KR101416267B1 - 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀 - Google Patents

극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀 Download PDF

Info

Publication number
KR101416267B1
KR101416267B1 KR1020120028462A KR20120028462A KR101416267B1 KR 101416267 B1 KR101416267 B1 KR 101416267B1 KR 1020120028462 A KR1020120028462 A KR 1020120028462A KR 20120028462 A KR20120028462 A KR 20120028462A KR 101416267 B1 KR101416267 B1 KR 101416267B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
gas
induction furnace
light
gas cell
Prior art date
Application number
KR1020120028462A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130106710A (ko
Inventor
유부엽
김기영
김평래
장명식
임재원
Original Assignee
주식회사 에프에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에프에스티 filed Critical 주식회사 에프에스티
Priority to KR1020120028462A priority Critical patent/KR101416267B1/ko
Priority to PCT/KR2013/002249 priority patent/WO2013141578A1/ko
Priority to US14/386,003 priority patent/US20150097107A1/en
Publication of KR20130106710A publication Critical patent/KR20130106710A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101416267B1 publication Critical patent/KR101416267B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀에 관한 것으로, 소정의 길이를 갖는 길이 형상의 몸체, 상기 몸체의 길이방향을 따라 양측에 각각 형성되는 광 유도로, 상기 광 유도로 사이를 위치하는 플라즈마 유도로, 상기 플라즈마 유도로와 연통하도록 구비되며, 외부에서 공급되는 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 주입로 및 상기 광 유도로와 연통되며, 상기 플라즈마 유도로에 존재하는 가스를 외부로 배기시키는 가스 배기로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 플라즈마 반응 유도를 통해 극자외선 광 제너레이션을 위한 최적의 설계값을 갖는 가스셀을 제공한다.

Description

극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀{Induced plasma for EUV light generated gas cell}
본 발명은 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 효율이 높은 극자외선(EUV ; Extreme Ultraviolet)광을 발생시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀에 관한 것이다.
반도체 집적 회로의 집적도가 증가함에 따라, 회로 패턴이 미세화되어 종래 사용되어 오던 가시광선이나 자외선을 사용한 노광 장치에서는 그 해상도가 부족해지고 있다. 반도체 제조공정에서 노광 장치의 해상도는 전사 광학계의 개구수(NA)에 비례하고, 노광에 사용하는 광의 파장에 반비례한다. 그 때문에 해상도를 높이는 한 시도로서, 가시광선이나 자외선광 대신 파장이 짧은 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원을 노광 전사에 사용하는 시도가 이루어지고 있다. 이러한 노광 전사 장치에 사용되는 EUV 광 발생 장치로서 적용 되고 있는 것이 레이저 플라즈마 EUV 광원과 방전 플라즈마 EUV 광원이 있다.
EUV 노광 장치에서 사용되는 파장은 20nm 이하이고, 대표적으로 13.5nm를 적용하고 있는 광원으로서, 레이저 플라즈마 광원의 반응 물질로서 Ne 가스 이용한 Ne 플라즈마를 이용하는 것이 널리 연구 개발되고 있으며, 그 이유는 비교적 높은 변환 효율(입력 에너지에 대하여 얻어지는 EUV 광 강도의 비율)을 가지는 것이다. Ne은 상온에서 기체인 재료이기 때문에 비산 입자(debris)의 문제가 발생하는 어려운 점에 있다. 그러나 고출력의 EUV 광원을 얻기 위해서는 타겟으로서 Ne 가스를 사용하는 것은 한계가 있고, 다른 물질을 이용하는 것도 요망되고 있다.
광 파장이 200㎚ ~ 10㎚에 이르는 진공 자외선 영역에서 장파장 측의 반에 해당하는 200㎚ ~ 100㎚ 영역을 VUV 광, 단파장 측의 반에 해당하는 100㎚ ~ 10㎚ 영역을 EUV 광이라고 일반적으로 구분한다. 플라즈마로부터 발생하는 중심파장이 100nm 이하 정도인 EUV 광은 그 자체가 대기 또는 집광거울(일반적인 반사 코팅을 적용한) 등 광학계에서는 반사되지 못하고 흡수되기 때문에 EUV 광 변환 효율을 높이기에는 아직까지 산업계에서 어려움이 따른다.
EUV영역에서의 가 EUV 레이저인데, 이러한 단파장 영역에서는 레이저 발진법이나 측정법, 사용 광학 재료 등에 많은 미해결 문제가 따르며, 응용 분야의 개발도 앞으로의 과제이다. 이에 EUV 광이 대기 중이나 광학계 등에서 소멸되는 문제점을 해결하기 위해서는 일정 압력 이하의 진공환경(< 10-3 torr)이 필요하며 특수 물질로 코팅된 집광 미러 및 렌즈 등을 이용해야 한다.
따라서, 이러한 조건을 적용하여 보다 효율적으로 레이저 플라즈마를 이용한 EUV 광 발생장치의 개발이 필요한 실정이다.
이를 위해 본 출원인은 대한민국 특허출원 제 10-2011-0017579호, 발명의 명칭 : 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치를 출원한 바 있다. 상기 특허출원의 구성을 살펴보면, 광원, 진공챔버, 다수의 광학계, 플라즈마 반응을 유도하는 가스셀 등으로 구성되어 안정화된 극자외선 광을 발생시킨다. 여기서 상기 가스셀은 광원에서 출사되는 레이저 광을 입사받고, 외부에서 공급되는 반응가스와 반응하여 효율 높은 EUV 광을 생성하는 중요한 구성품에 해당한다.
따라서, 안정화된 극자외선 광 발생장치에서 핵심 구성품으로 사용되는 가스셀의 최적 설계를 통해 안정적이고 효율적인 EUV 광 생성이 요구되는 실정이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 반응 가스를 이용하여 플라즈마 유도를 통해 최적의 극자외선(EUV) 광을 생성할 수 있는 플라즈마 유도 반응 가스셀(gas cell)을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 소정의 길이를 갖는 길이 형상의 몸체, 상기 몸체의 길이방향을 따라 양측에 각각 형성되는 광 유도로, 상기 광 유도로 사이를 위치하는 플라즈마 유도로, 상기 플라즈마 유도로와 연통하도록 구비되며, 외부에서 공급되는 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 주입로 및 상기 광 유도로와 연통되며, 상기 플라즈마 유도로에 존재하는 가스를 외부로 배기시키는 가스 배기로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몸체는, 각각의 상기 광 유도로 개방측을 커버링 하며, 광이 통과할 수 있는 홀이 형성된 측면 캡을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 측면 캡은, metal, SUS, aluminum, copper 중 어느 하나의 금속재이거나 quartz, fused silica 중 어느 하나의 Glass 재질로 구성된다.
또한, 상기 몸체는, 단면적이 20 × 20mm 이하의 크기를 갖도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플라즈마 유도로는, 폭이 0.9 ~ 1.1mm 크기를 갖도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광 유도로의 폭(B)은 플라즈마 유도로의 폭(A)보다 큰 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 홀(E)은, 상기 광 유도의 폭(B) 보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스 배기로는, 적어도 2개 이상 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몸체는, quartz, fused silica 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명은 플라즈마 유도를 통해 극자외선(EUV) 광을 생성하기 위해 소스 광과 반응 가스를 통한 플라즈마 유도에 최적으로 설계된 가스셀을 제공하는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀의 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 투과 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 절개 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 광 투과를 도시한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예로 플라즈마 유도 가스셀을 도시한 단면도,
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀이 브라켓을 통해 고정된 상태를 나타낸 상면도,
도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀 고정 브라켓의 사시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀은, 소정의 길이를 갖는 길이 형상의 몸체(100), 상기 몸체의 길이방향을 따라 양측에 각각 형성되는 광 유도로(110), 상기 광 유도로 사이를 위치하는 플라즈마 유도로(120), 상기 플라즈마 유도로와 연통하도록 구비되며, 외부에서 공급되는 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 주입로(130) 및 상기 광 유도로와 연통되며, 상기 플라즈마 유도로에 존재하는 가스를 외부로 배기시키는 가스 배기로(140)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀은, 내부 중앙에 마련되는 플라즈마 유도로에 소스 광이 지나가고, 여기에 외부에서 주입되는 반응가스를 플라즈마 유도로에 공급하여 플라즈마 반응에 의한 극자외선 생성을 달성할 수 있는 극자외선 생성장치의 가스셀을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀의 사시도이다. 도시된 바와 같이 극자외선 광 생성을 위한 가스셀은 소정 크기 몸체를 갖는 구성품으로서, 극자외선 광 발생장치를 구성하는 챔버, 광원, 다수의 광학계 그리고 가스셀로 구성되는데, 상기 극자외선 광 발생장치에 구성되어 가스 반응을 통해 극자외선 광을 발생시키는 가스셀을 제공한다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 투과 사시도이다.
가스셀(Gas cell)은 길이형상을 갖는 소정크기의 몸체(100)를 가지며, 상기 몸체의 길이방향을 따라 광이 관통할 수 있는 광 유도로(110)가 몸체 중심을 기준으로 양측으로 각각 위치하고, 상기 광 유도로 사이에는 플라즈마 반응을 통해 극자외선을 생성하는 플라즈마 유도로(120)가 마련되어 있다. 즉, 몸체를 관통하도록 광 유도로, 플라즈마 유도로, 광유도로 순으로 광이 관통할 수 있는 홀이 형성되며, 상기 플라즈마 유도로에서 극자외선 광이 생성된다.
상기 몸체는 바람직하게 quartz 또는 fused silica로 제작하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정하는 것은 아니며, 유리재질이라는 모두 사용 가능하다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 절개 사시도이다. 도 3에서 보면, 플라즈마 유도로(120)는 외부로부터 공급되는 가스를 공급받기 위해 유도로와 연통하는 가스 주입로(130)가 형성되고, 양측에 구성되는 광 유도로(110) 각각에는 가스를 외부로 배기시키기 위한 가스 배기로(140)가 각각 형성된다. 즉, 가스셀을 지나가는 레이저 빔이 상기 플라즈마 유도로에서 공급된 가스와 반응하여 20nm급 이하의 극자외선 광이 생성된다.
상기 극자외선 광을 생성시키기 위해 외부에서 공급되는 소스 레이저 빔은 800nm급의 IR 레이저이며, 소스 레이저는 800nm 이상의 IR 레이저를 사용 하여도 되며, 이때, IR 레이저를 사용하되 Femto second의 pulse 폭의 레이저, 즉 IR 펨토 세컨드 레이저를 사용하여야 하며 펄스폭은 그 중에서도 50fs ~ 30fs 의 펨토 세컨드 레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가스 주입로로 주입되는 플라즈마 반응을 위한 반응가스는 상기 가스 배기로를 통해 외부 배기장치와 연결되어 배기되도록 구성된다. 따라서, 상기 가스 배기로는 가스 플라즈마 유도로와 최대한 가깝게 설계되어 반응 후의 가스를 신속하게 배출할 수 있도록 구성한다.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 단면도이다. 본 발명에 따른 가스셀 구조를 좀 더 상세하게 설명하면, 우선 몸체의 단면적은 20 × 20mm2를 넘지 않도록 한다. 이는 극자외선 광 발생장치에서 광경로의 반사각에 대해 간섭되지 않도록 제작하기 하기 위해 사이즈를 단면적 크기를 결정하는 것이다.
또한, 플라즈마 유도로(120)는 광 유도로 보다 그 폭(B)이 작게 형성된다. 플라즈마 유도로에는 주입된 가스와 레이저 빔이 서로 반응하기 때문에 원활한 반응 조건을 위해서 가스 밀도를 높여주기 위하여 바람직하게 1mm 이하로 구비된다.
또한, 상기 플라즈마 유도로의 길이는 가스 주입로(C)의 폭보다 작게 구성하는 것이 바람직하며, 플라즈마 유도로의 폭(A)은 가스 주입로의 폭(C)보다 작게 형성되어야 한다.
한편, 몸체 측면으로 개방된 광 유도로를 커버하기 위하여 가스셀은 측면캡(150)을 더 포함한다. 상기 측면캡은 광 유도로를 전반적으로 커버링하기 위한 것이며, 중앙으로는 입사광이 관통할 수 있는 홀(160)이 구비되고, 상기 홀(160)은 광 유도로의 폭보다 작게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 측면캡은 별도로 제작되어 가스셀 측면에 접착 고정되는 것으로, 측면캡을 통해 광 유도로 내의 압력을 낮춰줌으로써, 보다 원활한 배기가 이루어지기 위함이다.
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀의 광 투과를 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이 가스셀(Gas cell)은 일측 광 유도로를 통해 외부에서 레이저 광(b)이 입사하면 플라즈마 유도로에서 입사된 광이 포커싱(focusing)되고, 플라즈마 유도로에 공급되는 반응가스와 반응하여 플라즈마 반응을 통해 극자외선 광이 생성되어 출사된다.
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예로 플라즈마 유도 가스셀을 도시한 단면도이다. 가스 주입로(130)를 통해 주입되는 반응 가스를 가스 배기로를 통해 배기시킬 때 보다 효율적인 배기를 위하여 앞서 언급한 하부쪽으로만 구성되는 한쪽형 배기 구조에서 양쪽형 배기 구조를 설계함으로써 보다 배기 효율을 향상시킬 수 있는 것이다. 여기서 상기 배기로는 한쪽형이던 양쪽형이던지, 가스 주입로에서 주입되어 플라즈마 유도로에 잔존하는 가스를 신속하게 배기시킬 수 있도록 가스 배기로는 플라즈마 유도로와 최대한 가깝게 형성되는 것이 좋다.
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀이 브라켓을 통해 고정된 상태를 나타낸 상면도, 도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 유도 가스셀 고정 브라켓의 사시도이다. 본 발명에 따른 가스셀은 극자외선 광 발생장치를 구성하는 진공챔버 내에 설치되며, 가스셀을 진공챔버 내에 설치하기 위해서는 별도의 고정 브라켓(200)을 통해 설치하는데, 상기 고정 브라켓은 가스셀을 진공챔버 내에 고정시킴과 동시에 플라즈마 유도로를 관리자가 관찰할 수 있도록 플라즈마 유도로와 대응하는 위치에 관찰창(210)이 마련되어 있다. 이와 더불어 도면에 표시하지는 않았지만, 진공챔버 상에도 상기 고정 브라켓과 대응하는 위치에 뷰어창이 마련되어 있어, 플라즈마 유도로 내 레이저 빔 정렬 시 포커싱되는 광과 플라즈마 발생 형태를 관찰할 수 있다.
상기 고정 브라켓은 다양한 형태로 설계될 수 있는데, 우선 광 유도로 내에 광이 입사할 수 있는 개방부가 마련되어야 하며, 플라즈마 유도로와 대응하는 위치에 개방되어 외부와 개방된 뷰어창을 마련하는 구조이면 어떠한 형태로도 가능하며, 일실시예로 고정 브라켓(200)은 상/하 브라켓으로 구성되고 그 내측에 가스셀을 고정시킬 수 있는 공간부가 마련되어 가스셀을 고정시키는 구조로 제안할 수 있는 것이다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 플라즈마 반응을 통한 극자외선 생성을 위한 발생장치에서 반응가스와 입사광 사이의 플라즈마 반응의 최적으로 유도하여 극자외선 광을 발생시킬 수 있는 가스셀을 제공하며, 비교적 구조가 간단하여 제조가 용이한 장점이 있다. 이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시 예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물 들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
100 : 몸체
110 : 광 유도로
120 : 플라즈마 유도로
130 : 가스 주입로
140 : 가스 배기로
150 : 측면 캡
160 : 홀
200 : 고정 브라켓
210 : 뷰어창
b : 레이저 빔

Claims (9)

  1. 소정의 길이를 갖는 길이 형상의 몸체;
    상기 몸체의 길이방향을 따라 양측에 각각 형성되는 광 유도로;
    상기 광 유도로 사이를 위치하는 플라즈마 유도로;
    상기 플라즈마 유도로와 연통하도록 구비되며, 외부에서 공급되는 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 주입로; 및
    상기 광 유도로와 연통되며, 상기 플라즈마 유도로에 존재하는 가스를 외부로 배기시키는 가스 배기로;를 포함하고,
    상기 몸체는 각각의 상기 광 유도로 개방측을 커버링하며, 광이 통과할 수 있는 홀이 형성된 측면 캡;을 더 포함하며,
    상기 측면 캡은 metal, SUS, aluminum, copper 중 어느 하나의 금속재이거나 quartz, fused silica 중 어느 하나의 Glass 재질로 구성되고,
    상기 광 유도로의 폭은 플라즈마 유도로의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 유도로는,
    폭이 0.9 ~ 1.1mm 크기를 갖도록 구성되는 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서, 상기 홀은,
    상기 광 유도로 보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 가스 배기로는,
    적어도 3개 이상 구성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 몸체는,
    quartz, fused silica 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀.
KR1020120028462A 2012-03-20 2012-03-20 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀 KR101416267B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028462A KR101416267B1 (ko) 2012-03-20 2012-03-20 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀
PCT/KR2013/002249 WO2013141578A1 (ko) 2012-03-20 2013-03-19 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
US14/386,003 US20150097107A1 (en) 2012-03-20 2013-03-19 Apparatus for generating extreme ultraviolet light using plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028462A KR101416267B1 (ko) 2012-03-20 2012-03-20 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130106710A KR20130106710A (ko) 2013-09-30
KR101416267B1 true KR101416267B1 (ko) 2014-07-08

Family

ID=49454500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120028462A KR101416267B1 (ko) 2012-03-20 2012-03-20 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101416267B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102529565B1 (ko) 2018-02-01 2023-05-04 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0843293A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Ando Electric Co Ltd ガスセル
WO2003078977A1 (en) 2002-03-19 2003-09-25 Dicos Technologies Inc. Metallic gas cells and method for manufacturing the same
KR20070110891A (ko) * 2005-02-25 2007-11-20 사이머 인코포레이티드 Ｅｕｖ 광원의 타겟 물질 핸들링을 위한 방법 및 장치
KR20120081843A (ko) * 2011-01-12 2012-07-20 (주)오로스 테크놀로지 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0843293A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Ando Electric Co Ltd ガスセル
WO2003078977A1 (en) 2002-03-19 2003-09-25 Dicos Technologies Inc. Metallic gas cells and method for manufacturing the same
KR20070110891A (ko) * 2005-02-25 2007-11-20 사이머 인코포레이티드 Ｅｕｖ 광원의 타겟 물질 핸들링을 위한 방법 및 장치
KR20120081843A (ko) * 2011-01-12 2012-07-20 (주)오로스 테크놀로지 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130106710A (ko) 2013-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105700300B (zh) 光谱纯度滤光片
US9523921B2 (en) EUV radiation system and lithographic apparatus
KR100718742B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
CN105814662B (zh) 辐射源、量测设备、光刻系统和器件制造方法
KR101172622B1 (ko) 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치
JP7192056B2 (ja) 光学装置
JP2009164331A (ja) 原子発振器および発振デバイス
KR20060113374A (ko) 극단 자외광 노광 장치 및 극단 자외광 광원 장치
CN108604058A (zh) 隔膜组件
KR20010043928A (ko) 균일한 가스 분포와 광화학을 위한 가스 분기관
JP6869242B2 (ja) リソグラフィ装置のためのｅｕｖソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置
KR101207983B1 (ko) 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
KR101269115B1 (ko) 구조가 간소화된 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
KR101416267B1 (ko) 극자외선 광 생성을 위한 플라즈마 유도 가스셀
CN105830198A (zh) 辐射源、量测设备、光刻系统和器件制造方法
TWI755822B (zh) 用於光源的端琢面保護以及用於度量衡應用的方法
WO2013141578A1 (ko) 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치
KR102244638B1 (ko) 오염방지 성능이 향상된 고차조화파를 이용한 극자외선 발생장치
KR20130106709A (ko) 빔 정렬을 구현하는 극자외선 발생장치
KR102304261B1 (ko) 장치, 디바이스 및 디바이스 제조 방법
KR101359754B1 (ko) 광 정밀 조절이 가능한 ｅｕｖ 광 발생장치
KR101324545B1 (ko) 레이저 빔 보정을 통한 안정화와 에너지 효율 향상을 위한 극자외선 발생장치
KR102719351B1 (ko) 광원에 대한 단부 패싯 보호 및 계측 응용들에서 사용하기 위한 방법
WO2013141580A1 (ko) 레이저 빔 보정을 통한 안정화와 에너지 효율 향상을 위한 극자외선 발생장치
KR20230123576A (ko) 고차조화파를 이용한 극자외선 발생장치의 써멀 데미지 저감장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180612

Year of fee payment: 5