KR20070055962A - 폴리싱장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 폴리싱장치는 반도체웨이퍼와 같은 워크피스를 폴리싱하는데 사용된다. 상기 폴리싱장치는 폴리싱면을 구비한 폴리싱테이블, 상기 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서, 상기 폴리싱면과 기판간의 상대운동에 의해 상기 기판을 폴리싱하기 위해 상기 폴리싱면에 대해 기판을 유지 및 가압하기 위한 기판홀더를 포함한다. 상기 드레서는 제1드레싱부재 및 제2드레싱부재를 포함한다. 상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형 또는 디스크형을 가진다. 상기 제2드레싱부재는 상기 제1드레싱부재를 둘러싸도록 성형된다. 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 서로 독립적으로 상기 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능한 것을 특징으로 한다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 폴리싱장치의 구조예를 도시한 도면;
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 제1드레싱부재의 구조예를 도시한 도면으로서, 도 2a는 평면도, 도 2b는 도 2a에 도시된 A-A 선을 따라 취한 단면도, 도 2c는 드레싱면의 일부를 도시한 확대단면도;
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 제2드레싱부재의 구조예를 도시한 도면으로서, 도 3a는 제2드레싱부재의 단면도, 도 3b는 드레싱면의 일부를 도시한 확대단면도;
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 드레서를 도시한 도면으로서, 도 4a는 제1드레싱부재가 드레싱을 수행하는 상태를 예시한 단면도, 도 4b는 제2드레싱부재가 드레싱을 수행하는 상태를 예시한 단면도;
도 5는 본 발명에 따른 폴리싱 시에 폴리싱패드의 상부면 상의 제1드레싱부재 및 기판의 배치를 도시한 도면;
도 6은 본 발명에 따른 폴리싱 이후에 폴리싱패드의 상부면 상의 제2드레싱부재 및 기판의 배치를 도시한 도면;
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 드레서의 일 예를 도시한 도면으로서, 도 7a는 원형홀딩부재가 드레싱부재로부터 돌출된 상태를 예시한 단면 도, 도 7b는 원형홀딩부재가 드레싱부재의 리세스부(recessed portion)에 수용된 상태를 예시한 단면도;
도 8은 본 발명에 따른 폴리싱장치의 폴리싱패드를 시동(starting up)할 때, 드레서의 작동 상태를 예시한 단면도;
도 9는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 폴리싱패드의 폴리싱면을 시운전(breaking in)할 때, 드레서의 작동 상태를 예시한 단면도;
도 10은 본 발명에 따른 폴리싱 시에 드레서의 작동 상태를 예시한 단면도; 및
도 11은 본 발명에 따른 폴리싱장치의 폴리싱면을 도시한 평면도이다.
본 발명은 반도체웨이퍼(예컨대, 실리콘웨이퍼)와 같은 워크피스(workpiece)를 폴리싱하기 위한 폴리싱장치에 관한 것으로, 특히 폴리싱테이블의 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서(dresser)를 구비한 폴리싱장치에 관한 것이다.
최근 반도체디바이스의 미세화 및 고집적화가 진행됨에 따라, 회로의 배선(interconnect)간 거리가 점점 짧아지고 있다. 특히, 0.5 ㎛ 이하의 선폭을 갖는 광학 리소그래피에 의해 회로 패턴을 형성하는 경우, 패턴 이미지들이 스테퍼(stepper)에 의해 포커싱될 표면들은 평탄해야 하는데, 그 이유는 초점심도가 작기 때문이다. 따라서, 평탄면을 달성하기 위하여, 상기 표면들을 폴리싱하는데 폴 리싱장치가 폭넓게 사용되어 왔다.
이러한 종류의 폴리싱장치는 그 상부면에 부착된 폴리싱패드를 구비한 폴리싱테이블, 및 폴리싱될 기판을 잡아주기 위한 기판-홀딩기구로서의 역할을 하는 톱링을 포함한다. 상기 폴리싱테이블 및 상기 기판-홀딩기구는 상이한 속도로 독립적으로 회전된다. 상기 기판은 상기 톱링에 의해 유지되어, 폴리싱액이 상기 폴리싱면 상으로 공급되면서 상기 폴리싱테이블 상의 폴리싱패드의 폴리싱면에 대해 가압됨으로써, 상기 기판이 평면경마무리면(a flat and mirror-finished surface)을 가지도록 폴리싱된다. 일본특허공개공보 제2004-249452호에 개시된 바와 같이, 일부 종류의 폴리싱장치들은 균일한 폴리싱을 성취하기 위하여 기판의 표면을 균일압력으로 가압하도록 설계된다. 폴리싱 이후, 상기 기판은 상기 톱링으로부터 해제된 다음, 후속 공정, 예컨대 세정공정으로 이송된다.
기판의 표면을 균일하게 폴리싱하기 위해서는, 상기 폴리싱테이블 상의 폴리싱패드의 폴리싱면 상에서 컨디셔닝(conditioning), 즉 드레싱을 수행하는 것이 필요하다. 드레싱을 수행하기 위한 두 가지 타이밍이 있다: 한 가지는 폴리싱 시에 드레싱하는 것이고, 다른 한 가지는 폴리싱 이후에 드레싱하는 것이다. 폴리싱 시에 드레싱하는 경우에는, 떨어져 나간 다이아몬드 입자들이 폴리싱될 기판의 표면을 스크래치할 수도 있기 때문에 다이아몬드 입자들이 드레서로부터 분리되는 것을 방지하는 것이 중요하다. 폴리싱 이후에 드레싱하는 경우에는, 드레싱 속도가 중요하다. 일반적으로, 다이아몬드 입자들의 분리를 막기 위해서는, 드레서에 전착되어 둥근 에지들을 갖는 작은 다이아몬드 입자들을 구비한 드레서가 사용되고, 저부하 (즉, 적은 가압력)가 적용된다. 그 결과, 드레싱 속도가 저하된다.
폴리싱테이블의 폴리싱면의 이상적인 드레싱은 폴리싱 시에 폴리싱면을 드레싱하여 상기 폴리싱면을 최고의 상태로 유지시키고, 폴리싱면을 문지른(scraped off) 이후에도 상기 폴리싱면의 형상이 변하지 않게 유지시키는 것이다. 예를 들면, 낮은 절단율(cut rate)로 폴리싱면을 드레싱하도록 설계된 드레서는 전자에 적합한 한편, 높은 절단율로 폴리싱면을 드레싱하도록 설계된 드레서는 후자에 적합하다. 이것은 단일 드레서에 의해 상기 효과 양자 모두를 달성하는 것이 어렵다는 것을 의미한다.
또한, 상기 폴리싱패드를 새로운 것으로 교체한 후, 통상적으로 대략 10 분 동안 드레싱이 수행된 다음, 대략 25개의 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 이용하여 더미 폴리싱이 수행된다. 이러한 작업은 실제 사용을 위해 폴리싱패드를 준비 상태에 보다 가깝게 되도록 수행된다. 하지만, 더미 폴리싱은 더미 웨이퍼의 세정이 필요하므로, 그 결과 상기 장치의 가동휴지시간(downtime)이 증가될 것이다.
제거율(폴리싱율)에 관해서는, 상술된 바와 같이 드레싱된 폴리싱면의 상태가 중요하다. 또한, 폴리싱 시에 폴리싱면의 온도도 상기 제거율에 영향을 준다. 온도에 매우 좌우되는 폴리싱공정에서는, 예컨대 온도가 증가함에 따라 제거율이 저하되는 경우, 폴리싱 시에 온도의 증가를 방지함으로써 폴리싱 시의 제거율의 감소를 방지하는 것이 가능하다. 또한, 폴리싱면의 온도의 증가는 폴리싱면을 형성하는 수지 폴리싱패드의 경도(hardness)의 감소를 초래하여, 평탄화 능력(flattening capability)에 악영향을 미치게 된다.
본 발명은 상기 단점들의 관점에서 착안되었다. 그러므로, 본 발명의 목적은 폴리싱 시에 폴리싱테이블의 폴리싱면을 적절한 상태로 유지시킬 수 있고, 상기 폴리싱면을 문지른 후에도 상기 폴리싱면의 형상이 변하지 않게 유지시킬 수 있으며, 상기 폴리싱면의 온도 증가를 억제하면서도 높은 제거율로 기판을 폴리싱할 수 있는 폴리싱장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또다른 목적은 폴리싱패드의 배치 후에 새로운 폴리싱패드를 실제 사용을 위해 준비 상태에 보다 가깝게 두는데 필요한 상기 장치의 가동휴지시간을 단축시킬 수 있는 폴리싱장치를 제공하는 것이다.
상기 단점들을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시형태는 폴리싱면을 구비한 폴리싱테이블; 상기 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서; 상기 폴리싱면과 기판간의 상대운동에 의해 상기 기판을 폴리싱하기 위해, 상기 폴리싱면에 대해 기판을 유지 및 가압하기 위한 기판홀더를 포함하여 이루어진다. 상기 드레서는 제1드레싱부재 및 제2드레싱부재를 포함한다. 상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형 또는 디스크형을 가진다. 상기 제2드레싱부재는 상기 제1드레싱부재를 둘러싸도록 성형된다. 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 서로 독립적으로 상기 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 상이한 타이밍으로 상기 폴리싱면을 독립적으로 드레싱할 수 있다. 상기 제1드레싱부재는 절단율이 낮도록 작은 다이아몬드 입자들이 고착된 드레싱면을 가질 수 있다. 상기 제2드레싱부재는 절단율이 높도록 큰 다이아몬드 입자들이 고착된 드레싱면을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱면을 드레싱하고, 상기 제2드레싱부재는 상기 기판의 폴리싱 이후에 상기 폴리싱면을 드레싱한다. 이러한 작업에 의하면, 상기 기판은 드레싱, 즉 기판-접촉 구역보다 약간 큰 폴리싱면의 드레싱 구역에 의한 컨디셔닝 직후에 폴리싱된다. 이에 따라, 상기 기판은 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다. 또한, 폴리싱 이후, 상기 제2드레싱부재는 상기 폴리싱면 전체를 높은 절단율로 신속하게 드레싱할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 제1 및 제2드레싱부재가 별도로 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 각각 회전축을 가진다. 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재의 회전축은 동심적으로(concentrically) 배치되어 서로 독립적으로 회전가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 수직방향을 따라 배치될 수 있다. 그러므로, 상기 폴리싱면 상의 배치 공간이 작을 수 있고, 상기 드레서는 콤팩트할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 제1드레싱부재에 의한 폴리싱면의 절단율은 상기 제2드레싱부재에 의한 것보다 낮다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 기판은 상기 제1드레싱부재가 상기 폴리싱면을 낮은 절단율로 드레싱한 직후 상기 폴리싱면에 의해 폴리싱될 수 있으므로, 효율적인 폴리싱이 수행될 수 있다. 또한, 폴리싱 이후, 상기 제2드레싱부재는 상기 폴리싱면 전체를 높은 절단율로 신속하게 드레싱할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면을 드레싱하도록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 기판은 드레싱 직후 상기 폴리싱면에 의해 폴리싱될 수 있다. 그 결과, 폴리싱이 높은 제거율로 수행될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 서로 독립적으로 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 가해지는 가압력을 제어하도록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 상이한 절단율로 상기 폴리싱면을 드레싱할 수 있다. 예를 들어, 폴리싱 시, 상기 제1드레싱부재는 작은 가압력으로 상기 폴리싱면을 드레싱할 수 있고, 폴리싱 이후, 상기 제2드레싱부재가 상기 폴리싱면 전체를 큰 가압력으로 신속하게 드레싱할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 제1드레싱부재는 냉각 매체 또는 가열 매체가 순환하는 유로(fluid passage)를 포함한다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 폴리싱면은 상기 매체에 의해 냉각되거나 가열되면서 드레싱될 수 있다. 그 결과, 고도로 평탄한 드레싱이 성취될 수 있고, 상기 기판이 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 폴리싱장치는 상기 유로를 순환하는 상기 냉각 매체 또는 가열 매체의 온도를 조정 및 제어하기 위한 온도제어장치를 더 포함하여 이루어진다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 드레싱된 폴리싱면은 적절한 온도로 유지될 수 있다. 그 결과, 고도로 평탄한 드레싱이 성취될 수 있고, 상기 기판은 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
본 발명의 또다른 실시형태는 폴리싱면을 구비한 폴리싱테이블; 상기 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서; 상기 폴리싱면과 기판간의 상대운동에 의해 상기 기판을 폴리싱하기 위해, 상기 폴리싱면에 대해 기판을 유지 및 가압하기 위한 기판홀더를 포함하여 이루어진다. 상기 드레서는 원형의 더미기판을 잡아주기 위한 원형홀딩부재, 및 상기 원형홀딩부재 주위에 배치된 드레싱부재를 포함한다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 폴리싱면은 더미기판이 폴리싱면에 대해 가압되는 동안 드레싱될 수 있다. 그 결과, 상기 장치의 가동휴지시간이 단축될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 원형홀딩부재 및 상기 드레싱부재는 각각 회전축을 가지고, 상기 회전축은 동심적으로 배치되어 서로 독립적으로 회전가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 원형홀딩부재 및 드레싱부재는 수직방향을 따라 배치될 수 있다. 그러므로, 상기 폴리싱면 상의 배치 공간이 작을 수 있으며, 드레서가 콤팩트하게 될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 원형홀딩부재는 그 내부에 냉각 매체 또는 가열 매체가 순환하는 유로를 포함한다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 더미기판의 열은 흡수되어, 그 온도의 증가 가 억제될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 원형홀딩부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 대해 상기 더미기판을 가압하도록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 폴리싱면은 적절한 온도로 유지될 수 있다. 그 결과, 상기 기판은 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 폴리싱테이블의 폴리싱면은 상기 폴리싱테이블의 상부면에 부착된 폴리싱패드의 표면을 포함하여 이루어진다. 상기 폴리싱장치는, 상기 폴리싱패드가 새로운 폴리싱패드로 교체된 후, 상기 원형홀딩부재에 의해 유지되는 상기 더미기판과 상기 드레싱부재가 상기 새로운 폴리싱패드의 폴리싱면에 대해 가압되어, 상기 새로운 폴리싱패드의 상기 폴리싱면을 시운전하도록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 폴리싱패드의 폴리싱면은 실제 사용을 위해 단시간 내에 준비 상태에 있을 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 더미기판으로서 SiC 웨이퍼가 사용된다.
상술된 본 발명에 따르면, 상기 SiC 웨이퍼는 더미기판으로서 장시간동안 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 원형홀딩부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 대해 상기 더미기판을 가압하도 록 작동가능하다.
상술된 본 발명에 따르면, 기판과 폴리싱면간의 마찰로 인한 열이 흡수될 수 있어, 폴리싱 효율은 개선될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들을 도면들을 참조하여 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명에 따른 폴리싱장치의 구조예를 도시한 도면이다. 도 1에서, 도면번호 10은 폴리싱테이블을 나타낸다. 상기 폴리싱테이블(10)의 상부면에는 폴리싱패드(11)가 부착되어 있다. 상기 폴리싱테이블(10)은 화살표 A로 표시된 방향으로 예시되지 않은 회전기구에 의해 회전된다.
도면번호 12는 기판홀더(톱링)를 나타낸다. 이러한 기판홀더(12)는 폴리싱될 기판(예컨대, 실리콘웨이퍼)(W)을 흡인(attract)하여 잡아주기 위한 원형의 기판-홀딩부재(13)를 포함하여 이루어진다. 상기 기판-홀딩부재(13)는 기판(W)을 흡인하도록 구성된 흡인면을 가지고, 이러한 흡인면은 상기 기판-홀딩부재(13) 내에 형성된 공간챔버(space chamber; 14)와 연통되어 있는 복수의 개구부(13a)를 구비한다. 상기 공간챔버(14)는 밸브(16)를 통해 진공원(15)에 결합되므로, 상기 기판(W)이 밸브(16)를 개방하여 상기 흡인면 상에 유지되고, 상기 밸브(16)를 폐쇄하여 상기 흡인면으로부터 해제되도록 한다.
상기 기판홀더(12)는 유니버설커플링(universal coupling; 18)을 통해 회전축(17)의 하부 에지부에 커플링되므로, 화살표 B로 표시된 방향으로의 상기 회전축(17)의 회전이 상기 기판홀더(12)를 동일한 방향으로 회전되도록 한다. 도면번호 19는 상기 회전축(17)을 회전가능하게 지지하기 위한 헤드부재를 나타낸다. 이 헤드부재(19)는 지지축(20)에 고정되어 있다. 도면번호 21은 상기 헤드부재(19) 상에 장착된 에어실린더를 나타낸다. 이 에어실린더(21)는 피스톤부재(22) 및 회전축(17)을 통해 기판홀더(12)를 승강시키고, 상기 기판(W)이 소정의 가압력(부하)으로 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능하다. 도면번호 23은 베어링을 나타낸다.
도면번호 24는 상기 헤드부재(19) 상에 장착된 구동모터를 나타낸다. 타이밍풀리(25)는 상기 구동모터(24)의 회전축에 커플링된다. 타이밍벨트(27)는 상기 회전축(17)의 원주면에 고정된 타이밍풀리(26) 및 타이밍풀리(25) 상에 얹혀진다. 상기 구동모터(24)를 작동시킴으로써, 상기 기판홀더(12)는 상기 타이밍풀리(25), 타이밍벨트(27), 타이밍풀리(26) 및 회전축(17)을 통해 B 방향으로 회전된다. A 방향으로의 폴리싱테이블(10)의 회전 및 B 방향으로의 기판홀더(12)의 회전은 상기 기판(W)과 상기 폴리싱패드(11)간의 상대운동을 제공하여 상기 기판(W)을 폴리싱하게 된다. 도면번호 28은 상기 기판-홀딩부재(13)로부터 기판(W)이 분리되어 나가는 것을 방지하기 위한 가이드링을 나타낸다.
상기 지지축(20)은 예시되지 않은 회전기구에 의해 소정의 각도로 회전되므로, 상기 헤드부재(19)가 상기 지지축(20)의 회전에 의해 선회되어, 기판(W)이 이송되는 소정의 기판-이송위치와 폴리싱패드(11) 상의 폴리싱 위치 사이에서 상기 기판홀더(12)가 이동하도록 한다. 상기 기판홀더(12)는 상기 기판-이송위치에서 상기 기판(W)을 흡인하여 잡아주고, 상기 헤드부재(19)의 선회운동에 의해 폴리싱 위 치로 이동된다. 그 후, 상기 기판홀더(12)는 아래쪽으로 이동되어, 기판(W)이 소정의 가압력으로 상기 폴리싱패드(11)의 상부면과 접촉되도록 한다. 상기 기판홀더(12) 및 상기 폴리싱테이블(10)은 기판(W)과 폴리싱패드(11)간의 상대운동을 제공하도록 회전되어, 상기 기판(W)을 폴리싱하게 된다. 그런 다음, 상기 기판홀더(12)는 기판-이송위치로 이동되고, 상기 폴리싱된 기판(W)을 해제시킨다. 이러한 단계들이 반복되어, 기판(W)이 폴리싱된다.
도면번호 30은 폴리싱테이블(10) 상의 폴리싱패드(11)의 폴리싱면을 드레싱, 즉 컨디셔닝하기 위한 드레서를 나타낸다. 이 드레서(30)는 제1드레싱부재(31) 및 제2드레싱부재(32)를 포함하여 이루어진다. 상기 제1드레싱부재(31)는 기판(W)의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형 또는 디스크 형상을 가지고, 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면을 드레싱하기 위해 수많은 다이아몬드 입자들이 고착되는, 후술하는 드레싱면으로서의 역할을 하는 하부면을 가진다. 상기 제2드레싱부재(32)는 상기 제1드레싱부재(31)의 직경보다 큰 직경을 갖는 디스크 형상을 가진다. 상기 제2드레싱부재(32)는 그 하부면의 중앙부에 리세스부(32a)를 구비하고, 상기 제1드레싱부재(31)는 상기 리세스부(32a)에 수용된다. 상기 제2드레싱부재(32)의 하부면은 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면을 드레싱하기 위해 수많은 다이아몬드 입자들이 고착되는, 후술하는 드레싱면으로서의 역할을 하는 환형의 벨트-형상면을 제공한다.
상기 제1드레싱부재(31)는 회전축(33)의 하단부에 고정되고, 상기 제2드레싱부재(32)는 회전축(34)의 하단부에 고정된다. 상기 회전축(33)은 상기 회전축(34)을 통해 연장되고, 상기 회전축(33)이 자유롭게 되어 상기 회전축(34)에서 회전하 도록 하는 베어링(35, 36)에 의해 지지된다. 상기 회전축(33)은 헤드부재(37)에 의해 회전가능하게 지지되고, 상기 회전축(34)은 헤드부재(38)에 의해 회전가능하게 지지된다. 도면번호 39는 헤드부재(37) 상에 장착된 에어실린더를 나타낸다. 상기 에어실린더(39)는 피스톤부재(40) 및 회전축(33)을 통해 제1드레싱부재(31)를 승강시키고, 상기 제1드레싱부재(31)가 소정의 가압력(부하)으로 폴리싱패드(11)의 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능하다. 도면번호 41은 베어링을 나타낸다. 도면번호 42는 헤드부재(38) 상에 장착된 에어실린더를 나타낸다. 이 에어실린더(42)는 피스톤부재(43) 및 회전축(34)을 통해 제2드레싱부재(32)를 승강시키고, 상기 제2드레싱부재(32)가 소정의 가압력(부하)으로 폴리싱패드(11)의 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능하다. 도면번호 44는 베어링을 나타낸다.
도면번호 45는 헤드부재(37) 상에 장착된 구동모터를 나타낸다. 상기 구동모터(45)는 타이밍풀리(47)가 고정되는 회전축을 구비한다. 타이밍벨트(49)는 상기 회전축(33)의 원주면에 고정된 타이밍풀리(48) 및 타이밍풀리(47) 상에 얹혀진다. 상기 구동모터(45)를 작동시킴으로써, 상기 제1드레싱부재(31)는 상기 타이밍풀리(47), 타이밍벨트(49), 타이밍풀리(48) 및 회전축(33)을 통해 화살표 C로 표시된 방향으로 회전된다. 도면번호 50은 헤드부재(38) 상에 장착된 구동모터를 나타낸다. 이 구동모터(50)는 타이밍풀리(51)가 고정되는 회전축을 구비한다. 타이밍벨트(53)는 상기 회전축(34)의 원주면에 고정된 타이밍풀리(52) 및 타이밍풀리(51) 상에 얹혀진다. 상기 구동모터(50)를 작동시킴으로써, 상기 제2드레싱부재(32)는 상기 타이밍풀리(51), 타이밍벨트(53), 타이밍풀리(52) 및 회전축(34)을 통해 화살 표 D로 표시된 방향으로 회전된다.
상술된 바와 같이, 상기 제1드레싱부재(31) 및 상기 제2드레싱부재(32)는 각각 회전축(33) 및 회전축(34)을 구비하는데, 이들은 동일한 축을 갖고(동심적으로 배치됨), 화살표 C 및 D로 표시된 방향으로 서로 독립적으로 회전된다. 또한, 상기 제1드레싱부재(31) 및 상기 제2드레싱부재(32)는 각각 에어실린더(39) 및 에어실린더(42)에 의해 서로 독립적으로 승강되므로, 원하는 가압력(부하)으로 폴리싱면에 대해 가압된다. 상기 헤드부재(37) 및 상기 헤드부재(38)는 각각 지지축(54)에 고정되는 에지부들을 구비한다. 이 지지축(54)은 예시되지 않은 구동기구에 의해 소정의 각도로 회전되므로, 상기 헤드부재(37,38)가 상기 지지축(54)의 회전에 의해 선회되어, 상기 제1드레싱부재(31) 및 상기 제2드레싱부재(32)가 상기 폴리싱패드(11) 상의 소정의 대기 위치와 드레싱 위치 사이에서 이동되도록 한다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 제1드레싱부재(31)는 하부면을 갖는 디스크-형상의 바디(31a)를 포함하여 이루어진다. 수많은 다이아몬드 입자(31b)들이 상기 하부면 상에 형성된 고착층(전착층)(31c)을 통해 상기 하부면에 고착되어 드레싱면을 형성하게 된다. 유로(31d)가 상기 디스크-형상의 바디(31a)에 형성되어, 냉각 매체가 상기 유로(31d)를 통해 순환하도록 되어 있다. 상기 회전축(33)은 그 내부에 냉각 매체가 유로(31d) 안으로 도입되는 유체-도입로(33a)를 구비하고, 또한 그 내부에 냉각 매체가 상기 유로(31d)로부터 흘러 나가는 유체-배출로(33b)를 구비한다. 상기 유로-도입로(33a) 안으로 도입된 냉각 매체(100)(도 1 참조)는 상기 디스크-형상의 바디(31a)에서 상기 유로(31d)를 통과하여, 상기 디스 크-형상의 바디(31a)를 냉각시키게 되고, 상기 유체-배출로(33b)를 통해 상기 유로(31d)로부터 흘러 나간다. 상기 바디(31a)를 냉각시키기 위한 냉각 매체 대신에, 상기 바디(31a)를 가열하기 위한 가열 매체가 상기 유로(31d) 안으로 도입될 수도 있다. 도 2a는 제1드레싱부재(31)를 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A 선을 따라 취한 단면도이며, 도 2c는 드레싱면의 일부를 도시한 확대단면도이다.
상기 제2드레싱부재(32)는 상기 제1드레싱부재(31)를 수용하기 위해 그 하부면의 중앙에 리세스부(32a)를 구비한 디스크-형상의 바디(32b)를 포함하여 이루어진다. 수많은 다이아몬드 입자(32c)들은 상기 리세스부(32a) 주위에 형성된 고착층(전착층)(32d)을 통해 상기 하부면에 고착되어, 환형의 벨트 형상의 드레싱면을 형성하게 된다. 상기 회전축(34)에는 스루-홀(through-hole; 34a)이 형성되고, 상기 제1드레싱부재(31)의 회전축(33)은 상기 스루-홀(34a)을 통해 연장된다. 도 3a는 제2드레싱부재(32)를 도시한 단면도이고, 도 3b는 상기 드레싱면의 일부를 도시한 확대단면도이다.
상기 제1드레싱부재(31)의 하부면에 고착된 다이아몬드 입자(31b)들의 직경은 상기 제2드레싱부재(32)의 하부면에 고착된 다이아몬드 입자(32c)들의 직경보다 작다. 또한, 상기 다이아몬드 입자(31b)들은 상기 다이아몬드 입자(32c)보다 더욱 둥근 형상을 가진다. 도 4a에 도시된 바와 같이, C 방향으로 회전하는 제1드레싱부재(31)는 폴리싱테이블(10)에 의하여 A 방향으로 이동되는 폴리싱패드(11)의 상부면에 대해 가압된다. 이와 유사하게, 도 4b에 도시된 바와 같이, D 방향으로 회전하는 제2드레싱부재(32)는 폴리싱테이블(10)에 의하여 A 방향으로 이동되는 폴리싱 패드(11)의 상부면에 대해 가압된다. 상기 다이아몬드 입자(31b)들은 상기 다이아몬드 입자(32c)들보다 더욱 작은 직경과 더욱 둥근 형상을 가지기 때문에, 상기 제1드레싱부재(31)에 의한 상기 폴리싱패드(11)의 절단율이 상기 제2드레싱부재(32)에 의한 것보다 낮게 된다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 드레서(30)를 도시한 도면들이다. 보다 구체적으로는, 도 4a는 상기 제1드레싱부재(31)가 드레싱(컨디셔닝)을 수행하는 상태를 예시한 단면도이고, 도 4b는 상기 제2드레싱부재(32)가 드레싱(컨디셔닝)을 수행하는 상태를 예시한 단면도이다.
상기 폴리싱장치에 있어서, 상기 지지축(54)은 도 1에 도시된 바와 같이, 폴리싱패드(11)의 폴리싱면 상의 대기 위치로부터 드레싱 위치로 상기 제1드레싱부재(31) 및 상기 제2드레싱부재(32)를 이동시키기 위하여 상기 헤드부재(37) 및 상기 헤드부재(38)를 선회시키도록 회전된다. 이 상태에서, 상기 에어실린더(39)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 제1드레싱부재(31)를 아래쪽으로 이동시켜, C 방향으로 회전하는 제1드레싱부재(31)의 하부면을 A 방향으로 회전하는 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에 대해 소정의 가압력으로 가압하도록 함으로써, 상기 폴리싱면을 드레싱하게 된다. 다른 한편으로, 도 4b에서는, 상기 제1드레싱부재(31)가 상기 제2드레싱부재(32)의 리세스부(32a)에 수용되고, 상기 에어실린더(41)는 상기 제2드레싱부재(32)를 아래쪽으로 이동시켜, D 방향으로 회전하는 제2드레싱부재(32)의 하부면을 A 방향으로 회전하는 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에 대해 소정의 가압력으로 가압하도록 함으로써, 상기 폴리싱면을 드레싱하게 된다.
상술된 바와 같이, 폴리싱패드(11)의 폴리싱면의 드레싱을 위한 두 가지 타 이밍이 있다: 하나는 기판(W)의 폴리싱 시에 드레싱하는 것이고, 다른 하나는 폴리싱 이후에 드레싱하는 것이다. 도 4a는 기판(W)의 폴리싱 시의 드레싱을 보여주고, 도 4b는 폴리싱 이후의 드레싱을 보여준다. 제1드레싱부재(31)의 직경은 기판(W)의 직경보다 크기 때문에, 도 4a에 도시된 방식으로 드레싱하는 경우, 제1드레싱부재(31)와 기판(W)간의 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에서의 위치관계는, 도 5에 도시된 바와 같이, 드레싱(컨디셔닝)이 상기 제1드레싱부재(31)에 의해 수행된 드레싱 구역(101) 이내에 기판(W)이 위치되도록 한다. 또한, 제2드레싱부재(32)의 직경은 제1드레싱부재(31)의 직경보다 크기 때문에, 상기 제2드레싱부재(32)는 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 폴리싱 이후 단시간 이내에 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면 전체를 드레싱할 수 있다.
제1드레싱부재(31)의 회전축(33)과 제2드레싱부재(32)의 회전축(34)은 동심적으로 배치되고, 상술된 바와 같이 서로 독립적으로 상하이동 및 회전되기 때문에, 상기 제1드레싱부재(31) 및 상기 제2드레싱부재(32)는 수직방향을 따라 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 드레서(30)는 콤팩트하게 될 수 있다.
도 4a 및 도 5에 도시된 바와 같이 기판(W)을 폴리싱하는 동안 드레싱을 수행하는 경우, 상기 기판(W)은 드레싱 직후에 상기 폴리싱면에 의해 폴리싱된다. 또한, 상기 제1드레싱부재(31)는 디스크-형상의 바디(31a) 내의 유로(31d)를 통과하는 냉각 매체(100)에 의해 냉각되므로, 상기 폴리싱면의 마찰 및 드레싱으로 인한 열이 흡수되게 된다. 그 결과, 상기 폴리싱면은 적절한 온도로 유지될 수 있고, 따라서 상기 기판(W)이 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다. 기판(W)의 폴리싱 시에 상 기 폴리싱면을 드레싱하지만, 상기 제1드레싱부재(31)는 폴리싱 이후에 가해지는 상기 제2드레싱부재(32)보다 작은 폴리싱면에 대한 가압력을 가한다. 그러므로, 열 값이 낮고, 다이아몬드 입자들이 드레싱면으로부터 분리되지 않는다. 도 4b 및 도 6에 도시된 바와 같이 기판(W)의 폴리싱 이후에 드레싱을 수행하는 경우, 상기 제2드레싱부재(32)의 드레싱면은 큰 가압력으로 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에 대해 가압되어, 상기 폴리싱면을 높은 절단율로 드레싱하게 된다. 이에 따라, 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면은 신속하면서도 균일하게 드레싱될 수 있다.
도면에는 도시되지 않았지만, 냉각 매체의 온도를 조정 및 제어하기 위해 온도제어장치가 제공될 수도 있다. 이 경우, 상기 온도제어장치는 상기 제1드레싱부재(31)를 냉각 또는 가열하기 위해 상기 냉각 매체가 상기 유로(31d)를 통과한 이후에 상기 유체-배출로(33b)를 통과하는 냉각 매체의 온도를 조정 및 제어할 수 있다. 온도가 조정된 후, 상기 냉각 매체는 상기 유체-도입로(33a)를 통해 상기 유로(31d)로 되돌아갈 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면이 소정의 온도로 유지될 수 있고, 이에 따라 상기 기판(W)이 일정한 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 폴리싱장치의 드레서(30)의 또다른 예시를 도시한 도면이다. 이 드레서(30)는 원형의 더미기판(DW)을 흡인하여 잡아주기 위한 원형홀딩부재(60) 및 상기 원형홀딩부재(60) 주위에 배치된 드레싱부재(61)를 포함하여 이루어진다. 상기 원형홀딩부재(60)는 더미기판(DW)을 흡인하도록 구성된 흡인면을 갖고, 이 흡인면은 상기 원형홀딩부재(60) 내에 형성된 공간챔버(62)와 연 통되어 있는 복수의 개구부(60a)를 구비한다. 상기 공간챔버(62)는 회전축(33)에 제공되는 밸브(63) 및 진공로(33c)를 통해 진공원(64)에 커플링된다. 상기 원형홀딩부재(60)는 상기 회전축(33)에 고정된다. 상기 진공원(64)을 공간챔버(62)와 연통시키기 위해 밸브(63)를 개방시킴으로써, 상기 더미기판(DW)이 상기 흡인면에 흡인되어 그 위에 유지된다. 상기 더미기판(DW)은 상기 공간챔버(62)를 진공원(64)으로부터 격리시키기 위해 상기 밸브(63)를 폐쇄시켜 상기 흡인면으로부터 해제된다. 도 7a는 상기 원형홀딩부재(60)가 상기 드레싱부재(61)로부터 돌출되는 상태를 예시한 단면도이고, 도 7b는 상기 원형홀딩부재(60)가 상기 드레싱부재(61)의 리세스부(61a) 내에 수용되는 상태를 예시한 단면도이다.
상기 원형홀딩부재(60)의 직경은 상기 기판(W)의 직경보다 크다. 상기 제1드레싱부재(31)에서와 같이, 상기 원형홀딩부재(60)는 그 내부에 냉각 매체를 순환시키기 위한 유로(60b)를 구비한다. 상기 회전축(33)은 그 내부에 냉각 매체가 유로(60b) 안으로 도입되는 유체-도입로(33a)를 구비하고, 추가로 상기 유로(60b)로부터 냉각 매체가 흘러 나가는 유체-배출로(33b)도 구비한다. 상기 유체-도입로(33a) 안으로 도입된 냉각 매체(100)(도 1 참조)는 상기 유로(60b)를 통과하여, 상기 원형홀딩부재(60)를 냉각시키게 되고, 상기 유체-배출로(33b)를 통해 흘러 나간다. 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 제1드레싱부재(31)에서와 같이, 원형홀딩부재(60) 내의 유로(60b)를 통해 순환하는 냉각 매체의 온도를 조정 및 제어하기 위해 온도제어장치가 제공될 수도 있으므로, 상기 원형홀딩부재(60)가 소정의 온도로 유지될 수 있게 된다.
상기 드레싱부재(61)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 제2드레싱부재(32)와 동일한 구조를 가진다. 보다 구체적으로는, 상기 드레싱부재(61)는 상기 원형홀딩부재(60)를 수용하기 위해 그 하부면의 중앙에 리세스부(61)를 구비한다. 상기 드레싱부재(61)는 그 하단부에 환형의 벨트-형상면을 가지고, 수많은 다이아몬드 입자들이 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면을 드레싱하기 위해 상기 환형의 벨트-형상면에 고착된다. 상기 원형홀딩부재(60)의 수직운동 및 회전운동은 상기 제1드레싱부재(31)와 동일한 방식으로 수행되므로 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 드레싱부재(61)의 수직운동 및 회전운동은 상기 제2드레싱부재(32)와 동일한 방식으로 수행되므로 설명은 생략하기로 한다. 상기 제1드레싱부재(31)의 회전축(33) 및 상기 제2드레싱부재(32)의 회전축(34)에서와 같이, 상기 원형홀딩부재(60)의 회전축(33) 및 상기 드레싱부재(61)의 회전축(34)은 동일한 축을 가지며(즉, 동심적으로 배치되며), 서로 독립적으로 상하이동 및 회전된다.
폴리싱테이블(10) 상의 폴리싱패드(11)가 새로운 것으로 교체된 후, 상기 새로운 폴리싱패드의 시동이 수행된다. 구체적으로는, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 드레싱부재(61)는 D 방향으로 회전되고, 그 하부면, 즉 수많은 다이아몬드 입자들이 고착된 드레싱면은 상기 폴리싱테이블(10)의 회전에 의해 A 방향으로 이동하는 새로운 폴리싱패드(11)의 폴리싱면(상부면)에 대해 가압된다. 이와 동시에, 더미반도체기판(예컨대, 실리콘웨이퍼)(DW)은 상기 원형홀딩부재(60)의 흡인면에 흡인되고, 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에 대해 소정의 가압력으로 가압된다. 이러한 작동에 의하면, 폴리싱장치의 가동휴지시간이 단축될 수 있다. 상기 원형홀딩 부재(60)는 상기 유로(60b)를 통과하는 냉각 매체에 의해 냉각된다. 그러므로, 상기 더미반도체기판(DW)의 마찰로 인한 열이 흡수되고, 이에 따라 온도의 증가가 억제된다. 상기 더미반도체기판(DW)으로는, 실리콘웨이퍼보다 높은 내마모성을 갖는 SiC 웨이퍼가 사용될 수도 있다.
상기 폴리싱테이블(10) 상의 폴리싱패드(11)가 시동된 이후, 더미반도체기판(예컨대, 실리콘웨이퍼)(DW)은 도 9에 도시된 바와 같이, 드레서(30)의 원형홀딩부재(60)에 의해 유지되고, C 방향으로 회전된다. 그 후, 상기 더미반도체기판(DW)은 상기 폴리싱테이블(10)의 회전에 의해 A 방향으로 이동하는 폴리싱패드(11)의 폴리싱면(상부면)에 대해 소정의 가압력(부하)으로 가압됨으로써, 시운전(break-in)이 수행된다. 이러한 작업 시, 냉각 매체는 원형홀딩부재(60)의 유로(60b)를 통해 순환한다. 그 결과, 상기 더미반도체기판(DW)의 마찰열이 상기 냉각 매체에 의해 흡수되고, 이에 따라 상기 더미반도체기판(DW)의 온도의 증가가 억제될 수 있다.
또한, 기판홀더(12)(도 1 참조)에 의해 유지되는 기판(W)을 폴리싱하는 동안, C 방향으로 회전하는 원형홀딩부재(60)의 하부면은 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 폴리싱테이블(10)의 회전에 의해 A 방향으로 이동하는 상기 폴리싱패드(11)의 폴리싱면에 대해 가압된다. 이 경우, 비록 도 10에는 도시되어 있지만, 상기 공간챔버(62) 및 상기 더미반도체기판(DW)을 흡인하기 위한 개구부(60d)들이 형성되지 않을 수도 있다. 상기 냉각 매체는 상기 원형홀딩부재(60)를 냉각시키기 위해 상기 유로(60b)를 통해 순환되므로, 상기 원형홀딩부재(60)와 접촉하여 유지되는 폴리싱 패드(11)의 폴리싱면의 열은 상기 냉각 매체에 의해 흡수되게 된다. 보다 구체적으로는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 원형홀딩부재(60)와 접촉하고 있는 구역(102)의 온도 증가가 억제되므로, 폴리싱에 적합한 온도가 유지될 수 있다. 그 결과, 상기 기판(W)이 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
나아가, 기판(W)을 폴리싱하는 동안, 원형홀딩부재(60)에 의해 유지되는 더미반도체기판(DW)은 도 9에 도시된 바와 같이 상기 폴리싱패드(11)의 상부면과 접촉되어 유지되므로, 상기 폴리싱패드(11)의 상부면(폴리싱면)이 상기 더미반도체기판(DW)을 통해 상기 냉각 매체에 의해 냉각되게 된다. 이에 따라, 상기 경우에서와 같이, 기판(W)이 높은 제거율로 폴리싱될 수 있다.
지금까지 본 발명의 바람직한 소정의 실시예들을 상세히 도시 및 기술하였지만, 본 특허의 청구범위 및 본 명세서와 도면들에 기술된 기술적 사상의 범위에서 벗어나지 않으면서도 다양한 변경 및 수정들이 가능하다는 것은 자명하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 폴리싱 장치는 폴리싱 시에 폴리싱테이블의 폴리싱면을 적절한 상태로 유지시킬 수 있고, 상기 폴리싱면을 문지른 후에도 상기 폴리싱면의 형상이 변하지 않게 유지시킬 수 있으며, 상기 폴리싱면의 온도 증가를 억제하면서도 높은 제거율로 기판을 폴리싱할 수 있는 효과가 있다.
또한, 폴리싱패드의 배치 후에 새로운 폴리싱패드를 실제 사용을 위해 준비 상태에 보다 가깝게 두는데 필요한 상기 장치의 가동휴지시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (14)
- 폴리싱장치에 있어서,폴리싱면을 구비한 폴리싱테이블;상기 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서;상기 폴리싱면과 기판간의 상대운동에 의해 상기 기판을 폴리싱하기 위해, 상기 폴리싱면에 대해 기판을 유지 및 가압하기 위한 기판홀더를 포함하여 이루어지고,상기 드레서는 제1드레싱부재 및 제2드레싱부재를 포함하며,상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형 또는 디스크형을 가지고,상기 제2드레싱부재는 상기 제1드레싱부재를 둘러싸도록 성형되며,상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 서로 독립적으로 상기 폴리싱면과 접촉하게 되도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 각각 회전축을 가지고,상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재의 상기 회전축은 동심적으로 배치되어 서로 독립적으로 회전가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1드레싱부재에 의한 상기 폴리싱면의 절단율(cut rate)은 상기 제2드레싱부재에 의한 것보다 낮은 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1드레싱부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면을 드레싱하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1드레싱부재 및 상기 제2드레싱부재는 서로 독립적으로 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 가해지는 가압력을 제어하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1드레싱부재는 냉각 매체 또는 가열 매체가 순환하는 유로(fluid passage)를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제6항에 있어서,상기 유로를 순환하는 상기 냉각 매체 또는 가열 매체의 온도를 조정 및 제어하기 위한 온도제어장치를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱장 치.
- 폴리싱장치에 있어서,폴리싱면을 구비한 폴리싱테이블;상기 폴리싱면을 드레싱하기 위한 드레서;상기 폴리싱면과 기판간의 상대운동에 의해 상기 기판을 폴리싱하기 위해, 상기 폴리싱면에 대해 기판을 유지 및 가압하기 위한 기판홀더를 포함하여 이루어지고,상기 드레서는 원형의 더미기판을 잡아주기 위한 원형홀딩부재, 및 상기 원형홀딩부재 주위에 배치된 드레싱부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제8항에 있어서,상기 원형홀딩부재 및 상기 드레싱부재는 각각 회전축을 가지고,상기 회전축은 동심적으로 배치되어 서로 독립적으로 회전가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제8항에 있어서,상기 원형홀딩부재는 그 내부에 냉각 매체 또는 가열 매체가 순환하는 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제10항에 있어서,상기 원형홀딩부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 대해 상기 더미기판을 가압하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제11항에 있어서,상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면은 상기 폴리싱테이블의 상부면에 부착된 폴리싱패드의 표면을 포함하여 이루어지고,상기 폴리싱장치는, 상기 폴리싱패드가 새로운 폴리싱패드로 교체된 후, 상기 원형홀딩부재에 의해 유지되는 상기 더미기판과 상기 드레싱부재가 상기 새로운 폴리싱패드의 폴리싱면에 대해 가압되어, 상기 새로운 폴리싱패드의 상기 폴리싱면을 시운전(break in)하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제8항에 있어서,상기 더미기판으로서 SiC 웨이퍼가 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.
- 제8항에 있어서,상기 원형홀딩부재는 상기 기판의 폴리싱 시에 상기 폴리싱테이블의 상기 폴리싱면에 대해 상기 더미기판을 가압하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
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