KR20070109758A - 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법 - Google Patents

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Abstract

투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법은 비전도 나노입자의 용액을 투명기판과 투명 전극에 코팅한 후 투명 기판에 다수의 투명 전극을 형성하고 비전도 나노입자와 투명 전극 모두는 광의 동일한 반사율을 갖는다.고온 열처리가 투명기판에 수행된 후, 평탄한 마스크가 투명기판과 투명전극에 형성되어서 마스크의 비전도 나노 입자는 투영 전극을 가지는 및 투명전극을 가지지 않는 투명기판의 위치에 대한 광의 동일한 반사율 제공하여 스크린의 양호하지 못한 이미지 품질을 야기할 수 있는 투명 기판의 어떤 위치에서의 광의 다른 반사율을 효과적으로 방지한다.
투명기판

Description

투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법{MEHTOD OF HIDING TRANSPARENT ELECTRODES ON A TRANSPARENT SUBSTRATE}
도 1은 선행기술의 ITO 유리를 제조하는 흐름도.
도 2는 선행기술의 ITO 유리의 개략도.
도 3은 본 발명의 투명 기판의 개략도.
도 4는 본 발명의 투명기판과 마스크를 제조하는 흐름도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예의 흐름도.
도 6은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 흐름도.
본 발명은 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법에 관한 것이고, 특히 스크린의 불량한 이미지 품질을 방지하기 위해 비 전도 나노 입자의 용액을 투명기판에 코팅하는 방법을 제공하는 것이다.
근년에, 여러 다른 제품, 특히, 전자, 정보 및 통신 재품에 있어서 기술진보 있었다. 이들 제품은 혁신적인 디자인, 구조 및 기능을 만족할 뿐 아니라, 사용자의 친근한 응용 및 입력 방법의 요건을 만족함은 물론, 다양한 구성을 제공한다. 터치 패널의 개발은 종래의 전자 제품의 입력모드를 변경해왔고 사용자는 데이터를 입력하고 명령을 행하는 프레스 키 또는 마우스와 같은)종래의 입력장치로 한정되지 않는다. 사용자는 사용자가 편하게 사용할 수 있는 터치 패널의 입력 인터패이스를 이용할 수 있고 스크린상의 기능 아이콘을 추종하여 바람직한 기능을 선택한다. 이러한 선택은 핑거 또는 터치 패널 중 어느 하나를 이용하여 수행하여 특정한 훈련이나 학습 없이 업무를 실행한다. 현재, 터치 패널은 팜(palm) 크기의 PC, PDA(a person Digital assistant) 및 정보 제품과 같은 상이한 개인 전자 제품에 광범위하게 이용된다. 이들 제품은 의학 치료, 교통, 여행 및 교육관련 지역의 공공 정보 장소에서 이용되고 있으며, 이 터치 패널의 응용 범위와 시장 요건의 범위는 지속적으로 확대되는 경향이 있다.
일반적으로, 편평한 케이블 및 회로기판, 이 회로 기판에 설치된 제어 IC와 함께 일반적으로 동작하는 ITO유리를 형성하기 위해 투면 유리기판에 ITO필름을 설치함으로서 만들어진 터치 패널은 사용자에 의해 눌러진 대응하는 위치에 따라 제어 명령을 실행하여 터치 패널을 통해 데이터와 명령을 입력하는 목적을 달성한다. 이들 터치 패널은 액정 디스플레이(LCD)와 같은 여러 다른 전자 제품에 대해 일반적으로 설치되기 때문에, 사용자는 터치 패널을 눌러 (키보드 및 마우스을 포함하는)종래의 입력 장치를 설치하지 않고도 데이터와 명령을 입력할 수 있어서 작업공간을 더 절약할 수 있거나 큰 디스플레이 패널을 설치할 수 있어 사용자가 데이터를 브라우저하거나 입력하는 것을 용이하게 한다.
상술한 설명에 관하여, ITO 유리는 터치 패널의 주요 구성부분이고 이 ITO 유리는 투명 유리 기판과 투명 전도 층을 포함한다. ITO 유리의 제조시, 전기 절연 투명 유리기판은 투명 전도 금속 재료의 층으로 코팅되고 투명 전도 층은 투명 유리 기판상에 형성되어 있다. 일반적으로, 투명 전도 층은 인듐 주석 산화물(ITO)로 만들어져 있고 투명 전도 층은 투명 유리 기판상에 배치된 다수의 ITO 투명 전극으로 구성되어 있다.
도 1을 참조하면, ITO 유리의 구조의 상세한 설명을 위해, ITO유리의 제조 공정이 아래에 설명되어 있다.
(단계(101)) 헹구기(rinsing): 투명 유기 기판이 제조되기 전에, 투명 유리 기판에 부착된 먼지와 입자를 제거하기 위해 투명 유리 기판의 표면을 헹구어야 한다.
(단계(102)) 코팅: 인듐 주석 산화물 필름이 투명 유리 기판의 측면 표면에 코팅된다.
(단계(103)) 포토레지스트(P/R)층을 코팅: 포토레지스트 재료의 층이 롤러 프린팅에 의해 인듐 주석 산화물 필름을 갖는 투명 유리기판에 코팅된다.
(단계(104)) 프리베이크(Prebake): 투명 유리 기판은 서서히 가열되어 포토레지스트 층을 투명 유리 기판에 코팅하여 고정한 후 다음 공정을 준비한다.
(단계(105)) 노출(Exposure):가시(UV)광의 고정량이 포토레지스트 층과 화학적 반응을 위해 투명 유리 기판의 포토레지스트 층에 투사되어 마스크된 패턴 영역과 노출된 영역을 포토레지스트에 형성한다.
(단계(106)) 현상(Development): 노출된 영역은 현상제에 의해 세정되어 노 출된 영역의 포토레지스트 층을 세정하여 인듐 주석 산화물 필름을 노출시킨다.
(단계(107)) 에칭: 노출된 영역으로부터 노출된 인듐 주석 산화물 필름은 로열 워터(royal water)에 의해 헹구어 진다.
(단계(108)) 스트리핑(Stripping) : 알칼리 용액, 바람직하기로는, 소듐 수산화물(KOH)는 마스크 된 패턴 영역위의 포토레지스트 층을 용해하도록 마스크된 패턴 영역을 린싱(헹금)하는데 이용된다.
(단계(109)) 후 에칭 검사(After-etch Inspection): 투명 유리 기판의 전극이 검사된다. ITO 전극 사이에 어떠한 짧은 회로가 발견되는 경우, 이 짧은 회로의 포인트가 레이저 보정 메카니즘에 의해 제거되어 ITO 유리의 제조를 완료하고 투명 유리 기판을 터치 패널에 설치하기 위해 최종 공정을 준비한다.
ITO 유리가 LCD 디스플레이로 이용되는 경우, 사용자는 ITO 유리를 통해 디스플레이 스크린의 환원 용액이나 입자 형성, 버르된 이미지 및 불연속한 층을 흔히 관찰한다. 이러한 이유 때문에, ITO 유리의 각각의 위치에서의 광의 반사율이 다르게 된다. 상기 공정에 의해 만들어진 ITO 유리(1)애 대한 도 2를 참조하면, ITO 유리(1)는 투명 유리 기판(10)과 이 투명 유리 기판에 배치된 다수의 ITO 투명 전극(12)을 포함한다. ITO 투명 전극(12) 없이 투명 유리 기판(10)의 위치에서의 광의 반사율의 범위는 1.4와 1.5사이이고, ITO 투명 전극(12)의 광의 반사율의 범위는 1.8과 2.2사이이다. 두 개의 반사율이 다르기 때문에, 사용자가 관찰한 스크린의 이미지 품질은 크게 낮아지고 작은 그래픽 및 텍스트의 이미지가 버르되어 사용자가 버톤 위치에 대응하는 제어 명령을 실행하기 위해 정확한 버톤을 스크린에 성 공적으로 프레스 할 수 없어서 사용자는 바람직한 데이터 또는 명령을 성공적으로 성취할 수 없다.
선행기술의 단점에 대하여, 본 발명의 발명자는 본 발명에 따라 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법을 고안 개발하였다.
따라서, 본 발명의 일차적인 목적은 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법을 제공하고 이 방법은 비 전도 나노 입자의 용액을 투명기판과 투명 전극에 코팅한 후 투명 기판에 다수의 투명전극을 형성하면 양 비전도 나노 입자와 투명 전극에 대한 광의 반사율이 같아진다. 고온 열 처리가 열 처리 시간 동안 투명 기판에 행해진 후, 동일한 마스크가 투명 기판과 투명 전극에 형성되어 마스크에 존재하는 비 전도 나노입자는 투명 전극을 갖거나 이 투명전극을 갖지 않는 투명 기판의 위치에 대하여 동일한 반사율을 제공하여 스크린의 이미지 품질을 악화하는 투명 기판의 어떤 위치에서의 다른 반사율을 효과적으로 방지한다.
본 발명의 상기 기타 목적, 구성 및 장점을 수반한 도면을 참고로 하면서 설명한다.
본 발명에 의한 투명 기판상에 투명 전극을 은폐하는 방법에 대한 도 3을 참조하면, 이 방법은 투명 기판(2)에 다수의 투명 전극(20)을 형성한 다음 비전 도 나노 입자의 용액을 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 코팅한다. 양 비 전도 나도 입자와 투명 전극(20)에 대한 광의 반사율이 동일하여, 투명 기판(2)이 열 처리 시 간 동안 고온 열 처리에 의해 처리되고 편평한 마스크(21)가 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 형성된다. 마스크(21)에 비전도 나노 입자로 인해, 투명 전극(20)을 가지는 그리고 이 투명전극이 없는 투명 기판(2)의 위치에서의 광의 반사율이 동일하여 스크린상에 이미지 품질을 열화할 수 있는 투명 기판(2)의 어떤 위치에서의 광의 다른 반사율을 효과적으로 방지한다.
본 발명에 의한 다수의 투명 전극(20)을 갖는 투명 기판을 처리하는데 이용되는 방법에 대한 도 4를 참조하면, 이 방법은 다음 단계를 포함한다.
투명전극(20)의 광의 반사율과 같은 광의 반사율을 갖는 비 전도 나노 입자의 용액을 형성하여 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 이 용액을 고르게 형성한다(단계 (401)).
편평하고 고른 마스크(21)를 투명기판(2)과 투명 전극(20)에 형성한 후 열 처리 시간동안 투명 기판(2)에 대하여 고온 열처리를 수행한다(단계(402).
본 발명의 바람직한 실시예에 대한 도5를 참조하면, 본 발명은 비전도 나노 입자의 용액을 형성하고 이 용액을 투명기판(2)과 투명 전극(20)에 코팅하기 전에 다음 공정을 수행한다. 이러한 공정은,
용매를 비전도 나노 입자에 첨가하는 단계(501)와;
이 분산제를 이 용매에 첨가하는 단계(502)와;
초음파에 의해 이 용매를 처리하여 비전도 나노 입자가 이 용매를 생성하도록 용매에 고르게 분산되고 비전도 나노 입자가 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 고르게 코팅되게 하는 단계(503)를 포함한다.
도 3에서, 비전도 나노 입자에 대한 광의 반사율의 범위는 1.8에서 2.2이고 비 전도 나노 입자는 안티몬(II) 트리산화물(Sb2O3), 크롬(II) 트리산화물(Cr2O3), 인듐(II)트리산화물(In2O3), 탄타늄(II)트리산화물(Ta2O3), 타타늄 디옥사이드(TiO2) 또는 지르코늄 산화물(ZrO2) 또는 이들의 혼합물로 되어 있으며 나노 입자의 크기는 10nm-100nm이어서, 나노입자가 투명 기판(2)과 투명전극(20)에 고르게 코팅되어 편평하고 고른 마스크(21)를 형성하는 경우, 나노입자는 투명 전극(20)을 가지거나 가지지 않는 투명 기판(2)의 위치에서의 광의 반사율을 1.8-2.2로 유지하여 ITO의 다른 위치에서의 광의 다른 반사율로 인한 버르된 이미지, 입자 형성 및 환원 분해을 야기하는 ITO 유리의 단점을 효과적으로 극복한다.
바람직한 실시예에서, 용매는 초음파에 의해 처리되고, 분산제가 이 용매에 부가되기 전에 접착제가 이 용매에 부가된다. 접착제는 실록산 화합물일 수 있고 이 용매는 에탄놀일 수 있어서 나노입자의 용액은 초음파처리 후에 생성된 수 있다. 나노입자의 용액이 투명 기판(2)과 투명 전극에 코팅된 후, 투명 기판(2)은 적어도 30분 동안 차리 되고 고온 열 처리의 온도의 범위를 100℃-200℃로 유지되어 편평하고 고른 마스크(21)가 투명 기판(2)과 투명전극(20)에 고르게 형성되어서 나노 입자가 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 고르게 부착된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대한 도6을 참조하면, 비전도 나노입자의 용액을 생성하는 방법은
알콕시화물 화합물을 용매에 첨가하여 이 용매를 혼합하는 단계(601)와;
겔 중합화 촉매를 이 용매에 첨가하는 단계(602)와;
금속 알콕시화물 화합물의 고른 나노입자를 함유하는 용액을 형성하도록 이러한 겔 처리에 대하여 요구되는 반응 시간 동안 50℃-180℃의 온도 범위에서 용매에 대해 저온 열 처리를 수행하는 단계(603)를 포함한다.
도 3에서, 금속 알콕시화물 화합물의 나노 입자는 1.8-2.2의 범위의 광의 반사율을 가지며 이 금속 알콕시화물 화합물은 티타늄(IV)부토사이드(Ti(OCH2CH2CH2CH3)4)일수 있어서 금속 알콕시화 화합물의 나노입자가 편평하고 고른 마스크(21)를 형성하기 위해 투명 기판(2)과 투명 전극(200)에 고르게 코팅될 때, 금속 알촉시화물 화합물의 나노입자는 투명 전극(20)을 가지거나 없는 투명 기판(2)위 위치에서 광의 반사율을 1.8-2.0으로 유지할 수 있어서 투명기판의 위치에서 광의 다른 반사율로 인한 버르 된 이미지, 색차, 입자 형성 및 환원 분해를 갖는 종래의 ITO 유리의 단점을 효과적으로 극복한다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 용매는 엑틸아세톤일 수 있고 겔 중합체 촉매는 질산 및 물일 수 있다. 용매가 저어도 60분 동안 이러한 겔 공정을 거친 후, 알콕시화물 화합물의 나노입자의 용액이 발생 되고 이 용액이 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 코팅된다. 투명기판(2)이 평탄하고 고른 마스크(21)를 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 형성하기 위해 적어도 60분 동안 200℃-300℃의 온도로 고온 열 처리 공정을 받은 후 금속 알콕시화물 화합물의 나노입자가 투명 기판(2)과 투명 전극(20)에 고르게 부착될 수 있다.
본 발명의 방법은 역효과를 나타낼 수 있는 투명 기판(2)과 투명 전극(20) 사이에 형성된 에칭 라인을 제거할 수 있을 뿐 아니라, 투명 전극(20)을 가지는 및 이 전극을 가지지 않는 투명 기판(2)의 위치에서의 다른 광의 반사율에 의해 야기된 스크린의 이미지의 품질 저하를 효과적으로 극복할 수 있다.
본 발명은 특정 실시예 의해 설명되었지만 여러 번경과 수정이 본 발명의 범위 및 정신에서 벗어나지 않다면 당업자는 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 다수의 투명 전극을 설치하는 투명기판에 적용되는 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법에 있어서,
    상기 투명 전극의 반사율과 동일한 반사율을 갖는 비전도 나노입자의 용액을 상기 투명 기판과 상기 투명 전극에 코팅하는 단계와;
    평탄하고 고른 마스크를 상기 투명 기판과 상기 투명 전극에 형성한 후 고온 열처리를 열처리 시간 동안 상기 투명기판에 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 용액이 투명기판과 상기 투명 전극에 코팅되기 전에 수행되는 공정을 더 포함하고, 상기 공정은
    용매를 상기 비전도 나노입자에 첨가하는 단계와;
    분산제를 상기 용매에 첨가하는 단계와;
    초음파를 사용하여 상기 용액을 발생하도록 상기 비전도 나노입자를 상기 용매에 고르게 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 분산제가 상기 용매에 첨가된 후 상기 용매가 초음파에 의해 처리되기전에, 접착제를 상기 용매에 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    비전도 나노 입자의 반사율의 범위는 1.8에서 2.2이고, 안티몬(II) 트리산화물(Sb2O3), 크롬(II) 트리산화물(Cr2O3), 인듐(II)트리산화물(In2O3), 탄타늄(II)트리산화물(Ta2O3), 티타늄 디옥사이드(TiO2) 또는 지르코늄 산화물(ZrO2) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 접착제는 실록산 화합물인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 투명 기판에 은폐하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 용매는 에탄놀 용액인 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 비 전도 나노입자의 크기는 0nm-100nm범위인 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 고온 열처리는 100℃-200℃의 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 용액을 코팅하기 전에 수행된 공정을 더 포함하고,
    상기 공정은
    알콕시화물 화합물을 용매에 첨가하여 이 용매를 혼합하는 단계와;
    겔 중합화 촉매를 상기 용매에 첨가하는 단계와;
    상기 비 전도 나노입자를 갖는 상기 용매를 생성하기 위해 반응시간 동안 상기 용매에 대해 저온 열처리를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명 기판에 은폐하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 금속 알콕시화물 화합물은 티탄늄(IV)부토사이드(Ti(OCH2CH2CH2CH3)4인 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 용매는 엑틸아세톤 용매인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 겔 중합화 촉매는 질산과 물로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    고온 열처리는 200℃-300℃의 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 저온 열 처리는 50℃-80℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 투명기판에 은폐하는 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8107155B2 (en) 2006-10-06 2012-01-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for reducing visual artifacts in displays
WO2008045311A2 (en) 2006-10-06 2008-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination device with built-in light coupler
US8118468B2 (en) 2008-05-16 2012-02-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination apparatus and methods
US8228306B2 (en) 2008-07-23 2012-07-24 Flextronics Ap, Llc Integration design for capacitive touch panels and liquid crystal displays
US9128568B2 (en) 2008-07-30 2015-09-08 New Vision Display (Shenzhen) Co., Limited Capacitive touch panel with FPC connector electrically coupled to conductive traces of face-to-face ITO pattern structure in single plane
US8209861B2 (en) 2008-12-05 2012-07-03 Flextronics Ap, Llc Method for manufacturing a touch screen sensor assembly
US8274486B2 (en) 2008-12-22 2012-09-25 Flextronics Ap, Llc Diamond pattern on a single layer
JP5484891B2 (ja) 2009-03-04 2014-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20110038517A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 엘지이노텍 주식회사 터치 패널용 면상 부재 및 그 제조방법
JP5818822B2 (ja) * 2009-12-04 2015-11-18 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 増加ヘイズを有するナノ構造系透明導電体およびそれを備えるデバイス
WO2011082086A1 (en) * 2009-12-29 2011-07-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination device with metalized light-turning features
US9285929B2 (en) 2010-03-30 2016-03-15 New Vision Display (Shenzhen) Co., Limited Touchscreen system with simplified mechanical touchscreen design using capacitance and acoustic sensing technologies, and method therefor
US9563315B2 (en) 2010-11-09 2017-02-07 Tpk Touch Solutions Inc. Capacitive touch panel and method for producing the same
JP5755752B2 (ja) * 2010-11-09 2015-07-29 ティーピーケイ タッチ ソリューションズ インコーポレーテッド タッチパネルデバイス
TWI450145B (zh) * 2011-06-14 2014-08-21 Wintek Corp 觸控裝置以及觸控顯示裝置
JP5849566B2 (ja) * 2011-09-26 2016-01-27 凸版印刷株式会社 透明層付き基板
US8525955B2 (en) 2012-01-31 2013-09-03 Multek Display (Hong Kong) Limited Heater for liquid crystal display
TWI494818B (zh) * 2013-09-30 2015-08-01 Sentelic Corp 整合電容觸控與電阻觸控的裝置及其操作方法
CN104016594A (zh) * 2014-06-24 2014-09-03 南通科达建材股份有限公司 新型自洁玻璃的制备方法
KR102361758B1 (ko) * 2015-12-07 2022-02-16 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 수지 조성물 및 이를 포함하는 터치스크린 패널
US10572080B2 (en) 2016-06-13 2020-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Optical touch film, display device including the same, and manufacturing method thereof

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56116015A (en) * 1980-02-20 1981-09-11 Seiko Epson Corp Manufacture of liquid crystal panel
JPH03107921A (ja) * 1989-09-22 1991-05-08 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2956305B2 (ja) * 1991-09-17 1999-10-04 株式会社日立製作所 液晶用絶縁膜及びその形成方法
JPH0570960A (ja) * 1991-09-17 1993-03-23 Hitachi Ltd 液晶用絶縁膜の製造方法
JPH05232459A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 液晶表示セルおよびその製造方法
JPH0728044A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Seiko Epson Corp 液晶表示素子の製造方法
JPH11203047A (ja) * 1998-01-20 1999-07-30 Toray Ind Inc タッチパネル用透明導電性積層体
EP1310975A3 (en) 1998-05-12 2003-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel
US20020084455A1 (en) * 1999-03-30 2002-07-04 Jeffery T. Cheung Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature
JP3913962B2 (ja) * 2000-06-02 2007-05-09 触媒化成工業株式会社 液晶表示セルおよびその製造方法
US6627918B2 (en) * 2000-09-22 2003-09-30 Donnelly Corporation Spacer elements for interactive information devices and method for making same
US20020086188A1 (en) 2000-10-12 2002-07-04 Eugene Halsey Reduced contrast improved transmission conductively coated transparent substrate
JP3914011B2 (ja) * 2001-08-07 2007-05-16 触媒化成工業株式会社 液晶表示セルおよび該液晶表示セル用塗布液
JP2003186054A (ja) * 2001-12-17 2003-07-03 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 液晶表示セル
KR100499271B1 (ko) * 2002-09-09 2005-07-01 한국전자통신연구원 구부림이 가능한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
EP1591554A4 (en) * 2003-01-24 2010-04-07 Bridgestone Corp THIN FILM OF TIN OXIDE AND INDIUM (ITO), PROCESS FOR FORMING THE FILM, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TOUCH SCREEN
KR100630321B1 (ko) 2003-07-18 2006-09-29 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 적층체 및 그 용도
JP2005100721A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材の製造方法及び該基材並びに表示装置
TWI322461B (en) * 2004-08-30 2010-03-21 Prime View Int Co Ltd Method of fabricating poly-crystal ito thin film and poly-crystal ito electrode
KR101217659B1 (ko) * 2004-09-03 2013-01-02 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ소자
TWI240111B (en) * 2004-11-11 2005-09-21 Quanta Display Inc Array substrate for use in TFT-LCD and fabrication method thereof

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