KR20070082033A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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베르나르두스 안토니우스 요한네스 루틱후이스
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Abstract

리소그래피 장치 내의 마스크는, 제 1 클램핑 디바이스를 이용하여 제 1 측면에, 그리고 제 2 클램핑 디바이스를 이용하여 제 1 측면과 다른 제 2 측면에 클램핑된다. 클램핑력들은 얇은 멤브레인들을 이용하여 인가되는 것이 바람직하다. 제 1 클램프는 패터닝 디바이스의 평면에 평행한 방향, 패터닝 디바이스의 평면에 수직한 방향 및 회전 방향으로 기판을 클램핑한다. 제 2 클램핑 디바이스는 기판의 평면에 평행한 방향으로만 패터닝 디바이스를 클램핑한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 클램핑된 패터닝 디바이스를 도시하는 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 마스크 테이블과 함께 사용되는 프레임의 평면도; 및
도 5는 본 발명의 대안적인 실시예를 도시하는 도면이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시 에 사용될 수 있다. 그 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
패터닝 디바이스는, 종래적으로 패터닝 디바이스의 패터닝된 측면에서 패터닝 디바이스 홀더에 클램핑(clamp)된다. 이는 상이한 패터닝 디바이스들이 용이하게 삽입되거나 제거되게 하므로, 리소그래피 장치의 응용성(versatility)을 개선한다. 하지만, 패터닝 디바이스에 큰 가속(600 ㎨까지)이 적용되는 경우에는 미끄러져서 (오버레이하는) 패턴들의 투영에 있어서 오차를 야기할 수 있다. 패터닝 디바이스가 보다 큰 클램핑력(clamping force)들을 벗어나는 것을 방지하는 단계가 적용될 수 있다. 하지만, 보다 큰 클램핑력의 인가는 패터닝 디바이스의 변형을 야기 할 수 있다.
패터닝 디바이스가 변형되지 않고 리소그래피 장치에 패터닝 디바이스를 클램핑하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 패터닝 디바이스의 제 1 표면 상에서 패터닝 디바이스를 유지하는 제 1 홀더; 및 상기 제 1 표면 맞은편에 있는 패터닝 디바이스의 제 2 표면 상에서 패터닝 디바이스를 유지하는 제 2 홀더를 포함한 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 패터닝 디바이스를 이용하여 방사선의 패터닝된 빔 상에 패턴을 부여하는 단계; 기판 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 패터닝 디바이스의 제 1 표면 상에서 제 1 패터닝 디바이스를 유지하는 단계; 및 상기 제 1 표면과 상이한 패터닝 디바이스의 제 2 표면 상에서 패터닝 디바이스를 유지하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패 턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어 떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소 스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이 블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모 드들이 채택될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 마스크(MA)는 마스크의 양쪽 표면 상에서 마스크 테이블(MT)에 클램핑될 수 있다. 양쪽 표면 상에서 마스크(MA)를 클램핑함으로써, 상기 마스크는 미끄러지거나 변형되지 않고 큰 가속을 받을 수 있다. 도 2의 실시예에서, 클램핑력 또는 유지력(holding force)은 얇은 멤브레인(membrane: 21 및 22)을 이용하여 적용되는 것이 바람직하며, 이는 마스크의 변형을 더욱 방지한다. 마스크(MA)의 제 1 표면에 대한 클램핑력은 제 1 진공 클램프(23) 또는 홀더를 이용하여 발생되며, 마스크의 제 2 표면에 대한 클램핑력은 제 2 진공 클램프(24) 또는 홀더를 이용하여 발생된다. 얇은 멤브레인들은 전형적으로 마스크(MA)보다 상당히 얇다. 예를 들어, 마스크(MA)는 대략 6 mm인 한편, 멤브레인은 약 0.2 mm 내지0.4 mm이다. 얇은 멤브레인들은 마스크(MA)의 가속 방향(즉, 마스크(MA)의 평면에 평행한 방향)에는 견실(stiff)하지만, 마스크(MA)를 손상시키지 않도록 마스크(MA)의 평면에 수직한 방향으로는 더 유연한 것이 바람직하다.
마스크(MA)의 제 1 표면을 클램핑하는 제 1 클램프(23)는 마스크의 평면에 평행한 방향, 마스크의 평면에 수직한 방향 및 회전 방향으로도 마스크를 지지, 즉 마스크를 단단히(rigidly) 지지한다. 대조적으로, 제 2 클램프(24)는 마스크(MA)의 두께의 변동을 고려하기 위해 마스크의 평면에 평행한 방향으로만 마스크(MA)를 지지한다.
도 3은 마스크 테이블로부터 언로딩(unload)되는 마스크를 도시한다. 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 얇은 멤브레인(22)은 마스크를 견디는 프레임(25)의 일 부분을 형성한다. 상이한 마스크가 요구되는 경우, 전체 프레임이 제거되고 상이한 패턴을 갖는 마스크를 견디는 또 다른 프레임이 삽입된다. 일단 삽입되면, 진공 클램프가 적용되고 마스크가 위치로 클램핑된다. 상기 프레임(25)은 마스크 테이블(MT)에 연결될 수도 있고 연결되지 않을 수도 있으며, 마스크 테이블의 일부분을 형성한다. 대안적으로, 도 5에 나타낸 바와 같이 마스크(MA)는 프레임(25)으로부터 제거되어 별도로 교체될 수 있다. 제 2 멤브레인에 비하여, 제 1 멤브레인(21)은 마스크 테이블에, 예를 들어 접착제로 단단히 연결된다. 이 예시에서는 마스크(MA)가 마스크 테이블(MT)의 저부로부터 언로딩되고 로딩되지만, 본 발명은 제 1 클램프(23)가 (마스크(MA)와 평행한 방향으로만 마스크(MA)를 지지하는 제 2 클램프(24)와 함께) 마스크(MA) 아래에 있도록 구현되어, 동일하게 마스크(MA)가 상부로부터 로딩되고 언로딩될 수 있다.
마스크(MA)의 양쪽 측면을 클램핑함으로써(즉, 양쪽의 얇은 멤브레인의 사용에 의해) 전체 마찰력이 상당히 증가하였으며, 따라서 국부적인 힘들이 손상을 주지 않고 더 큰 가속을 달성할 수 있다. 그 후 증가된 가속은 더 높은 스루풋(throughput)을 유도한다.
얇은 멤브레인들(21 및 22)로의 마스크(MA)의 부착을 더 개선하기 위하여, 얇은 멤브레인들은 높은 마찰 계수를 갖는 재료로부터, 예를 들어 고무같은 재료(rubber-like material)들 또는 재료의 결(texture)을 이용하여 형성될 수 있다.
제 1 클램프는 마스크(MA)의 패터닝된 표면, 또는 대안적으로 마스크(MA)의 패터닝되지 않은 표면을 클램핑하는데 사용될 수 있으며; 후자의 경우, 제 2 클램 프가 마스크(MA)의 패터닝된 측면을 클램핑한다.
마스크(MA)의 맞은편 또는 에지(edge)에 배치되는 2 개의 제 1 클램프(23) 및 마스크(MA)의 맞은편 또는 에지에 배치되는 2 개의 제 2 클램프(24)가 존재하는 것이 바람직하다.
본 명세서에서는 진공 클램프들에 관련하여 설명하였지만, 본 발명은 다른 형태의 클램프, 예를 들어 정전기 클램프들을 이용하여 구현될 수도 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언 급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 부근의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 패터닝 디바이스를 변형시키지 않고 큰 클램핑력을 인가하기 위해 양쪽 측면에 홀더를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.

Claims (16)

  1. 리소그래피 장치에 있어서:
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    상기 패터닝 디바이스의 제 1 표면 상에서 상기 패터닝 디바이스를 유지하는 제 1 홀더; 및
    상기 제 1 표면 맞은편에 있는 상기 패터닝 디바이스의 제 2 표면 상에서 상기 패터닝 디바이스를 유지하는 제 2 홀더를 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 홀더는 진공 클램프(vacuum clamp)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 홀더는 진공 클램프인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스의 제 1 표면에 유지력(holding force)을 인가하기 위해 얇은 멤브레인(membrane)이 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스의 제 2 표면에 유지력을 인가하기 위해 제 2 얇은 멤브레인이 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 얇은 멤브레인은 높은 마찰 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 얇은 멤브레인은 높은 마찰 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 홀더는 상기 패터닝 디바이스를 상기 패터닝 디바이스의 평면에 평행한 방향, 상기 패터닝 디바이스의 평면에 수직한 방향 및 회전 방향으로 지지하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 홀더는 상기 패터닝 디바이스를 상기 패터닝 디바이스의 평면에 평행한 방향으로 지지하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 얇은 멤브레인은 패터닝 디바이스 홀더에 대해 이동가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 얇은 멤브레인은 패터닝 디바이스 홀더에 단단히(rigidly) 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스 홀더는 상기 리소그래피 장치로부터 제거가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    또 다른 제 1 홀더 및 또 다른 제 2 홀더를 더 포함하여 이루어지고, 상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 기판의 맞은편에 배치되는 것을 특징으로 하는 리 소그래피 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스는 상기 제 2 얇은 멤브레인에 단단히 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스는 상기 제 2 얇은 멤브레인으로부터 분리할 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    방사선의 패터닝된 빔을 형성하기 위해, 패터닝 디바이스를 이용하여 방사선의 빔 상에 패턴을 부여하는 단계;
    기판 상으로 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계;
    상기 패터닝 디바이스의 제 1 표면 상에서 상기 제 1 패터닝 디바이스를 유지하는 단계; 및
    상기 제 1 표면과 상이한 상기 패터닝 디바이스의 제 2 표면 상에서 상기 패터닝 디바이스를 유지하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법.
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