CN104685411A - 液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件及液晶显示元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及包含使包括以式(1)表示的烷氧基硅烷及以式(3)表示的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷(A)的液晶取向剂;式(1)中,R1表示以下式(2)的结构,R2表示碳数1~5的烷基。R1Si(OR2)3 (1)
Description
技术领域
本发明涉及包含使烷氧基硅烷反应而得的聚硅氧烷的液晶取向剂及由所述液晶取向剂得到的液晶取向膜以及具有该液晶取向膜的液晶显示元件。
背景技术
近年来,液晶显示元件的显示方式中,垂直(VA)方式的液晶显示元件被广泛应用于大画面的液晶电视和高精细的移动用途(数码相机和手机的显示部)等。VA方式中,已知在TFT基板或彩色滤光片基板上形成用于控制液晶倾倒方向的突起的MVA方式(多畴垂直取向,Multi VerticalAlignment),和在基板的ITO电极上形成狭缝、通过电场控制液晶倾倒方向的PVA(垂直取向构型,Patterned Vertical Alignment)方式。作为其它的取向方式,还有PSA(Polymer Sustained Alignment,聚合物稳定取向)方式。VA方式中,PSA方式是近年来受到瞩目的技术。该方式中,向液晶中添加光聚合性化合物,制成液晶面板后,施加电场并在液晶倾倒的状态下向液晶面板照射UV(紫外线)。其结果是,通过聚合性化合物的光聚合,液晶的取向方向被固定化,产生预倾角,响应速度提高。该方式的特点在于,即使是在构成液晶面板的一侧的电极上制成狭缝而在相对侧的电极图案上未设置像MVA那样的突起或像PVA那样的狭缝的结构也可以工作,能够实现制造的简化,获得良好的面板透射率(参照专利文献1)。
但是,这种方式的液晶显示元件中,存在添加于液晶的聚合性化合物的溶解性低,如果增加其添加量,则会在低温时析出的问题。另一方面,如果减少聚合性化合物的添加量,则无法获得良好的取向状态、响应速度。此外,还存在残留于液晶中的未反应的聚合性化合物成为液晶中的杂质,因而使液晶显示元件的可靠性下降的问题。
于是,提出有下述技术:通过将使用在聚合物分子中引入有光反应性侧链的聚合物的液晶取向剂涂布于基板,烧成,设置与所得的液晶取向膜接触的液晶层,对该液晶层施加电压的同时照射紫外线而制成液晶显示元件,从而可以在不向液晶中添加聚合性化合物的情况下,获得响应速度快的液晶显示元件(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2004-302061号公报
专利文献2:日本专利特开2011-95967号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
进行垂直取向的VA模式中,需要使其垂直取向的强垂直取向力,但不使用聚合性化合物的该方式中,如果使垂直取向力提高,则UV照射后的响应速度变慢,如果使UV照射后的响应速度提高,则垂直取向力下降。即,垂直取向力和UV照射后的响应速度的提高存在二律背反的关系。
本发明的课题在于提供液晶取向剂、由该液晶取向剂得到的液晶取向膜、具有该液晶取向膜的液晶显示元件以及液晶显示元件的制造方法,如果是本发明所述的液晶取向剂,则即使是使用不添加聚合性化合物的液晶并与PSA方式同样地进行处理而使UV照射后的响应速度提高的方式的液晶显示元件,也能够形成可在不使垂直取向力下降的情况下使UV照射后的响应速度提高的液晶取向膜。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明包括下述技术内容。
[1]液晶取向剂,其中,包含下述的聚硅氧烷(A);
聚硅氧烷(A):使包括以下式(1)表示的烷氧基硅烷及以下式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
R1Si(OR2)3 (1)
R1表示以下式(2)的结构,R2表示碳数1~5的烷基,
[化1]
式(2)中,Y1为单键、-(CH2)a-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-,a为1~15的整数,Y2为单键、含双键的碳数3~8的直链状或分支状的烃基或者-(CR17R18)b-,b为1~15的整数,R17、R18分别独立表示氢原子或碳数1~3的烷基,Y3为单键、-(CH2)c-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-,c为1~15的整数,Y4为单键、选自苯环、环己环和杂环的2价环状基团或者具有类固醇骨架的碳数12~25的2价有机基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子取代,Y5为选自苯环、环己环和杂环的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子取代,n1为0~4的整数,Y6表示氢原子、碳数1~18的烷基、碳数1~18的含氟烷基、碳数1~18的烷氧基或碳数1~18的含氟烷氧基,
[化2]
R21、R22、R23分别独立表示-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H或由它们的组合形成的取代基,R24表示氢原子或甲基,Y21表示单键或者可含双键的碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y22表示选自单键、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-和-OCONH-的结合基团,Y23表示单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y24表示单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y25表示单键、-O-或-NZ2-,Z2表示氢原子、碳数1~18的直链状或分支状的烃基、芳香族环基或者脂肪族环基,Cy表示选自下述基团的在任意的取代位置结合形成的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被选自碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、氰基、氟原子和氯原子的取代基取代,
[化3]
Z1表示可含芳香族环基或脂肪族环基的碳数1~18的直链状或分支状的2价烃基。
[2]如[1]所述的液晶取向剂,其特征在于,烷氧基硅烷成分还包括以下式(4)表示的烷氧基硅烷;
R3Si(OR4)3 (4)
R3为氢原子被丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基或苯乙烯基取代的碳数1~30的烷基,R4表示碳数1~5的烷基。
[3]如[1]或[2]所述的液晶取向剂,其中,还包含下述的聚硅氧烷(B);
聚硅氧烷(B):使包括以下式(5)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
Si(OR15)4 (5)
R15表示碳数1~5的烷基。
[4]如[1]~[3]中的任一项所述的液晶取向剂,其中,聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)中的至少一种是使还包括以下式(6)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
(R13)n2Si(OR14)4-n (6)
式(6)中,R13为氢原子或者氢原子可被杂原子、卤素原子、氨基、环氧丙氧基、巯基、异氰酸酯基、脲基取代的碳数1~10的烃基,R14为碳数1~5的烷基,n2表示0~3的整数。
[5]液晶取向膜,将[1]~[4]中的任一项所述的液晶取向剂涂布于基板,烧成而得。
[6]液晶显示元件,具有[5]所述的液晶取向膜。
[7]液晶显示元件,具备在施加电压的状态下向以涂布[1]~[4]中的任一项所述的液晶取向剂并烧成的2块基板夹持着液晶的液晶晶胞照射UV而得的构件。
[8]液晶显示元件的制造方法,其中,包括下述工序:以涂布[1]~[4]中的任一项所述的液晶取向剂并烧成的2块基板夹持液晶而制成液晶晶胞,在向该液晶晶胞施加电压的状态下照射UV。
发明的效果
如果采用本发明,则可提供液晶取向剂、由该液晶取向剂得到的液晶取向膜以及具有该液晶取向膜的液晶显示元件及液晶显示元件的制造方法,如果是本发明所述的液晶取向剂,则即使使用不添加聚合性化合物的液晶并与PSA方式同样地照射UV,也可在不使垂直取向力下降的情况下使UV照射后的响应速度提高。
具体实施方式
以下,对本发明进行详细说明。
<聚硅氧烷(A)>
本发明是涉及包含聚硅氧烷(A)的液晶取向剂的发明。并且,聚硅氧烷(A)是使包括以上式(1)表示的烷氧基硅烷及以上式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷。
式(2)中,Y1为单键、-(CH2)a-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中的任一种,a为1~15的整数。其中,因容易合成侧链结构,较好是选择单键、-(CH2)a-、-O-、-CH2O-或-COO-中的任一种,a为1~15的整数。更好是选择单键、-(CH2)a-、-O-、-CH2O-或-COO-中的任一种,a为1~10的整数。
式(2)中,Y2为单键、含双键的碳数3~8的直链状或分支状的烃基或者-(CR17R18)b-,b为1~15的整数,R17、R18分别独立表示氢原子或碳数1~3的烷基。其中,从更显著地改善液晶显示元件的响应速度的观点来看,较好是-(CH2)b-,b为1~10的整数。
式(2)中,Y3为单键、-(CH2)c-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中的任一种,c为1~15的整数。其中,因容易合成侧链结构,较好是选择单键、-(CH2)c-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中的任一种,c为1~15的整数。更好是选择单键、-(CH2)c-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中的任一种,c为1~10的整数。
式(2)中,Y4为单键、选自苯环、环己环和杂环的环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子中的任一种取代。另外,Y4可采用选自具有类固醇骨架的碳数12~25的有机基团的2价有机基团。其中,较好是苯环、环己环或具有类固醇骨架中的任一种的碳数12~25的有机基团。
式(2)中,Y5为选自苯环、环己环或杂环的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子中的任一种取代。
式(2)中,n1为0~4的整数。较好是0~2的整数。
式(2)中,Y6为碳数1~18的烷基、碳数1~18的含氟烷基、碳数1~18的烷氧基或碳数1~18的含氟烷氧基中的任一种。其中,较好是碳数1~18的烷基、碳数1~10的含氟烷基、碳数1~18的烷氧基或碳数1~10的含氟烷氧基中的任一种。更好是碳数1~12的烷基或碳数1~12的烷氧基中的任一种。进一步更好是碳数1~9的烷基或碳数1~9的烷氧基中的任一种。
以式(1)表示的烷氧基硅烷的R2为碳数1~5、较好是1~3的烷基。更好是R2为甲基或乙基。
下面,作为以式(1)表示的烷氧基硅烷的具体例子例举式[1-1]~[1-3],但并不仅限于此。下述式[1-1]~[1-3]中的R2与式(1)中的R2相同。
[化4]
[化5]
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
式[1-19]~式[1-21]中,R5表示-O-、-OCH2-、-CH2O-、-COOCH2-或-CH2OCO-,R6为碳数1~22的烷基、烷氧基、含氟烷基或含氟烷氧基。
[化10]
式[1-22]~式[1-24]中,R7表示单键、-COO-、-OCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-(CH2)nO-、-OCH2-或-CH2-,n为1~5的整数,R8为碳数1~22的烷基、烷氧基、含氟烷基或含氟烷氧基。
[化11]
式[1-25]和式[1-26]中,R9表示-COO-、-OCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2-或-O-,R10表示氟基、氰基、三氟甲基、硝基、偶氮基、甲酰基、乙酰基、乙酰氧基或羟基。
[化12]
式[1-27]和式[1-28]中,R11为碳数3~12的烷基,对于1,4-亚环己基的顺-反异构,分别为反式异构体。
[化13]
式[1-29]和式[1-30]中,R12为碳数3~12的烷基,对于1,4-亚环己基的顺-反异构,分别为反式异构体。
[化14]
式[1-31]中,B4为可被氟原子取代的碳数3~20的烷基,B3为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基,B2为氧原子或-COO-*,其中,带“*”的键与B3结合,B1为氧原子或-COO-*,其中,带“*”的键与(CH2)a2结合。此外,a1为0或1的整数,a2为2~10的整数,a3为0或1的整数。
以式(1)表示的烷氧基硅烷可以根据制成硅氧烷聚合物(聚硅氧烷)时的对溶剂的溶解性、制成液晶取向膜时的液晶取向性、预倾角特性、电压保持率、积聚电荷等特性,使用一种或两种以上混合使用。此外,也可并用含碳数10~18的长链烷基的烷氧基硅烷。
这样的以式(1)表示的烷氧基硅烷可通过例如日本专利特开昭61-286393号公报中所记载的公知方法制造。
为了获得良好的液晶取向性,以式(1)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷、即烷氧基硅烷成分中,较好是在1摩尔%以上,更好是在1.5摩尔%以上,进一步更好是在2摩尔%以上。此外,为了使所形成的液晶取向膜具有充分的固化特性,较好是在30摩尔%以下,更好是在25摩尔%以下。
式(3)表示的烷氧基硅烷的R21、R22、R23分别独立为-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph(即-C6H5)、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H或由它们的组合形成的取代基。较好是R21、R22、R23为-OCH3或-OC2H5。
式(3)表示的烷氧基硅烷的R24表示氢原子或甲基。
式(3)表示的烷氧基硅烷的Y21为单键或者可含双键的碳数1~8的直链状或分支状的烃基。较好是Y21为单键或者碳数3~5的直链状烃基。
式(3)表示的烷氧基硅烷的Y22为选自单键、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-和-OCONH-的结合基团。更好是Y22为单键。
Y23为单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,较好是Y23为单键。
Y24为单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,较好是Y24为单键或者碳数1~3的直链状的烃基。
Y25为单键、-O-或者-NZ2-。并且,Z2表示氢原子、碳数1~18的直链状或分支状的烃基、芳香族环基或者脂肪族环基,较好是Y25为单键、-O-或者-NH-。
Cy表示选自下述基团的在任意的取代位置结合形成的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被选自碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、氰基、氟原子和氯原子的取代基取代。较好是Cy为苯环、联苯环。“在任意的取代位置结合形成的2价环状基团”是指下述的环状基团的2根键的位置任意。
[化15]
Z1表示可含芳香族环基或脂肪族环基的碳数1~18的直链状或分支状的2价烃基。
式(1)表示的烷氧基硅烷、式(3)表示的烷氧基硅烷可分别为1种或2种以上。
关于使用使所述式(1)表示的烷氧基硅烷和式(3)表示的烷氧基硅烷反应而得的引入有特定的侧链和光反应性基团的聚硅氧烷(A)的液晶取向剂为何能兼顾响应速度特性和良好的垂直取向性(垂直取向力)而使两种特性均显著优异并不清楚,但推测通过使用具有来源于式(1)表示的烷氧基硅烷的发挥垂直取向性(倾斜)且拥有与液晶骨架类似的结构的侧链、以及来源于式(3)表示的烷氧基硅烷的拥有环状基团和(甲基)丙烯酰基的侧链的聚硅氧烷(A),兼顾了通常呈二律背反关系的响应速度和垂直取向性。
此外,本发明的液晶取向剂所含的聚硅氧烷与昂贵的聚酰亚胺类相比,成本更低,因此本发明的液晶取向剂可低成本地制造,通用性强。
各烷氧基硅烷的配比无特别限定,但为了获得良好的液晶取向性,以式(1)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的作为原料的全部烷氧基硅烷、即烷氧基硅烷成分中,较好是2~20摩尔%,特别好是3~15摩尔%。此外,以式(3)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分中较好是5~30摩尔%。
此外,聚硅氧烷(A)的制造中,除了以式(1)表示的烷氧基硅烷和式(3)表示的烷氧基硅烷以外,还可将以上式(4)表示的烷氧基硅烷作为原料。即,作为用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分,还可使用以上式(4)表示的烷氧基硅烷。
以式(4)表示的烷氧基硅烷的R3为氢原子被丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基或苯乙烯基取代的烷基。所取代的氢原子为1个以上,较好是1个。烷基的碳数较好是1~30,更好是1~20,进一步更好是1~10。
以式(4)表示的烷氧基硅烷的R4是碳数1~5的烷基,较好是碳数1~3,特别好是碳数1~2。
下面例举以式(4)表示的烷氧基硅烷的具体例子,但并不仅限于这些化合物。例如,可例举3-甲基丙烯酰基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基甲基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基甲基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、丙烯酰氧基乙基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基乙基三乙氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三乙氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷。
以式(4)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分中较好是5~80摩尔%,特别好是10~70摩尔%。此外,式(4)表示的烷氧基硅烷可以是1种或2种以上。
此外,聚硅氧烷(A)的制造中,除了以式(1)表示的烷氧基硅烷和式(3)表示的烷氧基硅烷以外,以与基板的密合性、与液晶分子的亲和性改善等为目的,只要不破坏本发明的效果,也可将以上式(6)表示的烷氧基硅烷作为原料。即,作为用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分,还可使用以上式(6)表示的烷氧基硅烷。以式(6)表示的烷氧基硅烷可赋予聚硅氧烷以各种特性,因此可根据所需特性选择一种或多种使用。此外,以式(6)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷的烷氧基硅烷成分中较好是1~20摩尔%。
以式(6)表示的烷氧基硅烷的R13是氢原子或者氢原子可被杂原子、卤素原子、氨基、环氧丙氧基、巯基、异氰酸酯基、脲基取代的碳数1~10的烃基,较好是氨基、环氧丙氧基、脲基。R14为碳数1~5、较好是1~3的烷基,n2表示0~3、较好是0~2的整数。
下面例举这样的以式(6)表示的烷氧基硅烷的具体例子,但并不仅限于此。例如,可例举3-(2-氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基丙基)三乙氧基硅烷、2-氨基乙基氨基甲基三甲氧基硅烷、2-(2-氨基乙基硫乙基)三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、巯基甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、溴丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、γ-脲基丙基三甲氧基硅烷和γ-脲基丙基三丙氧基硅烷等。
以式(6)表示的烷氧基硅烷中,n2为0的烷氧基硅烷是四烷氧基硅烷。四烷氧基硅烷容易与以式(1)、(3)或(4)表示的烷氧基硅烷发生缩聚反应,所以在获得本发明的液晶取向剂所含的聚硅氧烷(A)时优选。
作为所述式(6)中n2为0的烷氧基硅烷,更好是四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷,特别好是四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。
n2为1~3的以式(6)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分中较好是1~20摩尔%,特别好是1~10摩尔%。此外,n2为0的以式(6)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(A)的烷氧基硅烷成分中较好是1~50摩尔%,特别好是5~40摩尔%。另外,式(6)表示的烷氧基硅烷可以是1种或2种以上。
<其它的聚硅氧烷>
此外,本发明的液晶取向剂在包含聚硅氧烷(A)的同时,还可包含其它的聚硅氧烷。作为其它的聚硅氧烷,可例举聚硅氧烷(B),即,使包括以上式(5)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷。作为聚硅氧烷(B)的原料的聚硅氧烷成分包含较好是20~100摩尔%、更好是50~100摩尔%的以式(5)表示的烷氧基硅烷。
作为以式(5)表示的烷氧基硅烷,较好是四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷,特别好是四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。
此外,聚硅氧烷(B)可以是使除了以式(5)表示的烷氧基硅烷之外还包括以式(7)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷。包含使包括以式(7)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷(B)的液晶取向剂的垂直取向力特别高,是理想的。
R16Si(OR17)3 (7)
以式(7)表示的烷氧基硅烷的R16为碳数1~5的烷基。烷基的碳数较好是1~4,更好是1~3,
以式(7)表示的烷氧基硅烷的R17是碳数1~5的烷基,较好是碳数1~3,特别好是碳数1~2。
下面例举以式(7)表示的烷氧基硅烷的具体例子,但并不仅限于这些化合物。例如,可例举甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二甲基三甲氧基硅烷、二甲基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷。
此外,聚硅氧烷(B)可以是使除了以式(5)表示的烷氧基硅烷之外还包括以上式(4)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷。
为了通过使用未添加聚合性化合物的液晶并在施加电压的同时照射UV(紫外线)来提高液晶显示元件的响应速度,以式(4)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(B)的烷氧基硅烷成分中较好是在10摩尔%以上,更好是在20摩尔%以上,进一步更好是在30摩尔%以上。此外,为了使所形成的液晶取向膜充分固化,较好是在75摩尔%以下。
以赋予与基板的密合性、与液晶分子的亲和性的改善等各种特性为目的,只要不破坏本发明的效果,聚硅氧烷(B)可以是使包括以上式(6)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷。
以式(6)表示的烷氧基硅烷在用于获得聚硅氧烷(B)的烷氧基硅烷成分中较好是1~20摩尔%,特别好是1~10摩尔%。
作为聚硅氧烷(B)的原料的以式(5)表示的烷氧基硅烷、式(6)表示的烷氧基硅烷、以式(7)表示的烷氧基硅烷和式(4)表示的烷氧基硅烷可分别为1种或2种以上。
包含聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)等其它的聚硅氧烷的液晶取向剂的聚硅氧烷的配比无特别限定,相对于液晶取向剂所含的全部聚硅氧烷量,较好是聚硅氧烷(A)在10质量%以上。例如,以质量比计,较好是聚硅氧烷(A):聚硅氧烷(B)=10:90~50:50。
<聚硅氧烷的制造方法>
获得用于本发明的聚硅氧烷的方法无特别限定,使烷氧基硅烷成分反应即可。例如,聚硅氧烷(A)可使包括上述的以式(1)表示的烷氧基硅烷及以式(3)表示的烷氧基硅烷作为必需成分的烷氧基硅烷成分在有机溶剂中反应(例如缩聚反应)而获得。通常,聚硅氧烷作为将所述的烷氧基硅烷成分缩聚并均匀溶解于有机溶剂而得的溶液获得。
作为将烷氧基硅烷缩聚来获得聚硅氧烷的方法,可例举例如将烷氧基硅烷在醇或二醇等溶剂中进行水解、缩合的方法。此时,水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下,理论上只要添加烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可,但通常添加以摩尔计超过0.5倍的过量的水。
本发明中,上述反应中使用的水量可以根据需要适当选择,但通常较好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5~2.5倍摩尔。
此外,为了促进水解缩合反应,通常可使用下述催化剂:盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、甲酸、乙二酸、马来酸、富马酸等酸,氨、甲胺、乙胺、乙醇胺、三乙胺等碱,盐酸、硫酸、硝酸等的金属盐等。除此之外,通过加热溶解有烷氧基硅烷的溶液来进一步促进水解缩合反应也是常用的方法。这时,加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如,可例举在50℃加热搅拌24小时或者在回流下加热搅拌1小时等方法。
此外,作为其它方法,可例举例如加热烷氧基硅烷、溶剂和乙二酸的混合物来进行缩聚的方法。具体来说,是预先在醇中加入乙二酸而制成乙二酸的醇溶液后,在加热该溶液的状态下混合烷氧基硅烷的方法。这时,乙二酸的使用量相对于烷氧基硅烷所具有的全部烷氧基1摩尔较好是0.2~2摩尔。该方法中的加热可在50~180℃的液温下进行。较好是在不发生液体的蒸发、挥散等的条件下在回流下加热数十分钟~十数小时的方法。
本发明中,获得聚硅氧烷时,使用多种烷氧基硅烷,可作为烷氧基硅烷预先混合而得的混合物进行混合,也可以依次混合多种的烷氧基硅烷。即,对使烷氧基硅烷成分反应的顺序无限定,例如,可使烷氧基硅烷成分一次全部反应,也可在使一部分烷氧基硅烷反应后,添加其它的烷氧基硅烷而使其反应。具体来说,例如,可将以式(1)表示的烷氧基硅烷、以式(3)表示的烷氧基硅烷和以式(4)表示的烷氧基硅烷混合而使其进行缩聚反应,也可使以式(1)表示的烷氧基硅烷和式(4)表示的烷氧基硅烷进行缩聚反应后,添加以式(3)表示的烷氧基硅烷使其反应。
将烷氧基硅烷缩聚时所用的溶剂(以下也称聚合溶剂)只要是溶解烷氧基硅烷的溶剂即可,无特别限定。此外,即使烷氧基硅烷不溶解的情况下,只要是可在烷氧基硅烷的缩聚反应进行的同时溶解的溶剂即可。通常,通过烷氧基硅烷的缩聚反应生成醇,因此可使用醇类、二醇类、二醇醚类或与醇类的相溶性良好的有机溶剂。
作为这样的聚合溶剂的具体例子,可例举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、双丙酮醇等醇类;乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、己二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-戊二醇、1,3-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、2,3-戊二醇、1,6-己二醇等二醇类;乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚等二醇醚类;N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、γ-丁内酯、二甲亚砜、四甲基脲、六甲基磷酰三胺、间甲酚等。
本发明中,上述的聚合溶剂可多种混合使用。
通过上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液(以下也称聚合溶液)中,将作为原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子换算为SiO2而得的浓度(以下称为SiO2换算浓度)较好是在20质量%以下,更好是5~15质量%。通过在该浓度范围内选择任意的浓度,可抑制凝胶的生成,获得均质的溶液。
<液晶取向剂>
本发明的液晶取向剂是包含上述的聚硅氧烷(A)、根据需要采用的其它的聚硅氧烷和其它成分的溶液。聚硅氧烷(A)、根据需要加入的聚硅氧烷(B)等其它的聚硅氧烷和其它成分呈均匀混合的状态即可。例如,可将通过上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液等反应液直接作为液晶取向剂,也可以根据需要将通过上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液等反应液浓缩或者加溶剂稀释或置换成其它溶剂后作为液晶取向剂。这时,作为溶剂,可使用选自上述聚硅氧烷的聚合溶剂和添加溶剂的溶剂。添加溶剂只要可均匀溶解聚硅氧烷即可,无特别限定,可任意选择一种或多种使用。作为这样的添加溶剂的具体例子,可例举丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类,乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯等酯类。这些溶剂可实现液晶取向剂的粘度调整或者提高通过旋涂、胶版印刷、喷墨等将液晶取向剂涂布于基板时的涂布性。
液晶取向剂中的聚硅氧烷的含量以SiO2换算浓度计较好是0.5~15重量%,更好是1~6重量%。如果是这样的SiO2换算浓度的范围,则容易通过一次涂布获得所需的膜厚,易于获得足够的溶液的使用期限。
此外,调整液晶取向剂中的聚硅氧烷的含量时,可使用选自上述的聚硅氧烷的聚合溶剂和添加溶剂的溶剂。
本发明的液晶取向剂中,只要不破坏本发明的效果,可包含聚硅氧烷以外的其它成分,例如无机微粒、金属氧烷(metaloxane)低聚物、金属氧烷聚合物、均平剂、表面活性剂等成分。
作为无机微粒,较好是二氧化硅微粒、氧化铝微粒、氧化钛微粒或氟化镁微粒等微粒,特别好是呈胶体溶液状态的微粒。该胶体溶液可以是将无机微粒分散于分散介质而得的溶液,也可以是市售品的胶体溶液。本发明中,通过包含无机微粒,可赋予所形成的固化被膜的表面形状及其它功能。无机微粒的平均粒径优选0.001~0.2μm,更优选0.001~0.1μm。无机微粒的平均粒径大于0.2μm的情况下,使用所制成的涂布液形成的固化被膜的透明性可能会下降。
作为无机微粒的分散介质,可例举水和有机溶剂。作为胶体溶液,从被膜形成用涂布液的稳定性的角度来看,较好是pH或pKa调整至1~10,更好是2~7。
作为用于胶体溶液的分散介质的有机溶剂,可例举甲醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、二乙二醇、二丙二醇、乙二醇单丙醚等醇类,甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类,甲苯、二甲苯等芳香烃类,二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类,乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等酯类,四氢呋喃、1,4-二烷等醚类等。其中,较好是醇类或酮类。这些有机溶剂可以单独或2种以上混合后用作分散介质。
作为金属氧烷低聚物、金属氧烷聚合物,可使用硅、钛、铝、钽、锑、铋、锡、铟、锌等的单独的氧化物前体或复合氧化物前体。作为金属氧烷低聚物、金属氧烷聚合物,可以是市售品,也可以是由金属醇盐、硝酸盐、盐酸盐、羧酸盐等单体通过水解等常规方法得到的化合物。
作为市售品的金属氧烷低聚物、金属氧烷聚合物的具体例子,可例举柯尔扣特株式会社(コルコート社)制的硅酸甲酯51、硅酸甲酯53A、硅酸乙酯40、硅酸乙酯48、EMS-485、SS-101等硅氧烷低聚物或硅氧烷聚合物,关东化学株式会社(関東化学社)制的正丁基钛四聚物等钛氧烷低聚物。它们可单独使用或2种以上混合使用。
此外,均平剂和表面活性剂等可使用公知的试剂,特别是市售品因容易获得而优选。
此外,在聚硅氧烷中混合上述的其它成分的方法可以是与聚硅氧烷同时混合,也可以在其后混合,无特别限定。
<液晶取向膜>
本发明的液晶取向膜使用本发明的液晶取向剂得到。本发明的液晶取向剂包含上述的聚硅氧烷(A),因此所得的本发明的液晶取向膜即使在使用不添加聚合性化合物的液晶并与PSA方式同样地进行处理而使UV照射后的响应速度提高的方式的液晶显示元件中,也可在不使垂直取向力下降的情况下使UV照射后的响应速度提高。
本发明中,例如也可以直接使用通过将本发明的液晶取向剂涂布于基板后根据需要进行干燥、烧成而得的固化膜作为液晶取向膜。此外,也可以对该固化膜进行取向处理,具体为摩擦,或者照射偏振光或特定波长的光等,或者进行离子束等的处理,或者在对填充液晶后的液晶显示元件施加电压的状态下照射UV。
作为涂布液晶取向剂的基板,只要是透明性高的基板即可,无特别限定,较好是基板上形成有用于驱动液晶的透明电极的基板。
若例举具体例子,可例举玻璃板或聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚氨酯、聚砜、聚醚、聚醚酮、三甲基戊烯、聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、(甲基)丙烯腈、三乙酰基纤维素、二乙酰基纤维素、醋酸丁酸纤维素等的塑料板等和在其上形成有透明电极的基板。
作为液晶取向剂的涂布方法,可例举旋涂法、印刷法、喷墨法、喷涂法、辊涂法等,从生产性的角度来看工业上广泛采用转印印刷法,本发明中也优选使用。
涂布液晶取向剂后的干燥工序并不一定需要,但从涂布后到烧成为止的时间对于各基板不恒定或者涂布后不立即烧成的情况下,较好是包括干燥工序。该干燥只要除去溶剂至涂膜形状不会因基板搬运等而发生变形的程度即可,对于其干燥方法无特别限定。例如,可例举在温度为40℃~150℃、较好是60℃~100℃的热板上干燥0.5~30分钟、较好是1~5分钟的方法。
通过上述的方法涂布液晶取向剂而形成的涂膜可进行烧成而制成固化膜。这时,烧成温度可以是100℃~350℃的任意温度,较好是140℃~300℃,更好是150℃~230℃,进一步更好是160℃~220℃。烧成时间可以是5分钟~240分钟的任意时间。较好是10~90分钟,更好是20~80分钟。加热可以使用通常公知的方法,例如热板、热风循环烘箱、IR炉、带式炉等。
液晶取向膜中的聚硅氧烷在烧成工序中进行缩聚。但是,本发明中,只有不破坏本发明的效果,不需要使其完全缩聚。较好是在比液晶晶胞制造工序中所需的密封剂固化等的热处理温度高10℃以上的温度下进行烧成。
该固化膜的厚度可根据需要选择,较好是5nm以上、更好是10nm以上的情况下,易于获得液晶显示元件的可靠性,所以优选。此外,固化膜的厚度较好是300nm以下、更好是150nm以下的情况下,液晶显示元件的耗电量不会过高,所以优选。
<液晶显示元件>
本发明的液晶显示元件可通过上述的方法在基板上形成液晶取向膜后以公知的方法制作液晶晶胞来获得。若例举液晶晶胞制作的一例,通常为将形成有液晶取向膜的1对基板夹着间隔物用密封剂固定后注入液晶并密封的方法。这时使用的间隔物的尺寸为1~30μm,较好是2~10μm。
注入液晶的方法无特别限定,可例举使制成的液晶晶胞内呈减压状态后注入液晶的真空法、滴加液晶后进行密封的滴加法等。
通过在对导入了液晶的液晶晶胞的两侧基板的电极间施加电压的状态下进行UV照射,液晶取向膜中的丙烯酰基、甲基丙烯酰基在该情况下聚合而交联,从而液晶显示器的响应速度加快。在此,施加的电压为5~50Vp-p,较好是5~30Vp-p。照射的UV照射量为1~60J,较好是在40J以下,UV照射量少时,可抑制构成液晶显示器的构件的破坏导致的可靠性下降,且使UV照射时间缩短,从而制造上的运转率提高,所以优选。
作为用于液晶显示元件的基板,只要是透明性高的基板即可,无特别限定,通常是基板上形成有用于驱动液晶的透明电极的基板。具体例子与上述的<液晶取向膜>中记载的基板相同。即使是标准的PVA和MVA等电极图案和突起图案也可使用。即使是与PSA方式的液晶显示器同样在一侧基板上形成1~10μm的线状/狭缝电极图案、在相对基板上未形成狭缝图案或突起图案的结构也能够运转,通过该结构的液晶显示器,能够简化制造时的工艺,获得高透射率。
此外,在TFT型元件等高性能元件中,使用在用于液晶驱动的电极和基板之间形成有晶体管元件的构件。
透射型液晶元件的情况下,一般使用如上所述的基板,反射型液晶显示元件的情况下,也可仅在一侧基板使用反射光的铝等材料,还能使用硅晶片等不透明的基板。
实施例
以下,通过本发明的实施例进行更具体的说明,但不应解释为仅限于这些实施例。本实施例中使用的缩写如下。此外,式中,Me表示甲基,Et表示乙基。
TEOS:四乙氧基硅烷
C18:十八烷基三乙氧基硅烷
MPMS:3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
M8MS:3-甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷
MTES:甲基三乙氧基硅烷
HG:2-甲基-2,4-戊二醇(别称:己二醇)
BCS:2-丁氧基乙醇
UPS:3-脲基丙基三乙氧基硅烷
THF:四氢呋喃
DMF:N,N-二甲基甲酰胺
<化合物合成例1>下述化合物(c)的合成
[化16]
向具备磁力搅拌器的500ml四口烧瓶中加入30.00g化合物(a)、25.24g碳酸钾、120g的DMF,在室温下滴加22.10g烯丙基溴。然后,在50℃搅拌11小时。反应液用500g乙酸乙酯稀释,将有机相用200g的纯水清洗3次。用硫酸钠使有机相干燥,将其过滤后,将滤液浓缩干燥,获得34.80g化合物(b)(收率100%)。所得的化合物(b)的1H-NMR的测定结果如下所示。
1H-NMR(400MHz)CDCl3:0.90ppm(t,J=7.2Hz,3H),0.99-1.09ppm(m,2H),1.18-1.46ppm(m,11H),1.84-1.89ppm(m,4H),2.37-2.44ppm(m,1H),4.51ppm(dt,J=5.4Hz,1.6Hz,2H),5.26ppm(dq,J=10.6Hz,1.6Hz,1H),5.40ppm(dq,J=17.2Hz,1.6Hz,1H),6.07ppm(ddd,J=17.2Hz,10.6Hz,5.4Hz,1H),6.83ppm(dd,J=8.8Hz,2.9Hz,2H),7.10ppm(dd,J=8.8Hz,2.9Hz,2H)
向具备磁力搅拌器的300ml四口烧瓶中加入20.00g化合物(b)、120g甲苯,在室温下进行搅拌。接着,添加700μl卡斯特催化剂(铂(0)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物0.1mol/L二甲苯溶液)后,滴加12.4ml三甲氧基硅烷。在室温下搅拌29小时后,将反应液浓缩干燥,获得粗制品。将其减压蒸馏,以外温245℃/压力0.8托的条件馏出,获得12.15g化合物(c)(收率43%)。所得的化合物(c)的1H-NMR的测定结果如下所示。
1H-NMR(400MHz)CDCl3:0.76-0.82ppm(m,2H),0.89ppm(t,J=7.2Hz,3H),0.98-1.08ppm(m,2H),1.18-1.45ppm(m,11H),1.84-1.93ppm(m,6H),2.36-2.43ppm(m,1H),3.58ppm(s,9H),3.91ppm(t,J=6.8Hz,2H),6.81ppm(d,J=8.8Hz,2H),7.08ppm(d,J=8.8Hz,2H)
<化合物合成例2>下述化合物(e)的合成
[化17]
向具备磁力搅拌器的500ml四口烧瓶中加入化合物(d)(20.01g)、甲苯(120g)、卡斯特催化剂(铂(0)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物二甲苯溶液(铂浓度2%))(1.36g)。将其在室温下进行搅拌的同时,滴加三甲氧基硅烷(14.15g),进行1小时的反应。接着,冷却至5~10℃,向反应液中加入三乙胺(13.57g)。将其在5~10℃进行搅拌的同时,滴加使甲基丙烯酰氯(13.38g)溶解于甲苯(40g)而得的溶液,进行1小时的反应。减压抽滤反应析出的固体,将滤液用乙酸乙酯(500g)稀释。将该乙酸乙酯相用纯水(200g)清洗3次后,减压浓缩,获得化合物(e)的粗制品(39.63g)。将该粗制品通过减压蒸馏以外温226℃/压力0.8托的条件馏出,获得化合物(e)(5.99g)(收率:14%)。所得的化合物(e)的1H-NMR的测定结果如下所示。
1H-NMR(400MHz)CDCl3:0.67-0.72ppm(m,2H),1.72-1.78ppm(m,2H),2.06ppm(s,3H),2.63ppm(t,J=7.6Hz,2H),3.57ppm(s,9H),3.80ppm(s,3H),5.73ppm(t,J=1.6Hz,1H),6.35ppm(t,J=1.6Hz,1H),6.74-6.79ppm(m,2H),6.94ppm(d,J=7.6Hz,1H)
<合成例1>
<聚硅氧烷(A)的合成>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将15.9g HG、7.9gBCS、17.50g TEOS、3.5g化合物合成例1中得到的化合物(c)、19.9g MPMS和3.5g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合7.9g HG、4.0g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3g的HG和0.1g的BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S1)。
<聚硅氧烷(B)的合成>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将23.8g HG、7.9gBCS、37.1g TEOS和3.6g MTES混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合11.9g HG、4.0g BCS、10.8g水和0.4g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(U1)。
<液晶取向剂的制备>
将所得的液晶取向剂中间体(S1)和液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[K1]。
<合成例2>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将15.4g HG、7.7gBCS、17.50g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)、17.4g MPMS和7.1g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合7.7g HG、3.8g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流60分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S2)。
将所得的液晶取向剂中间体(S2)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[K2]。
<合成例3>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将14.5g HG、7.2gBCS、17.50g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)、12.4g MPMS和14.2g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合7.2g HG、3.6g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流60分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S3)。
将所得的液晶取向剂中间体(S3)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[K3]。
<合成例4>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将13.5g HG、6.8gBCS、17.50g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)、7.25g MPMS和21.3g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合6.7g HG、3.4g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流60分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S4)。
将所得的液晶取向剂中间体(S4)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[K4]。
<合成例5>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将15.8g HG、5.3gBCS、23.8g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)和21.3g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合7.9g HG、2.6g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流60分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂[K5]。
<合成例6>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将16.1g HG、5.4gBCS、21.7g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)、5.0g MPMS和17.7g化合物合成例2中得到的化合物(e)混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合8.1g HG、2.6g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流60分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂[K6]。
<比较合成例1>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将16.3g HG、8.2gBCS、17.50g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)和22.4g MPMS混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合8.2g HG、4.1g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3g的HG和0.1g的BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S5)。
将所得的液晶取向剂中间体(S5)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[L1]。
<比较合成例2>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将22.6g HG、7.5gBCS、39.2g TEOS和4.2g C18混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合11.3g HG、3.8g BCS、10.8g水和0.2g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3gHG和0.1g BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S6)。
将所得的液晶取向剂中间体(S6)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[L2]。
<比较合成例3>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将20.4g HG、6.8gBCS、22.5g TEOS、4.2g C18和19.9g MPMS混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合10.2g HG、3.4g BCS、10.8g水和1.3g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂中间体(S7)。
将所得的液晶取向剂中间体(S7)和合成例1中得到的液晶取向剂中间体(U1)以质量比3:7的比例混合,获得SiO2换算浓度为4重量%的液晶取向剂[L3]。
<比较合成例4>
在装有温度计、回流管的200mL的四口反应烧瓶中,将16.3g HG、8.2gBCS、17.50g TEOS、9.8g化合物合成例1中得到的化合物(c)和22.4g MPMS混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下用30分钟向该溶液中滴加预先混合8.2g HG、4.1g BCS、10.8g水和1.8g作为催化剂的乙二酸而得的溶液,再在室温下搅拌30分钟。然后,用油浴加热回流30分钟后,加入预先准备的0.6g UPS含量92质量%的甲醇溶液、0.3g的HG和0.1g的BCS的混合液。再回流30分钟后放冷,获得SiO2换算浓度为12质量%的聚硅氧烷溶液。
将10.0g所得的聚硅氧烷溶液、20.0g BCS混合,获得SiO2换算浓度为4质量%的液晶取向剂[K4]。
<实施例1>
将合成例1中获得的液晶取向剂[K1]旋涂于像素尺寸为100×300微米、形成有线/空隙分别为5微米的ITO电极图案的ITO电极基板的ITO面上。在80℃的热板上干燥2分钟后,在200℃的热风循环式炉内烧成30分钟,形成膜厚为100nm的液晶取向膜。此外,将合成例1中得到的液晶取向剂[K1]旋涂于未形成电极图案的ITO面,通过80℃的加热板干燥2分钟后,与上述基板同样地通过200℃的热风循环式炉进行30分钟的烧成,形成膜厚100nm的液晶取向膜。准备这样2块基板,在其中一块基板的液晶取向膜面上散布4μm的珠状间隔物后,在其上印刷密封剂。以另一块基板的液晶取向膜面为内侧的方式贴合后,使密封剂固化而制得空晶胞。通过减压注入法在空晶胞内注入液晶MLC-6608(默克公司(メルク社)制商品名),制作注入有所述液晶的液晶晶胞1。通过后述的方法测定了该液晶晶胞1的响应速度特性。
然后,在对该液晶晶胞1施加20V的DC电压的状态下,从该液晶晶胞的外侧照射5J的UV。然后,再次测定响应速度特性,比较UV照射前后的响应速度。其结果示于表1。
另一方面,对上述的液晶晶胞1(即,未在施加20V的DC电压的状态下从液晶晶胞的外侧照射5J的UV的液晶晶胞)用100℃的循环式烘箱进行30分钟的退火。在使偏振片呈正交尼科尔的状态下,对取出的液晶晶胞进行显微镜观察,观察液晶的取向混乱的畴(日文:ドメイン)的状态。其结果一并示于表1。液晶取向力低的情况下,退火后观察到大量畴,液晶取向性高的情况下,退火后观察不到畴。
<实施例2>
除了将液晶取向剂[K1]更改为合成例2中得到的液晶取向剂[K2]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<实施例3>
除了将液晶取向剂[K1]更改为合成例3中得到的液晶取向剂[K3]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<实施例4>
除了将液晶取向剂[K1]更改为合成例4中得到的液晶取向剂[K4]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<实施例5>
除了将液晶取向剂[K1]更改为合成例5中得到的液晶取向剂[K5]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<实施例6>
除了将液晶取向剂[K1]更改为合成例6中得到的液晶取向剂[K6]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<比较例1>
除了将液晶取向剂[K1]更改为比较合成例1中得到的液晶取向剂[L1]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<比较例2>
除了将液晶取向剂[K1]更改为比较合成例2中得到的液晶取向剂[L2]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<比较例3>
除了将液晶取向剂[K1]更改为比较合成例3中得到的液晶取向剂[L3]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
<比较例4>
除了将液晶取向剂[K1]更改为比较合成例4中得到的液晶取向剂[L4]以外,与实施例1同样地制成液晶晶胞,测定响应速度,观察退火后的取向混乱的畴。其结果示于表1。
[响应速度特性的测定]
用示波器读取对于液晶晶胞施加±5V的AC(交流)电压、频率1kHz的矩形波时的液晶面板的亮度随时间的变化。将未施加电压时的亮度设为0%,施加±5V的电压,将饱和亮度值设为100%,将亮度达到10%~90%为止的时间作为启动的响应速度。
[表1]
退火后的畴观察结果
×:观察到大量畴
○:观察到1~3个左右的畴(良好)
◎:完全未观察到畴(非常好)
如表1所示,使用包含聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的液晶取向剂的实施例1~4中,UV照射后的响应速度低于20ms,非常快,且退火后的畴观察也显示非常良好的结果。使用包含聚硅氧烷(A)的液晶取向剂的实施例5~6中,同样UV照射后的响应速度低于20ms,非常快,且退火后的畴观察也显示非常良好的结果。另一方面,使用不含聚硅氧烷(A)的液晶取向剂的比较例1~4中,未能使响应速度和畴观察结果都良好。
工业上利用的可能性
使用本发明的液晶取向剂制成的液晶显示元件即使是使用不添加聚合性化合物的液晶并与PSA方式同样地进行处理而使UV照射后的响应速度提高的方式的液晶显示元件,也可在不使垂直取向力下降的情况下使UV照射后的响应速度提高。因此,对通过上述方法制造的TFT(薄膜晶体管)液晶显示元件、TN(扭转取向)液晶显示元件、VA液晶显示元件等有用。
Claims (8)
1.液晶取向剂,其特征在于,包含下述的聚硅氧烷(A);
聚硅氧烷(A):使包括以下式(1)表示的烷氧基硅烷及以下式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
R1Si(OR2)3 (1)
R1表示以下式(2)的结构,R2表示碳数1~5的烷基,
[化1]
式(2)中,Y1为单键、-(CH2)a-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-,a为1~15的整数,Y2为单键、含双键的碳数3~8的直链状或分支状的烃基或者-(CR17R18)b-,b为1~15的整数,R17、R18分别独立表示氢原子或碳数1~3的烷基,Y3为单键、-(CH2)c-、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-,c为1~15的整数,Y4为单键、选自苯环、环己环和杂环的2价环状基团或者具有类固醇骨架的碳数12~25的2价有机基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子取代,Y5为选自苯环、环己环和杂环的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、碳数1~3的含氟烷基、碳数1~3的含氟烷氧基或氟原子取代,n1为0~4的整数,Y6表示氢原子、碳数1~18的烷基、碳数1~18的含氟烷基、碳数1~18的烷氧基或碳数1~18的含氟烷氧基,
[化2]
R21、R22、R23分别独立表示-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H或由它们的组合形成的取代基,R24表示氢原子或甲基,Y21表示单键或者可含双键的碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y22表示选自单键、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-和-OCONH-的结合基团,Y23表示单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y24表示单键或者碳数1~8的直链状或分支状的烃基,Y25表示单键、-O-或-NZ2-,Z2表示氢原子、碳数1~18的直链状或分支状的烃基、芳香族环基或者脂肪族环基,Cy表示选自下述基团的在任意的取代位置结合形成的2价环状基团,这些环状基团上的任意的氢原子可被选自碳数1~3的烷基、碳数1~3的烷氧基、氰基、氟原子和氯原子的取代基取代,
[化3]
Z1表示可含芳香族环基或脂肪族环基的碳数1~18的直链状或分支状的2价烃基。
2.如权利要求1所述的液晶取向剂,其特征在于,烷氧基硅烷成分还包括以下式(4)表示的烷氧基硅烷;
R3Si(OR4)3 (4)
R3为氢原子被丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基或苯乙烯基取代的碳数1~30的烷基,R4表示碳数1~5的烷基。
3.如权利要求1或2所述的液晶取向剂,其特征在于,还包含下述的聚硅氧烷(B);
聚硅氧烷(B):使包括以下式(5)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
Si(OR15)4 (5)
R15表示碳数1~5的烷基。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的液晶取向剂,其特征在于,聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)中的至少一种是使还包括以下式(6)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷成分反应而得的聚硅氧烷,
(R13)n2Si(OR14)4-n (6)
式(6)中,R13为氢原子或者氢原子可被杂原子、卤素原子、氨基、环氧丙氧基、巯基、异氰酸酯基、脲基取代的碳数1~10的烃基,R14为碳数1~5的烷基,n2表示0~3的整数。
5.液晶取向膜,其特征在于,将权利要求1~4中的任一项所述的液晶取向剂涂布于基板并烧成而得。
6.液晶显示元件,其特征在于,具有权利要求5所述的液晶取向膜。
7.液晶显示元件,其特征在于,具备在施加电压的状态下向以涂布权利要求1~4中的任一项所述的液晶取向剂并烧成的2块基板夹持着液晶的液晶晶胞照射UV而得的构件。
8.液晶显示元件的制造方法,其特征在于,包括下述工序:以涂布权利要求1~4中的任一项所述的液晶取向剂并烧成的2块基板夹持液晶而制成液晶晶胞,在向该液晶晶胞施加电压的状态下照射UV。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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