KR20070067450A - Led 패키지 - Google Patents

Led 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20070067450A
KR20070067450A KR1020050128762A KR20050128762A KR20070067450A KR 20070067450 A KR20070067450 A KR 20070067450A KR 1020050128762 A KR1020050128762 A KR 1020050128762A KR 20050128762 A KR20050128762 A KR 20050128762A KR 20070067450 A KR20070067450 A KR 20070067450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
hole
reflective member
package
lead frame
Prior art date
Application number
KR1020050128762A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101144489B1 (ko
Inventor
신경호
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020050128762A priority Critical patent/KR101144489B1/ko
Priority to US11/642,633 priority patent/US7531848B2/en
Publication of KR20070067450A publication Critical patent/KR20070067450A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101144489B1 publication Critical patent/KR101144489B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 기설정된 형태의 홀이 구현된 방열판; 상기 홀을 제외한 방열판 상에 구비된 인쇄회로기판; 상기 홀의 기저면에 위치하는 서브 마운트; 상기 서브 마운트 상에 실장된 LED; 상기 서브 마운트 상의 LED를 에워싸고, 리드 프레임이 내측과 외측으로 돌출되고 서로 연결 형성되어 구비된 반사 부재; 상기 LED로부터 상기 반사 부재의 내측 리드 프레임에 연결된 전기적 연결 수단; 및 상기 서브 마운트 상의 LED와 상기 반사 부재 사이의 공간을 채우는 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 구조에 관한 것이다.
LED의 패키지, 반사 부재, 모듈

Description

LED 패키지{Pakage of light emitting diode}
도 1은 종래의 LED의 패키지를 도시한 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 LED의 패키지를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 LED의 패키지를 형성하는 과정을 설명하기 위한 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 LED의 패키지를 형성하기 위한 과정을 도시하는 흐름도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 방열판 2: 반사 부재
3: 리드 프레임 3-1: 솔더
4: LED 5: PCB
6: 와이어 7: 몰딩부
8: 홀 9: 서브 마운트
본 발명은 LED의 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED의 패키지 제작 상의 간편성을 향상시킬 수 있도록 모듈화한 LED의 패키지에 관한 것이다.
LED(light emission diode)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있고, 이러한 LED 소자의 특성은 1차적으로는 LED 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도 각 분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로는 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착된 표면 실장(SMD: Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있다.
이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD형의 LED 램프는 기존의 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전동 등 요구되는 휘도의 량도 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 LED가 널리 쓰이고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 LED 패키지를 예시적으로 도시한 예시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 LED 패키지 구조는 PCB(200)에 LED(210)를 실장할 반사 홀을 형성한 다음 내부에 Ag 금속으로 반사 코팅층(201)을 형성하고, 반사 코팅층(201)은 LED(210)에 전원을 인가할 패키지 전극(230, 220)과 연결된다.
즉, PCB(200) 상에 형성된 반사홀 내측에 형성되는 반사 코팅층(201)은 중심 영역이 전기적으로 단선된 구조를 하도록 형성한다.
이와 같이 PCB(200) 상에 반사 코팅층(201)이 형성되면, LED(210)를 반사홀 하측에 실장하고, LED(210)의 P 전극과 N 전극을 반사 코팅층(201) 상에 전기적으로 연결한다.
상기와 같이 LED(210)가 실장되면, 반사 코팅층(201)의 양측에 캐소드 전극(220)과 애노드 전극(230)을 솔더 본딩 방식에 의하여 형성한다. 그런 다음, LED(210)가 실장되어 있는 PCB(200)의 반사홀 상에 와이어(218)의 산화 방지와 공기저항에 의한 광손실을 줄이면서 열전도율을 높이기 위하여 이후 구비되는 몰드 렌즈(250)와 굴절율이 비슷한 충진제(231)를 주입한다.
이렇게 조립된 LED 패키지는 상기 LED(210)에서 발생한 광을 반사 코팅층(201)에서 반사시킨 다음, 몰드 렌즈(250)를 통하여 외부로 발산하게 된다.
그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 LED 패키지는 PCB상에 LED를 실장하는 경우의 문제점, 예를 들면 경사각을 갖는 반사 홀 가공의 어려움, Ag로 반사 코팅층을 형성하는 경우의 어려움, PCB의 한정된 두께에 의해 반사 홀의 깊이가 제한받는 다는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 PCB상에 LED를 패키지하는 경우, 패키지를 간편하게 하기 위해 모듈화한 LED의 패키지를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 선 광원 또는 면 광원용으로 다수의 모듈화한 LED의 패키지를 이용하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기설정된 형태의 홀이 구현된 방열판; 상기 홀을 제외한 방열판 상에 구비된 인쇄회로기판; 상기 홀의 기저면에 위치하는 서브 마운트; 상기 서브 마운트 상에 실장된 LED; 상기 서브 마운트 상의 LED를 에워싸고, 리드 프레임이 내측과 외측으로 돌출되고 서로 연결 형성되어 구비된 반사 부재; 상기 LED로부터 상기 반사 부재의 내측 리드 프레임에 연결된 전기적 연결 수단; 및 상기 서브 마운트 상의 LED와 상기 반사 부재 사이의 공간을 채우는 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 구조에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 방열판과 인쇄회로기판을 기설정된 형태의 홀을 형성하는 홀 형성단계; 상기 홀의 내부 기저 면에 LED를 장착하는 LED 장착단계; 리드 프레임이 내측과 외측으로 돌출되어 연결 형성되어 구비된 반사 부재를 상기 홀의 LED를 에워싸도록 장착하는 반사 부재 장착단계; 상기 LED와 상기 인쇄회로기판 사이에 전기적 연결을 형성하는 전기적 연결단계; 상기 LED와 상기 반사 부재의 실장 영역에 몰딩부를 형성하는 몰딩부 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 LED의 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 LED의 패키지는 금속성의 방열판(1), 방열판(1) 상에 구비된 PCB(5), 방열판(1)과 PCB(5)에 형성된 홀(8)에 구비된 서브 마운트(9) 상에 실장된 LED(4), LED(4)로 연결된 와이어(6)와 연결된 리드 프레임(3), 리드 프레임(3)을 내부에 포함하여 방열판(1)과 PCB(5)의 홀(8)에 접합 되는 반사부재(2), 및 LED(4)를 보호하고 집광효과를 얻기 위하여 투명 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 주입한 몰딩부(7)로 구성된다.
방열판(1)은 LED(4)와 같은 발열 소자로부터 열을 흡수하고 흡수한 열을 외부로 방출하는 금속성 재질의 냉각 수단으로서, 200 내지 400㎛의 소정 두께를 가진다.
반사 부재(2)는 플라스틱 재질, 예컨대 PC, PCABS, PPA, 나일론, PET, PBT 등을 사출 성형하여 형성할 수 있고, 방열판(1)과 PCB(5)를 밀링이나 드릴링하거나 또는 화학적 에칭에 의해 형성된 홀(8)에 페이스트를 이용하여 접합되며 반사 부재(2)의 내부에는 와이어(6)와 연결된 리드 프레임(3)을 포함한다. 여기서, 리드 프레임(3)은 와이어(6)와 연결되어 LED(4)를 외부전원에 전기적으로 연결하는데 사용되고, 반사 부재(2) 외부로 돌출되어 PCB(5)에 맞물려 접착하기에 적합한 형태로 되어 있다.
또한, 반사 부재(2)는 홀(8)에 페이스트를 이용하여 접합될 때, 안정적인 접합을 위해 하나 이상의 걸림턱을 가진 단차 구조로 형성되어 홀(8)에 맞물려 접착되고, 반사 부재(2)의 표면상에는 반사 효율을 향상시키기 위해 Sn, Ag 등의 금속 막(도시하지 않음) 상에 예를 들어, 프탈로시아닌(phthalocyanine)을 코팅할 수 있다.
서브 마운트(9)는 SiOB(Silicon Optical Bench: 실리콘 광학 벤치)의 서브마운트로서, LED(4)를 플립 본딩하여 전기적 연결을 하기 위한 COB(Chip On Bonding) 구조를 위해 구비된다.
이와 같은 구성의 패키지 구조에서, 반사 부재(2)는 도 3에 도시된 바와 같이 리드 프레임(3)을 포함한 모듈 형태로 방열판(1)과 PCB(5) 상에 형성된 홀(8)에 페이스트를 이용하여 간단하게 압착되고, 원통형으로 이루어질 수 있다. 반사 부재(2)의 형상은 상부 직경이 하부 직경보다 크게 구성하는 것이 바람직하다. 반사 부재(2)를 원통 형상으로 구성하여 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대되지만, 상부 직경보다 작은 하부 직경을 갖도록 하여 그 직경 차이를 조절함으로써 상향되는 발광의 휘도 분포와 휘도 세기를 증가시키는 것이 보다 바람직하다.
또한, 다수의 반사 부재(2)가 방열판(1)과 PCB(5) 상에 구비되어 선광원 또는 면광원으로 형성될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 LED의 패키지를 형성하기 위한 과정을 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 LED의 패키지를 형성하기 위한 과정을 도시하는 흐름 도이다.
먼저, 방열판(1) 상에 페이스트를 이용하여 접착된 PCB(5)를 포함하여, 방열판(1)과 PCB(5)를 도 3에 도시된 바와 같이 소정 형태, 예컨대 원형으로 홀(8)을 형성한다(S401). 여기서, 홀(8)은 밀링이나 드릴링과 같은 기계적 방법으로 형성되거나 또는 반도체 공정기술인 에칭 방법으로 형성될 수 있으며, 원형 이외에 사각형으로 형성될 수 있다.
홀(8)을 형성한 후, 홀(8)의 내부 밑면에 열전도성 접착용 실리콘을 이용하여 서브 마운트(9)가 접착되고, 접착된 서브 마운트(9) 상에 LED(4)를 플립 본딩하여 장착한다(S402). 이때, 서브 마운트(9) 상에 LED(4)를 본딩하기 위해 솔더링 페이스트를 서브 마운트(9) 상에 도포하고 LED(4)를 본딩할 수 있다.
서브 마운트(9) 상에 LED(4)를 구비한 후, 홀(8)에 대해 LED(4)를 중심으로 하여 반사 부재(2)를 접착한다(S403). 반사 부재(2)를 접착하기 위해서, 홀(8)의 내측 원주면에는 페이스트를 도포하여 반사 부재(2)를 접착하고, 도 2에 도시된 바와 같이 반사 부재(2)에는 하나의 걸림턱을 가지므로 걸림턱이 홀(8) 내의 방열판(1)에 맞물려 안정적으로 접착된다.
반사 부재(2)를 홀(8)에 구비한 후, 반사 부재(2)에 구비된 리드 프레임(3)중 홀(8) 내측의 리드 프레임(3)부분에 와이어(6)를 본딩하여 LED(4)와 리드 프레임(3) 사이의 전기적 연결을 형성한다(S404). 여기서, 와이어(6) 본딩을 통해 LED(4)와 리드 프레임(3) 사이의 전기적 연결을 형성함과 동시에 리드 프레임(3)과 PCB(5)사이에 전기적 접합을 위해 솔더(3-1)를 접합한다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 반사 부재(2)에 와이어(6)가 연결된 패키지가 완성되고, 이 상태에서 LED(4)와 반사 부재(2)의 실장영역에 LED(4)를 보호하고 집광효과를 얻기 위하여 투명 에폭시 또는 실리콘으로 LED(4)를 둘러싸도록 주입하여 몰딩부(7)를 형성한다(S405).
몰딩부(7)에는 광학적 특성을 위해 확산제를 첨가할 수도 있고, 백색광을 발생시키거나 LED(4)의 발광파장과 상이한 파장으로 발광하기 위해 형광체를 주입할 수도 있다. 또한, 몰딩부(7)의 형태는 볼록 또는 오목 형상으로 형성될 수 있고, 또는 부가적으로 도 2에 도시된 바와 같이 평평하게 형성된 몰딩부(7) 상에 반구형 렌즈(도시하지 않음)를 구비하여 LED(4)로부터 발산되는 광의 휘도 분포와 휘도 세기를 조절하는 부가 수단으로 활용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 반사 부재(2)는 다수의 개수로 도 3에 도시된 바와 같이 방열판(1)과 PCB(5)상에 접착 구비되어 LED(4)를 실장하여 선광원 또는 면광원으로 구성될 수 있으므로, 형광램프(CCFL)를 대체하여 LCD의 백라이트 유닛(back-light unit)으로 이용될 수 있다.
또한, LED(4)의 실장 부분에 구비된 서브 마운트(9)을 통해 LED(4)에서 발생하는 열을 방열판(1)으로 최단 거리로 방열할 수 있기 때문에, LED(4)의 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 방열판(1)과 PCB(5)상에 반사 부재(2)를 간단하게 접착 본딩하므로, LED 패키지 제작 공정이 간소화된다.
그리고, 반사 부재(2)가 종래의 금속 재질이 아닌 플라스틱 재질로 형성되므로 LED 패키지의 무게를 줄일 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 제작 공정이 간소화된 LED 패키지 형성방법을 제공하여 LED 패키지의 제조 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라스틱 재질의 반사 부재를 포함한 LED 패키지 모듈을 이용함으로써 LED 패키지의 무게를 줄일 수 있고, 다수의 LED 패키지 모듈을 이용하여 다수의 LED의 패키지 모듈 상에 반사판, 도광판, 확산판, 프리즘판, 및 보호판을 순차적으로 구비한 LCD 백라이트 유닛을 형성할 수 있다.

Claims (15)

  1. 기설정된 형태의 홀이 구현된 방열판;
    상기 홀을 제외한 방열판 상에 구비된 인쇄회로기판;
    상기 홀의 기저면에 위치하는 서브 마운트;
    상기 서브 마운트 상에 실장된 LED;
    상기 서브 마운트 상의 LED를 에워싸고, 리드 프레임이 내측과 외측으로 돌출되고 서로 연결 형성되어 구비된 반사 부재;
    상기 LED로부터 상기 반사 부재의 내측 리드 프레임에 연결된 전기적 연결 수단; 및
    상기 서브 마운트 상의 LED와 상기 반사 부재 사이의 공간을 채우는 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀의 기설정된 형태는 기설정된 깊이로 식각된 걸림턱을 가진 원통 형태이고,
    상기 반사 부재는 상기 홀의 걸림턱에 끼워져 맞물리고 상부 직경이 하부 직경보다 크게 형성된 플라스틱 재질의 부재이며, 내측면 상에 반사 막이 코팅된 것을 특징으로 하는 LED의 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 부재는 PPA의 재질로 형성되고, 상기 반사 막은 금속 막 상에 프탈로시아닌(phthalocyanine)을 코팅한 막인 것을 특징으로 하는 LED의 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 부재의 외측 리드 프레임은 상기 인쇄회로기판에 솔더를 이용하여 연결되는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은 와이어이고 상기 반사 부재의 내측 리드 프레임에 와이어 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지.
  6. 방열판과 인쇄회로기판을 기설정된 형태의 홀을 형성하는 홀 형성단계;
    상기 홀의 내부 기저 면에 LED를 장착하는 LED 장착단계;
    리드 프레임이 내측과 외측으로 돌출되어 연결 형성되어 구비된 반사 부재를 상기 홀의 LED를 에워싸도록 장착하는 반사 부재 장착단계;
    상기 LED와 상기 인쇄회로기판 사이에 전기적 연결을 형성하는 전기적 연결단계;
    상기 LED와 상기 반사 부재의 실장 영역에 몰딩부를 형성하는 몰딩부 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 홀 형성단계에서 상기 기설정된 형태의 홀은 원통 형태 또는 다각통 형태이고,
    상기 방열판과 상기 인쇄회로기판 사이에는 걸림턱을 형성하는 걸림턱 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 LED 장착단계는
    상기 홀의 기저면에 열전도성 접착용 실리콘을 이용하여 서브 마운트를 접착하는 서브 마운트 접착단계; 및
    상기 서브 마운트 상에 LED를 플립 본딩하는 LED 본딩단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사 부재 장착단계에서
    상기 반사 부재는 상기 홀의 걸림턱에 끼워져 맞물리고 상부 직경이 하부 직경보다 크게 형성된 플라스틱 재질의 부재이며, 내측면 상에 반사 막이 코팅된 것을 특징으로 LED의 패키지 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사 부재는 PPA의 재질로 형성되고 상기 반사 막은 금속 막 상에 프탈로시아닌(phthalocyanine)을 코팅한 막인 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사 부재 장착단계는
    상기 홀의 내측 원주면에 페이스트를 도포하여 상기 반사 부재를 접착하여 구비되는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 전기적 연결단계는
    상기 반사 부재에 구비된 리드 프레임중 내측의 리드 프레임에 와이어를 본딩하는 와이어 본딩단계; 및
    상기 리드 프레임중 외측의 리드 프레임과 인쇄회로기판 사이에 전기적 접합을 위해 솔더링을 하는 솔더링 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 몰딩부 형성단계에서
    상기 몰딩부는 투명 에폭시 또는 실리콘을 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  14. 제 6 항에 있어서,
    상기 몰딩부 형성단계는
    상기 몰딩부 상에 반구형 렌즈를 구비하는 반구형 렌즈 구비단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED의 패키지 방법.
  15. 제 1 항에 따른 LED의 패키지를 다수 포함하고,
    상기 다수의 LED의 패키지 상에 반사판, 도광판, 확산판, 프리즘판, 및 보호판을 순차적으로 구비하여 형성되는 LCD 백라이트 유닛.
KR1020050128762A 2005-12-23 2005-12-23 Led 패키지 KR101144489B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050128762A KR101144489B1 (ko) 2005-12-23 2005-12-23 Led 패키지
US11/642,633 US7531848B2 (en) 2005-12-23 2006-12-21 Light emission diode and method of fabricating thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050128762A KR101144489B1 (ko) 2005-12-23 2005-12-23 Led 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070067450A true KR20070067450A (ko) 2007-06-28
KR101144489B1 KR101144489B1 (ko) 2012-05-11

Family

ID=38192565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050128762A KR101144489B1 (ko) 2005-12-23 2005-12-23 Led 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7531848B2 (ko)
KR (1) KR101144489B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120062984A (ko) * 2010-12-07 2012-06-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 cob led 패키지
KR20130099313A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR20130099312A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US9343634B2 (en) 2007-12-06 2016-05-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200742113A (en) * 2006-04-20 2007-11-01 San-Bao Lin Package structure of light-emitting device
KR100757826B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 측면 발광 다이오드 패키지
TW200849638A (en) * 2007-06-01 2008-12-16 Lite On Technology Corp Light emitting diode package
US7759687B2 (en) * 2007-12-31 2010-07-20 Universal Scientific Industrial Co., Ltd. Multi-wavelength LED array package module and method for packaging the same
WO2009113262A1 (ja) * 2008-03-11 2009-09-17 パナソニック株式会社 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
US20110095310A1 (en) 2008-03-26 2011-04-28 Shimane Prefectural Government Semiconductor light emitting module and method of manufacturing the same
US8083372B2 (en) * 2008-04-25 2011-12-27 Epson Imaging Devices Corporation Illumination system, electro-optic device, and electronic apparatus
JP5506313B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源
TWM376913U (en) * 2009-11-26 2010-03-21 Forward Electronics Co Ltd LED packaging structure
US8399267B2 (en) * 2009-12-26 2013-03-19 Achrolux Inc Methods for packaging light emitting devices and related microelectronic devices
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
DE102011005047B3 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
KR20120105146A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조장치 및 이를 이용한 발광소자 패키지의 제조방법
KR20120108437A (ko) 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
CN102306689B (zh) * 2011-05-24 2013-01-02 江苏永兴多媒体有限公司 以导热塑料为基础的led支架的生产方法
CN102832294A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 中山市世耀光电科技有限公司 Led光源的封装方法及led光源
DE112012003235T5 (de) * 2011-08-05 2014-04-30 Osram Sylvania Inc. Kompaktes, thermisch verstärktes Substrat für Beleuchtungsanwendungen
WO2013152362A1 (en) * 2012-04-07 2013-10-10 Axlen, Inc. High flux high brightness led lighting devices
KR101974349B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광모듈과 이를 이용한 조명장치
CN103904191B (zh) * 2012-12-26 2016-09-28 中微光电子(潍坊)有限公司 一种led封装基底及led封装结构
JP6265055B2 (ja) * 2014-01-14 2018-01-24 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
US20180351061A1 (en) * 2014-05-23 2018-12-06 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier and light emitting device
KR102189133B1 (ko) * 2014-10-17 2020-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
CN104392988A (zh) * 2014-11-28 2015-03-04 广州光为照明科技有限公司 一种多芯片集成封装的led光源模组
US9252337B1 (en) * 2014-12-22 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Composite substrate for light emitting diodes
CN106981555A (zh) * 2017-03-21 2017-07-25 江苏稳润光电有限公司 一种浅杯高可靠性紫光led封装器件及其制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
US20040256630A1 (en) * 2001-08-24 2004-12-23 Densen Cao Illuminating light
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004200207A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
JP4174823B2 (ja) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343634B2 (en) 2007-12-06 2016-05-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR20120062984A (ko) * 2010-12-07 2012-06-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR20130099313A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR20130099312A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 cob led 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US7531848B2 (en) 2009-05-12
US20070145398A1 (en) 2007-06-28
KR101144489B1 (ko) 2012-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101144489B1 (ko) Led 패키지
US10677417B2 (en) Package for light emitting device and method for packaging the same
JP4934352B2 (ja) 高出力ledパッケージおよび高出力ledパッケージ製造方法
KR100851183B1 (ko) 반도체 발광소자 패키지
JP4451859B2 (ja) 高出力ledパッケージ
KR100653645B1 (ko) 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
US20040173810A1 (en) Light emitting diode package structure
KR100667504B1 (ko) 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법
JP2011146709A (ja) 発光装置、照明システム
JP2007109656A (ja) Ledバックライトユニット
JP4981600B2 (ja) 照明器具
KR20090124053A (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
JP2007142413A (ja) Ledパッケージ
KR20090080609A (ko) 양면 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20050029384A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100699161B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
JP2008010562A (ja) 光源装置および平面照明装置
KR20100093950A (ko) 발광 소자 패키지
KR100878398B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100803161B1 (ko) 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를채용한 발광 소자
US8882312B2 (en) Light emitting device with light emitting diodes fixed to printed circuit
KR102558584B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102532362B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101676670B1 (ko) 발광 소자
KR101883344B1 (ko) 발광소자 어레이

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160412

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170405

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180409

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190411

Year of fee payment: 8