KR20070039887A - 수은 분배 조성물 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

주석, 크롬과 실리콘들 중에서 선택되는 하나 이상의 원소 및, 수은, 티타늄, 그리고 동을 함유하는 조성물에 대해 설명되어 있으며, 이러한 조성물은 특히 발광 램프를 필요로 하는 분야에서 수은을 방출하는데 유용하다. 이러한 조성물의 제조 방법도 설명되어 있다.

Description

수은 분배 조성물 및 그 제조 방법 {MERCURY DISPENSING COMPOSITION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF}
본 발명은 수은 분배 조성물뿐만 아니라 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 조성물은 공기와 저온에서의 안정성 및 고온에서의 수은 방출 특징들 때문에, 발광 램프의 내측에 수은을 분배하는데 특히 적합하다.
공지된 바와 같이, 발광 램프는 작동을 위해 수백 hPa 및 수 mmHg 압력의 귀가스 혼합물을 필요로 한다. 과거에, 수은은 램프 내측에 액체 형태의 수은을 직접 떨어트리거나 램프의 내측으로 개방되어 있는 소형 유리병의 내측으로 유입되었다. 그러나, 수은의 독성으로 인해, 대부분의 최근의 국제 규범은 램프의 기능을 수행할 수 있는 최소량의 수은만을 사용할 것을 강요하고 있으며, 이로 인해 약 1 밀리그램 이하인 소량의 수은을 램프 내에 정확하고 재현성 있게 분배할 수 없기 때문에 액체 투입 방법은 쓸모없게 되었다.
수은을 램프 내측에 도입하는 다른 방법은 금속 아말감을 이용하는 방법이다. 그러나, 이들 재료로부터 수은의 방출은 점진적이며 수은이 아말감화되는 금속에 따라 상당히 낮은 온도, 예를 들어 100 내지 300 ℃에서 항상 방출이 시작된다. 램프의 제작시에는 램프가 아직 밀봉되지 않았을 때에 램프의 작동이 아주 높 은 온도에서 발생하기 때문에, 이는 램프로부터 수은의 손실과 작업 환경으로의 방출을 초래한다. 예를 들어, 램프의 밀봉은 램프의 개방 단부를 약 500 ℃ 하에서 가열하면서 압축함으로써 정상적으로 달성되며, 이러한 작동에 있어서 아말감은 최초에 함유된 무시하지 못할만한 양의 수은이 외부로 방출될 수 있다.
본 출원인은 종래의 문제점들을 극복할 수 있는 다수의 고체 제품을 과거에 제안한 바 있다.
미국 특허 제 3,657,589호에는 약 500 ℃로 가열될 때에는 수은을 방출하지 않지만, 약 800 내지 900 ℃로 가열될 때에는 수은을 방출하는 TixZryHgz 화합물이 설명되어 있으며, 이에 가까운 화합물의 예가 St 505라는 상표명으로 시판되는 Ti3Hg이다. 액체 수은에 비해서, 이러한 화합물은 분말화될 수 있으며, 예를 들어, 공지의 수은 선형 로딩 방식으로 금속 스트립 상에 그러한 분말을 압연하고, 필요로 하는 중량의 수은에 대응하는 소정 길이의 스트립 조각으로 절단함으로써 소량으로 분배할 수 있는 장점을 가진다. 그러나, 활성화 처리가 수은 총 함량의 약 30 내지 40 % 범위로 빈약한 경우에 수은이 그러한 재료로부터 방출되는 것이 발견되었으며, 그러한 이유로 화합물이 산화 가스(가열 밀봉 처리 중에 램프 자체의 유리 벽으로부터 방출되는 공기 또는 가스)들에 노출되는 램프의 최종 제조 공정에 재료의 변경을 초래하는 것으로 생각된다. 따라서, 램프의 작동에 필요한 일정한 양의 수은을 필요로 하는 Ti3Hg는 전술한 엄격한 규정에 대비해서 적어도 두 배 또는 심지어 세 배의 수은량을 필요로 한다.
영국 특허 출원 GB-A-2,056,490호에는 미국 특허 제 3,657,589호에 따른 화합물보다 양호한 수은 방출 특성을 갖는 Ti-Cu-Hg 조성물이 설명되어 있다. 특히, 이들 조성물은 약 500 ℃까지 공기 중에서 안정하지만, 800 내지 900℃까지 가열하는 동안 80% 이상 또는 심지어 90% 이상의 수은을 방출한다. 그러나, 이들 재료의 특성은 밀링 가공을 어렵게 하는 소정의 가소성을 가진다는 점이다. 이들 화합물을 함유하는 장치의 제작 및 수은의 균일한 로딩의 제어(별도의 용기인 경우의 장치에 대해 스트립 또는 와이어 장치의 경우에 선형)에는 화합물의 분말화를 필요로 하기 때문에, 이들 밀링 가공의 어려움은 사실상 이들 화합물의 산업상의 이용을 곤란하게 한다.
미국 특허 제 5,520,560호, 제 5,839, 026호 및 제 5,876,205호에는 St 505 화합물의 분말과 수은 추출 조촉매와의 조합이 설명되어 있으며(소량의 다른 전이 원소가 첨가될 수 있는 동-주석 합금, 동-실리콘 합금, 및 동-주석-희토류 합금), 조촉매의 첨가로 산화 후에도 St 505 화합물로부터 수은 추출률을 80 내지 90%까지 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 과도한 수은 사용의 문제점을 해결할 수 있으며, 이는 단독으로 St 505 화합물이 사용될 수 있게 한다. 그러나, 상이한 분말 혼합물의 사용은 이들 혼합물을 함유하는 장치의 제조 공정에서 몇몇 문제점들 가운데에도 두 개의 재료가 상이한 밀도와 리올로지 특성(rheological property)을 가짐으로써, 로딩 시스템(예를 들어, 호퍼)의 내측에서 서로 분리되어 수은의 분포가 불균일하다는 점이다. 또한, 활성화 처리 중에 이들 분말 혼합물을 함유하는 장치들이 몇몇 경우에 조촉매 분말 입자들의 방출을 유발하며, 그러한 현상이 자주 발 생되지 않고 방출량이 제한되어 있더라도 이러한 현상이 램프의 제조라인에 문제점을 유발한다는 점이다.
본 발명의 목적은 전술한 문제점들을 나타내지 않는 수은 분배 조성물을 제공하는 동시에, 이들 조성물을 위한 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
이들 목적 및 다른 목적들은 주석, 크롬과 실리콘들 중에서 선택되는 하나 이상 및, 수은, 티타늄, 그리고 동을 함유하며, 이들 원소들의 중량%가
티타늄 10 내지 42%,
동 14 내지 50%,
주석, 크롬 및 실리콘 중에서 선택되는 하나 이상의 원소가 1 내지 20%,
수은 20 내지 50%,
인 조성물에 의한 본 발명에 따라서 달성된다.
본 발명은 본 발명의 조성에 따라 제조될 수 있는 수은 분배 장치의 몇몇 가능한 실시예들을 도시하는 도면을 참조하여 이후에 설명된다.
도 1은 금속 스트립으로서 형성되는 본 발명의 수은 분배 장치를 도시하는 도면이며,
도 2는 환형 용기로서 형성되는 본 발명의 수은 분배 장치를 도시하는 도면이며,
도 3은 와이어 형태로 형성되는 본 발명의 수은 분배 장치를 도시하는 도면 이다.
본 발명의 발명자들은 전술한 조성물들이 약 500℃까지에서 실질적으로 0에 가까운 수은 방출율을 가지며 적어도 800℃에서의 활성화 열처리 동안에 80% 이상의 추출율을 나타내며 취성을 가지며 소정의 입자 크기의 분말로 용이하게 생성될 수 있다. 바람직한 조성물은 구성 원소들이 다음과 같은 중량%를 가진다. 즉,
티타늄 14 내지 35%,
동 20 내지 45%,
주석, 크롬 및 실리콘 중에서 선택된 하나 이상의 원소 2 내지 14%, 그리고
수은 30 내지 45%.
본 발명의 조성물은 다상(multi-phase) 시스템이다. X-선 발광 미세분석법에 의해 증명된 바와 같이, 이들 조성물은 여러 개의 다른 화합물을 포함하며 이들은 다수의 상으로 구별되며 이들은 매우 복잡한 화학식을 가진다. 그러나, 티타늄-동-수은 조성물의 경우에는 다음 중량%의 조성을 갖는 화합물일 수 있다. 즉,
티타늄 14.5 ± 0.3%,
동 42.6 ± 0.6%,
주석 2.9 ± 0.1%,
수은 40.5 ± 4%.
본 발명의 조성물은 쉽게 밀링 가공되며 계속해서 소정의 입자 크기를 갖는 분말을 얻을 수 있도록 체가름 되며, 본 발명에의 적용을 위한 바람직한 분말 입자 의 크기는 125 ㎛이하이다. 이들 분말들은 다양한 형상의 수은 분배 장치를 제작하는데 사용될 수 있다. 도 1에 도시된 제 1 실시예에서, 수은 분배 장치(10)는 금속 스트립(11)으로 형성되며, 상기 스트립의 적어도 한 면에는 본 발명의 분말 조성물이 단독으로, 또는 램프 내의 가스 불순물을 흡착하는 게터 재료와 같은 다른 재료와의 혼합물로 적어도 하나의 트랙(12)에 증착되며, 본 기술분야에 공지된, 예를 들어 미국 특허 제 6,107,737호에 설명된 바와 같이 예를 들어 수은 분배 재료의 하나의 트랙과 게터 재료의 다른 하나의 트랙과 같은 여러 개의 상이한 재료의 트랙을 지지하고 있는 스트립으로 제조하는 것도 가능하다. 본 발명의 조성물이 사용될 수 있는 수은 분배 장치의 제 2 실시예는 도 2에 도시되어 있으며, 본 실시예의 수은 분배 장치(20)는 상부(21)가 개방된 환형 용기로서 형성되며, 상기 환형 용기의 내부에는 수은 조성물(22)이 제공되어 있다. 마지막으로, 또 다른 실시예가 도 3에 도시되어 있으며, 본 실시예의 수은 분배 장치(30)는 화이어형 용기(31)로 형성되며, 그 용기 내부에는 수은 조성물의 분말(32)이 수납되어 있으며, 슬릿(33) 형태의 단일 개구를 가지며 그 개구로부터 활성화 처리 중에 수은 증기가 용이하게 배출된다. 500℃ 온도 이하에서의 수은 0 방출 및 활성화 처리 중의 전부 방출과 같은 전술한 장점들 이외에도, 조촉매 재료와의 전술한 조합에 의해 전술한 장치들의 제조에, 제작 단계를 상당히 단순화하는 단일 형태의 분말을 사용하는 장점을 가진다.
본 발명의 또 다른 일면에 있어서, 본 발명은 전술한 수은 분배 장치의 제조 방법을 제공한다.
조성물들은 주석, 크롬 및 실리콘 중의 하나 이상의 원소와, 티타늄, 및 동의 분말을 혼합하는 단계; 적합한 내압 용기 내에 상기 혼합물을 위치시키고 1 내지 10 시간 동안, 일반적으로 약 600 내지 800℃ 온도 범위인 적합한 온도로 상기 내압 용기를 가열하는 단계; 상기 시스템이 실온으로 냉각된 후에 내압 용기로부터 반응된 혼합물을 꺼내고 소정의 입자 크기를 갖는 분말로 형성하도록 결과적인 혼합물을 밀링 가공 및 체가름하는 단계들에 의해 간단히 달성된다.
그러나, 수은 이외의 바람직한 원소들이 예비-합금을 형성하도록 미리 반응되고 이러한 예비-합금의 분말이 수은과 반응된다면, 보다 양호한 결과 및 특히 더욱 균일한 조성물들이 얻어질 수 있다는 점에 주목해야 한다. 따라서, 본 발명의 방법의 바람직한 실시예는 다음과 같은 단계들을 포함한다.
- 주석, 크롬 및 실리콘 중의 하나 이상의 원소와 티타늄과 동의 합금을 준비하는 단계;
- 상기 합금을 분말화하는 단계;
- 약 2 : 1 내지 1 : 1 범위로 변화될 수 있는 상기 합금과 수은 사이의 중량%로 상기 합금 분말과 액체 수은을 혼합하는 단계;
- 이와 같이 얻은 혼합물을 내압 밀봉 용기 내에서 1 내지 10 시간 동안 약 650 내지 750℃ 범위의 온도에서 열처리하는 단계.
이러한 바람직한 방법은 적어도 1분 동안 약 500℃에서 적어도 한번 처리하는 열처리 사이클 중에 펌핑함으로써 과도한 수은을 제거하는 추가의 단계를 선택적으로 포함한다.
상기 방법의 다수의 단계들은 다음에 설명하는 바와 같은 몇몇 변형예를 포함한다.
제 1 단계는 수은을 제외한, 최종 조성물의 구성 성분들을 함유하는 합금을 준비하는 단계로 이루어진다. 이러한 합금은 최종 조성물 내의 원소들의 중량%에 대응하는 중량%로, 주석, 크롬 또는 실리콘 중의 하나의 원소와 티타늄 및 동을 제조된다. 이러한 합금의 제조를 위해 파편 또는 분말 형태의 천연 금속을 사용하는 것도 가능하다. 이들 구성 성분들은 제조 단계의 시작 이후에 모두 함께 혼합되거나, 단지 동과 주석 및/또는 크롬 및/또는 실리콘의 예비-합금을 제조하고, 계속해서 이러한 예비-합금의 분말과 티타늄 분말을 혼합하는 것도 가능하다. 용융은 어떠 형태의 노, 예를 들어 아아크 노에서 실싱될 수 있으나, 유도로의 사용도 바람직한데, 이는 다른 기술들에 의해서는 동일한 결과물을 얻기 위해 다수의 용융 단계를 필요로하지만 단일 단계에 의해 균질한 형태의 바람직한 합금을 얻을 수 있기 때문이다.
상기 합금을 분말로 변형하는 것은 공지된 어떠한 방법, 예를 들어 조우(jaw) 분쇄기에 의해 실시된다. 이러한 방식으로 제조된 분말은 소정의 입자 크기를 선택하도록 체가름되며, 예를 들어 연속적인 단계들을 위해서는 약 45 ㎛ 이하의 입자 크기를 갖는 합금 분말을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 이러한 치수의 분말 입자들이 수은과의 반응이 촉진되기 때문이다.
다음 단계는 이전에 제조된 합금을 수은과 높은 온도에서 반응시킴으로써 본 발명의 조성물을 제조하는 단계로 구성되며, 이때 수은은 소정의 조성물에 대해 과 잉으로 존재한다. 이러한 목적을 위해, 두 개의 성분들이 용기의 내측에서 합금 : 수은이 2 : 1 내지 1 : 1의 중량% 비율로 기계적으로 혼합되며, 그 후 용기는 밀봉되어 내압에 견디도록 구성되는데, 이러한 용기는 소량의 조성물을 제조하기 위한 석영 용기나 대량의 조성물을 제조하기 위한 오토클레이브(autoclave)일 수 있다. 상기 성분들은 1 내지 10시간 동안 약 650 내지 750℃ 범위의 온도에서 반응하며, 바람직한 반응 조건은 약 3 내지 6시간의 시간 및 약 700℃의 온도이다. (자연식 또는 강제식일 수 있는)냉각시, 거의 소결된 압분체가 얻어지나 취성과 용이한 밀링 가공이 가능하며, 다른 공정과 유사하게 이러한 압분체는 "생체(green body)"로서 다음과 같이 형성된다.
생체는 바람직하게, 과도한 수은을 제거하기 위해 초고온의 펌핑 공정으로 보내진다. 이러한 공정은 그와 같은 생체에 대해 실시되거나, 생체를 먼저 밀링가공하고 계속해서 분말로부터 과도한 수은을 제거하는 것도 가능하다. 그러나, 이그러한 생체와 관련된 제 1 방법은 최경량 분말이 진공 펌프의 내측으로 이송되어 후자와 같은 문제점을 일으킬 위험을 방지할 수 있으므로 바람직하다. 수은 제거 작업은 진공 및 가열 가능한 챔버, 예를 들어 상기 조성물을 제조하기 위한 오토클레이브에서 수행될 수 있다. 수은 제거를 위한 열처리는 생체 또는 분말을 적어도 1분동안 500℃로 유지하는 적어도 하나의 단계를 포함한다. 실온으로부터 500℃로의 가열 램프(ramp)는 연속적이며 예를 들어 1시간 동안 유지될 수 있거나, 실온으로부터 300 내지 350℃ 범위의 온도까지로의 제 1 램프 및 500℃까지의 제 2 램프를 포함하는 열 사이클을 채택하는 것도 가능하며, 상기 제 1 램프에서의 상기 온 도는 1 내지 20 시간동안 유지되며 이들 전체 사이클은 펌핑하에서 발생된다. 냉각 후에, 압분체가 밀링 가공되고 유용한 입자 크기를 갖게 되는 마지막 작업이 생체에 대해 수행되면 소정의 조성물이 압분체의 형태로 얻어지거나, 마지막 작업이 분말에 대해 수행되면 분말의 형태로 얻어지는데, 이는 도 1 내지 도 3에 도시된 형태(또는 다른 형태)의 최종 장치에 대해 이러한 작업을 수행하는 것도 가능하다.
본 발명은 다음 예에서 더 상세히 설명된다.
예 1
본 예는 본 발명의 조성물의 준비에 관한 것이다. 24.3 그램의 티타늄 폼(foam), 70.9 그램의 동 분말 및 4.8 그램의 주석 분말이 계량되었다. 이러한 3 개의 금속이 도가니 내에 놓여 진 후에 불활성 분위기 하에서 유도로에서 용융되었다. 생성된 잉곳은 밀링 가공되고 분말이 체가름되어 125 ㎛ 이하의 크기를 갖는 입자를 얻었다. 이러한 7.5 그램의 분말이 7.5 그램의 액체 수은과 기계적으로 혼합되었으며, 그 혼합물은 아르곤 분위기 하에서 석영 용기 내에 밀봉되었다. 석영 용기는 기밀식으로 폐쇄된 밀봉 강철 챔버 내측으로 도입되었다. 이러한 챔버가 노 내측으로 삽입되고 다음과 같은 열 사이클로 700℃까지 가열되었다. 즉, 열 사이클은,
- 3 시간 내에 실온으로부터 500℃로 램프,
- 1 시간 동안 500℃로 유지,
- 1 시간 내에 600℃까지 램프,
- 1 시간 동안 600℃로 유지,
- 1 시간 내에 700℃까지 램프,
- 3 시간 동안 700℃로 유지,
- 약 6 시간 내에 실온으로 자연 냉각하는 것이다.
열처리 중의 상기 용기는 챔버를 개방시킴으로써 압분된 생체를 회수했다. 이러한 생체는 다음과 같은 열 사이클을 적용하는 동안에 펌핑을 통해 실시되는, 과잉 수은의 제거 작업이 수행된다. 즉, 열 사이클은,
- 2 시간 내에 실온으로부터 320℃로 가열,
- 20 시간 동안 320℃로 유지,
- 1 시간 내에 500℃로 가열,
- 5 분 동안 500℃로 유지,
- 약 4 시간 내에 실온으로 자연 냉각하는 것이다.
이렇게 얻어진 생성물은 밀링 가공되며 125 ㎛ 이하의 크기를 갖는 입자들이 얻어지며, 이들 분말의 일부는 발광 X-선 분석에 의해 화학적으로 분석되며, 조성물의 중량%, 즉 티타늄 14.3%, 동 41.7% 및 수은 41.2%를 알아냈다.
예 2 내지 5
본 예들은 본 발명의 다른 조성물의 준비에 관한 것이다.
예 1의 공정이 4 번 반복되었지만, 수은과의 반응을 위한 합금의 준비에 있어서 원소들의 비율을 달리했다. 4 개의 예에 사용된 원소들의 시작 중량은 표 1에 그램 단위로 나타냈다.
예 Ti Cu Sn Cr Si
2 34.6 46.3 19.1 / /
3 48.2 31.9 19.9 / /
4 38.9 51.7 / 9.4 /
5 40.7 54.0 / / 5.3
수은과의 반응 후에, 각각의 예에서 생성된 분말의 일부분이 X-선 발광에 의해 분석되었으며, 그 측정된 조성을 표 2에 나타냈다.
예 Ti Cu Sn Cr Si Hg
2 22.8 30.6 12.6 / / 34.0
3 33.7 22.3 13.9 / / 30.1
4 22.4 29.7 / 5.4 / 42.5
5 27.3 36.2 / / 3.6 33.0
예 6
본 예는 예 1 내지 예 5에서 제조된 조성물로부터 수은 방출률을 입증하기 위해 램프의 밀봉 공정에 대한 시뮬레이션에 관한 것이다.
도 2에 도시된 바와 같은 형태의 5 개의 장치가 예 1 내지 예 5의 제조 공정의 결과로서 생성된 분말 20 mg을 용기 내에 로딩함으로써 제조되었다. 그렇게 제조된 각각의 샘플이 테스트 샘플의 내측으로 도입되었으며, 챔버가 배기되고 전체 테스트 중에 펌핑 하에 유지되며, 샘플은 10 초 내에 500℃로 유도 가열되어 이 온도에서 1 분 동안 유지되었다. 테스트 전후의 중량 차이로부터 500℃에서 샘플로부터의 수은 방출량이 측정되었다. 임의의 5 개의 테스트 샘플에 대해, 방출된 수은량은 중량%로 0.3% 이하(측정 장비의 최하한치)였다.
예 7
본 예는 예 1 내지 예 5에서 제조된 조성물로 준비한 5 개의 샘플에 대해 수행된, 본 발명의 조성물을 포함하는 장치의 활성화 공정에 대한 시뮬레이션에 관한 것이다.
예 6의 일련의 테스트가 반복되었으나, 약 10 내에 800℃로 샘플을 가열하고 그 온도에서 약 20초 동안 유지했다. 중량 차이에 의해, 각각의 테스트에서 증발된 수은의 양이 측정되었다. 이들 5 개의 테스트 결과가 출발 샘플에 존재하는 총량으로부터 증발된 금속의 중량%로 표 3에 제시되어 있다.
예 수은 증발량(중량%)
1 83.0
2 86.6
3 80.1
4 84.0
5 95.0

Claims (17)

  1. 주석, 크롬과 실리콘들 중에서 선택되는 하나 이상의 원소 및, 수은, 티타늄, 그리고 동을 함유하는 조성물로서, 이들 원소들의 중량%가
    티타늄 10 내지 42%,
    동 14 내지 50%,
    주석, 크롬 및 실리콘 중에서 선택되는 하나 이상의 원소가 1 내지 20%,
    수은 20 내지 50%이며,
    상기 조성물은 주석, 크롬 및 실리콘 중에서 선택되는 하나 이상의 원소와 티타늄, 및 동의 분말 예비-합금을 형성하고 이를 수은과 반응시킴으로써 제조되는,
    수은 분배 조성물.
  2. 수은, 티타늄, 동 및 크롬을 함유하는 조성물로서, 이들 원소들의 중량%가
    티타늄 10 내지 42%,
    동 14 내지 50%,
    크롬 1 내지 20%,
    수은 20 내지 50%인,
    수은 분배 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 원소들의 중량%가,
    티타늄 14 내지 35%,
    동 20 내지 45%,
    주석, 크롬 및 실리콘 중에서 선택되는 하나 이상의 원소가 2 내지 14%,
    수은 30 내지 45%인,
    수은 분배 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 원소들의 중량%가,
    티타늄 14.5 ± 0.3%,
    동 42.6 ± 0.6%,
    주석 2.9 ± 0.1%,
    수은 40.5 ± 4%인,
    수은 분배 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 원소들은 분말 형태로 존재하며, 분말 입자의 크기는 125 ㎛ 이하인,
    수은 분배 조성물.
  6. 제 5 항에 따른 분말(12,22)을 함유하는 수은 분배 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치의 적어도 하나의 면에는 금속 스트립(11)이 제공되며 상기 금속 스트립 상에는 상기 분말로 이루어지는 적어도 하나의 트랙이 증착되는,
    수은 분배 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 분말(22)이 내부에 존재하는 상부(21) 개방형 환형 용기 형태인,
    수은 분배 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 분말(32)이 내측에 존재하며 단일의 슬릿형 개구(33)를 가지는 와이어형 용기(31) 형태인,
    수은 분배 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 수은 분배 조성물의 제조 방법으로서,
    소정의 최종 조성물의 중량에 대응하는 중량비로, 주석, 크롬 및 실리콘 중의 하나 이상의 원소와 티타늄과 동의 합금을 준비하는 단계와,
    상기 합금을 분말화하는 단계와,
    상기 합금과 수은 사이의 중량비가 약 2 : 1 내지 1 : 1 범위로 변화될 수 있게 상기 합금 분말과 액체 수은을 혼합하는 단계, 및
    결과적인 혼합물을 내압 밀봉 용기 내에서 1 내지 10 시간 동안 약 650 내지 750℃ 범위의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    적어도 1분 동안 약 500℃에서 적어도 한번 처리하는 열처리 사이클 중에 펌핑함으로써 과도한 수은을 제거하는 단계를 더 포함하는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 합금을 준비하는 단계는 주석, 크롬 및 실리콘으로부터 선택되는 하나 이상의 원소와 동과의 예비-합금을 먼저 제조하는 단계와, 상기 합금을 제조하기 위해 상기 예비-합금과 티타늄을 결합하는 단계에 의해 실시되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 합금을 분말로 변형시키는 단계를 더 포함하며, 상기 변형 단계 이후에 는 상기 분말을 체가름하고 45 ㎛ 이하의 크기를 갖는 입자들을 회수하는 단계가 수행되며, 계속해서 상기 분말들을 수은과 혼합하는 단계가 수행되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 열처리 단계는 3 내지 6 시간 동안 약 700℃에서 수행되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 과도한 수은의 제거 단계는 실온으로부터 300 내지 350℃까지의 가열되고 상기 온도에서 1 내지 20 시간 유지되는 제 1 상승 램프와 상기 온도로부터 500℃까지 가열되는 제 2 상승 램프를 포함하는 열 사이클에 의해 수행되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 과도한 수은의 제거 단계는 상기 열처리 이후의 생성물에 대해 직접적으로 수행되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 과도한 수은의 제거 단계는 상기 열처리 이후의 생성물을 밀링 가공하는 또 다른 단계 이후에 수행되는,
    수은 분배 조성물의 제조 방법.
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