇게 얻은 양면 접착 필름의 각 표면에 두께 18 ㎛이 압연 동박(BHY-22B-T, 저팬 에너지 코포레이션에서 제조함)을 배치하고, 각 폴리이미드 필름 위에 보호 필름으로서 폴리이미드 필름(애피칼 125 NPI(APICAL 125 NPI), 카네카 코포레이션에서 제조함)을 추가로 배치하였다. 접착 필름의 장력을 0.4 N/㎝로 정하고, 적층온도 390℃, 적층압력 196 N/㎝(20 ㎏f/㎝), 적층속도 2.5 m/분으로 열적 적층을 연속적으로 수행하였다. 적층 후, 양쪽 면으로부터 보호필름을 분리함으로써 동장적층판을 제조하였다.

생성된 동장적층판의 동박 표면을 패턴화해서, 선폭 50 ㎛, 선 간격 50 ㎛의 배선패턴을 갖는 인쇄배선시트를 제조하였다.

(합성예 12: 인쇄배선시트의 제조)

합성예 2에서 제조한 열가소성 폴리이미드 전구체 용액을 DMF로 7% 고체 농도가 되도록 희석한 후, 합성예 4에서 제조한 폴리이미드 필름의 양쪽 면에 최종 두께가 4 ㎛가 되도록 도포한 후 140℃에서 1분 동안 건조시켰다.

이어서, 330℃로 조절된 원적외선 오븐을 통해 2.5 m/분의 속도로 필름을 통과시킴으로써 열가소성 폴리이미드 전구체를 이미드화시켰다. 이렇게 해서 양면 접착 필름을 얻었다.

이렇게 얻은 양면 접착 필름의 각 표면에 두께 18 ㎛의 압연 동박(BHY-22B-T, 저팬 에너지 코포레이션에서 제조함)을 배치하고, 동박의 각 면에 보호 필름으로서 폴리이미드 필름(애피칼 125NPI(APICAL 125 NPI), 카네카 코포레이션에서 제조함)을 추가로 배치하였다. 접착 필름의 장력을 0.4 N/㎝로 설정하고, 적층온도 320℃, 적층압력 196 N/㎝(20 ㎏f/㎝), 적층속도 2.5 m/분으로 열적 적층을 연속적으로 수행하였다. 적층 후, 양쪽 면으로부터 보호필름을 분리함으로써 동장적층판을 제조하였다.

생성된 동장적층판의 동박 표면을 패턴화해서, 선 폭 50 ㎛, 선 간격 50㎛의 배선패턴을 갖는 인쇄배선시트를 제조하였다.

(합성예 13: 인쇄배선시트의 제조)

30g의 에폭시 수지(에피코테 1032H60(Epikote 1032H60), 유카 쉘 에폭시 코., 엘티디.(Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)에서 제조함)를 70g의 디옥솔란에 용해시켜서 에폭시 수지 용액을 제조하였다. 얻은 용액을 건조후의 코팅 두께가 5 ㎛가 되도록 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(애피칼 25NPP, 카네카 코포레이션에서 제조함)의 표면 위에 캐스팅하고, 80℃에서 2분간 건조를 수행하였다. 폴리이미드 필름의 다른 한 표면을 유사하게 처리하고, 120℃에서 2분 동안 건조를 수행하였다. 이렇게 해서 접착 필름을 얻었다.

생성된 접착 필름의 각 표면에 두께 18 ㎛의 압연 동박(BHY-22B-T, 저팬 에너지 코포레이션에서 제조함)을 배치하고, 각 폴리이미드 필름 위에 보호필름으로서 폴리이미드 필름(애피칼 125 NPI, 카네카 코포레이션에서 제조함)을 추가로 배 치하였다. 200℃ 및 3 MPa에서 5분 동안 압착하였다. 이어서, 180℃에서 3시간 동안 후경화 처리를 수행하였다. 이렇게 해서 동장적층판을 제조하였다.

생성된 동장적층판의 동박 표면을 패턴화해서, 선 폭 50 ㎛, 선 간격 50㎛의 배선 패턴을 갖는 인쇄배선시트를 제조하였다.

(실시예 1 - 8 및 비교예 1 - 2)

표 3에 나타낸 인쇄배선시트 및 층간결합부재의 조합에 대해서, 회로 내장 성질, 납땜 내열성, 장기 내열성 및 치수변화율을 평가하였다.

게다가, 표3에 나타낸 인쇄배선시트로부터 에칭에 의해 배선층을 제거함으로써 얻은 절연층들을 그들 사이에 층간결합부재를 두고 적층시키고, 1 시간 동안 180℃ 및 3 MPa에서 열 및 압력을 가해서 적층판을 제조하였다. 생성된 적층판의 유전상수 및 유전손실탄젠트를 측정하였다.

표 1은 각 합성예에서 제조한 층간결합부재에 대해서 성분 및 혼합비를 보여준다. 표 2는 각 합성예의 층간결합부재의 용융점도 및 유전특성 및 인쇄배선시트의 절연층의 유전특성 측정 결과를 보여준다. 표 3은 각 실시예 및 비교예에서 제조한 다층인쇄회로기판의 특성들을 평가한 결과를 보여준다.

울템(Ultem): GE 플라스틱스 저팬 엘티디(GE Plastics Japan Ltd.)에서 제조함

1032H60 : 다관능성 에폭시 수지(저팬 에폭시 레진 코., 엘티디.(Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)에서 제조함)

N660 : 크레졸 노볼락 에폭시 수지(다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈, 인크.(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)에서 제조함)

YX4000H : 비페닐 에폭시 수지(저팬 에폭시 레진 코., 엘티디.에서 제조함)

DDS : 4,4'-디아미노디페닐술폰 (와카야마 세이카 코교 코., 엘티디.(Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.)에서 제조함)

BAPS-M : 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰 (와카야마 세이카 코교 코., 엘티디에서 제조함)

C11Z-A : 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸-(1')]-에틸-s-트리아진(쉬코쿠 케미칼즈 코프.(Shikoku Chemicals Corp.)에서 제조함)

비교예 1 및 2로부터 명백한 바와 같이, 인쇄배선시트의 절연층 및 층간결합부재가 적절하게 선택되지 않을 때는 균형이 잘 잡힌 특성들을 얻는 것이 가능하지 않다. 대조적으로, 절연층 및 층간결합부재 양자 모두가 적절하게 선택된 실시예 1 - 8에서는 우수한 특성들을 얻었다.

하나 이상의 실시태양에서, 인쇄배선시트에서 비열가소성 폴리이미드 필름 및 접착층의 총 두께는 30 ㎛ 이하이고, 층간결합부재의 두께는 50 ㎛ 이하이다.

하나 이상의 실시태양에서, 다층인쇄회로기판은 10 GHz에서 사용한다.

하나 이상의 실시태양에서, 비열가소성 폴리이미드 필름은 상기 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 함유하는 산 이무수물 성분을 반응시킴으로써 제조한 폴리이미드 필름이다.

하나 이상의 실시태양에서, 층간결합부재는 하나 이상의 폴리이미드 수지를 함유하는 폴리이미드 수지 성분 (A), 하나 이상의 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 성분(B) 및 하나 이상의 에폭시 경화제를 함유하는 에폭시 경화제 성분(C)를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 포함한다. 하나 이상의 실시태양에서, 폴리이미드 수지 성분(A)에 함유된 하나 이상의 폴리이미드 수지는 상기 화학식 2로 나타내어지는 산 이무수물을 함유하는 산 이무수물 성분을 반응시킴으로써 제조한다.

하나 이상의 실시태양에서, 층간결합부재는 60℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 반경화 상태에서 10 Pa.s 내지 10,000 Pa.s 범위의 최소용융점도를 가지고, 경화 후 12.5GHz에서 측정할 때 3.4 이하의 유전상수 및 0.025 이하의 유전손실탄젠트를 갖는다.

본 발명을 제한된 실시예에 관해서 설명하였지만, 여기에 기재된 내용으로 이득을 얻는 당업계 숙련자들은 본 명세서에 기재된 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 다른 실시태양을 고안해낼 수 있다는 점을 이해할 것이다.

따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위에 의해서만 제한되어야 한다.

본 발명의 다층인쇄회로기판은 고주파 응용에 사용할 수 있고, 환경변화에 쉽게 영향받지 않는다.

Claims

열가소성 폴리이미드를 함유하는 층간결합부재를 사이에 두고 적층된 2개 이상의 인쇄배선시트를 포함하고, 여기서 상기 2개 이상의 인쇄배선시트 중의 하나 이상이 비열가소성 폴리이미드 필름, 비열가소성 폴리이미드 필름의 하나 이상의 표면 위에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함하는 것인 다층인쇄회로기판.
제1항에 있어서, 상기 인쇄배선시트에서 비열가소성 폴리이미드 필름과 접착층의 총두께가 30 ㎛ 이하이고, 층간결합부재의 두께가 50 ㎛ 이하인 다층인쇄회로기판.
제1항에 있어서, 10 GHz에서 사용되는 다층인쇄회로기판.
제2항에 있어서, 10 GHz에서 사용되는 다층인쇄회로기판.
제1항에 있어서, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름이, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 생성된 폴리이미드 필름인 다층인쇄회로기판.

<화학식 1>

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임)
제2항에 있어서, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름이, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 생성된 폴리이미드 필름인 다층인쇄회로기판.

<화학식 1>

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임)
제3항에 있어서, 상기 비열가소성 폴리이미드 필름이, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 생성된 폴리이미드 필름인 다층 인쇄회로기판.

<화학식 1>

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임)
제4항에 있어서, 비열가소성 폴리이미드 필름이, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 생성된 폴리이미드 필름인 다층인쇄회로기판.

<화학식 1>

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임)
제1항에 있어서, 비열가소성 폴리이미드 필름이, 화학식 1로 나타내어지는 산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분의 40 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수 물 성분을 방향족 디아민과 반응시킴으로써 생성된 폴리이미드 필름인 다층인쇄회로기판.

<화학식 1>

(상기 식에서, X는 방향족 고리를 함유하는 2가 유기기임)
제1항에 있어서, 상기 층간결합부재가, 하나 이상의 폴리이미드 수지를 함유하는 폴리이미드 수지 성분(A), 하나 이상의 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 성분(B) 및 하나 이상의 에폭시 경화제를 함유하는 에폭시 경화제 성분(C)를 포함하는 열경화성 수지 조성물로 포함하는 것인 다층인쇄회로기판.
제10항에 있어서, 폴리이미드 수지 성분(A)에 함유된 하나 이상의 폴리이미드 수지가, 하기 화학식 2로 나타내어지는 산 이무수물을 50 몰% 이상의 양으로 함유하는 산 이무수물 성분을 방향족 디아민 성분과 반응시킴으로써 생성된 것인 다층인쇄회로기판.

<화학식 2>

(상기 식에서, Y는 -O- 또는 -C(=O)O-이고, Z는 2가 유기기임)
제1항에 있어서, 상기 층간결합부재가, 60℃ 내지 200℃의 온도범위에서 그리고 반경화 상태에서 10Pa.s 내지 10,000 Pa.s 범위의 최소용융점도를 가지고, 경화 후 12.5 GHz에서 측정할 때 3.4 이하의 유전상수 및 0.025 이하의 유전손실탄젠트를 갖는 것인 다층인쇄회로기판.
제12항에 있어서, 인쇄배선시트에서 비열가소성 폴리이미드 필름과 접착층의 총두께가 30 ㎛ 이하이고, 층간결합부재의 두께가 50 ㎛ 이하인 다층인쇄회로기판.
제12항에 있어서, 10 GHz에서 사용되는 다층인쇄회로기판.
제13항에 있어서, 10 GHz에서 사용되는 다층인쇄회로기판.
제12항에 있어서, 상기 층간결합부재가 하나 이상의 폴리이미드 수지를 함유하는 폴리이미드 수지 성분(A), 하나 이상의 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 성분(B) 및 하나 이상의 에폭시 경화제를 함유하는 에폭시 경화제 성분(C)를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것인 다층인쇄회로기판.
열가소성 폴리이미드를 함유하는 층간결합부재를 사이에 두고 적층된 2개 이상의 인쇄배선시트를 포함하고, 상기 인쇄배선시트가 각각 비열가소성 폴리이미드 필름, 비열가소성 폴리이미드 필름의 하나 이상의 표면 위에 배치된 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층 및 접착층 위에 배치된 금속배선층을 포함하는 것인 다층인쇄회로기판.