KR20070088708A - 탄성파필터장치 및 듀플렉서 - Google Patents

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Abstract

통과대역의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 조정 및 감쇠량의 확대를 꾀할 수 있는 탄성파필터장치를 제공한다.
압전기판(1)상에, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)가 처리되어 있고, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)가 병렬로 접속되어 있고, 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7) 및 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있는 탄성파필터장치(1).
탄성파필터장치, 듀플렉서, IDT, 삽입손실, 평형도, 위드드로얼웨이팅

Description

탄성파필터장치 및 듀플렉서{ELASTIC WAVE FILTER DEVICE AND DUPLEXER}
본 발명은 탄성표면파나 탄성경계파 등을 이용한 탄성파필터장치 및 듀플렉서에 관한 것으로, 보다 상세에는 IDT(interdigital transducers)에 위드드로얼 웨이팅(withdrawal weighting)이 처리되어 있는 구조를 구비한 탄성파필터장치 및 듀플렉서에 관한다.
종래, 이동체 통신기기의 대역필터 등에, 복수의 종결합공진자형 탄성표면파필터를 병렬 접속하여 이루어지는 탄성표면파필터장치가 각종 이용되고 있다.
예를 들면, 하기의 특허문헌 1에는 입력단자에, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부를 병렬로 접속한 구성이 나타내어지고 있다. 여기에서는 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부는 각각 동일하게 설계된 2개의 종결합공진자형 탄성파필터를 2단종속 접속함으로써 구성되어 있다.
이 선행기술에 기재의 탄성파필터장치에서는 1개의 종결합공진자형 탄성파필터를 이용했을 경우에 비해, 전극지 교차폭을 1/2로 하게끔 해서, 2개의 종결합공진자형 탄성파필터부를 입력단자에 병렬로 접속하고 있다. 그 때문에, 전극지의 저항을 1/4로 할 수 있고, 탄성파필터장치의 삽입손실을 작게 할 수 있다.
한편, 하기의 특허문헌 2에는 도 12에 나타내는 전극구조를 가지는 종결합공 진자형 탄성표면파필터장치가 개시되어 있다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 이 선행기술에 기재의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(501)는 입력단자(502)에 병렬로, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(503,504)가 접속되어 있다. 종결합공진자형 탄성표면파필터(503,504)는 각각, 제1,제2의 평형신호단자(505,506)에 접속되어 있다.
여기에서는 병렬 접속되어 있는 종결합공진자형 탄성표면파필터(503,504) 중 일방의 종결합공진자형 탄성표면파필터(503)가 위드드로얼 웨이팅되어 있다. 타방의 종결합공진자형 탄성표면파필터(504)는 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있지 않다.
종결합공진자형 탄성표면파필터(503)의 복수의 IDT에 위드드로얼 웨이팅을 처리함으로써 제1,제2의 평형신호단자(505,506) 사이의 신호의 평형도가 개선된다고 여겨지고 있다.
특허문헌 1: 일본국 특허공개 평8-181566호 공보
특허문헌 2: 일본국 특허공개 2003-318700호 공보
특허문헌 1에 기재의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치에서는 삽입손실을 저감할 수 있지만, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량이 충분한 크기가 되기 어려웠다.
다른 한편, 특허문헌 2에 기재의 종결합공진자형 탄성표면파필터에 있어서도 상기와 같이 일방의 종결합공진자형 탄성표면파필터(503)에 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 평형도는 개선되어 있지만, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량은 충분하지 않았다.
본 발명의 목적은 복수의 종결합공진자형 탄성파필터를 병렬로 접속한 구성을 구비하고 있으며, 게다가 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 충분한 크기로 하는 것이 가능하다고 여겨지고 있는 탄성파필터장치를 제공하는 것에 있다.
본원의 제1의 발명에 의하면, 압전기판과, 상기 압전기판상에 설치된 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터를 구비하고, 각 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단자에 접속되는 IDT와, 출력단자에 접속되는 IDT를 가지고, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되는 IDT와 출력단자에 접속되는 IDT가 교대로 설치되어 있고, 상기 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있는 제1의 단자와, 상기 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 접속되어 있는 제2의 단자를 더욱 구비하고, 복수개의 상기 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 적어도 1개의 상기 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 다른 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치가 제공된다.
본원의 제2의 발명에 의하면, 압전기판과, 적어도 1개의 제1의 종결합공진자형 탄성파필터와, 적어도 1개의 제2의 종결합공진자형 탄성파필터를 구비하고, 상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단자에 접속되어 있는 IDT와, 출력단자에 접속되어 있는 IDT를 가지고, 상기 압전기판상에 있어서, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되어 있는 IDT와 출력단자에 접속되어 있는 IDT가 교대로 설치되어 있고, 상기 출력단자 또는 입력단자가 제1의 평형신호단자에 접속되고 있고, 상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단자에 접속되어 있는 IDT와, 출력단자에 접속되어 있는 IDT를 가지고, 상기 압전기판상에 있어서, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되어 있는 IDT와 출력단자에 접속되어 있는 IDT가 교대로 설치되어 있고, 출력단자 또는 입력단자가 제2의 평형신호단자에 접속되고 있고, 위상이, 상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터와 180°달라져 있고, 상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자가 불평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터 중 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치가 제공된다.
제3의 발명에 의하면, 압전기판과, 상기 압전기판에 설치된 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터와, 불평형신호단자와, 제1,제2의 평형신호단자를 구비하고, 상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터가, 압전기판상에 형성되어 있고, 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자에 접속되어 있는 제1의 IDT와, 상기 제1의 IDT의 탄성파 전파방향 양측에 설치되어 있고, 또한 상기 출력단자 또는 입력단자에 접속되어 있는 제2의 IDT를 가지고, 상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 입력단자가 상기 불평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 상기 제1의 평형신호단자에, 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 출력단자가 상기 제2의 평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되고 있고, 상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터 중 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상과 역전되어 있고, 상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 이 위드드로얼 웨이팅이 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터에서 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치가 제공된다.
제4의 본 발명에 의하면, 압전기판과, 상기 압전기판에 설치된 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터와, 불평형신호단자와, 제1,제2의 평형신호단자를 구비하고, 상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터가, 압전기판상에 형성되어 있고, 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자에 접속되어 있는 제1의 IDT와, 상기 제1의 IDT의 탄성파 전파방향 양측에 설치되어 있고, 또한 상기 출력단자 또는 입력단자에 접속되어 있는 제2의 IDT를 가지고, 상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 입력단자가 상기 불평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 상기 제1의 평형신호단자에, 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 출력단자가 상기 제2의 평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터 중 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상과 역전되어 있고, 상기 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 이 위드드로얼 웨이팅이 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터에서 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치가 제공된다.
제1~제4의 발명(이하, 본 발명이라 총칭함)의 어떤 특정한 국면에서는 상기 위드드로얼 웨이팅이, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터의 중심에 대하여, 탄성파 전파방향에 있어서 비대칭의 형상이 되게끔 처리되어 있다.
본 발명에 관한 탄성파필터장치의 더욱 다른 특정한 국면에서는 상기 위드드로얼 웨이팅이 처리된 전극지의 개수가, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 동등하게 되어 있다.
본 발명이 다른 특정한 국면에서는 상기 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있는 IDT가, 복수의 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 대응하는 IDT이다.
본 발명에 관한 탄성파필터장치에서는 모든 IDT가 위드드로얼 웨이팅처리되어 있어도 좋다.
또한 본 발명에 관한 듀플렉서는 본 발명에 따라서 구성된 탄성파필터장치를 이용해서 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
제1의 발명에 관한 탄성파필터장치로는 제1의 단자에 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 제2의 단자에 접속되어 있고, 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있다.
종결합공진자형 탄성파필터에 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있을 경우, 위드드로얼 웨이팅의 태양을 다르게 함으로써, 필터의 통과대역 내의 특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 응답의 마루나 골의 주파수나 응답의 크기를 변화시킬 수 있다. 따라서 제1의 발명에서는 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있기 때문에, 이들의 위드드로얼 웨이팅의 태양을 조정함으로써, 통과대역의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 필터특성을 제어할 수 있고, 예를 들면 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대를 용이하게 도모하는 것이 가능해진다.
그리고, 예를 들면 통과대역보다도 저역측의 감쇠역의 감쇠량이 커지게끔 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라져 있을 경우에는 통과대역보다도 저주파수측의 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 충분한 크기로 하는 것이 가능해진다.
제2의 발명에 관한 탄성파필터장치에서는 적어도 1개의 제1의 종결합공진자형 탄성파필터와, 적어도 1개의 제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 입력단자와 출력단자와의 사이에 병렬로 접속되어 있고, 적어도 1개의 제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상이, 제1의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상과 180°달라져 있기 때문에, 평형-불평형 변환기능을 가지는 종결합공진자형의 탄성파필터장치가 제공된다.
그리고, 제2의 발명에 있어서도 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터 중의 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있기 때문에, 이들의 위드드로얼 웨이팅의 태양을 조정함으로써, 통과대역에 있어서의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 조정할 수 있고, 예를 들면 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 충분한 크기로 할 수 있다.
따라서 예를 들면 통과대역보다도 저역측의 감쇠역의 감쇠량이 커지도록, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터 중 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 상이하게 되어 있을 경우에는 통과대역보다도 저주파수측의 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 충분한 크기로 할 수 있다.
제3, 제4의 발명에 있어서도, 불평형신호단자에 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 병렬로 접속되어 있고, 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터가, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 후단에 접속되어 있고, 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터가 제1,제2의 평형신호단자에 접속되어 있는 평형-불평형 변환기능을 가지는 탄성파필터장치에 있어서, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터, 또는 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터가 웨이팅되어 있고, 상기 웨이팅이, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터 또는 제3,제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터에 있어서 달라 있기 때문에, 통과대역에 영향을 거의 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 제어할 수 있고, 예를 들면 통과대역의 저주파수측에 있어서의 감쇠역의 감쇠량을 충분한 크기로 하는 것이 가능해진다.
위드드로얼 웨이팅이, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터의 중심에 대하여, 탄성파 전파방향에 있어서 비대칭의 형상이 되게끔 처리되어 있을 경우에는 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 한층 크게 하는 것이 가능해진다.
위드드로얼 웨이팅이 처리된 전극지의 개수가, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 동등하게 되어 있을 경우에는 통과대역에의 영향을 한층 더 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 위드드로얼 웨이팅의 태양에 의해 조정할 수 있다.
위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있는 IDT가 복수의 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 상당한 IDT일 경우에는 통과대역에의 영향을 한층 더 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 위드드로얼 웨이팅의 태양에 의해 조정할 수 있다.
모든 IDT가 위드드로얼 웨이팅되어 있을 경우에는 감쇠량 주파수특성을 보다 효과적으로 조정하는 것이 가능해진다.
본 발명에 관한 듀플렉서는 본 발명의 탄성파필터장치를 이용해서 구성되어 있으므로, 통과대역의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠량을 충분한 크기로 할 수 있고, 수신측 및 송신측의 대역필터의 적어도 일방에 본 발명의 탄성파필터장치를 사용함으로써 수신측 및/또는 송신측에 있어서의 필터특성을 효과적으로 개선하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태에 관한 탄성표면파 필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2(a)~(c)는 본 발명에 따라서 처리되는 위드드로얼 웨이팅을 설명하기 위한 약도적 부분 절흠평면도이다.
도 3은 본 발명의 1실시형태 및 비교예의 탄성표면파필터장치의 감쇠량 주파수특성을 나타내는 도이다.
도 4는 비교예로서 준비한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 5는 제2의 실시형태의 탄성표면파필터장치를 설명하기 위한 모식적 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3의 실시형태의 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제4의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제5의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제6의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 10은 본 발명의 변형예에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 11은 본 발명에 따라서 구성된 듀플렉서의 1예를 설명하기 위한 모식적 평면도이다.
도 12는 종래의 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
<부호의 설명>
1: 탄성표면파필터장치 2: 압전기판
3: 불평형신호단자 4,5: 제1,제2의 평형신호단자
6: 1단자쌍탄성표면파공진자
7,8: 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터
7A,8A: 종결합공진자형 탄성표면파필터
9: 공통접속점
10a,10b: 1단자쌍탄성표면파 공진자
11~13: IDT 14,15: 반사기
21~23: IDT 24,25: 반사기
31: IDT 31a~31h: 전극지
31x: 전극지 56: 제1의 단자
57: 제2의 단자 61: 탄성표면파필터장치
63: 불평형신호단자 64,65: 제1,제2의 평형신호단자
66: 1단자쌍탄성표면파공진자
67,68: 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부
67A,67B,68A,68B: 종결합공진자형 탄성표면파필터
69a,69b: 1단자쌍탄성표면파공진자
71: 탄성표면파필터장치 73: 불평형신호단자
74,75: 제1,제2의 평형신호단자
77,78: 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터
79A,79B: 제3,제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터
81~83: IDT 91~93: IDT
101~103: IDT 111~113: IDT
121: 탄성표면파필터장치
122,123: 종결합공진자형 탄성표면파필터
131~135: IDT 141~145: IDT
201: 듀플렉서 202: 송신필터
203: 출력단자 A: 갭
S1~S3: 직렬암공진자 P1,P2: 병렬암공진자
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 명확하게 한다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치(1)의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 탄성표면파필터장치(1)는 압전기판(2)을 가진다. 압전기판(2)은 본 실시형태에서는 42°Y컷 X전파의 LiTaO3기판에 의해 구성되어 있다.
탄성표면파필터장치(1)는 입력단자로서의 불평형신호단자(3)와, 출력단자로서의 제1,제2의 평형신호단자(4,5)를 가진다. 불평형신호단자(3)에, 1단자쌍탄성표면파공진자(6)를 통해서, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)가 접속되어 있다. 즉, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)는 각각 탄성표면파 전파방향에 따라 배치된 제1~제3의 IDT(ll~13, 21~23)와, IDT(ll~13, 21~23)가 배치되어 있는 영역의 표면파 전파방향 양측에 배치된 반사기(14,15,24,25)를 가진다. 즉, 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)는 모두 3개의 IDT를 가지는 3IDT형의 종결합공진자형 탄성표면파필터이다.
제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)의 중앙에 위치하고 있는 제2의 IDT(12)의 일단이, 공통접속점(9)에 접속되어 있다. 공통접속점(9)에는 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)의 중앙의 IDT(22)의 일단도 접속되어 있다. 공통접속점(9)이, 1단자쌍탄성표면파공진자(6)를 통해서 불평형신호단자(3)에 접속되어 있다.
IDT(12,22)의 타단은 그라운드 전위에 접속되어 있다.
제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)의 제1 및 제3의 IDT(11,13)의 각 일단이 그라운드 전위에 접속되어 있고, 각 타단이 공통접속되어, 1단자쌍탄성표면파공진자(10a)를 통해서 제1의 평형신호단자(4)에 접속되어 있다. 또한 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)의 제1 및 제3의 IDT(21,23)의 각 일단이 어스전위에 접속되며, 각 타단이 공통접속되어, 1단자쌍탄성표면파공진자(10b)를 통해서 제2의 평형신호단자(5)에 접속되어 있다.
다른 한편, 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)의 제2의 IDT(12)의 위상과, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)의 중앙의 제2의 IDT(22)의 위상과는 거의 180°달라져 있다. 따라서 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)는 평형-불평형 변환기능을 가진다.
다른 한편, 본 실시형태에서는 IDT(ll~13, 21~23)가, 모두 위드드로얼 웨이팅처리되어 있다. 또한 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)에 있어서는 중앙의 IDT(22)는 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있을 뿐만 아니라, 표면파 전파방향 양단에 있어서, 직렬웨이팅이 처리되어 있다. 직렬웨이팅이라 함은 IDT(22)의 1단측에 있어서, 크랭크형상의 더미전극지(22a)가 최외측의 전극지와, 최외측의 다음의 전극지가 설치되어 있는 영역에 걸치게끔 형성되어 있는 웨이팅 방법이다. IDT(22)에서는 IDT(22)의 타단측에 있어서도 동일하게 더미전극지(22b)가 설치되어 있고, 직렬웨이팅이 처리되어 있다. 이 직렬웨이팅은 평형도를 개선하기 위해서 처 리되어 있다.
본 실시형태의 특징은 상기 직렬웨이팅에 의해 평형도가 개선되어 있을 뿐만아니라, 모든 IDT(ll~13, 21~23)가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 또한 IDT(12)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이, IDT(22)와 다른 태양으로 위드드로얼 웨이팅되어 있는 점에 있다. 그리고 그것에 의해서 통과대역 내에 있어서의 필터특성에 그다지 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대가 꾀해지고 있다. 이것을 구체적인 실험예에 근거해 설명한다.
또한 도 1을 포함하는 첨부의 도면에 나타낸 전극구조에서는 전극구조는 간략화되어 있고, 실제의 전극지의 개수보다도 전극지의 개수는 적게 도시되어 있는 것을 지적해 둔다.
또한 도 2(a)~(c)는 위드드로얼 웨이팅을 설명하기 위한 약도적 평면도이다. 즉 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, IDT(31)가, 복수개의 전극지(31a~31h)를 가지고, 도 2(a)의 죄측에서 4개째의 해칭을 부기해서 나타낸 전극지(31d)를 없애는 것으로 한다. 전극지(31d)를 없애면, 즉 삭제하면, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 전극지(31d)가 설치되어 있는 부분에 공극(A)이 형성되게 된다. 그러나, 이 경우에는 전극지의 연속성이 손상되므로, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 좌측에서부터 3번째의 전극지(31c) 및 5개째의 전극지(31e)의 사이에, 동전위에 접속되는 전극지(31x)를 배치한다. 이와 같은 방법이, 위드드로얼 웨이팅이라 칭해지고 있는 웨이팅법이다. 전극지(31c), 전극지(31x) 및 전극지(31e)는 모두 동전위에 접속되어 있기 때문에, 이들의 전극지 사이에 있어서는 탄성표면파은 여진되지 않는다.
상기 실시형태의 탄성표면파필터장치(1)를 하기의 사양으로 제작하였다.
또한 본 실시형태에서는 WCDMA방식의 휴대전화기의 수신용 필터로서 이용되고 있는, 평형-불평형 변환기능을 가지는 대역필터를 제작하였다. 여기에서는 불평형신호단자(3)측의 임피던스는 50Ω이며, 평형신호단자(4,5)측에 있어서의 임피던스는 100Ω이다. 즉 1:2의 임피던스 변환기능을 가지는 탄성표면파필터장치(1)가 구성되어 있다.
상술한 압전기판상에, 전극재료로서 Al합금을 이용해, 이하의 요령으로 각 전극을 형성하였다.
종결합공진자형 탄성표면파필터(7)에 있어서는 IDT의 전극피치에 의해 정해지는 파장을 λI로 하면,
전극지 교차폭 44.9λI
IDT의 전극지의 개수(IDT 11, 12 및 13의 순): 35/49/35
반사기 14,15에 있어서의 각각의 전극지의 개수: 85개
메탈라이제이션 레시오:0.64
전극막후: 0.079λI
또한 도 1에서는 특히 도시하고 있지 않지만, IDT끼리가 이웃하는 부분에 있어서는 IDT의 단부에서 복수개의 전극지 사이의 전극지 피치가 나머지의 전극지부의 전극지 피치보다도 좁게 되어 있는, 협피치 전극지부가 설치되어 있고, 그것에 의해서 삽입손실의 저감이 꾀해지고 있다.
이와 같은 협피치 전극지부의 전극지의 개수는 IDT(ll)의 IDT(12) 측단부에 있어서는 4개로 하고, IDT(12)의 IDT(ll) 측단부에 있어서 4개, IDT(13) 측단부에 있어서 4개로 하고, IDT(13)의 IDT(12) 측단부에서는 4개로 하였다.
또한 IDT(ll)~(13)의 위드드로얼 웨이팅은 아래와 같이 시행하였다.
IDT(ll): 반사기(14) 측단부에서 6개째의 전극지
IDT(12): IDT(ll) 측단부에서 6개째의 전극지와, IDT(13) 측단부에서 6개째의 전극지
IDT(13): 반사기(15) 측단부에서 6개째의 전극지
또한 도 1은 상기한 바와 같이 간략화한 도이기 때문에, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 전극지의 위치는 상기 사양과 일치하고 있지 않다.
제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)에 있어서는 IDT(22)를 IDT(12)에 대하여 위상을 반전시키고 있는 점과, IDT(22)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있는 전극지가, IDT(21) 측단부에서 9개째의 전극지와, IDT(23) 측단부에서 9개째의 전극지로 되어 있는 점이 달라 있다. 또한 전술한 바와 같이, IDT(22)에서는 양단에 직렬웨이팅을 처리하였다. 그 밖의 점은 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)는 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)와 동일하게 구성하였다.
탄성표면파공진자(6)에 대해서는 아래와 같이 제작하였다. IDT의 피치로 정해지는 파장을 λI로 하면,
교차폭: 37.8λI
IDT의 전극지의 개수: 161개
반사기의 전극지의 개수: 15개
메탈라이제이션 레시오: 0.58
전극막후: 0.082λI
또한 탄성표면파공진자(10a,10b)는 각각 아래와 같이 설계하였다.
교차폭: 35.1λI
IDT의 전극지의 개수: 161개
1개의 반사기에 있어서의 전극지의 개수: 15개
메탈라이제이션 레시오: 0.58
전극막후: 0.082λI
도 3은 상기한 바와 같이 해서 제작한 본 실시형태의 탄성표면파필터장치의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도이다. 또한 비교예로서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8A)의 IDT(22A)의 위드드로얼 웨이팅이, IDT(12)와 동일하게 해서 위드드로얼 웨이팅되어 있는 것을 제외하고는 상기 실시형태와 동일하게 해서 구성된 탄성표면파필터장치(32)를 제작하고, 감쇠량 주파수특성을 측정하였다. 결과를 도 3에 파선으로 나타낸다.
도 3의 실선과 파선을 비교하면 명확한 바와 같이, 통과대역 내에 있어서의 주파수특성은 상기 실시형태 및 비교예의 어느 것에 있어서도 차이가 없음을 알 수 있다. WCDMA방식의 휴대전화기의 수신측 필터에 있어서의 통과대역은 2110~2170MHz이며, 송신측 필터의 통과대역은 1920~1980MHz이다. 따라서 수신측 필터에서는 송신측 필터의 통과대역이 감쇠역이 되며, 이 감쇠역에 있어서 가능한 한 큰 감쇠량이 요구된다.
도 3에서 명백한 바와 같이, 비교예의 탄성표면파필터장치에서는 1900~2000M Hz, 특히 통과대역에 가까운 1970MHz 부근에 있어서, 삽입손실이 37dB정도로 되고 있음을 알 수 있다. 이것에 대하여, 상기 실시형태의 탄성표면파필터장치에서는 통과대역 근방의 감쇠역, 특히 저주파수측의 감쇠역에 있어서, 최소삽입손실량이 42dB이상임을 알 수 있다. 그리고, 1900~2000MHz의 주파수역에 있어서의 최소삽입손실량이, 42dB을 상회하고 있으며, 통과대역 근방의 감쇠역, 특히 저주파수측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량이 약 5dB 개선되어 있음을 알 수 있다. 또한 이때, 통과대역 내의 필터특성은 거의 변화하지 않고 있다.
상기와 같이, 실시형태에 있어서, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대, 즉 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 최소삽입손실량을 크게 할 수 있었던 것은 이하의 이유에 의한다고 생각된다.
즉, 위드드로얼 웨이팅에 있어서, 위드드로얼 웨이팅의 대상이 되는 전극지의 위치를 변경했을 경우, 탄성표면파필터의 통과대역 내의 특성은 대부분 변화하지 않고, 통과대역보다도 저주파수측에 발생하는 응답의 마루의 주파수, 골의 주파수가 변화하게 된다. 실시형태와 같이, 2개의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)가 병렬 접속되어 있는 구성에 있어서, 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)를 동일하게 위드드로얼 웨이팅했을 경우에 있어서도, 상기 마루나 골의 주파수는 변화하지만, 일정한 범위에서밖에 변화시킬 수 없고, 소망의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대를 꾀할 수 있다고는 할 수 없다.
이것에 대하여, 본 실시형태에서는 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7) 에 있어서의 위드드로얼 웨이팅과, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 위치가 달라 있기 때문에, 병렬 접속되어 있는 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터에 있어서의 마루 및 골의 변화가 겹쳐지게 된다. 따라서 상기 위드드로얼 웨이팅이 달라 있기 때문에, 위드드로얼 웨이팅의 태양에 의한 감쇠역의 주파수특성의 조정범위를 대폭 확대할 수 있다. 예를 들면, 감쇠량을 크게 하고 싶은 주파수 범위에 있어서, 상기 응답의 마루가 존재하지 않도록 위드드로얼 웨이팅을 처리하거나, 상기 응답을 작게 하거나 함으로써, 감쇠량을 크게 할 수 있다. 즉, 상기 실시형태에서는 통과대역보다도 저역측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량이 커지게끔, IDT(12)의 위드드로얼 웨이팅과, IDT(22)의 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있는 위치가 변경되어 있다.
환언하면, 본 실시형태에서는 IDT(12)의 위드드로얼 웨이팅과, IDT(22)의 위드드로얼 웨이팅과는 통과대역보다도 저주파수측의 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 확대할 수 있게끔 위드드로얼 웨이팅의 태양이 달라져 있다.
상기와 같이, 위드드로얼 웨이팅의 태양을, IDT(12)와 IDT(22)에서 달라지게 함으로써, 통과대역에 있어서의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역보다도 저주파수측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대를 꾀하는 것이 가능하게 되었다. 더구나, 전술한 바와 같이, IDT(12)와, IDT(22)의 위드드로얼 웨이팅을 달라지게 했을 경우, 반드시 통과대역 저역측의 감쇠량의 확대를 꾀할 수 있는 것은 아니다. 그러나 IDT(12)의 위드드로얼 웨이팅과 IDT(22)의 위드드로얼 웨이팅과 달라지게 함으로써, 통과대역의 필터특성에 영향을 거의 주지 않고, 통과대역 근방의 감 쇠역에 있어서의 감쇠특성을 조정할 수 있으므로 요구되는 감쇠특성에 따라서 위드드로얼 웨이팅의 태양을 다르게 하면 좋다.
도 5는 본 발명의 제2의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 1에 나타낸 탄성표면파필터장치(1)에서는 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)에 있어서는 중앙의 IDT(12)의 중심에 대하여, 표면파 전파방향 양측에 있어서 대칭이 되게끔 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)의 IDT(ll)~(13)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있었다. 마찬가지로, 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)에 있어서도, 중앙의 IDT(22)의 중심에 대하여 표면파 전파방향 양측이 대칭이 되게끔 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있었다.
이것에 대하여, 도 5에 나타내는 탄성표면파필터장치(51)에서는 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7A)에 있어서는 중앙의 제2의 IDT(12)의 중심에 대하여 표면파 전파방향에 있어서 비대칭이 되게끔 IDT(llA,13A)가 위드드로얼 웨이팅되어 있다. 마찬가지로, IDT(22)의 중심에 대해, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8A)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 태양이 비대칭이 되게끔 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8A)가 웨이팅되어 있다.
종결합공진자형 탄성표면파필터장치(51)는 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)와, 상기의 점을 제외하고는 동일하게 구성되어 있다.
제2의 실시형태의 탄성표면파필터장치(51)에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 있어서는 각 종결합공진자형 탄성표면파필터(7A,8A)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 태양은 각 종결합공진자형 탄성표면파필터(7A,8A)의 중앙의 IDT의 중심에 대하 여 표면파 전파방향 양측에 있어서 대칭으로 될 필요는 없고, 비대칭으로 되어 있어도 좋다. 따라서 이와 같이 비대칭으로 함으로써, 더욱 감쇠특성을 얻기 위한 설계의 자유도를 높일 수 있고, 경우에 따라서는 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 한층 더 크게 할 수 있다.
도 1 및 도 5는 평형-불평형 변환기능을 가지고, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터가 불평형신호단자에 병렬로 접속되어 있는 구조를 설명하였지만, 본 발명은 다른 전극구조를 가지는 탄성표면파필터장치에도 적용할 수 있다. 이것을, 도 6~도 10을 참조해서 설명한다.
도 6은 본 발명의 제3의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치(55)의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 제3의 실시형태의 탄성표면파필터장치(55)는 한쌍의 평형신호단자를 가지지 않는다. 즉, 입력단자로서의 제1의 단자(56)와, 출력단자로서의 제2의 단자(57)를 가진다. 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터의 위상이 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터와 같이 된 것을 제외하고, 제1의 실시형태와 마찬가지로 구성된 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)의 입력단자가 공통접속점(9)에 의해 공통접속되어 있다. 공통접속점(9)이 1단자쌍탄성표면파공진자(6)를 통해서 제1의 단자(56)에 접속되어 있다. 또한 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)의 출력단자가 공통접속되며, 1단자쌍탄성표면파공진자(58)를 통해서 제2의 단자(57)에 접속되어 있다.
상기와 같이, 평형-불평형 변환기능을 가지지 않고, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)의 출력단자가 공통접속되어, 1단자쌍탄성표면파공진자(58) 를 통해서 제2의 단자(57)에 접속되어 있는 것을 제외하고는, 탄성표면파필터장치(55)는 탄성표면파필터장치(1)와 동일하게 구성되어 있다.
본 실시형태에서, 평형-불평형 변환기능을 가지지 않는 병렬 접속형의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치가 얻어지고 있지만, 이 경우에 있어서도, 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(8)의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있기 때문에, 통과대역에 있어서의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역보다도 저주파수측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 조정할 수 있다. 또한 예를 들면 통과대역보다도 저역측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량이 확대되게끔, 양자의 웨이팅을 달라지게 함으로써, 통과대역 저역측의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 충분한 크기로 하는 것도 가능하다.
도 6에서 명백한 바와 같이, 본 발명은 평형-불평형 변환기능을 가지지 않는 병렬 접속형의 탄성표면파필터장치에도 적용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치(61)의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 불평형신호단자(63) 및 제1,제2의 평형신호단자(64,65) 사이에 도시의 전극구조가 접속되어 있다. 불평형신호단자(63)에, 1단자쌍탄성표면파공진자(66)를 통해서 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(67,68)가 병렬로 접속되어 있다. 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(67)는 1단자쌍탄성표면파공진자(69a)를 통해서 제1의 평형신호단자(64)에 접속되어 있다. 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(68)는 1단자쌍탄성표면파공진자(69b)를 통해서 제2의 평형신호단자(65)에 접속되어 있다.
본 실시형태에서는 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(67)가, 병렬로 접속된 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(67A,67B)를 가지고, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(68)가, 병렬로 접속된 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(68A,68B)를 가진다. 즉, 제1의 실시형태의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)의 각각이, 병렬로 접속된 2개의 종결합공진자형 탄성표면파필터로 이루어지는 구조로 치환되어 있다.
본 실시형태에 있어서도, 예를 들면 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(67A,67B)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 태양을, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(68A,68B)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 태양과 달라지게 함으로써, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠특성을 조정할 수 있고, 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대를 꾀하는 것이 가능해진다.
이 경우, 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(67)의 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(67A,67B)의 적어도 일방의 위드드로얼 웨이팅을, 나머지의 종결합공진자형 탄성표면파필터의 위드드로얼 웨이팅과 다르게 하면 좋다.
또한 제4의 실시형태에 있어서도 종결합공진자형 탄성표면파필터(68A,68B)에 있어서는 중앙의 IDT의 양단에 직렬웨이팅이 각각 처리되어 있다. 이것은 평형도를 개선하기 위해서이다.
도 8은 제5의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 제5의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치(1000)에서는 불평형신호단자(3)와 제1,제2의 평형신호단자(4,5) 사이에 도시의 전극구조가 접속되어 있다. 불평형신호단자(3)에, 1단자쌍탄성표면파공진기(6)를 통해서 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(1001,1002)가 병렬로 접속되어 있다. 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터부(1001,1002)의 각각 중앙에 위치하는 IDT(1012,1022)의 일단은 각각 IDT부(1012a)와 IDT부(1012b), IDT부(1022a)와 IDT부(1022b)로 분할되어 있고, IDT부(1012a)와 IDT부(1022a)가 평형신호단자(4)에, IDT부(1012b)와 IDT부(1022b)가 평형신호단자(5)에 접속되어 있다.
본 실시형태에 있어서도 예를 들면 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(1001)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅의 태양을, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(1002)의 태양과 달라지게 함으로써, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠특성을 조정할 수 있고, 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 확대를 꾀하는 것이 가능해진다.
도 9는 제6의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 제6의 실시형태에 관한 탄성표면파필터장치(71)에서는 불평형신호단자(73)와, 제1,제2의 평형신호단자(74,75) 사이에 도시의 전극구조가 접속되어 있다. 여기에서는 불평형신호단자(73)에 병렬로, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(77,78)가 접속되어 있다. 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(77) 및 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(78)는 모두 표면파 전파방향을 따라서 배치된 IDT(81~83, 91~93)를 가지는 3IDT형의 종결합공진자형 탄성표면파필터이다.
여기에서는 중앙의 IDT(82,92)의 일단이 공통접속되어, 불평형신호단자(73)에 접속되어 있고, IDT(82,92)의 타단은 그라운드 전위에 접속되어 있다. 또한 IDT(81,83)의 각 일단이 그라운드 전위에 접속되며, 각 타단이, 후술하는 제3의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79A)에 접속되어 있다. 마찬가지로 IDT(91,93)의 각 일단이 그라운드 전위에 접속되며, 각 타단이 후술하는 제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79B)에 접속되어 있다.
제3,제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79A,79B)는 각각 표면파 전파방향을 따라서 배치된 IDT(101~103, 111~113)를 가지는, 3IDT형의 종결합공진자형 탄성표면파필터이다. IDT(101,103)의 각 일단이, IDT(81,83)의 각 타단에 접속되어, 제3의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79A)의 입력단자가, 제1의 종결합공진자형 탄성표면파필터(77)의 출력단자에 접속되어 있다. IDT(101,103)의 각 타단은 그라운드 전위에 접속되어 있다. 또한 IDT(102)의 일단이 그라운드 전위에 타단이 제1의 평형신호단자(74)에 접속되어 있다.
마찬가지로, 제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79B)에서는 IDT(111,113)의 각 타단이 그라운드 전위에 접속되어 있다. 또한 IDT(111,113)의 각 일단이 IDT(91,93)에 접속되어 있고, 즉 제4의 종결합공진자형 탄성표면파필터(79B)의 입력단자가, 제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(78)의 출력단자에 접속되어 있다. 또한 IDT(112)의 일단이 그라운드 전위에, 타단이 제2의 평형신호단자(75)에 접속 되어 있다.
제6의 실시형태의 탄성표면파필터장치(71)에 있어서는 IDT(81~83, 91~93, 101~103, 111~113)의 모두가 위드드로얼 웨이팅되어 있다. 더구나 본 발명에 따라서 IDT(82)에 있어서의 웨이팅이, IDT(92)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있다. 즉 1개의 IDT의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 IDT의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있다. 환언하면, 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성표면파필터(77)의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 탄성표면파필터(78,79A,79B)의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있다. 따라서 제1의 실시형태의 경우와 같이, 이들의 위드드로얼 웨이팅의 달리하는 법을 연구함으로써 통과대역에 있어서의 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량을 조정하는 것이 가능해진다.
도 10은 본 발명의 변형예에 관한 탄성표면파필터장치의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 변형예의 탄성표면파필터장치(121)는 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(7,8)에 대신해서, 5IDT형의 제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(122,123)를 이용한 것을 제외하고는 제1의 실시형태와 동일하게 구성되어 있다. 따라서 동일부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 부기함으로써 설명을 생략한다.
제1,제2의 종결합공진자형 탄성표면파필터(122,123)는 각각 표면파 전파방향을 따라서 위치된 제1~제5의 IDT(131~135,141~145)를 가진다. 여기에서는 IDT(131~135)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅이, IDT(141~145)에 있어서의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있다. 따라서 제1의 실시형태의 경우와 마찬가지로, 필터특성에 거의 영향을 주지 않고, 통과대역 근방의 감쇠역에 있어서의 감쇠량의 조정을 꾀할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 있어서는 3IDT형에 한하지 않고, 5IDT형의 종결합공진자형 탄성표면파필터를 이용해도 좋다. 나아가, 2IDT형이나, 다른 수의 IDT를 가지는 종결합공진자형 탄성표면파필터에도 본 발명을 적용할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시형태로서의 듀플렉서의 전극구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 듀플렉서(201)는 1개의 압전기판(도시하지 않음)상에 도시의 전극구조를 형성함으로써 구성되어 있다. 여기에서는 제1의 실시형태를 따라서 구성된 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)와, 송신측필터(202)가 형성되어 있다. 불평형신호단자(3)에, 제1의 실시형태의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)가 접속되며, 수신측 필터가 구성되어 있다. 다른 한편, 불평형신호단자(3)에는 레이더형 회로구성을 가지는 종결합공진자형의 탄성표면파필터(202)가 송신측 필터로서 접속되어 있다. 이 송신측필터(202)는 불평형신호단자(3)와, 출력단자(203)와의 사이에 연장하는 직렬암(series-arm)에 접속된 직렬암공진자(Sl,S2,S3)와, 병렬암공진자(Pl,P2)를 가진다. 직렬암공진자(Sl~S3) 및 병렬암공진자(Pl,P2)는 모두 1단자쌍탄성표면파공진자에 의해 구성되어 있다.
종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)를 수신측 대역필터로서, 래더형 회로 구성의 종결합공진자형 탄성표면파필터(202)를 송신측 필터로서 구비하는 듀플렉서(201)에서는 수신측 대역필터로서의 종결합공진자형 탄성표면파필터장치(1)의 통과대역보다도 저역측의 감쇠역, 즉 송신측 필터의 통과대역에 있어서의 감쇠량을 크게 할 수 있고, 아이솔레이션 특성을 높이는 것이 가능해진다.
또한 본 발명에 있어서는 탄성파로서, 탄성표면파에 한하지 않고 탄성경계파를 이용해도 좋다. 즉 탄성표면파필터장치 뿐만 아니라, 탄성경계파필터장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 압전기판과,
    상기 압전기판상에 설치된 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터를 구비하고, 각 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단자에 접속되는 IDT와, 출력단자에 접속되는 IDT를 가지고, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되는 IDT와 출력단자에 접속되는 IDT가 교대로 설치되어 있고,
    상기 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있는 제1의 단자와,
    상기 복수개의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 접속되어 있는 제2의 단자를 더욱 구비하고,
    복수개의 상기 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 적어도 1개의 상기 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 다른 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  2. 압전기판과,
    적어도 1개의 제1의 종결합공진자형 탄성파필터와,
    적어도 1개의 제2의 종결합공진자형 탄성파필터를 구비하고,
    상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단 자에 접속되어 있는 IDT와, 출력단자에 접속되어 있는 IDT를 가지고, 상기 압전기판상에 있어서, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되어 있는 IDT와 출력단자에 접속되어 있는 IDT가 교대로 설치되어 있고, 상기 출력단자 또는 입력단자가 제1의 평형신호단자에 접속되어 있고,
    상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터가, 입력단자와, 출력단자와, 입력단자에 접속되어 있는 IDT와, 출력단자에 접속되어 있는 IDT를 가지고, 상기 압전기판상에 있어서, 탄성파 전파방향을 따라서 입력단자에 접속되어 있는 IDT와 출력단자에 접속되어 있는 IDT가 교대로 설치되어 있고, 출력단자 또는 입력단자가 제2의 평형신호단자에 접속되어 있고, 위상이, 상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터와 180°달라져 있고,
    상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자가 불평형신호단자에 접속되어 있고,
    상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터 중 적어도 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위드드로얼 웨이팅과 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  3. 압전기판과,
    상기 압전기판에 설치된 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터와, 불평형신호단자와, 제1,제2의 평형신호단자를 구비하고,
    상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터가, 압전기판상에 형성되어 있고, 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자에 접속되어 있는 제1의 IDT와, 상기 제1의 IDT의 탄성파 전파방향 양측에 설치되어 있고, 또한 상기 출력단자 또는 입력단자에 접속되어 있는 제2의 IDT를 가지고,
    상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 입력단자가 상기 불평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 상기 제1의 평형신호단자에, 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 출력단자가 상기 제2의 평형신호단자에 접속되어 있고,
    상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고,
    상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터 중 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상과 역전되어 있고,
    상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 이 위드드로얼 웨이팅이 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터에서 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  4. 압전기판과,
    상기 압전기판에 설치된 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터와, 불평형신 호단자와, 제1,제2의 평형신호단자를 구비하고,
    상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터가, 압전기판상에 형성되어 있고, 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자 또는 출력단자에 접속되어 있는 제1의 IDT와, 상기 제1의 IDT의 탄성파 전파방향 양측에 설치되어 있고, 또한 상기 출력단자 또는 입력단자에 접속되어 있는 제2의 IDT를 가지고,
    상기 제1,제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 입력단자가 상기 불평형신호단자에 접속되어 있고, 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자가 상기 제1의 평형신호단자에, 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 상기 출력단자가 상기 제2의 평형신호단자에 접속되어 있고,
    상기 제1의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제3의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고, 상기 제2의 종결합공진자형 탄성파필터의 출력단자에 상기 제4의 종결합공진자형 탄성파필터의 입력단자가 접속되어 있고,
    상기 제1~제4의 종결합공진자형 탄성파필터 중 1개의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상이, 나머지의 종결합공진자형 탄성파필터의 위상과 역전되어 있고,
    상기 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터가 위드드로얼 웨이팅되어 있고, 이 위드드로얼 웨이팅이 제3,제4의 종결합공진자형 탄성파필터에서 달라 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위드드로얼 웨이팅이, 위드 드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터의 중심에 대하여, 탄성파 전파방향에 있어서 비대칭의 형상이 되게끔 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위드드로얼 웨이팅이 처리된 전극지의 개수가, 위드드로얼 웨이팅이 처리된 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 동등하게 되어 있는 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위드드로얼 웨이팅이 처리되어 있는 IDT는, 복수의 종결합공진자형 탄성파필터 사이에서 대응하는 IDT인 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 모든 IDT가 위드드로얼 웨이팅되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파필터장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재의 탄성파필터장치를 이용해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
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