KR20070110891A - Ｅｕｖ 광원의 타겟 물질 핸들링을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

Ｅｕｖ 광원의 타겟 물질 핸들링을 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결된 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크(212)를 가지고, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태를 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 유지되는 드롭플릿 생성기; 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크(214)를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 드롭플릿 생성기 소스물질 보관 탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및 상기 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘(210);을 포함한다. 상기 공급 보관 탱크는 주기적으로 고체 형태의 물질의 부분을 액체 형태의 물질로 형성하는 데에 사용되는 고체 형태의 플라즈마 소스 물질을 포함한다.
EUV 광원, 플라즈마 소스 물질, 드롭플릿 형성 캐필러리, 드롭플릿 생성기, 플라즈마 소스 물질 보관탱크, 공급 보관탱크, 플라즈마 소스 물질 공급 시스템, 이송 메커니즘

Description

ＥＵＶ 광원의 타겟 물질 핸들링을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR EUV LIGHT SOURCE TARGET MATERIAL HANDLING}
본 발명은 액체 금속 형태인 플라즈마 소스 물질을 이용하는 레이저 산출 플라즈마("LPP") 극자외선("EUV") 광원에 관한 것으로, 보다 특정지어서는 타겟 형성 메커니즘에 대해 액체 금속을 핸들링 및 전달하기 위한 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 2005년 2월 25일 출원된, Attorney Docket No. 2004-0008-01, "METHOD AND APPARATUS FOR EUV PLASMA SOURCE TARGET DELIVERY"라는 명칭의, 미국특허출원번호 제 11/067,124의 일부계속출원이며, 이는 본문에 참조로서 그 전체가 통합되어 있다.
본 발명은 2004년 12월 22일 출원된, Attorney Docket No. 2004-0023-01, "EUV LIGHT SOURCE OPTICAL ELEMENTS"라는 명칭의, 미국특허출원번호 제 11/021,261, 2004년 11월 1일 출원된, Attorney Docket No. 2004-0088-01, "EUV COLLECTOR DEBRIS MANAGEMENT"라는 명칭의, 미국특허출원번호 제 10/979,945, 2004년 11월 1일 출원된, Attorney Docket No. 2004-0064-01, " LPP EUV LIGHT SOURCE"라는 명칭의, 미국특허출원번호 제 10/979,919, Attorney Docket No. 2004-0044-01, "EUV LIGHT SOURCE"라는 명칭의, 미국특허출원번호 제 10/900,839, Attorney Docket No. 2003-0083-01, "COLLECTOR FOR EUV LIGHT SOURCE"라는 명칭의, 미국특 허출원번호 제 10/798,740의 공동으로 계류중인 미국 출원에 관한 것이며, 이는 본문에 참조로서 그 전체가 통합되어 있다.
플라즈마 초기 위치에서 타겟물질에 레이저 빔을 조사시킴으로써 플라즈마가 생성되거나(즉, 레이저 산출 플라즈마, "LPP") 또는 예를 들면 플라즈마 포커스 또는 플라즈마 핀치 위치에서 방전시 그러한 위치로 전달된 타겟물질을 가지고 플라즈마를 형성하는 전극 사이의 방전에 의해 플라즈마가 생성되는(즉, 방전 산출 플라즈마, "DPP") EUV 소스 물질의 플라즈마 산출로부터 EUV광을 생성하는 것이 종래기술에 공지되어 있다. 예를 들면, 보다 양질의 플라즈마 생성 변환 효율과 더 낮은 잔류물 형성을 위해 제한된 양이 될 수 있는 플라즈마 소스 물질의 드롭플릿의 형태로 된 타겟의 전달은 LPP 또는 DPP에 의해 플라즈마의 형성을 위해 적절한 위치 및 적절한 시간에 플라즈마 소스 물질을 위치 시키기 위한 기술로 알려져있다. 예를 들면, 금속자체 또는 현탁액의 타겟의 드롭플릿의 형성을 위한 메커니즘으로의 액체금속의 공급, 분사 또는, 예를 들면 주석 금속 플라즈마 소스 물질과 Li(CH3)와 같은 액체 플라즈마 소스 물질의 화합물을 위한 물, 또는 알콜과 같은 타겟물질과 반응하지 않는 액체로 타겟물질의 다른 혼합물과 같은 타겟물질의 핸들링에 관한 다수의 문제점들이 종래기술에 존재한다는 것이 알려져있다. 본 출원은 이러한 문제점들을 처리하기 위한 방법 및 장치들의 실시예의 측면들에 연관된 것이다.
액체금속 화합물 핸들링 시스템은 실험실의 핵융합반응로에서 그리고 고에너지 입자가속기에서 타겟을 가지고 사용하기 위한 보호벽과 같이, 특정한 액체금속 냉각 원자로에서 발견된다.
EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름으로 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크(reservoir)를 가지고, 액체 형태로 플라즈마 소스 물질을 유지하기에 충분한 선택된 온도범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기와; 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크와 유체흐름으로 연결되는 공급 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체 형태로 적어도 플라즈마 소스 물질의 보충량을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 공급 보관 탱크로부터 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 구비하는 것이 개시되어 있다. 상기 이송 메커니즘은 상기 공급 보관탱크와 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 사이를 상호연결하는 도관을 구비할 수 있다. 상기 이송 메커니즘은 상기 공급 보관 탱크를 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 분리시키는 밸브를 포함할 수 있다. 상기 공급 보관 탱크는 주기적으로 고체 형태의 물질부를 액체형태의 물질부로 형성하는 데에 사용되는 고체 형태의 플라즈마 소스 물질을 포함한다. 상기 이송 메커니즘은 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 표면으로 주로 열을 인가하도록 동작하는 히터 메커니즘을 포함한다. 상기 이송 메커니즘은 공급 보관 탱크와 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 사이에 열 작동 밸브를 포함한다. 상기 장치 및 방법은 상기 대변위된 히터 메커니즘의 근방의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질에 열을 인가하도록 동작하는 공급 보관탱크의 용융 물질이 모이는 영역을 위해 배치된 대변위된 히터 메커니즘을 포함한다. 상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지고, 액체형태로 플라즈마 소스 물질을 유지하기에 충분한 선택된 온도내에서 관리되는 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름으로 연결되는 공급 보관 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체형태로 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충량을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안 상기 공급 보관탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하고, 상기 이송동안 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에서 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 상부 표면 아래에 그의 방전 끝단이 배치되는 이송 메커니즘;을 포함할 수 있다. 상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지고, 액체형태로 플라즈마 소스 물질을 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위 내에서 관리되는 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 위에 배치된 공급 보관 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체형태로 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충량을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안, 상기 공급 보관탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 포함할 수 있다. 상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지 및 상기 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 기초하여 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 보관탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨을 관리하는 액체 플라즈마 소스 물질 핸들링 컨트롤러를 포함한다. 상기 장치 및 방법은 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 응답하여 이송전에 공급 보관탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 한 표면을 가열하는 가열 메커니즘을 제어하는 컨트롤러를 포함한다. 상기 장치 및 방법은 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 응답하여 이송 후에 공급 보관탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 한 표면의 가열을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가진 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리, 공급 보관탱크를 가지는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템, 공급 보관탱크에서 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계는: 시스템의 초기 플러시를 제공함으로써 액체 금속과 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 컴포넌트의 화학반응으로 인한 초기 오염에 기인한, 안정되고 긴기간 동안의 성능을 달성하는 초기 클리닝 및 컨디셔닝 프로세스를 활용하는 것을 포함한다. 상기 플러시는 선택된 온도에서 수행되고, 막히는 것을 방지하기 위해 충분한 양이 유입된다. 상기 방법 및 장치는 패시베이션 공정에 대해 플라즈마 소스 물질과 접촉하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 컴포넌트 표면들을 드러내는 단계를 포함한다. 상기 패시베이션 물질은 용융된 플라즈마 소스 물질과 반응하는 컴포넌트 표면을 통해 물질들을 떨쳐내는(leech out) 산세척 탱크(acid bath)를 포함한다. 상기 방법 및 장치는 젖은 표면 물질과 액체 플라즈마 소스 물질에 의해 금속간 화합물의 형성을 실질적으로 제한하기 위해 액체 플라즈마 소스 물질에 의해 젖은 표면에 대한 물질을 선택하는 것을 포함한다. 상기 방법 및 장치는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리, 및 공급 보관 탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템, 및 상기 공급 보관탱크로부터 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 단계는: 상기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크의 오염물질이 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에 닿는 것을 방지하기 위해 플라즈마 소스 물질 공급 시스템과 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크의 중간의 인라인 필터를 활용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법 및 장치는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리, 및 공급 보관 탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템, 및 상기 공급 보관탱크로부터 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 단계는: 불용성 합성물을 미립자로서 만들어내기에 충분한 용해도차이를 야기하기에 충분한 적어도 하나의 선택된 부분 내에서의 열적 그래디언트를 방지하기 위해 물질의 핸들링 시스템의 적어도 하나의 선택된 부분에서의 온도를 관리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법은 적어도 하나의 선택된 부분의 적어도 하나의 협대화된 통로부분이 막히는 것을 방지하기에 충분한 상승된 온도로 이송 메커니즘의 밸브의 물질의 핸들링 시스템의 다운스트림의 적어도 하나의 선택된 부분을 유지관리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 적어도 하나의 선택된 부분은 캐필러리, 상기 캐필러리의 방출 끝단의 노즐, 및 상기 노즐의 출력 오리피스 중에서 선택된다. 상기 방법 및 장치는, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되고 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가진 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온도를 유지하는 동안, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크를 가지고 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 공급 시스템 보관 탱크의 용융부분의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 내에서 고체 형태로 플라즈마 소스 물질을 저장하는 스토리지 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법 및 장치는, 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 고체 형태의 스토리지 부분을 용융된 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관 탱크와 분리시키는 투과성 분리기; 상기 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 일부를 용융함으로써 액체 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관탱크의 용융된 부분으로 주입 시키기 위해 상기 투과성 분리기를 가열하는 가열 메커니즘;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법 및 장치는, 고체 분사 플라즈마 소스 물질의 선택된 양을 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 용융된 플라즈마 물질부로 전달하는 원격으로 동작하는 분사 메커니즘을 포함하는 고체 분사가능 형태로된 플라즈마 소스 물질을 포함하고 있는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크에 호퍼를 포함한다. 상기 분사가능 형태는 펠릿(pellet) 형태 또는 분말 형태이다. 상기 장치 및 방법은, 상기 고체형태의 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 용융부와 분리시키는 것을 유지하는 유지 메커니즘; 및 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관탱크의 용융부에서 액체 형태의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 선택된 세그먼트를 선택적으로 가열하는 세그먼트화된 가열 메커니즘을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 LPP와 액체 드롭플릿 형태의 타겟 소스 물질을 이용하는 EUV 광원을 블록 다이어그램을 형태로 개략적으로 도시한 도,
도 2는 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면으로 도시한 도,
도 3은 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면으로 도시한 도,
도 4는 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면으로 도시한 도,
도 5는 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면으로 도시한 도,
도 6은 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 개략적으로 그리고 부분적으로는 단면으로 도시한 도,
도 7은 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템을 개략적으로 그리고 부분적으로는 단면으로 도시한 도, 및
도 8은 본 발명의 일실시예의 측면에 따라 액체 드롭플릿 플라즈마 소스 물 질 핸들링 시스템을 개략적으로 그리고 부분적으로는 단면으로 도시한 도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일측면에 따라 예를 들면 레이저 산출 플라즈마 EUV 광원(20)과 같은 EUV 광원에 대한 전체적인 광범위한 개념의 개략도가 도시된다. 상기 광원(20)은 예를 들면 고 전력 및 고펄스 반복률에서 동작하는 하나 이상의 가스 방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저와 같은, 펄스 레이저 시스템(22)을 포함하고, 예를 들면 미국 특허 제 6,625,191, 6,549,551, 및 6,567,450에 나타난 바와 같은, 하나 이상의 MOPA 구성의 레이저 시스템이 될 수 있다. 상기 광원(20)은 또한 예를 들면 타겟을 액체의 드롭플릿, 고체 미립자 또는 액체의 드롭플릿 내에 함유된 고체 미립자의 형태로 전달하는, 타겟 전달 시스템(24)을 포함한다. 상기 타겟은 예를 들면, 조사 위치(28), 그렇지 않으면, 플라즈마 형성 위치 또는 파이어 볼의 조준으로 알려진 챔버(26)의 내부로 상기 타겟 전달 시스템(24)에 의해 전달될 수 있으며, 여기서 상기 레이저에 의한 조사는 타겟 물질로부터 플라즈마를 형성하도록 한다. 상기 타겟 전달 시스템(24)의 실시예는 하기에 보다 상세히 기술된다.
챔버(26)의 창(도시되지 않음)을 통해 레이저 광축(55)(또는 도 1에 도시되지는 않았지만 복수의 축들)을 따라 펄스 레이저 시스템(22)으로부터 조사 위치로 전달된 레이저 펄스는 하기에 보다 상세히 기술되고 상기 인용된 특허들에 기술된 바와 같이, 적절하게 초점이 맞춰져서 타겟 전달 시스템에 의해 산출된 타겟의 도착과 함께 EUV 또는 소프트-X-레이(예를 들면 13.5nm에서의) 방출 플라즈마를 생성 하고, 타겟 물질에 따라 X-레이 광으로 산출된 파장, 플라즈마의 조사 동안 또는 그 후에 플라즈마로부터 방출된 잔해의 유형 및 양, 타겟의 크기 및 형태, 레이저 빔의 초점, 레이저 빔의 타이밍과 위치, 및 플라즈마 조사 위치에서의 타겟 등을 포함하는 일정한 특성을 가진다.
상기 광원은 또한 조사 위치(28)로 레이저 광이 들어가도록 하기 위한 어퍼쳐를 가진 예를 들면 끝을 자른 타원형의 형태의 예를 들면 반사기와 같은 컬렉터를 포함한다. 컬렉터 시스템의 실시예는 하기와 상기 인용된 출원서에 보다 상세히 기술된다. 컬렉터(30)는 예를 들면, 광원 및 입력으로부터 예를 들면, 집적회로 리소그래피 툴(도시되지 않음)로 EUV 광원이 출력되는 플라즈마 최초 위치(28)에서는 제 1 초점을 가지고 소위 중간점(40)(또한, 중간 초점(40)이라고도 함)에서는 제 2 초점을 가지는 타원형 미러가 될 수 있다. 상기 시스템(20)은 또한 타겟 위치 검지 시스템(42)을 포함한다. 상기 펄스 시스템(22)은, 예를 들면, 오실레이터 레이저 시스템(44)용 펄스 파워 타이밍 모니터링 시스템(54) 및 증폭기 레이저 시스템(48)용 펄스 파워 타이밍 모니터링 시스템(56)과 함께, 오실레이터 레이저 시스템(44)용 자기 리액터-스위치 펄스 압축 및 타이밍 회로(50)와 증폭기 레이저 시스템(48)용 자기 리액터-스위치 펄스 압축 및 타이밍 회로(52)를 가진, 예를 들면, 오실레이터 레이저 시스템(44)과 증폭기 레이저 시스템(48)을 구비한 예를 들면, 주 발진전력 증폭기(Master Oscillator Power Amplifier)("MOPA") 구성의 듀얼 챔버 가스 방전 레이저 시스템을 포함한다. 상기 시스템(20)은 또한 EUV 광원 컨트롤러 시스템(60)을 포함하고, 이것은 또한 예를 들면 레이저 빔 포지셔닝 시스 템(66)과 함께, 예를 들면 타겟 포지션 검지 피드백 시스템(62) 및 점화 제어 시스템(64)을 포함한다.
상기 타겟 포지션 검지 시스템(42)은 예를 들면, 플라즈마 초기 위치에 대한 타겟 드롭플릿의 포지션에 대한 입력을 제공하고, 타겟 포지션 검지 피드백 시스템으로 이들의 입력을 제공하는 복수의 드롭플릿 화상기(70, 72, 74)를 포함하고, 이것은 예를 들면 타겟 위치 및 궤적을 연산할 수 있고, 일반적 드롭플릿에 기초하여 드롭플릿이 평균적이지 않으면, 그로부터 타겟 오류가 연산 될 수 있고, 그런 다음 입력으로서 시스템 컨트롤러(60)에 제공되고, 이것은, 예를 들면 상이한 점화 점(28)으로 레이저 빔의 초점을 변경하기 위해, 예를 들면, 레이저 위치와 방향의 체인저의 위치와 방향을 제어하도록, 상기 레이저 빔 포지셔닝 시스템이 사용할 수 있는 예를 들면 상기 레이저 빔 포지셔닝 시스템(66)으로 예를 들면 레이저 위치와 방향 보정 신호를 제공할 수 있다. 입력은 예를 들면, 컬렉터(30)의 하나의 초점에서, 예를 들면 원하는 플라즈마 초기 위치로부터의 액체 플라즈마 소스 물질의 드롭플릿과 같은, 타겟의 오류를 포지셔닝하기 위한 보정을 하기 위해 타겟 전달 시스템(24)으로 제공될 수 있다.
상기 화상기(72)는 예를 들면, 타겟 전달 메커니즘(92)으로부터 원하는 플라즈마 초기 위치(28)까지 타겟 드롭플릿(94)의 원하는 궤적 경로로 시준된, 이미징 라인을 따라 겨누어지고, 화상기(74, 76)는 예를 들면 원하는 초기 위치(28)이전의 경로를 따라서 일정한 포인트(80)에서 원하는 궤적 경로를 따라서 교차하는 이미징 라인들(76, 78)을 따라서 겨누어질 수 있다. 다른 대안들은 상기 인용된 출원서에 서 기술되어 있다.
상기 시스템 컨트롤러(60)로부터의 신호에 응답하여, 타겟 전달 제어 시스템(90)은 예를 들면, 원하는 플라즈마 초기 위치(28)에 도달하는 타겟 드롭플릿에서의 오류를 보정하기 위해 상기 타겟 전달 메커니즘(92)에 의해 투하되는 타겟 드롭플릿(94)의 투하점 및/또는 포인팅 방향을 변조할 수 있다.
중간 초점(40) 또는 그 근접한 위치에서의 EUV 광원 검지기(100)는 또한 예를 들면 효과적이고 효율적인 LPP EUV 광의 산출을 위해 적절한 위치와 시간에서 타겟 드롭플릿을 적절하게 가로채기 위한 레이저 펄스의 타이밍 및 초점과 같은 것들에서의 오류를 나타낼수 있는 피드백을 시스템 컨트롤러(60)로 제공할 수도 있다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따라, 출원인은 예를 들면 물질의 스토리지 용량을 증가시키는 방법에 의해 드롭플릿 생성기 런타임을 개선하는 것을 제안한다. 출원인은 액체 주석 또는 액체 리튬과 같은 플라즈마 소스 타겟 드롭플릿 물질을 위해 액체 금속의 용융 스토리지를 감소시키기 위한 용융 온 디맨드 시스템을 제안한다. 체적 스토리지 요구조건에 추가하여, 타겟 드롭플릿 형성에 사용하기 위해 저장된 액체 금속의 다수 체적은 액체로서 상기 체적을 관리하기 위한 가열의 문제점과 당업자에 이해될 다른 연관된 문제점들이 발생하고, 이것은 또한 타겟 물질 핸들링 및 전달 시스템에서 상대적으로 작은 구멍들을 막히게 하는 물질 및 부스러기, 슬래그가 증가하고 그렇게 될 가능성을 관리하기 위해 오퍼레이터가 시스템과 상호작용해야할 필요성도 포함한다.
예시의 방법에 의해, 출원인의 양수인인 Cymer에 의해 검사된 프로토타입 주석 드롭플릿 생성기는 24,000/초의 드롭플릿 생성속도로 약 3-4시간의 정해진 런타임을 가지는 것으로 밝혀졌다. 프로토타입 생성기를 다시 채우는 것은 냉각, 분해, 재조립, 및 재가열을 위한 상당한 양의 시간이 필요한 것이 밝혀졌다. 생성기 챔버 체적을 증가시키는 것은 이러한 운영의 효율의 문제를 해결하는데에 유효하지만, 이러한 것을 시행하는 기능은 예를 들면 상술한 다른 문제점들에 추가하여 발달하는 정수두(static head)에 의해 제한된다. 정수두는 드롭플릿 생성기에 의한 드롭플릿이 떨어지도록 유도하고 상기 드롭플릿 형성의 빠른 차단을 억제할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따라, 출원인은 오퍼레이터가 최소의 고장 시간 및 노력으로 타겟 드롭플릿 생성기(92)에서 보관 탱크(114)를 다시 채울 수있도록 하는, 도 2 및 도 3에서 부분적으로 개략적으로 그리고 부분적으로 단면으로 도시된 것과 같은, 벌크 물질 보관 탱크(112)를 포함하는 타겟 물질 핸들링 시스템(110)을 제안한다.
상기 드롭플릿 생성기(92) 보관 탱크 챔버(114)는 예를 들면 밸브(120)를 통해 제 2 벌크 보관 탱크 챔버(112)로 결합된다. 두 챔버(112, 114) 모두는 독립적이고, 동적인 압력 제어 시스템(도시되지 않음)을 가진 닫혀진 체적이다. 이러한 시스템에서, 오퍼레이터는 상기 벌크 보관탱크 챔버(112)를 채우고, 상기 두껑(116)을 닫고, 플라즈마 소스 금속 물질을 액체 형태로 만들기 위해 그를 가열하고, 밸브를 열고, 예를 들면 히터(124)로 챔버(112, 114) 사이의 파이프(122)를 가 열함으로써 파이프(122)에서 액체 금속을 형성하여 그런 다음 챔버(114)의 압력을 감압하고 챔버(112)를 압력을 가하여(또는 그렇지 않으면 챔버(112)를 챔버(114)보다 더 압력을 가한다) 벌크 보관 탱크 챔버(112)로부터 타겟 생성기(92) 챔버(114)를 채운다. 예를 들면, 타겟 드롭플릿 생성기 챔버(112)에서의 레벨 검지기(130)에 의해 낮은 레벨이 검지될 때 벌크 챔버의 주기적인 리필이 요구되지만, 드롭플릿 생성기가 뜨거운 동안에 수행될수 있고 그결과 시간이 절약된다. 그러나, 벌크 챔버는 여전히 오퍼레이터가 사용되는 물질의 횟수와 유형에 의존하는 불편을 야기할 수 있는 주기적인 리필을 필요로 한다. 예를 들면, 리튬은 그의 반응성에 기인한 일부 특별한 문제를 일으키는데, 이는 예를 들면 불활성 환경에서 조절되어야 하는 것을 필요로 한다는 것이다. 벌크 챔버(114)가 커지면 커질수록, 리필간의 시간도 더 길어진다. 불행히도, 이러한 점보 벌크 보관 탱크 챔버(112)를 사용하는 데에는 다수의 필요한 트레이트오프가 있는데, 예를 들면 벌크 보관 탱크에서의 용융된 금속의 다량은 예를 들면, 다량의 슬래그/찌꺼기를 만들어 수율과 가능한 런타임에 영향을 주고; 커다란 정수두는 생성기 보관 탱크의 오버필링과 상술한 다른 문제점들을 만들고 그를 야기하며; 짧고 넓은 챔버는 정수두를 최소화하는 데에 사용될 수 있지만, 커다란 표면 영역에 기인하여 슬래그/찌꺼기의 형성을 최대화한다. 또한, 예를 들면, 벌크 챔버는 오퍼레이터를 보호하고 높은 순도를 유지하기 위해 리필시에 냉각되는 것이 필요하기 때문에, 길어진 가열 및 냉각 시간이 필요하다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따르면, 출원인은, 오퍼레이터의 상호작용을 최소화하는, 예를 들면, 너무 큰 보관 탱크 챔버(112)의 문제점을 방지하면서 동시에 필요한 리필의 횟수를 최소화할 수 있는 벌크 보관 탱크 시스템(118)을 제안한다. 본 발명의 일실시예의 측면에 따르면, 출원인은 긴기간 동안, 예를 들면 6 개월가지의 기간 동안, 예를 들면 리튬을 보다 더 공급하고, 사용자가 벌크 보관탱크(112)를 보다 자주 리필하는 태스크에서 자유롭게하도록 하기 위해 활용될 수 있는 벌크 보관 탱크 시스템(118)을 제안한다. 상기 벌크 보관 탱크(112)는 예를 들면 반도체 마이크로리소그래피 제조 설비 보다 더 잘 제어된 환경의 제조업자에서, 예를 들면 리튬으로 채워질수 있고, 사용된 벌크 보관 탱크 시스템(118)을 대체하기 위해 상기 설비로 이송되고, 그에 의해 예를 들면, 오염에서 매우 자유로운 환경이 될것으로 의도된 것에서 오염을 야기하는 사용자의 제조 설비에서의 주변의 물질과 반응하는 것과 같은, 가열되고 액체형태의 리튬과 같은 고반응성 타겟 소스 물질을 핸들링하는 문제를 감소시킨다. 대안으로, 플라즈마 소스 타겟 물질이 다 소모되었을 때, 벌크 보관탱크 시스템(118)과 드롭플릿 생성기(92)를 가진 전체 드롭플릿 생성기 시스템(110)은 새로운 유닛으로 대체될 수 있다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따라, 출원인은 예를 들면, 플라즈마 소스 타겟 물질의 고체 피스(140)의 기저만을 가열하고, 그에 의해 소량의 용융(142)을 산출하는 것을 포함하는 "용융 온 디맨드" 벌크 보관 탱크(112) 피드 시스템을 제안G한다. 레벨 센서(132)는 드롭플릿 생성기(92)에서의 용융 체적(144)이 언제 최소 레벨에 도달했는지를 검지할 수 있다. 이때, 챔버 밸브(120)는 열려지고, 용융된 금속(142)이 벌크 보관탱크 챔버(112)로부터 상기 드롭플릿 생성기 챔버(114)로 운 반될 수 있다.
타겟 전달 제어 시스템(90)은 레벨 센서(130, 132)로부터 입력을 받고, 예를 들면 상기 레벨 센서(132)가 액체 물질(142)의 주어진 양이 벌크 보관 탱크(112)에 존재하는지를 지시할때까지 고체 물질(140)의 주어진 양을 용융하도록, 히터, 예를 들면 기저 히터(150)를 제어하고, 또한 상기 히터(124)가 밸브를 열거나, 또는 예를 들면 상기 기저 히터가 턴오프되는 동안 또는 그후에 벌크 보관 탱크(112)에서 새롭게 형성된 및/또는 재용융된 물질(142)을 허용하도록 하기 위한 다른 유형의 밸브(도시되지 않음)를 가지고 상기 보관 탱크(112)와 보관 탱크(114) 사이에 유체의 흐름을 초기화하여, 상기 고체 물질(140)이 용융되어 감소되고, 보관 탱크(112)에 남겨진 액체 물질(142)이 있다면, 일정한 시간후에 고화되도록 한다. 상기 기저 히터(150)와 밸브(120) 히터는 컨트롤러(90)에 의해 물질에 대한 다음번 호출이 있을 때까지 턴오프된다. 상기 드롭플릿 생성기 보관 탱크(114) 주위의 히터(160)는 플라즈마 소스 물질을 상기 드롭플릿 생성기 보관 탱크(114)에서 용융된 상태로 유지하기 위해 선택된 범위 내에서 상기 플라즈마 소스 물질(144)의 온도를 유지할 필요가 있을 때 컨트롤러(90)에 의해 계속해서 온상태로 유지되거나 또는 상기 컨트롤러(90)에 의해 순환된다. 상기 용융된 물질(142)은 컨트롤러(90)에 의해 턴오프된 보관 탱크(112)와 기저 히터(150)로부터 필수적으로 모두 배출된다. 다음번 보충시에, 상기 히터(150)는 턴온되고, 원하는 양의 용융된 물질(142)을 지시하기 위해 사용된 레벨 센서(132)가 이러한 용융된 물질(142)의 모두를 필수적으로 보관 탱크(114)로 배출 하기 위해 밸브(120)를 열기전에 생성되고, 그런다음, 상기 히 터(150)는 보관 탱크(114)의 다음번 필요한 보충을 대기하기 위해 턴오프된다.
용융된 물질(144)은 그런다음 예를 들면 캐필러리(164)를 포함하는 노즐(166)의 출력 오리피스(168)에서 드롭플릿(94)을 형성하기 위해 컨트롤러(90)의 제어하에서 압전 액추에이터(162)에 의해 작동되는 캐필러리(164)를 통해 가압될 수 있다.
대안으로, 본 발명의 일실시예의 측면에 따라, 도 3에서 예시로 도시된 바와 같이, 예를 들면, 구멍(182)을 가진 와이어 메쉬에 의해 형성된 구멍이 나있는 히터(180)는 용융된 물질위의 고체 물질(140)을 용융하기 위해 사용될 수 있다. 이것은 컨트롤러(90)의 제어하에서 다양한 방식으로 활용될 수 있는데, 예를 들면, 기저 히터(150)는 밸브(120)가 닫히고 히터(180)가 상기 벌크 보관 탱크(112)에서의 용융된 물질(142)의 공급을 보충하는데에 사용된 후에, 상기 드롭플릿 생성기 보관 탱크 챔버(114)로 이송될 필요가 있을 때까지, 상기 벌크 보관 탱크 챔버(112)에서 용융된 물질(142)을 유지하기 위해 계속하여 온상태를 유지하고 순환된다. 또한, 상기 용융된 물질(142)은 다음번 보충이 필요할때 상기 히터(180)가 충분한 용융된 물질(142)을 생성하기 위해 동작된 후에 상기 컨트롤러(90)에 의해 제어되는 각 보충시 벌크 보관 탱크(112)로부터 필수적으로 완벽하게 배출될 수 있고, 이것은 기저 히터(150)에 의해 용융된 상태로 있는 것이 보조되고(또는 기저 히터(150)가 제거될 수도 있음), 상기 용융된 물질(142)은 상기 밸브(120)를 통해 챔버(114)로 배출된다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따르면, 출원인은, 예를 들면 벌크 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 시스템(114)로부터의 리필을 이용하여 보다 연장된 동작을 가능하게 하도록, 예를 들면 상기 드롭플릿 생성기(92) 보관 탱크(114)에서의 액체 물질(144)의 표면상에서의 슬래그 축적/각질의 형성에 대한 해결안을 제안한다. 출원인은 도 4에 부분적으로 개략적으로 그리고 부분적으로 단면으로 예시된 바와 같이, 예를 들면, 슬래그/각질의 최소한의 축적을 하는 보관탱크(114)에서의 액체물질의 보충을 허용하고, 또한 형성된 슬래그/각질의 영향을 제한하는 것을 제안한다. 상기 각질은 그렇지 않으면 필터를 막히게 하고 잠재적으로 노즐을 막히게 할 수 있다. 도 4를 살펴보면, 예를 들면 탑으로부터 보관 탱크를 채우는 대신에, 새롭게 추가된 물질이 슬래그/각질 상에 존재하고, 베셀 챔버(114)가 튜브(200)를 통해 중간으로부터 채워질 수 있도록하는 것을 포함하는 실시예가 도시되어 있다. 이러한 배치는 예를 들면, 임의의 형성된 탑 슬래그/각질이 도 4에 도시된 바와 같은 노즐(166) 또는 도 5의 실시예에 도시된 바와 같은 필터(210) 영역에 도달하기 매우 어렵다는 여러 장점을 가지는데, 이는 공급이 기저로부터 보충되기 때문이다. 또한 상기 형성된 각질은 새로운 물질에 의해 매몰되지 않고, 구물질과 새로운 물질 사이의 장벽으로 기능한다. 또한 상기 부가된 물질은 대기에 절대 노출되지 않기 때문에, 오염물질은 덜 유입된다.
본 발명의 일실시예의 측면들에 따르면, 출원인은 온라인에서 그리고 제위치에서 리필하고 슬래그를 감소시키기 위해 멀티-베셀 시스템의 장점을 이용할 것을 제안한다. 이것은, 예를 들면 분사된 물질의 순도를 증가시키고, 분사를 위해 사용되는 타겟 드롭플릿 생성기의 액체 금속 보관탱크(114)에서의 슬래그의 축적을 감소시킬 뿐만 아니라, 액체 금속 분사 시스템의 런타임을 연장시킨다. 도 5에서, 하나 이상의 액체 금속(142, 144)의 베셀을 구비하는 액체 금속 핸들링 시스템(110)이 도시된다. 도 5는 하부 베셀(212)이 분사에 사용되고, 상위의 베셀(214)로부터 보충되는 2개 베셀의 배치를 부분적으로는 개략해서, 부분적으로는 단면으로 도시한다. 예를 들면, 2 개의 베셀(214, 214) 사이의 밸브(기계적 또는 프리즈)(도시되지는 않지만, 예를 들면 필터 어셈블리(210)에 통합되어있음)를 활용함으로써, 이러한 멀티-베셀 구성의 장점들 중 하나는, 하부 베셀(212)을 드롭플릿 형성 제트의 필수적으로 연속적인 동작을 허용하도록 실행시키는 동안, 도 2 및 도 3의 벌크 보관탱크 베셀과 같은 상위 베셀(214)이 리필되고, 구멍이 만들어지는 것 등이 수행될 수 있다는 것이다. 또한 제 2/하부 베셀(212)을 액체로 채우면서, 여과된 금속이 오염물의 양을 감소시키고 보다 길고 보다 안정된 동작을 허용한다. 단일 베셀 시스템은 그의 제한된 체적 때문에 연장된 기간동안 정상적으로 동작할 수 없다. 상기 체적은, 예를 들면 자가-분출이 발생하기 전에 허용된 최대 정수두를 포함하는, 상술한 실질적인 사항에 의해 제한될 것이다. 복합 액체 금속 핸들링 시스템이 실험용 핵융합로에서의 보호벽, 및 고에너지 입자 가속기에서의 타겟과 같은 특정한 액체 금속 냉각 원자로에서 발견된다. 그러나, 출원인은 플라즈마 소스 물질 타겟 전달을 위해 본문에서 제안된 것과 같은 멀티 베셀 배치와 유사한 사용예는 발견하지 못했다.
본 발명의 일실시예의 측면에 따라, 출원인은, 예를 들면 약 1 ㎛ 직경의 아주 미세한 오리피스를 통해 안정적이고, 찌꺼기가 없는 액체 금속의 분사를 달성하 기 위해, 분사 하드웨어의 적절한 설계와 초기 조절을 사용함으로써, 예를 들면 용융된 리튬이나 주석과 같은, 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 성공적인 분사를 위한 방법 및 장치를 제안한다.
출원인은 분사 디바이스(92)로부터 안정적이고 긴기간 동안의 성능을 달성하기 위해 초기 세척과 조절 공정이 결합된 하드웨어 요구사항을 제안한다. 도 5에 도시되거나 또는 상술한 인용된 출원에 나타낸 것과 같은 인라인 필터(210)에 추가하여, 예를 들면 리튬, 주석, 또는 그의 화합물과 같은 초기 입자 및/또는 커다란 오염물들이 시간이 경과함에 따라 상부의 보관 탱크(예를 들면, 보관 탱크(214))에 형성되는 것을 방지하기 위해, 출원인은 찌꺼기가 쌓이는 것을 방지하기 위해 그리고 다량의 물질을 이용하여 연장된 기간동안 충분히 큰 오리피스(도시되지 않음)를 통해 예를 들면 선택된 온도에서 시스템(110)의 초기 분출을 제공하는 등에 의해 액체 금속과 벽의 상호작용에 의한 초기 오염을 극복한다. 예를 들면, 약 50㎛의 일반적인 출력 오리피스를 보다 빠른 분출을 허용하는 예를 들면 약 250㎛의 상대적으로 더 큰 오리피스, 일반적인 오리피스 크기를 가지면서 보다 높은 분출 속도를 가지는 오리피스로 대체하여, 보다 효율적이고 효과적으로 전체 시스템에 분출시키도록 할 수 있다. 이것은, 일반 크기의 출력 오리피스를 가지고 수시간동안의 실제 동작을 수행하는 동안 상기 시스템을 통과하는 것과 동일한 양의 물질이 분출하는 시스템을 가지고 수시간 동안 실제 동작에 상당하는 분출을 유효하게 허용한다.
스테인레스 베셀 및 부품을 사용하는 액체 주석의 경우, 이것이 예를 들면, 스테인레스 외부층으로부터 철과 같은 불순물을 떨쳐버리기 위한 산세척 탱크에서 부동태화(passivate)될 필요가 있다. 그렇지 않으면, 상기는 주석에서 용해시킬 수 있고, 결과적으로 출력 오리피스(168)를 방해하거나 완전히 막아버리기에 충분히 큰 주석 철 금속간 화합물을 형성할 수 있다. 일반적인 규칙으로써, 액체 플라즈마 소스 물질(142, 144)에 의해 젖은 물질은 현재 있는 금속간 화합물을 제한하거나 제거하기 위해 선택되어야 하고, 예를 들면, 주석에 대해서는, 예를 들면 몰리브덴, 탄탈룸 또는 텅스텐 합금과 같은 금속이 사용될 수 있고, 리튬에 대해서도 몰리브덴, 탄탈룸 도는 텅스텐이 사용될 수 있다.
또한, 상기 시스템의 온도는, 용해도 차이를 야기하고 불순물을 가진 문제점들을 합성하고 및/또는 그것들이 용해 제한을 벗어나서 미립자가 되게하는 포인트까지 산출물들을 농축하여 들러붙게할 수 있는 열적 그래디언트를 방지하기 위해, ± 2℃ 이내에서 정상적인 동작 전체동안 일정해야만 한다. 출원인은 특정한 주요 부품들(즉, 노즐(166) 및/또는 캐필러리(164) 및/또는 출력 오리피스(168) 및 필터의 하류측의 임의의 부품)은 예를 들면 약 25℃의 보다 뜨거운 온도에서 의도적으로 유지될 수 있지, 그 반대는 아니라고 믿는다. 일반적인 규칙으로, 필수적으로 모든 반응 속도와 용해도 제한이 온도와 함께 증가되기 때문에, 더 낮은 온도가 될수록 더 양질이 된다.
도 6-8을 참조하면, 액체 플라즈마 소스 타겟 물질 핸들링 시스템의 실시예의 측면들을 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면을 도시한다. 도 6은 예시의 방식에 의해, 예를 들면, 그 위에 거친 표면 영역(232)을 생성하는 것으로 플 라즈마 소스 물질(238)의 고체 부분을 마찰력으로 유지하도록 적용되는 측벽(232)를 가지는 예를 들면 보관 탱크(231)를 구비하는 공급 시스템(230)을 도시한다. 고체 플라즈마 형성 물질(238)로부터, 액체/용융된 플라즈마 형성 물질이 상기 보관 탱크에 용융된 플라즈마 소스 물질 덩어리를 구축하거나 또는 그에 기여하기 위해 형성된다. 이것은 일련의 비연속적으로 동작되는 히터링(234)을 활용하여 달성된다. 도 7을 참조하면, 공급기(240)가 도시되어 있는데, 이는 그 안에 예를 들면 펠릿 또는 분말과 같은 분사 형태로 고체 플라즈마 소스 물질(244)을 함유하고, 용융된 플라즈마 소스 물질(246)이 예를 들면 호퍼의 원격 제어된 도어(248)를 개방함으로써 형성되거나 그를 제공하게 되는, 예를 들면 호퍼(242)와 같은 분사형태의 고체 플라즈마 소스 물질 분사기가 장착되는 공급 보관 탱크(241)를 구비한다. 도 8을 참조하면, 예를 들면 용융된 플라즈마 소스 물질(254)을 함유하는 플라즈마 소스 물질 보관 탱크(252)를 포함하는 플라즈마 소스 물질 공급 컨테이너(250)가 부분적으로는 개략적으로, 부분적으로는 단면으로 도시되어 있다. 또한 예시의 방식으로, 용융된 플라즈마 소스 물질(258)을 함유하는 보관 탱크(257)를 구비한 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크(256)가 도시된다. 상기 보관 탱크(252, 261)는, 예를 들면 밸브(262)가 개방되어 중력에 의해, 그를 통해 액체 /용융된 플라즈마 소스 물질이 이송되는, 예를 들면 차가운 밸브(262)를 구비하는, 상호연결 튜브(260)에 의해 상호연결된다. 예시의 방식에 의해, 예를 들면, 압력 연결부(264)를 통해 압력 P1을 인가하고, 압력 연결부(266)을 통해 P2을 인가하여 보관 탱크(257)과 유체흐름으로 연결된 드롭플릿 생성기(도 8에는 도시되지 않음)를 만들기 위해 적어도 보조하도록 선택된 일정한 압력에서 P1 > P2이 적절하게 동작하도록, 보관탱크(257)로 액체/용융된 플라즈마 물질(254)에 힘을 가하는 수단이 도시된다.
당업자는 본 발명의 일실시예에 따라 상술된 바와 같이, EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 및 방법이, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체 흐름이 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기를 구비하고, 보관 탱크와 상기 드롭플릿 생성기의 출력 오리피스의 중간에 드롭플릿 생성기의 전체적으로 협대화된 통로를 구비하고, 또한 방출 구멍/오리피스로 향하는 예를 들면 단순히 협대화된 캐필러리의 부분을 포함하는, 캐필러리의 방출 끝단에서 일련의 형태의 노즐부를 구비하는 것이 기술되어 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 소스 물질 보관 탱크 및 캐필러리는, 예를 들면, 용융되고 전체적으로 용융된 형태로 유지되는 것을 보장하는 특정한 온도 이상으로 유지되도록 가열되어야하고 실온에서는 고체가 되는 금속인 주석 또는 리튬과 같은 플라즈마 소스 물질의 유형에 따라, 당업자에 의해 이해되는 것과 같이, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 온도의 선택된 범위 내에서 유지될 수 있다. 상기 플라즈마 소스 물질은 또한 예를 들면, 실온에서 액체가 되는 주석 또는 리튬의 화합물과 같은, 특정한 형태가 될 수 있고, 그의 온도를 감소시킴으로써 고체 형태로 유지되고, 다시 그것이 액체가 되도록 하는 특정한 주변의 온도가 되도록 허용한다. 이 런 점에서 동일한 것을 의미하는 액체 및 용융된 물질이 본 출원과 첨부된 청구범위에서 이용되는데, 즉, 기술적으로 나타낸 그의 일반적인 실온에서의 형태가 고체인지 아닌지에 관계없이, 그것이 액체/용융되도록 가열되거나 또는 그의 일반적인 실온의 형태가 액체이고 그것이 고체/결빙되게 만들기 위해 냉각된다.
플라즈마 소스 물질 공급 시스템은 예를 들면, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기가 온라인인 동안 적어도 플라즈마 소스 물질의 보충양을 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체 형태로 유지한다.물질의 핸들링 및 이송 분야에 대한 당업자는 보충양을 특정하는 것이 예를 들면 하나의 보관 탱크에서 다른 보관 탱크로의 바람직한 이송의 횟수와 예를 들면 크기가 너무 큰 경우 상기 보관 탱크에서 형성될 수 있는 슬래그 층 사이의 균형이 될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들면 제어 밸브를 가진 중력 가동 이송 도관 만큼 간단하거나, 또는 이송되는 물질을 펌핑할 수 있는 적절한 펌프, 또는 상이하게 가압된 챔버, 상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되거나 온라인인 동안, 예를 들면 공급 보관 탱크로부터 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 기타의 형태를 활용하는 이송 메커니즘이 유체 물질 핸들링 기술 분야의 당업자에게는 이해될 것이다. 온라인이거나 온도가 유지되고 있다는 것은, 드롭플릿 생성기 보관 탱크의 실을 부수거나 또는 플라즈마 소스 물질 전달 시스템의 부품 또는 전체를 냉각시키는 것과 같은 특정한 잠재적으로 오염을 유발하고 및/또는 시간을 소모하는 동작을 수행하지 않고서도, 본 발명의 일 실시예의 측면에 따라, 본 발명의 장점이 간단하고, 용이하며, 상대적으로 시간적으로 효율적인 방식으로 본 문에 기술된 지나치게 큰 체적의 보관 탱크와 관련된 문제와 상기 드롭플릿 생성기 보관 탱크에서의 한정된 공간의 제한과 진행중인 드롭플릿 형성에 의해 고갈되는 것과 동일한 드롭플릿 생성기 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질을 보충한다는 것을 의미한다. 일반적으로 이것은 상기 시스템이 그 시스템이 "온라인", 즉 동작을 계속하는 동안, 보충될 수 있다는 것을 의미한다. 그러나, 예를 들면 EUV 광이 생성되지 않고 그결과 드롭플릿 생성이 요청되지 않는, "온라인" 상태가 아닌, 휴지 또는 대기 등과 같은 특정한 동작 상태가 고려될 수 있다. 그러나, 드롭플릿이 생성되거나 되지 않거나 관계없이, 상기 시스템은 유지관리와 같이 셧다운 되지 않는한은, 계속해서 "온라인"이 되는 것으로 간주되고, 그에 따라 플라즈마 소스 물질 드롭플릿 생성기 보관 탱크에서의 플라즈마 소스 물질의 액체/용융 상태의 유지가 필요하지 않다. 본 출원과 첨부된 청구범위의 목적을 위해, "온라인" 또는 "온도 유지"는 적어도 플라즈마 소스 물질 드롭플릿 생성기 보관 탱크(그리고 동시에 드롭플릿 생성기의 액체 방출부)에서 플라즈마 소스 물질의 액체/용융 상태가 바람직하고 및/또는 필요한 임의의 상태가 되는 것으로 간주된다.
이송 메커니즘은 공급 시스템 보관 탱크와 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 상호연결하는 도관을 포함한다. 상기 이송 메커니즘은 공급 보관 탱크를 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로부터 분리하는 밸브를 포함하고, 이것은 흐름을 멈추게하고 그것이 흐르는 것을 허용하도록 액체화 하는 이송 튜브에서 플라즈마 소스 물질을 고화 시키기 위한 가열/냉각 메커니즘 , 또는 흐름을 허용하거나 차단하는 솔레노이드에 의해 일반적으로 원격으로 동작되는 기타 형태의 밸브만큼이나 간단하다. 상기 공급 보관 탱크는 고체 형태의 물질의 일부를 액체형태의 물질로 주기적으로 형성하기 위해 사용되는 고체 형태의 플라즈마 소스 물질을 포함한다. 상기 이송 메커니즘은 주로 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 표면에 열을 인가하도록 동작하는 히터 메커니즘을 포함한다. 상기 이송 메커니즘은 공급 보관 탱크와 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 사이에 열가동 밸브를 포함한다. 상기 장치 및 방법은 히터와 접촉하여 고체 플라즈마 소스 물질을 용융하도록 원격 조종되어 가열될 수 있는 예를 들면, 메쉬드 스크린과 같은 분리된 히터 메커니즘의 근방에서 고체 형태의 플라즈마 소스 물질에 열을 인가하도록 동작하는 공급 보관 탱크의 용융된 물질의 수집 영역 위에 배치된 분리된 히터 메커니즘을 포함한다.
상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지고, 액체형태로 플라즈마 소스 물질을 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위 내에서 관리되는 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름으로 연결되는 공급 보관 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체형태로 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충량을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 공급 보관탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라 즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하고, 상기 이송동안 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에서 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 상부 표면 아래에 그의 방전 끝단이 배치되는 이송 메커니즘;을 포함할 수 있다.
상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지고, 액체형태로 플라즈마 소스 물질을 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위 내에서 관리되는 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름으로 연결되고 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 위에 배치되는 공급 보관 탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 이송하기 위해 액체형태로 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충량을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 공급 보관탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘; 및 상기 드롭플릿 소스 물질 보관 탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지와, 상기 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 기초하여 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 보관 탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨을 관리하는 액체 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템;을 포함할 수 있다. 상기 장치 및 방법은 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 응답하여, 이송전에 상기 공급 보관 탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 한 표면을 가열하는 가열 메커니즘을 제어하는 컨트롤러를 포함한다. 상기 장치 및 방법은 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 응답하여, 이송후에 상기 공급 보관 탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 한 표면을 가열하는 것을 제어하는 컨트롤러를 포함한다. 다른 변형도 가능한데, 그 요점은, 주어진 선택된 보충에 필요한 및/또는 충분한 양이 공급 보관 탱크에서 항상 유지될 수 있는 것과, 고체 플라즈마 소스 물질이 상기의 보충후에 다음 보충이 가능하도록 용융되는 것, 또는 보충이 컨트롤러에 의해 신호될 때까지 공급 보관 탱크에서 액체 형태로 관리되는 액체/용융 플라즈마 소스 물질이 거의 또는 전혀 주어진 보충에 대해 용융되지 않거나, 또는 보충이 다양한 크기로 되고 공급 보관 탱크에서의 액체/용융 플라즈마 소스 물질이 주어진 보충이전에 필요한 만큼 공급되거나, 또는 필요한/충분한 레벨로 용융되는 것이다. 당업자는 또한 공급 보관 탱크 등의 용융된 부분으로의 보충량을 용융하기 위한 리드 톰(lead tome)을 필요로하는 것들을 포함하는, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에 대한 필요한 보충의 상태와 공급 보관 탱크에서의 가용한 액체/용융 물질을 판정하기 위해 컨트롤러에 필요한 입력을 제공하기 위한 다양한 상이한 레벨의 센서를 가진 다양한 제어 시스템이 있다는 것을 또한 이해할 것이다.
상기 장치 및 방법은, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가진 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 유지되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관탱크를 가지는 플라즈 마 소스 물질 공급 시스템; 공급 보관탱크에서 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계는: 시스템의 초기 플러시를 제공함으로써 액체 금속과 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 컴포넌트의 화학 작용에 기인한 초기 오염에 기인하여, 안정되고 긴기간 동안의 성능을 달성하는 초기 클리닝 및 컨디셔닝 프로세스를 활용하는 것을 포함한다. 상기 플러시는 선택된 온도에서 수행되고, 막히는 것을 방지하기 위해 충분한 양이 유입되는데, 이것은 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 예를 들면 플라즈마 소스 물질을 구비하는 물질과 시스템의 젖은 컴포넌트 등을 구비하는 물질에 좌우된다. 상기 방법 및 장치는 패시베이션 공정에 대해 플라즈마 소스 물질과 접촉하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 컴포넌트 표면들을 드러내는 단계를 포함한다. 상기 패시베이션 물질은 용융된 플라즈마 소스 물질과 반응하는 컴포넌트 표면을 통해 물질들을 떨쳐내는 산세척 탱크를 포함한다. 상기 방법 및 장치는 젖은 표면 물질과 액체 플라즈마 소스 물질에 의해 금속간 화합물의 형성을 실질적으로 제한하기 위해 액체 플라즈마 소스 물질에 의해 젖은 표면에 대한 물질을 선택하는 단계를 포함하여, 이러한 오염물 및/또는 침전물 등에 의해 막히는 것이 실질적으로 크리닝 및 플러시와 같은 시스템 유지관리 사이의 사용중 수용가능한 기간동안 시스템의 좁은 부분을 막히게 하거나 봉쇄하지 못하도록 한다.
상기 방법 및 장치는, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택 된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관 탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 상기 공급 보관탱크로부터 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 단계는: 상기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크의 오염물질이 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에 닿는 것을 방지하기 위해 플라즈마 소스 물질 공급 시스템과 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크의 중간의 인라인 필터를 활용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법 및 장치는, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관 탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 상기 공급 보관탱크로부터 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 포함하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 단계는: 당업자에 의해 이해되는 바와 같이 포함된 물질에 기초하여, 불용성 합성물을 미립자로서 만들어내기에 충분한 용해도차이를 야기하기에 충분한 적어도 하나의 선택된 부분 내에서의 열적 그래디언트를 방지하기 위해 물질의 핸들링 시스템의 적어도 하나의 선택된 부분에서의 온도를 관리하는 단계를 포함한다.
상기 방법 및 장치는 적어도 하나의 선택된 부분의 적어도 하나의 협대화된 통로부분이 막히는 것을 방지하기에 충분한 상승된 온도에서 이송 메커니즘의 밸브의 물질의 핸들링 시스템의 다운스트림 중 적어도 하나의 선택된 부분을 유지관리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 적어도 하나의 선택된 부분은 캐필러리, 상기 캐필러리의 방출 끝단의 노즐, 및 상기 노즐의 출력 오리피스 중에서 선택된다. 상기 방법 및 장치는, 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결되고 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가진 드롭플릿 생성기; 상기 드롭플릿 생성기가 온도를 유지하는 동안, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크를 가지고 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 공급 시스템 보관 탱크의 용융부분의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 내에서 고체 형태로 플라즈마 소스 물질을 저장하는 스토리지 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법 및 장치는, 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 고체 형태의 스토리지 부분을 용융된 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관 탱크와 분리시키는 예를 들면 와이어 메시와 같은, 투과성 분리기; 상기 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 일부를 용융함으로써 액체 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관탱크의 용융된 부분으로 주입시키기 위해 상기 투과성 분리기를 가열하는 가열 메커니즘;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 방 법 및 장치는, 고체 분사 플라즈마 소스 물질의 선택된 양을 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크로 전달하는 원격으로 동작되는 분사 메커니즘을 포함하는 고체 분사 형태로 된 플라즈마 소스 물질을 포함하고 있는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크에 호퍼를 포함한다. 상기 분사 형태는 펠릿 형태 또는 분말 형태, 또는 도어가 개방될 때, 예를 들면, 중력의 힘으로 호퍼로부터 흘러나오게 만들수 있는 기타의 고체 형태를 포함한다. 상기 장치 및 방법은, 상기 고체형태의 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 용융부와 분리시키는 것을 유지하는 유지 메커니즘; 및 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관탱크의 용융부에 액체 형태의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 선택된 세그먼트를 선택적으로 가열하는 세그먼트화된 가열 메커니즘을 포함한다.
당업자는 상술한 본 발명의 실시예들의 측면이 바람직한 실시예일 뿐, 어떠한 방식 또는 부분적으로도 본 발명의 기재사항을 한정하지 못하도록 의도되었다는 것을 이해할 것이다. 당업자가 이해하는 바와 같이, 많은 변형과 변경이 상술한 본 발명의 실시예의 측면들에 이루어질 수 있다. 첨부된 청구범위는 당업자에 명확하게 이해될 수 있는 상술한 본 발명의 실시예들의 측면들 뿐 만이나라 그의 동등물과 기타 변형과 변경도 커버하도록 하는 범위와 의미내에서 의도되었다. 상술된 본 발명의 실시예의 요구되는 측면들과 상기 기재된 변형과 변경에 추가하여, 다음이 구현될 수 있다.

Claims (25)

  1. EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 있어서,
    드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결된 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가지고, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태를 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기;
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 메커니즘은 상기 공급 보관 탱크와 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 상호 연결하는 도관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 이송 메커니즘은 상기 공급 보관 탱크를 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 분리시키는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 공급 보관 탱크는 주기적으로 고체 형태로된 물질의 부분을 액체 형태로된 물질로 형성하는 데에 사용되는 고체 형태의 플라즈마 소스 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 이송 메커니즘은 주로 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 표면에 열을 인가하도록 동작하는 히터 메커니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 이송 메커니즘은 상기 공급 보관 탱크와 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 사이에 열가동 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    대변위된 히터 메커니즘 근방의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질에 열을 인가하기 위해 동작하는, 공급 보관 탱크의 용융 물질 수집 영역 위에 배치되는 대변위된 히터 메커니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  8. EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 있어서,
    드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결된 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가지고, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태를 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기;
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘으로서, 상기 이송 메커니즘의 방출 끝단이 이러한 이송 동안 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에서의 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 상부 표면 아래에 배치되는 이송 메커니즘을 포함하는 것 을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  9. EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 있어서,
    드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결된 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가지고, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태롤 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기;
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되고 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크 위에 배치되는 공급 보관탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 소스물질 보관 탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지와, 상기 공급 보관 탱크에서의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 기초하여, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 보관 탱크에서의 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질의 레벨을 관리하는 액체 플라즈마 소스 물질 핸들링 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공급 보관 탱크의 액체 플라즈마 소스 물질의 레벨의 감지에 응답하여, 이송하기 전에 상기 공급 보관 탱크의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 하나의 표면을 가열하는 가열 메커니즘을 제어하는 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  12. 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체상태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 구비하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법에 있어서,
    시스템의 최초 플러시의 공급에 의해 액체 금속 및 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템 컴포넌트의 화학반응으로 인한 초기 오염에 기인한, 안정된 긴 시간동안의 성능을 달성하기 위한 초기의 클리닝과 컨디셔닝 공정을 이용하는 단계를 포함 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 플러시는 막히는 것을 방지하기 위해 충분한 양으로 선택된 온도에서 수행되고 주입되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스 물질과 접촉하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템의 컴포넌트 표면을 패시베이션 공정에 드러내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 패시베이션 물질은 용융된 플라즈마 소스 물질과 반응하는 컴포넌트 표면을 통해 물질들을 떨쳐내는 산세척 탱크를 구비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    젖은 표면 물질과 액체 플라즈마 소스 물질에 의한 금속간 화합물의 형성을 실질적으로 제한하기 위해 액체 플라즈마 소스 물질에 의해 젖은 표면을 위한 물질을 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  17. 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체상태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 구비하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법에 있어서,
    플라즈마 소스 물질 보관 탱크에서의 오염물질들이 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크에 닿는 것을 방지하기 위해 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템과 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크 중간에 인라인 필터를 활용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  18. 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크를 가지는 드롭플릿 생성기; 플라즈마 소스 물질을 액체상태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 형성 캐필러리; 공급 보관탱크를 가진 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및 상기 공급 보관 탱크로부터 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로 액체 플라즈마 소스 물질을 이송하는 이송 메커니즘;을 구비하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법에 있어서,
    불용성 화합물을 미립자로 만들기에 충분한 용해도 차이를 야기하기에 충분한 적어도 하나의 선택된 부분 내에서의 열적 그래디언트를 방지하기 위해 물질의 핸들링 시스템의 적어도 하나의 선택된 부분에서 온도를 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    적어도 하나의 선택된 부분의 적어도 하나의 협대화된 통로 부분이 막히는 것을 방지하기에 충분한 상승된 온도로 상기 이송 메커니즘에서의 밸브의 상기 물질 핸들링 시스템의 다운스트림의 적어도 하나의 선택된 부분을 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 선택된 부분은, 상기 캐필러리, 상기 캐필러리의 방출 끝단의 노즐, 상기 노즐의 출력 오리피스 중에서 선택되는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 EUV 광원 소스 플라즈마 소스 물질을 공급하는 방법.
  21. EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템에 있어서,
    드롭플릿 형성 캐필러리와 유체흐름이 연결된 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관탱크를 가지고, 플라즈마 소스 물질을 액체 형태로 유지하기에 충분한 선택된 온도 범위내에서 관리되는 드롭플릿 생성기;
    상기 드롭플릿 생성기가 온도가 유지되는 동안, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크와 유체흐름이 연결되는 공급 보관탱크를 가지고, 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 보관 탱크로의 이송을 위해 액체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 보충하는 양을 유지하는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템; 및
    상기 공급 시스템 보관 탱크의 용융부에서의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 상기 드롭플릿 생성기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 내에 고체 형태로 플라즈마 소스 물질을 저장하는 스토리지 메커니즘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  22. 제 21 항에 있어서,
    플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 고체 형태의 스토리지부를 용융된 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관 탱크로부터 분리하는 투과성 분리기; 및
    상기 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 적어도 일부를 용융함으로써 액체 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 용융부로 주입하기 위해 상기 투과성 분리기를 가열하는 가열 메커니즘;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    선택된 양의 고체 분사가능한 플라즈마 소스 물질을 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템 보관 탱크의 용융된 플라즈마 물질부로 전달하는 원격으로 동작하는 분사 메커니즘을 구비하는 고체 분사가능한 형태의 플라즈마 소스 물질을 포함하고 있는 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관탱크에서 호퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 분사가능한 형태는 펠릿 형태 또는 분말 형태인 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관 탱크의 용융부로부터 고체 형태의 플라즈마 소스 물질을 분리시켜 유지하는 유지 메커니즘; 및
    상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관탱크의 용융부에서의 액체 형태의 플라즈마 소스 물질을 보충하기 위해 상기 플라즈마 소스 물질 공급 시스템의 보관 탱크에서의 고체 형태의 플라즈마 소스 물질의 선택된 세그먼트를 선택적으로 가열하는 세그먼트화된 가열 메커니즘;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 광원 플라즈마 소스 물질 핸들링 시스템.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013066576A3 (en) * 2011-10-11 2013-07-18 Kla-Tencor Corporation Plasma cell for laser sustained plasma light source
WO2013141578A1 (ko) * 2012-03-20 2013-09-26 주식회사 에프에스티 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
KR101416267B1 (ko) * 2012-03-20 2014-07-08 주식회사 에프에스티 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀
KR20150132084A (ko) * 2013-03-14 2015-11-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 재료의 공급 및 회수를 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193014A (ja) * 2007-02-08 2008-08-21 Komatsu Ltd Ｌｐｐ型ｅｕｖ光源装置用ターゲット物質供給装置及びシステム
JP5149520B2 (ja) * 2007-03-08 2013-02-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
EP2298041B1 (en) * 2008-07-07 2015-09-09 Philips Deutschland GmbH Extreme uv radiation generating device comprising a corrosion-resistant material
DE102009020776B4 (de) * 2009-05-08 2011-07-28 XTREME technologies GmbH, 37077 Anordnung zur kontinuierlichen Erzeugung von flüssigem Zinn als Emittermaterial in EUV-Strahlungsquellen
US9307625B2 (en) 2011-04-05 2016-04-05 Eth Zurich Droplet dispensing device and light source comprising such a droplet dispensing device
KR101938707B1 (ko) 2011-09-02 2019-01-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조용 리소그래피 장치에 대한 방법 및 방사선 소스
WO2016001973A1 (ja) 2014-06-30 2016-01-07 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器
CN104934278B (zh) * 2015-04-29 2017-06-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Euv光源放电电极的液态金属高效冷却方法与装置
US10990015B2 (en) 2016-07-25 2021-04-27 Asml Netherlands B.V. Debris mitigation system, radiation source and lithographic apparatus
WO2019092831A1 (ja) 2017-11-09 2019-05-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
KR20230155474A (ko) * 2021-03-09 2023-11-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 재료 이송 시스템 구성 요소 및 그의 제조 방법
US20240196504A1 (en) * 2021-03-25 2024-06-13 Asml Netherlands B.V. Connection assembly
US11882642B2 (en) 2021-12-29 2024-01-23 Innovicum Technology Ab Particle based X-ray source
WO2023128856A1 (en) * 2021-12-29 2023-07-06 Innovicum Technology Ab Particle based x-ray source

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3586244T2 (de) * 1984-12-26 2000-04-20 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Erzeugung von Weich-Röntgenstrahlen durch ein Hochenergiebündel.
FR2799667B1 (fr) * 1999-10-18 2002-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
TWI246872B (en) * 1999-12-17 2006-01-01 Asml Netherlands Bv Radiation source for use in lithographic projection apparatus
US6304630B1 (en) * 1999-12-24 2001-10-16 U.S. Philips Corporation Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit
SG153664A1 (en) * 2002-09-19 2009-07-29 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
DE10260376A1 (de) * 2002-12-13 2004-07-15 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Tröpfchen-Targets

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013066576A3 (en) * 2011-10-11 2013-07-18 Kla-Tencor Corporation Plasma cell for laser sustained plasma light source
US9318311B2 (en) 2011-10-11 2016-04-19 Kla-Tencor Corporation Plasma cell for laser-sustained plasma light source
WO2013141578A1 (ko) * 2012-03-20 2013-09-26 주식회사 에프에스티 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
KR101416267B1 (ko) * 2012-03-20 2014-07-08 주식회사 에프에스티 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀
KR20150132084A (ko) * 2013-03-14 2015-11-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 재료의 공급 및 회수를 위한 방법 및 장치

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