JP3436676B2 - ボンディングワイヤの成形方法 - Google Patents
ボンディングワイヤの成形方法Info
- Publication number
- JP3436676B2 JP3436676B2 JP03389098A JP3389098A JP3436676B2 JP 3436676 B2 JP3436676 B2 JP 3436676B2 JP 03389098 A JP03389098 A JP 03389098A JP 3389098 A JP3389098 A JP 3389098A JP 3436676 B2 JP3436676 B2 JP 3436676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- lead portion
- bonding wire
- electrode pad
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
たは大規模集積回路等の半導体素子、基板、コネクタの
電極パッド同士を接続するのに用いて好適なボンディン
グワイヤの成形方法に関する。
イヤは、素子、基板、コネクタの電極パッド同士を接続
するため、頂点から一側に延びる一側リード部と、頂点
から他側に延びる他側リード部とによって全体としてほ
ぼ逆V字状をなす1本のワイヤによって形成され、前記
一側リード部の先端には一方の電極パッドに接続される
一側接続部を形成し、前記他側リード部の先端には他方
の電極パッドに接続される他側接続部を形成したものが
一般に知られている。
ングワイヤとして、素子にマイクロコンピュータ等を構
成するベアチップ素子を用いた場合を例に挙げ、図7な
いし図10に基づいて説明する。
基板、2,2,…は該基板1上に形成された電極パッド
で、該各電極パッド2は、例えばアルミニウム,白金,
銀パラジウム等の金属材料から例えば平行四辺形状に形
成され、互いに同一形状をなしている。
で、該ベアチップ素子3は例えばシリコン等から4個の
辺3A,3A,…(2個のみ図示)を有する四角形の板
状に形成され、その表面中央部には図示しない半導体集
積回路が形成されている。
は、前記半導体集積回路の入出力端子となる後述の各電
極パッド5が形成されている。また、ベアチップ素子3
の裏面側は図8に示すように、基板1上に形成された凹
陥部1A内に添付した接着層4を用いて固定されてい
る。一方、基板1上には、例えば保護カバー(図示せ
ず)等がベアチップ素子3を覆うように取付けられ、該
ベアチップ素子3は基板1と保護カバーと共に、例えば
マイクロコンピュータ等のチップ部品を構成している。
れた素子側の電極パッドで、該各電極パッド5は例えば
アルミニウム,白金,銀パラジウム等の金属材料から四
角形状に形成され、ベアチップ素子3の外縁側に沿うよ
うにそれぞれ間隔をもって四角形状に列設されている。
との間を接続する複数のボンディングワイヤで、該各ボ
ンディングワイヤ6は例えばアルミニウム,金等の金属
材料から針金状に形成されている。
示す如く、例えばワイヤボンディング等の手段により、
1本のワイヤを、頂点7から一側に延びる一側リード部
8と、頂点7から他側に延びる他側リード部9とによっ
て全体としてほぼ逆V字状をなして形成し、前記一側リ
ード部8の先端には基板1側の電極パッド2に接続され
る一側接続部10が形成され、前記他側リード部9の先
端にはベアチップ素子3の電極パッド5が接続される他
側接続部11が形成されている。そして、該ボンディン
グワイヤ6は、電極パッド2と電極パッド5との間をた
るみをもって架設している。なお、ボンディングワイヤ
6では、一側接続部10と他側接続部11との間の長さ
寸法をL、高さ寸法をhとしている。
チップ素子3上に形成された前記半導体集積回路が電極
パッド2、電極パッド5およびボンディングワイヤ6等
を用いて基板1側の各ピン端子(図示せず)に接続さ
れ、これらのピン端子を通して外部の信号処理回路(図
示せず)等にそれぞれ接続されている。
来技術によるボンディングワイヤ6は、使用環境によっ
ても異なるが、熱や機械的な応力変化等により断線する
可能性があり、信頼性が低下するという問題がある。
寿命を延ばすために、鋭意実験研究を行い、図9、図1
0の特性グラフに示すような結果を得た。また、各グラ
フの横軸はボンディングワイヤ6が破断するまでの破断
サイクル、縦軸はワイブル分布による累積故障率を示し
たものである。
を5mmとし、長さ寸法Lの方向に振幅0.2mmで3
Hz の振動を発生させたもので、高さ寸法hを2.1m
m、3.7mm、4.5mmとしたときの実験結果であ
る。
を4mmとし、長さ寸法Lの方向に振幅0.4mmで3
Hz の振動を発生させたもので、長さ寸法Lを5mm、
6mm、10mmとしたときの実験結果である。
ヤ6において、長さ寸法Lを5mm、高さ寸法hを4m
mとしたとき、一側接続部10、他側接続部11、頂点
7における応力を測定した結果は、一側接続部10で8
Kgf /mm2 、他側接続部11で6.5Kgf /mm
2 、頂点7で6.1Kgf /mm2 となり、一側接続部
10に比較的大きな応力集中が起きていることがわか
る。これにより、ボンディングワイヤ6は、いずれの実
験においても、一側接続部10で断線を起こしている。
ボンディングワイヤ6の寿命を延ばすためには、長さ寸
法L、高さ寸法hの両方を大きくすればよいことがわか
る。しかし、基板1の凹陥部1Aとベアチップ素子3と
の大きさ、ボンディングワイヤ6の高さ寸法hには限界
があり、ボンディングワイヤ6は限られたスペースに収
容しなくてはならず、従来技術によるボンディングワイ
ヤ6では寿命を延ばすことができなかった。
されたもので、本発明は耐久性を高めて寿命を延ばすこ
とのできるボンディングワイヤの成形方法を提供するこ
とを目的としている。
ために、 請求項1の発明によるボンディングワイヤの成
形方法は、ワイヤの引出部位を接続ヘッドによって一方
の電極パッドに押付けて接続することにより一側接続部
を形成する第1の接続工程と、該第1の接続工程で接続
された一側接続部から引出された一側リード部の引出部
位を接続ヘッドによって基板側または電極パッドに押付
けることにより一側リード部をS字状に形成するS字形
成工程と、S字状とした一側リード部の引出部位を頂点
としてほぼ逆V字状に折曲げさらにワイヤを引出すこと
によって他側リード部を形成する他側リード部形成工程
と、ワイヤの他側リード部の引出部位を接続ヘッドによ
って他方の電極パッドに押付けて接続することにより他
側接続部を形成する第2の接続工程とからなる。
工程によって一側リード部の引出部位を基板側または電
極パッドに押付けて一側リード部をS字状に形成し、こ
のS字状は、一側接続部、頂点、他側接続部の各点にお
ける応力を分散させることができる。
の成形方法は、ワイヤの引出部位を接続ヘッドによって
一方の電極パッドに押付けて接続することにより一側接
続部を形成する第1の接続工程と、該第1の接続工程で
接続された一側接続部から引出すことにより一側リード
部を形成する一側リード部形成工程と、一側リード部の
引出部位をほぼV字状に折曲げさらに引出された他側リ
ード部の引出部位を接続ヘッドによって基板側または電
極パッドに押付けることにより他側リード部をS字状に
形成するS字形成工程と、S字状とした他側リード部の
引出部位を接続ヘッドによって他方の電極パッドに押付
けて接続することにより他側接続部を形成する第2の接
続工程とからなる。
工程によって他側リード部の引出部位を基板側または電
極パッドに押付けて他側リード部をS字状に形成し、こ
のS字状は、一側接続部、頂点、他側接続部の各点にお
ける応力を分散させることができる。
ワイヤの実施の形態を、図1ないし図6を参照しつつ詳
細に説明する。なお、本実施の形態では前述した従来技
術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省
略するものとする。
実施の形態によるボンディングワイヤについて説明す
る。
ングワイヤで、該ボンディングワイヤ21は従来技術で
用いられたボンディングワイヤ6に代えて用いられるも
ので、基板1側の電極パッド2とベアチップ素子3側の
電極パッド5とを電気的に接続するものである。
ばアルミニウム,金等の金属材料から針金状によって全
体としてほぼ逆V字状をなして形成され、後述するワイ
ヤボンディング装置31により、頂点22から一側に延
びる一側リード部23と、頂点22から他側に延びる他
側リード部24と、前記一側リード部23の先端を基板
1側の電極パッド2に接続する一側接続部25と、前記
他側リード部24の先端をベアチップ素子3の電極パッ
ド5に接続する他側接続部26とから大略構成されてい
る。また、本実施の形態によるボンディングワイヤ21
では、一側接続部25と他側接続部26との間の長さ寸
法をL、高さ寸法をhとしている。
ド部23に形成されたS字形状で、該S字形状27は一
側リード部23の途中を湾曲させることによって、一側
接続部25と頂点22との間でS字状となっている。
よるボンディングワイヤ21を成形するワイヤボンディ
ング装置の概略について説明する。
ワイヤボンディング装置31の基台で、該基台32は、
支柱33と、該支柱33の上側に設けられたヘッド保持
腕34と、前記支柱33の下側に設けられたテーブル支
持腕35とから大略構成されている。
XYテーブルで、該XYテーブル36は、固定テーブル
と移動テーブル(いずれも図示せず)からなり、該XY
テーブル36は、基板1を移動テーブル上に保持した上
で該基板1を水平面となるX軸、Y軸方向に移動させる
ものである。
たZ軸移動機構で、該Z軸移動機構37は後述するヘッ
ド部材40等をXYテーブル36に対して上下方向に移
動させるものである。
るワイヤ収容部となるリールで、該リール38に巻回さ
れたワイヤ39は後述するワイヤ送出部42を経由して
接続ヘッド41の先端に導かれる。
は、接続ヘッド41と、ワイヤ送出部42と、接続ヘッ
ド41とワイヤ送出部42との間に設けられたカッター
43によって構成されている。
9を電極パッドに接続するときに、超音波が印加される
ことにより、ワイヤ39の引出部位39Aと電極パッド
とを圧着するものである。また、ワイヤ送出部42は、
ヘッド部材40の上下動に伴ってリール38に巻回され
たワイヤ39を送出すものである。さらに、カッター4
3は、接続ヘッド41とワイヤ送出部42との間に位置
し、ヘッド部材40の先端に伸長することにより、ワイ
ヤ39を切断するものである。なお、接続ヘッド41の
先端には常にワイヤ39の引出部位39Aが臨んでい
る。
7、接続ヘッド41、カッター43等は図示しないコン
トロールユニットによって制御され、コントロールユニ
ットには基板1の大きさ、ベアチップ素子3の形状、電
極パッド2,5の位置、ボンディングワイヤ21の長さ
寸法L,高さ寸法h等が予め記憶されている。
1を用いて本実施の形態によるボンディングワイヤ21
を形成する場合を、図3を参照しつつ説明する。
(1)のように、XYテーブル36上に支持された基板
1に対してヘッド部材40をZ軸移動機構37によって
近づける。そして、接続ヘッド41によってワイヤ39
の引出部位39Aを電極パッド2に押付け、該接続ヘッ
ド41に超音波を印加することにより、ワイヤ39の引
出部位39Aを基板1上の電極パッド2に接続する。こ
れにより、電極パッド2側にボンディングワイヤ21の
一側接続部25を形成する。
移動機構37によってヘッド部材40を電極パッド2か
ら離間させることにより、ワイヤ39は一側接続部25
を起点としてワイヤ送出部42から引出される。
(3)に示すように、Z軸移動機構37を駆動してヘッ
ド部材40を基板1側に近づけ、接続ヘッド41によっ
て一側リード部23に位置したワイヤ39の引出部位3
9Aを基板1側に押付けることにより、一側リード部2
3をS字形状27に形成する。従って、図3中の(4)
に示すように、Z軸移動機構37によってヘッド部材4
0を基板1から離間させることにより、ワイヤ39をワ
イヤ送出部42から更に引出す。
(5)に示すように、一側リード部23をS字状に形成
した後に、接続ヘッド41を下方に向け一側リード部2
3の先端となるワイヤ39の引出部位39Aをほぼ逆V
字状に折曲げて頂点22を形成しつつ、さらに引出部位
39Aを引出すことによって、他側リード部24を形成
する。
(6)に示すように、Z軸移動機構37によってヘッド
部材40をベアチップ素子3の電極パッド5に近づけ
る。そして、接続ヘッド41によって他側リード部24
に位置したワイヤ39の引出部位39Aを電極パッド5
に押付け、該接続ヘッド41に超音波を印加することに
より、ワイヤの他端を電極パッド5に接続して他側接続
部26を形成する。その後に、カッター43によってワ
イヤ39を切断する。
ングワイヤ21は、上述した如くの工程によって成形さ
れ、一側リード部23をS字形状27に成形することが
できる。これにより、本実施の形態によるボンディング
ワイヤ21において、長さ寸法Lを5mm、高さ寸法h
を4mmとしたとき、一側接続部25、他側接続部2
6、頂点22の各点における応力を測定した結果は、一
側接続部25で6.7Kgf /mm2 、他側接続部26
で6Kgf /mm2 、頂点22で5.7Kgf /mm2
となり、従来技術によるボンディングワイヤ6に比べて
応力を分散させることができる。
位の応力の測定結果を比較すると下記の表のようにな
る。
よるボンディングワイヤ21と従来技術によるボンディ
ングワイヤ6との寿命を比較した実験結果からも明らか
なように、耐久性を約2倍に高めて寿命を延ばすことが
できる。
高さ寸法hを4mmとした同一寸法のボンディングワイ
ヤ6,21に対して、長さ寸法Lの方向に振幅0.4m
mで3Hz の振動を発生させたものである。
1を成形する場合、従来のワイヤボンディング装置を使
用して、前述した如くのワイヤ39を基板1側に押しつ
けてS字形状27を形成するS字形成工程を追加するの
みで、容易に一側リード部23をS字形状27とするこ
とができる。
1側の電極パッド2とベアチップ素子3側の電極パッド
5との間の限られたスペース内に収容することもでき、
基板1、ベアチップ素子3等の改造を行わずに、S字形
状27を有するボンディングワイヤ21を配置すること
ができる。そして、該ボンディングワイヤ21は、その
寿命を確実に延ばし、信頼性を高めることができる。
態によるボンディングワイヤについて説明するに、本実
施の形態によるボンディングワイヤ21′は、他側リー
ド部24にS字形状27′を形成したことにある。な
お、本実施の形態では、前述した第1の実施の形態と同
一の構成要素に同一の符号を付してその説明を省略し、
変更した部分にはダッシュ(′)を付すものとする。
工程、同じく(2)が一側リード部形成工程、(3)〜
(5)がS字形成工程、(6)が他側接続部形成工程を
示し、これらの各工程によってボンディングワイヤ2
1′を成形している。
21′においても、前述した第1の実施の形態によるボ
ンディングワイヤ21と同様に、耐久性を高めて寿命を
確実に延ばすことができる。
の電極パッド2とベアチップ素子3の電極パッド5とを
接続する場合について述べたが、素子と素子、基板と基
板、コネクタと基板等の種々の接続に用いることもでき
る。
いて、ワイヤ39の引出部位39Aを基板1側に押付け
ることにより、S字形状27を形成するようにしたが、
これに限らず、電極パッドに押付けることにより、S字
形状27を形成するようにしてもよい。
の発明では、S字形成工程によってワイヤの引出部位を
基板側または電極パッドに押付けることにより、リード
部をS字状に形成するから、従来によるワイヤボンディ
ング装置を改造することなく、S字形状を有するワイヤ
を容易に成形することができる。これにより、一側リー
ド部または他側リード部のうちいずれか一方のリード部
をS字形状に形成できるから、一側接続部、頂点、他側
接続部における応力を分散させることができ、ボンディ
ングワイヤの耐久性を高めて寿命を確実に延ばすことが
できる。
用いて基板とベアチップ素子とを接続した状態を示す断
面図である。
接続に用いられるワイヤボンディング装置を示す構成図
である。
ある。
技術によるボンディングワイヤとの寿命を比較した特性
線図である。
用いて基板とベアチップ素子とを接続した状態を示す断
面図である。
ある。
板とベアチップ素子との接続状態を示す平面図である。
ある。
させたときのボンディングワイヤの寿命を比較した特性
線図である。
長さ寸法Lを変化させたときのボンディングワイヤの寿
命を比較した特性線図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ワイヤの引出部位を接続ヘッドによって
一方の電極パッドに押付けて接続することにより一側接
続部を形成する第1の接続工程と、該第1の接続工程で
接続された一側接続部から引出された一側リード部の引
出部位を接続ヘッドによって基板側または電極パッドに
押付けることにより一側リード部をS字状に形成するS
字形成工程と、S字状とした一側リード部の引出部位を
頂点としてほぼ逆V字状に折曲げさらにワイヤを引出す
ことによって他側リード部を形成する他側リード部形成
工程と、ワイヤの他側リード部の引出部位を接続ヘッド
によって他方の電極パッドに押付けて接続することによ
り他側接続部を形成する第2の接続工程とからなるボン
ディングワイヤの成形方法。 - 【請求項2】 ワイヤの引出部位を接続ヘッドによって
一方の電極パッドに押付けて接続することにより一側接
続部を形成する第1の接続工程と、該第1の接続工程で
接続された一側接続部から引出すことにより一側リード
部を形成する一側リード部形成工程と、一側リード部の
引出部位をほぼV字状に折曲げさらに引出された他側リ
ード部の引出部位を接続ヘッドによって基板側または電
極パッドに押付けることにより他側リード部をS字状に
形成するS字形成工程と、S字状とした他側リード部の
引出部位を接続ヘッドによって他方の電極パッドに押付
けて接続することにより他側接続部を形成する第2の接
続工程とからなるボンディングワイヤの成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03389098A JP3436676B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | ボンディングワイヤの成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03389098A JP3436676B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | ボンディングワイヤの成形方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11219970A JPH11219970A (ja) | 1999-08-10 |
JP3436676B2 true JP3436676B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=12399140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03389098A Expired - Fee Related JP3436676B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | ボンディングワイヤの成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3436676B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7464854B2 (en) | 2005-01-25 | 2008-12-16 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for forming a low profile wire loop |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP03389098A patent/JP3436676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11219970A (ja) | 1999-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3262531B2 (ja) | 曲げられたフライング・リード・ワイヤ・ボンデイング・プロセス | |
US7495342B2 (en) | Angled flying lead wire bonding process | |
US5715147A (en) | Semiconductor device having an interconnecting circuit board | |
US5785538A (en) | High density test probe with rigid surface structure | |
JP3428996B2 (ja) | 成形リード構造体および方法 | |
KR100651485B1 (ko) | 반도체 디바이스 어셈블리, 반도체 다이, 컨택트 패드와 리드 패드의 접속 방법 및 코일 스프링 형성 방법 | |
US5960262A (en) | Stitch bond enhancement for hard-to-bond materials | |
TW200534493A (en) | Microelectronic packages and methods therefor | |
JP2003197669A (ja) | ボンディング方法及びボンディング装置 | |
US7172431B2 (en) | Electrical connector design and contact geometry and method of use thereof and methods of fabrication thereof | |
JPH07221104A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法 | |
JPH0831864A (ja) | 陽極接合法を用いて製造した電子部品及び電子部品の製造方法 | |
EP0133118A2 (en) | Method and apparatus for forming ball bonds | |
US5569956A (en) | Interposer connecting leadframe and integrated circuit | |
TW460997B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
US9887174B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wire bonding apparatus | |
JP3436676B2 (ja) | ボンディングワイヤの成形方法 | |
JP2000216188A (ja) | ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置 | |
JP2003086621A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100403759B1 (ko) | 반도체 프로브 칩을 이용한 반도체 프로브 모듈과 그의 제조방법, 이를 이용한 프로브 스테이션 | |
JP3410193B2 (ja) | 気密封止型光半導体装置 | |
JPH04214631A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
JPH06326235A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0255944B2 (ja) | ||
JPH0574867A (ja) | Tabテープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140606 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |