KR20070065908A

KR20070065908A - 집중 광 빔을 측정하기 위한 방법 및 디바이스

Info

Publication number: KR20070065908A
Application number: KR1020077010712A
Authority: KR
Inventors: 티모시 엔. 토마스; 브루스 아담스; 딘 씨. 제닝스
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2004-10-28
Filing date: 2005-10-28
Publication date: 2007-06-25
Also published as: US20060158641A1; JP2008519263A; JP4777995B2; US7440088B2; CN101048647A; US20090015830A1; WO2006052512A1; EP1805490A1

Abstract

파장을 포함하는 광 빔을 프로파일링하기 위한 방법 및 디바이스들이 제공된다. 광 빔이 수신된다. 수신된 광 빔으로 재료를 형광 발광시킴으로써 상기 파장과 상이한 파장에서 2차 광이 생성된다. 2차 광은 수신된 광 빔으로부터 분리된다. 분리된 2차 광은 센서에 광학적으로 지향된다.

Description

집중 광 빔을 측정하기 위한 방법 및 디바이스{METHODS AND DEVICES FOR MEASURING A CONCENTRATED LIGHT BEAM}

본 출원은 예비 출원이 아니며, Timothy N. Thomas에 의해 2004년 10월 28일에 출원된, "METHODS AND DEVICES FOR MEASURING A CONCENTRATED LIGHT BEAM"이라는 제목의 미국 임시 특허 출원 제60/623,720호의 이익을 청구하며, 부록을 포함한 그 모든 내용은 모든 목적을 위하여 본 명세서에 참조로 통합된다. 미국 예비 출원 제60/623,720호에 대한 부록은 발행된 PCT 출원 WO 3/089,184호에 대응하며, 본 명세서에서 때때로 "the Thermal Flux Processing application"으로 참조된다.

특정 레이저에 의해 제공되는 것과 같은 집중 광 빔들이 다양한 상이한 애플리케이션들에 사용된다. 이러한 변경된 애플리케이션들에서 빔들을 유용하게 하는 그것의 하나의 특징은 위치, 크기 및 고강도 레벨에서의 분포에 있어서의 정밀도를 제공하는 시준된(collimated) 빔으로서 광학 전력의 매우 집중된 빔을 전달하는 능력이다. 그러나, 이러한 성능의 품질은 컴포넌트들의 노화, 진동 및 쇼크, 레이저 매체의 저하, 열적 드리프트(thermal drift), 열악한 광학적 정렬 및 컴포넌트 비선형성의 다양한 다른 소스들을 초래할 수 있는 것과 같이 광 빔의 품질의 저하에 의해 손상될 수 있다. 빔의 전체 전력 출력에 변화가 발생하지 않는다면, 광 빔의 강도 프로파일에 있어서의 변화는 성능에 상당히 불리한 결과를 야기할 것이다.

이러한 염려로 인하여, 광 빔은 강도 프로파일이 평가될 수 있도록 주기적으로 프로파일링되는 것이 유용하다. 매우 높은 전력의 전송은 프로파일링 디바이스에 손상을 줄 수 있기 때문에, 이러한 프로파일링을 수행하는데 있어서의 문제점은 빔 강도 자체이다. 특히, 많은 종래의 빔-프로파일링 시스템은 빔 전력 밀도 접근법이 제곱 센티미터당 수 와트 정도로 평가할 때 문제점들을 직면한다.

따라서, 기술 분야에서 집중 광 빔의 프로파일링을 가능하게 하는 디바이스 및 방법이 일반적으로 요구되고 있다.

본 발명의 실시예들은 광 빔을 계산하기 위하여 이러한 방출된 광(radiated light)을 사용하여 프로파일링될 광 빔의 파장과 상이한 파장에서 광을 방출하는 형광 재료를 사용한다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 파장(λ)을 포함하는 광 빔을 프로파일링하기 위한 방법이 제공된다. 상기 광 빔이 수신된다. 상기 수신된 광빔으로 재료를 형광 발광시킴으로써 2차 광이 파장(λ)과 상이한 파장(λ')에서 생성된다. 상기 이차 광은 상기 수신된 광빔으로부터 분리된다. 분리된 이차 광은 센서로 광학적으로 지향된다.

몇몇 실시예들에서, 형광 물질은 수신된 광 빔의 일부분 내에 배치되고, 상기 광 빔은 상기 형광 물질에 관하여 이동된다. 예를 들어, 광 빔이 상기 축 주변에서 실린더를 회전시킴으로써 형광 재료에 대하여 이동되도록 광 빔은 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 직각인 축을 갖는 실린더상에 입사될 수 있다. 다른 실시예에서, 광 빔은 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 평행한 축을 갖는 디스크상에 입사되고, 광 빔은 상기 축 주변으로 디스크를 회전시킴으로써 형광 물질에 대하여 이동된다; 상기 센서는 상기 디스크의 축 주변에서 회전할 수 있다. 지향되고 분리된 2차 광은 센서상에 집속(focused)될 수 있다. 또한, 지향되고 분리된 2차 광은 파장(λ)에서 광을 차단하기 위하여 필터링될 수 있다. 일 실시예에서, λ는 약 808nm이고, λ'는 약 1064nm이다. 광 빔은 일 실시예에서 실질적으로 단색일 수 있다.

다른 실시예들에서, 파장(λ)을 포함하는 광 빔을 프로파일링하기 위한 디바이스가 제공된다. 상기 디바이스는 몸체, 형광 물질, 광 센서 및 광학 장치를 포함한다. 형광 물질은 광 빔을 수신하도록 배향된 몸체의 표면에 가까이 배치된다. 형광 물질은 광 빔의 자극에 응답하여 파장(λ)과 상이한 파장(λ')에서 발광하고, 상기 몸체는 파장(λ 및 λ')에 대하여 실질적으로 투명하다. 광학 장치는 파장(λ')에서 상기 광 빔으로부터 광을 분리하고, 파장(λ')에서 상기 광 센서로 광을 지향시키도록 구성된다.

형광 물질은 몸체의 표면 위에 증착된 막에 의해 포함되거나, 또는 몸체의 표면 아래에 몸체 내에 배치될 수 있는 일 실시예에서와 같이, 몸체의 표면상에 배치될 수 있다. 광학 장치는 실질적으로 λ 및 λ' 중 하나의 파장을 갖는 광을 투과시키고 실질적으로 λ 및 λ'중 다른 하나의 파장을 갖는 광을 반사하는 몸체내에 표면을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 광학 장치는 상기 광 센서로 지향된 광을 상기 광 센서로 집속시키도록 배치된 렌즈를 포함한다. 광학 장치는 광 센서상에 집속된 광을 필터링하도록 배치된 파장(λ)을 갖는 광의 전송을 차단하는 전송 특성을 갖는 필터를 더 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 광 센서는 광검출기 또는 카메라를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, λ<1000nm 및형광 물질은 Nd:YAG를 포함한다.

몸체를 위한 상이한 구조물들이 수용될 수 있다. 일 실시예에서, 몸체는 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 직각인 축을 갖는 중공(hollow) 실린더를 포함한다. 광학 장치는 실질적으로 λ 및 λ' 중 하나의 파장을 갖는 광을 투과시키고 실질적으로 λ 및 λ'중 다른 하나의 파장을 갖는 광을 반사하는 중공 실린더의 중공 부분내에 표면을 포함한다. 상기 몸체에 결합된 모터는 상기 축 주위로 상기 중공 실린더를 회전시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 몸체는 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 평행한 축을 갖는 디스크를 포함한다. 몸체에 결합된 모터는 축 주위로 디스크 및 광학 장치를 회전시킬 수 있다.

본 발명의 특성 및 장점들의 이해는 상세한 설명 및 도면부의 나머지 부분을 참조로 하여 실현될 수 있다.

도 1은 특정 실시예에서 본 발명의 방법들을 요약하는 흐름도이다;

도 2는 일 실시예에서 집중 광 빔을 측정하기 위한 디바이스의 개략적인 도면이다;

도 3은 다른 실시예에서 집중 광 빔을 측정하기 위한 디바이스의 개략적인 도면이다;

도 4a 내지 도 4c는 다른 실시예에서 집중 광 빔을 측정하기 위한 디바이스의 개략적인 측면도, 단부도 및 균등 투사도(isometric-projection view)이다;

도 5a 내지 도 5b는 여전히 다른 실시예에서 집중 광 빔을 측정하기 위한 디바이스의 개략적인 측면도 및 균등 투사도이다; 그리고

도 6은 추가의 실시예에서 집중 광 빔을 측정하기 위한 디바이스의 상부도이다.

본 발명의 실시예들은 집중 광 빔에 의해 제공된 에너지 흐름에 응답하여 형광 발광하는 재료를 사용한다. 본 발명은 Thermal Flux Processing 애플리케이션에서 상세히 개시된 것과 같은 열 처리 시스템상의 동작 동안 발명자에 의해 개발되었으나, 본 발명은 이러한 애플리케이션들로 한정되지 않으며, 마찬가지의 다른 애플리케이션에 사용되는 집중 광 빔들을 프로파일링하는데 더욱 일반적으로 사용될 수 있다. Thermal Flux Processing 애플리케이션에 개시된 열 처리 시스템에 있어서, 집중 광 빔은 지속파 발광 소스에 의해 제공되며, 반도체-디바이스 제조업자를 위한 공정의 일부로서 기판 표면에 걸쳐 연장하는 발광 라인에 광학 장치에 의해 시준되고 집속된다. 집중 광에 의해 타겟의 표면에 발생된 열은 확산을 방지하기에 충분히 짧은 시간 프레임에서 어닐링에 유용한 높은 값으로 온도를 상승시킨다. 본 발명의 실시예들이 Thermal Flux Processing 애플리케이션에 개시된 것과 동일한 지속파 광 소스들과 함께 사용하기에 적합한 반면, 다른 실시예들은 버스트(burst)들, 펄스(pulse)들 또는 플래시(flash)들로서 제공되는 집중 광을 프로 파일링하기 위하여 사용될 수 있다. 또한, Thermal Flux Processing 애플리케이션에 개시된 광학 장치는 라인으로 광을 집속시키기 위하여 사용되는 반면, 본 발명의 상이한 실시예는 집중 광의 다른 기하학적 구성을 프로파일링하기 위하여 사용될 수 있다.

다수의 실시예들에서, 집중 광 빔은 실질적으로 단색이다. 실리콘 기판이 사용되는 Thermal Flux Processing 애플리케이션에 개시된 특정 애플리케이션에 있어서, 집중 광은 약 190nm 내지 950nm 사이의 파장을 가지며, 808nm의 파장을 갖는 광의 특정 실시예가 개시된다. 하기 논의 중 일부에 있어서, 이러한 실시예는 또한 설명을 목적으로 논의되는 것이며, 본 발명은 집중 광 빔을 위한 임의의 특정 파장으로 제한되지 않는다. 또한, 본 발명은 단색 광 빔의 프로파일링으로 제한되지 않으며, 실시예들은 안정적인 스펙트럼들을 갖는 다른 빔들에 적용될 수 있다.

형광 물질과 집중된 광 빔의 상호작용에 의해 생성된 형광은 일반적으로는 집중된 광 빔과 동일한 프로파일 강도를 갖지만, 전체 강도는 현저히 감소되며 일반적으로 상이한 파장을 갖는다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 형광 물질은 1064nm의 파장에서 형광 발광함으로써 808nm 광 빔에 응답하는 네오디뮴:(이트륨 알루미늄 가넷)("Nd:YAG")을 포함한다. 광학 장치는 야기되는 808nm 및 1064nm 광의 조합을 분리하기 위하여 사용되어, 고강도의 808nm 광이 분실되도록 하고, 저강도의 1064nm 광을 센서로 지향시킨다. 저강도 1064nm 광은 감지기로부터 획득된 결과로 프로파일링되며, 고강도 808nm 광의 프로파일의 지표로서 사용된다. 상기 프로파일링은 저강도의 광으로 수행되기 때문에, 그것이 녹거나, 증발되거나, 또는 다른 방식으로 광의 강도에 의해 손상되는 점까지 적절한 측정 센서를 가열하는 하찮은 위험성이 존재한다.

도 1은 본 발명의 상이한 실시예들의 일반화된 개요를 제공한다. 블럭(104)에서, 파장(λ)을 포함하는 집중 광 빔은 프로파일링 디바이스로 지향된다. 광 빔은 블럭(108)에서 상이한 파장(λ')에서 형광 소스로부터 2차 광을 형광 발광시키기 위하여 사용된다. 파장(λ, λ')에서 조합된 광은 상기 광을 그것의 개별적인 파장 컴포넌트들로 분리하기 위하여 블럭(112)에서 스펙트럼 분리기로 지향된다. 프로파일링 디바이스의 광학 구조는 블럭(116)에서 나타나는 바와 같이, 파장(λ)에서 광이 손실되도록 하고, 측정을 위하여 파장(λ')에서 광이 센서로 지향되도록 한다.

프로파일링 디바이스를 위한 특정한 하나의 실시예가 도 2에 개략적으로 도시된다. 프로파일링 디바이스는 유리와 같은, 파장(λ 및 λ')에서 일반적으로 광에 대하여 투명한 재료의 블럭(204)을 포함한다. 블럭(204)은 두 개의 파장들 중 하나에서 실질적으로 반사적이며, 두 개의 파장들 중 다른 하나의 파장에서 실질적으로 투과성(transmissive) 중간 표면(208)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 블럭(204)은 상기 표면들 중 하나가 원하는 투과/반사 특성을 갖는 광학 코팅으로 코팅된 후, 그들 각각의 빗변을 따라 결합되는 직각 프리즘의 반쪽들(halves)을 포함할 수 있다. 특정 예증에 있어서, 광학 코팅은, 프로파일링 디바이스상에 입사하는 광 빔(228)의 파장인 파장(λ)에서 투과성이며, 형광 소스(224)에 의해 생성된 2차 광의 파장인 파장(λ')에서 반사적이다. 도 2의 실시예에서, 라인 구조, 복수의 분리된 도트형 구조, 라인 구조와 도트형 구조의 결합, 또는 다른 기하학적 패턴들을 포함하는 다양한 상이한 기하학적 패턴들이 대안적인 실시예들에서 사용될 수 있으나, 형광 소스(224)는 도트형(dot-like) 구조로 제공된다. 형광 소스(224)는 입사 광 빔(228)이 2차 광을 생성하기 위하여 형광 소스(224)와 충돌하도록 몸체(204)의 표면에 가깝게 배치된다. 형광 소스(224)는 몸체(204)의 표면상에 배치될 수 있고, 또는 몸체의 표면 아래에 주입될 수 있다.

2차 광(236)은 광학 장치의 다른 부분에 의해 센서(220)로 집속된다. 도 2에 도시된 특정 실시예는 광을 집속시키기 위하여 렌즈들(216)을 사용하나, 상기 집속을 달성하기 위하여 렌즈들의 임의의 장치 및/또는 거울과 같은 반사면들도 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 윈스턴 콘(Winston cone)과 같은 입사되는 광선(incoming ray)들의 콜렉션을 증가시키도록 설계된 광학 컴포넌트가 사용될 수 있다. 광학 장치는 또한 초기 빔(228)로부터의 빗나간 광이 센서(220)로 지향되도록 하기 위하여 파장(λ')에서 투과성이나 2차 광(236)의 통로를 따라 파장(λ)에서 불투명한 필터(212)를 포함하는 것이 바람직하다. 렌즈(216)와 충돌하기에 앞서, 필터(212)는 2차 광(236)과 충돌하도록 배치되는 것으로 도시되는 반면, 충돌의 순서는 반대로 되고, 2차 광(236)은 그것이 필터(212)와 충돌하기 전에 렌즈들과 충돌한다. 센서(220)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 공지된 형태의 광검출기를 포함할 수 있다. 동시에 프리즘 블럭(204), 렌즈들(216), 필터(212) 및 센서(220)를 이동시키는 것과 같이, 광학 장치의 빔을 이동시킴으로써, 센서(220)의 출력은 입사 빔(228)의 광 강도 프로파일을 나타낸다.

대안적인 실시예가 도 3에 도시되며, 이는 또한 파장들(λ 및 λ')에서 실질적으로 빛나는 재료의 블럭(304)을 사용하고, 상기 파장들 중 하나에 실질적으로 반사적이며 상기 파장들 중 다른 하나에 실질적으로 투과성인 중간 표면(308)을 포함한다. 형광 물질의 다른 기하학적 패턴들 또는 불연속적 소스들을 제공하는 대신, 블럭(304)은 형광 물질의 막(320)으로 코팅되거나, 또는 형광 물질이 주입된다. 프로파일링 디바이스는 도 2와 관련하여 제공되는 기재와 유사한 다른 기능을 하며, 입사 광 빔(324)은 2차 광(332)을 생성하기 위하여 형광 물질의 막(320)과 상호작용한다. 파장(λ)에서의 최초 광 및 파장(λ')에서의 2차 광은 중간 표면(308)과 상호작용함으로써 상이한 방향으로 지향된다. 도 3은 파장(λ')이 반사되고 파장(λ)이 투과되는 특정한 경우를 도시하나, 전과 같이, 파장이 반사되고, 파장이 투과되는 것에는 아무런 문제가 없다. 2차 광은 이미지화(imaging)를 위하여 센서로 지향된다.

도 3은 또한 블럭(304)의 표면상에 이미지화된 광을 검출할 수 있는 카메라(316)로서 제공될 수 있는, 센서의 형태에 있어서의 또 다른 변형을 도시한다. 이러한 방식으로, 완전한 입사 빔(324)은 빔(324) 또는 광학 장치를 이동시키지 않으면서 프로파일링될 수 있다. 파장(λ')에서 광을 전송하나 파장(λ')에서 실질적으로 불투명한 필터(312)는 파장(λ)에서 빗나간 광이 카메라(316)에 도달하는 것을 방지하기 위항 2차 광의 통로를 따라 배치되는 것이 바람직할 수 있다. 카메라(316)는 상이한 실시예들에서 다른 형태의 카메라 또는 전하-결합(charge-coupled) 디바이스일 수 있다.

전체 입사 빔을 프로파일링하기 위해 사용되는 움직임을 달성하기 위한 대안적인 장치들이 도 4a 내지 도 5b에 도시되며, 도 4a 내지 도 4c는 일 실시예를 도시하고, 도 5a 및 도 5b는 대안적인 실시예를 도시한다. 이러한 각각의 실시예들에 있어서, 동일한 일반적 구조는 2차 광을 검출기에 집속시키는 광학 장치의 일부분을 위하여 도시된다. 구조는 파장(λ')의 광을 전송하나 파장(λ)의 광은 전송하지 않는 필터 및 집속 렌즈를 포함하는 것으로 도시되나, 광선의 콜렉션을 증가시키기 위하여 윈스턴 콘과 같은 부가적 또는 대안적 광학 컴포넌트들을 포함할 수 있다.

도 4a 내지 도 4c에 개시되는 실시예는 도 4a의 측면도, 도 4b의 단부도 및 도 4c의 균등 투사도와 함께 도시된다. 이러한 실시예는 파장들(λ 및 λ')에서 투명한 실린더(404)를 사용하고, 광학 장치의 적어도 일부분이 상기 투명한 실린더(404)내에 배치된다. 실린더(404)내에 배치된 광학 장치의 일부분을 배치하는 것은 실린더(404)가 중공 실린더로서 제공될 때 단순화되어, 광학 컴포넌트들이 상기 중공 부분내에 배치될 수 있다. 실린더(404)는 실린더가 축(440) 주변을 회전하도록 구성된 모터(미도시)와 결합된다. 이러한 회전은 실린더(404)의 표면상의 기하학적 패턴으로 배치된 형광 물질(408)이 상이한 위치로 이동하도록 하고, 회전 위치는 형광 물질의 위치와 동조화된다. 실린더(404)상에 투사하는 파장(λ)에서 광 빔(428)은 형광 물질이 파장(λ')에서 2차 광(436)을 방출하도록 한다. 조합된 광은 2차 광을 센서(420)로 지향시키는 광학 컴포넌트(424)와 분리되고, 렌즈(416)로 집속되며, 다른 실시예들과 관련하여 상기 개시된 바와 같이 필터(412)에 의해 필 터링된다. 조합된 광의 분리는 상기 개시된 것과 유사한 구조를 사용함으로써 달성될 수 있다. 특히, 광학 컴포넌트(424)는 파장(λ)에서 투과성이며, 파장(λ')에서 광을 반사하고 파장(λ)에서 광을 투과하는 코팅에 의해 커버되는 재료의 블럭을 포함할 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 반사 및 전송 특성은 파장(λ')에서 2차 광이 투과되고, 그 후, 광을 집속시키고 감지하는 광학 장치의 일부분으로 지향되도록 역전될 수 있다.

또 다른 변형이 도 5a 및 도 5b에 개시되며, 도 5a 및 5b는 각각 회전 디스크(504)를 사용하는 실시예의 측면도 및 균등 투사도를 제공한다. 디스크(504)는 파장(λ 및 λ')에서 광에 투명한 재료로 형성되며, 상기 개시된 것들과 유사한 기하학적 패턴으로 디스크(504) 표면상에 배치된 형광 물질(508)을 포함한다. 광학 장치는 도 4a 내지 도 4c와 관련하여 개시된 것과 유사하고, 광학 컴포넌트(512)는 파장들(λ 및 λ') 중 하나의 광을 반사하고 나머지 다른 하나의 파장의 광을 투과하도록 제공된다. 디스크(504)상을 투과하는 광 빔(528)은, 가능하다면, 빗나간 광이 센서(524)에 도달하는 것을 방지하기 위하여 필터에 의해 필터링된 후에, 형광 물질이 렌즈(520)를 사용하여 센서(524)상에 집속되는 2차 광(536)을 생성하도록 한다. 디스크(404) 및 광학 장치는 축(540) 주변의 회전을 야기하는 모터(미도시)와 결합되어, 입사 빔(528)의 상이한 부분들이 센서(524)에 의해 연속적으로 이미지화될 수 있다.

또 다른 대안이 도 6과 함께 개시되며, 도 6은 회전 디스크(604)를 사용하는 또 다른 실시예의 상부도를 제공한다. 형광 물질의 복수의 도트들(612)은 나선형 패턴으로 디스크 주변으로 분포되어 디스크(604)는 축(616) 주변을 회전하고, 도트들(612) 중 상이한 것들이 축(616)으로부터의 상이한 방사상 거리에서 빔(608)에 노출된다. 몇몇 실시예들에서, 디스크(604)는 신속하게 회전하여, 각각의 도트들(612)은 반복적으로, 그러나 상대적으로 짧은 시간 주기 동안 빔(608)에 노출된다. 그러한 실시예에서, 단일 검출기는 2차 광을 수집하기 위하여 사용될 수 있으며, 픽셀들 사이의 혼선(cross talk)은 최소화될 수 있다. 신속한 급회전(spinning)을 초래하는 부가적인 장점은 빔으로부터 흡수된 임의의 열이 상대적으로 큰 체적상에 분포되는 것이고, 이는 도트들의 듀티 사이클에 관련되며, 따라서, 최대 사용가능 전력 밀도를 증가시킨다. 설명을 목적으로, 본 발명자는 12cm의 직경을 갖는 디스크가 느린 축(slow axis)에서 약 4㎛ 해상도로 산출되고, 빠른 축(fast axis)에서 도트 크기가 제한될 수 있는 것으로 계산한다.

상기 개시된 특정 실시예들은 본 발명의 상이한 측면들을 도시하기 위해 의도된 것이며, 특히, 조합된 λ 및 λ' 광을 분리하는데, 그리고 2차 광을 센서로 지향시키는데 다수의 대안들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 광의 분리가 상기 파장들 중 하나에서 광을 투과하고 상기 파장들 중 다른 하나에서 광을 반사하는 코팅을 사용하는 각각의 실시예들에 개시된다. 그러한 구조는 특히, 광학 장치가 윈스턴 콘과 같은 광 수집을 개선하도록 설계된 컴포넌트를 더 포함할 때, 실질적으로 2차 광의 전체 강도가 계속 유지되고, 센서로 지향된다는 장점을 갖는다. 그러나, 다른 실시예들에서, 그러한 기술들이 2차 광의 강도에 있어서 얼마간의 손실을 초래한다 할지라도, 실질적으로 2색성의 광을 분리하기 위한 다른 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어, 2색성 광이 초기에 집속되고, 분리기로 지향되는 장치는 2차 광을 수집하기 위하여 사용될 수 있으며, 분리기의 출력은 또한 파장(λ')의 광만을 통과시키는 필터로 지향된다. 이러한 장치 그리고 다른 유사한 장치들은 도 2 내지 도 6과 관련되어 다르게 개시된 구조와 조합될 수 있다.

또한, 대안적인 실시예들에서, 형광 물질의 사용은 입사 빔의 파장(λ)에서 광을 분산시키는데 작용하는 분산 특징을 제공함으로써 방지될 수 있고, 따라서, 그것의 강도를 현저하게 감소시켜 센서에 의해 샘플링될 수 있다. 그러한 분산 특징은 상기 개시된 투명한 구조들(204, 304, 404, 504)의 표면상에 배치될 수 있고, 또는 상기 투명한 구조들과 함께 내장될 수 있다. 광의 검출은 그 후, 입사 광의 파장(λ)에서 전송을 차단하는 필터를 포함하지 않고서 실행될 수 있다.

개시된 다수의 실시예들을 가지고, 또 다른 변형, 대안적인 구성 및 그 동등물들이 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위에서 사용될 수 있음이 본 발명이 속하는 분야의 당업자들에 의해 인지될 것이다. 따라서, 상기 개시는 다음의 청구항들에서 한정되는 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 받아들여져서는 안될 것이다.

Claims

파장(λ)을 포함하는 광 빔을 프로파일링하기 위한 방법으로서,

상기 광 빔을 수신하는 단계;

상기 수신된 광 빔으로 형광 물질을 형광 발광시킴으로써 상기 파장(λ)과 상이한 파장(λ')에서 2차 광을 생성하는 단계;

상기 수신된 광 빔으로부터 상기 2차 광을 분리하는 단계; 및

상기 분리된 2차 광을 센서로 광학적으로 지향시키는 단계

를 포함하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제1항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 수신된 광 빔의 일부분 내에 배치되고,

상기 방법은, 상기 형광 물질 및 상기 광 빔을 서로에 대하여 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제2항에 있어서,

상기 광 빔은 상기 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 직각인 축을 갖는 실린더상에 입사하고,

상기 광 빔 및 상기 형광 물질을 서로에 대하여 이동시키는 단계는, 상기 실린더를 상기 축 주변에서 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제2항에 있어서,

상기 광 빔은 상기 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 평행한 축을 갖는 디스크상에 입사하고,

상기 광 빔 및 상기 형광 물질을 서로에 대하여 이동시키는 단계는, 상기 디스크를 상기 축 주변에서 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제4항에 있어서,

상기 광 빔 및 상기 형광 물질을 서로에 대하여 이동시키는 단계는, 상기 센서를 상기 디스크의 상기 축 주변에서 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제4항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 디스크 주변으로 나선형으로 배치된 일련의 분산 도트들에 따라 분포되는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제1항에 있어서,

상기 지향되고 분리된 2차 광을 상기 센서상으로 집속시키는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제1항에 있어서,

파장(λ)에서 광을 차단하기 위하여 상기 지향되고 분리된 2차 광을 필터링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제1항에 있어서,

λ는 약 808nm이고, λ'는 약 1064nm인 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
제1항에 있어서,

상기 광 빔은 실질적으로 단색성인 것을 특징으로 하는 광 빔의 프로파일링 방법.
파장(λ)을 포함하는 광 빔을 프로파일링하기 위한 디바이스로서,

몸체;

상기 광 빔을 수신하도록 배향된 상기 몸체의 표면 가까이 배치된 형광 물질 -상기 형광 물질은 상기 광 빔의 자극에 응답하여 파장(λ)과 상이한 파장(λ')에서 광을 방출하고, 상기 몸체는 상기 파장들(λ 및 λ')에 대해 실질적으로 투과성임- ;

광 센서; 및

파장(λ')에서 상기 광을 상기 광 빔으로부터 분리하고 파장(λ')에서 상기 광을 상기 광 센서로 지향시키도록 구성된 광학 장치

을 포함하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 몸체의 상기 표면상에 배치되는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제12항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 몸체의 상기 표면 위에 증착된 막에 의해 포함되는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 몸체의 상기 표면 아래에 상기 몸체 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 광학 장치는 상기 몸체 내에 λ 및 λ' 중 하나의 파장을 갖는 광을 실질적으로 전송하고 λ 및 λ' 중 다른 하나의 파장을 갖는 광을 실질적으로 반사하 는 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 광학 장치는 상기 광 센서로 지향된 상기 광을 상기 광 센서상에 집속시키도록 배치된 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제16항에 있어서,

상기 광학 장치는 상기 광 센서상에 집속된 상기 광을 필터링하도록 배치된 파장(λ)을 갖는 광의 전송을 차단하는 전송 특성을 갖는 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 광 센서는 광검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 광 센서는 카메라를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 몸체는 상기 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 직각인 축을 갖는 중공 실린더를 포함하고, 상기 광학 장치는 상기 중공 실린더의 중공 부분 내에 λ 및 λ' 중 하나의 파장을 갖는 광을 실질적으로 전송하고 λ 및 λ' 중 다른 하나의 파장을 갖는 광을 실질적으로 반사하는 표면을 포함하며,

상기 디바이스는 상기 축 주변에서 상기 중공 실린더를 회전시키도록 상기 몸체와 결합된 모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

상기 몸체는 상기 광 빔의 입사 방향에 실질적으로 평행한 축을 갖는 디스크를 포함하고,

상기 디바이스는 상기 디스크 및 상기 광학 장치가 상기 축 주변에서 회전하도록 상기 몸체와 결합된 모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제10항에 있어서,

상기 형광 물질은 상기 디스크 주변에 나선형으로 배치된 일련의 분산 도트들에 따라 분배되는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

λ<1064 및 상기 형광 물질은 Nd:YAG를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제11항에 있어서,

λ<1064 및 상기 형광 물질은 유리에 내장된 Nd 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.
제10항에 있어서,

상기 광 빔은 실질적으로 단색성인 것을 특징으로 하는 광 빔 프로파일링 디바이스.