KR100816998B1 - 램프용 게터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 램프용 게터에 관한 것으로서, 특히 케이스에 채워지는 충전물은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더 2~70중량%, Ti파우더 30~98중량%로 구성되되 상기 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더는 전체 100중량%에 대하여 Zr 20~80중량%, V 또는 Si 10~40중량%, Fe 10~40중량%로 구성되고, 상기 충전물에는 Hg(수은)이 더 포함되어 450~1100℃의 온도에서 화학반응함으로써 아말감화된 후 분말화되되, 상기 충전물(20)과 Hg의 중량은 그 비율이 (25~75%):(25~75%)로 구성되어, 케이스에 채워지는 충전물의 비중을 일정하게 하여 수은방출율을 일정하게 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 케이스는 상하단이 관통되고 하단에서 내측으로 상향절곡된 절곡부가 형성되며 내외면을 관통하는 슬릿이 형성되어, 수은을 효과적으로 방출시킬 뿐만 아니라 케이스로부터 누출되는 충전물의 양을 최소화시킬 수 있는 이점이 있다.
게터, TFT-LCD, CCFL, FFL, 수은

Description

램프용 게터{Getter}
본 발명은 램프용 게터에 관한 것으로서, 특히 일정하게 수은을 방출할 수 있을 뿐만 아니라 수은을 방출하는 충전물의 유출을 방지할 수 있는 램프용 게터에 관한 것이다.
일반적으로, 게터(Getter)는 활성이 높은 금속으로 제조되어, 한 번의 고주파 가열로 1차 진공처리된 램프(Lamp)의 내부에 존재하는 잔류기체와 공기분자를 흡수함으로써 램프 내부가 고진공 상태를 유지하도록 하는 기능을 수행한다.
근래에는 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)의 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)과 FFL(Flat Fluorescent Lamp)에 전용으로 사용될 수 있도록 게터의 구성성분으로 램프가 빛을 내도록 하기 위해서 필요한 수은을 포함시킨 것들도 제작되어 사용되고 있다.
이러한 게터는 보통 케이스와 상기 케이스에 채워지고 수은을 포함하는 충전물로 이루어진다.
그러나, 종래의 게터 케이스는 그 형상이 단순히 상하단이 관통된 원통형상이거나, 상단은 개구되고 하단은 밀폐된 컵 형상으로 이루어져 상기 충전물에서 방출되는 수은의 방출율이 높지 않은 문제점이 있다.
또한, 케이스에 채워지는 충전물의 비중이 일정하지 않아서 수은방출율이 일정하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 충전물이 채워지는 케이스의 형상을 개선하여 상기 충전물이 케이스로부터 유출되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 충전물로부터 방출되는 수은의 방출율을 상승시킬 수 있는 램프용 게터를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 케이스에 채워지는 충전물의 구성을 개선하여 케이스의 어느 위치에서건 충전물의 비중을 일정하게 함으로써 수은방출율을 일정하게 할 수 있는 램프용 게터를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 램프용 게터는 케이스와 상기 케이스의 내부에 채워지는 충전물로 구성되는 것으로서, 상기 충전물은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더 2~70중량%, Ti파우더 30~98중 량%로 구성되되, 상기 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더는 전체 100중량%에 대하여 Zr 20~80중량%, V 또는 Si 10~40중량%, Fe 10~40중량%로 구성된다.
또한, 상기 충전물에는 Hg(수은)이 더 포함되어 450~1100℃의 온도에서 화학반응함으로써 아말감화된 후 분말화되되, 상기 충전물(20)과 Hg의 중량은 그 비율이 (25~75%):(25~75%)로 구성된다.
또한, 상기 케이스는 상하단이 관통되고 하단에서 내측으로 상향절곡된 절곡부가 형성되며 내외면을 관통하는 슬릿이 형성된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 램프용 게터는 충전물을 합금파우더 또는 금속화합물 파우더를 사용하여 제조하므로, 케이스의 어느 위치에서건 충전물의 비중이 일정하여 게터의 수은방출율을 일정하게 할 수 있는 이점이 있다.
또한, 케이스의 하단부에 절곡부가 형성되어 케이스로부터 누출되는 충전물의 양을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
또한, 케이스에 슬릿이 형성되어 충전물로부터 방출되는 수은의 방출율을 상승시킬 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명에 의한 램프용 게터의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 의한 램프용 게터의 케이스 모습을 보인 사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 램프용 게터의 케이스의 상부펀치와 하부펀치가 설치된 모습을 보인 단면도이다.
본 발명에 의한 램프용 게터(Getter)는 케이스(10)와, 상기 케이스(10)의 내부에 채워지는 충전물(20)로 구성되어 제작된다.
상기 케이스(10)는 여러 가지 형태로 구성하는 것이 가능하나, 본 발명에 의한 케이스(10)는 네 가지 형태로 구성하였다.
먼저, 케이스(10)의 첫 번째 형태는 그 전체적인 형상을 상하단이 관통된 원통형상으로 구성하고, 이렇게 형성된 원통형상의 하단에 절곡부(10a)를 형성시킨 것이다.
상기 절곡부(10a)는 케이스(10)의 하단에서 내측으로 상향 절곡되어 형성된다.
상기와 같이 케이스(10)의 하단에 절곡부(10a)를 형성시키면 케이스(10)에 충전물(20)을 충전하는 과정에서 케이스(10)의 하단을 통하여 유실되는 충전물(20)을 최소화할 수 있다. 좀 더 상술하면, 케이스(10)에 충전물을 채우기 위해서는 케이스(10)의 하측에 하부펀치(30)를 배치하고 충전물(20)을 케이스(10)의 내부 공간에 채운 다음, 상부펀치(40)로 충전물(20)을 가압하는 과정을 거치게 된다. 이렇게 상부펀치(40)로 가압을 하면 내부의 충전물(20)은 필연적으로 중력과 상부펀치(40)의 가압력에 의하여 하측 방향으로 힘을 받게 된다. 이러한 상황에서 하부펀치(30)와 케이스(10) 간에 이격된 틈이 발생되면 그 이격된 틈을 통하여 충전물(20)이 유 실되게 된다. 케이스(10)의 하단과 하부펀치(30)간에 이격된 틈을 발생시키지 않으면 유실되는 충전물을 방지할 수 있으나, 이것은 기술적으로 매우 어려운 일이므로 본 발명과 같이 케이스(10)의 하단에 절곡부(10a)를 형성시키면 하부펀치(30)에 의하여 케이스(10)의 하단부가 거의 완전하게 폐쇄되어 하부펀치(30)와 케이스(10)의 하단부 사이에 이격된 틈이 발생되지 않으므로 상부펀치(40)에 의하여 충전물(20)이 가압을 받더라도 유실되는 충전물을 최소화할 수 있다. 그리고, 상기와 같이 케이스(10)의 하단부에 절곡부(10a)를 형성시키면 상기 절곡부(10a)가 케이스(10)를 하부펀치(30)의 상단부에 정확하게 안착되도록 하는 가이드 역할을 할 수 있는 효과도 얻을 수 있다.
케이스(10)의 두 번째 형태는 상기와 같이 하단이 절곡된 케이스(10)에 내외면을 관통하되 케이스(10)의 상하단 간격보다 짧은 슬릿(10b)을 상기 케이스(10)의 상단과 하단 사이에 상하방향으로 길게 형성시킨 것이다.
상기와 같이 케이스(10)에 슬릿(10b)을 형성시키면 후술할 충전물(20)에 포함된 수은의 방출량을 최대화할 수 있는 효과가 있다. 충전물(20)에 수은이 포함된 게터는 다양한 용도로 사용되나, 특히 최근에는 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)의 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)과 FFL(Flat Fluorescent Lamp)에 많이 사용되고 있다.
상기와 같은 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)의 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)과 FFL(Flat Fluorescent Lamp)에 사용되는 게터는 크게 두 가지 역할을 수행한다. 하나는 고주파 가열로 1차 진공처리된 램프(Lamp)의 내부에 존재하는 잔류기체와 공기분자를 흡수함으로써 램프 내부가 고진공 상태를 유지하도록 하는 것이고, 둘은 램프가 빛을 발산하는데 반드시 필요한 정량의 수은을 방출하는 것이다. 이렇게 램프의 빛 발산을 위해서는 수은의 방출이 필요한데, 종래에는 케이스의 형태가 단순히 컵 형태 또는 상하단이 관통된 관 형태로 구성되어 수은의 방출율이 매우 낮았다. 이렇게 수은의 방출율이 낮으면 게터를 완전히 사용하고 폐기한 후에도 게터 내부에는 수은이 잔류되어 심각한 환경오염을 일으킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 수은의 방출율을 높여야 하는데, 이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 케이스(10)에 슬릿(10b)을 형성시킨 것이다.
케이스(10)의 세 번째 형태는 상하단이 관통된 원통형상으로 구성하되, 케이스(10)의 내외면을 관통하는 슬릿(10b)을 형성시키는 것이다. 이때, 상기 슬릿(10b)은 케이스(10)의 상하단 간격보다 짧게 형성되고, 그 위치는 상기 케이스(10)의 상단과 하단사이에 상하방향으로 형성된다. 세 번째 형태의 케이스(10)에 슬릿(10b)을 형성시킨 이유는 상기한 것과 같은 이유이므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.
케이스(10)의 네 번째 형태는 상단은 개구되고 하단은 밀폐된 컵 형상으로 구성하되, 케이스(10)의 내외면을 관통하는 슬릿(10b)을 케이스(10)의 상단과 하단 사이에 상하방향으로 형성시킨 것이다. 상기 슬릿(10b)이 케이스(10)의 상단과 하단 사이에 위치하므로 슬릿(10b)의 길이가 케이스(10)의 상하단 간격보다 짧은 것은 당연하다. 물론, 종래에도 케이스(10)에 슬릿(10b)을 형성시킨 발명들이 존재한다. 그러나, 종래에 케이스(10)에 형성된 슬릿(10b)은 슬릿(10b)이 컵 형태의 케이스에 형성되고, 슬릿의 상단이 케이스의 상단으로 계속 연장되어 슬릿의 상단이 개구된 형태를 띠고 있다. 이렇게 종래와 같이 슬릿이 형성되면 수은의 방출율은 본 발명이 의도하는 바와 같이 높을 수 있으나, 충전물을 케이스에 채우는 과정에서 반드시 행해지는 상부펀치의 가압력에 의하여 케이스의 슬릿이 옆으로 벌어지는 결과를 초래하게 되고, 이 벌어진 슬릿을 통하여 충전물이 유출된다. 따라서 본 발명에 의한 것처럼 슬릿(10b)을 케이스(10)의 상하단 사이에 형성시키면 슬릿(10b)을 통한 수은의 방출율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 상부펀치(40)의 가압력에 의하여 슬릿(10b)이 옆으로 벌어지는 것도 예방할 수 있다.
한편, 상기와 같은 본 발명에 의한 네 가지 형태의 케이스(10)는 Fe, Fe에 Ni도금, 스테인레스, 스테인레스에 Ni도금, Ni, Cu, Cu에 Ni도금, Ti, Mo, Fe과 Ni의 Clad, 42Ni와 Fe의 합금, 50Ni와 Fe의 합금, 42Ni와 Fe의 합금, 32Ni와 5Co와 Fe의 합금, 42Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 47Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 29Ni와 16Co와 Fe의 합금, 29Ni와 17Co와 Fe의 합금, 18Cr과 Fe의 합금, 25Cr과 Fe의 합금, Fe와 Si의 합금, Fe와 Si의 합금에 Ni도금 중에서 어느 하나를 선택하여 그 재질로 구성한다.
그리고, 본 발명에 의한 케이스(10)는 상기와 같은 네 가지 형태만으로 구성 되는 것은 아니고 상하단이 관통된 원통형상으로 구성하는 것도 가능하나, 이때는 그 재질을 42Ni와 Fe의 합금, 50Ni와 Fe의 합금, 42Ni와 Fe의 합금, 32Ni와 5Co와 Fe의 합금, 42Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 47Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 29Ni와 16Co와 Fe의 합금, 29Ni와 17Co와 Fe의 합금, 18Cr과 Fe의 합금, 25Cr과 Fe의 합금, Fe와 Si의 합금, Fe와 Si의 합금에 Ni도금 중에서 어느 하나를 선택하여 구성한다.
상기한 것처럼 케이스(10)의 재질을 구성함에 있어서 주로 합금을 사용하는 이유는 케이스(10)에 발생되는 녹을 방지하기 위해서이다. 종래에는 위에서 언급한 컵 형태나 관 형태의 케이스를 구성함에 있어서 그 재질을 Fe에 Ni 도금한 것을 사용하였다. 이렇게 Fe에 Ni을 도금하다 보니 산화작용에 의하여 철에 녹이 발생되어 녹을 제거하기 위한 별도의 공정이 필요하였고, 또한 Ni을 도금하는 과정에서 불순물이 투입되어 이러한 불순물을 제거하기 위한 별도의 공정도 필요하였다. 따라서, 게터를 제조하기 위한 공정이 많아지고 품질에도 문제가 발생하여 본 발명에서는 케이스(10)의 재질로 주로 합금을 사용한 것이다.
한편, 상기와 같은 재질과 형태로 구성되는 본 발명에 의한 케이스(10)에 충전물(20)을 채우기 위하여 사용되는 상부펀치(40)와 하부펀치(30)의 형태를 일부 변경하면 케이스(10)에 채워지는 충전물(20)의 밀도를 일정하게 할 수 있다.
즉, 저면 테두리에 압입돌기(40a)가 형성된 상부펀치(40)를 가압하면 케이스(10)의 내경 중심부를 향하여 압력이 작용하게 되어 케이스(10)의 내주면과 상부펀치(40)의 외주면 사이의 공간에 위치되는 충전물(20)의 밀도가 상승되면서 전체 적으로 케이스(10)의 내부에 채워진 충전물(20)의 밀도가 일정하게 된다. 종래에는 압입돌기가 형성되지 않은 상부펀치를 사용하여 펀치의 외경과 케이스의 내경 차이로 인하여 발생되었던 틈 사이에 위치하는 충전물에는 상부펀치의 가압력이 전달되지 않아서 그 부분에 있는 충전물은 게터 사용 중에 쉽게 유출되는 문제점이 있었다.
그리고, 하부펀치(30)의 상면 테두리에도 압입돌기(30a)를 형성시키면 압입돌기(40a)가 형성된 상부펀치(40)와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상기 충전물(20)은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더 2~70중량%, Ti파우더 30~98중량%로 구성된다.
상기 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더는 전체 100중량%에 대하여 Zr 20~80중량%, V 또는 Si 10~40중량%, Fe 10~40중량%로 구성된다.
좀 더 상술하면, 전체 100중량%에 대하여 Zr분말 20~80중량%, V분말 또는 Si분말 10~40중량%, Fe분말 10~40중량%를 혼합한 후 전자빔을 이용하여 합금 또는 금속화합물을 만들고, 이렇게 만들어진 합금 또는 금속화합물에 Ti파우더를 혼합하여 충전물을 만든다.
상기와 같이 합금 파우더(또는 금속화합물 파우더)와 Ti파우더로 구성된 충전물(20)에는 Hg(수은)을 더 포함시키고, 450~1100℃의 온도에서 화학반응을 시켜 아말감을 만든 후에 이것을 분쇄하여 분말로 만든다. 이때 상기 충전물(20)과 Hg의 중량은 그 비율을 (25~75%):(25~75%)로 구성한다.
삭제
그리고, 상기 충전물(20)은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 25~75중량%와 Hg 25~75중량%를 화학 반응시켜 아말감화합물로 만든 후 이것을 분쇄하여 아말감화합물 파우더로 구성시키되, 상기 합금 파우더는 Fe과 Si의 합금, Fe과 Al의 합금, Fe과 Mn의 합금, Zr과 Si의 합금, Zr과 Al의 합금, Zr과 Ni의 합금, Zr과 Nb의 합금, Zr과 Cu의 합금, Ti과 Al의 합금, Ti과 Mn의 합금, Ti과 Zr의 합금, Fe과 Al과 Si의 합금, Zr과 Si와 Fe의 합금, Ti과 6Al과 4V의 합금 중에서 하나 이상 선택된 것으로 구성할 수도 있다.
상기한 것처럼 충전물을 제조함에 있어서, 화합물의 파우더를 이용하면 케이스 내부의 어느 위치에 채워진 충전물이라 하더라도 그 비중이 일정하여 게터의 수은방출율이 일정해지는 효과가 있다.
여기서, 상기 충전물(20)은 그 입자의 크기를 100 ~ 400mesh가 되도록 구성하는 것이 바람직하다. 왜냐하면 충전물의 입자크기가 제각각이어서 그로 인한 무게편차가 발생되면 게터의 수은방출율이 일정하지 않는 문제점이 발생되기 때문이다.
도 3은 본 발명에 의한 램프용 게터의 수은방출율을 보인 그래프이다. 도 3에 도시된 바와 같이 Zr과 V 및 Fe의 합금파우더에 Ti파우더를 혼합한 충전물(20)에 Hg을 더 포함시켜 화학반응시킨 후 아말감 화합물을 만든 다음 분말로 만들어 이것((Zr-V-Fe+Ti)-Hg)을 케이스(10)에 충전하면, 단순히 Zr과 V과 Fe 및 Ti을 혼합한 분말에 Hg을 반응시킨 것((Zr+V+Fe+Ti)-Hg)보다 수은방출율(Mercury Yield)이 높은 것을 알 수 있다. 이렇게 수은방출율이 낮으면 그만큼 게터가 커야하므로 원가부담이 상승하고, 또한 수은의 잔량이 게터에 남아 있어 환경오염을 일으키게 된다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 의한 램프용 게터의 케이스 모습을 보인 사시도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 램프용 게터의 케이스의 상부펀치와 하부펀치가 설치된 모습을 보인 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 램프용 게터의 수은방출율을 보인 그래프.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10: 케이스 10a: 절곡부
10b: 슬릿 20: 충전물
30: 하부펀치 40: 상부펀치

Claims (11)

  1. 케이스(10)와, 상기 케이스(10)의 내부에 채워지는 충전물(20)로 구성되는 램프용 게터에 있어서,
    상기 충전물(20)은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더 2~70중량%, Ti파우더 30~98중량%로 구성되고, 상기 합금 파우더 또는 금속화합물 파우더는 전체 100중량%에 대하여 Zr 20~80중량%, V 또는 Si 10~40중량%, Fe 10~40중량%로 구성되되,
    상기 충전물(20)에는 Hg(수은)이 더 포함되어 450~1100℃의 온도에서 화학반응함으로써 아말감화된 후 분말화되고, 상기 충전물(20)과 Hg의 중량은 그 비율이 (25~75%):(25~75%)로 구성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 케이스(10)와, 상기 케이스(10)의 내부에 채워지는 충전물(20)로 구성되는 램프용 게터에 있어서,
    상기 충전물(20)은 전체 100중량%에 대하여 합금 파우더 25~75중량%와 Hg 25~75중량%를 화학 반응시킨 아말감화합물 파우더로 구성하되,
    상기 합금 파우더는 Fe과 Si의 합금, Fe과 Al의 합금, Fe과 Mn의 합금, Zr과 Si의 합금, Zr과 Al의 합금, Zr과 Ni의 합금, Zr과 Nb의 합금, Zr과 Cu의 합금, Ti과 Al의 합금, Ti과 Zr의 합금, Fe과 Al과 Si의 합금, Zr과 Si와 Fe의 합금, Ti과 6Al과 4V의 합금 중에서 하나 이상 선택된 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 케이스(10)는 상하단이 관통된 원통형상으로 형성되되, 하단에서 내측으로 상향 절곡된 절곡부(10a)가 형성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 케이스(10)에는 내외면을 관통하되 케이스(10)의 상하단 간격보다 짧은 슬릿(10b)이 케이스(10)의 상단과 하단사이에 상하방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 케이스(10)는 상하단이 관통된 원통형상으로 형성되되, 케이스(10)의 내외면을 관통하는 슬릿(10b)이 케이스(10)의 상단과 하단사이에 상하방향으로 형 성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 케이스(10)는 상단은 개구되고 하단은 밀폐된 컵 형상으로 형성되되, 케이스(10)의 내외면을 관통하는 슬릿(10b)이 케이스(10)의 상단과 하단사이에 상하방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  10. 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 케이스(10)는 그 재질이 Fe, Fe에 Ni도금, 스테인레스, 스테인레스에 Ni도금, Ni, Cu, Cu에 Ni도금, Ti, Mo, Fe과 Ni의 Clad, 42Ni와 Fe의 합금, 50Ni와 Fe의 합금, 42Ni와 Fe의 합금, 32Ni와 5Co와 Fe의 합금, 42Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 47Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 29Ni와 16Co와 Fe의 합금, 29Ni와 17Co와 Fe의 합금, 18Cr과 Fe의 합금, 25Cr과 Fe의 합금, Fe와 Si의 합금, Fe와 Si의 합금에 Ni도금 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 케이스(10)는 상하단이 관통된 원통형상으로 형성되되, 그 재질이 42Ni 와 Fe의 합금, 50Ni와 Fe의 합금, 42Ni와 Fe의 합금, 32Ni와 5Co와 Fe의 합금, 42Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 47Ni와 6Cr과 Fe의 합금, 29Ni와 16Co와 Fe의 합금, 29Ni와 17Co와 Fe의 합금, 18Cr과 Fe의 합금, 25Cr과 Fe의 합금, Fe와 Si의 합금, Fe와 Si의 합금에 Ni도금 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 램프용 게터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20040048436A (ko) * 2002-12-03 2004-06-10 하호 램프용 게터
KR20070039887A (ko) * 2004-07-23 2007-04-13 사에스 게터스 에스.페.아. 수은 분배 조성물 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040048436A (ko) * 2002-12-03 2004-06-10 하호 램프용 게터
KR20070039887A (ko) * 2004-07-23 2007-04-13 사에스 게터스 에스.페.아. 수은 분배 조성물 및 그 제조 방법

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