JPH0570960A - 液晶用絶縁膜の製造方法 - Google Patents
液晶用絶縁膜の製造方法Info
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- JPH0570960A JPH0570960A JP23593191A JP23593191A JPH0570960A JP H0570960 A JPH0570960 A JP H0570960A JP 23593191 A JP23593191 A JP 23593191A JP 23593191 A JP23593191 A JP 23593191A JP H0570960 A JPH0570960 A JP H0570960A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- liquid crystal
- film
- producing
- metal cluster
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高性能，高画質な液晶パネルの開発を目的とし
て、透明電極上に形成する良質な絶縁膜を提供する。 【構成】絶縁膜を形成するための原料物質として、アル
コキシド配位子を含む金属クラスタ化合物を使用する。
この物質を適当な溶媒に溶かし、透明電極を形成した液
晶用基板上に成膜する。これを熱処理あるいは光照射に
より分解して酸化物の膜を得る。この物質を用いると従
来よりも低い温度で溶晶用絶縁膜を作製する。 【効果】本手法を用いると従来よりも低い温度で液晶用
絶縁膜を作製できる。また、二成分系絶縁膜では、両者
が均一に分散した膜が得られる。このため画素むらもな
く良好な画質の液晶パネルが得られる。
て、透明電極上に形成する良質な絶縁膜を提供する。 【構成】絶縁膜を形成するための原料物質として、アル
コキシド配位子を含む金属クラスタ化合物を使用する。
この物質を適当な溶媒に溶かし、透明電極を形成した液
晶用基板上に成膜する。これを熱処理あるいは光照射に
より分解して酸化物の膜を得る。この物質を用いると従
来よりも低い温度で溶晶用絶縁膜を作製する。 【効果】本手法を用いると従来よりも低い温度で液晶用
絶縁膜を作製できる。また、二成分系絶縁膜では、両者
が均一に分散した膜が得られる。このため画素むらもな
く良好な画質の液晶パネルが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶用絶縁膜の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶用絶縁膜は、液晶用基板上に
形成されている透明電極（ＩＴＯ）と屈折率が同じ無機
絶縁膜が使用されている。現在、主としてＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2二成分系絶縁膜が用いられている。この絶縁膜
は、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2の原料となるＳｉとＴｉのそれ
ぞれの有機金属化合物あるいは金属錯体を一定の比率で
溶液中に混合し、この混合溶液を塗布した後、熱分解処
理をしてＳｉＯ2−ＴｉＯ2二成分系絶縁膜を合成する。
形成されている透明電極（ＩＴＯ）と屈折率が同じ無機
絶縁膜が使用されている。現在、主としてＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2二成分系絶縁膜が用いられている。この絶縁膜
は、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2の原料となるＳｉとＴｉのそれ
ぞれの有機金属化合物あるいは金属錯体を一定の比率で
溶液中に混合し、この混合溶液を塗布した後、熱分解処
理をしてＳｉＯ2−ＴｉＯ2二成分系絶縁膜を合成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は、Ｓｉ及びＴｉの化合物はそれぞれの熱分解過程が異
なるため、純粋なＳｉＯ2及びＴｉＯ2を作製するために
は、６００℃以上の熱処理が不可欠であった。また、Ｓ
ｉＯ2，ＴｉＯ2の酸化物がある温度以上でそれぞれ生成
すること、ＴｉＯ2はＳｉＯ2よりも低い温度で結晶化し
やすいためＴiＯ2の混集が起きることなどのため、膜が
均一でなくなるなどの問題点があった。これが液晶の画
素むらの一つの原因であった。
は、Ｓｉ及びＴｉの化合物はそれぞれの熱分解過程が異
なるため、純粋なＳｉＯ2及びＴｉＯ2を作製するために
は、６００℃以上の熱処理が不可欠であった。また、Ｓ
ｉＯ2，ＴｉＯ2の酸化物がある温度以上でそれぞれ生成
すること、ＴｉＯ2はＳｉＯ2よりも低い温度で結晶化し
やすいためＴiＯ2の混集が起きることなどのため、膜が
均一でなくなるなどの問題点があった。これが液晶の画
素むらの一つの原因であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの問題
点を解決するためにアルコキシド配位子を含む金属クラ
スタ化合物を合成し、これを原料物質として使用したも
のである。また、この物質を有機溶媒に溶かし、これを
塗布した後、熱処理して無機絶縁膜を形成したものであ
る。また、熱処理の代りに、光照射あるいは光照射と熱
処理を併用することにより無機絶縁膜を形成したもので
ある。透明電極（ＩＴＯ）との屈折率を整合させるため
に、同様な屈折率を持つ単一金属酸化物あるいは二種以
上の金属を含む酸化物をこの手法により作製した。
点を解決するためにアルコキシド配位子を含む金属クラ
スタ化合物を合成し、これを原料物質として使用したも
のである。また、この物質を有機溶媒に溶かし、これを
塗布した後、熱処理して無機絶縁膜を形成したものであ
る。また、熱処理の代りに、光照射あるいは光照射と熱
処理を併用することにより無機絶縁膜を形成したもので
ある。透明電極（ＩＴＯ）との屈折率を整合させるため
に、同様な屈折率を持つ単一金属酸化物あるいは二種以
上の金属を含む酸化物をこの手法により作製した。
【０００５】
【作用】本発明は、無機絶縁膜の合成原料にアルコキシ
ド配位子を含む金属クラスタ化合物を使用する。この金
属クラスタ化合物は、単一あるいは二種以上の金属がア
ルコキシド配位子を介して結合した物質である。この物
質は、化合物内のコンフォーメーショナルな歪が大きい
ため、単核のアルコキシド化合物と比較してより低い温
度の熱処理あるいは光照射によるエネルギの付与によ
り、分解または反応が起こる。このため、これまでの方
法により無機絶縁膜を合成するのに比べ、その成膜温度
を著しく下げることができる。また、これを原料物質に
してゾルゲル反応を行うと従来よりも低温で溶液中に無
機ポリマを生成することができる。また、二種以上の金
属を含む金属クラスタ化合物を用いれば、二種の酸化物
が極めて均一に分散した二成分系絶縁膜を作製すること
ができる。この手法で液晶用の絶縁膜を作製し、高画率
の液晶パネルを作製することができる。
ド配位子を含む金属クラスタ化合物を使用する。この金
属クラスタ化合物は、単一あるいは二種以上の金属がア
ルコキシド配位子を介して結合した物質である。この物
質は、化合物内のコンフォーメーショナルな歪が大きい
ため、単核のアルコキシド化合物と比較してより低い温
度の熱処理あるいは光照射によるエネルギの付与によ
り、分解または反応が起こる。このため、これまでの方
法により無機絶縁膜を合成するのに比べ、その成膜温度
を著しく下げることができる。また、これを原料物質に
してゾルゲル反応を行うと従来よりも低温で溶液中に無
機ポリマを生成することができる。また、二種以上の金
属を含む金属クラスタ化合物を用いれば、二種の酸化物
が極めて均一に分散した二成分系絶縁膜を作製すること
ができる。この手法で液晶用の絶縁膜を作製し、高画率
の液晶パネルを作製することができる。
【０００６】
〈実施例１〉Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.１mol／ｌのエタノ
ール溶液５０ｍｌとＴｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.１mol／ｌの
エタノール溶液５０ｍｌを混合し、この混合溶液をエタ
ノールの沸点温度で６時間還流させた。ついで、この溶
液を５０ｍｌまで濃縮した。この濃縮混合溶液中には、
ＳｉとＴｉとをアルコキシドを介して同一分子中に含む
クラスタ化合物が生成している。図１には、これのフロ
ーチャートを示した。
ール溶液５０ｍｌとＴｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.１mol／ｌの
エタノール溶液５０ｍｌを混合し、この混合溶液をエタ
ノールの沸点温度で６時間還流させた。ついで、この溶
液を５０ｍｌまで濃縮した。この濃縮混合溶液中には、
ＳｉとＴｉとをアルコキシドを介して同一分子中に含む
クラスタ化合物が生成している。図１には、これのフロ
ーチャートを示した。
【０００７】この溶液を用いて、透明電極（ＩＴＯ）が
形成された液晶用基板上に印刷法で薄膜を形成した。こ
れを２５０℃で３０分間熱処理すると均一なＳiＯ2−Ｔ
iＯ2二成分薄膜が得られた。従来は、同様な膜を得るの
に５００℃度の熱処理を必要としていた。この手法を用
いて、絶縁膜を作製した液晶パネルは、従来、問題とな
っていた画素むらもなく良好な性能を示した。
形成された液晶用基板上に印刷法で薄膜を形成した。こ
れを２５０℃で３０分間熱処理すると均一なＳiＯ2−Ｔ
iＯ2二成分薄膜が得られた。従来は、同様な膜を得るの
に５００℃度の熱処理を必要としていた。この手法を用
いて、絶縁膜を作製した液晶パネルは、従来、問題とな
っていた画素むらもなく良好な性能を示した。
【０００８】〈実施例２〉Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.１mol
／ｌのエタノール溶液５０ｍｌとＴｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.
１mol／ｌのエタノール溶液５０ｍｌを混合し、この混
合溶液をエタノールの沸点温度で６時間還流させた。つ
いで、この溶液を５０ｍｌまで濃縮した。この濃縮混合
溶液中には、ＳｉとＴｉとをアルコキシドを介して同一
分子中に含むクラスタ化合物が生成している。
／ｌのエタノール溶液５０ｍｌとＴｉ(ＯＣ2Ｈ5)4の０.
１mol／ｌのエタノール溶液５０ｍｌを混合し、この混
合溶液をエタノールの沸点温度で６時間還流させた。つ
いで、この溶液を５０ｍｌまで濃縮した。この濃縮混合
溶液中には、ＳｉとＴｉとをアルコキシドを介して同一
分子中に含むクラスタ化合物が生成している。
【０００９】この溶液を用いて、透明電極（ＩＴＯ）が
形成された液晶用基板上に印刷法で薄膜を形成した。こ
の形成した薄膜上に２５４ｎｍの光を１０分間照射し
た。ついてオゾン発生に必要な１８４ｎｍの光を１０分
間照射した。このようにして低温で均一なＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2二成分薄膜が得られた。この手法を用いて絶縁膜
を作製した液晶パネルは、従来、問題となっていた画素
むらもなく良好な性能を示した。
形成された液晶用基板上に印刷法で薄膜を形成した。こ
の形成した薄膜上に２５４ｎｍの光を１０分間照射し
た。ついてオゾン発生に必要な１８４ｎｍの光を１０分
間照射した。このようにして低温で均一なＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2二成分薄膜が得られた。この手法を用いて絶縁膜
を作製した液晶パネルは、従来、問題となっていた画素
むらもなく良好な性能を示した。
【００１０】〈実施例３〉実施例２において、光を照射
する際に基板を１００℃に熱するとさらに密着強度の高
い良質な薄膜がえられた。
する際に基板を１００℃に熱するとさらに密着強度の高
い良質な薄膜がえられた。
【００１１】
【従来の効果】本発明を用いれば、液晶用絶縁膜を低温
で作製することができる。また、均一分散した多成分系
絶縁膜を作製することができた。このため、高性能，高
画質の液晶パネルを得ることができる。
で作製することができる。また、均一分散した多成分系
絶縁膜を作製することができた。このため、高性能，高
画質の液晶パネルを得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の二成分系クラスタ化合物の
作製プロセスのブロック図。
作製プロセスのブロック図。
Claims (6)
- 【請求項１】液晶用絶縁膜の製造方法として、原料物質
としてアルコキシド配位子を含む金属クラスタ化合物を
使用することを特徴とする液晶用絶縁膜の製造方法。 - 【請求項２】アルコキシド配位子を含む金属クラスタ化
合物を含む溶液を液晶用基板上に塗布し、熱処理するこ
とにより作製することを特徴とする液晶用絶縁膜の製造
方法。 - 【請求項３】アルコキシド配位子を含む金属クラスタ化
合物を含む溶液を液晶用基板上に塗布し、光照射するこ
とにより作製することを特徴とする液晶用絶縁膜の製造
方法。 - 【請求項４】アルコキシド配位子を含む金属クラスタ化
合物を含む溶液を液晶用基板上に塗布し、熱処理すると
ともに光照射することにより作製することを特徴とする
液晶用絶縁膜の製造方法。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、前記
アルコキシド配位子を含む金属クラスタ化合物を含む溶
液は、水分，有機溶媒を含有する液晶用絶縁膜の製造方
法。 - 【請求項６】請求項１，２，３または４において、前記
アルコキシド配位子を含む金属クラスタ化合物は、一種
以上の金属を含む液晶用絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23593191A JPH0570960A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 液晶用絶縁膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23593191A JPH0570960A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 液晶用絶縁膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570960A true JPH0570960A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16993355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23593191A Pending JPH0570960A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 液晶用絶縁膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777036B2 (en) * | 2001-06-06 | 2004-08-17 | Simon Fraser University | Method for the deposition of materials from mesomorphous films |
| JP2014132469A (ja) * | 2006-05-10 | 2014-07-17 | Trendon Touch Technology Corp | 透明基板における透明電極が見えないようにする処理方法 |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP23593191A patent/JPH0570960A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777036B2 (en) * | 2001-06-06 | 2004-08-17 | Simon Fraser University | Method for the deposition of materials from mesomorphous films |
| JP2014132469A (ja) * | 2006-05-10 | 2014-07-17 | Trendon Touch Technology Corp | 透明基板における透明電極が見えないようにする処理方法 |
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