KR20070110526A - 이리듐 착물을 포함하는 전기발광 소자 - Google Patents
이리듐 착물을 포함하는 전기발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070110526A KR20070110526A KR1020077021915A KR20077021915A KR20070110526A KR 20070110526 A KR20070110526 A KR 20070110526A KR 1020077021915 A KR1020077021915 A KR 1020077021915A KR 20077021915 A KR20077021915 A KR 20077021915A KR 20070110526 A KR20070110526 A KR 20070110526A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- isomer
- ligand
- iridium
- dionate
- isomers
- Prior art date
Links
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 71
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 82
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- -1 iridium ion Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- UNRQTHVKJQUDDF-UHFFFAOYSA-N acetylpyruvic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(O)=O UNRQTHVKJQUDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- ABZNEZPVMYMNQJ-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydrobenzo[h]quinoline Chemical compound C1=CC=C2CCC3=CC=CN=C3C2=C1 ABZNEZPVMYMNQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 claims description 6
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 claims description 5
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RNVFZNCVFCGZBK-UHFFFAOYSA-N 2-(4,4,4-trifluorobutyl)thiophene Chemical compound FC(F)(F)CCCC1=CC=CS1 RNVFZNCVFCGZBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims 1
- JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCP(O)(O)=O JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 12
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000006552 (C3-C8) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])[O-] QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 3
- 125000006728 (C1-C6) alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006400 μ-Cl Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFHMPRXAJGVVCQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC2=CC(CCCC(F)(F)F)=CC=C21 Chemical compound C1=CC=CC2=CC(CCCC(F)(F)F)=CC=C21 IFHMPRXAJGVVCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical class ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 238000002424 x-ray crystallography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0033—Iridium compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/18—Metal complexes
- C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
중심의 이리듐 이온 Ir(Ⅲ), 디오네이트로서 펜탄-2,4-디오네이트 (acac), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd), 7,7-디메틸-1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-4,6-옥탄디오네이트 (fod), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)부탄-1,3-디오네이트 (ttfa), 1,3-디페닐프로판-1,3-디오네이트 (dbm), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-나프틸)부탄-1,3-디오네이트 (tfnb) 또는 4,4,4-트리플루오로-1-(1-나프틸)부탄-1,3-디오네이트를 포함하는 군으로부터의 리간드 L3, 및 각각 리간드 결합에 참여하는 하나의 질소 및 탄소 원자를 갖는 경직 방향족 리간드 L1 및 L2, 바람직하게는 디벤조[f,h]퀴놀린, 벤조[h]퀴놀린 또는 5,6-디히드로-벤조[h]퀴놀린을 가지며, 리간드 결합에 참여하는 리간드 L1의 질소 원자와 리간드 결합에 참여하는 리간드 L2의 질소 원자가 중심의 이리듐 이온에 대하여 병렬되어 있는 제1 이성질체 (71)인 것을 특징으로 하는, Ir(Ⅲ)L1L2L3로 표시되는 이리듐 착물이 제공된다. 본 발명은 또한 이리듐 착물 (7, 8)의 제1 이성질체 (71, 81)를 분리하는 방법, 및 발광물질 (발광물질의 총량 중 제1 이성질체 (71, 81) 성분이 90%를 초과, 바람직하게는 95 %를 초과함)을 포함하는 전기발광층(4)을 갖는 전기발광 소자에 관한 것이다.
전기발광 소자, 유기 전기발광층, 이리듐 착물
Description
본 발명은 유기 발광층을 포함하는 전기발광 소자, 발광 이리듐 착물 및 이리듐 착물로부터 이성질체를 분리하는 방법에 관한 것이다.
발광을 위한 유기 전기발광층 (EL-층)을 포함하는 다수의 박층으로 이루어지는 층 구조를 갖는 전기발광 소자 (OLED)가 공지되어 있다. 통상적인 구조는 ITO (인듐 주석 산화물)로 제조된 적어도 하나의 투명 전극, 금속으로 제조된 전극 및 전극 간에 배열된, 유기 물질의 전기발광층을 포함한다. 통상적으로, 투명 전극은 양극을, 금속 전극은 음극을 나타낸다. 층 구조체는 광 조사의 방향에 따라 투명 또는 불투명할 수 있는 기판상에 적층된다. 투명 기판에서, 빛은 기판을 통해 관찰자에 도달한다. 이 경우에, 투명 전극이 기판에 도포된다. 전기발광층에 사용되는 유기 물질은, 예를 들어, 발광 중합체 (PLED), 또는 유기 정공(hole) 또는 전자-수송 매트릭스 물질에 매립되어 있는 발광 유기 소분자이다. 전기발광층에 발광 소분자를 포함하는 OLED는 또한 SMOLED (소분자 유기 발광 다이오드)이라 명명된다. 전기발광층은 서로 접촉하고 재결합되는 정공과 전자를 갖는다. 발광 물질은 직접 또는 매트릭스 물질에 대한 발광 물질의 물질-의존적 전기적 커플링을 통 한 에너지 전달에 의해 여기된다. 여기된 발광 물질은 빛을 방출시킴으로써 기저 상태로 돌아간다.
중심의 이리듐 이온과 3개의 리간드 L, M 및 N으로 이루어지는 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)LMN은, 삼중항 엑시톤 (triplet exitons)의 사용으로 인해, SMOLED에 효과적인 발광 물질로 알려져 있다. 청록색 내지 적색 범위의 방출 색상은 이리듐 착물 중 리간드에서의 변화에 의해 생성될 수 있다. 매트릭스 물질에서 이리듐 착물의 농도는 통상적으로 5 중량% 내지 11 중량% 이다. 본 명세서에서 중량% 단위는 중량을 기준으로 한 퍼센트를 나타낸다. 보다 높은 농도의 이리듐 착물이 바람직하나, 이는 인접한 이리듐 착물의 이량체 형성 및 이와 관련된 농도 켄칭에 기인하는 양자 수율의 감소로 인하여 제한된다. 탄소 원자 외에 제2의 원자, 예컨대 질소가 또한 이리듐 원자에의 리간드 결합에 관여하는 경우, 3개의 동일한 리간드 L에서, 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L3는 면(fac) 이성질체 및 자오선(mer) 이성질체라 불리는 2종의 이성질체를 가질 수 있다. 예를 들어, 질소 원자는 면 이성질체에서 중심의 이리듐 이온에 대하여 3개의 공간 방향으로 배열하고, 자오선 이성질체에서는 이리듐 이온이 있는 평면에 배열된다. Ir(Ⅲ)(페닐 피리딘)3의 경우, 면 이성질체는 자오선 이성질체보다 현저히 높은 양자 수율을 갖는다.
아직 공개되지 않은 PCT 등록 출원 번호 PCT/IB2004/052328호인 문헌 D1에 디벤조[f,h]퀴놀린의 2 또는 3개의 경직(rigid) 리간드 L을 포함하는 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L2M 및 Ir(Ⅲ)L3가 기재되어 있다. 경직 리간드는 매트릭스 물질에의 전기적 결합의 측면에서 유리하고, 예를 들어 페닐 피리딘과 같이 덜 경직인 리간드보다 예리한 방출 스펙트럼를 나타낸다. 3개의 디벤조퀴놀린 리간드의 이리듐 착물은, 예를 들어 육안의 최대 감도인 555 nm에 가까운 545 nm의 방출을 갖는 Ir(디벤조퀴놀린)2(펜탄-2,4-디오네이트)와 같은 단지 2개의 디벤조퀴놀린 리간드를 포함하는 바람직한 이리듐 착물에서 보다 장파장인 595 nm에서 방출을 나타낸다. 그러나, 3개의 동일한 리간드를 갖는 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L3와 달리, 2개의 동일한 리간드를 갖는 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L2M은 양자 수율의 측면에서 어떠한 유리한 fac/mer 이성질체 특성도 갖지 않는다. 현재 전기발광 화합물의 점점 떨어지는 양자 수율로 인해, 개선된 광 수율을 갖는 신규한 전기발광 화합물에 대한 요구가 끊임없이 있어왔다.
본 발명의 목적은 개선된 방출 특성 및 개선된 루멘 출력을 갖는 사용가능한 이리듐 착물을 제조하는 것이다.
상기 목적은 중심의 이리듐 이온 Ir(Ⅲ), 디오네이트로서 펜탄-2,4-디오네이트 (acac), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd), 7,7-디메틸-1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-4,6-옥탄디오네이트 (fod), 4,4,4-트리플루오-1-(2-티에닐)부탄-1,3-디오네이트 (ttfa), 1,3-디페닐프로판-1,3-디오네이트 (dbm), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-나프틸)부탄-1,3-디오네이트 (tfnb) 또는 4,4,4-트리플루오로-1-(1-나프틸)부탄-1,3-디오네이트를 포함하는 군으로부터의 리간드 L3, 및 각 리간드 결합에 참여하는 하나의 질소 및 탄소 원자를 갖는 2개의 경직 방향족 리간드 L1 및 L2를 갖는 발광용 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L1L2L3에 의해 달성되고, 상기 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L1L2L3는 리간드 결합에 참여하는 리간드 L1의 질소 원자와 리간드 결합에 참여하는 리간드 L2의 질소 원자가 중심의 이리듐 이온에 대하여 병렬되어 있는, 제1 이성질체 (71, 81)로서 존재하는 것을 특징으로 한다. 놀랍게도, 본 발명에 따른 2개의 리간드 L1 및 L2를 갖는 이리듐 착물 Ir(Ⅲ)L1L2L3의 합성 과정에서, 본 발명에 따른 제1 이성질체 및 제2 이성질체 (여기서, 리간드 결합에 참여하는 질소 원자와 중심의 이리듐 이온이 서로 굽은 각도로 배열됨)인 2개의 이성질체가 항상 수득된다. 놀랍게도, 2개의 이성질체는 그들의 방출 특성에서 조차, 전기발광 소자에서 발광 물질로서 매우 상이하게 작용한다. 본 발명에 따른 제1 이성질체는 3배를 넘는 비율로 보다 높은 양자 수율에 의해 구별된다.
본 명세서에서, "경직(rigid)"이라는 표현은, 피리딜(pyridyle) 고리와 페닐 고리가 서로에 대하여 회전할 수 없는 리간드의 경우를 이른다. 이는 본 발명에 따른 리간드에서 피리딜 및 페닐 고리의 적절한 추가의 가교에 의하여 달성된다. 리간드가 디벤조[f,h]퀴놀린, 벤조[h]퀴놀린 또는 5,6-디히드로-벤조[h]퀴놀린으로 이루어진 군으로부터의 물질이면 유리하다. 이 물질들은 그들의 유리한 전자 구조, 예를 들어, 고 에너지로 높게 깔린 제1 삼중항 수준에 의해 구별된다. 본 발명에 따른 이리듐 착물이 동일한 리간드 L1 및 L2를 갖는 경우에 특히 유리하다. 이들 리간드가 디벤조[f,h]퀴놀린인 경우, 보다 더 유리하다. 이들 리간드는, 예를 들어, 벤조[h]퀴놀린 보다 큰 방향족 시스템을 갖고, 그로 인해 전하에 대해 현저히 우수한 이동성을 갖는다.
이리듐 착물이, 리간드 L3로서, 우수한 착물 특성을 갖는 펜탄-2,4-디오네이트(이하, "acac"라고도 함), 또는 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd)를 갖는 경우에 특히 유리하다.
또한, 본 발명은 청구항 1 에 청구된 바와 같은 이리듐 착물의 제1 이성질체(71, 81) 성분을 발광 물질의 총량에 대하여, 90 % 초과, 바람직하게는 95 %를 초과하는 양으로 함유하는, 발광 물질을 포함하는 유기 전기발광층을 갖는 전기발광 소자에 관한 것이다. 통상적인 합성 방법은 이리듐 착물의 총량을 기준으로 하여 17% 내지 20%의 제2 이성질체 성분비를 갖는, 제1 및 제2 이성질체의 혼합물로부터 이리듐 착물을 제공한다. 제2 이성질체의 성분이 10% 또는 5%로 감소하는 경우, 전기발광층의 양자 수율은 각각 6% 내지 9% 또는 10% 내지 13% 증가할 수 있다. 발광 물질의 100%가 본 발명에 따른 이리듐 착물의 제1 이성질체로 이루어지는 경우, 양자 수율이 15% 내지 17% 만큼 증가할 수 있다.
발광 물질이 정공 및 전자-전도 매트릭스 물질 내에 매립되고, 이리듐 착물의 제1 이성질체 (71, 81)이 매트릭스 물질에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 12 중량%의 중량 성분비를 갖는 경우, 발광 물질의 효율적인 여기에 특히 유리하다. 중량% 단위는 중량을 기준으로 한 퍼센트를 나타낸다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 제1 이성질체에 추가로 제2 이성질체(리간드 L1 및 L2의 질소 원자가 중심의 이리듐-이온과 함께 하나의 평면에 놓여 있음)를 함유하는 다량의 이리듐 착물로부터 청구항 1에 청구된 바와 같은 이리듐 착물의 제1 이성질체를 분리하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 제1 및 제2 이성질체로 된 다량의 이리듐 착물을 고정상, 바람직하게는 SiO2가 함유된 크로마토그래피컬럼 내에 충전하는 단계; 제1 및 제2 이성질체를 컬럼 길이가 적절한 크로마토그래피 컬럼에서, 용출 매질, 바람직하게는 4:1:0.2 비율의 디클로로메탄/헥산/에테르를 사용하여 분리하는 단계; 컬럼 크로마토그래피에서 분리 시간의 함수로서 용출 매질로부터 다양한 비율의 제1 및 제2 이성질체 용액을 회수하는 단계; 이성질체-특이적 Rf-값(여기서, 제1 이성질체는 제2 이성질체보다 Rf 값이 큼)을 기초로 하는 박층 크로마토그래피를 실시하여 제1 및 제2 이성질체간의 비율을 측정하는 단계; 및 이리듐 착물 총량 중 제2 이성질체 성분을 바람직하게는 1% 이하인 그의 임계치를 초과하여 함유하는, 여러 용기에서 회수한 물질에 대하여 단계 1부터 순서를 반복하는 단계를 포함한다. 이동상 구간에 대한 연구 물질 구간의 비율은 박층 크로마토그래피에서 Rf 값으로서 표시된다.
제1 이성질체를 분리하기 위한 방법은, 제1 이성질체 (71, 81)과 제2 이성질체 (72, 82)간의 관계를 측정하기 위한 박층 크로마토그래피에서 이동상인 에틸 아세테이트/헥산을 2:1의 비율로 사용하는 경우에 특히 유리하며, 이때 제1 이성질체 (71, 81)의 Rf 값은 0.81이고, 제2 이성질체 (72, 82)의 Rf 값은 0.72이다.
상기 설명을 포함하는 본 발명의 기타 측면은 이하 서술되는 실시태양과 관련한 비제한적 실시예로부터 명백하며, 명료해질 것이다.
도 1은 기판(1) 및 그 위에 적층된 적어도 하나의 양극(2), 전기발광층(4) 및 음극(6)을 갖는 전기발광 소자를 나타낸 것이다. 전기발광 소자의 효율을 개선시키기 위해, 도 1에 나타낸 바와 같이, 추가로 양극(2)와 전기발광층(4) 사이에 정공-수송층(3)을, 음극(6)과 전기발광층(4) 사이에 전자-수송층(5)를 가질 수 있다. 기판 (하부-이미터)를 관통하는 빛의 원하는 출구 방향 또는 기판의 반대쪽 면 (상부-이미터)에 따라, 층 구조는 또한 역순으로 배열될 수 있다.
하부-이미터의 경우에, 기판(1)은 바람직하게는 투명 유리판 또는 투명 플라스틱판이다. 플라스틱판은 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 함유할 수 있다. 양극(2)는 바람직하게는 투명하고, 예를 들어, p-도핑된 규소, 인듐-도핑된 주석 산화물 (ITO) 또는 안티몬 도핑된 주석 산화물 (ATO)을 함유할 수 있다. 양극은 바람직하게는 2종의 ITO를 함유한다. 양극(2)는 구조화되는 것이 아니라, 평면으로서 제조된다. 음극(6)은 알루미늄, 구리, 은 또는 금과 같은 금속, 합금 또는 n-도핑된 규소를 함유할 수 있다. 음극(6)은 또한 바람직하게는 2 이상의 전도성 층을 가질 수 있다. 음극(6)이 예를 들어 칼슘, 바륨 또는 LiF와 같은 비(卑)금속의 제1 층 및 알루미늄의 제2 층을 함유하는 것이 특히 바람직할 수 있다. 음극(6)은 구조화될 수 있고, 예를 들어, 전도성 물질(들)의 다수의 평행 스트립을 함유할 수 있다. 이와 달리, 음극(6)은 비구조화될 수 있고, 평면으로서 제조될 수 있다. 양극(2)는, 바람직한 실시태양에서, 예를 들어, 테트라플루오로-테트라시아노-퀴노디메탄 (F4-TCNQ)으로 1% 도핑된 4.4',4"-트리스-(N-(3-메틸-페닐)-N-페닐아미노)-트리페닐아민 (MTDATA)으로 이루어진 정공 주입층, 및 예를 들어, 트리아릴아민, 디아릴아민, 트리스틸벤아민 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜 (PDOT)과 폴리(스티렌 술포네이트)의 혼합물로 이루어진 정공 수송층을 포함하는 제1 정공-수송층(3)에 접해있다.
예를 들어, 트리-(8-히드록시-키놀레이토)-알루미늄 (Alq3), 1,3,5-트리-(l-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤졸 (TPBI), 또는 1,3,4-옥사디아졸 또는 1,2,4-트리아졸과 같은 저-전자 헤테로시클릭 화합물을 함유할 수 있는 정공-차단 및 전자-수송층(5)는 음극(6)과 전기발광층(4) 사이에 배치된다.
본 발명에 따른 전기발광층(4)는 발광 물질로서 이리듐 착물의 제1 이성질체(71, 81)을 포함한다. 이때, 이리듐 착물은 단독으로(발광층(4)의 총 중량에 대하여 100 중량%임) 또는 발광층(4)에서 정공- 또는 전자-수송 물질의 매트릭스내에 매립되어 사용될 수 있다. 바람직하게는, 이리듐 착물의 양은, 발광층(4)의 매트릭스 물질 및 발광 물질의 총 중량에 대하여, 1 중량% 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 2 중량% 내지 12 중량%이다. 매트릭스 물질의 선택은 이리듐 착물의 요구조건에 따라 달라진다. 예를 들어, 매트릭스는 4.4',4"-트리(N-카르바졸릴)트리페닐아민 (TCTA), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP), 1,3,5-트리-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤졸 (TPBI) 또는 N,N-디페닐-N,N-디-(3-메틸-페닐)-벤지딘 (TPD)을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 발광 이리듐 착물은 중심의 이리듐 이온과 3개의 리간드 L1, L2 및 L3간의 리간드 결합에 의해 구별된다. 리간드 및 L2은 각각 리간드 결합에 참여하는 질소 원자 및 탄소 원자를 함유한다. 본 발명에 따른 이리듐 착물은, 리간드 결합에 참여하는 질소 원자들이 중심의 이리듐 이온에 대하여 서로 병렬된다는 점에서 구별된다. 리간드 L1 및 L2는 리간드의 전기적 특성 및 더 나아가 이리듐 착물의 전자적 특성에 영향을 끼치는 다른 치환기 R을 추가로 가질 수 있다. L1 및 L2에 대한 특히 바람직한 예는 하나 이상의 치환기 R1, R2 및/또는 R3를 가질 수 있는, 디벤조[f,h]퀴놀린, 벤조[h]퀴놀린 및/또는 5,6-디히드로-벤조[h]퀴놀린이다.
치환기 R1, R2, R3 등은, 예를 들어, 선형 또는 분지형 C1-C8-알킬기, C2-C6-알케닐기, C3-C8-시클로알킬기, C1-C6-알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, C1-C6-헤테로시클로알킬기, 아민, 포스페이트, 포스핀기, 포스핀 산화물 기, 할로겐, 술페이트기, 술포네이트기, 술폰기, 카르복실레이트, C2-C6-알콕시기, 포스페이트기 등을 함유할 수 있다. 치환기 R1, R2 및 R3는 동일하거나 상이할 수 있다.
착물화 특성이 있는 리간드 L3은 하기 디오네이트 군으로부터의 음이온이다:
치환기 R4 및 R5는, 예를 들어, 선형 또는 분지형 C1-C8-알킬기, C2-C6-알케닐기, C3-C8-시클로알킬기, C1-C6-알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, C1-C6-헤테로시클로알킬기, 아민, 포스페이트, 포스핀기, 포스핀 산화물 기, 할로겐, 술페이트기, 술포네이트기, 술폰기, 카르복실레이트, C2-C6-알콕시기, 포스페이트기 등을 함유할 수 있다. 치환기 R4과 R5는 동일하거나 상이할 수 있다.
바람직하게는, 제3 리간드 L3는 펜탄-2,4-디오네이트 (acac), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd), 7,7-디메틸-1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-4,6-옥탄디오네이트 (fod), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)부탄-1,3-디오네이트 (ttfa), 1,3-디페닐프로판-1,3-디오네이트 (dbm), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-나프틸)부탄-1,3-디오네이트 (tfnb) 및 4,4,4-트리플루오로-1-(1-나프틸)부탄-1,3-디오네이트의 군으로부터 선택된다. 이들 화합물은 모두 공지되어 있으며, 착물화가 잘되는 리간드이다. 아주 바람직한 리간드는 펜탄-2,4-디오네이트 (acac)이다.
도 2는 예로써 각각 (7)로 언급되는 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) 및 (8)로 언급되는 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)인, 2개의 상이한 이리듐 착물 (7) 및 (8)의 상면도를 나타낸 것이고, 여기에 단지 2개의 리간드 L1 및 L3가 나타나 있다. 도 2는 이리듐 착물 (7)의 리간드 L1으로서 벤조[h]퀴놀린, 이리듐 착물 (8)의 리간드 L1로서 디벤조[f,h]퀴놀린을 나타낸 것이다. 이들 Ir-착물은 두 가지 이성질체, 즉, 제1 이성질체(71 및 81) 및 제2 이성질체(72 및 82)를 가지며, 이들의 공간적 결합 패턴은 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac)에 대하여는 (71) 및 (72), 및 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)에 대하여는 (81) 및 (82)로써 도 2에 나타나 있다. 이리듐 착물 (7) 및 (8)의 리간드 L3는 디오네이트 군으로부터의 리간드이며, 이러한 예로는 펜탄-2,4-디오네이트 (acac)가 있다. 리간드의 공간적 위치는 리간드의 상응하는 질소-탄소 쌍을 연결시키는 각각의 호(arc)에 의해 표시된다. 본 발명에 따른 제1 이성질체는, 리간드 결합에 참여하는 이리듐 원자에 대한 질소 원자(N)의 위치에 있어서 제2 이성질체와 다르다. 본 발명에 따른 제1 이성질체 (71) 및 (81)의 경우에 있어서, 질소 원자(N) 들은 중심의 이리듐 이온에 대하여 반대쪽에 위치(트랜스-위치라고 함)하는 반면, 이리듐 착물 결합에 참여하는 탄소 원자(C) 들은 이리듐 원자에 대해 마주하여 서로 이웃하여 위치(시스-위치라고 함)한다. 따라서, 질소 원자는 리간드 L3의 수소 원자 및 중심의 이리듐 이온에 의해 걸쳐있는 평면(9)의 외부에 위치한다.
도 1에 나타낸 제2 이성질체 (72) 및 (82)에서, 이리듐 착물 결합에 참여하는 질소 원자들 및 이리듐 착물 결합에 참여하는 탄소 원자들은 인접한 시스-위치를 차지한다. 이 경우, 각각 1개의 질소 및 1개의 탄소가 평면 (9)상에 존재한다. 따라서, 본 발명에 따른 제1 이성질체 (71) 및 (81)은 (C-시스, N-트랜스)-기하학적 배열인 반면, 제2 이성질체 (72) 및 (82)는 (C-시스, N-시스)-기하학적 배열을 갖는 것에 의해 구별된다. 도 2에 나타낸 리간드 L1 및 L2는, 예를 들어, 다른 실시태양에서 추가의 치환기 R1, R2 및/또는 R3도 가질 수 있다.
그러나, 본 발명은 또한, 중심의 이리듐 이온에 대하여 (C-시스, N-트랜스)-기하학적 배열로서 도 2에 도식적으로 나타낸 리간드 결합을 유사하게 갖는 다른 경직 리간드를 함유하는 이리듐 착물의 제1 이성질체를 포함한다. 이 경우에도, 리간드는 하나 이상의 치환기 R1, R2, R3를 함유할 수 있다. 치환기 R1, R2, R3 등은 예를 들어, 선형 또는 분지형 C1-C8-알킬기, C2-C6-알케닐기, C3-C8-시클로알킬기, C1-C6-알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, C1-C6-헤테로시클로알킬기, 아민, 포스페이트, 포스핀기, 포스핀 산화물 기, 할로겐, 술페이트기, 술포네이트기, 술폰기, 카르복실레이트, C2-C6-알콕시기, 포스페이트기 등을 함유할 수 있다.
제1 이성질체 (71)과 (81), 및 제2 이성질체 (72)와 (82)는, 도 3에서 예를 들어, Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) (71) 및 (72) (왼쪽: 벤조[h]퀴놀린 (bzq으로 표시함), 오른쪽: acac), 및 도 4에서 예를 들어, Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac) (81) 및 (82) (왼쪽: 디벤조[f,h]퀴놀린 (dbzq으로 표시함), 오른쪽: acac)로 나타낸 바와 같이, CDCl3 중에 용해시킨 이리듐 착물의 1H NMR 스펙트럼에 의해 구별지어질 수 있다. 도 3 및 4에 중수소화 트리클로로메탄(CDCl3) 용매의 선에 상응하는, 스펙트럼에서 SP로 표시되는 선을 나타내었다. 제1 이성질체는 (bzq)의 경우, 6.7 ppm 내지 7.0 ppm 및 7.4 ppm 내지 8.0 ppm의 범위, 및 (dbzq)의 경우, 6.6 ppm 내지 7.1 ppm 및 7.5 ppm 내지 9.2 ppm의 범위에서 제2 이성질체보다 현저하게 적은 스펙트럼선을 나타낸다. 유사하게, 제3 리간드 L3에 대한 시그날은 제1 및 제2 이성질체간에 현저한 차이를 보인다. 각 제2 이성질체에서, (acac)-스펙트럼은 제1 이성질체의 경우에서 존재하지 않는 특징적인 스펙트럼 갈라짐을 갖는다.
본 발명에 따른 이리듐 착물의 제1 이성질체인 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) (71) 및 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac) (81)에 대한 상세한 분광학적 데이터는 다음과 같다:
X-선 결정학을 사용하여, 제1 이성질체에서 2개의 N-Ir 결합 및 2개의 Ir-O 결합의 각각의 길이가 같은 반면, 제2 이성질체에서는 2개의 N-Ir- 결합 및 2개의 Ir-O- 결합의 길이가 현저하게 다르다는 것이 나타났으며, 이는 특히 스펙트럼 차이에서 현저히 나타났다.
제1 이성질체의 양자 수율은 놀랍게도, 예를 들어, Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) 및 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)에 있어서 3.83 및 3.76배 만큼 제2 이성질체에서 보다 현저하게 높다. 다른 이리듐 착물에 대한 비교 연구 결과, 예를 들어, Ir-(페닐피리딘)2(acac)와 같이 보다 덜 경직인 다른 이리듐 착물이 이러한 이성질체 특성을 가질지라도, 제1 이성질체의 유리한 효과는 오직 경직 리간드에 대해서만 발생하는 것으로 밝혀졌다. 본 명세서에서, "경직"이라는 표현은 피리딜 고리와 페닐 고리가 서로에 대하여 회전할 수 없는 리간드의 경우를 이른다. 이는 본 발명에 따른 리간드에서 피리딜 및 페닐 고리의 적절한 추가의 가교에 의하여 달성된다.
도 5는 CH2Cl2 중에 용해시킨 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac)-착물의 제1 이성질체 (71) 및 제2 이성질체 (72)의 방출 스펙트럼을 실온에서 파장의 함수로서 임의의 단위로 나타낸 것이다. Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac)에 대한 방출 최대값은 551 nm 내지 563 nm의 범위 내에 있으며, 여기서 제1 이성질체 (71)의 551 nm에서의 방출 최대값은 제2 이성질체에 비해 단파장 쪽으로 12 nm 이동해 있다. A로 표시된 스펙트럼선은 흡수선이다. 흡수는 리간드 종류에 의해 좌우되므로 주로 이성질체에 영향을 받지 않기 때문에, 2개의 이성질체는 거의 서로 다르지 않다.
도 6는 CH2Cl2 중에 용해시킨 Ir-(디벤조[h]퀴놀린)2(acac)-착물의 제1 이성질체 (81) 및 제2 이성질체 (82)의 방출 스펙트럼을 실온에서 파장의 함수로서 임의의 단위로 나타낸 것이다. Ir-(디벤조[h]퀴놀린)2(acac)에 대한 방출 최대값은 537 nm 내지 553 nm의 범위 내에 있으며, 여기서 제1 이성질체 (81)의 537 nm에서의 방출 최대값은 제2 이성질체에 비해 단파장 쪽으로 16 nm 이동해 있다. 또한, 도 5 및 6의 비교에서 볼 수 있는 바와 같이, 방출은 또한 리간드의 크기에 좌우된다는 것도 판명되었다. A로 표시된 스펙트럼선은 흡수선이다. 흡수는 리간드 종류에 의해 좌우되므로 주로 이성질체에 영향을 받지 않기 때문에, 2개의 이성질체는 거의 서로 다르지 않다.
도 l은 전기발광 소자의 횡단면을 나타낸 것이다.
도 2는 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) 및 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)의 제1 및 제2 이성질체의 공간적 결합 패턴을 나타낸 것이다.
도 3은 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac)의 제1 및 제2 이성질체의 1H NMR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)의 제1 및 제2 이성질체의 1H NMR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5 및 6은 각각의 제1 및 제2 이성질체에 대하여 Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac) 및 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)의 흡수 - (A) 및 방출 스펙트럼을 나타낸 것이다.
이리듐 착물에 대한 공지된 합성 방법은, 예를 들어, 중간 생성물로서 디클 로로-가교된 이량체 (디벤조퀴놀린)2Ir(μ-Cl)2(디벤조퀴놀린)2를 통해 Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac)를 제조하는 것이다. 본 발명에서, 디벤조퀴놀린 (dbzq) 0.4Og 용액을 질소 분위기 하, 2-에톡시에탄올 15 ml 중에 준비하였다. 그 다음, Ir(Ⅲ)-클로로히드레이트 및 물 5ml를 가하고, 24 시간 동안 회귀 흐름(return flow)으로 가열하였다. 실온으로 냉각시켜 수득한 황색 침전물을 원심분리하고, 메탄올로 여러번 세척하였다. 디클로로-가교된 이량체 (dbzq)2Ir(μ-Cl)2(dbzq)2 0.47 g을 질소 분위기하에서 2-에톡시에탄올 10ml 중에 용해시키고, 탄산나트륨 0.25 g 및 아세틸 아세토네이트 0.12 ml를 상기 용액에 가한 후, 이 용액을 회귀 흐름으로 10시간 동안 100 ℃에서 가열하였다. 그 다음, 물을 가하고, 수득한 황색 침전물을 원심분리하고, 메탄올로 여러번 세척한 다음, 침전물을 진공 상태에서 건조시켰다. 상기 방법에서, Ir-(디벤조[f,h]퀴놀린)2(acac) 착물은 제1 및 제2 이성질체의 비율이 4:1인 혼합물로서 수득된다. 시간 및 온도와 같은 합성 조건의 변동은 이성질체 비율에 단지 미비한 영향을 끼친다. 이리듐 착물을 제조하기 위한 다른 공지된 합성 방법은 이성질체 비율에 있어서 유사한 결과를 제공한다.
제2 이성질체의 상대적인 성분비는 리간드 L1, L2의 크기가 확대함에 따라 증가하고; 이에 상응하게, 보다 작은 리간드를 사용하여 합성함으로써 보다 유리한 비율이 얻어지며, 예를 들어, Ir-(벤조[h]퀴놀린)2(acac)는 제1 이성질체 대 제2 이성질체 비율이 5:1로 수득된다. 그러나, 보다 우수한 로딩 수송 특성으로 인해, 보다 큰 리간드가 전기발광 소자에 바람직하다.
개선된 발광 물질을 사용하여 양자 수율의 개선을 달성하기 위해, 제1 및 제2 이성질체는 우선 서로 분리되어야 한다. 제1 이성질체의 양자 수율이 3.8 배 정도 더 높은 만큼, 이성질체 분리를 수행하지 않은 발광 이리듐 착물과 비교할 때, 제1 이성질체의 성분을 이리듐 착물의 총량에 대해 90 %를 초과하여 포함하는 경우에는 9 % 이상, 이리듐 착물의 총량에 대해 95 %를 초과하여 포함하는 경우에는 13 % 이상 양자 수율이 증가할 수 있다. 본 발명에 따른 제1 이성질체가 발광 물질의 100 %를 구성하는 경우, 양자 수율의 증가는 17 %일 수 있다.
이리듐 착물로부터 전적으로 제1 이성질체를 제조하기 위한 두 이성질체의 분리는 컬럼 크로마토그래피를 사용하여 본 발명에 따른 분리 방법에 의해 가능하다. 두 이성질체는 무엇보다도 소위 Rf 값에 있어서 서로 상이하다. 박층 크로마토그래피에서 이동상, 예를 들어, 부탄올 또는 페놀 수용액의 전개에 대한 연구 물질의 전개 비율은 Rf-값 (또는 "relate-to-front"로도 명명됨)으로서 적절한 종이 상에 플롯팅된다.
상기 목적을 위하여, 제1 및 제2 이성질체로 된 다량의 이리듐 착물을 컬럼 길이가 적절한 크로마토그래피 컬럼을 사용하여 제1 및 제2 이성질체로 분리하였다. 상기 방법은 다량의 이리듐 착물을 고체상, 바람직하게는 SiO2가 함유된 크로마토그래피 컬럼내에 충전하는 단계; 컬럼 크로마토그래피에서 용출 매질, 바람직하게는 4:1:0.2 비율의 디클로로메탄/헥산/에테르를 사용하여 제1 이성질체 및 제2 이성질체를 분리하는 단계(여기서, 제1 이성질체는 제2 이성질체보다 Rf 값이 큼); 컬럼 크로마토그래피에서 분리 시간의 함수로서 제1 및 제2 이성질체를 포함하는 용출 매질 용액을 여러 저장 용기에 회수하는 단계; 이성질체-특이적 Rf-값을 사용하는, 예를 들어, 이동상으로 에틸아세테이트 (EtOAc)/헥산 2:1을 사용하여, 제1 이성질체에 대해 0.81 값 및 제2 이성질체에 대해 0.72 값을 갖는 박층 크로마토그래피로 제1 및 제2 이성질체간의 양적 비율을 측정하는 단계; 및 제2 이성질체 성분을, 바람직하게는 1% 이하인 그의 임계치를 초과하여 함유하는, 여러 용기에 회수된 물질에 대하여 단계 1부터 상기 과정을 반복하는 단계를 포함한다. 제1회차 크로마토그래피 순환 후에, 제1 이성질체 70 %가 순수한 형태로 수득된다. 제1 및 제2 이성질체의 Rf 값은 리간드의 선택에 따라 달라진다.
본 발명에 따른 전기발광 소자에 대한 예시적 실시태양:
인듐 주석 산화물 (ITO)로 이루어진 두께 150 nm의 양극을 포함하는 유리 기판;
F4-TCNQ 1% 를 포함하는 MTDATA의 정공 주입층, 두께 400 nm;
도핑되지 않은 MTDATA의 정공 수송층, 두께 lOO nm;
제1 이성질체 100 %로 된, 본 발명에 따른 이리듐 착물 9 중량%를 포함하는 TPD의 방출 층, 두께 150 nm;
TPBI의 정공 차단- 및 전자 수송층, 두께 500 nm;
LiF의 전자 주입층, 두께 1 nm;
알루미늄 음극, 두께 70 nm.
전기발광층 (방출층)은 또한 본 발명에 따른 이리듐 착물 외에, 예를 들어, 색상 광, 특히 백색 광을 생성하기 위한 기타 발광 물질을 추가로 함유할 수 있다.
도면 및 서술로써 설명된 실시태양은 단지 전기발광 소자의 방출 특성 및 루멘 출력에서의 개선에 대한 실시예를 나타내는 것이고, 특허청구범위가 상기 실시예에 의해 제한되는 것으로 이해되어서는 안 된다. 본 특허청구범위의 보호 범위에 포함되는 대안적인 실시태양이 당업자에게 가능하다. 독립항의 수는 청구항들의 다른 조합이 본 발명의 유리한 실시태양을 나타내지 않는다는 것을 암시하는 것으로 이해되어서는 안된다.
Claims (9)
- 중심의 이리듐 이온 Ir(Ⅲ), 디오네이트로서 펜탄-2,4-디오네이트 (acac), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd), 7,7-디메틸-1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-4,6-옥탄디오네이트 (fod), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)부탄-1,3-디오네이트 (ttfa), 1,3-디페닐프로판-1,3-디오네이트 (dbm), 4,4,4-트리플루오로-1-(2-나프틸)부탄-1,3-디오네이트 (tfnb) 또는 4,4,4-트리플루오로-1-(1-나프틸)부탄-1,3-디오네이트를 포함하는 군으로부터의 리간드 L3, 및 각각 리간드 결합에 참여하는 하나의 질소 및 탄소 원자를 갖는 경직 방향족 리간드 L1 및 L2를 가지며, 리간드 결합에 참여하는 리간드 L1의 질소 원자와 리간드 결합에 참여하는 리간드 L2의 질소 원자가 중심의 이리듐 이온에 대하여 병렬되어 있는 제1 이성질체 (71, 81)로서 존재하는 것을 특징으로 하는, Ir(Ⅲ)L1L2L3로 표시되는 발광용 이리듐 착물.
- 제1항에 있어서, 리간드 L1 및 L2가 디벤조[f,h]퀴놀린, 벤조[h]퀴놀린 및/또는 5,6-디히드로-벤조[h]퀴놀린 군으로부터의 리간드인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 리간드 L1과 L2가 동일한 것을 특징으로 하는 이리듐 착물.
- 제3항에 있어서, 리간드 L1 및 L2가 디벤조[f,h]퀴놀린인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 리간드 L3가 펜탄-2,4-디오네이트 (acac) 또는 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트 (thd)인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물.
- 제1항에 청구된 바와 같은 이리듐 착물의 제1 이성질체(71, 81) 성분을 발광 물질의 총량에 대하여, 90 % 초과, 바람직하게는 95 %를 초과하는 양으로 함유하는 발광 물질을 포함하는 유기 전기발광층(4)를 갖는 전기발광 소자.
- 제6항에 있어서, 발광 물질이 정공- 및 전자-전도성 매트릭스 물질 내에 매립되어 있으며, 이리듐 착물의 제1 이성질체 (71, 81)이 매트릭스 물질에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 12 중량%의 중량 성분비로 함유되는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자.
- 제1 및 제2 이성질체로 된 다량의 이리듐 착물 (7, 8)을 고정상, 바람직하게는 SiO2가 함유된 크로마토그래피 컬럼 내에 충전하는 단계;제1 이성질체 (71, 81) 및 제2 이성질체 (72, 82)를 컬럼 길이가 적절한 크로마토그래피 컬럼에서, 용출 매질, 바람직하게는 4:1:0.2 비율의 디클로로메탄/헥산/에테르를 사용하여 분리하는 단계;컬럼 크로마토그래피에서 분리 시간의 함수로서 다양한 비율의 제1 이성질체 (71, 81) 및 제2 이성질체 (72, 82)를 함유하는 용출 매질 용액을 회수하는 단계;이성질체-특이적 Rf-값을 기초로 하는 박층 크로마토그래피를 사용하여 제1 및 제2 이성질체간의 양적 비율을 측정하는 단계(여기서, 제1 이성질체 (71, 81)는 제2 이성질체 (72, 82)보다 Rf 값이 큼); 및이리듐 착물 (7, 8)의 총량 중 제2 이성질체 (72, 82) 성분을 바람직하게는 1% 이하인 그의 임계치를 초과하여 함유하는, 여러 용기에 회수된 물질에 대하여 단계 1부터 상기 과정을 반복하는 단계를 포함하는, 제1항에 청구된 바와 같은 이리듐 착물의 제1 이성질체를, 제1 이성질체 (71, 81)에 더하여 제2 이성질체 (72, 82)(리간드 L1 및 L2의 질소 원자가 중심의 이리듐-이온에 대하여 굽은 각도로 놓여 있음)를 함유하는 다량의 이리듐 착물 (7, 8)로부터 분리하는 방법.
- 제8항에 있어서, 제1 이성질체 (71, 81) 및 제2 이성질체 (72, 82)간의 비율을 측정하기 위한 박층 크로마토그래피에서, 이동상으로서 에틸아세테이트 (EtOAc)/헥산을 2:1의 비율로 사용하고, 이 때 제1 이성질체 (71, 81)은 0.81의 Rf 값, 제2 이성질체 (72.82)는 0.72의 Rf 값을 갖는 것을 특징으로 하는, 제1 이성질 체의 분리 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP05101350 | 2005-02-23 | ||
| EP05101350.6 | 2005-02-23 | ||
| PCT/IB2006/050474 WO2006090301A1 (en) | 2005-02-23 | 2006-02-14 | Electroluminescent device with iridium complex |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070110526A true KR20070110526A (ko) | 2007-11-19 |
| KR101256385B1 KR101256385B1 (ko) | 2013-04-25 |
Family
ID=36579737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077021915A KR101256385B1 (ko) | 2005-02-23 | 2006-02-14 | 이리듐 착물을 포함하는 전기발광 소자 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7768191B2 (ko) |
| EP (1) | EP1859492B1 (ko) |
| JP (1) | JP5048523B2 (ko) |
| KR (1) | KR101256385B1 (ko) |
| CN (1) | CN101147272B (ko) |
| AT (1) | ATE477596T1 (ko) |
| DE (1) | DE602006016080D1 (ko) |
| TW (1) | TWI433368B (ko) |
| WO (1) | WO2006090301A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8986855B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100550463C (zh) | 2003-11-18 | 2009-10-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有铱配合物的发光设备 |
| CN101147272B (zh) * | 2005-02-23 | 2010-10-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有铱配合物的电致发光器件 |
| JP5305637B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子並びに表示装置 |
| TWI687408B (zh) * | 2009-04-28 | 2020-03-11 | 美商環球展覽公司 | 具有甲基-ｄ３取代之銥錯合物 |
| US8753756B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-06-17 | Chien-Hong Cheng | Green phosphorescent iridium complexes, fabrication method thereof and organic light-emitting diodes comprising the same |
| JP4564588B1 (ja) | 2009-08-31 | 2010-10-20 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子 |
| GB0921201D0 (en) | 2009-12-03 | 2010-01-20 | Univ Muenster Wilhelms | IR(III) and RU(II) complexes containing pyridine-triazole ligands and the luminescence enhancement upon substitution with cyclodextrin |
| JP5911419B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-04-27 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子及び表示装置 |
| JP5911418B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-04-27 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
| EP4159828A1 (en) * | 2020-04-09 | 2023-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods of manufacturing a iridium complex-containing composition and an organic light emitting device having such a composition |
| JP2021178798A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | キヤノン株式会社 | イリジウム錯体を含む組成物、それを有する有機発光素子、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、移動体 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5112974A (en) * | 1985-01-18 | 1992-05-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Mixed ligand complexes and uses thereof as binding agents to DNA |
| ATE511222T1 (de) | 1999-12-01 | 2011-06-15 | Univ Princeton | Komplex der formel l2irx |
| US7078725B2 (en) | 2000-06-30 | 2006-07-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
| US6989273B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emissive iridium (III) complexes |
| DE10258103A1 (de) | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Henkel Kgaa | Mit Glycero-Phospholipiden oder Sphingolipiden stabilisierte Emulsionen zur Verbesserung des Hauterscheinungsbildes |
| WO2004085450A2 (en) | 2003-03-24 | 2004-10-07 | The University Of Southern California | Phenyl-pyrazole complexes of ir |
| JP2005042106A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-17 | Univ Nihon | 芳香族−イリジウム錯体系りん光発光材料の製造方法、芳香族−イリジウム錯体系りん光発光材料、及び芳香族−イリジウム錯体系発光素子 |
| JP4455211B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| US20050052118A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Shuit-Tong Lee | Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode |
| CN100550463C (zh) * | 2003-11-18 | 2009-10-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有铱配合物的发光设备 |
| ATE527705T1 (de) * | 2004-12-06 | 2011-10-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Organische elektrolumineszente lichtquelle |
| WO2006082742A1 (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| CN101147272B (zh) * | 2005-02-23 | 2010-10-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有铱配合物的电致发光器件 |
| EP1905069B1 (en) * | 2005-07-14 | 2011-03-16 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Electroluminescent light source |
-
2006
- 2006-02-14 CN CN2006800058398A patent/CN101147272B/zh active Active
- 2006-02-14 AT AT06710897T patent/ATE477596T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-02-14 WO PCT/IB2006/050474 patent/WO2006090301A1/en active Application Filing
- 2006-02-14 KR KR1020077021915A patent/KR101256385B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-14 JP JP2007555752A patent/JP5048523B2/ja active Active
- 2006-02-14 US US11/816,638 patent/US7768191B2/en active Active
- 2006-02-14 DE DE602006016080T patent/DE602006016080D1/de active Active
- 2006-02-14 EP EP06710897A patent/EP1859492B1/en active Active
- 2006-02-20 TW TW095105628A patent/TWI433368B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8986855B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101256385B1 (ko) | 2013-04-25 |
| TWI433368B (zh) | 2014-04-01 |
| CN101147272A (zh) | 2008-03-19 |
| DE602006016080D1 (de) | 2010-09-23 |
| JP5048523B2 (ja) | 2012-10-17 |
| CN101147272B (zh) | 2010-10-27 |
| ATE477596T1 (de) | 2010-08-15 |
| WO2006090301A1 (en) | 2006-08-31 |
| EP1859492B1 (en) | 2010-08-11 |
| TW200731588A (en) | 2007-08-16 |
| US20080203028A1 (en) | 2008-08-28 |
| US7768191B2 (en) | 2010-08-03 |
| EP1859492A1 (en) | 2007-11-28 |
| JP2008531495A (ja) | 2008-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101256385B1 (ko) | 이리듐 착물을 포함하는 전기발광 소자 | |
| Tao et al. | High‐Performance Organic Electroluminescence: Design from Organic Light‐Emitting Materials to Devices | |
| JP5722042B2 (ja) | 複数の分離した発光層を有する有機発光装置 | |
| KR20180085780A (ko) | 포스핀 옥사이드 화합물을 포함하는 유기 반도전층 | |
| KR20080104025A (ko) | 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 | |
| KR20120108897A (ko) | 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
| KR101863375B1 (ko) | 유기금속성 착체를 기초로 한 이온쌍 형성 연질 염 및 유기 발광 다이오드에서의 상기 염의 용도 | |
| JP6214026B2 (ja) | 有機発光材料、有機発光材料の製造方法、及び有機発光素子 | |
| CN110577509A (zh) | 一种三芳胺类化合物、制备方法及其应用 | |
| KR20230136753A (ko) | 유기 전자 장치에 사용하기 위한 화학식 (i)의 유기 화합물, 화학식 (i)의 화합물을 포함하는 유기 전자 장치, 및 유기 전자 장치를 포함하는 디스플레이 장치 | |
| CN110372715B (zh) | 一种以氰基苯为核心的杂环化合物、其制备方法及包含其的有机电致发光器件 | |
| KR102615534B1 (ko) | 신규한 유기전기발광 화합물, 이를 포함하는 유기전기발광소자 및 전자 기기 | |
| CN113224248B (zh) | 一种有机电致发光器件和显示装置 | |
| CN109994631B (zh) | 杂环化合物、其制备方法及包含其的有机电致发光器件 | |
| KR20240015647A (ko) | 유기 전계발광 디바이스 및 이에 사용하기 위한 화합물 | |
| KR20230028774A (ko) | 유기 전자 장치, 및 유기 전자 장치를 포함하는 디스플레이 장치, 및 유기 전자 장치에 사용하기 위한 조성물 | |
| KR20240022467A (ko) | 시트 저항 부품 | |
| KR20240023598A (ko) | 금속 양이온 및 적어도 하나의 화학식 (i)의 보레이트 음이온을 포함하는 금속 화합물을 포함하는 유기 전자 장치, 유기 전자 장치를 포함하는 디스플레이 장치, 유기 전자 장치에서의 금속 화합물의 용도, 및 유기 전자 장치의 제조 방법 | |
| KR20240023141A (ko) | p형 반도체층의 제조 방법, p형 반도체층, 유기 전자 장치, 디스플레이 장치, 금속 화합물 및 상기 금속 화합물의 용도 | |
| KR20240070583A (ko) | 유기 전자 장치에 사용하기 위한 화학식 (I)의 유기 화합물, 화학식 (IV)의 화합물 및 적어도 하나의 화학식 (Iva) 내지 (IVd)의 화합물을 포함하는 조성물, 상기 화합물 또는 조성물을 포함하는 유기 반도체층, 상기 유기 반도체층을 포함하는 유기 전자 장치 및 상기 유기 전자 장치를 포함하는 디스플레이 장치 | |
| CN114315881A (zh) | 一种有机化合物、oled器件及其应用 | |
| CN110950866A (zh) | 以螺双吖啶为核的空穴传输材料及有机发光二极管 | |
| Chen et al. | White Organic Light-Emitting Diodes Based on Organometallic Phosphors | |
| Xia et al. | Host compounds for red phosphorescent OLEDs | |
| Wu | New materials and device structure for organic light-emitting diodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170407 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180410 Year of fee payment: 6 |