CN101048647A - 用于测量集中光束的方法和装置 - Google Patents
用于测量集中光束的方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101048647A CN101048647A CNA2005800373171A CN200580037317A CN101048647A CN 101048647 A CN101048647 A CN 101048647A CN A2005800373171 A CNA2005800373171 A CN A2005800373171A CN 200580037317 A CN200580037317 A CN 200580037317A CN 101048647 A CN101048647 A CN 101048647A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- light beam
- fluorescent material
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 66
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于对包括λ波长的光束进行仿形的方法和器件。接收该光束。通过使用已接收光束使得荧光材料激发出荧光，从而产生具有不同于波长λ的λ′波长的二次光。从已接收光束分离二次光。将分离的二次光光学定向至传感器。
Description
相关申请的交叉引用
本申请是非临时申请，并要求Timothy N.Thomas在2004年10月28日提交的美国临时专利申请NO.60/623,720，题名为“METHODS AND DEVICESFOR MEASURING A CONCENTRATED LIGHT BEAM”的优先权，在此引用包括附录在内的该申请的全部公开内容作为参考。美围临时专利申请No.60/623,720的附录对应于已公布的PCT申请WO 03/089,184，并且在此有时称为“the Thermal Flux Processing application”。
背景技术
诸如由特定激光器提供的集中光束可用于各种不同应用。使该光束在这些不同应用中有价值的一个特性在于它们将高度集中光功率的光束作为准直光束传输的能力，该准直光束在位置、尺寸和高强度级别分布方面具有精确性。然而，该性能的质量可能由于诸如元件老化，振动和震动，激光介质的退化、热漂移、差的光学对准和各种其他元件非线性源导致的光束质量退化而消弱。即使光束的总功率输出没有变化，光束的强度剖面(intensity profile)中的变化也可能在性能上具有显著的不利后果。
由于这些考虑，对于光束进行周期性仿形是有用的，从而可以评价强度剖面。在执行该仿形中的挑战是光束本身的强度，因为甚高功率的传输可能损坏该仿形器件(profiling device)。特别地，当光束功率强度接近每平方厘米数千瓦特级别时，许多传统的光束仿形系统将面临困难。
因此，在该领域中普遍需要允许对集中光束进行仿形的方法和器件。
发明内容
本发明的实施方式利用辐射出具有与待仿形的光束波长不同的波长的光的荧光材料，并使用该辐射出的光以评价光束。因此在一些实施方式中，提供用于对包括λ波长光束进行仿形(profiling)的方法。接收该光束。通过使用所接收光束使得材料激发出荧光，从而产生不同于λ波长的λ′波长的二次光。从所接收的光束分离出二次光。将所分离的二次光光学定向到传感器。
在一些实施方式中，荧光材料设置在部分所接收的光束内，并且该光束相对于荧光材料移动。例如，光束可在具有与光束的入射方向基本上成直角的轴的圆柱体上入射，从而通过围绕轴旋转圆柱体，使得光束可相对于荧光材料移动。在另一实施例中，光束在具有与光束入射方向基本上平行的轴的圆盘上入射，从而通过围绕轴旋转圆盘，使得光束可相对于荧光材料移动；传感器也可围绕圆盘的轴旋转。已定向的分离二次光可聚焦到传感器上。另外，可对于该已定向的分离二次光进行滤光，以阻挡λ波长的光。在一个实施方式中，λ约为808nm，而λ′约为1064nm。在一个实施方式中，光束可基本为单色。
在其它实施方式中，提供一种用于对包括波长的光束进行仿形的器件。该器件包括主体、荧光材料、光传感器和光学装置。荧光材料接近主体的表面设置以接收光束。荧光材料响应光束的激发而发出不同于λ波长的λ′波长，对于λ和λ′波长，主体基本上可透过。光学装置适于从光束中分离λ′波长的光并将λ′波长的光定向到光传感器。
荧光材料可设置在主体表面上，例如在一个实施方式中其由沉积在主体表面上的膜所包括，或者其也可以设置在主体表面之下的主体中。光学装置可包括主体内的表面，该表面基本上透射具有λ和λ′其中之一波长的光束并基本上反射具有λ和λ′另外一个波长的光束。在一个实施方式中，光学装置包括设置用于将定向至光传感器的光束聚焦到光传感器上的透镜。该光学装置还包括滤光片，该滤光片具有阻挡λ波长的光束的透射的透射特性，以对聚焦到光传感器上的光束进行滤光。在不同的实施方式中，光传感器可包括光探测器或者可包括照相机。在一个实施方式中，λ＜1000nm并且该荧光材料包括Nd:YAG(钇铝石榴石)。
该主体可容纳不同结构。在一个实施方式中，主体包括具有与光束入射方向基本上成直角的轴的中空圆柱体。光学装置包括中空圆柱体的中空部分内的表面，该表面基本上透射具有λ和λ′其中之一波长的光束并基本上反射具有λ和λ′另外一个波长的光束。连接到主体的电机可围绕轴旋转中空圆柱体。在另一实施方式中，主体包括具有与光束入射方向基本上平行的轴的圆盘。连接到主体的电机可围绕轴旋转圆盘和光学装置。
通过参照说明书的其它部分和附图可实现对本发明的本质和优点的进一步理解。
附图说明
图1是在特定实施方式中概括本发明方法的流程图；
图2是在一个实施方式中用于测量集中光束的器件的示意图；
图3是在另一个实施方式中用于测量集中光束的器件的示意图；
图4A到图4C是在再一实施方式中用于测量集中光束的器件的侧面、端面以及等角投影的示意图；
图5A和图5B是在又一实施方式中用于测量集中光束的器件的侧面及等角投影示意图；
图6是在再一实施方式中用于测量集中光束的器件的俯视图。
具体实施方式
本发明的实施方式利用响应由集中光束提供的能流(energy flow)而激发出荧光的材料。发明人在如Thermal Flux Processing application(热通量处理应用)中详细描述的热处理系统的工作过程期间提出了本发明，但本发明不限于该应用并可更普遍地用于对集中光束进行仿形(profiling)，其也用于其他应用中。在热通量处理应用中所述的热处理系统中，集中光束由连续波辐射源提供，并通过光学装置准直和聚焦成延伸贯穿衬底表面的直线辐射，其作为用于半导体器件制造工序的一部分。由集中的光在目标表面产生的热量将温度升高至有利于在足够短的时间期限(time frame)内退火以防止扩散的高值。虽然本发明的实施方式适于与如热通量处理应用中所述的连续波光源一起使用，但其他实施方式可用于对设置为突发(burst)、脉冲(pulse)或闪光(flash)的集中光进行仿形。另外，虽然热通量处理应用中所述的光学装置用于将光聚焦为直线，但本发明的不同实施方式也可用于对集中光的其他几何结构进行仿形。
在多种实施方式中，集中的光束基本为单色光。对于采用硅衬底的热通量处理应用中所述的具体应用，集中光具有约190nm和950nm之间的波长，并描述了具有808nm波长的光的具体实施例。在以下的一些描述中，为了阐明的目的，还将使用该实施例进行讨论，但对于集中光束，本发明并不限于任何特定的波长。另外，本发明不限于对单色光束进行仿形并且实施方式可应用于具有稳定光谱的其他光束。
通过集中光束与荧光物质相互作用产生的荧光一般具有与所述集中光束相同的强度剖面，但总强度显著降低并且通常可处于不同波长处。例如，在一些实施方式中，荧光物质包括铷：(钇铝石榴石) (“Nd:YAG”)，其响应808nm光束以激发出1064nm波长的荧光。光学装置用于分离得到的808nm和1064nm的合成光，并定向高强度的808nm的光以使得该光损失，并将低强度得1064nm的光定向至传感器。利用从探测器获得的结果对低强度1064nm的光进行仿形并且其也可作为高强度808nm光的仿形的指示值。由于采用较低强度的光进行仿形，几乎没有将测量传感器加热至其熔化、气化或由光的强度损坏的程度的风险。
图1提供了本发明的不同实施方式的概略图。在方框104处，将包括波长λ的光束定向至仿形器件。在方框108处，光束用于从荧光源激发出不同波长λ′的二次光。在方框112处，将波长λ和λ′的合成光定向至光谱分离器以将所述光分离成其独立的波长成分。如方框116所示，仿形器件的光学结构将使波长λ的光损失，并使波长λ′的光定向至用于测量的传感器。
在图2中示意性示出了仿形器件的一个具体实施方式。仿形器件包括由通常对波长λ和λ′的光可透过的诸如玻璃的材料构成的块状主体204。块状主体204可包括中间表面208，其对于两个波长的其中之一完全反射并且对于两个波长的另一个完全透射。例如，光学块状主体204可包括一对等分的直角棱镜，其在其中之一的表面已由具有所需的透射/反射特性的光学涂层涂覆之后，沿着它们各自的直角三角形的斜边结合。在具体的描述中，光学涂层对于波长λ为透射性的，其中λ为在仿形器件上入射的光束228的波长，并对于波长λ′为反射性的，其中λ′为由荧光源224发出的二次光的波长。在图2的实施方式中，荧光源224设置为类似点的结构，虽然在替代的实施方式中可使用多种不同的几何图案，其包括直线结构，多个分立的类似点的结构、直线和类似点结构的组合，或其他几何图案。荧光源224设置于接近块状主体204的表面，从而使得入射光束228与荧光源224相遇以产生二次光。荧光源224可设置于块状主体204的表面上或可植入于块体表面下方。
利用光学装置的另一部分将二次光236聚焦在传感器220上。图2中示出的具体实施方式采用透镜216聚焦光，但任何其它设置的透镜和/或诸如镜子的反射表面也可用于实现所述聚焦。在一些实施方式中，可采用诸如温斯顿锥(Winston cone)的设计用于增强入射光线会聚的光学元件。光学装置还可灵活地包括沿着二次光236的路径的滤光片212，其对于波长λ′为透射性的而对于波长λ为不可透过的，以确保没有来自初始光束228的杂散光定向至传感器220上。虽然所示滤光片212设置为在遇到透镜216之前遇到二次光236，但可改变相遇的次序，采用在二次光遇到滤光片212之前遇到透镜216。传感器220可包括现有技术公知类型的光探测器。通过移动光束或光学装置，诸如通过一致地移动相关的棱镜块状主体204、透镜216、滤光片212和传感器220，传感器220的输出可表示入射光束228的光强度剖面。
在图3中示出了替代的实施方式，并同样采用由对波长λ和λ′的光可透过的材料构成的块状主体304，并包括对其中之一波长完全反射并对另一波长完全透射的中间表面308。取代提供独立的源或另一几何图案的荧光材料，而使用荧光材料的薄膜320涂覆或使用荧光物质注入块状主体304。另外，仿形器件功能类似于结合图2提供的描述，入射光束324与荧光材料的薄膜320互相作用以产生二次光332。通过与中间表面308互相作用，波长λ的原始光和波长λ′的二次光以不同的方向定向。如上所述，虽然图3示出了λ′反射以及λ透射的位置的具体情况，但哪个波长被反射以及哪个波长被透射并不重要。二次光定向至用于成像传感器。
图3还示出了传感器构造的进一步变型，其可设置为可检测经过块状主体304的表面的成像光的照相机316。以该方式，在不移动光束324或光学装置的情况下可对全部入射光束324进行仿形。可沿着二次光的路径灵活地设置透射波长λ′的光线但对于波长λ完全不透过的滤光片312，以阻挡波长λ的杂散光到达照相机316。在不同的实施方式中，照相机316可为电荷耦合器件或其他类型的照相机。
在图4A到图5B中示出了实现用于对全部入射光束进行仿形的移动的替代装置，图4A到图4C示出了一个实施方式，以及图5A到5B示出了替代的实施方式。在各个实施方式中，用于将二次光聚焦到探测器上的光学装置的部分所示为相同的通用结构。所示的该结构包括透射波长λ′的光但不透射波长λ的光的滤光片以及聚焦透镜，但可不包括诸如温斯顿锥的附加的或替代的光学元件以增强光线的会聚。
利用图4A中的侧视图、图4B的端视图和图4C的等角投影图在图4A到4C中示出了实施方式。该实施方式采用对波长λ和λ′透明的圆柱体404，并且在该透明的圆柱体404内设置至少一部分光学装置。当圆柱体404设置为中空的圆柱体时，可简化没置在圆柱体404中的部分光学装置的定位，从而该光学元件可放置于中空部分内。圆柱体404与配置用于围绕轴440旋转圆柱体的电机(未图示)联接。这种旋转允许在圆柱体404的表面上以几何图案设置的荧光材料408运动到不同的位置，并且转动位置与荧光材料的位置同步。在圆柱体404上入射的在波长λ的光束428造成荧光材料428发出波长λ′的二次光。利用定向二次光的光学元件424分离所述合成光以定向至传感器，如结合其他实施方式的以上所述，利用透镜416聚焦并可附加地用滤光片412滤光。通过利用类似以上所述的结构，可实现合成光的分离。具体地，光学元件424可包括由对波长λ的光透过的材料构成的块状主体，并且其由反射波长λ′的光线以及透射波长λ的光线的涂层覆盖。在替代的实施方式中，反射和透射特性可相反设置，从而透射波长λ′的二次光，并随后定向至聚焦并感应该光的光学装置的一部分。
图5A和图5B中示出了进一步变型，其分别提供采用旋转圆盘504的实施方式的侧视图和等角投影图。圆盘504由对于波长λ和波长λ′的光线可透过的材料形成并包括以如上所述的几何图案设置在圆盘504的表面上的荧光材料508。光学装置类似于结合图4A到图4C所述的光学装置，其具有设置以反射波长λ和λ′的其中之一并透射另一波长的光的光学元件512。圆盘504上入射的光束528引起荧光材料508产生二次光536，从而其使用透镜520，也可在由滤光片516滤光以防止杂散光达到传感器524之后，聚焦在传感器524上。圆盘504和光学装置与产生围绕轴540旋转的电机(未图示)联接，从而入射光束528的不同位置可由传感器524连续地成像。
图6示出了进一步的替代实施方式，其提供了采用旋转圆盘604的另一实施方式的俯视图。荧光材料的多个圆点612以螺旋形图案分布在圆盘上，从而随着圆盘604围绕轴616旋转，不同的圆点612在距离轴616的不同径向距离处暴露于光束608。在一些实施方式中，圆盘604快速地旋转，从而在相对短的时间周期内，各个圆点612重复地暴露于光束608。在这些实施例中，单个探测器可用于收集二次光，并且像素之间的干扰可最小化。由快速旋转圆盘产生的附加优点在于任何吸收自光束的热量分布在相对大的容积中，其与圆点的工作循环相关，从而增加了最大可用功率密度。为了描述目的，发明人已计算出具有直径12cm的圆盘可产生约在低速轴中约4μm的分辨率以及在快速轴中限定的圆点尺寸。
以上所述的具体实施方式意图描述本发明的不同方面，尤其在分离合成的λ和λ′的光线以及将二次光定向至传感器中，具有可使用的多种替代实施方式。例如，每个实施方式中描述了采用透射其中之一波长并反射另一波长的涂层的光的分离。这种结构具有基本上保留二次光的全部强度并定向至传感器，尤其当光学装置还包括设计用于改善光线会聚的诸如温斯顿锥的元件时。然而，在其他实施方式中，也可采用完全分离二色光的其他技术，即使这样的技术会造成二次光强度的一定损失。例如，一种可用于收集二次光的装置，其中首先对二色光进行聚焦并定向至分光器，并且该分光器的一个输出进一步定向至仅透过波长λ′的光的滤光片。这种和其他类似装置可与在参照图2到图6中所述的其他结构结合。
另外，在其他替代的实施方式中，通过提供用于散射波长λ的入射光束的散射机构，从而显著降低其强度从而其可由传感器采样，可避免使用荧光材料。这种散射材料可放置在以上所述的透明结构204、304、404和504的表面上或嵌入于其中。随后可执行光的探测而不必包括阻挡波长λ的入射光透射的滤光片。
以上描述了不同的实施方式，对于本领域的技术人员应当认识到在不偏离本发明的构思的情况下可采用进一步的变型、替代的结构和等同物。因此，以上的说明书不应当看作是对本发明范围的限定，其由以下的权利要求书限定。
Claims (25)
1、一种用于对包括λ波长的光束进行仿形的方法，该方法包括：
接收所述光束；
通过使用已接收光束使得荧光材料激发出荧光，从而产生具有不同于波长λ的λ′波长的二次光；
将所述已接收光束与所述二次光分离；以及
将所述分离的二次光光学定向至传感器。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述荧光材料设置在部分所述已接收光束中，所述方法进一步包括彼此相对移动所述光束和所述荧光材料。
3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述光束在具有与所述光束的入射方向基本成直角的轴的圆柱体上入射；以及
彼此相对移动所述光束和所述荧光材料包括围绕所述轴旋转所述圆柱体。
4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述光束在具有与所述光束的入射方向基本平行的轴的圆盘上入射；以及
彼此相对移动所述光束和所述荧光材料包括围绕所述轴旋转所述圆盘。
5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，彼此相对移动所述光束和所述荧光材料还包括围绕所述圆盘的所述轴旋转所述传感器。
6、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述荧光材料分布为以螺旋形设置在所述圆盘上的一系列离散的点。
7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述定向的分离的二次光聚焦到所述传感器上。
8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括对所述定向的分离的二次光进行滤光以阻挡波长λ的光。
9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，λ约为808nm，而λ′约为1064nm。
10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束为单色。
11、一种用于对包括λ波长的光束进行仿形的器件，该器件包括：
主体；
接近所述主体的表面设置以接收所述光束的荧光材料，其中：
所述荧光材料响应所述光束的激发以辐射出不同于λ波长的λ′波长的光；以及
所述主体对于λ和λ′波长基本上可透过；
光传感器；以及
用于从所述光束分离出所述λ′波长的光并将所述λ′波长的光定向到所述光传感器的光学装置。
12、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述荧光材料设置在所述主体的所述表面上。
13、根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述荧光材料由沉积在所述主体的所述表面上的膜所包括。
14、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述荧光材料设置在所述主体的所述表面下方的所述主体内。
15、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述光学装置包括所述主体内的表面，该表面透射具有λ和λ′其中之一波长的光，并反射具有λ和λ′中另一波长的光。
16、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述光学装置包括设置以将定向到所述光传感器的所述光聚焦到所述光传感器上的透镜。
17、根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述光学装置还包括具有阻挡λ波长的光透射的透射特性，设置用于对聚焦到所述光传感器上的所述光进行滤光的滤光片。
18、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述光传感器包括光探测器。
19、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述光传感器包括照相机。
20、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述主体包括具有与所述光束的入射方向基本上成直角的轴的中空圆柱体；
所述光学装置包括所述中空圆柱体的中空部分内的表面，该表面透射具有λ和λ′其中之一波长的光，并反射λ和λ′中另一波长的光；以及
所述器件进一步包括与所述主体联接以围绕所述轴旋转所述中空圆柱体的电机。
21、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述主体包括具有与所述光束的入射方向基本平行的轴的圆盘；以及
所述器件进一步包括与所述主体联接以围绕所述轴旋转所述圆盘的电机。
22、根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述荧光材料分布为以螺旋形设置在所述圆盘上的一系列离散的点。
23、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，λ＜1064nm，并且所述荧光材料包括Nd:YAG。
24、根据权利要求11所述的器件，其特征在于，λ＜1064nm，并且所述荧光材料包括嵌入在玻璃中的Nd离子。
25、根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述光束为单色。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US62372004P | 2004-10-28 | 2004-10-28 | |
| US60/623,720 | 2004-10-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101048647A true CN101048647A (zh) | 2007-10-03 |
Family
ID=35840443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005800373171A Pending CN101048647A (zh) | 2004-10-28 | 2005-10-28 | 用于测量集中光束的方法和装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7440088B2 (zh) |
| EP (1) | EP1805490A1 (zh) |
| JP (1) | JP4777995B2 (zh) |
| KR (1) | KR20070065908A (zh) |
| CN (1) | CN101048647A (zh) |
| WO (1) | WO2006052512A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947584B2 (en) * | 2008-05-02 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Suitably short wavelength light for laser annealing of silicon in DSA type systems |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| DE102015016240B3 (de) * | 2015-12-16 | 2017-05-24 | Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung | Transparente Mess-Sonde für Strahl-Abtastung |
| DE102016011568B4 (de) | 2016-09-26 | 2019-03-07 | Primes GmbH Meßtechnik für die Produktion mit Laserstrahlung | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung von räumlichen Abmessungen eines Lichtstrahls |
| JP6244502B1 (ja) * | 2017-04-17 | 2017-12-06 | カナレ電気株式会社 | レーザビームプロファイル測定装置 |
| DE112017007786T5 (de) | 2017-07-27 | 2020-05-14 | Canare Electric Co., Ltd. | Laserstrahlprofil-Messvorrichtung |
| WO2020179049A1 (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | カナレ電気株式会社 | レーザ光のビームプロファイル測定装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4425907A (en) * | 1980-09-25 | 1984-01-17 | Exxon Research And Engineering Co. | Reflector-coupled fluorescent solar collector |
| DE3706271A1 (de) * | 1987-02-26 | 1988-09-08 | Erwin Strigl | Vorrichtung zum messen des intensitaetsprofils eines laserstrahls |
| DE3738480A1 (de) | 1987-11-12 | 1989-05-24 | Lambda Physik Forschung | Verfahren und vorrichtung zum messen der intensitaet eines uv-laserstrahles |
| US4885471A (en) * | 1988-04-22 | 1989-12-05 | Taunton Technologies, Inc. | Ultraviolet radiometer |
| JPH05231929A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-07 | Chiyoda Kohan Kk | 紫外線照度測定器 |
| IL106747A0 (en) | 1993-08-20 | 1993-12-08 | Oren Aharon | Laser beam analyzer |
| JP3529195B2 (ja) * | 1994-06-21 | 2004-05-24 | 株式会社住田光学ガラス | 赤外可視波長上方変換材料 |
| JP3469337B2 (ja) | 1994-12-16 | 2003-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JPH08304172A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Advantest Corp | 偏波無依存光検出器 |
| EP1047522B1 (de) | 1997-10-22 | 2006-01-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von werkstücken mit laserstrahlung |
| US5922617A (en) * | 1997-11-12 | 1999-07-13 | Functional Genetics, Inc. | Rapid screening assay methods and devices |
| US6114704A (en) * | 1998-10-13 | 2000-09-05 | Cymer, Inc. | Front-illuminated fluorescent screen for UV imaging |
| US6393042B1 (en) | 1999-03-08 | 2002-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer and laser irradiation apparatus |
| US6531681B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-11 | Ultratech Stepper, Inc. | Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate |
| JP2003031467A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Canon Inc | 投影露光装置、投影露光方法および半導体の製造方法 |
| JP2003042844A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Konica Corp | 紫外線量測定装置及び測定方法 |
| GB0201916D0 (en) | 2002-01-29 | 2002-03-13 | Advanced Laser Solutions Ltd | Method and apparatus for monitoring light beams |
| US6987240B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning |
| US7341880B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-11 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
-
2005
- 2005-10-28 KR KR1020077010712A patent/KR20070065908A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-10-28 WO PCT/US2005/039308 patent/WO2006052512A1/en active Application Filing
- 2005-10-28 JP JP2007539259A patent/JP4777995B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-28 EP EP05824935A patent/EP1805490A1/en not_active Withdrawn
- 2005-10-28 US US11/261,439 patent/US7440088B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-28 CN CNA2005800373171A patent/CN101048647A/zh active Pending
-
2008
- 2008-08-29 US US12/201,251 patent/US20090015830A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4777995B2 (ja) | 2011-09-21 |
| WO2006052512A1 (en) | 2006-05-18 |
| US20060158641A1 (en) | 2006-07-20 |
| JP2008519263A (ja) | 2008-06-05 |
| US20090015830A1 (en) | 2009-01-15 |
| EP1805490A1 (en) | 2007-07-11 |
| KR20070065908A (ko) | 2007-06-25 |
| US7440088B2 (en) | 2008-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101048647A (zh) | 用于测量集中光束的方法和装置 | |
| US7277229B2 (en) | Linear light beam generating optical system | |
| CA3047108A1 (en) | Compact beam shaping and steering assembly | |
| KR102410583B1 (ko) | 레이저광 조사 장치 및 레이저광 조사 방법 | |
| JP2012195064A5 (zh) | ||
| JP2021516794A5 (zh) | ||
| US7804042B2 (en) | Pryometer for laser annealing system compatible with amorphous carbon optical absorber layer | |
| JP2001228449A (ja) | レーザ集光装置及びレーザ加工装置 | |
| WO2011162187A1 (ja) | 画像生成装置 | |
| JP6627159B2 (ja) | 光出力制御装置の製造方法 | |
| CN109196336A (zh) | 利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统 | |
| JP5868335B2 (ja) | 調芯方法 | |
| US8947674B2 (en) | Surface profile measuring apparatus and method | |
| CN1607383A (zh) | 激光仪 | |
| TW202104856A (zh) | 光學計量學之高亮度照明源 | |
| JP2013004231A (ja) | 光源装置の製造方法、光源装置及びプロジェクター | |
| CN111610169A (zh) | 试样测定装置及试样测定方法 | |
| CN111349553A (zh) | 一种基因测序仪光学系统 | |
| JP2020529628A (ja) | ハイパワーファイバ照明源用分光フィルタ | |
| US9256066B2 (en) | Laser beam irradiance control systems | |
| CN109254485B (zh) | 光源装置及投影系统 | |
| WO2015155895A1 (ja) | レーザダイオードの駆動回路及びレーザ装置 | |
| US20230375404A1 (en) | Illumination systems and optical devices for laser beam shaping | |
| US20090255814A1 (en) | Electrophoresis device | |
| JPH02122581A (ja) | レーザ発振装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20071003 |