KR101402072B1 - 메모리 디스크 케이스의 처리방법 - Google Patents

메모리 디스크 케이스의 처리방법 Download PDF

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이성찬
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안봉규
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Abstract

본 발명은 메모리 디스크 케이스의 처리방법에 관한 것이며, 본 발명의 메모리 디스크 케이스의 처리방법은 메모리 디스크 케이스를 전착 및 건조하는 공정에 있어서, 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란하게 배치하는 준비 단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면을 화학 샌딩 처리하는 표면 처리단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면에 전착 공정(electro deposition)을 수행하는 전착 단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란한 상태로 건조하는 1차 건조단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 수직한 상태로 건조하는 2차 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 메모리 디스크 케이스 처리과정에서 발생하는 메모리 디스크 케이스의 불량률을 감소시킬 수 있는 메모리 디스크 케이스 처리방법이 제공된다.

Description

메모리 디스크 케이스의 처리방법{METHOD FOR PROCESSING MEMORY DISK CASE}
본 발명은 메모리 디스크의 처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 불량률을 절감시키면서 메모리 디스크를 처리할 수 있는 메모리 디스크의 처리방법에 관한 것이다.
1980년대에 등장하여 최근 실용화되고 있는 SSD(Solid State Disk)는 NAND 플래쉬 또는 DRAM 등 초고속 반도체 메모리를 저장 매체로 사용하는 대용량 저장장치를 의미한다.
SSD는 HDD(Hard Disk Drive)를 대체하기 위한 것으로, 디스크원판의 회전 및 헤드의 이동 등이 필요한 HDD와는 달리 물리적인 이동이 없어 데이터 인식속도가 빠르며, 디스크를 회전시키는 모터 및 헤드의 이동시 소음, 전력소모가 발생하는 HDD와는 달리 물리적인 이동이 없어 소음 및 전력소모가 적으며, 플래터와 헤드의 접촉방식으로 작은 충격에 의해 플래터 손상이 발생할 수 있는 HDD와는 달리 물리적이 이동이 없어 데이터를 읽고 쓰는 안정성이 뛰어나 강한 내구성을 갖는다.
여기서, SSD를 외부환경으로부터 보호하기 위하여 SSD 외측에 케이스를 장착하게 된다.
이러한 SSD의 외부 케이스는 처리과정에서 건조공정은 전착공정을 거친 상태 그대로 210˚ 내지 230˚의 고온에서 30분 가량을 건조하게 된다.
이로 인해, 건조 전에 0.15mm 수준의 평탄도를 갖는 SSD 케이스는 고온에서의 건조과정을 거치면서 열전달에 의한 팽창/수축 과정을 반복하여 평탄도가 0.60mm까지 상승하는 문제점이 발생하였다.
즉, SSD 케이스의 건조를 위하여 열을 가하는 경우 SSD 케이스의 사이즈가 커지고, 사이즈가 최대로 커진 상태에서 열이 추가적으로 가해지면 배부름 현상이 발생하게 되는데 이러한 변형은 높은 온도의 상태로 SSD 케이스를 건조할수록 커지는 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 메모리 디스크 케이스 처리과정에서 발생하는 메모리 디스크 케이스의 불량률을 감소시킬 수 있는 메모리 디스크 케이스 처리방법을 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 메모리 디스크 케이스를 전착 및 건조하는 공정에 있어서, 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란하게 배치하는 준비 단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면을 화학 샌딩 처리하는 표면 처리단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면에 전착 공정(electro deposition)을 수행하는 전착 단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란한 상태로 건조하는 1차 건조단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 수직한 상태로 건조하는 2차 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 준비 단계는 상기 메모리 디스크 케이스가 삽입되는 돌출부가 전면 또는 후면 중 적어도 어느 하나에 형성된 제1 지그에 상기 메모리 디스크 케이스를 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 1차 건도단계의 건조온도보다 상기 2차 건조단계의 건조온도가 고온이며, 상기 1차 건조단계의 건조시간보다 상기 2차 건조단계의 건조시간이 짧은 것이 바람직하다.
여기서, 상기 1차 건조단계의 건조온도는 상기 표면 처리단계 또는 상기 전착단계에서 유지되는 온도보다 고온인 것이 바람직하다.
또한, 상기 1차 건조단계와 상기 2차 건조단계 사이에는 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 수직한 상태로 배치하는 2차 건조 준비단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 2차 건조 준비단계에서는 내열성을 갖는 평판형의 제2 지그 상측에 상기 메모리 디스크 케이스를 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 표면 처리단계는 상기 메모리 디스크 케이스를 세정액으로 세정하는 1차 세정단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면을 화학 샌딩 처리하는 화학 샌딩 단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중화시키는 중화단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 세정액으로 복수회 세정하는 2차 세정단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 세정액은 초순수(DI water)인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 건조단계를 2단계로 구분하여 메모리 디스크 케이스의 열팽창을 억제할 수 있는 메모리 디스크 케이스의 처리방법이 제공된다.
또한, 1차 건조단계를 2차 건조단계보다 저온에서 장시간 건조하여 메모리 디스크 케이스의 열팽창에 따른 불량률을 감소할 수 있다.
또한, 2차 건조단계에서 메모리 디스크 케이스를 중력방향에 수직으로 배치하여 건조시 열팽창과 중력에 의한 메모리 디스크 케이스의 불량률을 감소할 수 있다.
또한, 2차 건조단계에서 사용되는 제2 지그가 내열성을 가짐으로써 메모리 디스크 케이스로 열전달이 발생하는 것을 억제하여 메모리 디스크 케이스의 불량률을 감소할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법을 개략적으로 도시한 순서도이고,
도 2는 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법에서 표면처리단계를 개략적으로 도시한 순서도이고,
도 3은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법에서 준비단계에 사용되는 제1 지그를 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 4는 도 3의 제1 지그에 메모리 디스크 케이스를 설치한 모습을 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 5는 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 1차 건조단계에서 메모리 디스크 케이스를 건조하는 모습을 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 6은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 2차 건조 준비단계에서 메모리 디스크 케이스를 제2 지그에 배치한 모습을 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 7은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 2차 건조 단계에서 제2 지그를 건조용 오븐에 설치하여 메모리 디스크 케이스를 건조하는 모습을 개략적으로 도시한 사시도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법을 개략적으로 도시한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)은 메모리 디스크 케이스의 처리과정 상에서 발생하는 불량률을 최소화하기 위한 방법으로서, 준비단계(S110)와 표면처리단계(S120)와 전착단계(S130)와 1차 건조단계(S140)와 2차 건조 준비단계(S150)와 2차 건조단계(S160)를 포함한다.
상기 준비단계(S110)는 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향과 나란하게 배치하는 단계이다. 메모리 디스크 케이스의 상면 또는 후면을 처리하기 위하여 메모리 디스크 케이스의 상면 또는 후면이 제1 지그(120)의 전면 또는 후면으로 노출되도록 배치한다.
도 3은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법에서 준비단계에 사용되는 제1 지그를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 제1 지그에 메모리 디스크 케이스를 설치한 모습을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3 또는 도 4를 참조하면, 준비단계(S110)에서 사용되는 제1 지그(120)에 대하여 자세히 설명하면, 제1 지그(120)는 평판형으로 마련되어, 전면 또는 후면 중 적어도 어느 하나에 외측으로 돌출되는 돌출부(121)가 형성되어, 돌출부(121)를 메모리 디스크 케이스(110)의 모서리에 마련된 삽입구(111)에 삽입하여 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향에 나란하게 배치한다.
상기 제1 지그(120)는 4층으로 마련되고 각 층마다 10개의 돌출부(121)가 전면 및 후면에 형성되어, 전면 및 후면에 각각 20개의 메모리 디스크 케이스(110), 즉 1개의 제1 지그(120)마다 총 40개의 메모리 디스크 케이스(110)를 배치할 수 있게 마련되나 이에 제한되는 것은 아니다.
물론, 전면 및 후면 중 어느 하나에만 돌출부(121)가 형성되고, 2개의 제1 지그(120)를 돌출부(121)가 형성되지 않은 면끼리 마주보게 배치하여 2개의 제1 지그(120)로 40개의 메모리 디스크 케이스(110)를 배치하게 마련될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2는 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법에서 표면처리단계를 개략적으로 도시한 순서도이다.
도 2를 참조하면, 상기 표면 처리단계(S120)는 제1 지그(120)에 설치된 상태로 외부로 노출된 메모리 디스크 케이스(110)의 일면을 처리하는 단계로, 1차 세정단계(S121)와 화학샌딩단계(S122)와 중화단계(S123)와 2차 세정단계(S124)를 포함한다.
상기 1차 세정단계(S121)는 후공정인 화학 샌딩 단계(S122)에서 화학 샌딩 처리를 하기 이전에 메모리 디스크 케이스(110)를 세정수로 세정하는 단계이다.
상기 화학 샌딩 단계(S122)는 후공정인 전착 단계(S130)에서 전착 효율을 향상시키기 위해 메모리 디스크 케이스(110)의 표면을 화학 샌딩 처리하는 단계이다. 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에 따르면 화학 샌딩 단계(S122)는 2분 이내에 수행되는 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 중화단계(S123)는 전공정인 화학 샌딩 단계(S122)을 통해 메모리 디스크 케이스(110) 상에 잔존하는 오염물질을 중화시키는 단계이다.
상기 2차 세정단계(S124)는 화학 샌딩 단계(122)를 거치면서 잔존하는 오염물질을 제거하기 위해 세정수로 메모리 디스크 케이스(110)를 복수회 세정하는 단계이다.
본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에 따르면 2차 세정단계(S124)는 메모리 디스크 케이스(110)의 세정을 6회 실시하게 되나 이에 제한되는 것은 아니다.
한편 1차 세정단계(S121) 또는 2차 세정단계(S124)에서 사용되는 세정수는 초순수(DI water)를 사용하나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전착단계(S130: Electro deposition)는 메모리 디스크 케이스(110)의 표면에 전착 공정을 수행하는 단계이다.
본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에서 전착 공정(S130)은 메모리 디스크 케이스(110)의 후면(bottom)을 2분 가량 전착을 진행하여 검은색으로 전착하게 되나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 1차 건조단계(S140)는 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향과 나란한 상태로 건조하는 단계이다.
도 5는 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 1차 건조단계에서 메모리 디스크 케이스를 건조하는 모습을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에 따른 1차 건조단계(S140)는 메모리 디스크 케이스(110)는 제1 지그(120)에 설치된 상태로 중력방향에 나란하게 배치되어 건조된다.
이때, 1차 건조 조건은 건조온도가 120˚로 유지되는 공간에서 40분 가량을 건조하나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 2차 건조 준비단계(S150)는 1차 건조를 완료한 메모리 디스크 케이스(110)를 평판형의 제2 지그(130) 상에 배치하여 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향에 수직하게 배치하는 단계이다.
도 6은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 2차 건조 준비단계에서 메모리 디스크 케이스를 제2 지그에 배치한 모습을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 6을 참조하여 2차 건조 준비단계(S150)에서 사용되는 제2 지그(130)에 대하여 설명하면, 제2 지그(130)는 평판형으로 마련되어, 메모리 디스크 케이스(110)를 하방에서 지지하는 것이다. 후공정인 2차 건조 단계(S160)에서 열전달에 의한 열팽창을 방지하기 위하여 내열성을 갖도록 마련되는 것이 바람직하며, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에 따르면 내열성 테이프를 부착하여 내열성을 가지나 이에 제한되는 것은 아니며 내열성 소재로 마련되는 것도 무방하다.
상기 2차 건조단계(S160)는 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향에 수직인 상태로 건조하는 단계이다.
도 7은 도 1의 메모리 디스크 케이스의 처리방법의 2차 건조 단계에서 제2 지그를 건조용 오븐에 설치하여 메모리 디스크 케이스를 건조하는 모습을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 7을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 디스크 케이스의 처리방법(S100)에 따른 제2 건조단계(S160)는 제2 지그(130)에 마련된 메모리 디스크 케이스(110)를 건조용 오븐(140)에 건조하며, 전착 단계(S130)에서 수행한 전착의 신뢰성을 향상시키기 위하여 건조온도는 210˚ 내지 230˚ 사이로 유지된 상태에서 30분 가량을 노출시켜 건조시키나 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 중력방향에 수직인 상태, 즉 지면에 수평방향으로 배치하여 중력에 영향을 받아 사이즈가 변형되는 것을 방지한다.
1차 건조단계(S140) 부터 2차 건조단계(S160) 까지의 과정을 통합하여 설명하면, 메모리 디스크 케이스(110)가 중력방향에 나란한 상태로 120˚의 온도상태에서 40분 가량 열에 노출시켜 1차 건조시킨 후, 메모리 디스크 케이스(110)를 중력방향에 수직인 상태로 210˚ 내지 230˚ 사이에 해당하는 온도상태에서 30분 가량 열에 노출시켜 2차 건조시킴으로써 건조를 완료하게 된다.
1차 건조단계(S140)를 거치면서 메모리 디스크 케이스(110)의 평탄도 변형량이 0.4mm 를 넘지 않는 것으로 조사되었으며, 2차 건조단계(S160)에서는 제품 사이즈가 일부 늘어나도 메모리 디스크 케이스(110)의 배부름 현상은 발견되지 않았다.
여기서, 각각의 건조단계에서의 건조온도 및 건조시간은 고정된 것이 아니며 1차 건도단계(S140)의 건조온도보다 2차 건조단계(S160)의 건조온도를 고온으로 유지하며, 1차 건조단계(S140)의 건조시간보다 2차 건조단계(S160)의 건조시간이 짧게 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 1차 건조단계(S140)의 건조온도는 표면 처리단계(S120) 또는 전착 단계(S130)에서 유지되는 온도보다 고온으로 유지되는 것이 바람직하다.
즉, 1차 건조단계(S140)에서의 건조온도는 표면 처리단계(S120) 또는 전착 단계(S130)에서 유지되는 온도와 2차 건조단계(S160)의 건조온도 사이의 온도로 설정되는 것이 바람직하다.
이는, 1차 건조단계(S140)에서 열전달에 의한 메모리 디스크 케이스(110)의 열팽창/수축을 방지하고, 2차 건조단계(S160)에서 고온 및 중력에 의한 메모리 디스크 케이스(110)의 열팽창/수축을 방지하여, 평탄도 불량이 5% 정도로 다른 말로 양품 수율이 95% 정도로 조사되어 불량률이 현저히 감소한 것으로 나타났다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
110: 메모리 디스크 케이스 120: 제1 지그
130: 제2 지그 140: 2차 건조용 건조기
S100: 메모리 디스크 케이스 처리방법 S110: 준비단계
S120: 표면처리단계 S130: 전착단계
S140: 1차 건조단계 S150: 2차 건조 준비단계
S160: 2차 건조단계

Claims (8)

  1. 메모리 디스크 케이스를 전착 및 건조하는 공정에 있어서,
    상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란하게 배치하는 준비 단계;
    상기 메모리 디스크 케이스의 표면을 화학 샌딩 처리하는 표면 처리단계;
    상기 메모리 디스크 케이스의 표면에 전착 공정(electro deposition)을 수행하는 전착 단계;
    상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 나란한 상태로 건조하는 1차 건조단계;
    상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 수직한 상태로 건조하는 2차 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 준비 단계는 상기 메모리 디스크 케이스가 삽입되는 돌출부가 전면 또는 후면 중 적어도 어느 하나에 형성된 제1 지그에 상기 메모리 디스크 케이스를 배치하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 1차 건조단계의 건조온도보다 상기 2차 건조단계의 건조온도가 고온이며,
    상기 1차 건조단계의 건조시간보다 상기 2차 건조단계의 건조시간이 짧은 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 1차 건조단계의 건조온도는 상기 표면 처리단계 또는 상기 전착단계에서 유지되는 온도보다 고온인 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 1차 건조단계와 상기 2차 건조단계 사이에는 상기 메모리 디스크 케이스를 중력방향과 수직한 상태로 배치하는 2차 건조 준비단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 2차 건조 준비단계에서는 내열성을 갖는 평판형의 제2 지그 상측에 상기 메모리 디스크 케이스를 배치하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 표면 처리단계는 상기 메모리 디스크 케이스를 세정액으로 세정하는 1차 세정단계; 상기 메모리 디스크 케이스의 표면을 화학 샌딩 처리하는 화학 샌딩 단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 중화시키는 중화단계; 상기 메모리 디스크 케이스를 세정액으로 복수회 세정하는 2차 세정단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 세정액은 초순수(DI water)인 것은 특징으로 하는 메모리 디스크 케이스의 처리방법.
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