KR20070073617A - 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 - Google Patents
포토레지스트용 스트리퍼 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070073617A KR20070073617A KR1020070000490A KR20070000490A KR20070073617A KR 20070073617 A KR20070073617 A KR 20070073617A KR 1020070000490 A KR1020070000490 A KR 1020070000490A KR 20070000490 A KR20070000490 A KR 20070000490A KR 20070073617 A KR20070073617 A KR 20070073617A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist
- stripper composition
- stripper
- film
- group
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 135
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 92
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims abstract description 3
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract description 3
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 59
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 17
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical group CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims description 7
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical group CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 5
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 claims description 3
- BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-1-ol Chemical compound CC(N)CO BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(C)(N)O QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-1-ol Chemical compound NCCCCO BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical group CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004492 methyl ester group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 11
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N but-2-yne-1,4-diol Chemical compound OCC#CCO DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 229940016681 dipropylacetamide Drugs 0.000 description 2
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OMOMUFTZPTXCHP-UHFFFAOYSA-N valpromide Chemical compound CCCC(C(N)=O)CCC OMOMUFTZPTXCHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPAHVUADNLXSOM-SNVBAGLBSA-N 3-[5-chloro-6-[(1R)-1-pyridin-2-ylethoxy]-1,2-benzoxazol-3-yl]propanoic acid Chemical compound ClC=1C(=CC2=C(C(=NO2)CCC(=O)O)C=1)O[C@H](C)C1=NC=CC=C1 WPAHVUADNLXSOM-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical compound CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylpropanamide Chemical compound CCN(C)C(=O)CC GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
- C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은, 일반적인 포토레지스트 박리 방식 뿐만 아니라 리프트-오프(Lift-off) 방식에서도 가혹한 사진 식각 공정에 의해 변질된 포토레지스트막을 저온에서 짧은 시간 내에 깨끗이 박리할 수 있으며, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 물로 세정하더라도 포토레지스트 하부의 도전성막 또는 절연막에 손상을 주지 않으며, 포토레지스트 하부의 도전성막 또는 절연막에 대한 부식 방지력이 우수하다.
Description
도 1은 액정 표시 장치의 포토레지스트 박리공정을 나타낸 단면도이다.
도 2는 리프트-오프(Lift-off) 방식의 포토레지스트 박리공정을 나타낸 단면도이다.
본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
본 출원은 2006년 1월 3일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2006-0000518호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
반도체 집적회로 또는 액정 표시 소자의 미세 회로 제조 공정은 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식 또는 건식으로 에칭하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후 불필요해진 포토레지 스트층을 스트리퍼(박리액)로 제거하는 공정으로 진행된다.
상기 반도체 소자 및 액정 표시 소자 제조용 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼가 갖추어야 할 기본 특성은 다음과 같다.
먼저, 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리할 수 있어야 하고, 세척(rinse) 후 기판 상에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않아야 하는 우수한 박리 능력을 가져야 한다. 또한, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 또한, 스트리퍼를 이루는 용제간에 상호반응이 일어나면 스트리퍼의 저장 안정성이 문제되고 스트리퍼 제조시의 혼합순서에 따라 다른 물성을 보일 수 있으므로, 혼합 용제간의 무반응성 및 고온 안정성이 있어야 한다. 또한, 작업자의 안전이나 폐기 처리시의 환경 문제를 고려하여 저독성이어야 한다. 또한, 고온 공정에서 포토레지스트 박리가 진행될 경우 휘발이 많이 일어나면 구성 성분비가 빨리 변하게 되어 스트리퍼의 공정 안정성과 작업 재현성이 저하되므로, 저휘발성이어야 한다. 또한, 일정 스트리퍼 양으로 처리할 수 있는 기판 수가 많아야 하고, 스트리퍼를 구성하는 성분의 수급이 용이하고 저가이며 폐스트리퍼의 재처리를 통한 재활용이 가능하여 경제성이 있어야 한다.
이러한 조건들을 충족시키기 위해 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개발되고 있으며, 구체적인 예를 들면 다음과 같다.
초기에 개발된 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 예로, 일본 특개소 51-72503호에는 탄소수 10 내지 20의 알킬 벤젠 설폰산과 비점이 150℃ 이상의 비할로겐화 방향족 탄화수소를 포함하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개소 57- 84456호에는 디메틸설폭사이드 또는 디에틸설폭사이드, 및 유기 설폰화합물로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 또한, 미국 특허 제4,256,294호에는 알킬아릴 설폰산, 탄소수 6 내지 9의 친수성 방향족 설폰산 및 비점이 150℃ 이상의 비할로겐화 방향족 탄화수소로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 상기 조성물들은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등의 도전성 금속막에 대해 부식이 심하고 강한 독성 및 환경 오염문제 등으로 사용이 곤란하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 수용성 알칸올 아민을 필수 성분으로 여러 유기용제를 혼합시켜 제조한 스트리퍼 조성물들이 제안되었고, 그 예를 들면 다음과 같다.
미국 특허 제4,617,251호에는 모노에탄올 아민(MEA), 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 등의 유기아민 화합물; 및 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리디논(NMP), 디메틸설폭사이드(DMSO), 카비톨 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 등의 극성용제로 이루어진 2성분계 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 미국 특허 제4,770,713호에는 유기 아민 화합물; 및 N-메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-N-에틸프로피온아미드, 디에틸아세트아미드(DEAc), 디프로필아세트아미드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸부틸아미드 등의 아미드 용제로 이루어진 2성분계 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개소 62-49355호에는 알칸올 아민 및 에틸렌디아민에 에틸렌옥사이드를 도입한 알킬렌 폴리아민 설폰 화합물과 글리콜 모노알킬에테르로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개소 63-208043호에는 수용성 알칸올 아민과 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI)을 함유한 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개소 63-231343호에는 아민 화합물, 극성 용제류 및 계면활성제로 이루어진 포지형 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개소 64-42653호에는 디메틸설폭사이드(DMSO) 50 중량% 이상, 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르, 감마부티로락톤 및 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI)으로부터 선택된 1종 이상의 용제 1 내지 50 중량%, 및 모노에탄올아민(MEA) 등의 함질소 유기히드록시 화합물로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개평 4-124668호에는 유기 아민 20 내지 90 중량%, 인산에스테르 계면활성제 0.1 내지 20 중량%, 2-부틴-1,4-디올 0.1 내지 20 중량%, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르와 비양자성 극성 용제류로 구성되는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 여기서, 2-부틴-1,4-디올 및 인산에스테르 계면활성제는 박리특성을 감소시키지 않는 범위 내에서 금속층이 부식되는 것을 방지하기 위해 첨가되었다. 그러나, 이러한 포토레지스트 스트리핑용 조성물은 알루미늄 및 알루미늄 합금막에 대한 부식방지력이 약하여, 스트립 공정 중에 심각한 부식을 유발하고, 후 공정인 게이트 절연막 증착시 불량을 발생시키는 문제가 있다.
또한, 일본 특개평 4-350660호에는 DMI, DMSO, 수용성 유기 아민으로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있고, 일본 특개평 5-281753호에는 알칸올 아민, 설폰 화합물 또는 설폭사이드 화합물, (C6H6)n(OH)n (이때, n은 1, 2 또는 3의 정수)의 히 드록시 화합물을 포함하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개평 제8-87118호에는 N-알킬알칸올아민 50 내지 90 중량%, DMSO 또는 DMF 50 내지 10 중량%를 포함하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 최근의 액정 표시 소자 및 반도체 소자 제조공정에서는 유리기판과 실리콘 웨이퍼 기판을 120℃ 이상의 고온에서 처리하는 등, 공정 조건이 가혹해짐에 따라 포토레지스트가 고온에서 포스트베이크(postbake)되는 경우가 많아지고, 이로부터 변질 경화 정도가 심해져서 앞서 언급한 스트리퍼 조성물로는 제거가 완전히 되지 않는 문제가 있다.
상기 고온 공정을 거쳐 경화된 포토레지스트를 깨끗이 제거하기 위한 조성물로 물 및/또는 히드록실아민 화합물을 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물이 제안된 바 있다. 그 예를 소개하면, 일본 특개평 4-289866호에는 히드록실 아민류, 알칸올 아민류 및 물로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있고, 일본 특개평 6-266119호에는 히드록실 아민류, 알칸올 아민류, 물 및 방식제로 이루어진 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 또한, 일본 특개평 7-69618호에는 감마부티로락톤(GBL), DMF, DMAc, NMP 등의 극성 비양자성 용제, 2-메틸아미노 에탄올(N-MAE)을 포함하는 아미노알콜 및 물을 일정비율로 함유하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 또한, 일본 특개평 8-123043호에는 아미노알콜, 물 및 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG) 등의 글리콜 알킬에테르로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 일본 특개평 8-262746호에는 알칸올 아민류, 알콕시알킬아민류, 글리콜 모노알킬 에테르, 당화합물, 제 4급 암모늄 수산화물 및 물로 구성된 스트리퍼 조성물이 기재되어 있고, 일본 특개평 9-152721호에는 알칸올 아민, 히드록실 아민, 디에틸렌글리 콜 모노알킬에테르, 방식제로서 솔비톨 등의 당화합물 및 물을 함유한 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 상기한 스트리퍼 조성물들은 가혹한 고온공정, 건식식각, 애슁 및 이온 주입공정에 의해 변질되며, 가교 경화된 포토레지스트막과 식각 공정에서 금속성 부산물과 반응하여 생성되는 포토레지스트 식각잔류물에 대한 박리력 및 포토레지스트의 도전성 하부막인 알루미늄 및 알루미늄 합금막의 부식 방지 성능면에서 충분하지 못한 문제가 있다. 또한, 고온 조건에서 히드록실 아민 화합물은 불안정하여 시간이 경과함에 따라 분해되는 문제점이 있다.
상기와 같은 다양한 스트리퍼 조성물들은 구성 성분과 성분간의 함량비에 따라 포토레지스트 박리성, 금속 부식성, 박리 후의 세정공정의 다양성, 작업 재현성 및 보관 안정성, 경제성 면에서 현저히 차이가 나며 다양한 공정 조건에 대하여 최적 성능을 갖는 경제적인 스트리퍼 조성물의 개발이 계속 요구되고 있다.
한편, 액정 표시 장치가 대형화되고 대량생산이 이루어짐에 따라 스트리퍼의 사용량이 많은 딥(dipping) 방식보다는 낱장식으로 처리하는 매엽식(single wafer treatment method) 설비를 이용한 포토레지스트의 박리가 일반화되고 있고 이 설비에 적합한 스트리퍼 조성물이 소개되고 있다.
그 예를 들면, 대한민국 특허공개 제2000-8103호에는 5 내지 15 중량%의 알칸올 아민, 35 내지 55 중량%의 설폭사이드 또는 설폰 화합물 및 35 내지 55 중량%의 글리콜 에테르를 포함하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 대한민국 특허공개 제2000-8553호에는 10 내지 30 중량%의 수용성 아민 화합물, 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르 및 N-알킬 피롤리디논 또는 히드록시알킬 피롤리디논의 총 함량이 70 내지 90 중량%인 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 상기 조성물들은 금속 부식성은 낮으나 저온 박리력이 다소 약한 단점이 있다.
한편, 리프트-오프 방식은 포토레지스트를 전면 도포한 후 원하는 패터닝을 한 다음, 그 위에 금속막 또는 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 등의 절연막을 증착한 후 포토레지스트를 제거하는 방법을 말한다. 따라서, 박막을 패터닝하는 에칭 공정이 하나 줄어드는 장점이 있다. 그러나, 가장 큰 문제는 포토레지스트가 전면에 노출된 것이 아니기 때문에 포토레지스트 박리 공정이 많이 걸린다.
또한, 상기 열거한 모든 조성물들은 리프트-오프 방식에서 포토레지스트 박리시간이 10분 이상이고 그 적용 배선이 알루미늄 배선, 또는 구리 배선에서 부식발생이 있다는 단점이 있다.
본 발명자들은 수용성 유기 아민 화합물 및 극성 비양자성 용매가 특정 비율로 포함된 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 일반적인 포토레지스트 박리 방식 뿐만 아니라, 특히 리프트-오프 방식의 포토레지스트 박리 방식에서 가혹한 사진 식각 공정에 의해 변질된 포토레지스트막을 저온에서 짧은 시간 내에 깨끗이 박리할 수 있으며, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 물로 세정하더라도 포토레지스트 하부의 도전성막 및 절연막에 손상을 주지 않으며, 포토레지스트 하부의 도전성막 또는 절연막에 대한 부식 방지력이 우수함을 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
이에, 본 발명은 포토레지스트의 박리력이 우수하면서 도전성막 및 절연막에 대한 손상 또는 부식 방지력이 우수한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 포토레지스트의 박리방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트의 박리방법을 포함하여 제조되는 액정 표시 장치 또는 반도체 소자를 제공하고자 한다.
본 발명은
a) 수용성 유기 아민 화합물 3 ~ 30 중량%,
b) 극성 비양자성 용매 65 ~ 95 중량%, 및
c) 부식 방지제 0.01 ~ 5 중량%
를 포함하는, 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 d) 수용성 비이온성 계면 활성제 0.01 ~ 1 중량%를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 e) 비극성 용매를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 점도가 1cP 이하인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물의 구성성분에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에서, a) 수용성 유기 아민 화합물은 1차 아미노 알콜류 화합물, 2차 아미노 알콜류 화합물 및 3차 아미노 알콜류 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 아미노 알콜류 화합물의 구체적 예를 들면, 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA) 및 1-(2-히드록시에틸)피페라진(HEP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE)이 박리 성능, 부식방지력 및 경제성면에서 우수하다.
상기 수용성 유기 아민 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량 중 3 ~ 30 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 ~ 20 중량%이다. 만일 상기 수용성 유기 아민 화합물의 함량이 3 중량% 미만이면 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 충분치 못하고, 30 중량%를 초과하면 점도값이 증가하여 리프트-오프 방식에서 포토레지스트 침투력이 낮아 박리시간이 증가하고, 또한 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막에 대한 부식성이 커지는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에서, b) 극성 비양자성 용매는 물과 유기화합물과의 상용성이 뛰어나고 포토레지스트를 용해시키는 용제 역할을 한다. 또한 스트리퍼의 표면장력을 저하시켜 포토레지스트막에 대한 습윤성(wetting property)을 향상시켜 준다.
상기 극성 비양자성 용매는 점도가 1cP 이하이고 비점이 150℃ 이상인 것이 바람직하며, 이의 구체적인 예로는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF) 및 테트라메틸렌설폰 등이 있다.
상기 극성 비양자성 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 65 ~ 95 중량%가 바람직하다. 만일 극성 비양자성 용매의 함량이 65 중량% 이하이면 스트리퍼의 표면장력이 감소하여 습윤성(wetting)이 증가되나 전체 가열감량은 크게 증가하고, 95 중량%를 초과하면 점도가 상승하여 스트리퍼의 박리력이 저하된다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에서, c) 부식 방지제는 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막과 절연막이 손상되지 않도록 하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 부식 방지제는 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하더라도 구리 또는 구리 합금막이나 알루미늄 또는 알루미늄 합금막과 같은 도전성막의 부식을 방지한다.
일반적으로 스트리퍼로 포토레지스트를 박리한 후 박리된 기판을 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하면, 스트리퍼 내의 아민 성분이 물과 혼합하여 부식성이 강한 알칼리의 히드록시드 이온이 생기게 되어 금속부식을 촉진시킨다. 그러나, 본 발명에서는 부식 방지제를 사용함으로써, 알칼리 상태에서 알루미늄과 착화합물을 형성하여 알루미늄 표면에 흡착하여 보호막을 형성하여 히드록시드 이온에 의한 부식을 방지할 수 있다.
본 발명의 조성물에 포함되는 부식 방지제로는 하기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 히드록시기이고,
R3은 수소, t-부틸기, 카르복실기(-COOH), 메틸에스테르기(-COOCH3), 에틸에스테르기(-COOC2H5) 또는 프로필에스테르기(-COOC3H7)이다.
상기 화학식 2에서,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이다.
상기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 부식 방지제는 기존에 구리막의 부식방지제로 널리 사용되어 온 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 등에 비해 부식방지 성능이 획기적으로 개선되어, 소량 첨가시에도 포토레지스트 하부층의 구리 또는 구리합금막의 부식을 일으키지 않을 뿐만 아니라 경화된 포토레지스트의 잔류물을 제거하는 데에도 매우 효과적으로 작용한다.
상기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 부식 방지제의 부식 방지 메커니즘은 다음과 같다. 상기 화학식 1로 표시되는 부식 방지제의 경우, 벤젠고리에 직접 치환된 히드록시기가 알루미늄과 흡착을 하여 염기성 용액에 의한 금속 부식을 제어한다. 상기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 부식 방지제의 경우, 트리아졸 고리에 존재하는 풍부한 질소원자의 비공유 전자쌍이 구리와 전자적 결합을 하여 금속부식을 제어한다.
상기 부식 방지제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 5 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 1 중량% 이다. 만일 상기 부식 방지제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 박리하고자 하는 기판이 장시간 박리액과 접촉할 때 금속배선에서 부분적인 부식현상이 일어날 수 있고, 5 중량%를 초과하면 점도가 증가하여 박리력을 감소시킬 수 있으며 조성물 가격이 상승하여 가격대비 성능면에서 비효율적이다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에서, d) 수용성 비이온성 계면 활성제는 변질된 포토레지스트가 기판으로부터의 박리한 후 재침착(redeposition)하는 현상을 방지하는 측면에서 효과가 있다.
상기 수용성 비이온성 계면 활성제는 하기 화학식 4로 표시되는 수용성 비이온성 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 4에서,
R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,
T는 수소, 메틸기 또는 에틸기이며,
m은 1 내지 4의 정수이고,
n은 1 내지 50의 정수이다.
상기 화학식 4로 표시되는 계면 활성제는 염기성이 강한 스트리퍼 조성물에서도 화학적 변화를 일으키지 않고, 물과 유기 용제와의 상용성이 우수하며, 스트 리퍼의 박리성을 향상시킬 수 있다.
상기 수용성 비이온성 계면 활성제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 1 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 만일 수용성 비이온성 계면 활성제의 함량이 1 중량%를 초과하면 특별한 개선점이 없고 점도가 상승하며, 또한 조성물 가격이 올라 경제성이 없다. 일반적으로 점도가 낮을수록 저온 박리력은 우수하다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에서, e) 비극성 용매로는 BDG(butyl diglycol), EDG(ethyl diglycol), MDG(methyl diglycol), TEG(triethylene glycol), DEM(diethyleneglycol monoethylether) 등을 그 예로 들 수 있다.
상기 비극성 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0 초과 20 중량% 미만의 범위인 것이 바람직하다. 상기 비극성 용매의 함량은 적으면 적을수록 바람직하고, 비극성 용매가 증가시에는 박리력이 떨어져 이물이 발생하여 포토레지스트의 처리매수량이 증가할수록 생산 수율이 감소하는 단점이 있다.
또한, 본 발명은
1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및
4) 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트층을 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
1) 기판 상에 포토레지스트를 전면 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 패턴화된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 증착하는 단계, 및
4) 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법을 제공한다.
상기 포토레지스트의 박리방법에 있어서, 상기 도전성 금속막 또는 절연막은 Al, Cu, Nd, Mo 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 구체적으로는 Al-Nd/Mo 이중막과 구리/이종금속합금막이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 미세 회로 패턴이 형성된 기판으로부터 포토레지스트를 박리하는 방법은, 많은 양의 스트리퍼액에 박리하고자 하는 기판을 동시에 여러 장 침지(dipping)하는 딥방식과 한 장씩 박리액을 기판에 스프레이(분무)시켜 포토레지스트를 제거하는 매엽식 방식 모두 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 박리할 수 있는 포토레지스트의 종류로는, 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트, 포지형/네가형 겸용 포토레지스트(dual tone photoresist)가 있고, 구성 성분에 제약을 받지 않지만 특히 효과적으로 적용되는 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트이다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트의 박리방법을 포함하여 제조되는 액정 표시 장치의 제조방법 또는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 반도체 소자는 포토레지스트 박리시 미세 패턴을 갖는 기판이 부식 또는 손상되지 않으면서, 잔류 포토레지스트가 적다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 사진 식각 공정 동안 변성된 포토레지스트를 고온 및 저온에서도 짧은 시간 내에 용이하게 제거 가능하며, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 물로 세정하는 경우에도 포토레지스트 하부의 구리 또는 구리 합금이나 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 도전성막 및 절연막에 대한 부식이 적은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공할 수 있으며, 구리 또는 구리 합금이나 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 도전성막 및 절연막에 대한 부식이 적은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공할 수 있다.
특히, 본 발명은 리프트-오프 방식의 포토레지스트 박리 방식에서 가혹한 사진 식각 공정에 의해 변질된 포토레지스트막을 저온에서 짧은 시간 내에 깨끗이 박리할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예 및 비교예에 있어서 별도 의 언급이 없으면 조성물의 성분비는 중량비이다.
실시예
1
2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올 50g, N-메틸피롤리돈 300g, 디메틸아세트아마이드(DMAc) 640g, 부식방지제 C1 7.0g, 부식방지제 C2 2.0g, 계면활성제 성분 1g을 혼합하여 상온에서 2시간 동안 교반한 후 0.1㎛로 여과하여 스트리퍼 용액을 제조하였다.
실시예
2 ~ 6
하기 표 1에 기재되어 있는 구성성분과 조성비를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 스트리퍼 용액을 제조하였다.
비교예
1 ~ 6
하기 표 1에 기재되어 있는 구성성분과 조성비를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 스트리퍼 용액을 제조하였다.
※ AEE : 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올,
NMEA : N-메틸에탄올아민,
MEA : 모노에탄올아민,
EDG : 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르,
BDG : 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르,
DPM : 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르,
NMP : N-메틸피롤리돈,
DMSO : 디메틸설폭사이드,
TMS : 테트라메틸렌설폰,
DMAc : 디메틸아세트아마이드,
NMF : N-메틸포름아마이드,
MDG : 메틸 디글리콜,
C1 : 하기 화학식 5의 화합물,
C2 : 하기 화학식 6의 화합물,
d) 계면활성제 성분 : 하기 화학식 7의 화합물.
실험예
: 리프트-
오프용
박리력
및 부식 특성 평가
상기 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 6에서 제조한 스트리퍼 조성물의 박리력 및 부식 특성을 하기와 같은 방법으로 평가하였다.
이때 실험에 사용한 시편은 LCD의 TFT 회로 제작에서 리프트-오프 방식으로 제작된 화소층 유리(pixel layer glass)와 게이트공정을 거친 유리 위에 Al-Nd층 2000Å 및 상부에 Mo층 200Å을 형성한 후 포지티브 포토레지스트를 도포하고 건조한 다음 포토리소그라피에 의해 패턴을 형성하고, 습식에칭까지 완료한 상태의 시편과, 마찬가지로 게이트 공정을 거친 유리기판으로서, 유리 위에 이종금속합금 300 Å 및 상부에 Cu층 2000Å을 형성한 후 포지티브 포토레지스트를 도포하고 건조한 다음 포토리소그라피에 의해 패턴을 형성하고, 습식에칭까지 완료한 시편 두 가지이다.
1.
박리력
평가
상기 시편을 70℃, 50℃로 유지된 상기 스트리퍼 용액에 1분간 침적 후, 초순수에 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 건조 완료 후 시편을 1,000 배율의 광학 현미경과 5,000 ~ 10,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 포토레지스트의 박 리 정도를 관찰하였다. 박리 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
※ ◎ : 박리 성능 우수,
○ : 박리 성능 양호,
△ : 박리 성능 양호하지 못함,
× : 박리 성능 불량.
2. 제 1 부식 평가
제 1 부식 평가는 스트립 완료 후 초순수에 세정하는 공정에서 부식 여부를 평가하기 위한 것이며, 평가용 시편은 상기 시편을 40℃로 유지된 아세톤 용액에 10분 동안 침적 후, 이소프로판올에 30초, 초순수에 30초간 세척하여 제조하였다. 위의 평가용 시편을 상기 스트리퍼 용액 50g과 물 950g의 혼합액에 상온에서 3분 동안 침적 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 50,000 ~ 100,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하였다.
부식 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
※ ◎ : AlNd, Mo 배선의 표면과 측면에 부식이 없는 경우,
○ : AlNd, Mo 배선의 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우,
△ : AlNd, Mo 배선의 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우,
× : AlNd, Mo 배선의 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우.
3. 제 2 부식 평가
상기 시편을 70℃로 유지된 상기 스트리퍼 용액에 10분 동안 침적 후, 초순 수에 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 본 스트립 실험을 3회 연속으로 실시한 후 50,000 ~ 100,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하였다. 부식 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
※ ◎ : Cu 배선의 표면과 측면에 부식이 없는 경우,
○ : Cu 배선의 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우,
△ : Cu 배선의 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우,
× : Cu 배선의 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우.
박리력과 부식력의 평가 결과는 표 2에 나타내었다.
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 스트리퍼 조성물은 박리력 및 부식력에서 모두 우수하게 나타났다.
반면, 극성 비양자성 용매 대신 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물 60 중량% 이상과 극성 비양자성 용매를 혼합하여 사용한 비교예 1 ~ 4의 경우, 부식력은 양호하나 박리력에서 양호하지 못한 결과를 나타내었다. 또한, 부식방지제를 포함하지 않은 비교예 5 ~ 6의 경우 박리력과 부식력에서 모두 양호하지 못한 결과를 나타내었다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은, 리프트-오프 방식에서 가혹한 사진 식각 공정에 의해 변질된 포토레지스트막을 저온에서 짧은 시간 내에 깨끗이 박리할 수 있으며, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 물로 세정하더라도 포토레지스트 하부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 도전성막 및 절연막에 손상을 주지 않으며, 포토레지스트 하부의 구리, 구리 합금막 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 대한 부식 방지력이 우수한 효과가 있다.
Claims (26)
- a) 수용성 유기 아민 화합물 3~30 중량%,b) 극성 비양자성 용매 65~95 중량%, 및c) 부식 방지제 0.01 ~ 5 중량%를 포함하는, 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 a) 수용성 유기 아민 화합물은 1차 아미노 알콜류 화합물, 2차 아미노 알콜류 화합물 및 3차 아미노 알콜류 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 2에 있어서, 상기 아미노 알콜류 화합물은 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA) 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 b) 극성 비양자성 용매는 점도가 1cP 이하인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 b) 극성 비양자성 용매는 비점이 150℃ 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 b) 극성 비양자성 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF) 및 테트라메틸렌설폰으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 c) 부식 방지제는 하기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물:[화학식 1]
상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 히드록시기이고,R3은 수소, t-부틸기, 카르복실기(-COOH), 메틸에스테르기(-COOCH3), 에틸에스테르기(-COOC2H5) 또는 프로필에스테르기(-COOC3H7)이고,[화학식 2]
상기 화학식 2에서,R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이다.[화학식 3]
- 청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 d) 수용성 비이온성 계면 활성제 0.01 ~ 1 중량%를 추가로 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 8에 있어서, 상기 d) 수용성 비이온성 계면 활성제는 하기 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물:[화학식 4]
상기 화학식 4에서,R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,T는 수소, 메틸기 또는 에틸기이며,m은 1 내지 4의 정수이고,n은 1 내지 50의 정수이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 전체 조성물 총 중량 중 0 초과 20 중량% 미만의 함량을 갖는 비극성 용매를 추가로 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 10에 있어서, 상기 비극성 용매는 BDG(butyl diglycol), EDG(ethyl diglycol), MDG(methyl diglycol), TEG(triethylene glycol) 및 DEM(diethyleneglycol monoethylether) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 점도가 1cP 이하인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
- 1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계,2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,3) 상기 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및4) 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 도전성막 또는 절연막은 Al, Cu, Nd, Mo의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 포토레지스트는 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트 또는 포지형/네가형 겸용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 박리방법은 딥방식 또는 매엽식 방식인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 13의 박리방법을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
- 청구항 13의 박리방법을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 1) 기판 상에 포토레지스트를 전면 도포하는 단계,2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,3) 상기 패턴화된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 증착하는 단계, 및4) 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 20에 있어서, 상기 도전성막 또는 절연막은 Al, Cu, Nd, Mo의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 20에 있어서, 상기 포토레지스트는 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트 또는 포지형/네가형 겸용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 20에 있어서, 상기 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 20에 있어서, 상기 박리방법은 딥방식 또는 매엽식 방식인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
- 청구항 20의 박리방법을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
- 청구항 20의 박리방법을 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060000518 | 2006-01-03 | ||
| KR20060000518 | 2006-01-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070073617A true KR20070073617A (ko) | 2007-07-10 |
| KR100850163B1 KR100850163B1 (ko) | 2008-08-04 |
Family
ID=38508162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070000490A KR100850163B1 (ko) | 2006-01-03 | 2007-01-03 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100850163B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009125945A2 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
| KR101051438B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2011-07-22 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리방법 |
| KR101141987B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2012-05-17 | 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤 | 용해 변형용 약액 및 용해 변형 처리 방법 |
| KR20170104246A (ko) | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101213731B1 (ko) | 2009-02-20 | 2012-12-18 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040088990A (ko) * | 2004-04-14 | 2004-10-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| KR100568558B1 (ko) * | 2004-04-26 | 2006-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 |
-
2007
- 2007-01-03 KR KR1020070000490A patent/KR100850163B1/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101051438B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2011-07-22 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리방법 |
| WO2009125945A2 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
| WO2009125945A3 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-12-30 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
| KR101141987B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2012-05-17 | 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤 | 용해 변형용 약액 및 용해 변형 처리 방법 |
| KR20170104246A (ko) | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100850163B1 (ko) | 2008-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100913048B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR100846057B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR100794465B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR101082515B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 | |
| KR101051438B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리방법 | |
| KR20110130563A (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
| KR100850163B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR100544889B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| US6511547B1 (en) | Dibasic ester stripping composition | |
| KR100440484B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| JP2012514765A (ja) | フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法 | |
| KR101511736B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR101374565B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR101213731B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR100324172B1 (ko) | 포토레지스트박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법 | |
| KR100568558B1 (ko) | 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
| KR100544888B1 (ko) | 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
| KR102572751B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
| KR20080076535A (ko) | Ｎ-메틸아세트아마이드를 포함하는 포토레지스트용 박리액조성물 | |
| TWI405053B (zh) | 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法 | |
| KR101374686B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| KR20040083157A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| JP2013504782A (ja) | 銅系配線の形成のためのレジスト除去用組成物 | |
| KR20100011472A (ko) | 구리용 레지스트 제거용 조성물 | |
| KR20110026976A (ko) | 구리계 배선의 형성을 위한 레지스트 제거용 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130717 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140716 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150716 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160725 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170718 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180619 Year of fee payment: 11 |