TW201411251A - 液晶配向劑、液晶配向膜、液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法 - Google Patents

液晶配向劑、液晶配向膜、液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201411251A
TW201411251A TW102127429A TW102127429A TW201411251A TW 201411251 A TW201411251 A TW 201411251A TW 102127429 A TW102127429 A TW 102127429A TW 102127429 A TW102127429 A TW 102127429A TW 201411251 A TW201411251 A TW 201411251A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
group
carbon atoms
crystal alignment
polyoxyalkylene
Prior art date
Application number
TW102127429A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI534511B (zh
Inventor
Kenji Sakamoto
Daisuke Sakuma
Jun Hashimoto
Koji Hiraga
Kenichi Motoyama
Original Assignee
Nissan Chemical Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Ind Ltd filed Critical Nissan Chemical Ind Ltd
Publication of TW201411251A publication Critical patent/TW201411251A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI534511B publication Critical patent/TWI534511B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133742—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homeotropic alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本發明係關於一種液晶配向劑，其係使含有式(1)所表示之烷氧基矽烷及式(3)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷(A)。R1Si(OR2)3 (1) R1表示下述式(2)之構造，R2表示碳數1~5之烷基。□□

Description

液晶配向劑、液晶配向膜、液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法
本發明係關於一種含有使烷氧基矽烷反應而得之聚矽氧烷之液晶配向劑，及由前述液晶配向劑所得之液晶配向膜，以及具有該液晶配向膜之液晶顯示元件。
近年來，在液晶顯示元件之顯示方式之中，亦以垂直(VA)方式之液晶顯示元件在大畫面之液晶電視或高精細行動用途(數位相機或行動電話之顯示部)等上受到廣泛利用。VA方式中係已知有、在TFT基板或濾色器基板上形成用以控制液晶傾倒方向之突起之MVA方式(Multi Vertical Alignment)，或在基板之ITO電極中形成狹縫且藉由電場控制液晶傾倒方向之PVA(Patterned Vertical Alignment)方式。作為其他配向方式，亦有PSA(Polymer Sustained Alignment)方式。VA方式之中，亦以PSA方式係為在近年來受到注目之技術。此方式係在液晶中添加光聚合性化合物，於液晶面板製成後，施加電場且在液晶傾倒之狀態下對液晶面板照射UV(紫外 線)。其結果係因聚合性化合物進行光聚合而使液晶之配向方向受到固定而產生預傾，進而提升應答速度。其特徵為即使係以構成液晶面板之單側之電極上製作狹縫，但在對向側之電極圖型上並未設置如MVA般之突起或PVA般之狹縫之構造仍亦可運作，且可取得製造之簡略化或優良面板穿透率(參照專利文獻1)。
但，此方式之液晶顯示元件中，添加至液晶之聚合性化合物之溶解性低，且若其添加量增加則會有在低溫時析出之問題。又另一方面，若減少聚合性化合物之添加量則變得無法取得良好配向狀態、應答速度。又，亦有殘留於液晶中之未反應聚合性化合物成為液晶中之雜質，而導致液晶顯示元件信賴性下降之問題。
因此，已提案有設置與液晶配向膜接觸之液晶層，該液晶配向膜係將使用有在聚合物分子中導入光反應性側鏈之聚合物之液晶配向劑塗佈於基板上並燒成而得者，且對此液晶層施加電壓並同時照射紫外線而製成液晶顯示元件，藉此即使不在液晶中添加聚合性化合物，仍可取得應答速度快之液晶顯示元件之技術(參照專利文獻2)。
〔先前技術文献〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2004-302061號公報
[專利文獻2]日本特開2011-95967號公報
在進行垂直配向之VA模式中，必須要有使其垂直配向用之強垂直配向力，但不使用聚合性化合物之該方式中，若使垂直配向力提升則UV照射後之應答速度變慢，若使UV照射後之應答速度提升，則使垂直配向力降低。即，垂直配向力與UV照射後之應答速度向上為取捨之關係。
本發明之課題在於提供一種可形成即使係在使用未添加聚合性化合物之液晶，與PSA方式同樣地進行處理且使UV照射後之應答速度提升之方式之液晶顯示元件中，可不使垂直配向力降低，且提升UV照射後之應答速度之液晶配向膜之液晶配向劑、由該液晶配向劑所得之液晶配向膜、具有該液晶配向膜之液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法。
本發明係具有以下要旨者。
[1]一種含有下述之聚矽氧烷(A)之液晶配向劑。聚矽氧烷(A)：使含有下述式(1)所表示之烷氧基矽烷及下述式(3)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷
R1Si(OR2)3 (1)
(R1表示下述式(2)之構造，R2表示碳數1~5之烷基)。
(式(2)中，Y1為單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-。Y2為單鍵、含有雙鍵之碳數3~8之直鏈狀或分支狀之烴基、或-(CR17R18)b-(b為1~15之整數。R17、R18各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基)。Y3為單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-。Y4為單鍵、選自苯環、環己基環及雜環之2價環狀基、或具有類固醇骨架之碳數12~25之2價有機基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代。Y5為選自由苯環、環己基環及雜環所成群之2價環狀基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代。n1表示0~4之整數。Y6為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基)。
(R21、R22、R23各自獨立表示-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H或由此等組合所構成之取代基。R24表示氫原子或甲基。Y21表示單鍵或亦可含有雙鍵之碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基。Y22表示選自單鍵、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-、及、-OCONH-之鍵結基。Y23表示單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基。Y24表示單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基。Y25表示單鍵、-O-、或-NZ2-，Z2表示氫原子、碳數1~18之直鏈狀或分支狀之烴基、芳香族環基或脂肪族環基。Cy表示選自下述之在任意取代位置上形成鍵結之2價環狀基，且在此等環狀基上之任意之氫原子亦可被選自碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、氰基、氟原子及氯原子者所取代)。
(Z1表示亦可含有芳香族環基或脂肪族環基之碳數1~18之直鏈狀或分支狀之2價烴基)。
[2]如[1]記載之液晶配向劑，其中烷氧基矽烷成分為更含有下述式(4)所表示之烷氧基矽烷。
R3Si(OR4)3 (4)
(R3表示氫原子被丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基或苯乙烯基所取代之碳數1~30之烷基，R4表示碳數1~5之烷基)。
[3]如[1]或[2]記載之液晶配向劑，其中更含有下述之聚矽氧烷(B)。
聚矽氧烷(B)：使含有下述式(5)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷
Si(OR15)4 (5)
(R15表示碳數1~5之烷基)。
[4]如[1]~[3]中任一記載之液晶配向劑，其中聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之至少一者係為使再更 包含下述式(6)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷。
(R13)n2Si(OR14)4-n (6)
(式(6)中，R13為氫原子，或氫原子亦可被雜原子、鹵素原子、胺基、環氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基、脲基所取代之碳數1~10之烴基，R14為碳數1~5之烷基，n2表示0~3之整數)。
[5]一種液晶配向膜，其係將如[1]~[4]中任一記載之液晶配向劑塗佈於基板上並燒成而得。
[6]一種液晶顯示元件，其係具有如[5]記載之液晶配向膜。
[7]一種液晶顯示元件，其特徵為具備在對液晶胞施加電壓之狀態下照射UV而製成者，該液晶胞係以2枚之基板挾持液晶者，該基板係塗佈有如[1]~[4]中任一記載之液晶配向劑並經燒成者。
[8]一種液晶顯示元件之製造方法，其特徵為具有以2枚之基板挾持液晶而製造液晶胞，且在對此液晶胞施加電壓之狀態下照射UV之步驟；該基板係塗佈有如[1]~[4]中任一記載之液晶配向劑並經燒成者。
依據本發明，可提供一種藉由使用未添加聚合性化合物之液晶且在與PSA方式同樣地照射UV，仍可 不使垂直配向力降低，且可使UV照射後之應答速度提升之液晶配向劑、由該液晶配向劑所得之液晶配向膜、以及具有該液晶配向膜之液晶顯示元件及液晶顯示元件之製造方法。
以下，詳細說明關於本發明。
<聚矽氧烷(A)>
本發明係為關於含有聚矽氧烷(A)之液晶配向劑之發明。且，聚矽氧烷(A)係使含有上述式(1)所表示之烷氧基矽烷與上述式(3)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷。
式(2)中，Y1為單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中之任一者。其中，由可容易地合成側鏈構造之觀點，亦以選自單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-中之任一者為佳。且，以選自單鍵、-(CH2)a-(a為1~10之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-中之任一者為較佳。
式(2)中，Y2為單鍵、含有雙鍵之碳數3~8之直鏈狀或分支狀之烴基、或、-(CR17R18)b-(b為1~15之整數，R17、R18係各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基)。其中，由更可顯著改善液晶顯示元件之應答速度之觀點，亦以-(CH2)b-(b為1~10之整數)為佳。
式(2)中，Y3為單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中之任一者。其中，由可容易地合成側鏈構造之觀點，亦以選自單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中之任一者為佳。且，亦以選自單鍵、-(CH2)c-(c為1~10之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-中之任一者為較佳。
式(2)中，Y4為單鍵、選自苯環、環己烷環及雜環所成群之環狀基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子中之任一者所取代。並且，Y4亦可作為具有類固醇骨架之碳數12~25之有機基的2價有機基。其中，亦以具有苯環、環己烷環或類固醇骨架中之任一者之碳數12~25之有機基為佳。
式(2)中、Y5為選自苯環、環己烷環或雜環所成群之2價環狀基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子中任一者所取代。
式(2)中，n1為0~4之整數。較佳為0~2之整數。
式(2)中，Y6為碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基中任一者。其中，亦以碳數1~18之烷基、碳數 1~10之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~10之含氟烷氧基中任一者為佳。較佳為碳數1~12之烷基或碳數1~12之烷氧基中任一者。更佳為碳數1~9之烷基或碳數1~9之烷氧基中任一者。
式(1)所表示之烷氧基矽烷之R2為碳數1~5，以1~3之烷基為佳。較佳係R2為甲基或乙基。
以下例舉式[1-1]~[1-31]作為式(1)所表示之烷氧基矽烷之具體例，但並非係此所限定者。尚且，下述式[1-1]~[1-31]中之R2係與式(1)中之R2相同。
(式[1-19]~式[1-21]中，R5表示-O-、-OCH2-、-CH2O-、-COOCH2-或-CH2OCO-，R6為碳數1~22之烷基、烷氧基、含氟烷基或含氟烷氧基)。
(式[1-22]~式[1-24]中，R7表示單鍵、-COO-、-OCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-(CH2)nO-(n為1~5之整數)、-OCH2-或CH2-，R8為碳數1~22之烷基、烷氧基、含氟烷基或含氟烷氧基)。
(式[1-25]及式[1-26]中，R9表示-COO-、-OCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2-或-O-，R10為氟基、氰基、三氟甲烷基、硝基、偶氮基、甲醯基、乙醯基、乙醯氧基或羥基)。
(式[1-27]及式[1-28]中，R11為碳數3~12之烷基，1,4-伸環己基之順-反異構係各別為反式異構物)。
(式[1-29]及式[1-30]中，R12為碳數3~12之烷基，1,4-伸環己基之順-反異構係各別為反式異構物)。
(式[1-31]中，B4為亦可被氟原子所取代之碳數 3~20之烷基，B3為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，B2為氧原子或-COO-＊(但，附有「＊」之鍵結處係與B3鍵結)，B1為氧原子或-COO-＊(但，附有「＊」之鍵結處係與(CH2)a2)鍵結)。又，a1為0或1之整數，a2為2~10之整數，a3為0或1之整數)。
式(1)所表示之烷氧基矽烷係可因應在作成矽氧烷聚合物(聚矽氧烷)時之對溶劑之溶解性、作成液晶配向膜時之液晶之配向性、預傾角特性、電壓保持率、累積電荷等之特性，而可使用1種類或亦可將2種類以上混合使用。又，亦可併用含有碳數10~18之長鏈烷基的烷氧基矽烷。
此般式(1)所表示之烷氧基矽烷係可藉由例如日本特開昭61-286393號公報中記載之公知之方法而製造。
式(1)所表示之烷氧基矽烷係取得聚矽氧烷(A)用之全烷氧基矽烷，即，為了取得良好液晶配向性，烷氧基矽烷成分中係以1莫耳%以上為佳。較佳為1.5莫耳%以上。更佳為2莫耳%以上。又，為了取得所形成之液晶配向膜之充分硬化特性，以30莫耳%以下為佳。較佳為25莫耳%以下。
式(3)所表示之烷氧基矽烷之R21、R22、R23係各自獨立為-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph(即-C6H5)、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H，或由此等之組合所構成之取代基。較佳係 R21、R22、R23為-OCH3或-OC2H5。
式(3)所表示之烷氧基矽烷之R24表示氫原子或甲基。
式(3)所表示之烷氧基矽烷之Y21為單鍵，或亦可含有雙鍵之碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基。較佳係Y21為單鍵或碳數3~5之直鏈狀烴基。
式(3)所表示之烷氧基矽烷之Y22為單鍵、選自-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-及-OCONH-之鍵結基。較佳係Y22為單鍵。
Y23為單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基，較佳係Y23為單鍵。
Y24為單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基，較佳係Y24為單鍵或碳數1~3之直鏈狀之烴基。
Y25為單鍵、-O-或-NZ2-。且，Z2表示氫原子、碳數1~18之直鏈狀或分支狀之烴基、芳香族環基或脂肪族環基。較佳係Y25為單鍵、-O-或-NH-。
Cy表示選自下述之在任意之取代位置上鍵結形成之2價環狀基，且此等之環狀基上之任意之氫原子亦可被選自碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、氰基、氟原子及氯原子者所取代。較佳係Cy為苯環、聯苯環。尚且，「任意之取代位置上鍵結形成之2價環狀基」係意指 下述之環狀基之2個鍵結處之位置可為任意者。
(Z1表示亦可含有芳香族環基或脂肪族環基之碳數1~18之直鏈狀或分支狀之2價烴基)。
式(1)所表示之烷氧基矽烷、式(3)所表示之烷氧基矽烷係分別可使用單1種類，亦可使用2種類以上。
使用此般使式(1)所表示之烷氧基矽烷及式(3)所表示之烷氧基矽烷反應而得之導入有特定側鏈與光反應性基之聚矽氧烷(A)之液晶配向劑為何可同時取得應答速度特性與良好垂直配向性(垂直配向力)，且任一之特性皆顯著良好之原因並非明確，推測係藉由使用具有源自式(1)所表示之烷氧基矽烷且展現垂直配向性(傾斜)且具有與液晶骨架類似構造之側鏈，及，源自式(3)所表示之烷氧基矽烷且具有環狀基及(甲基)丙烯 醯基之側鏈的聚矽氧烷(A)，而可同時取得通常為取捨關係之應答速度與垂直配向性。
又，本發明之液晶配向劑所含有之聚矽氧烷，與高價之聚醯亞胺系相比較為平價，故本發明之液晶配向劑可平價地製造且泛用性較高。
各烷氧基矽烷之配合比例並無特別限定，式(1)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷(A)所使用之原料之全烷氧基矽烷，即烷氧基矽烷成分中，較佳為2~20莫耳%，特佳為3~15莫耳%。又，式(3)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分中，較佳為5~30莫耳%。
又，聚矽氧烷(A)之製造中，式(1)所表示之烷氧基矽烷及式(3)所表示之烷氧基矽烷以外，尚亦可將上述式(4)所表示之烷氧基矽烷作為原料。即，用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分係亦可使用上述式(4)所表示之烷氧基矽烷。
式(4)所表示之烷氧基矽烷之R3為氫原子被丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基或苯乙烯基所取代之烷基。被取代之氫原子為1個以上，較佳為1個。烷基之碳數係以1~30為佳，較佳為1~20。更佳為1~10。
式(4)所表示之烷氧基矽烷之R4為碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~3，特佳為碳數1~2。
以下例示式(4)所表示之烷氧基矽烷之具體 例，但並非係受此等所限定者。例如，3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、丙烯醯氧基乙基三甲氧基矽烷、丙烯醯氧基乙基三乙氧基矽烷、苯乙烯基乙基三甲氧基矽烷、苯乙烯基乙基三乙氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷。
式(4)所表示之烷氧基矽烷係在用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分中，較佳為5~80莫耳%，特佳為10~70莫耳%。又，式(4)所表示之烷氧基矽烷可為1種類亦可為2種類以上。
又，聚矽氧烷(A)之製造中，式(1)所表示之烷氧基矽烷及式(3)所表示之烷氧基矽烷以外，以改善與基板之密著性、與液晶分子之親和性等為目的，在不損及本發明之效果範圍內，亦可將上述式(6)所表示之烷氧基矽烷作為原料。即，用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分係亦可使用上述式(6)所表示之烷氧基矽烷。式(6)所表示之烷氧基矽烷由於可賦予聚矽氧烷各種之特性，故因應必要特性可選擇一種或複數種後使用。且式(6)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷所使用之烷氧基成分中，較佳為1~20莫耳%。
式(6)所表示之烷氧基矽烷之R13為氫原子，或氫原子亦可被雜原子、鹵素原子、胺基、環氧丙氧 基、巰基、異氰酸酯基、脲基所取代之碳數1~10之烴基，較佳為胺基、環氧丙氧基、脲基。R14為碳數1~5，較佳為1~3之烷基，n2表示0~3，較佳為0~2之整數。
以下例示此般式(6)所表示之烷氧基矽烷之具體例，但並非係受限於此等者。例如，可舉出3-(2-胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基丙基)三乙氧基矽烷、2-胺基乙基胺基甲基三甲氧基矽烷、2-(2-胺基乙硫基乙基)三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、巰基甲基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、氯丙基三乙氧基矽烷、溴丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-胺基丙基二甲基乙氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-脲基丙基三甲氧基矽烷及γ-脲基丙基三丙氧基矽烷等。
式(6)所表示之烷氧基矽烷中，n2為0之烷氧基矽烷為四烷氧基矽烷。四烷氧基矽烷由於可容易與式(1)、(3)或(4)所表示之烷氧基矽烷進行聚縮合反應，故在用以取得本發明之液晶配向劑所含有之聚矽氧烷(A)上為佳。
此般式(6)中n2為0之烷氧基矽烷係以四 甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷或四丁氧基矽烷為較佳，特佳為四甲氧基矽烷或四乙氧基矽烷。
n2為1~3之式(6)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分中，以1~20莫耳%為佳，特佳為1~10莫耳%。又，n2為0之式(6)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷(A)所使用之烷氧基矽烷成分中，較佳為1~50莫耳%，特佳為5~40莫耳%。且，式(6)所表示之烷氧基矽烷係可使用1種類亦可使用2種類以上。
<其他聚矽氧烷>
又，本發明之液晶配向劑，與聚矽氧烷(A)一同地尚亦可含有其他聚矽氧烷。作為其他聚矽氧烷，可例舉使含有上述式(5)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷之聚矽氧烷(B)。聚矽氧烷(B)之原料之聚矽氧烷成分係以含有式(5)所表示之聚矽氧烷20~100莫耳%為佳，含有50~100%為更佳。
式(5)所表示之烷氧基矽烷係以四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷或四丁氧基矽烷為佳，尤其係以四甲氧基矽烷或四乙氧基矽烷為佳。
又，聚矽氧烷(B)亦可為除式(5)所表示之烷氧基矽烷之外，更使含有式(7)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷。含有使含有式(7)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分反應而 得之聚矽氧烷(B)之液晶配向劑特別係因垂直配向力為高，故為理想。
R16Si(OR17)3 (7)
式(7)所表示之烷氧基矽烷之R16為碳數1~5之烷基。烷基之碳數係以1~4為佳，較佳為1~3。
式(7)所表示之烷氧基矽烷之R17為碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~3，特佳為碳數1~2。
以下舉出式(7)所表示之烷氧基矽烷之具體例，但並非係受此等所限定者。例如，甲基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、二甲基三甲氧基矽烷、二甲基三乙氧基矽烷、n-丙基三甲氧基矽烷、n-丙基三乙氧基矽烷。
又，聚矽氧烷(B)亦可為除式(5)所表示之烷氧基矽烷以外，更使含有上述式(4)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷。
為達成藉由使用未添加聚合性化合物之液晶且施加電壓並同時照射UV(紫外線)而更提高液晶顯示元件之應答速度，式(4)所表示之烷氧基矽烷在用以取得聚矽氧烷(B)所使用之烷氧基矽烷成分中，以10莫耳%以上為佳，較佳為20莫耳%以上，更佳為30莫耳%以上。又，為可使所形成之液晶配向膜充分地硬化，以75莫耳%以下為佳。
在以賦予改善與基板之密著性、與液晶分子之親和性等之各種特性為目的，且在不損及本發明之效果 範圍內，聚矽氧烷(B)亦可為使含有上述式(6)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷。
式(6)所表示之烷氧基矽烷係在用以取得聚矽氧烷(B)所使用之烷氧基矽烷成分中，較佳為1~20莫耳%，特佳為1~10莫耳%。
聚矽氧烷(B)之原料之式(5)所表示之烷氧基矽烷、式(6)所表示之烷氧基矽烷、式(7)所表示之烷氧基矽烷或式(4)所表示之烷氧基矽烷係各自可使用1種類亦可使用2種類以上。
含有聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)等之其他聚矽氧烷之液晶配向劑之聚矽氧烷之配合比例並無特別限定，相對於液晶配向劑所含有之全聚矽氧烷量，聚矽氧烷(A)係以10質量%以上為佳。例如，以質量比計係以聚矽氧烷(A)：聚矽氧烷(B)=10：90~50：50為佳。
<聚矽氧烷之製造方法>
取得本發明所用之聚矽氧烷之方法並無特別限定，只要能使烷氧基矽烷成分反應即可。例如，聚矽氧烷(A)係使將上述式(1)所表示之烷氧基矽烷及式(3)所表示之烷氧基矽烷作為必須成分之烷氧基矽烷成分在有機溶劑中進行反應(例如聚縮合反應)而得。通常，聚矽氧烷係使此般烷氧基矽烷成分進行聚縮合，而取得作為均勻溶解於有機溶劑中之溶液。
使取得聚矽氧烷用之烷氧基矽烷進行聚縮合之方法，例如可舉出使烷氧基矽烷在醇或二醇等之溶劑中進行水解‧縮合之方法。此時，水解‧縮合反應可為部分水解及完全水解之任一者。完全水解之情況，理論上只需添加烷氧基矽烷中之全烷氧基之0.5倍莫耳之水即可，但通常係以添加多於0.5倍莫耳之過剩量之水為佳。
本發明中，上述反應所使用水之量係可因應所需而適宜選擇，但通常係以烷氧基矽烷中之全烷氧基之0.5~2.5倍莫耳為佳。
又，通常以促進水解‧縮合反應為目的，則會使用鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、蟻酸、草酸、馬來酸、富馬酸等之酸、氨、甲基胺、乙基胺、乙醇胺、三乙基胺等之鹼、鹽酸、硫酸、硝酸等之金屬鹽等之觸媒。此外，一般亦可藉由加熱溶解有烷氧基矽烷之溶液，而更可促進水解‧縮合反應促進。此時，加熱溫度及加熱時間係可因應所需而適宜選擇。例如，可舉出在50℃下加熱‧攪拌24小時，在迴流下加熱‧攪拌1小時等之方法。
又，其他方法係例如可舉出加熱烷氧基矽烷、溶劑及草酸之混合物而進行聚縮合之方法。具體而言，預先對醇添加草酸而作成草酸之醇溶液後，在該溶液受到加熱之狀態下混合烷氧基矽烷之方法。此時，所使用之草酸之量在相對於烷氧基矽烷所具有之全烷氧基之1莫耳而言，以作成0.2~2莫耳為佳。此方法之加熱係可在液溫50~180℃下進行。較佳為在不引起液體之蒸發、揮散 等之狀態，在迴流下加熱數十分~十數小時之方法。
本發明中，在取得聚矽氧烷時，雖係使用複數種烷氧基矽烷，但亦可混合作為將烷氧基矽烷預先混合而成之混合物，亦可依序混合複數種之烷氧基矽烷。即，使烷氧基矽烷成分反應之順序並無限定，例如、可一次性地使烷氧基矽烷成分反應，又，使一部分之烷氧基矽烷反應後，添加其他烷氧基矽烷並使其反應亦可。具體而言，例如，可使式(1)所表示之烷氧基矽烷、式(3)所表示之烷氧基矽烷與式(4)所表示之烷氧基矽烷混合後進行聚縮合反應，亦可使式(1)所表示之烷氧基矽烷與式(4)所表示之烷氧基矽烷聚縮合反應後，再添加式(3)所表示之烷氧基矽烷使其反應。
使烷氧基矽烷聚縮合時所使用之溶劑(以下，亦稱為聚合溶劑)只要係可溶解烷氧基矽烷者即無特別限定。又，即使係在不溶解烷氧基矽烷之情況，只要係在烷氧基矽烷之聚縮合反應進行時可溶解者即可。一般而言，因烷氧基矽烷之聚縮合反應而會生成醇，故可使用與醇類、二醇類、二醇醚類或醇類相溶性良好之有機溶劑。
此般聚合溶劑之具體例，可舉出如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、二丙酮醇等之醇類、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、己二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-戊二醇、1,3-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、2,3-戊二醇、1,6-己二醇等之二醇類、乙二醇單甲基醚、乙二 醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二丙基醚、二乙二醇二丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二丙基醚、丙二醇二丁基醚等之二醇醚類、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、γ-丁內酯、二甲亞碸、四甲基脲、六甲基磷三醯胺、m-甲酚等。
本發明中，上述聚合溶劑亦可將複數種混合後使用。
由上述方法所得之聚矽氧烷之聚合溶液(以下，亦稱為聚合溶液)在將作為原料所置入之全烷氧基矽烷之矽原子換算成SiO2之濃度(以下，亦稱為SiO2換算濃度)時係以20質量%以下為佳，更佳為5~15質量%。藉由於此濃度範圍內選擇任意之濃度，即可抑制膠體之生成而取得均質之溶液。
<液晶配向劑>
本發明之液晶配向劑係為含有上述之聚矽氧烷(A)，因應必要之其他之聚矽氧烷或其他成分之溶液。聚矽氧烷(A)、因應必要所添加之聚矽氧烷(B)等之 其他聚矽氧烷或其他成分係在可均勻地混合之狀態即可。例如，可將由上述方法所得之聚矽氧烷之聚合溶液等之反應液直接作為液晶配向劑，亦可因應必要將由上述方法所得之聚矽氧烷之聚合溶液等之反應液予以濃縮，添加溶劑予以稀釋或以其他溶劑取代而作成液晶配向劑。此時，溶劑係使用選自由上述聚矽氧烷之聚合溶劑及添加溶劑所成群之溶劑。添加溶劑只要係可使聚矽氧烷均勻溶解者即無特別限定，可使用一種亦可任何選擇複數種後使用。此般添加溶劑之具體例係可舉出如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等之酮類、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯等之酯類。此等溶劑係可提高液晶配向劑之黏度調整，或提高以旋轉塗佈、柔版印刷、噴墨等將液晶配向劑塗佈於基板上時之塗佈性。
液晶配向劑中之聚矽氧烷之含有量，以SiO2換算濃度計係以0.5~15質量%為佳，較佳為1~6質量%。只要係在此般SiO2換算濃度之範圍內，即可容易以一次性塗佈取得所欲之膜厚，且可容易取得充分溶液之使用期限。
又，在調整液晶配向劑中之聚矽氧烷之含有量時，可使用選自由上述聚矽氧烷之聚合溶劑及添加溶劑所成群之溶劑。
本發明之液晶配向劑中，在不損及本發明之效果範圍內，亦可包含聚矽氧烷以外之其他成分，例如，無機微粒子、金屬氧烷(Metalloxane)寡聚物、金屬氧烷 聚合物、均染劑、以及界面活性劑等之成分。
無機微粒子係以二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、氧化鈦微粒子、或氟化鎂微粒子等之微粒子為佳，特別係以膠體溶液之狀態者為佳。此膠體溶液可為使無機微粒子分散於分散媒而成者，亦可為市售品之膠體溶液。本發明中，藉由含有無機微粒子，即能賦予所形成之硬化被膜之表面形狀及其他機能。無機微粒子之平均粒子徑係以0.001~0.2μm為佳，更佳為0.001~0.1μm。無機微粒子之平均粒子徑若超過0.2μm時，則有使用經調製之塗佈液而形成之硬化被膜之透明性降低之情況。
無機微粒子之分散媒係可舉出如水及有機溶劑。由被膜形成用塗佈液之安定性之觀點，膠體溶液係以將pH或pKa調整為1~10為佳。更佳為2~7。
作為膠體溶液之分散媒所使用之有機溶劑，可舉出如甲醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、二乙二醇、二丙二醇、乙二醇單丙基醚等之醇類、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等之酮類、甲苯、茬等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁內酯等之酯類、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚類。此等之中亦以醇類或酮類為佳。此等有機溶劑係可單獨使用或將2種以上混合使用作為分散媒。
金屬氧烷寡聚物、金屬氧烷聚合物係使用矽、鈦、鋁、鉭、銻、鉍、錫、銦、鋅等之單獨或複合氧 化物前驅物。金屬氧烷寡聚物、金屬氧烷聚合物可為市售品，亦可為從金屬烷氧化物、硝酸鹽、鹽酸鹽、羧酸鹽等之單體，藉由水解等之常法而得者。
作為市售品之金屬氧烷寡聚物、金屬氧烷聚合物之具體例，可舉出如Colcoat公司製之矽酸甲酯51、矽酸甲酯53A、矽酸乙酯40、矽酸乙酯48、EMS-485、SS-101等之矽氧烷寡聚物或矽氧烷聚合物，關東化學公司製之n-丁氧基化鈦四聚物等之鈦氧烷(Titanoxane)寡聚物。此等可單獨使用或亦可將2種以上混合使用。
又，均染劑及界面活性劑等係可使用公知者，特別係因市售品可容易取得而為佳。
又，對聚矽氧烷混合上述其他成分之方法係與聚矽氧烷一同進行混合，亦可在其後進行混合，並無特別限定。
<液晶配向膜>
本發明之液晶配向膜係使用本發明之液晶配向劑而得者。本發明之液晶配向劑由於含有上述聚矽氧烷(A)，故取得之本發明之液晶配向膜即使係在使用未添加聚合性化合物之液晶，與PSA方式同樣地處理且使UV照射後之應答速度提升之方式之液晶顯示元件中，仍可不使垂直配向力降低，並提升UV照射後之應答速度。
本發明中，例如，亦可將本發明之液晶配向劑塗佈於基板後，因應必要進行乾燥並燒成而得之硬化膜 直接使用作為液晶配向膜。又，對此硬化膜施以配向處理，具體而言，如磨擦、照射偏光或特定波長之光等、施行離子束等之處理後，在對填充液晶後之液晶顯示元件施加電壓之狀態下照射UV亦可。
塗佈液晶配向劑之基板只要係高透明性之基板即無特別限定，但係以在基板上形成有驅動液晶用之透明電極之基板為佳。
若例示具體例，可舉出如玻璃板、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚醚碸、聚芳基酸酯、聚胺基甲酸酯、聚碸、聚醚、聚醚酮、三甲基戊烯、聚烯烴、聚對酞酸乙二酯、(甲基)丙烯腈、三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、乙酸酯丁酸酯纖維素等之塑膠板等，或於此等上形成有透明電極之基板。
液晶配向劑之塗佈方法係可例舉如旋轉塗佈法、印刷法、噴墨法、噴霧法、輥塗法等，但從生產性之面，工業上係廣泛使用轉印印刷法，且亦係適宜用於本發明中。
塗佈液晶配向劑後之乾燥步驟雖並非為必要者，從塗佈後至燒成為止之時間因各個基板而非為固定時，或塗佈後並未隨及燒成時，則以包含乾燥步驟為佳。此乾燥只要係能將溶劑去除至不會因基板之搬送等而導致塗膜形狀變形之程度即可，此乾燥手段亦並無特別限定。例如可舉出，在溫度40℃~150℃，較佳在60℃~100℃之加熱板上，使其乾燥0.5~30分，較佳乾燥1~5分之方 法。
以上述方法塗佈液晶配向劑所形成之塗膜經過燒成即可作成硬化膜。此時，燒成溫度可在100℃~350℃之任意溫度下進行，以140℃~300℃為佳，較佳為150℃~230℃，更佳為160℃~220℃。燒成時間係可在5分~240分之任意時間內進行燒成。較佳為10~90分，更佳為20~80分。加熱係可使用通常公知之方法，例如、加熱板、熱風循環烤箱、IR烤箱、輸送帶式爐等。
液晶配向膜中之聚矽氧烷在燒成步驟中進行聚縮合。但，本發明中，在不損及本發明之效果範圍內，並不需要使其完全聚縮合。惟，以在比液晶胞製造步驟中所必須之密封劑硬化等之熱處理溫度還高10℃以上之溫度下進行燒成為佳。
此硬化膜之厚度係可因應必要進行選擇，較佳為5nm以上，更佳為10nm以上時，因可容易取得液晶顯示元件之信賴性，故較為適宜。又，硬化膜之厚度較佳為300nm以下，更佳為150nm以下時，因液晶顯示元件之消費電力不會極端地變大，故較為適宜。
<液晶顯示元件>
本發明之液晶顯示元件藉由上述方法而在基板形成液晶配向膜後，即可以公知之方法製成液晶胞而得。若例舉液晶胞製作之一例，一般係為使形成有液晶配向膜之一對基板挾持間隔器，以密封劑固定，注入液晶後密封之方 法。此時，所使用之間隔器之大小為1~30μm，較佳為2~10μm。
注入液晶之方法並無特別限制，可舉出將製成之液晶胞內予以減壓後注入液晶之真空法、滴下液晶後進行密封之滴下法等。
藉由在對導入有液晶之液晶胞之兩側基板之電極間施加電壓之狀態下照射UV照射，因液晶配向膜中之丙烯醯基、甲基丙烯醯基在此時進行聚合並交聯，故液晶顯示器之應答速度變速。在此，施加之電壓為5~50Vp-p，較佳為5~30Vp-p。照射之UV照射量為1~60J，較佳為40J以下，UV照射量較少則可抑制構成液晶顯示器之構件之破壞所導致之信賴性降低，且藉由減少UV照射時間而可提高製造上之節拍(tact)，故為適宜。
液晶顯示元件所使用之基板只要係高透明性之基板即無特別限定，通常係為在基板上形成有驅動液晶用之透明電極之基板。具體例係與上述<液晶配向膜>中記載之基板相同。亦可使用標準之PVA或MVA之電極圖型或突起圖型。即使係與PSA方式之液晶顯示器同樣地，於單側基板形成1~10μm之線/狹縫電極圖型，於對向基板上未形成狹縫圖型或突起圖型之構造中仍可運作，藉由此構造之液晶顯示器，可簡略製造時之製程，且取得高穿透率。
又，如TFT型之元件般之高機能元件中，可使用在驅動液晶用之電極與基板之間形成有電晶體元件 者。
在穿透型之液晶元件之情況，一般係使用上述般之基板，在反射型之液晶顯示元件中，亦可單僅於單側之基板上使用反射光之如鋁般之材料，亦可使用矽晶圓等之非透明基板。
〔實施例〕
以下根據本發明之實施例更具體地進行說明，但並非係受到此等所限定而解釋者。尚且，本實施例中使用之略稱係如以下所示。又，式中，Me表示甲基，Et表示乙基。
TEOS：四乙氧基矽烷
C18：十八基三乙氧基矽烷
MPMS：3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷
M8MS：3-甲基丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷
MTES：甲基三乙氧基矽烷
HG：2-甲基-2,4-戊二醇(別名：己二醇)
BCS：2-丁氧基乙醇
UPS：3-脲基丙基三乙氧基矽烷
THF：四氫呋喃
DMF：N,N-二甲基甲醯胺
<化合物合成例1>下述化合物(c)之合成
對具備磁攪拌器之500ml四口燒瓶添加化合物(a)30.00g、碳酸鉀25.24g、DMF 120g，在室溫下滴入溴化烯丙基22.10g。其後，在50℃下攪拌11小時。以500g之乙酸乙酯稀釋反應液，以200g之純水洗淨有機相3次。以硫酸鈉乾燥有機相，並將此過濾後，濃縮乾燥濾液而取得化合物(b)34.80g(收率100%)。對取得之化合物(b)以1H-NMR進行測量之結果係如以下所示。
1H-NMR(400MHz)in CDCl3：0.90ppm(t,J=7.2Hz,3H),0.99-1.09ppm(m,2H),1.18-1.46ppm(m,11H),1.84-1.89ppm(m,4H),2.37-2.44ppm(m,1H),4.51ppm(dt,J=5.4Hz,1.6Hz,2H),5.26ppm(dq,J=10.6Hz,1.6Hz,1H),5.40ppm(dq,J=17.2Hz,1.6Hz,1H),6.07ppm(ddd,J=17.2Hz,10.6Hz,5.4Hz,1H),6.83ppm(dd,J=8.8Hz,2.9Hz,2H),7.10ppm(dd,J=8.8Hz,2.9Hz,2H)
對具備磁攪拌器之300ml四口燒瓶添加化合 物(b)20.00g、甲苯120g，並在室溫攪拌。其次，添加karstedt觸媒(鉑(0)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物0.1mol/L茬溶液)700μl後，滴入三甲氧基矽烷12.4ml。在室溫下攪拌29小時後，濃縮乾燥反應液而取得粗物。將此減壓蒸餾，且在外溫245℃/壓力0.8torr之條件下使其分餾，而取得化合物(c)12.15g(收率43%)。對取得之化合物(c)以1H-NMR進行測量之結果係如以下所示。
1H-NMR(400MHz)in CDCl3：0.76-0.82ppm(m,2H),0.89ppm(t,J=7.2Hz,3H),0.98-1.08ppm(m,2H),1.18-1.45ppm(m,11H),1.84-1.93ppm(m,6H),2.36-2.43ppm(m,1H),3.58ppm(s,9H),3.91ppm(t,J=6.8Hz,2H),6.81ppm(d,J=8.8Hz,2H),7.08ppm(d,J=8.8Hz,2H)
<化合物合成例2>下述化合物(e)之合成
對具備磁攪拌器之500ml四頸燒瓶添加化合 物(d)(20.01g)、甲苯(120g)、karstedt觸媒(鉑(0)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物茬溶液(鉑濃度2%))(1.36g)。在室溫將此予以攪拌並滴入三甲氧基矽烷(14.15g)，使其反應1小時。其次，冷卻至5~10℃，對反應液添加三乙基胺(13.57g)。在5~10℃下將此予以攪拌，並滴入溶解有甲基丙烯酸氯(13.38g)之甲苯(40g)溶液，使其反應1小時。減壓吸引過濾因反應而析出之固體，以乙酸乙酯(500g)稀釋濾液。以純水(200g)洗淨此乙酸乙酯相3次淨後，減壓濃縮而取得化合物(e)之粗物(39.63g)。藉由減壓蒸餾此粗物，在外溫226℃/壓力0.8torr之條件下使其分餾，而取得化合物(e)(5.99g)(收率：14%)。對取得之化合物(e)以1H-NMR進行測量之結果係如以下所示。
1H-NMR(400MHz)in CDCl3：0.67-0.72ppm(m,2H),1.72-1.78ppm(m,2H),2.06ppm(s,3H),2.63ppm(t,J=7.6Hz,2H),3.57ppm(s,9H),3.80ppm(s,3H),5.73ppm(t,J=1.6Hz,1H),6.35ppm(t,J=1.6Hz,1H),6.74-6.79ppm(m,2H),6.94ppm(d,J=7.6Hz,1H)
<合成例1> <聚矽氧烷(A)之合成>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 15.9g、BCS 7.9g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)3.5g、MPMS 19.9g、及由化合物合 成例2所得之化合物(e)3.5g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 7.9g、BCS 4.0g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘攪拌。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、0.3g之HG及0.1g之BCS之混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S1)。
<聚矽氧烷(B)之合成>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 23.8g、BCS 7.9g、TEOS 37.1g、及MTES 3.6g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 11.9g、BCS 4.0g、水10.8g及觸媒之草酸0.4g的溶液，並在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備之UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、HG 0.3g及BCS 0.1g之混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中 間體(U1)。
<液晶配向劑之調製>
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S1)與液晶配向劑中間體(U1)，而取得SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K1]。
<合成例2>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 15.4g、BCS 7.7g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、MPMS 17.4g、及由化合物合成例2所得之化合物(e)7.1g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 7.7g、BCS 3.8g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流60分鐘後放置冷卻而得到SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S2)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S2)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K2]。
<合成例3>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 14.5g、BCS 7.2g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、MPMS 12.4g、及由化合物合成例2所得之化合物(e)14.2g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 7.2g、BCS 3.6g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流60分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S3)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S3)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K3]。
<合成例4>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 13.5g、BCS 6.8g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、及MPMS 7.25g、及由化合物合成例2所得之化合物(e)21.3g，而調製成烷氧基矽烷 單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 6.7g、BCS 3.4g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流60分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S4)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S4)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K4]。
<合成例5>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 15.8g、BCS 5.3g、TEOS 23.8g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、及由化合物合成例2所得之化合物(e)21.3g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 7.9g、BCS 2.6g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流60分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g 而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K5]。
<合成例6>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 16.1g、BCS 5.4g、TEOS 21.7g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、及MPMS 5.0g、及由化合物合成例2所得之化合物(e)17.7g混合，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 8.1g、BCS 2.6g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流60分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[K6]。
<比較合成例1>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 16.3g、BCS 8.2g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、及MPMS 22.4g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 8.2g、BCS 4.1g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備之UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、0.3g之HG及0.1g之BCS 之混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S5)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S5)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[L1]。
<比較合成例2>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 22.6g、BCS 7.5g、TEOS 39.2g、及C18 4.2g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 11.3g、BCS 3.8g、水10.8g及觸媒之草酸0.2g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備之UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、HG 0.3g及BCS 0.1g之混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S6)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑 中間體(S6)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[L2]。
<比較合成例3>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 20.4g、BCS 6.8g、TEOS 22.5g、C18 4.2g、及MPMS 19.9g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 10.2g、BCS 3.4g、水10.8g及觸媒之草酸1.3g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備之UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、HG 0.3g及BCS 0.1g的混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g，而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑中間體(S7)。
以質量比3：7之比率混合取得之液晶配向劑中間體(S7)與合成例1中取得之液晶配向劑中間體(U1)而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[L3]。
<比較合成例4>
在具備溫度計、迴流管之200mL四頸反應燒瓶中混合HG 16.3g、BCS 8.2g、TEOS 17.50g、由化合物合成例1所得之化合物(c)9.8g、及MPMS 22.4g，而調製成烷氧基矽烷單體之溶液。在室溫下以30分鐘對此溶液滴入預先混合有HG 8.2g、BCS 4.1g、水10.8g及觸媒之草酸1.8g的溶液，且在室溫下攪拌30分鐘。其後使用油浴進行加熱使其迴流30分鐘後，添加預先已準備之UPS含有量92質量%之甲醇溶液0.6g、0.3g之HG及0.1g之BCS的混合液。再使其迴流30分鐘後放置冷卻而取得SiO2換算濃度為12質量%之聚矽氧烷溶液。
混合取得之聚矽氧烷溶液10.0g、BCS 20.0g而得到SiO2換算濃度為4質量%之液晶配向劑[L4]。
<實施例1>
將合成例1中取得之液晶配向劑[K1]旋轉塗佈於形成有像素尺寸為100×300微米、線寬/線距分別為5微米之ITO電極圖型之ITO電極基板之ITO面。以80℃之加熱板乾燥2分鐘後，在200℃之熱風循環式烤箱中進行30分鐘燒成而形成膜厚100nm之液晶配向膜。又，將合成例1中取得之液晶配向劑[K1]旋轉塗佈於未形成有電極圖型之ITO面，以80℃之加熱板乾燥2分鐘後，與上述基板同樣地在200℃之熱風循環式烤箱中進行30分鐘燒成而形成膜厚100nm之液晶配向膜。準備此等2枚之基板，在一個基板之液晶配向膜面上散佈4μm之珠粒間隔 器後，且由其上印刷密封劑。使另一個基板之液晶配向膜面面向內側並貼合後，使密封劑硬而製成空晶胞。以減壓注入法對空晶胞注入液晶MLC-6608(Merck公司製商品名)，而製成注入有前述液晶之液晶胞1。藉由後述之方法測量此液晶胞1之應答速度特性。
其後，在對此液晶胞1施加20V之DC電壓之狀態下，由此液晶胞之外側照射5J之UV。其後，再度測量應答速度特性並比較UV照射前後之應答速度。其結果係如表1所示。
另一方面，使上述液晶胞1(即，並未在在施加20V之DC電壓之狀態下由液晶胞之外側照射5J之UV液晶胞)在100℃之循環式烤箱中進行30分鐘之退火。在將偏光板設成正交偏光之狀態下，對取出之液晶胞進行顯微鏡觀察，觀察身為液晶配向紊亂之晶域之狀態。將其結果一併展示於表1。尚且，液晶配向力為低時則在退火後觀察到較多晶域，液晶配向性為高時則在退火後未觀察到晶域。
<實施例2>
除將液晶配向劑[K1]變更為合成例2中取得之液晶配向劑[K2]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<實施例3>
除將液晶配向劑[K1]變更為合成例3中取得之液晶配向劑[K3]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<實施例4>
除將液晶配向劑[K1]變更為合成例4中取得之液晶配向劑[K4]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<實施例5>
除將液晶配向劑[K1]變更為合成例5中取得之液晶配向劑[K5]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<實施例6>
除將液晶配向劑[K1]變更為合成例6中取得之液晶配向劑[K6]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<比較例1>
除將液晶配向劑[K1]變更為比較合成例1中取得之液晶配向劑[L1]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<比較例2>
除將液晶配向劑[K1]變更為比較合成例2中取得之液晶配向劑[L2]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<比較例3>
除將液晶配向劑[K1]變更為比較合成例3中取得之液晶配向劑[L3]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
<比較例4>
除將液晶配向劑[K1]變更為比較合成例4中取得之液晶配向劑[L4]以外，其他與實施例1同樣地製成液晶胞，測量應答速度，並觀察退火後之配向紊亂之晶域。其結果係如表1所示。
[應答速度特性之測量]
對示波器輸入對液晶胞施加±5V之AC(交流)電壓、頻率數1kHz之矩形波時之液晶面板之亮度之時間變化。將未施加電壓時之亮度設為0%，將施加±5V電壓且飽和亮度之值設為100%，且將亮度由10%至90%為止之變化時間作為啟動之應答速度。
如表1所示，使用含有聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之液晶配向劑的實施例1~4中，UV照射後之應答速度為非常快之未滿20ms，並且在退火後之晶域觀察結果中亦展現非常良好之結果。在使用含有聚矽氧烷(A)之液晶配向劑的實施例5~6中，UV照射後之應答 速度為非常快之未滿20ms，且在退火後之晶域觀察結果中亦展示非常良好之結果。另一方面，使用不含有聚矽氧烷(A)之液晶配向劑的比較例1~4中，應答速度與晶域觀察結果之雙方皆無法取得良好結果。
〔產業上之可利用性〕
使用本發明之液晶配向劑所製成之液晶顯示元件，即使係為使用未添加聚合性化合物之液晶，與PSA方式同樣地處理且使UV照射後之應答速度提升之方式之液晶顯示元件，但仍可不使垂直配向力降低而提升UV照射後之應答速度。因此，有用於以上述方法所製造之TFT(thin film transistor)液晶顯示元件、TN(Twisted Nematic)液晶顯示元件、VA液晶顯示元件等。

Claims (13)

  1. 一種液晶配向劑，其特徵為含有下述之聚矽氧烷(A)；聚矽氧烷(A)：使含有下述式(1)所表示之烷氧基矽烷及下述式(3)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷；R1Si(OR2)3 (1)R1表示下述式(2)之構造，R2表示碳數1~5之烷基； 式(2)中，Y1為單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-；Y2為單鍵、含有雙鍵之碳數3~8之直鏈狀或分支狀之烴基、或-(CR17R18)b-(b為1~15之整數，R17、R18係各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基)；Y3為單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-；Y4為單鍵、選自苯環、環己基環及雜環之2價環狀基、或具有類固醇骨架之碳數12~25之2價有機基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代；Y5為選自由苯環、環己基環及雜環所成群之2價環狀基，且 此等環狀基上之任意之氫原子亦可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代；n1為0~4之整數；Y6表示氫原子、碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基； R21、R22、R23係各自獨立表示-OCH3、-OC2H5、-OCH(CH3)2、-OC(CH3)3、-CH3、-Ph、-Cl、-OCOCH3、-OH、-H，或，由此等之組合所構成之取代基；R24表示氫原子或甲基；Y21表示單鍵、或亦可含有雙鍵之碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基；Y22表示單鍵、選自-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-N(CH3)-、-NPh-、-NHCO-、-N(CH3)CO-、-NPhCO-、-NHSO2-、-N(CH3)SO2-、-NPhSO2-、-S-、-SO2-、-NHCONH-、-N(CH3)CONH-、-NPhCONH-、-NHCOO-及-OCONH-之鍵結基；Y23表示單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基；Y24表示單鍵或碳數1~8之直鏈狀或分支狀之烴基；Y25表示單鍵、-O-或-NZ2-；Z2表示氫原子、碳數1~18之直鏈狀或分支狀之烴基、芳香族環基或脂肪族環基；Cy表示選自下述且在任意之取代位置上鍵結形成之2價之環 狀基，且此等環狀基上之任意之氫原子亦可被選自碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、氰基、氟原子及氯原子者所取代； Z1為亦可含有芳香族環基或脂肪族環基之碳數1~18之直鏈狀或分支狀之2價烴基。
  2. 如請求項1之液晶配向劑，其中烷氧基矽烷成分係更含有下述式(4)所表示之烷氧基矽烷；R3Si(OR4)3 (4)R3為氫原子被丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基或苯乙烯基所取代之碳數1~30之烷基，R4表示碳數1~5之烷基。
  3. 如請求項1之液晶配向劑，其中更含有下述之聚矽氧烷(B)；聚矽氧烷(B)：使含有下述式(5)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷； Si(OR15)4 (5)R15表示碳數1~5之烷基。
  4. 如請求項2之液晶配向劑，其中更含有下述之聚矽氧烷(B)；聚矽氧烷(B)：使含有下述式(5)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷；Si(OR15)4 (5)R15表示碳數1~5之烷基。
  5. 如請求項1~4中任一項之液晶配向劑，其中聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之至少一者係為使再更包含下述式(6)所表示之烷氧基矽烷之烷氧基矽烷成分進行反應而得之聚矽氧烷；(R13)n2Si(OR14)4-n (6)式(6)中，R13為氫原子，或其氫原子亦可被雜原子、鹵素原子、胺基、環氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基、脲基所取代之碳數1~10之烴基，R14為碳數1~5之烷基，n2表示0~3之整數。
  6. 一種液晶配向膜，其特徵為將如請求項1~4中任一項之液晶配向劑塗佈於基板上並進行燒成而得者。
  7. 一種液晶配向膜，其特徵為將如請求項5之液晶配向劑塗佈於基板上並進行燒成而得者。
  8. 一種液晶顯示元件，其特徵為具有如請求項6之液晶配向膜。
  9. 一種液晶顯示元件，其特徵為具有如請求項7之液 晶配向膜。
  10. 一種液晶顯示元件，其特徵為具備在對液晶胞施加電壓之狀態下照射UV而製成者，該液晶胞係以2枚之基板挾持液晶者，該基板係塗佈有如請求項1~4中任一項之液晶配向劑並經燒成者。
  11. 一種液晶顯示元件，其特徵為具備在對液晶胞施加電壓之狀態下照射UV而製成者，該液晶胞係以2枚之基板挾持液晶者，該基板係塗佈有如請求項5之液晶配向劑並經燒成者。
  12. 一種液晶顯示元件之製造方法，其特徵為具有以2枚之基板挾持液晶而製造液晶胞，且在對此液晶胞施加電壓之狀態下照射UV之步驟；該基板係塗佈有如請求項1~4中任一項之液晶配向劑並經燒成者。
  13. 一種液晶顯示元件之製造方法，其特徵為具有以2枚之基板挾持液晶而製造液晶胞，且在對此液晶胞施加電壓之狀態下照射UV之步驟；該基板係塗佈有如請求項5之液晶配向劑並經燒成者。
TW102127429A 2012-07-31 2013-07-31 Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film, liquid crystal display device, and liquid crystal display device manufacturing method TWI534511B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012169909 2012-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411251A true TW201411251A (zh) 2014-03-16
TWI534511B TWI534511B (zh) 2016-05-21

Family

ID=50027852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102127429A TWI534511B (zh) 2012-07-31 2013-07-31 Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film, liquid crystal display device, and liquid crystal display device manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2014021174A1 (zh)
KR (1) KR102133066B1 (zh)
CN (1) CN104685411B (zh)
TW (1) TWI534511B (zh)
WO (1) WO2014021174A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10465115B2 (en) 2015-12-17 2019-11-05 Merck Patent Gmbh Cinnamic acid derivatives

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4504626B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-14 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100956675B1 (ko) * 2007-12-07 2010-05-10 제일모직주식회사 액정 배향제, 이를 포함하는 액정 배향막, 및 이를포함하는 액정 표시 장치
WO2009148099A1 (ja) * 2008-06-04 2009-12-10 日産化学工業株式会社 ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
JP5311054B2 (ja) * 2009-02-19 2013-10-09 Ｊｓｒ株式会社 液晶配向剤、液晶表示素子およびその製造方法
WO2010126108A1 (ja) * 2009-05-01 2010-11-04 日産化学工業株式会社 ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
JP2011095967A (ja) 2009-10-29 2011-05-12 Yamaha Corp バス共有システム
JP5780389B2 (ja) * 2010-07-02 2015-09-16 Jsr株式会社 液晶表示素子の製造方法
KR101883521B1 (ko) * 2011-05-27 2018-07-30 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 규소계 액정 배향제, 액정 배향막 및 액정 표시 소자

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014021174A1 (ja) 2014-02-06
KR102133066B1 (ko) 2020-07-10
KR20150038300A (ko) 2015-04-08
TWI534511B (zh) 2016-05-21
JPWO2014021174A1 (ja) 2016-07-21
CN104685411B (zh) 2017-05-31
CN104685411A (zh) 2015-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI553040B (zh) Silicon liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display components
TWI452066B (zh) Silicon liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display components
TWI483969B (zh) Silicon liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display components
TWI475073B (zh) Silicone liquid crystal aligning agent and liquid crystal alignment film
TWI620753B (zh) Alkoxysilane compound, liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film, and liquid crystal display element
TWI570159B (zh) Silicon liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display components
TWI515234B (zh) Liquid crystal aligning agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display element
TWI609925B (zh) 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件
TWI534511B (zh) Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film, liquid crystal display device, and liquid crystal display device manufacturing method
TWI572676B (zh) Silicon liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display components