JP4313958B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4313958B2
JP4313958B2 JP2001081809A JP2001081809A JP4313958B2 JP 4313958 B2 JP4313958 B2 JP 4313958B2 JP 2001081809 A JP2001081809 A JP 2001081809A JP 2001081809 A JP2001081809 A JP 2001081809A JP 4313958 B2 JP4313958 B2 JP 4313958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wire
bond
bump
bond point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001081809A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002280412A (ja
Inventor
智樹 小暮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2001081809A priority Critical patent/JP4313958B2/ja
Publication of JP2002280412A publication Critical patent/JP2002280412A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4313958B2 publication Critical patent/JP4313958B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85186Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85986Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、第2ボンド点のバンプ上に第2ボンドを行うワイヤボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、第2ボンド点のバンプ上に第2ボンドを行うワイヤボンディング方法を図5乃至図7により説明する。1は基板(リードフレームも含む)、2は基板1の外部リード、3は基板1にダイボンディングされたダイ、4はダイ3のパッド電極、5は外部リード2の第1ボンド点、6はパッド電極4の第2ボンド点を示す。
【0003】
まず、図5(a)に示すように、パッド電極4の第2ボンド点6上に通常のワイヤボンディング方法による第1ボンドと同様に、キャピラリ7に挿通されたワイヤ8の先端に形成されたバンプになるボール8aをボンディングする。続いて、図5(b)に示すように、キャピラリ7を上昇させ、キャピラリ7の上昇途中に図示しないクランパを閉じると、ボール8aの直上部でワイヤ8が切断され、第2ボンド点6上にバンプ9が形成される。このバンプ9の直上部には、前記した工程によるワイヤ8の切断時に突起(テール残り)9aが生じる。次に図5(c)に2点鎖線で示すように、ワイヤ8の先端に第1ボンド点5に接続されるボール8bを形成し、実線で示すようにキャピラリ7を下降させて第1ボンド点5にボール8bを第1ボンドする。
【0004】
次に図6(a)に示すように、キャピラリ7を上昇及びバンプ9の上方に移動させる。続いて図6(b)(c)に示すように、キャピラリ7を下降させてバンプ9上に第2ボンドを行う。最後に、図7に示すように、キャピラリ7を上昇させ、キャピラリ7の上昇途中に図示しないクランパを閉じると、ワイヤ8は切断される。これにより、1ワイヤのワイヤボンディングが終了する。以下、このワイヤボンディング方法を公知例1と言う。
【0005】
また図6(a)に示すように、キャピラリ7の下面を突起9aの上方に移動させるのではなく、キャピラリ7のワイヤ孔7aが突起9aの上方に位置するように移動させ、続いてキャピラリ7を下降させてワイヤ孔7aに突起9aを挿入し、次にキャピラリ7を更に下降させてバンプ9上に第2ボンドを行うものもある。以下、このワイヤボンディング方法を公知例2と言う。
【0006】
なお、前記公知例1及び2に関連するワイヤボンディング方法として、例えば特開平2−94533号公報、特開平3−183139号公報があげられる。
【0007】
また特開平10−112471号公報に示すように、第2ボンド点にバンプを形成した後、キャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて突起を倒してウェッジボンディングを行い、次に通常のワイヤボンディング方法で第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続するものも提案されている。以下、このワイヤボンディング方法を公知例3と言う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記公知例1は、図6(b)(c)に示すように、キャピラリ7を下降させてバンプ9上に第2ボンドを行う場合、突起9aをキャピラリ7のインナーチャンファ7b内に入れた状態で行っている。このため、バンプ9の突起9aとキャピラリ7に挿入されているワイヤ8とが干渉し、ワイヤループ曲がりの発生原因となっていた。特に、第2ボンド点6がダイ3のパッド電極4の場合には、ダイ3のエッジ3aにワイヤ8が接触(エッジショート)するという問題があった。
【0009】
上記公知例2は、キャピラリ7のワイヤ孔7aに突起9aを挿入してバンプ9上に第2ボンドを行うので、突起9aがそのまま残り、パッケージが必然的に厚くなるという問題があった。
【0010】
上記公知例3は、バンプ形成後にウェッジボンディングを行うので、工程が増える。またバンプを形成する第2ボンドが外部リードの場合は問題ないが、パッド電極の場合には、ウェッジボンディングによってパッド電極を傷付けるという問題があった。またパッド電極をある程度大きくする必要があり、ファインピッチ化には対応できない。
【0011】
なお、バンプ9形成時に生じる突起9aを無くするために、予め別工程で突起9aをハンマー等で押し潰すことが行われている。しかし、この方法はバンプ9形成工程の後に別工程を入れる必要があり工程が増えるので、上記従来技術に示すように、突起9aを残したままバンプ9上に第2ボンドを行っている。
【0012】
本発明の第1の課題は、ワイヤループ曲がりがなく、ダイのエッジとワイヤ間の間隔が大きくでき、安定したワイヤボンディングが可能なワイヤボンディング方法を提供することにある。
【0013】
本発明の第2の課題は、パッケージの薄型化及びファインピッチ化が図れるワイヤボンディング方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第1の手段は、予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、キャピラリのワイヤ孔が前記突起の上方に位置するように移動させ、続いてキャピラリを下降させて該キャピラリのワイヤ孔に前記突起を挿入し、次にキャピラリを第1ボンド点から離れる方向でワイヤ孔が突起を越えた位置まで移動させ、続いてキャピラリを下降させてバンプ上に第2ボンドを行い、最後にキャピラリを上昇させてワイヤを切断し、第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続することを特徴とする。
【0015】
上記課題を解決するための本発明の第2の手段は、予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、キャピラリの中心が前記バンプの中心より第1ボンド点側に位置し、かつ第1ボンド点より離れた側のキャピラリの下面が前記バンプの中心の上方に位置するようにキャピラリを移動させ、続いてキャピラリを下降させてキャピラリの下面を前記バンプの突起に圧接させ、次にキャピラリを第1ボンド点から離れる方向でワイヤ孔が突起を越えた位置まで移動させ、続いてキャピラリを下降させてバンプ上に第2ボンドを行い、最後にキャピラリを上昇させてワイヤを切断し、第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施の形態を図1、図2及び図5により説明する。まず、従来と同様に図5に示す工程を行う。即ち、図5(a)に示すように、第2ボンド点6上に通常のワイヤボンディング方法による第1ボンドと同様に、キャピラリ7に挿通されたワイヤ8の先端に形成されたバンプになるボール8aをボンディングする。続いて、図5(b)に示すように、キャピラリ7を上昇させ、キャピラリ7の上昇途中に図示しないクランパを閉じると、ボール8aの直上部でワイヤ8が切断され、第2ボンド点6上にバンプ9が形成される。このバンプ9の直上部には、前記した工程によるワイヤ8の切断時に突起9aが生じる。次に図5(c)に2点鎖線で示すように、ワイヤ8の先端に第1ボンド点5に接続されるボール8bを形成し、実線で示すようにキャピラリ7を下降させて第1ボンド点5にボール8bを第1ボンドする。
【0017】
次に本実施の形態の特徴とする工程が図1により行われる。即ち、図1(a)に示すように、キャピラリ7のワイヤ孔7aが突起9aの上方に位置するように移動させる。続いて図1(b)に示すように、続いてキャピラリ7が下降してワイヤ孔7aに突起9aを挿入する。次に図1(c)に示すように、キャピラリ7を第1ボンド点5より離れる方向で、キャピラリ7の第1ボンド点5側の下面7cとインナーチャンファ7bの接点7eがバンプ9の中心11より離れる位置まで水平移動させる。これにより、突起9aはワイヤ8によって押し倒される。
【0018】
続いて図2(a)に示すように、キャピラリ7を下降させてバンプ9上に第2ボンドを行う。最後に、図2(b)に示すように、キャピラリ7を上昇させ、キャピラリ7の上昇途中に図示しないクランパを閉じると、ワイヤ8は切断される。これにより、1ワイヤのワイヤボンディングが終了する。以後、各第1ボンド点5と第2ボンド点6に前記した一連の動作によってワイヤボンディングを行う。
【0019】
図1(b)及び図1(c)より明らかなように、バンプ9に形成された突起9aを第1ボンド点5と反対方向に倒し、なおかつキャピラリ7の平行移動動作によりキャピラリ7に挿入されているワイヤ8は、キャピラリ7のワイヤ孔7a内側の第1ボンド点5側に押し付けられ、左右方向のワイヤループ曲がりは生じない。また図2(a)に示すように突起9aの倒れた側に第2ボンドを行うので、突起9aの倒れた側のバンプ傾斜面による持ち上がり作用により、図2(b)に示すようにワイヤループ部分8cを上方に持ち上げ、ダイ3のエッジ3aとワイヤ8間の間隔が大きくできる。これらのことにより、安定したワイヤボンディングが可能であり、また半導体装置の品質が向上する。また通常のワイヤボンディング工程で突起9aを倒すので、工程が増えることがないと共に、パッケージの薄型化が図れる。更に第2ボンド点6がバンプ電極であっても、該バンプ電極を傷付けることもなく、またバンプ電極を大きくする必要がなくファインピッチ化が図れる。
【0020】
次に本発明の第2の実施の形態を図3乃至図5により説明する。図5に示すバンプ9の形成工程及び第1ボンド点5に接続されるボール8bを第1ボンドする工程は、従来技術及び前記第1の実施の形態と同じであるので、その説明は省略する。
【0021】
図5(c)の工程の後、図3(a)に示すように、キャピラリ7を上昇及びバンプ9の上方に移動させる。この場合、キャピラリ7の中心10がバンプ9の中心11より第1ボンド点5側に位置し、かつキャピラリ7の第1ボンド点5より離れた側の下面7cがバンプ9の中心11の上方に位置するようにキャピラリ7を移動させる。続いて図3(b)に示すように、キャピラリ7が下降し、キャピラリの下面7cが突起9aに圧接する。これにより、突起9aは第1ボンド点5と反対方向に僅かに倒される。
【0022】
次に図3(c)に示すように、キャピラリ7を第1ボンド点5より離れる方向に水平移動させる。これにより、突起9aは第1ボンド点5と反対方向に更に押し倒される。更に図3(d)に示すように、キャピラリ7の第1ボンド点5側の下面7dとインナーチャンファ7bの接点7eがバンプ9の中心11より離れる位置まで移動させる。これにより、突起9aはワイヤ8によって更に押し倒される。続いて図3(e)に示すように、キャピラリ7を下降させてバンプ9上に第2ボンドを行う。
【0023】
最後に、図4に示すように、キャピラリ7を上昇させ、キャピラリ7の上昇途中に図示しないクランパを閉じると、ワイヤ8は切断される。これにより、1ワイヤのワイヤボンディングが終了する。以後、各第1ボンド点5と第2ボンド点6に前記した一連の動作によってワイヤボンディングを行う。このような方法によっても、前記第1の実施の形態と同様な効果が得られる。
【0024】
なお、上記各実施の形態においては、外部リード2を第1ボンド点5とし、パッド電極4を第2ボンド点6とし、この第2ボンド点6に予めバンプ9を形成した場合について説明したが、逆にパッド電極4を第1ボンド点5とし、外部リード2を第2ボンド点6とし、この外部リード2の第2ボンド点6に予めバンプ9を形成してもよいことは言うまでもない。またバンプ9を形成した後すぐにループボンディングを行う場合について説明したが、所定の数だけバンプ9を形成しておき、その後に全てのループボンディングを行うようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】
本発明は、予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、キャピラリのワイヤ孔が前記突起の上方に位置するように移動させ、続いてキャピラリを下降させて該キャピラリのワイヤ孔に前記突起を挿入し、次にキャピラリを第1ボンド点から離れる方向でワイヤ孔が突起を越えた位置まで移動させ、続いてキャピラリを下降させてバンプ上に第2ボンドを行い、最後にキャピラリを上昇させてワイヤを切断し、第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続する。このため、ワイヤループ曲がりがなく、ダイエッジとワイヤ間の間隔が大きくでき、安定したワイヤボンディングが可能である。またパッケージの薄型化及びファインピッチ化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のワイヤボンディング方法の第1の実施の形態を示す説明図である。
【図2】図1の続きの工程を示す説明図である。
【図3】本発明のワイヤボンディング方法の第2の実施の形態を示す説明図である。
【図4】図3の続きの工程を示す説明図である。
【図5】従来のワイヤボンディング方法を示す説明図である。
【図6】図5の続きの工程を示す説明図である。
【図7】図6の続きの工程を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板
2 外部リード
3 ダイ
4 パッド電極
5 第1ボンド点
6 第2ボンド点
7 キャピラリ
7a ワイヤ孔
7b インナーチャンファ
7c、7d 下面
7e 接点
8 ワイヤ
8a バンプになるボール
8b 第1ボンド点に接続されるボール
9 バンプ
9a 突起
10 キャピラリの中心
11 バンプの中心

Claims (2)

  1. 予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、キャピラリのワイヤ孔が前記突起の上方に位置するように移動させ、続いてキャピラリを下降させて該キャピラリのワイヤ孔に前記突起を挿入し、次にキャピラリを第1ボンド点から離れる方向でワイヤ孔が突起を越えた位置まで移動させ、続いてキャピラリを下降させてバンプ上に第2ボンドを行い、最後にキャピラリを上昇させてワイヤを切断し、第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続することを特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. 予め第2ボンド点に突起を有するバンプが形成された状態で、第1ボンド点に第1ボンドを行った後、キャピラリの中心が前記バンプの中心より第1ボンド点側に位置し、かつ第1ボンド点より離れた側のキャピラリの下面が前記バンプの中心の上方に位置するようにキャピラリを移動させ、続いてキャピラリを下降させてキャピラリの下面を前記バンプの突起に圧接させ、次にキャピラリを第1ボンド点から離れる方向でワイヤ孔が突起を越えた位置まで移動させ、続いてキャピラリを下降させてバンプ上に第2ボンドを行い、最後にキャピラリを上昇させてワイヤを切断し、第1ボンド点と第2ボンド点間をワイヤで接続することを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP2001081809A 2001-03-22 2001-03-22 ワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JP4313958B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001081809A JP4313958B2 (ja) 2001-03-22 2001-03-22 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001081809A JP4313958B2 (ja) 2001-03-22 2001-03-22 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002280412A JP2002280412A (ja) 2002-09-27
JP4313958B2 true JP4313958B2 (ja) 2009-08-12

Family

ID=18937842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001081809A Expired - Fee Related JP4313958B2 (ja) 2001-03-22 2001-03-22 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4313958B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4219781B2 (ja) 2003-10-03 2009-02-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
CN116000511B (zh) * 2022-12-26 2024-04-09 深圳市海志亿半导体工具有限公司 一种增强细间距送丝成形效果的劈刀刀头

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002280412A (ja) 2002-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4298665B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3854232B2 (ja) バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
US7910472B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP4344002B1 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3370539B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3333413B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP4021378B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP4313958B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3049515B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2000012595A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3128718B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3522123B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3384762B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
JP2976947B2 (ja) バンプ形成方法
JP4297891B2 (ja) バンプ形成方法
JP5048990B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3768168B2 (ja) 半導体構造およびボンディング方法
JP2665061B2 (ja) ワイヤーボンディング方法
JP4616924B2 (ja) 半導体装置
JP2977990B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2532304B2 (ja) 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造
JP4558832B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090512

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090518

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees