KR20070099407A - 플래시 메모리 카드 패키지 방법 - Google Patents

플래시 메모리 카드 패키지 방법 Download PDF

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Abstract

플래시메모리 카드 패키지 방법이 제공된다. 플래시메모리 카드에 대한 패키지 방법은 회로 기판을 몰드에 위치시키는 단계, 열경화성 플라스틱 물질을 상기 몰드에 사출하는 단계, 상기 회로 기판의 일측 사이드와 외주연을 열경화성 플라스틱 물질이 고르게 분포되도록 상기 회로 기판을 상기 열경화성 플라스틱 속으로 프레스하여 이동시키는 단계, 상기 메모리 카드의 형태를 형성하기 위해 상기 열경화성 플라스틱 물질이 경화되도록 히팅하는 단계, 상기 최종 패키지된 메모리카드를 상기 몰드로부터 제거하는 단계로 이루어진다.
패키지, 인서트 몰딩, 일체형, 플래시 메모리, 카드, 인젝션 몰딩, 열경화성플라스틱

Description

플래시 메모리 카드 패키지 방법{Method for Packaging Flash Memory Cards}
도 1은 본 발명에 따른 패키지 방법에 대한 플로우 챠트.
도 2는 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드에 대한 확대 단면도.
도 3은 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드 내에 있는 회로 기판과 몰드에 대한 확대단면도.
도 4는 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드 속으로 사출된 열경화 플라스틱 물질과 몰드에 대한 확대 단면도.
도 5는 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 회로 기판의 외주연을 커버링하는 열경화성 플라스틱 물질과 몰드에 대한 확대 단면도.
도 6은 가열되어 굳어진 열경화성 플라스틱과 함께 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드에 대한 확대 단면도.
본 발명은 마이크로 플래시 메모리 카드에 대한 패키지방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열경화성 플라스틱과 인서트 몰딩을 이용하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법에 관한 것이다.
디지털 카메라와 MP3 플레이어로서 이용될 수 있는 모바일 폰들과 같은 디지털 제품들이 인기를 얻어감에 따라 플래시 메모리 카드에 대한 소비자의 요구들이 증가하고 있다. 플래시 메모리 카드들의 현재 타입들은 콤팩트 플래시(CF) 카드, 스마트 미디어 카드(SMC), 멀티미디어 카드(MMC), 보안 디지털 (SD) 카드, 메모리 스틱 카드(MS) 등을 포함한다. 마이크로 MS 카드와 RS-MMC 카드의 출현은 메모리카드의 사이즈를 한층 더 감소시키고 있다. 그럼에도 불구하고 트랜스 플래시(T- flash)와 같은 차세대 마이크로 플래시 메모리 카드는 SD, 미니SD와 그 스펙에서 호환성을 유지하면서 그 사이즈를 한 단계 더 축소시키고 있다. 따라서 T 플래시는 모바일 폰의 디자인을 위해 플래시 메모리 카드가 선택되어지고 있다.
이러한 타입의 메모리 카드는 사이즈가 작기 때문에, 예를 들면, T 플래시는 15×11×1mm(L/W/H)이기 때문에, 종래의 제조공정에서는 큰 면적의 인쇄회로 보드(PCB)를 형성하고 PCB의 표면에 메모리 카드를 직접 패키지 할 수 있다. 단일의 PCB에 복수개의 메모리 세트들이 있기 때문에, 종래의 방법에는 각 메모리 카드의 형태와 사이즈를 얻기 위해 워터 컷팅 또는 레이저 컷팅을 이용하여 최종 컷팅을 실행하는 단계를 포함하고 있다. 그러나 상기 최종 컷팅은 패키지된 메모리 카드를 손상시키거나 또는 회로 기판과 패키지 물질사이의 크랙을 발생시켜 수율을 감소시킬 수 있다. 따라서 좀 더 효과적인 패키지 방법을 개발하는 것이 필수적이다.
따라서 본 발명의 목적은 상기 종래기술의 패키지 방법이 갖는 결점을 극복하기 위한 것이다. 본 발명의 기본 목적은 열경화성 플라스틱과 인서트 몰딩을 이 용하여 제조 효율과 수율을 증가시킬 수 있는 플래시 메모리카드를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 마이크로 또는 초박막 플래시 메모리 카드에 적합한 패키지 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 방법은 박막 메모리 카드를 제조하는 것에 더 적합하고, 상기 메모리 카드는 개별적으로 패키지되기 때문에 종래의 패키지 방법에 의해 발생하는 크랙을 방지할 수 있다. 따라서 실링과 누설 방지가 제공된다.
본 발명의 또 다른 목적은 제조 코스트를 낮출 수 있고 패키지 결함을 줄일 수 있는 패키지 방법을 제공하는 것이다. 만약 패키지 결함이 검출된다면, 패키지 물질과 회로 기판은 분리될 수 있고, 상기 회로 기판은 다시 패키지 될 수 있다. 종래의 방법에서 패키지 후의 최종 컷팅과 비교하여 볼 때 본 발명은 효과적으로 데미지 코스트를 줄일 수 있고 수율을 개선시킬 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 회로 기판을 몰드에 위치시키고, 열경화 플라스틱을 상기 몰드에 사출하고, 회로 기판의 일측 사이드와 상기 외주연에 상기 열경화성 플라스틱 물질이 고르게 분포하도록 상기 회로 기판을 상기 열경화성 플라스틱속으로 프레스하여 이동시키고, 최종 형태를 형성하기 위해 열경화성 플라스틱 물질이 경화되도록 히팅하고, 상기 몰드로부터 상기 최종 패키지된 메모리 카드를 제거하는 단계들을 포함하는 방법을 제공하는 것이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세 히 설명한다. 첨부된 도면 및 이하의 설명들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 의도로 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하다. 그러므로 이하의 설명들이 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.
도 1은 본 발명의 패키지 방법에 대한 플로우 챠트이다. 단계 11에서는 사출하부용 몰드 속으로 전자적으로 이미 연결되어 있는 회로 기판을 위치시키는 것이다. 단계 12에서는 몰드 속으로 열경화성 플라스틱 물질을 사출시키는 것이다. 단계 13에서는 열경화 플라스틱 물질이 회로 기판의 일측 사이드와 외주연을 고르게 커버할 수 있도록 열경화성 플라스틱 물질 속으로 회로 기판을 프레스하는 것이다. 단계 14에서는 열경화성 플라스틱 물질이 경화되어 메모리 카드의 스펙에 맞는 최종 형태를 형성하도록 소정 시간동안 소정온도까지 열경화성 플라스틱 물질을 가열하는 것이다. 상기 회로 기판은 메모리 카드 회로와 전기 연결을 포함하는 회로 보드이다. 회로 기판의 일측 사이드는 골든 핑거라고 공통적으로 알려진 복수의 전기 콘택부를 포함한다. 상기 전기 콘택부는 상기 디바이스에 전기 연결을 제공하기 위해 최종 패키지 메모리 카드에서 노출되어야한다. 상기 회로 기판의 타측 사이드는 본 발명의 방법에 의해서 커버되고 실링되는 칩과 회로를 포함한다. 상기 메모리 카드의 최종 패키지된 형태는 상기 메모리 카드의 스펙과 일치하여야만 한다.
명백하게 하기 위해, 다음의 일실시예는 T 플래시 카드를 설명하기 위한 하나의 예로서 이용한다. 그러나 본 발명의 방법은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 어떤 다른 동등한 메모리 카드도 본 발명의 범주에 속한다. 다음의 설명은 도 2-6을 참조한다.
도 2는 본 발명의 패키지 방법에서 이용된 몰드에 대한 확대단면도이다. 몰드(3)는 메인 몰드(31)와 제 2몰드(32)를 포함한다. 메인 몰드(31)는 동작 가능한 하부 콤프레서(311)를 포함한다. 동작 가능한 하부 콤프레서(311)는 상기 회로 기판에 매칭되는 크기와 형태를 갖는다. 동작 가능한 하부 콤프레서의 상단과 메인 몰드(31)는 상기 회로 기판을 안착시키고 홀딩하기 위한 요목부(310)를 형성하여 상기 열경화성 플라스틱 물질이 상기 몰드에 사출될 때 상기 회로 기판이 표류하지 않도록 한다. 제 2몰드(32)의 하단은 동작 가능한 하부 콤프레서(311)의 위치에 해당하는 요목부(321)를 포함한다. 제 2몰드(32)는 또한 열경화성 플라스틱 물질을 요목부(321)에 사출하기 위한 사출 채널(322)을 포함한다. 상기 요목부(321)의 크기와 형태는 패키지된 메모리 카드의 스펙과 일치한다.
도 3은 단계 11 후의 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드 내에 있는 회로 기판과 몰드에 대한 확대단면도이다. 회로 기판(2)은 동작 가능한 하부 콤프레서(311)의 상단과 몰드(31)에 의해 형성된 요목부(310)의 위치에서 몰드(3)의 내부에 위치된다.
도 4는 단계 12 후의 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드 속으로 사출된 열경화 플라스틱 물질과 몰드에 대한 확대 단면도이다. 본 실시예에서 이용된 열경화성 플라스틱 물질(4)은 페놀의 몰딩 컴파운드 또는 다른 동등한 물질이다. 사출 프로세스에서는 상기 페놀의 몰딩 컴파운드를 예열하여 점성 액체로 만든다. 상기 점성 액체는 사출채널(322)를 통하여 요목부(321)로 사출되고 요목부(321)를 채운다. 회로 기판(2)은 동작 가능한 하부 콤프레서(311)의 상단에 있는 요목부(310)에 홀딩되고, 회로 기판(2)은 점성 액체가 사출될 때 표류한다.
도 5는 단계 13 후의 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 회로 기판의 외주연을 커버링하는 열경화성 플라스틱 물질과 몰드에 대한 확대 단면도이다. 요목부(321)가 열경화성 플라스틱 물질(4)로 채워질 때, 동작 가능한 하부 콤프레서(311)가 열경화성 플라스틱 물질(4)속으로 회로 기판을 더 가압하도록 푸쉬(상승 이동)하여 회로 기판(2)의 상단 표면과 외주연이 열경화성 플라스틱 물질(4)로 고르게 커버되고 상기 메모리 카드의 최종 두께가 제어되어 요구되는 스펙에 매치되도록 한다. 예를 들면, 본 실시예에서는 1mm의 최종 두께를 갖는 T 플래시 카드를 이용한다. 초과되는 열경화성 플라스틱 물질은 리싸이클링을 위해 사출 채널(322)을 통하여 또는 메인 몰드(31)와 제 2몰드(32) 사이의 아주 작은 밀리미터 갭을 통해 오버플로우 될 수 있다. 점성의 열경화성 플라스틱 물질 속으로의 회로 기판(2)의 작동 가압은 몰드 내의 압력뿐 아니라 상기 커버리지를 더욱 고르게 분포되게 한다.
도 6은 단계 14 후, 가열되어 경화된 열경화성 플라스틱과 함께 본 발명의 패키지 방법에서 이용되는 몰드에 대한 확대 단면도이다. 몰딩 기계는 상기 점성 열경화성 플라스틱 물질을 경화시키도록 상기 몰드를 소정 시간동안 그리고 소정의 온도까지 가열시켜 회로 기판(2)과 함께 일체형 구조를 형성한다. 끝으로 패키지된 메모리 카드는 상기 몰드로부터 제거되고 상기 에지는 다듬어져 매끄러워진다.
요약하면, 본 발명의 패키지 방법은 사출성형으로 열경화성 플라스틱물질을 이용하여 메모리카드의 일체형 구조를 형성한 것이다. 본 방법은 효율적이고 불량률을 줄이고, T 플래시, 미니 SD, RS-MMC와 같은 마이크로 및 초박막 메모리 카드에 적합하다.
본 발명이 상기 바람직한 실시예를 참조하여 기재되었지만, 본 발명이 상기 상세한 설명에만 한정되는 것이 아니라는 것을 이해해야 한다. 다양한 개조와 변화들은 여기에 첨부된 청구범위에 의해 한정되도록 의도된 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 이루어질 수도 있다는 것은 본 발명의 기술 분야에 속하는 통상의 지식을 가진 당업자에게는 자명한 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 열경화성 플라스틱과 인서트 몰딩을 이용하여 플래시 메모리카드를 위한 패키지 방법을 제공함으로서 실링과 누설 방지가 가능하게 되고 제조효율과 수율을 증가시킨다.

Claims (10)

  1. 플래시메모리카드를 패키지하는 방법으로서,
    회로 기판을 몰드에 위치시키는 단계;
    열경화성 플라스틱 물질을 상기 몰드에 사출하는 단계;
    상기 회로 기판의 일측 사이드와 외주연을 열경화성 플라스틱 물질이 고르게 커버하도록 상기 회로 기판을 상기 열경화성 플라스틱 속으로 가압하여 이동시키는 단계; 및
    상기 메모리 카드의 형태를 형성하기 위해 상기 열경화성 플라스틱 물질이 경화되도록 히팅하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 회로 기판은 전기적 연결이 완성된 인쇄 회로 보드(PCB)인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 열경화성 플라스틱 물질은 페놀의 몰딩 콤파운드인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 사출하는 단계는 상기 열경화성 물질을 점성 액체 상태로 예열하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 열경화성 물질의 사출은, 상기 점성 열경화성 플라스틱 물질 속으로 가압하기 위해 상기 회로 기판을 이동시키는 단계 전에 정지하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 히팅단계는 열경화성 물질을 경화시켜 상기 회로 기판을 갖는 일체형 구조를 형성하도록 소정의 시간동안 소정의 온도까지 상기 몰드를 히팅하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 방법은 사출성형기로 실행되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 메모리카드는 T 플래시 카드인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 메모리카드는 미니 SD카드인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 메모리카드는 RS-MMC 카드인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 카드 패키지 방법.
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