KR20070112066A - 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 - Google Patents

광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070112066A
KR20070112066A KR1020070048836A KR20070048836A KR20070112066A KR 20070112066 A KR20070112066 A KR 20070112066A KR 1020070048836 A KR1020070048836 A KR 1020070048836A KR 20070048836 A KR20070048836 A KR 20070048836A KR 20070112066 A KR20070112066 A KR 20070112066A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color
light
layer
photoelectric conversion
imaging device
Prior art date
Application number
KR1020070048836A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100962449B1 (ko
Inventor
다카시 고토
노부오 스즈키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20070112066A publication Critical patent/KR20070112066A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100962449B1 publication Critical patent/KR100962449B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2209/00—Details of colour television systems
    • H04N2209/04—Picture signal generators
    • H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
    • H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
    • H04N2209/045—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using mosaic colour filter
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2209/00—Details of colour television systems
    • H04N2209/04—Picture signal generators
    • H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
    • H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
    • H04N2209/047—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using multispectral pick-up elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

반도체 기판; 반도체 기판 위에 제공되어 3원색 중 제 1 칼라의 광을 흡수하여 광전하를 발생시키는 광전 변환층; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전하를 저장하는 복수의 전하 저장 영역; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한, 3원색 중 제 2 및 제 3 칼라의 혼합광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 1 포토다이오드; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한 혼합광의 제 2 칼라의 광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 2 포토다이오드; 제 2 포토다이오드 위에 제공되어 제 3 칼라의 광을 차단하는 칼라 필터층; 및 각각 전하 저장 영역 및 포토다이오드에 저장된 전하의 양을 판독하는 신호 판독 유닛을 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
광전 변환층, 혼합광, 포토다이오드, 칼라 고상 이미징 장치

Description

광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치{PHOTOELECTRIC-CONVERSION-LAYER-STACK-TYPE COLOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE}
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치의 표면을 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 도 1의 점선 사각형 II 에 의해 둘러싸인 부분의 개략 단면도.
도 3(a) 및 도 3(b) 는 도 2에 도시된 칼라 필터층의 입사광 파장대 투과율 곡선을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치의 개략 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치
12 : 화소 12a : 녹색 (G) 및 적색 (R) 검출 화소
12b : 녹색 (G) 및 자홍색 (Mg: magenta) 검출 화소
21 : 반도체 기판 22 : p-타입 웰 층
23 : n-타입 영역 24 : 표면 p-타입 층
25 : 전하 저장 영역 27 : 투명 절연층
28 : 화소 전극층 29, 53 : 수직 상호 접속
30 : 녹색 민감성 광전 변환층
31 : 공통 전극층 (카운터 전극층)
33 : 무기성 재료로 만들어진 칼라 필터층
41, 42, 43, 44 : 신호 판독 회로
52 : 유기성 재료로 만들어진 칼라 필터층
본 발명은, 3원색 중 하나의 입사광은 반도체 기판상에 놓인 광전 변환층에 의해 검출되고 광전 변환층을 통과한 다른 2개의 칼라의 입사광은 반도체 기판에 형성된 광전 변환 소자 (포토다이오드) 에 의해 검출되는 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 칼라 분리 성능 및 광 활용 효율이 높은 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치에 관한 것이다.
CCD 이미지 센서 및 CMOS 이미지 센서에 의해 대표되는 단일판 칼라 고상 이미징 장치에서, 3 또는 4 종류의 칼라 필터가 광전 변환 화소의 배열상에 모자이크 형태로 배열된다. 이러한 구조에 의해, 칼라 필터에 대응하는 칼라 신호는 각각 화소로부터 출력되고, 칼라 이미지는 이들 칼라 신호상에 신호 처리를 수행함으로써 생성된다.
그러나, 칼라 필터가 모자이크 형태로 배열되는 칼라 고상 이미징 장치는 그것들이 3원색에 대한 칼라 필터인 경우에 입사광의 2/3 가 칼라 필터에 의해 흡수 되기 때문에 광 활용 효율 및 감광도가 낮다는 문제를 갖는다. 각각의 화소가 단지 하나의 칼라의 칼라 신호를 생성한다는 사실은 저해상도의 문제를 증가시킨다. 특히, 의사 칼라가 현저하게 나타난다.
상기 문제를 해결하기 위하여, 신호 판독 회로가 형성된 반도체 기판상에 광전 변환층이 3층으로 적층된 구조를 갖는 이미징 장치가 연구 및 개발되고 있다 (예를 들어, JP-T-2002-502120 (여기서 사용된 기호 "JP-T" 는 PCT특허출원의 공개된 일본어 번역문을 의미한다)(미국특허 제 6,300,612 호에 대응) 및 JP-A-2002-83946 을 참조). 예를 들어, 이들 이미징 장치는 청색 (B) 광, 녹색 (G) 광 및 적색 (R) 광에 응답하여 신호 전하 (전자 또는 정공) 를 발생시키는 광전 변환층이 광입사면으로부터 이러한 순서로 놓이는 화소 구조를 갖는다. 또한, 이들 이미징 장치는 광전 변환층에 의해 발생된 신호 전하를 매 화소에 기초하여 독립적으로 판독할 수 있는 신호 판독 회로가 제공된다.
상기 구조를 갖는 이미징 장치에 있어서, 거의 모든 입사광이 판독될 신호 전하로 광전기적으로 변환되고, 이리하여 가시광의 활용의 효율이 100% 에 가깝다. 또한, 각각의 화소는 3개의 칼라 (R, G 및 B) 의 칼라 신호를 생성하기 때문에, 이들 이미징 장치는 고 감광도를 갖는 양호한 고해상도 이미지 (어떤 의사 칼라도 현저하게 나타나지 않는다) 를 생성할 수 있다.
JP-T-2002-513145 (미국특허 제 5,965,875) 에 개시된 이미징 장치에 있어서, 광신호를 검출하는 삼중 웰 (포토아이오드) 은 실리콘 기판에 형성되고 상이한 스펙트럼을 갖는 (즉, 광입사면으로부터 이러한 순서로 B (청색), G (녹색) 및 R (적색) 파장에서 피크를 갖는) 신호는 실리콘 기판에서의 상이한 깊이에 대응하도록 얻어진다. 이것은 실리콘 기판으로의 입사광의 입사의 거리가 파장에 종속한다는 사실을 이용한다. JP-T-2002-502120 (미국특허 제 6,300,612 호에 대응) 및 JP-A-2002-83946 에 개시된 이미징 장치처럼, 이러한 이미징 장치는 높은 감광도를 갖는 양호한 고 해상도 이미지 (어떤 의사 칼라도 현저하게 나타나지 않음) 를 생성할 수 있다.
그러나, JP-T-2002-502120 (미국특허 제 6,300,612 호에 대응) 및 JP-A-2002-83946 에 개시된 이미징 장치에 있어서, 광전 변환층이 반도체 기판상에 3층으로 순서대로 형성되고 각각의 광전 변환층에 발생된 R, G 및 B 신호 전하를 반도체 기판상에 형성된 신호 판독 회로로 전송하는 수직 상호연결이 형성되는 것이 필요하다. 이것에 의해, 이들 이미징 장치는 생산하기 어럽고 낮은 생산 수율로 인해 비용이 많이 든다는 문제를 가진다.
한편, JP-T-2002-513145 (미국특허 제 5,965,875 호) 에 개시된 이미징 장치는 청색광은 가장 얕은 포토다이오드에 의해 검출되고, 적색광은 가장 깊은 포토다이오드에 의해 검출되고, 녹색광은 중간의 포토다이오드에 의해 검출되도록하는 방식으로 구성된다. 그러나, 가장 앝은 포토다이오드는 또한 녹색 또는 적색광을 받을 때 광전하를 발생시키며, 그 결과로서 R, G 및 B 신호의 스펙트럼은 서로로부터 충분하게 분리되지 않는다. 따라서, 순수 R, G 및 B 신호를 얻기 위하여, 포토다이오드의 출력신호상에 가산/감산 처리를 수행하는 것이 필요하며, 이것은 과중한 계산 부하를 의미한다. 또 다른 문제는 가산/감산 처리는 이미징 신호 의 S/N 비를 저하시킨다는 것이다.
JP-A-2003-332551 (도 5 및 도 6) 에 기재된 이미징 장치는 JP-T-2002-502120 (미국특허 제 6,300,612 호에 대응) 및 JP-A-2002-83946 및 JP-T-2002-513145 (미국특허 제 5,965,875 호) 의 이미징 장치의 문제를 해결할 수 있는 이미징 장치로서 제안되어 왔다. 이러한 이미징 장치는 JP-T-2002-502120 (미국특허 제 6,300,612 호에 대응) 및 JP-A-2002-83946 의 이미징 장치 및 JP-T-2002-513145 (미국특허 제 5,965,875 호) 의 이미징 장치의 하이브리드 타입이다. 단지 녹색 (G) 광에 민감한 광전 변환층 (1층) 만이 반도체 기판상에 놓이고, 종래의 이미지 센서에서 처럼, 광전 변환층을 통과한 청색 (B) 및 적색 (R) 의 입사광은 반도체 기판에 그것의 깊이 방향으로 배열되도록 형성되는 2 세트의 포토다이오드에 의해 검출된다.
단지 하나의 광전 변환층 (1층) 만을 형성하는 것은 충분하기 때문에, 제조공정은 단순화되고 비용증가 또는 수율 감소는 회피될 수 있다. 또한, 중간 파장 영역 내에 있는 녹색광은 광전 변환층에 의해 흡수되기 때문에, 반도체 기판에 형성되는 청색광용 포토다이오드 및 적색광용 포토다이오드의 스펙트럼 특성 사이의 분리가 개선되고, 이로 인해 칼라 재생 성능이 개선되고 S/N 비가 증가된다.
비록 칼라 분리 성능이 개선된다 할지라도, 상술한 하이브리드 이미징 장치는, 반도체 기판으로의 광입사 거리의 파장 종속성에 의존하는 적색/청색 분리를 달성하기 때문에 고품질 칼라 이미지를 얻는데 여전히 불충분하다.
본 발명의 목적은 높은 칼라 분리 성능을 갖는 하이브리드 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 반도체 기판; 반도체 기판 위에 놓여 3원색 중 제 1 칼라의 광을 흡수하여 광전하를 발생시키는 광전 변환층; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전하를 저장하는 복수의 전하 저장 영역; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한, 3원색 중 제 2 및 제 3 칼라의 혼합광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 1 포토다이오드; 반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한 혼합광의 제 2 칼라의 광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 2 포토다이오드; 제 2 포토다이오드 위에 형성되어 제 3 칼라의 광을 차단하는 칼라 필터층; 및 각각 전하 저장 영역 및 포토다이오드에 저장된 전하의 양을 판독하는 신호 판독 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 칼라 필터층이 무기성 재료로 만들어 지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 무기성 재료가 비결정 실리콘 또는 폴리실리콘인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 제 3 칼라의 광에 대한 무기성 재료의 평균 투과율이 제 2 칼라의 광에 대한 무기성 재료의 평균 투과율의 1/2 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 각각의 신호 판독 유닛은 MOS 트랜지스터 또는 전하 결합 장치 (charge-coupled device) 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 각각 포토다이오드의 최상부에 입사광을 집광하는 마이크로렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 칼라 분리 성능이 칼라 필터층에 의해 개선되고 어떤 칼라 필터층도 제 1 포토다이오드 위에 형성되지 않기 때문에 광활용 효율이 증가된다. 칼라 필터층이 무기성 재료로 만들어 지는 경우, 광전 변환층 아래에 칼라 필터층을 형성하는데 현재의 반도체 집적회로 제조기술이 사용될 수 있어 생산 수율이 증가될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태가 도면을 참조하여 이하에 기술될 것이다.
<실시예 1>
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치의 표면을 개략적으로 나타낸다. 본 실시형탱 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 (10) 에 있어서, 복수의 화소 (12) 는 기판 (11) 의 광검출 표면상에 정사각형 격자 형태로 배열된다.
화소 (12) 는 두 종류의 화소 (12a 및 12b) 로 분류된다. 화소 (12a) 및 화소 (12b) 는 서양장기판 무늬 형태로 광검출 표면상에 형성된다. 대안적으로, 줄무늬로 배열된 수개의 행 (또는 열) 의 화소 (12a) 및 줄무늬로 배열된 수개의 행 (또는 열) 의 화소 (12b) 가 교대로 배열된다.
행 선택 스캐닝부 (13) 는 기판 (11) 의 좌측 측선에 인접하여 제공되고 이미지 신호 처리부 (14) 는 저부 측선에 인접하여 제공된다. 타이밍 펄스 및 제어 신호를 발생시키는 제어부 (15) 는 적당한 위치에 제공된다.
신호 판독 회로 (도시하지 않음) 는 각각의 화소 (12) 에 대해 제공된다. 각각의 화소 (12) 에 대한 신호 판독 회로는 리셋 신호선 (16) 및 행 선택 신호선 (17) 을 통해 열 선택 스캐닝부 (13) 에 접속되고 2개의 열 신호선 (18 및 19) 을 통해 이미지 신호 처리부 (14) 에 접속된다.
예를 들어, 신호 판독 회로는 현재의 CMOS 이미지 센서에서 사용되는 3-트랜지스터 또는 4-트랜지스터 구조를 갖는 트랜지스터 회로일 수 있다. 마찬가지로, 열 선택 스캐닝부 (13) 및 이미지 신호 처리부 (14) 는 현재의 CMOS 이미지 센서에서 사용되는 것과 동일한 것일 수도 있다.
비록 도시한 예의 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 (10) 는 MOS 신호 판독회로를 내장할지라도, 그것은 각각의 화소 (12) 에 의해 생성된 신호 전하가 현재의 CCD 고상 이미징 장치에서 처럼, 전하 전송 채널 (수직 전하 전송 채널 VCCD 및 수평 전하 전송 채널 HCCD) 에 의해 판독되도록 하는 구성을 사용할 수도 있다.
도 2는 도 1의 점선 사각형 II 에 의해 둘러싸인 두 종류의 화소 (12a 및 12b) 의 개략 단면도이다. p-타입 웰 층 (22) 은 (도 1에 부호 11 로 표시된) n-타입 반도체 기판 (21) 의 표면층에 형성된다. 그리고, 입사광을 검출하는 n-타입 반도체층 (n-타입 영역)(23) 은 각각의 화소 (12a 및 12b) 의 p-타입 웰 층 (22) 의 표면부에 형성된다. 따라서, pn 접합, 즉 포토다이오드 (광전 변환 소자) 가 형성된다. 암 전류 억제용 표면 p-타입 층 (24) 은 공지된 CCD 이미지 센서 및 CMOS 이미지 센서의 경우에서처럼 각각의 n-타입 반도체층 (23) 의 표면측상에 형성된다.
소면적 전하 저장 영역 (25) 은 p-타입 웰 층 (22) 의 n-타입 반도체층 (23) 의 각각의 인접 쌍 사이에 형성된다. 각각의 전하 저장 영역 (25) 은 차폐층 (도시하지 않음) 에 의해 광으로부터 차폐되어 어떤 광도 그 위에서 빛을 내지 않도록 한다.
투명 절연층 (27) 은 반도체 기판 (21) 의 표면상에 놓이고, 각각의 화소 (12) 에 대응하도록 분할되는 투명 화소 전극층 (28) 은 투명 절연층 (27) 의 표면상에 놓인다. 화소 전극층 (28) 의 각각의 섹션은 수직 상호접속 (29) 을 통해 대응하는 전하 저장 영역 (25) 에 접속된다.
녹색광에 민감한 광전 변환층 (30) 은 모든 화소를 덮도록 화소 전극층 (28) 상에 놓이고, 투명 공통 전극층 (화소 전극층 (28) 에 대향하는 카운터 전극층) (31) 은 광전 변환층 (30) 상에 놓인다. 투명 보호층 (32) 는 최상부 층으로서 놓인다.
예를 들어, 각각의 투명 전극층 (28 및 31) 은 ITO 층 또는 얇은 금속층일 수도 있다. 공통 전극층 (31) 은 단일 층이 모든 화소를 덮고, 그것은 각각의 화소에 대응하도록 분할되고 각 섹션들은 배선에 의해 서로에 접속되고, 또는 그것은 배선에 의해 서로 접속되는 열 또는 행으로 분할되도록 할 수도 있다.
광전 변환층 (30) 은 유기성 반도체 재료, Alq, 또는 퀴나크리돈 화합물 (quinacridone compound) 로 만들어질 수도 있고, 최적의 알갱이 크기를 갖는 나노실리콘을 놓음으로써 형성될 수도 있다. 이들 재료의 임의의 것은 스퍼터링, 레이저 연마법, 인쇄, 분사 등에 의해 화소 전극층 (28) 상에 놓인다.
본 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 (10) 는 칼라 필터층으로 작용하는 폴리실리콘층 (또는 비결정 실리콘층) (33) 이 화소 (12a) 에 대응하는 투명 절연층 (27) 의 그 부분에 매설되고 어떤 칼라층도 화소 (12b) 에 대응하는 투명 절연층 (27) 의 그 부분에 제공되지 않는다.
칼라 필터층 (33) 은 근처의 수직 상호접속 (29) 으로부터 분리된다. 이것은 폴리실리콘은 도전성이고 이리하여 만일 칼라 필터층 (33) 이 수직 상호접속 (29) 과 접촉하고 있다면 수직 상호접속 (29) 을 통하여 흐르는 신호전하는 칼라 필터층 (33) 으로 흘러들어 갈 수도 있기 때문이다.
예를 들어, 칼라 필터층 (33) 은 청색광을 차단하고 적색광을 투과하지만 적외광을 차단하도록 하는 투과 곡선을 갖는 재료 (도 3(a) 참조) 또는 청색광을 차단하고 적색광 뿐아니라 적외광도 투과하도록 하는 투과 곡선을 갖는 재료 (도 3(b) 참조) 로 만들어 진다. 도 3(b) 에 도시된 투과 곡선은 만일 칼라 필터층 (33) 이 폴리실리콘 또는 비결정 실리콘으로 만들어지면 얻어진다. 적색광 (R) 의 평균 투과율은 청색광 (B) 의 투과율보다 2배 이상 더 높은 것이 바람직하다. 만일 청색광에 대한 적색광의 선택비가 2보다 더 작다면, 칼라 재생 성능 또는 S/N 비는 칼라 오염으로인해 더 저하될 수도 있다.
이러한 실시형태에서, 2개의 신호 판독 회로는 각각의 화소 (12) 에 대해 제공된다. 비록 신호 판독 회로가 집적회로 기술을 사용하여 반도체 기판 (21) 상에 형성될지라도, 그것들의 형성 공정의 상세는 공지된 CMOS 이미지 센서와 동일하기 때문에 기술되지 않는다.
제 1 신호 판독 회로 (41) 및 제 2 신호 판독 회로 (42) 는 화소 (12a) 에 대해 제공된다. 신호 판독 회로 (41) 의 입력 단자는 화소 (12a) 의 전하 저장 영역 (25) 에 접속되고, 그것의 출력 단자는 열 신호선 (18) 에 접속된다. 신호 판독 회로 (42) 의 입력 단자는 화소 (12a) 의 n-타입 반도체층 (23) 에 접속되고 그것의 출력 단자는 열 신호선 (19) 에 접속된다.
제 3 신호 판독 회로 (43) 및 제 4 신호 판독 회로 (44) 는 화소 (12b) 에 대해 제공된다. 신호 판독 회로 (43) 의 입력단자는 화소 (12b) 의 전하 저장 영역 (25) 에 접속되고, 그것의 출력 단자는 열 신호선 (18) 에 접속된다. 신호 판독 회로 (44) 의 입력 단자는 화소 (12b) 의 n-타입 반도체층 (23) 에 접속되고 그것의 출력 단자는 열 신호선 (19) 에 접속된다.
대상물로부터 오는 광이 상기 구성을 갖는 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 (10) 상에서 빛날 때, 입사광의 녹색광은 화소 (12a 및 12b) 에 대응 하는 광전 변환층 (30) 의 섹션들에 의해 흡수되고 광전 변환층 (30) 에서 발생된 신호 전하는 수직 상호접속 (29) 을 통해 화소 (12a 및 12b) 에 대응하는 전하 저장 영역 (25) 로 흘러들어 간다.
입사광의 청색광 및 적색광은 광전 변환층 (30) 을 통과한다. 각각의 화소 (12a) 에서, 광전 변환층 (30) 을 통과한 청색광 및 적색광은 투명 절연층 (27) 으로 들어가지만 단파장 청색광은 폴리실리콘층 (33) 에 의해 흡수되고 n-타입 반도체층 (23) 에 도달하지 않는다. 즉, n-타입 반도체층 (23) 에 의한 광전변환을 통해 생성되고, 거기에 저장되는 신호 전하는 적색광의 광량에 대응한다.
각각의 화소 (12b) 에 있어서, 어떤 칼라 필터층도 투명 절연층 (27) 에 형성되지 않기 때문에, 청색광 및 적색광 양자가 n-타입 반도체층 (23) 으로 들어가 광전 변환되며 발생된 전하는 거기에 저장된다. 이 신호 전하의 양은 적색/청색 혼합광, 즉 자홍색 (Mg) 광의 양에 대응한다.
화소 (12a 및 12b) 의 전하 저장 영역 (25) 및 n-타입 반도체층 (23) 에 저장된 전하에 대응하는 신호는 신호 판독 회로 (41-44) 에 의해 판독되고, 이미지 신호 처리부 (14) 에 의해 처리되고 이미지 데이타로서 출력된다. 출력 이미지 데이타는 녹색 (G) 이미지 데이타, 적색 (R) 이미지 데이타 및 자홍색 (Mg : 적색 R + 청색 B) 이미지 데이타이기 때문에, 3원색의 이미지 데이타 (R, G 및 B) 는 신호처리에 의해 용이하게 얻어질 수 있다.
이러한 실시형태에 있어서, 각각의 화소 (12b) 는 적색광을 차단하는 칼라 필터가 제공되지 않고 청색 이미지 데이타 (B) 는 신호처리에 의해 얻어진다. 이것은 광 활용 효율을 증가시킨다. 칼라 분리가 칼라 필터에 의해 수행되는 경우, 칼라 필터에 의해 차단되는 광은 광전 변환에 기여하지 않고, 따라서 비록 칼라 분리 성능이 높더라도 쓸모가 없다.
대조적으로, 이러한 실시형태에 있어서, 칼라 필터는 두 종류의 화소 중 하나만에 제공되고, 이것은 쓸모없어지는 광의 양을 최소화한다. 또한, 3원색 (R, G 및 B) 중 중간색인 녹색 (G) 광은 광전 변환층 (30) 에 의해 분리되기 때문에, 자홍색 광 (Mg : 적색 R + 청색 B) 으로부터 적색광 (R) 을 분리하는 칼라 필터 (33) 의 재료는 용이하게 선택될 수 있다. 대안적으로, 칼라 필터 (33) 는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 재료로 만들어질 수도 있다.
칼라 필터 (33) 의 재료 성분을 미세하게 제어하는 것은 광전 변환층 (30) 이 적색광 (R) 을 분리하고 칼라 필터 (33) 가 광전 변환층 (30) 을 통과한 시안 광 (Cy)(청색광 B + 녹색광 G) 의 청색광 (B) 및 녹색광 (G) 을 차단하는 또다른 구성을 가능하게 한다. 광전 변환층 (30) 은 청색광 (B) 을 분리하고 칼라 필터 (33) 가 광전 변환층 (30) 을 통과한 노란색광 (Ye) (적색광 R + 녹색광 G) 의 적색광 (R) 또는 녹색광 (G) 을 차단하는 또다른 구성이 가능하다.
적색광을 분리하는 광전 변환층의 예시적인 재료는 GaAlAs 및 Si 등의 무기성 재료 및 ZnPc (Zinc Phthalocyanine)/Alq3 (quinolinole aluminum complex) 등의 유기성 재료이다. 청색광을 분리하는 광전 변환층의 예시적인 재료는 InAlP 등의 무기성 재료 및 C6/PHPPS (coumarin 6 (C6)-doped poly(m-hexoxyphenyl)phenylsiane) 등의 유기성 재료이다.
광전 변환층 (30) 이 무기성 재료로 만들어진 경우, 광전 변환층 (30) 에 의한 광의 흡수를 통해 발생된 정공-전자 쌍 중 전자가 더 높은 이동성을 가지기 때문에 신호 전하로서 전자를 사용하는 것이 바람직하다. 이것은 높은 이동성을 갖는 캐리어가 트랩 상태에 의해 포획되는 확률에서 뿐아니라 전송중 소멸의 확률에서도 낮기 때문이다. 한편, 광전 변환층 (30) 이 유기성 반도체 재료로 만들어진 경우, 정공이 더 높은 이동성을 가지므로 신호전하로서 정공을 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 실시형태에 있어서, 칼라 필터층 (33) 은 비결정성 실리콘 또는 폴리실리콘 등의 무기성 재료로 만들어진다. 비록 도 2에서 칼라 필터층 (33) 이 매설되는 투명 절연층 (27) 은 단일 층일지라도, 실제로 그것은 예를들어 실리콘 니트라이드층 및 실리콘 옥사이드층으로 구성되는 다층 구조이고, 신호 판독 회로 (41-44) 를 n-타입 반도체층 (33) 및 전하 저장 영역 (25) 에 접속하는 배선층이 그들 층 사이에 형성된다. 칼라 필터층 (33) 은 이들 층의 하나를 형성하는데 스퍼터링이나 이베이퍼레이션 (evaporation) 에 의해 형성될 수도 있다.
칼라 필터층 (33) 이 본 실시형태에서 처럼 무기성 재료로 만들어지는 경우, 현재의 반도체 직접회로 제조기술은 처음부터 반도체 기판 (21) 의 표면상에 화소 전극층 (28) 을 형성하는 단계까지 (광전 변환층 (30) 이 무기성 재료로 만들어지는 경우 보호층 (32) 을 형성하는 단계까지) 사용될 수 있고, 수직 상호접속 (29) 은 용이하게 형성될 수 있다. 따라서, 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치의 생산 수율은 증가되고 그것의 제조 비용은 감소될 수 있다.
일반적으로, 무기성 재료로 만들어지는 칼라 필터층 (33) 은 유기성 재료로 만들어지는 칼라 필터층 보다 더 얇게 만들어질 수 있고 이것은 전자가 더 큰 광흡수율을 나타내기 때문이다. 결과적으로, 고상 이미징 장치의 전체 높이는 감소되고 이리하여 쉐이딩이 억제될 수 있다. 장치는 이렇게 용이하게 소형화될 수 있다.
상기 실시형태에서, 어떤 마이크로렌즈도 제공되지 않는다. 그러나, 마이크로렌즈 (최상부 렌즈) 가 화소 (12a 및 12b) 내에 위치된 보호층 (32) 의 이들 부분상에 제공될 수도 있다. 대안적으로, 마이크로렌즈 (내부 렌즈) 는 화소 (12a 및 12b) 에 내에 위치된 광전 변환층 (30) 의 이들 부분 아래에 제공될 수도 있다. 마이크로렌즈는 n-타입 반도체층 (23) 의 광검출 표면상에 입사광을 집광시키는 작용을 한다.
<실시예 2>
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 하이브리드 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치의 개략 단면도이다. 이 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 도 2 에 도시된 제 1 실시형태에 따른 구성과 대략 동일한 구성을 가지며 칼라 필터층이 유기성 재료로 만들어지는 점에서만 후자와 다르다. 따라서, 도 2에 도시된 것과 동일한 층은 도 2에 대응하는 것과 동일한 부호를 붙이고 이하 설명을 생략할 것이다. 단지 상이한 층 등만을 설명할 것이다.
이러한 실시형태에 따른 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치에 있 어서, 유기성 재료로 만들어진 평활층 (51) 은 투명 절연층 (27) 및 화소 전극층 (28) 사이에 형성된다. 각각의 화소 (12a) 에 있어서, 유기성 재료로 만들어지는 적색광 투과용 칼라 필터층 (52) 은 평활층 (51) 에 형성된다.
칼라 필터층 (52) 은 현재의 CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서를 제조하는 데 보통 사용되는 칼라 필터재료 및 형성 방법을 사용하여 형성될 수 있다.
이러한 실시형태에 있어서, 현재의 반도체 직접회로 제조기술은 처음부터 투명 절연층 (27) 을 형성하는 단계까지 사용되고 유기성 재료층 (51, 52) 가 그위에 형성된다. 따라서, 이미징 장치의 전체 두께는 제 1 실시형태에서 보다 더 크다. 그러나, 이러한 실시형태는 현재의 제조방법 및 재료가 사용될 수 있기 때문에 비용감소에 적합하다. 수직 상호접속 (29) 을 화소 전극층 (28) 에 접속하는 수직 상호접속 (53) 이 유기성 재료층 (51) 에 형성될 필요가 있다.
상술된 실시형태의 각각은 저비용으로 칼라 분리성능 및 광활용효율이 높은 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치를 제조하는 것이 가능하게 만든다.
본 발명에 따른 하이브리드 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 반도체 기판에 형성된 복수의 포토다이오드의 칼라 분리성능이 개선되기 때문에 칼라 재생 성능에서 우수하고 감광도 및 해상도가 높은 칼라 이미지를 얻을 수 있다. 그것이 저비용으로 제조될 수 있다는 부가적인 이점에 의해, 그것은 종래의 CCD 이미지 센서 및 CMOS 이미지 센서를 대체하여 사용될 때 유용하다.
본 출원은 2006 년 5월 18일에 출원된 일본특허출원 JP 2006-139111 에 기초하며, 그 전체 내용이 장황하게 설명된바와 같은 동일한 것이 참고로서 여기에 포 함된다.
따라서, 본 발명에 따른 하이브리드 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치는 높은 칼라 분리 성능을 갖는다.

Claims (18)

  1. 칼라 고상 이미징 장치로서,
    반도체 기판;
    반도체 기판 위에 제공되어 3원색 중 제 1 칼라의 광을 흡수하여 광전하를 발생시키는 광전 변환층;
    반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전하를 저장하는 복수의 전하 저장 영역;
    반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한, 3원색 중 제 2 및 제 3 칼라의 혼합광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 1 포토다이오드;
    반도체 기판의 표면층에 배열되어 광전 변환층을 통과한 혼합광의 제 2 칼라의 광을 검출하고 발생된 광전하를 저장하는 복수의 제 2 포토다이오드;
    제 2 포토다이오드 위에 제공되어 제 3 칼라의 광을 차단하는 칼라 필터층; 및
    각각 전하 저장 영역 및 포토다이오드에 저장된 전하의 양을 판독하는 신호 판독 유닛을 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 칼라 필터층은 무기성 재료로 만들어지는, 칼라 고상 이미징 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 무기성 재료는 비결정 실리콘 또는 폴리실리콘인, 칼라 고상 이미징 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 3 칼라의 광에 대한 칼라 필터층의 평균 투과율이 제 2 칼라의 광에 대한 것의 1/2 이하인, 칼라 고상 이미징 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    제 3 칼라의 광에 대한 무기성 재료의 평균 투과율이 제 2 칼라의 광에 대한 것의 1/2 이하인, 칼라 고상 이미징 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    제 3 칼라의 광에 대한 무기성 재료의 평균 투과율이 제 2 칼라의 광에 대한 것의 1/2 이하인, 칼라 고상 이미징 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  12. 제 6 항에 있어서,
    제 1 칼라는 녹색이고, 제 2 칼라는 적색이며, 제 3 칼라는 청색인, 칼라 고상 이미징 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    각각의 신호 판독 유닛은 MOS 트랜지스터 또는 전하 결합 장치를 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
  14. 제 2 항에 있어서,
    각각의 신호 판독 유닛은 MOS 트랜지스터 또는 전하 결합 장치를 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
  15. 제 3 항에 있어서,
    각각의 신호 판독 유닛은 MOS 트랜지스터 또는 전하 결합 장치를 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치
  16. 제 1 항에 있어서,
    각각 포토다이오드 위에 제공되어, 입사광을 집광하는 마이크로렌즈를 더 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
  17. 제 2 항에 있어서,
    각각 포토다이오드 위에 제공되어, 입사광을 집광하는 마이크로렌즈를 더 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
  18. 제 3 항에 있어서,
    각각 포토다이오드 위에 제공되어, 입사광을 집광하는 마이크로렌즈를 더 포함하는, 칼라 고상 이미징 장치.
KR1020070048836A 2006-05-18 2007-05-18 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 KR100962449B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00139111 2006-05-18
JP2006139111A JP4866656B2 (ja) 2006-05-18 2006-05-18 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070112066A true KR20070112066A (ko) 2007-11-22
KR100962449B1 KR100962449B1 (ko) 2010-06-14

Family

ID=38789599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070048836A KR100962449B1 (ko) 2006-05-18 2007-05-18 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7667750B2 (ko)
JP (1) JP4866656B2 (ko)
KR (1) KR100962449B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090771A (ko) * 2010-02-02 2011-08-10 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기
KR20170058096A (ko) * 2015-11-18 2017-05-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008042703A1 (en) 2006-09-29 2008-04-10 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source having multiple fluorescent species
JP2008258474A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置および撮像装置
US9151884B2 (en) * 2008-02-01 2015-10-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with active chromphore
US7875949B2 (en) * 2008-02-28 2011-01-25 Visera Technologies Company Limited Image sensor device with submicron structure
EP2133918B1 (en) * 2008-06-09 2015-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus
JP2011015219A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Toshiba Corp 固体撮像装置
FR2959092B1 (fr) * 2010-04-20 2013-03-08 Centre Nat Rech Scient Traitement numerique de compensation de signaux issus de photosites d'un capteur couleur.
JP5534927B2 (ja) * 2010-05-06 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
WO2012028847A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Isis Innovation Limited Image sensor
JP2012074418A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Fujifilm Corp 固体撮像素子及び撮像装置
JP5556823B2 (ja) 2012-01-13 2014-07-23 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
KR20140060673A (ko) * 2012-11-12 2014-05-21 삼성전자주식회사 컬러 보간 방법 및 장치
KR102105284B1 (ko) 2013-06-21 2020-04-28 삼성전자 주식회사 이미지 센서, 이의 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 처리 장치
US9615880B2 (en) 2013-07-17 2017-04-11 Cook Medical Technologies Llc Ablation mesh
JP2015038979A (ja) * 2013-07-18 2015-02-26 富士フイルム株式会社 イメージセンサー及びその製造方法
JP2015119018A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
KR102346956B1 (ko) * 2014-08-01 2022-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102282493B1 (ko) * 2014-08-12 2021-07-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102296736B1 (ko) * 2014-08-27 2021-08-31 삼성전자주식회사 적층형 촬상 소자
JP2016134587A (ja) 2015-01-22 2016-07-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び、電子機器
KR102491497B1 (ko) 2015-11-30 2023-01-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
CN108369953B (zh) * 2015-12-24 2022-12-16 索尼公司 成像装置和电子设备
JP6217794B2 (ja) * 2016-06-15 2017-10-25 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
US10355051B2 (en) 2016-11-28 2019-07-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
WO2018139110A1 (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器
KR20190119970A (ko) 2018-04-13 2019-10-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
KR102632442B1 (ko) * 2018-05-09 2024-01-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
JP7284171B2 (ja) * 2018-07-31 2023-05-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
KR20200049272A (ko) 2018-10-31 2020-05-08 삼성전자주식회사 센서 및 전자 장치
US11317068B2 (en) 2018-11-07 2022-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal processing apparatuses and signal processing methods
JP2020113573A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2023132082A (ja) * 2022-03-10 2023-09-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01202859A (ja) * 1988-02-09 1989-08-15 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子
US6300612B1 (en) 1998-02-02 2001-10-09 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
US5965875A (en) 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
JP2002083946A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> イメージセンサ
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
JP4817584B2 (ja) * 2002-05-08 2011-11-16 キヤノン株式会社 カラー撮像素子
US7129466B2 (en) * 2002-05-08 2006-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Color image pickup device and color light-receiving device
KR100518887B1 (ko) 2003-12-19 2005-09-30 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조방법
JP4324502B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-02 富士フイルム株式会社 Ｃｃｄ型固体撮像素子及びデジタルカメラ
JP4700947B2 (ja) * 2004-10-20 2011-06-15 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型単板式カラー固体撮像装置
JP4724414B2 (ja) * 2004-12-02 2011-07-13 富士フイルム株式会社 撮像装置、デジタルカメラ、及びカラー画像データ生成方法
JP4414901B2 (ja) * 2005-01-19 2010-02-17 富士フイルム株式会社 カラー画像生成方法
US7456384B2 (en) * 2004-12-10 2008-11-25 Sony Corporation Method and apparatus for acquiring physical information, method for manufacturing semiconductor device including array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, light-receiving device and manufacturing method therefor, and solid-state imaging device and manufacturing method therefor
KR100665177B1 (ko) * 2005-05-25 2007-01-09 삼성전기주식회사 반도체 감광 디바이스용 이미지 센서 및 이를 이용한이미지 처리 장치
US7566855B2 (en) * 2005-08-25 2009-07-28 Richard Ian Olsen Digital camera with integrated infrared (IR) response

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090771A (ko) * 2010-02-02 2011-08-10 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기
KR20170058096A (ko) * 2015-11-18 2017-05-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100962449B1 (ko) 2010-06-14
US7667750B2 (en) 2010-02-23
JP2007311550A (ja) 2007-11-29
US20070279501A1 (en) 2007-12-06
JP4866656B2 (ja) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100962449B1 (ko) 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치
KR101893325B1 (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR102586247B1 (ko) 고체 촬상 장치, 촬상 장치
KR102650235B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기
US8258560B1 (en) Image sensors with stacked photo-diodes
KR101067303B1 (ko) 광전 변환층 적층형 고체 촬상 소자
US7554587B2 (en) Color solid-state image pickup device
JP4491323B2 (ja) 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
US7626627B2 (en) Photoelectric conversion layer stack type color solid-state imaging device
JP2009081169A (ja) 固体撮像素子
JP2019122045A (ja) イメージセンサー
JP4404561B2 (ja) Ｍｏｓ型カラー固体撮像装置
US20110001207A1 (en) Solid state image sensor and manufacturing method thereof
JP2008546215A (ja) 延長した埋込コンタクトを用いた、イメージャのクロストークおよび画素ノイズの低減
JP2004273951A (ja) Ｃｃｄ型カラー固体撮像装置
JP4070639B2 (ja) Ｃｃｄ型カラー固体撮像装置
KR102520573B1 (ko) 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
US20220149088A1 (en) Image sensor and method for fabricating the same
JP2004172335A (ja) 固体撮像装置
US20230163148A1 (en) Image sensor and method of fabricating the same
US20220115422A1 (en) Image sensor and method of fabricating the same
US20230170372A1 (en) Image sensor including reflective structure including a reflective structure
US20220190017A1 (en) Image sensor with varying grid width
US20220216257A1 (en) Image sensor
US20230299116A1 (en) Image sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130524

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180517

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 10