KR20070088489A - 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070088489A
KR20070088489A KR1020077004372A KR20077004372A KR20070088489A KR 20070088489 A KR20070088489 A KR 20070088489A KR 1020077004372 A KR1020077004372 A KR 1020077004372A KR 20077004372 A KR20077004372 A KR 20077004372A KR 20070088489 A KR20070088489 A KR 20070088489A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
bonding
bonding tool
bond
wire bond
Prior art date
Application number
KR1020077004372A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100856994B1 (ko
Inventor
스티븐 이 바비네츠
Original Assignee
쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 filed Critical 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드
Publication of KR20070088489A publication Critical patent/KR20070088489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100856994B1 publication Critical patent/KR100856994B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • B23K20/007Ball bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4846Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/78901Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/125Deflectable by temperature change [e.g., thermostat element]
    • Y10T428/12507More than two components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

제 본딩 위치 및 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법이 제공된다. 이 방법은 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다. 또한, 이 방법은 제1 와이어 본드에 인접한 와이어에 로프부를 형성하는 것을 포함한다. 또한, 이 방법은 형성 단계 이후 와이어 본딩 툴을 제1 와이어 본드를 향하는 방향으로 낮추는 것을 포함한다. 이 낮추는 단계는 와이어 본딩 툴이 제1 와이어 본드에 접촉되기 전에 중지된다. 또한, 이 방법은 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다.

Description

로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A LOW PROFILE WIRE LOOP}
본 출원은 참조에 의해 본 발명에 통합되는 2005년 1월 25일에 출원된 미국 가출원 제 60/646,950의 이익을 향유한다.
본 발명은 반도체 장치의 와이어 본딩에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치의 와이어 본딩과 관련된 로우 프로파일 와이어 루프를 제공하는 것이다.
다양한 반도체 장치의 제조사에서, 와이어 본딩 기술은 장치들의 부품을 연결하기 위해 종종 사용되곤 한다. 예를 들면, 와이어 본딩은 다이(die)와 리드 프레임 상의 접촉면 사이에 상호 접속을 제공하기 위해 종종 사용된다. 전형적인 종래의 와이어 본딩 작업은 (1) 다이 상의 제1 본딩 위치에 본딩하고(예를 들면, 볼 본딩을 이용함), (2) 와이어를 리드 프레임 상의 제2 본딩 위치를 향해 연장하며, (3) 상기 연장된 와이어의 단부를 상기 제2 본딩 위치에 본딩한 후, (4) 와이어를 절단하는 것을 포함한다.
반도체 산업에서 부품의 크기를 줄이고, 또한 단위 면적당 와이어 본드의 수를 증가시키는 것에 대한 지속적인 압력이 있었다. 따라서, 반도체 장치의 부품 사이에 와이어 본드의 프로파일(profile) 또는 높이를 줄이기 위한 다양한 기술이 존 재한다. 이러한 기술 중 하나는 제1 본딩 위치 상에 와이어 볼을 둔 후, 제1 본딩 위치(예를 들면, 다이)의 상부에 와이어 루프를 "압착(crushing)(예를 들면 모세관 툴(capillary tool)을 이용함)" 하는 것을 포함한다. 와이어가 와이어 볼의 상부에 압착된 후, 와이어는 제2 본딩 위치로 연장되어 본딩된다.
이 "압착" 기술은 상대적으로 로우 프로파일 와이어 루프를 제공할 수 있다. 그러나, 이 기술은 역시 많은 문제점이 있다. 예를 들면, 와이어가 압착되기 때문에, 우선적으로 압착된 부위의 바로 아래 영역인 와이어의 특정 부분이 약해지는 곳이 존재한다. 이러한 결점은 결국 많은 응용물에 불만족과 모순된 가치의 결론을 초래할 수도 있다.
따라서, 종래 기술에 관한 특정의 결점을 극복하는 것과 동시에, 로우 프로파일 와이어 본드를 제공하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라, 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 제1 와이어 본드에 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 것을 포함한다. 그리고, 상기 방법은 상기 형성 단계 후에 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향하는 방향으로 낮추는 것을 포함한다. 상기 낮추는 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드와 접촉하기 전에 중단된다. 또한, 상기 방법은 상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라, 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 다른 방법이 제공된다. 상기 방법은 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 제1 와이어 본드에 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 것을 포함한다. 상기 형성 단계는 상기 제1 와이어 본드 위에 상기 와이어 본딩 툴을 올리고, 상기 와이어 본딩 툴을 제1 와이어 본드로부터 멀리 이동시키며, 상기 와이어 본딩 툴을 올린 후, 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 이동시키는 것을 포함한다. 상기 이동 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드와 접촉하기 전에 중단된다. 또한, 상기 방법은 상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함한다.
또한, 본 발명의 방법은 장치(예를 들면, 와이어 본딩 기계의 지능의 부분으로서) 또는 컴퓨터 판독 캐리어(예를 들면, 와이어 본딩 기계와 관련되어 사용되는 컴퓨터 판독 캐리어)의 컴퓨터 프로그램 명령어로서 구현될 수도 있다.
본 발명은 첨부된 도면과 연관하여 이해할 때 다음의 상세한 설명으로부터 잘 이해된다. 관행에 따르면, 도면의 다양한 특징은 일정한 비율이 아님을 강조한다. 반면, 도면의 다양한 형태의 치수는 명백히 임의로 확대 또는 축소될 수도 있다. 도면에 포함되는 것은 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 다양한 바람직한 실시예에 따른 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 기술을 나타낸 것이고,
도 2A-2H는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법을 설명하기 위한 다이어그램이고,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 형성된 와이어 본드의 그림이고,
도 4A-4J는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 다른 방법을 설명하기 위한 블록 다이어그램이고,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 형성된 와이어의 루프부의 그림이다.
미국특허공보 제 2004/0152292 뿐만 아니라, 미국특허 제 5,205,463, 제 6,062,462, 그리고 제 6,156,990은 와이어 본딩 기술과 관련한 것이며, 참조에 의해 완전히 본 발명에 통합된다.
본 발명에서 사용된 것으로서, 용어 "루프부"는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 본딩된 와이어에 형성된 벤드, 커브, 후크, 험프(hump) 또는 주름(fold)을 일컫는다. 본 발명에 따른 "루프부"의 양단부는 반드시 서로를 향해 연장할 필요는 없다. 바람직한 "루프부"는 첨부된 그림에 도시되어 있다.
본 발명은 와이어 본딩에 사용하기 위해 로우 프로파일 와이어 루프를 생산하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 어떤 실시예에서, 와이어 본드가 제1 본딩 위치에 형성된 후, 루프부가 와이어에 형성된다. 루프부가 형성된 후, 루프부를 형성하기 위해 사용되는 와이어 본딩 툴(예를 들면, 모세관 툴)이 와이어 본드의 위치를 향해(또는 적어도 일반적인 방향으로) 낮추어 진다. 이러한 와이어 본딩 툴의 하향 이동은 툴이 와이어 본드와 접촉되기 전에 정지되고, 그러한 접촉(또는 와이어 본드에 대한 와이어의 압착)에 의해 발생되는 이러한 와이어의 잠재적인 문제점이 실질적으로 제거된다. 그 후, 와이어 본딩 작업을 완료하기 위해 와이어의 제2 단부가 제2 본딩 위치에 본딩된다.
따라서, 본 발명에 따라, 루프 형상(또는 험프(hump) 형상, 후크 형상 등)은 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어 그 자체를 압착하는 일 없이 본딩 와이어에 형성된다. 루프 형상은 제1 와이어 본드 위에 바로 형성되거나 제1 와이어 본드의 어느 한 측에 형성될 수도 있다. 루프 형상은 바람직하게는 와이어 상의 어떤 응력을 최소화하는 기능을 수행하고, 이에 의해 와이어를 더 변형시키거나 잡아당기는 것에 의해 야기되는 "네크(neck)"의 손상을 방지한다. 이것은 특히 와이어 본딩 작업 동안 다이 휨(즉, 수직 이동)이 이상하거나 일치하지 않은 인장 시험 및 루핑 결과를 야기하는 얇은/돌출된 다이 응용물에 보다 바람직하다.
더욱이, 종래의 압착된 루프 와이어 본딩 작업과는 대조적으로, 본 발명에 따른 루프부는 반드시 제1 와이어 본드 위에 바로 형성될 필요는 없다. 와이어를 제1 와이어 본드로부터 멀리 루핑함으로써(즉, 후술하는 "접히는 거리(Fold Diastance)"가 0보다 큼), 감소된 프로파일이 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하는 것과 관련하여 사용되는 다양한 이동을 도시한 것이다. 보다 자세하게는, 도 1은 와이어 범 프(100, 예를 들면 볼 본딩에 의해 형성된 범프)를 나타낸 것이다. 와이어 범프(100)가 형성된 후(예를 들면, 도시되지 않은 다이 상에), 와이어 범프(100)에 연결된 와이어가 많은(도 1에 관련하여 후술되는 복수의) 방법 중의 하나로 루핑되고, 그 후 와이어가 제2 본딩 위치(예를 들면, 리드 프레임) 에 본딩된다.
도 1은 루프부를 형성하기 위한 이동의 다양한 다른 조합들(즉, 모세관 툴과 같은 와이어 본딩 툴의 이동)을 나타낸 것이다. 보다 자세하게는, 와이어의 제1 단부가 와이어 본딩 툴(예를 들면, 제1 와이어 본드(100))을 사용하여 제1 본딩 위치에 본딩된 후, 루프부는 제1 와이어 본드(100)에 인접하는 와이어에 형성된다. 루프부는 이동의 다양한 조합에 의해 형성된다. 도 1에 도시된 이동의 제1 조합은 실선으로 표시하였고, 이동 A, B, C 및 D를 포함한다. 이동의 제2 조합은 실선 및 파선으로 표시하였고, A, B1, B2, C, D1 및 D2를 포함한다. 예를 들면, 와이어 본딩 기계의 사용자는 원하는 루프 형상을 만들기 위해 루프 조작을 하는 동안, 이러한 이동의 제1 및 제2 조합(또는 본 발명의 영역 안의 다른 이동의 조합) 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
이동의 제1 조합에 관련하여, 와이어 본딩 툴은 단계 A에서 제1 와이어 본드(100) 위로 올려진다. 단계 B에서, 와이어 본딩 툴은 제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 아래 각도를 따라 이동된다. 그 후, 단계 C에서 와이어 본딩 툴은 올려진 다음, 단계 D에서 와이어 본딩 툴은 실질적으로 제1 와이어 본드(100)를 향해 다른 아래 각도를 따라 이동된다. 단계 D에서, 아래 각도로의 이동은 와이어 본딩 툴이 제1 와이어 본드(100)에 접촉하기 전에 중단된다. 단계 D 후, 와이어의 제2 단부는 제2 본딩 위치에 본딩된다(도 1에서 미도시).
이동의 제2 조합에 관련하여, 단계 A에서 와이어 본딩 툴은 제1 와이어 본드(100) 위로 다시 올려진다. 단계 B1에서, 와이어 본딩 툴은 제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 측방향으로 이동되고, 단계 B2에서 와이어 본딩 툴이 낮추어진다. 그 후, 단계 C에서 와이어 본딩 툴은 올려진다. 다음, 단계 D1에서 와이어 본딩 툴은 제1 와이어 본드(100) 위의 위치를 향해 측방향으로 이동되고, 단계 D2에서 와이어 본딩 툴이 낮추어진다. 단계 D2 동안 아래로의 이동은 와이어 본딩 툴이 제1 와이어 본드(100)에 접촉되기 전에 중단된다. 단계 D2 후에, 와이어의 제2 단부는 제2 본딩 위치(도 1에서 미도시)에 본딩된다(와이어가 연장된 후).
도 1에 도시된 어떤 이동은 여전히 본 발명의 영역 내라면 변화될 수 있다. 예를 들면, 이동 B2를 완전히 없애서, 이동 C가 이동 B1(실질적으로 제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 측방향으로 이동)을 후속하도록 할 수 있다. 또한, 다른 대안은 이동 B(제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 아래 각도를 따라 이동)를 제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 위 방향으로의 이동으로 대체할 수도 있다.
또한, 도 1에 도시된 다른 이동의 조합들도, 예를 들면 (1) 이동 A, B1, C 및 D (2) A, B1, C, D1 및 D2 (3) A, B, C, D1 및 D2도 생각할 수 있다. 또한, 이동 A(실질적으로 수직 이동)은 제1 와이어 본드(100)로부터 멀리 위쪽 각도를 따라 연장하는 이동으로 대체될 수도 있다. 이러한 이동은 이동 B, B1 또는 C의 어떤 것보다 먼저 일어날 수 있다(B 또는 B1에 대응하는 이동이 없는 실시예에서). 따라서, 본 발명은 여기서 기술된 바람직한 실시예에 한정되지 않음은 명백하다.
실시 중, 본 발명은 와이어 본딩 기계의 소프트웨어에서 구현될 수도 있다. 본 발명과 관련되어 사용된, 와이어 본딩 툴(예를 들면, 모세관 툴)에 의해 이동된 거리 및 방향과 같은, 어떤 파라미터는 소프트웨어에 설정될 수도 있다. 도 1은 많은 파라미터를 도시한 것이다. "꼬임 높이(Kink Height)"는 단계 A 동안 이동되는 수직 거리에 관한 것이다. "역 이동(Reverse Motion)"은 단계 B 동안(또는 단계 B1 및B2) 이동된 거리 및 방향에 관한 것이다. "역 이동 각도(Rmot Angle)"은 역 이동 방향과 수직 평면 사이의 각도에 관한 것이다. 예를 들면, 단계 B1 동안 이동된 방향과 수직 평면 사이의 역 이동 각도는 90도이다. 마찬가지로, 단계 B 동안 이동된 방향과 수직 평면 사이의 역 이동 각도는 약 115도이다. 본 발명에 따라, 역 이동 각도는 90 이하일 수도 있다. "접히는 루프 인자(Folded Loop Factor)"은 단계 C 동안 이동된 수직 거리에 관련한 것이며, 이것은 루프부가 형성될 와이어의 양에 영향을 끼친다. 일반적으로 낮은 프로파일을 가지는 루프부에 와이어가 적게 마련되는 것이 바람직하다. 그러나, 루프부에 너무 와이어가 없으면 루프부에 인접하는 와이어의 루프부에 응력이 발생할 수도 있다. "접히는 거리(Fold Distance)"는 단계 D(또는 단계 D1 및 D2)동안 이동된 거리 및 방향에 관한 것이다. 와이어 본딩 툴이 본 발명에 따른 와이어 범프를 압착하지 않기 때문에, "접히는 높이(Fold Height)" 공차가 도 1에 도시된 바와 같이 프로그램화될 수도 있다.
도 2A-2H는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어(202)를 본딩하는 방법을 나타낸 블록 다이어그램이다. 도 2A는 제1 본딩 위치 및 제2 본딩 위치 사이에 와이어(202)를 본딩하기 위한 와이어 본딩 툴(200, 즉 모세관 툴)을 도시한 것이다. 도 2A에서, 와이어(202) 단부 상의 와이어 범프(202a)는 제1 본딩 위치에 본딩되는 것으로서 도시되었다(도 2A에서는 도시 하지 않음, 도 2G의 구성 (204)를 참조). 다음, 와이어 본딩 툴(200)은 도 2B에 도시된 바와 같이 수직 방향(즉, "꼬임 높이(Kink Height)" 이동)으로 올려진다. 다음, 와이어 본딩 툴(200)이 약 90도의 역 이동 각도로(도 1에서 단계 B1과 관련되어 기술된 방향과 유사함) 도 2C의 제1 본딩 위치로부터 멀리 측방향으로 이동된다("역 이동"). 도 2D에서, 와이어 본딩 툴(200)은 수직으로 올려지고("접히는 루프 인자(Fold Loop Factor)" 이동), 도 2E에서 와이어 본딩 툴(200)은 와이어 범프(202a)("접히는 거리(Fold Distance)" 이동)를 향해 아래 각도를 따라 이동된다(그리고, 본 실시예에서는 부분적으로 그 지점을 지나쳐 있다). 도 2F에서, 와이어 본딩 툴(200)은 와이어가 툴의 "풀림"을 허락하도록 상승된다. 도 2G에서, 와이어(202)의 제2 단부(202d)는 제2 본딩 위치에 본딩되고, 도 2H에서 와이어 본딩 툴(200)이 올려지며, 와이어(202)가 잘려져 와이어 본딩 툴(200)로부터 분리된 것이 도시되어 있다. 도 2G-2H에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 본딩 위치 사이에 연장한 와이어(202)는 와이어 범프(202a), 루프부(202b), 와이어 꼬임(202c), 제2 단부(202d)를 포함한다.
도 3은 도 2H에서 도시된 와이어(202)와 유사한 방법으로 형성된 와이어 본드(304)의 도면이다. 보다 자세하게는, 와이어 본드(304)는 제1 본딩 위치(즉, 다이(300)) 및 제2 본딩 위치(즉, 리드프레임(302)) 사이에 연장된다. 와이어 본드(304)는 와이어 범프(304a, 다이(300)에 본딩됨), 루프부(304b), 와이어 꼬임(304c), 직선부(304d), 와이어 꼬임(304e), 그리고 제2 단부(304f, 리드프레 임(302)에 본딩됨)를 포함한다. 와이어 본드(304, 도 3에 도시됨)는, 예를 들면, 와이어 꼬임(304e)을 포함하고 있기 때문에(와이어(202)는 그러한 꼬임을 포함하지 않음), 와이어(202, 도 2H에 도시됨)와 다르다. 따라서, 본 발명에 따라 본딩된 와이어는 원하는 바대로 형성될 것이다.
도 4A-4J는 제1 본딩 위치 및 제2 본딩 위치 사이에 와이어(402)를 본딩하는 바람직한 방법을 도시한 블록 다이어그램이다. 도 4A는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어(402)를 본딩하기 위한 와이어 본딩 툴(400, 즉 모세관 툴)을 도시한 것이다. 도 4A에서, 와이어(402)의 일단부에 와이어 범프(402a)가 제1 본딩 위치에 본딩된 것으로서 도시되어 있다(도 4A에서는 도시되어 있지 않고, 도 4I의 구성 (404) 참조). 다음, 와이어 본딩 툴(400)은 도 4B에 도시된 바와 같이 수직 방향(즉, "꼬임 높이(Kink Height)" 이동)으로 올려진다. 다음, 와이어 본딩 툴(400)은 도 4C("역 이동")의 제1 본딩 위치로부터 멀리 측방향으로 이동한다. 여기서, 측방향 이동은 도 2C에서 도시된 측방향 이동과 비교했을 때 증가된다. 도 4D에서, 와이어 본딩 툴(400)은 일반적으로 와이어 범프(402a)를 향해 낮추어진다. 도 4C에서 행해진 이동은 약 90도의 역 이동 각도(Rmot Angle)를 가진다. 도 4C 및 4D에서 행해진 이동은, 도 1에서 이동 B에 대해 도시된 것과 같은, 아래 각도(예를 들면, 90도를 넘는 역 이동 각도) 방향을 따른 하나의 이동으로서 행해질 것이다.
도 4E에서 와이어 본딩 툴(400)은 수직으로 올려지며("접히는 루프 인자(Fold Loop Factor)" 이동), 도 4F에서 와이어 본딩 툴(400)은 와이어 범프(402a, "접히는 거리(Fold Distance)" 이동)를 향해 이동된다(그리고 본 실시예 에서는 부분적으로 그 지점을 지나쳐 있다). 도 4G에서, 와이어 본딩 툴(400)은 일반적으로 와이어 범프(402a)를 향해 낮추어진다. 도 4F 및 도 4G에서 행해진 이동은 도 1에서 이동 D에 대해 도시된 것과 같은, 아래 각도 방향을 따른 하나의 이동으로서 행해질 것이다.
도 4H에서, 와이어 본딩 툴(400)은 와이어가 툴의 "풀림(payout)"을 허락하도록 상승된다. 도 4I에서, 와이어(402)의 제2 단부(402c)는 제2 본딩 위치에 본딩되고, 도 4J에서 와이어 본딩 툴(400)이 올려진 후, 와이어(402)가 잘려져서 와이어 본딩 툴(400)로부터 분리된다. 도 4I-4J에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 본딩 위치 사이에 연장된 와이어(402)는 와이어 범프(402a), 루프부(402b), 및 제2 단부(402c)를 포함한다.
도 5는 도 4A-4J와 관련하여 기술된 유사한 방법으로 형성된 와이어(500)의 일부 그림이다. 도시된 와이어(500)의 일부는 와이어 범프(500a), 루프부(500b), 및 직선부(500c)를 포함한다. 루프부(500b)가 형성된 방법 때문에(도 4A-4J에 도시된 방법과 유사함), 와이어(500)의 일부(홈부(500d))는 붕괴되어 와이어(500)의 다른 부분과 접촉 또는 사실상 접촉된다. 이 "붕괴"는 부분적으로 루프 형성 동안 와이어 "풀림" 양으로부터 기인하며, 부분적으로는 와이어 루프를 형성하기 위해 이용된 이동의 결과이다. 또한, 이 "붕괴"는 와이어 본딩 툴에 의한 "압착"됨이 없이, 와이어(500)가 매우 낮은 프로파일을 가지기 때문에 바람직하다.
본 발명에 따른 와이어 본딩 기술은 많은 대체 수단으로 수행될 수도 있다. 예를 들면, 컴퓨터 시스템/서버가 소프트웨어(와이어 본딩 기계와 연결되거나 통합 되어 사용된 컴퓨터 시스템)로서 존재하는데 있어서 이 기술이 설치될 수 있다. 또한, 이 기술은 와이어 본딩 기술과 관련된 컴퓨터 명령어(예를 들면, 컴퓨터 프로그램 명령어)를 포함하는 컴퓨터 판독 캐리어(예를 들면, 솔리드 스테이트 메모리(Solid State Memory), 광학 디스크, 자기 디스크, 라디오 주파수 캐리어 수단, 오디오 주파수 캐리어 수단 등)로부터 작동될 수도 있다.
여기서 개시된 와이어 본딩 기술은, 적어도 부분적으로 축소된 프로파일 또는 높이 때문에, 제1 본드 위의 와이어 부분이 종래의 와이어 본드의 대응 부분 보다 강성이 높은 점에서 추가적인 이익을 제공한다. 이러한 강성은 와이어 스윕(wire sweep)을 줄이는 결과를 가져오는 데 있어서 바람직하다.
본 발명은 특정한 실시예에 관해 기술하였더라도, 본 발명은 서술된 상세한 설명에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 청구 범위의 범위 및 균등 범위 내이고 본 발명으로부터 벗어나지 않는 상세한 설명에서 다양한 변형이 이루어질 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 반도체 장치의 와이어 본딩에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치의 와이어 본딩과 관련된 로우 프로파일 와이어 루프를 제공하는데 매우 적합한 것이다.

Claims (16)

  1. 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 단계;
    상기 제1 와이어 본드에 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 단계;
    상기 형성 단계 후 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향하는 방향으로 낮추고, 상기 낮추는 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드와 접촉하기 전에 중단되며,
    상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 낮추는 단계는 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드의 측면을 향하는 방향으로 낮추는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 측방향으로 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 낮추고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 측방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 측방향으로 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 측방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 측방향으로 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 아래 각도를 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 아래 각도를 따라 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 측방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 아래 각도를 따라 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 다른 아래 각도를 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이 에 와이어를 본딩하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 위쪽 각도를 따라 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 측방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 위쪽 각도를 따라 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위쪽 위치를 향해 다른 위쪽 각도를 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  10. 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 단계와;
    상기 제1 와이어 본드와 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 이동시키며, 상기 이동 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드에 접촉하기 전에 중단되고,
    상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 이동시키는 단계는 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 아래 각도를 따라 이동시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드로부터 멀리 이동시키는 단계는 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드에서 멀리 측방향으로 이동시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 이동시키는 단계는 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 아래 각도를 따라 이동시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 이동시키는 단계는 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 측방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 방법.
  15. 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 단계;
    상기 제1 와이어 본드에 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 단계;
    상기 형성 단계 후 상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향하는 방향으로 낮추고, 상기 낮추는 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드와 접촉하기 전에 중단되며,
    상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 단계를 포함하여 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 상기 방법을 컴퓨터가 실행하는 컴퓨터 프로그램 명령어를 포함하는 컴퓨터 판독 캐리어.
  16. 제1 와이어 본드를 형성하기 위해 와이어 본딩 툴을 사용하여 와이어의 제1 단부를 제1 본딩 위치에 본딩하는 단계와;
    상기 제1 와이어 본드와 인접하는 와이어에 루프부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 형성 단계는
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드 위로 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드에서 멀리 이동시키고,
    상기 와이어 본딩 툴을 올리고,
    상기 와이어 본딩 툴을 상기 제1 와이어 본드를 향해 이동시키며, 상기 이동 단계는 상기 와이어 본딩 툴이 상기 제1 와이어 본드에 접촉하기 전에 중단되고,
    상기 와이어의 제2 단부를 제2 본딩 위치에 본딩하는 것을 포함하여 제1 본딩 위치와 제2 본딩 위치 사이에 와이어를 본딩하는 상기 방법을 컴퓨터가 실행하는 컴퓨터 프로그램 명령어를 포함하는 컴퓨터 판독 캐리어.
KR1020077004372A 2005-01-25 2006-01-09 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치 KR100856994B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US64695005P 2005-01-25 2005-01-25
US60/646,950 2005-01-25
US11/306,678 2006-01-06
US11/306,678 US7464854B2 (en) 2005-01-25 2006-01-06 Method and apparatus for forming a low profile wire loop

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087008901A Division KR100837502B1 (ko) 2005-01-25 2006-01-09 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070088489A true KR20070088489A (ko) 2007-08-29
KR100856994B1 KR100856994B1 (ko) 2008-09-04

Family

ID=36695698

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077004372A KR100856994B1 (ko) 2005-01-25 2006-01-09 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치
KR1020087008901A KR100837502B1 (ko) 2005-01-25 2006-01-09 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087008901A KR100837502B1 (ko) 2005-01-25 2006-01-09 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7464854B2 (ko)
JP (1) JP5830204B2 (ko)
KR (2) KR100856994B1 (ko)
CN (1) CN101193724B (ko)
TW (1) TWI337764B (ko)
WO (1) WO2006081056A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009096950A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wire loop and method of forming the wire loop
KR20200036660A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 삼성전자주식회사 본딩 와이어, 이를 포함하는 반도체 패키지, 및 와이어 본딩 방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091527A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US20100186991A1 (en) * 2006-10-18 2010-07-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. conductive bumps, wire loops including the improved conductive bumps, and methods of forming the same
JP5481769B2 (ja) * 2006-11-22 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2008235787A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US7659141B2 (en) * 2007-09-25 2010-02-09 Silverbrook Research Pty Ltd Wire bond encapsulant application control
US7669751B2 (en) 2007-09-25 2010-03-02 Silverbrook Research Pty Ltd Method of forming low profile wire bonds between integrated circuits dies and printed circuit boards
US7741720B2 (en) 2007-09-25 2010-06-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds adhered between integrated circuits dies and printed circuit boards
JP4625858B2 (ja) * 2008-09-10 2011-02-02 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
JP4361593B1 (ja) * 2008-10-21 2009-11-11 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP4344002B1 (ja) * 2008-10-27 2009-10-14 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US8096462B2 (en) * 2009-04-30 2012-01-17 International Business Machines Corporation Method of reworking electrical short in ultra sonic bonder
JP5062283B2 (ja) 2009-04-30 2012-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8680686B2 (en) * 2010-06-29 2014-03-25 Spansion Llc Method and system for thin multi chip stack package with film on wire and copper wire
US20120018768A1 (en) * 2010-07-26 2012-01-26 Intematix Corporation Led-based light emitting devices
KR101746614B1 (ko) * 2011-01-07 2017-06-27 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
MY181180A (en) 2011-09-09 2020-12-21 Carsem M Sdn Bhd Low loop wire bonding
US8998063B2 (en) * 2012-02-07 2015-04-07 Orthodyne Electronics Corporation Wire loop forming systems and methods of using the same
CN103077905B (zh) * 2013-01-29 2015-04-08 中南大学 一种引线成弧方法及装置
JP6092084B2 (ja) * 2013-11-29 2017-03-08 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN105977174A (zh) * 2016-07-07 2016-09-28 力成科技(苏州)有限公司 指纹产品封装结构的金线打线方法
JP2018107296A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US10600756B1 (en) 2017-02-15 2020-03-24 United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Wire bonding technique for integrated circuit board connections
JP2022100277A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド ツールマークなしのステッチボンディングのための装置および方法
JP7381910B2 (ja) * 2021-08-26 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4445633A (en) 1982-02-11 1984-05-01 Rockwell International Corporation Automatic bonder for forming wire interconnections of automatically controlled configuration
CN1034463A (zh) * 1988-01-18 1989-08-02 雷伊化学公司 电子元件的互连
JPH06101490B2 (ja) 1989-10-30 1994-12-12 三菱電機株式会社 ワイヤボンディング方法
JP2814151B2 (ja) * 1991-02-27 1998-10-22 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
US5205463A (en) 1992-06-05 1993-04-27 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Method of making constant clearance flat link fine wire interconnections
US6295729B1 (en) 1992-10-19 2001-10-02 International Business Machines Corporation Angled flying lead wire bonding process
JPH07130785A (ja) 1993-11-02 1995-05-19 Nippon Avionics Co Ltd ワイヤボンディング方法
JPH0951011A (ja) 1995-08-10 1997-02-18 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体チップのワイヤボンディング方法
US6062462A (en) 1997-08-12 2000-05-16 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Apparatus and method for making predetermined fine wire ball sizes
JP3172473B2 (ja) * 1997-09-08 2001-06-04 三洋電機株式会社 半導体装置
JPH11111750A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP3436676B2 (ja) 1998-01-30 2003-08-11 株式会社日立ユニシアオートモティブ ボンディングワイヤの成形方法
US6156990A (en) 1998-06-22 2000-12-05 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Long-wearing impervious conductive wire clamp
JP3377747B2 (ja) * 1998-06-23 2003-02-17 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP3377748B2 (ja) * 1998-06-25 2003-02-17 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP4467175B2 (ja) 2000-12-22 2010-05-26 株式会社新川 ボンディングデータ設定装置および方法
US7229906B2 (en) 2002-09-19 2007-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming bumps for semiconductor interconnections using a wire bonding machine
JP2004172477A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Kaijo Corp ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置
US6815836B2 (en) 2003-03-24 2004-11-09 Texas Instruments Incorporated Wire bonding for thin semiconductor package
JP4021378B2 (ja) * 2003-06-27 2007-12-12 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US7494042B2 (en) 2003-10-02 2009-02-24 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of forming low wire loops and wire loops formed using the method
US7347352B2 (en) 2003-11-26 2008-03-25 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Low loop height ball bonding method and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009096950A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wire loop and method of forming the wire loop
US8048720B2 (en) 2008-01-30 2011-11-01 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wire loop and method of forming the wire loop
KR20200036660A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 삼성전자주식회사 본딩 와이어, 이를 포함하는 반도체 패키지, 및 와이어 본딩 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5830204B2 (ja) 2015-12-09
CN101193724B (zh) 2011-01-12
CN101193724A (zh) 2008-06-04
KR100837502B1 (ko) 2008-06-12
WO2006081056A2 (en) 2006-08-03
TW200633098A (en) 2006-09-16
TWI337764B (en) 2011-02-21
JP2008529278A (ja) 2008-07-31
WO2006081056A3 (en) 2006-10-12
US20060163331A1 (en) 2006-07-27
US7464854B2 (en) 2008-12-16
KR100856994B1 (ko) 2008-09-04
KR20080036161A (ko) 2008-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100837502B1 (ko) 로우 프로파일 와이어 루프를 형성하기 위한 방법 및 장치
KR100646833B1 (ko) 와이어 루프와, 이를 갖는 반도체 디바이스와, 와이어접착 방법과, 와이어 접착 장치
JP4625858B2 (ja) ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
JP4344002B1 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3189115B2 (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP2004282015A (ja) ワイヤボンディング機を用いて半導体相互接続のためのバンプを形成する方法及び装置
JP3455092B2 (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP3333413B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3049515B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP4105996B2 (ja) ワイヤボンディング方法
US20100147552A1 (en) Method of forming bends in a wire loop
US6270000B1 (en) Wire bonding method
JP3830485B2 (ja) ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法
JP4616924B2 (ja) 半導体装置
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
JP5048990B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR102675629B1 (ko) 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치
JP2665061B2 (ja) ワイヤーボンディング方法
WO2022249384A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4558832B2 (ja) 半導体装置
JP4313958B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP4361336B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009044115A (ja) ワイヤボンディング方法及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120808

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130812

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140807

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150807

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160811

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170821

Year of fee payment: 10