KR20100128249A - 탄성파 장치 - Google Patents

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KR20100128249A
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Abstract

본 발명의 목적은 횡모드의 리플을 억제하여 필터 통과 대역 내의 특성을 개선하고, 필터의 통과 대역 저역측의 주파수 특성도 향상시키는 것이다.
압전체상에 배치된 제1~제3의 빗살형상 전극과, 탄성파 전파방향 양측에 배치된 제1, 제2의 반사기를 가지며, 탄성파 전파방향의 빗살형상 전극끼리 이웃하고 있는 부분에 있어서 협피치 전극지부가 마련된 종결합 공진자형의 탄성파 장치에 있어서, 상기 협피치 전극지부를 가지는 상기 제1~제3의 빗살형상 전극의 대부분은 아포다이즈 웨이팅되어 있고, 협피치 전극지부 및 협피치 전극지에 인접하는 전극지 부분은 정규형의 빗살형상 전극으로 되어 있다.

Description

탄성파 장치{ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성 경계파 또는 탄성 표면파를 이용한 탄성파 장치, 특히 종결합형의 공진자로 이루어지는 탄성파 장치에 관한 것이다.
휴대전화로 대표되는 이동체 통신 단말에는 필터나 듀플렉서 등의 부품이 다수 내장되어 있다. 최근, 소형화 요구에 대응하기 위해 이들 부품에 사용되는 필터 장치로서 탄성파 장치가 자주 이용된다.
최근에는 탄성파 중에서도, 탄성 표면파와 함께 탄성 경계파도 이용되게 되었다. 탄성 경계파를 이용한 필터 장치는 전파하는 파를 공진시키는 공진 공간이 불필요해지는 만큼, 탄성 표면파를 이용하는 필터 장치보다도 소형화하는 것이 가능해진다. 그러나 이 탄성 경계파를 이용한 필터 장치의 경우, 탄성 표면파를 이용한 필터 장치에 비해, 도파로 내에서의 가둠 효과(confinement effect)가 강하기 때문에, 횡모드(transverse-mode)의 리플(ripple)이 통과 대역 내에 들어가, 필터의 통과 특성이 열화해 버린다.
또한 탄성 표면파 필터 장치나 탄성 경계파 필터 장치에서는, 소형화를 진척하기 위해 빗살형상 전극의 교차폭을 좁게 한 경우에도 횡모드의 리플이 나타나는 일이 많았다.
이 때문에 특허문헌 1에는 횡모드의 리플을 억제한 종결합형의 공진자로 이루어지는 탄성파 필터의 구성이 제안되어 있다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 특허문헌 1에 개시되어 있는 탄성파 필터는 이하와 같이 전극이 형성되어 있다.
압전체상에, 제1의 빗살형상 전극(91), 그 탄성파 전파방향 양측에 제2, 제3의 빗살형상 전극(92, 93)이 배치되고, 빗살형상 전극(91~93)이 마련되어 있는 부분의, 탄성파 전파방향 양측에 반사기(94, 95)가 배치되어 있다. 그리고 빗살형상 전극(91~93)에 있어서, 2개의 빗살형상 전극이 이웃하는 부분에는 쌍방의 빗살형상 전극에, 전극지 주기가 나머지 전극지 주기보다도 작은 협피치(narrower-pitch) 전극지 부분(912A, 913A, 921A, 931A)이 각각 마련되어 있다. 또한 빗살형상 전극(91~93)에 있어서, 협피치 전극지 부분을 제외한 부분에는 아포다이즈 웨이팅(apodization-weighting)이 되어 있다.
이 구성으로 함으로써 횡모드의 리플을 억제할 수 있으며, 결과적으로 필터 통과 대역 내의 특성을 개선할 수 있다고 여겨지고 있다.
WO2008/038481호 공보
그러나 특허문헌 1에 개시되어 있는 구성에서는 이하와 같은 점에서 문제가 있었다.
협피치 전극지 부분을 제외한 부분에 아포다이즈 웨이팅을 한, 빗살형상 전극의 공진자를 이용한 필터는 횡모드의 리플을 억제할 수 있기 때문에, 필터 통과 대역 내의 특성은 개선된다. 그러나 필터 통과 대역의 저역측의 감쇠량이 충분히 얻어지지 않는다.
이 때문에, 다이버시티(diversity)용 필터나 듀플렉서용 필터로서 사용할 경우, 필요한 감쇠를 달성할 수 없다.
본 발명은 이러한 문제점을 극복하여, 횡모드의 리플을 억제해서 필터 통과 대역 내의 특성을 개선하고, 또한 필터의 통과 대역 저역측의 주파수 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 탄성파 장치는,
압전체와, 상기 압전체상에 배치된 제1의 빗살형상 전극과, 상기 제1의 빗살형상 전극의 탄성파 전파방향 양측에 배치된 제2, 제3의 빗살형상 전극과, 상기 제1~제3의 빗살형상 전극이 마련되어 있는 부분의 탄성파 전파방향 양측에 배치된 제1, 제2의 반사기를 가지며,
탄성파 전파방향의 빗살형상 전극끼리 이웃하고 있는 부분에 있어서, 상기 빗살형상 전극의 인접하는 빗살형상 전극측의 단부로부터 일부의 부분에서의 전극지의 주기가, 상기 빗살형상 전극의 나머지 전극지의 주기보다도 좁게 되어 있으며, 그로 인해 전극지의 주기가 상대적으로 좁은 협피치 전극지 부분이 마련된 종결합 공진자형의 탄성파 장치에 있어서, 상기 제1~제3의 빗살형상 전극에서의, 상기 협피치 전극지 부분 및 상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분은 정규형의 빗살형상 전극으로 구성되고, 상기 정규형의 빗살형상 전극 이외의 부분에는 아포다이즈 웨이팅되어 있으며,
상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 정규형의 전극지 부분의 비율은 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극에 대하여, 3%~20%로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 제1의 빗살형상 전극은 탄성파 전파방향의 중앙에서의 교차폭이 최대이고, 상기 협피치 전극지 부분이 마련된 양 단부를 향해 교차폭이 작아지도록 아포다이즈 웨이팅되어 있으며, 그로 인해 아포다이즈 웨이팅에 의해 형성되는 포락선으로 둘러싸인 부분의 형상이 마름모꼴 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
나아가서는, 상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 정규형의 전극지 부분의 비율은 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극에 대하여, 3%~12%로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 탄성파로서 탄성 경계파가 이용되고 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 압전체상에 적층된 제1의 유전체층과, 상기 제1의 유전체층상에 적층된 제2의 유전체층을 구비하고, 상기 제2의 유전체층을 전파하는 탄성파의 음속이 상기 제1의 유전체층을 전파하는 탄성파의 음속보다도 빠른 것을 특징으로 한다.
나아가서는, 상기 탄성파로서 탄성 표면파가 이용되고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성에 의한 탄성파 장치는 협피치 전극지 부분 및 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분을 제외한 부분에 아포다이즈 웨이팅을 하고, 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분은 정규형의 빗살형상 전극으로 한 필터 장치이다. 따라서 횡모드의 리플을 억제하여 필터 통과 대역 내의 특성을 개선하고, 또한 필터의 통과 대역 저역측의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에서의 탄성 경계파 장치의 약식 평면도이다.
도 2는 본 발명의 탄성 경계파 장치의 주요부를 확대한 약식 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에서의 탄성 경계파 장치의 주파수 특성과, 종래예의 탄성 경계파 장치의 주파수 특성의 관계를 설명하는 도이다.
도 4는 본 발명의 비교예에서의 탄성 경계파 장치의 약식 평면도이다.
도 5는 본 발명의 비교예에서의 탄성 경계파 장치의 주파수 특성과, 종래예의 탄성 경계파 장치의 주파수 특성의 관계를 설명하는 도이다.
도 6은 빗살형상 전극지 메인 부분에 대한 정규형 부분의 비율과, 필터 통과 대역 중앙부의 횡모드 리플의 관계를 설명하는 도이다.
도 7은 빗살형상 전극지 메인 부분에 대한 정규형 부분의 비율과, 필터 통과 대역 저역측 감쇠량의 관계를 설명하는 도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태에서의 탄성 경계파 장치의 약식 평면도이다.
도 9는 종래의 탄성 경계파 장치의 약식 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 실시형태의 탄성 경계파 장치의 약식 평면도를 나타내고 있고, 도 2는 본 발명의 탄성 경계파 장치의 주요부를 확대한 약식 단면도를 나타내고 있다.
도 2에 나타나 있는 바와 같이, 본 발명의 탄성 경계파 장치는, 압전체(1)와, 압전체(1)상에 적층된 소정의 두께를 가지는 제1의 유전체층(3), 또한 제1의 유전체층(3)상에 적층된 소정의 두께를 가지는 제2의 유전체층(4)을 구비하고 있다. 또한 압전체(1)와 제1의 유전체층(3) 사이에는 전극(2)이 형성되어 있다. 이러한 구조로 함으로써 압전체(1)와 제1의 유전체층(3) 사이에서 효율적으로 갇힌 탄성 경계파가 전파된다.
상기 압전체(1)는 LiNbO3로 구성되어 있다. 또한 상기 압전체(1)로서 LiTaO3나 수정 등을 이용해도 된다. 상기 제1의 유전체층(3)은 산화규소로 구성되어 있고, 상기 제2의 유전체층(4)은 질화규소로 구성되어 있다. 막두께는, 제1의 유전체층(3)은 1.8㎛, 제2의 유전체층(4)은 3㎛로 구성되어 있다. 또한, 이들 유전체층을 구성하는 재료로서는 산화규소나 질화규소에 한정되는 것은 아니며, 산질화규소, 규소, 질화알루미늄, 알루미나, 탄화규소 등을 사용해도 된다. 단, 제2의 유전체층(4)을 구성하는 유전체 재료는 제1의 유전체층(3)을 구성하는 유전체 재료보다도 탄성 경계파의 음속이 빠른 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의해 탄성 경계파 전파 모드의 가둠성이 향상한다. 또한, 상기 전극(2)은 압전체측부터 순서대로 Pt로 이루어지는 층과 Al로 이루어지는 층을 적층한 것으로 구성되어 있다. 전극의 막두께는, Pt는 0.1㎛, Al은 0.3㎛로 하였다. 또한, 상기 전극(2)으로서는 Pt 외에, Cu, Au, 또는 이들의 합금으로 이루어지는 재료를 사용해도 된다.
도 1에 나타나 있는 탄성 경계파 필터(10)는 아래와 같이 전극이 구성되어 있다. 압전체상에, 제1의 빗살형상 전극(11), 그 탄성파 전파방향 양측에 제2, 제3의 빗살형상 전극(12, 13)이 배치되고, 빗살형상 전극(11~13)이 마련되어 있는 부분의, 탄성파 전파방향 양측에 반사기(14, 15)가 배치되어 있다. 그리고 빗살형상 전극(11~13)에 있어서, 2개의 빗살형상 전극이 이웃하는 부분에는 쌍방의 빗살형상 전극에, 전극지 주기가 나머지 전극지 주기보다도 작은 협피치 전극지 부분(112A, 113A, 121A, 131A)이 각각 마련되어 있다.
나아가, 빗살형상 전극(11~13)에 있어서, 대부분, 즉 협피치 전극지 부분 및 후술하는 정규형의 빗살형상 전극지 부분을 제외한 부분은 아포다이즈 웨이팅이 되어 있다. 이 아포다이즈 웨이팅은 각각의 빗살형상 전극(11~13)의 중앙부에서 교차폭이 최대가 되고, 협피치 전극지 부분(112A, 113A, 121A, 131A)이 마련된 양 단부를 향해 교차폭이 작아지도록 형성되어 있다. 즉, 아포다이즈 웨이팅에 의해 형성되는 포락선으로 둘러싸인 부분의 형상이 마름모꼴 형상이 되도록 구성되어 있다.
상기 협피치 전극지 부분(112A, 113A, 121A, 131A)은 정규형으로 구성되어 있다. 또한, 이 협피치 전극지 부분(112A, 113A, 121A, 131A)에 인접하는 부분은 아포다이즈 웨이팅되지 않는 정규형의 빗살형상 전극 부분(112B, 113B, 121B, 131B)으로 구성되어 있다.
이하에 본 발명의 실시형태에서의 설계 파라미터를 나타낸다.
제1의 빗살형상 전극(11)은, 전극지의 총 개수는 35개, 협피치 전극지 부분은 양 단부에서 7개씩이며 계 14개, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분은 양 단부에서 2개씩이며 계 4개로 하였다.
제2, 제3의 빗살형상 전극(12 및 13)은, 전극지의 총 개수는 54개, 협피치 전극지 부분은 7개, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분은 2개로 하였다. 또한, 교차폭은 제1~제3의 빗살형상 전극 공통이며, 최대 부분에서 130㎛, 최소 부분에서 78㎛로 하였다. 전극지 피치는 이것도 제1~제3의 빗살형상 전극 공통이며, 협피치 전극지 부분에서 1.82㎛, 그 이외에는 1.92㎛로 하였다.
상기로부터 명확한 바와 같이, 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극의 메인 부분은, 제1~제3의 빗살형상 전극지 총 개수 143개에서 협피치 전극지 총 개수 28개를 뺀 115개이며, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분은 제1~제3의 빗살형상 전극에 있어서 총 개수 8개이다. 따라서, 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극의 메인 부분에 대한 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분의 비율은 7%이다.
상술한 조건으로 구성된 본 발명의 실시형태에서의 탄성 경계파 필터의 주파수 특성과, 종래의 탄성 경계파 필터의 주파수 특성의 관계를 나타낸 것이 도 3이다. 여기서, 실선은 본 발명의 실시형태에서의 탄성 경계파 필터의 특성이고, 점선은 종래의 탄성 경계파 필터의 특성이다.
이 그래프로부터도 명확한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에서의 탄성 경계파 필터에서는, 필터 통과 대역 중앙 부근에서의 횡모드 리플은 종래의 탄성 경계파 필터와 마찬가지로 억제되어 있고, 또한 필터 통과 대역의 저역측에서 43dB 이상의 감쇠량이 얻어지고 있다. 따라서, 통과 대역 내 특성 및 통과 대역 저역측에 있어서 충분한 주파수 특성으로 되어 있다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 대한 비교예이다. 이 종결합 공진자형의 탄성 경계파 필터도 본 실시형태의 종결합 공진자형의 탄성 경계파 필터와 마찬가지로, 압전체상에, 제1의 빗살형상 전극(21), 그 탄성파 전파방향 양측에 제2, 제3의 빗살형상 전극(22, 23)이 배치되어 있다. 또한, 빗살형상 전극(21~23)이 마련되어 있는 부분의, 탄성파 전파방향 양측에 반사기(24, 25)가 배치되어 있다. 그리고 빗살형상 전극(21~23)에 있어서, 2개의 빗살형상 전극이 이웃하는 부분에는 쌍방의 빗살형상 전극에, 전극지 주기가 나머지 전극지 주기보다도 작은 협피치 전극지 부분(212A, 213A, 221A, 231A)이 각각 마련되어 있다.
또한, 빗살형상 전극(21~23)에 있어서, 대부분은 아포다이즈 웨이팅이 되어 있다. 이 아포다이즈 웨이팅은 각각의 빗살형상 전극의 중앙부에서 교차폭이 최대가 되고, 협피치 전극지 부분이 마련된 양 단부를 향해 교차폭이 작아지도록 되어 있다. 그리고 협피치 전극지 부분 및 협피치 전극지 부분에 인접하는 부분은, 아포다이즈 웨이팅되지 않는 정규형의 빗살형상 전극 부분(212B, 213B, 221B, 231B)이 마련되어 있다.
실시형태의 탄성 경계파 필터와 유일하게 다른 것은 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극의 메인 부분에 대한, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분의 비율이며, 본 비교예에서는 이것을 25%로 하였다.
이 비교예의 탄성 경계파 필터의 주파수 특성과, 종래의 탄성 경계파 필터의 주파수 특성의 관계를 나타낸 것이 도 5이다. 여기서, 실선은 본 발명의 비교예에서의 탄성 경계파 필터의 특성이고, 점선은 종래의 탄성 경계파 필터의 특성이다.
이 그래프로부터 알 수 있는 것은 이 비교예에서의 탄성 경계파 필터에서는, 필터 통과 대역의 저역측에서는 충분한 감쇠량이 얻어지고 있지만, 필터 통과 대역 중앙 부근에서의 횡모드 리플이 열화하고 있다는 것이다. 본 비교예에서는 횡모드 리플이 0.35dB 이상이 되어, 충분한 통과 손실 특성이 얻어지지 않는다.
빗살형상 전극의 메인 부분에 대한, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분의 비율과, 필터 통과 대역 중앙 부근에서의 횡모드 리플의 관계를 도 6에, 빗살형상 전극의 메인 부분에 대한, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분의 비율과, 필터 통과 대역 저역측의 감쇠량의 관계를 도 7에, 각각 나타냈다.
이 그래프들에 의하면, 필터 통과 대역 중앙 부근에서의 횡모드 리플을 0.3dB 이하로 억제하고, 필터 통과 대역 저역측의 감쇠량을 43dB 이상 얻기 위해서는, 빗살형상 전극의 메인 부분에 대한, 아포다이즈 웨이팅되어 있지 않은 정규형 전극지 부분의 비율을 3%~20%로 하는 것이 좋은 것을 알 수 있다. 나아가서는 횡모드 리플이 0.2dB 이하가 되는, 3%~12%로 하는 것이 보다 바람직하다.
도 8에 본 발명의 다른 실시형태의 탄성 경계파 장치를 나타낸다.
이 실시형태에서는, 탄성 경계파 필터(100)는 불평형 단자(106)에 1포트형 탄성 경계파 공진자(101, 102)가 직렬로 접속되어 있다. 그리고 3개의 빗살형상 전극으로 구성된 종결합 공진자형 탄성 경계파 필터(103 및 104)를 각각 경유하여, 제1, 제2의 평형 단자(107, 108)에 접속되어 있다. 이때, 종결합 공진자형 탄성 경계파 필터(103 및 104)는 도 1, 2에서 설명한 실시형태에서의 탄성 경계파 필터(10)와 동일하게 구성되어 있다.
이 경우, 불평형 단자(106)에 입력된 신호는 제1의 평형 단자(107)와 제2의 평형 단자(108)에서 180° 반전한 위상으로 출력된다. 이로 인해, 평형-불평형 변환이 가능해진다. 또한 이 다른 실시형태에서는, 본 발명에서 설명한 대로, 협피치 전극지 부분 및 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분을 제외한 부분에 아포다이즈 웨이팅을 하고, 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분은 정규형의 빗살형상 전극으로 한 구성이 이용되고 있다. 따라서 평형-불평형 변환 기능을 구비하고, 또한 횡모드의 리플을 억제하여 필터 통과 대역 내의 특성을 개선하면서, 필터의 통과 대역 저역측의 주파수 특성도 충분한 필터 장치를 얻을 수 있다.
본 발명은 상기의 파라미터에 한정된 것은 아니다. 예를 들면, 협피치 전극지 부분에 인접하는 정규형 전극지 부분은 1개여도 된다. 또한, 종결합 공진자형 필터는 3개의 빗살형상 전극으로 구성되어 있는 경우뿐만 아니라, 5개의 빗살형상 전극으로 구성되어도 된다. 나아가 필터를 2단 종속 접속한 구성이어도 된다.
또한, 본 실시형태에서는 탄성 경계파 장치로서 설명해 왔지만, 이것은 탄성 표면파 장치에도 적용할 수 있다.
10 탄성 경계파 장치
11~13 제1~제3의 빗살형상 전극
14, 15 반사기
112A, 113A 협피치 전극지 부분
121A, 131A 협피치 전극지 부분
112B, 113B 정규형 전극지 부분
121B, 131B 정규형 전극지 부분
100 탄성 경계파 장치
101, 102 탄성 경계파 공진자
103, 104 탄성 경계파 필터부
105 탄성 경계파 공진자
106 불평형 단자
107, 108 제1, 제2의 평형 단자

Claims (6)

  1. 압전체와,
    상기 압전체상에 배치된 제1의 빗살형상 전극과, 상기 제1의 빗살형상 전극의 탄성파 전파방향 양측에 배치된 제2, 제3의 빗살형상 전극과, 상기 제1~제3의 빗살형상 전극이 마련되어 있는 부분의 탄성파 전파방향 양측에 배치된 제1, 제2의 반사기를 가지며,
    탄성파 전파방향의 빗살형상 전극끼리 이웃하고 있는 부분에 있어서, 상기 빗살형상 전극의 인접하는 빗살형상 전극측의 단부로부터 일부의 부분에서의 전극지의 주기가, 상기 빗살형상 전극의 나머지 전극지의 주기보다도 좁게 되어 있으며, 그로 인해 전극지의 주기가 상대적으로 좁은 협피치(narrower-pitch) 전극지 부분이 마련된 종결합 공진자형의 탄성파 장치에 있어서,
    상기 제1~제3의 빗살형상 전극에 있어서의, 상기 협피치 전극지 부분 및 상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 전극지 부분은 정규형의 빗살형상 전극으로 구성되고, 상기 정규형의 빗살형상 전극 이외의 부분에는 아포다이즈 웨이팅되어 있으며,
    상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 정규형의 전극지 부분의 비율은 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극에 대하여, 3%~20%로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 빗살형상 전극은 탄성파 전파방향의 중앙에서의 교차폭이 최대이고, 상기 협피치 전극지 부분이 마련된 양 단부를 향해 교차폭이 작아지도록 아포다이즈 웨이팅되어 있으며,
    그로 인해 아포다이즈 웨이팅에 의해 형성되는 포락선으로 둘러싸인 부분의 형상이 마름모꼴 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 협피치 전극지 부분에 인접하는 정규형의 전극지 부분의 비율은 협피치 전극지 부분을 제외한 빗살형상 전극에 대하여, 3%~12%로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파로서 탄성 경계파가 이용되고 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 압전체상에 적층된 제1의 유전체층과, 상기 제1의 유전체층상에 적층 된 제2의 유전체층을 포함하고,
    상기 제2의 유전체층을 전파하는 탄성파의 음속이 상기 제1의 유전체층을 전파하는 탄성파의 음속보다도 빠른 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파로서 탄성 표면파가 이용되고 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
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