KR20070036996A - 평판 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단자를 구비한 패드부의 부식 및 손상을 방지할 수 있는 평판 표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
이를 위하여, 본 발명은, 화상을 구현하는 표시부와, 상기 표시부와 외부 전자장치를 전기적으로 연결하는 것으로, 복수개의 단자를 갖는 패드부와, 상기 단자의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.

Description

평판 표시 장치{Flat display device}
도 1은 본 발명의 평판 표시장치의 일 실시예인 유기 발광 표시장치의 일 단위 픽셀의 픽셀 회로를 개략적으로 도시한 회로도,
도 2는 도 1에 대한 보다 구체적인 예를 도시한 회로도,
도 3은 도 2의 회로의 일부와, 패드부를 도시한 단면도,
도 4는 클래드부를 구비한 단자에 COG가 접합되는 상태를 도시한 단면도.
종래기술1: 일본공개특허공보 특개2000-243834호
종래기술2: 일본공개특허공보 특개2004-158826호
본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패드부의 단자가 공정이 진행되는 도중에 부식 또는 식각되는 것을 방지하고, 단자와 외부 전자장치와의 콘택이 균일하게 이뤄지도록 할 수 있는 평판 표시 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 또는 무기 전계 발광 디스플레이 소자 등 평판디스플레이 장치는 배선 저항을 줄이기 위해 알루미늄 계열의 금속을 사용한다.
그런데, 이러한 알루미늄 계열의 금속 도전체는 공정 중에서 식각액 등에 의해 쉽게 손상을 받을 수 있다.
이러한 알루미늄 계열 금속 도전체의 손상을 방지하기 위해, 상기 종래기술1에는 티타늄, 알루미늄, 질화티타늄의 삼층 구조의 배선이 개시되어 있다.
그런데, 이 종래기술1에 의하면, 공정이 진행되는 과정에서 중층인 알루미늄층이 식각액 등의 침투로 부식되는 문제가 여전히 발생하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 종래기술2에 따르면, 위 삼층 구조에서 알루미늄층의 보호 수준을 더욱 높이기 위해 배선의 측면에 반사막을 더 형성한 후, 이를 다시 투명도전막으로 감싼 구조를 제안하고 있다.
그런데, 이러한 종래기술2의 경우에도, 배선의 측면을 감싼 반사막이 알루미늄 계통이기 때문에, 배선을 보호하는 데에는 한계가 있고, 반사막의 패턴 이후, 투명도전막의 패터닝 공정에서 동일하게 식각액에 의한 부식 문제가 여전히 발생할 수 있다.
이러한 배선 측면 식각 문제는 배선이 밀봉부 외부로 노출된 단자일 경우 더욱 심하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 단자를 구비한 패드부의 부식 및 손상을 방지할 수 있는 평판 표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 화상을 구현하는 표시부와, 상기 표시부와 외부 전자장치를 전기적으로 연결하는 것으로, 복수개의 단자를 갖는 패드부와, 상기 단자의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 절연막과, 상기 절연막 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극과, 상기 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극과 외부 전자장치를 연결하는 단자와, 상기 단자의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다 .
도 1은 본 발명의 평판 표시장치의 일 실시예인 유기 발광 표시장치의 일 단위 픽셀의 픽셀 회로(PC)를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1에서 볼 수 있듯이, 각 픽셀에는 데이터 라인(Data), 스캔 라인(Scan)이 유기 발광 소자(OLED: Organic Light Emitting Diode)의 일 구동전원이 되는 Vdd 전원라인(Vdd)이 구비된다.
각 픽셀의 픽셀 회로(PC)는 이들 데이터 라인(Data), 스캔 라인(Scan), 및 Vdd 전원라인(Vdd)에 전기적으로 연결되어 있으며, 유기 발광 소자(OLED)의 발광을 제어하게 된다.
도 2는 위 도 1에 대한 보다 구체적인 예를 도시한 것으로, 각 픽셀의 픽셀회로(PC)가 2개의 박막 트랜지스터(M1)(M2)와 하나의 커패시터 유닛(Cst)을 포함한 것이다.
도 2를 참조하여 볼 때, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광표시장치의 각 픽셀은 스위칭 TFT(M2)와, 구동 TFT(M1)의 적어도 2개의 박막 트랜지스터와, 커패시터 유닛(Cst) 및 유기 전계 발광 소자(OLED)를 구비한다.
상기 스위칭 TFT(M2)는 스캔 라인(Scan)에 인가되는 스캔 신호에 의해 ON/OFF되어 데이터 라인(Data)에 인가되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 TFT(M1)에 전달한다. 스위칭 소자로는 반드시 도 4와 같이 스위칭 TFT(M2)만에 한정되는 것은 아니며, 복수개의 박막 트랜지스터와 커패시터를 구비한 스위칭 회로가 구비될 수도 있고, 구동 TFT(M1)의 Vth값을 보상해주는 회로나, 구동전원(Vdd)의 전압강하를 보상해주는 회로가 더 구비될 수도 있다.
상기 구동 TFT(M1)는 스위칭 TFT(M2)를 통해 전달되는 데이터 신호에 따라, 유기 발광 소자(OLED)로 유입되는 전류량을 결정한다.
상기 커패시터 유닛(Cst)은 스위칭 TFT(M2)를 통해 전달되는 데이터 신호를 한 프레임동안 저장한다.
도 2에 따른 회로도에서 구동 TFT(M1) 및 스위칭 TFT(M2)는 PMOS TFT로 도시되어 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 구동 TFT(M1) 및 스위칭 TFT(M2) 중 적어도 하나를 NMOS TFT로 형성할 수도 있음은 물론이다. 그리 고, 상기와 같은 박막 트랜지스터 및 커패시터의 개수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 이보다 더 많은 수의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 구비할 수 있음은 물론이다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기와 같은 픽셀 회로는 도 3과 같은 단면 구조를 가질 수 있다. 도 3은 도 2의 회로의 일부와, 패드부를 도시한 단면도이다. 도 3에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 평판 표시장치는 화상을 구현하는 표시부(D)와 이 표시부(D)에 전기적으로 연결되어 있는 패드부(P)를 구비한다. 전술한 픽셀회로는 표시부(D)에 구비된다.
먼저, 표시부(D)는 도 3에서 볼 수 있듯이, 기판(31)상에 구비된 TFT(40) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
기판(31)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, SUS, 텅스텐 등과 같은 금속 호일도 사용 가능하고, 글라스재도 사용 가능하다.
이 기판(31)의 상면에는 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층 및/또는 버퍼층과 같은 절연층(32)이 형성될 수 있다.
이 절연층(32) 상에 TFT(40)의 활성층(41)이 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(33)이 형성된다. 활성층(41)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있는 데, 소스 영 역(412), 드레인 영역(413)과 이들 사이에 채널 영역(411)을 갖는다.
게이트 절연막(33) 상에는 게이트 전극(42)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(34)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(34) 상에는 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)이 구비되며, 이를 덮도록 평탄화 절연막(35) 및 화소 정의막(36)이 순차로 구비된다.
상기 게이트 절연막(33), 층간 절연막(34), 평탄화 절연막(35), 및 화소 정의막(36)은 절연체로 구비될 수 있는 데, 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 TFT(40)의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다.
상기 평탄화 절연막(35)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)의 한 전극인 화소전극(51)이 형성되고, 그 상부로 화소정의막(37)이 형성되며, 이 화소정의막(37)에 소정의 개구부(38)를 형성해 화소전극(51)을 노출시킨 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기 발광막(52)을 형성한다.
상기 유기 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, TFT(40)의 드레인 전극(44)에 콘택 홀(36)을 통해 콘택된 화소 전극(51)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극(53), 및 이들 화소 전극(51)과 대향 전극(53)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(52)으로 구성된다.
상기 화소 전극(51)과 대향 전극(53)은 상기 유기 발광막(52)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(52)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광막(52)에서 발광이 이뤄지도록 한다.
상기 유기 발광막(52)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 저분자 유기막을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 픽셀에 공통으로 적용될 수 있다. 따라서, 도 5와는 달리, 이들 공통층들은 대향전극(53)과 같이, 전체 픽셀들을 덮도록 형성될 수 있다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 화소 전극(51)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(53)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(51)과 대향 전극(53)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 상기 화소 전극(51)은 투명 전극으로 구비될 수 있고, 대향 전극(53)은 반사 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 이러한 투명 전극은 일함수가 높고 투명한 ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등을 사용하여 형성할 수 있고, 대향 전극(53)인 반사 전극은 일함수가 낮은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등의 금속재로 구비될 수 있다.
전면 발광형(top emission type)일 경우, 상기 화소 전극(51)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, 대향 전극(53)이 투명 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 화소 전극(51)이 되는 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 대향 전극(53)이 되는 투명 전극은, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
양면 발광형의 경우, 상기 화소 전극(51)과 대향 전극(53) 모두를 투명 전극으로 구비될 수 있다.
상기 화소 전극(51) 및 대향 전극(53)은 반드시 전술한 물질로 형성되는 것에 한정되지 않으며, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도 성 페이스트 등으로 형성할 수도 있다. 이러한 전도성 페이스트를 사용할 경우, 잉크젯 프린팅 방법을 사용하여 프린팅할 수 있으며, 프린팅 후에는 소성하여 전극으로 형성할 수 있다.
이렇게 유기 발광 소자(OLED)를 형성한 후에는, 상기 표시부(D)를 실런트(22) 및 밀봉기판(21)에 의해 밀봉하여 외기로부터 차단한다. 실런트(22)와 기판(31)과의 접합력을 향상시키고, 실런트(22)의 박리를 막기 위해 실런트(22)가 도포되는 영역에는 도 3에서와 같이, 게이트 절연막(33), 층간 절연막(34) 및 평탄화 절연막(35)을 벗겨 내도록 하는 것이 바람직하다. 상기 밀봉 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 밀봉구조가 그대로 채용 가능하다. 예컨대, 밀봉기판(21)과 대향전극(53) 사이에 충진재를 더 개재할 수 있고, 밀봉기판(21)과 실런트(22)를 사용하지 않고 무기필름과 유기필름을 반복 적층한 베리어막을 밀봉필름으로 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 게이트 전극(42), 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물과 같은 금속물질을 포함하거나, ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 또한, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트를 사용할 수도 있다.
뿐만 아니라, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같은 3중층 구조의 적층체로 형성될 수도 있다.
도 3에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 게이트 전극 (42)은 단층 구조로 구비되어 있고, 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 3층 구조로 형성되어 있는 데, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 도전체에서 언급한 구조의 다양한 조합이 모두 적용 가능하다. 이하에서는, 도 3에 도시된 바대로, 게이트 전극(42)은 단층 구조로 구비되어 있고, 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 3층 구조로 형성되어 있는 실시예를 중심으로 설명한다.
상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 도 3의 아래쪽부터 제1도전층(431)(441), 제2도전층(432)(442), 및 제3도전층(433)(443)의 순차로 적층된 구조체를 포함할 수 있다. 이 때, 제2도전층(432)(442)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다. 그 예로는 Al, AlSi, AlNd 및 AlCu 등이 될 수 있다.
이렇게 제2도전층(432)(442)을 알루미늄계 금속으로 형성할 경우, 전술한 바와 같이, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443) 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)으로 MoW을 사용하고, 제2도전층(432)(442)으로서 AlNd를 사용한 구조가 채용될 수 있다.
한편, 제2도전층(432)(442)이 알루미늄계 금속으로 형성된 경우, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443) 중 적어도 하나가 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서는, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)으 로 Ti 계 금속을 사용하고, 제2도전층(432)(442)으로서 Al계 금속을 사용한 구조가 채용될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)의 사이에 이온의 확산을 방지하는 TiN와 같은 확산방지막을 더 개재시킬 수 있다.
이러한 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 평탄화 절연막(35)에 의해 덮이는 데, 이 평탄화 절연막(35)은 유기물 및/또는 무기물로 형성될 수 있다. 유기물로 구비될 수 경우, 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있고, 바람직하게는 아크릴재, 더욱 바람직하게는 감광성 아크릴재로 형성되어, 패턴 형성이 더욱 용이하도록 할 수 있고, 무기물로 구비될 경우, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있다. 상기 평탄화 절연막(35)은 유기물 및 무기물의 다층 구조로 형성될 수 있는 데, 예컨대 무기물로 제1층을 형성한 후, 이를 덮도록 유기물로 제2층을 형성하여 상면을 평탄하게 할 수 있다. 물론 반대의 구조도 가능함은 물론이다.
이와 같이, 상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 다층구조로 형성함에 따라, 도전성이 좋은 알루미늄계 제2도전층(432)(442)으로 인해 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44) 전체의 도전성이 향상되는 결과를 얻을 수 있고, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)이 제2도전층(432)(442)을 보호해주는 역할을 할 수 있다. 한편, 비록 도 3에는 도시하지 않았지만, 상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 측면에 전술한 평탄화 절연막(35)의 재료와 동일한 재료를 이용하여 클래드(미도시)를 더 형성할 수 있는 데, 측면에 형성된 클래드에 의해 에천트 등이 침투되어 알루미늄계 제2도전층(432)(442)을 부식 또는 식각시키는 것을 방지할 수 있다. 이는 특히, 화소 전극(51)의 패터닝 공정 시, 에천트에 의한 침투로부터 소스전극(43) 및 드레인 전극(44)을 보호하는 데에 더욱 유용할 수 있다.
한편, 게이트 전극(42), 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 형성할 때에, 패드부(P)의 단자(10)를 더 형성할 수 있다.
이 단자(10)는 COG나 플렉시블 인쇄회로기판(FPC)과 같은 외부 전자 장치가 접합되는 것으로, 패드부(P)에 그 기능에 따라 복수개 구비될 수 있다.
도 3에서 볼 때, 각 단자(10)는 게이트 전극(42)의 형성과 동시에 형성된 제1단자(11)와, 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 형성과 동시에 형성된 제2단자(13)를 포함할 수 있다. 제1단자(11)는 게이트 절연막(33) 상에 형성된 콘택 홀(12)에 의해 제2단자(13)와 도통할 수 있다. 제1단자(11) 및 제2단자(12)의 형성 물질은 전술한 바와 같다. 즉, 제2단자(13)는 제1도전층(131), 제2도전층(132), 및 제3도전층(133)을 포함할 수 있다. 상기 단자(10)는 반드시 이렇게 2층 구조로 형성될 필요는 없으며, 위 제1단자(11) 및 제2단자(10) 중 어느 하나로만 형성될 수도 있고, 이 외에 활성층(41) 및 화소전극(51)을 이용하여 3층 및 4층 구조로 형성 할 수도 있다.
이 단자(10)는 그 적어도 측단부가 도 3과 같은 클래드부(14)에 의해 덮인다. 상기 클래드부(14)는 유기물 및/또는 무기물의 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 유기물로 구비될 수 경우, 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있고, 바람직하게는 아크릴재, 더욱 바람직하게는 감광성 아크릴재로 형성되어, 패턴 형성이 더욱 용이하도록 할 수 있고, 무기물로 구비될 경우, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있다.
이러한 클래드부(14)에 따라, 외부로 노출되는 단자(10)를 공정 중에 식각액이나 기타 에천트 등으로부터 보호할 수 있고, 사용 중에도 외부 공기나 수분으로부터 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다. 특히, 단자(10)가 소스/드레인 전극(43)(44)과 같이 알루미늄계 금속을 포함하는 다층 구조로 구비되고, 이 다층 구조가 외부로 노출되는 구조일 경우, 노출된 단자의 측면으로부터 알루미늄계 금속이 부식 및 식각되는 것을 상기 클래드부(14)가 효과적으로 차단할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어 상기 클래드부(14)는 평탄화 절연막(35)과 동시에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 클래드부(14)의 두께(T1)는 평탄화 절연막(35)의 두께(T2)보다 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 두께 차이 는 하프톤 마스크를 이용하여 단일 공정으로 형성 가능하다. 상기 평탄화 절연막(35)은 픽셀 회로를 모두 덮고, 그 상면을 편평하게 해, 상면에 화소 전극(51)이 형성되기 용이하도록 하기 위해, 통상 그 두께(T2)를 1.3㎛ 이상으로 한다. 이 때, 평탄화 절연막(35)과 동일 공정으로 형성되는 클래드부(14)를 평탄화 절연막(35)과 동일한 두께로 형성할 경우, 후술하는 바와 같은 문제를 야기시키게 된다.
도 4는 상기와 같은 클래드부(14)를 구비한 단자(10)에 COG(60)가 접합되는 상태를 도시한 단면도이다. 도 4에서 영역Ⅰ의 두 단자(10)는 전술한 바와 같이 표시부(D)의 평탄화 절연막(35)보다 얇은 T1의 두께를 갖는 클래드부(14)를 구비한 것이고, 영역Ⅱ의 두 단자(10)는 전술한 표시부(D)의 평탄화 절연막(35)과 동일한 T2의 두께를 갖는 클래드부(14')를 구비한 것이다.
COG(60)의 하면에는 각 단자(10)에 접속되는 범프(61)(61')가 배치되어 있고, COG(60)와 단자(10)는 도전성 볼(64)을 포함하고 있는 이방성 도전 접착 필름(ACF, 63)에 의해 접합되어 있다.
COG(60)의 범프(61)(61')는 ±1㎛ 의 두께 편차를 갖고, 이방성 도전 접착필름(63)의 도전성 볼(64)은 직경이 대략 3㎛ 정도가 될 수 있다. 따라서, 도 4에서 볼 때, 가장 얇은 범프(61')와 가장 두꺼운 범프(61)는 대략 2㎛의 두께 차이를 가질 수 있다.
영역Ⅰ의 클래드부(14)의 두께, T1은 0.8㎛로 하고, 영역Ⅱ의 클래드부(14')의 두께, T2는 평탄화 절연막과 같이 1.3㎛로 하였다.
이 경우, 영역Ⅰ에서는, 가장 얇은 범프(61')와 제2단자(13)의 표면 사이의 거리나, 가장 두꺼운 범프(61)와 제2단자(13)의 표면 사이의 거리 모두 도전성 볼(64)의 직경보다 작게 되므로, 범프(61)(61')와 단자(10)는 모두 접속될 수 있게 된다.
그러나, 영역Ⅱ에서는, 가장 두꺼운 범프(61)가 클래드부(14')에 닿도록 한 상태에서 가장 얇은 범프(61)의 하면과 클래드부(14')의 하단 사이는 3.3㎛의 거리를 나타내게 된다. 따라서, 가장 얇은 범프(61')와 제2단자(13)의 표면 사이에서 도전성 볼(64)이 눌리지 않게 될 수 있으며, 이는 곧 접속 불량으로 이어질 수 있게 됩니다.
결국, 패드부(P)의 클래드부(14)를 표시부(D)의 평탄화 절연막(35)과 동시에 형성하는 경우에도, 클래드부(14)의 두께는 전술한 도전성 볼의 크기를 감안하여 충분히 얇게 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 클래드부(14)의 폭(W)은 4㎛이상으로 하는 것이 바람직하다. 클래드부(14)의 폭(W)이 너무 얇을 경우 공정 중, 또는 사용 중에 클래드부(14)가 뜯겨지는 현상이 발생할 수 있기 때문이다.
상기한 실시예들은 유기 발광 표시장치에 대하여 기술되었으나, 유기 발광 표시장치 이외에 액정 표시장치 등 다양한 종류의 평판 표시장치에도 적용될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 패드부의 단자 측면을 덮는 클래드부에 의해 후속 공정에서 식각액 등의 침투로 인해 단자가 부식 또는 식각되는 것을 방 지할 수 있다. 또한, 클래드부의 두께를 조절함으로써, 클래드부를 평탄화 절연막과 동시에 형성할 경우에도, 외부 전자 장치와의 접속 불량 등이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (22)

  1. 화상을 구현하는 표시부;
    상기 표시부와 외부 전자장치를 전기적으로 연결하는 것으로, 복수개의 단자를 갖는 패드부; 및
    상기 단자의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부;를 포함하는 평판 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단자는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구비된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 단자는 순차로 적층된 제1도전층, 제2도전층, 및 제3도전층을 포함하고, 상기 제2도전층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 클래드부는 유기물로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 클래드부는 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 클래드부는 무기물로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클래드부는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮는 절연막;
    상기 절연막 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극;
    상기 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극과 외부 전자장치를 연결하는 단자; 및
    상기 단자의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부;를 포함하는 평판 표시장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 단자는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구비된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단자는 순차로 적층된 제1도전층, 제2도전층, 및 제3도전층을 포함하고, 상기 제2도전층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  15. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클래드부는 상기 절연막과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 클래드부는 상기 절연막과 동일 공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 클래드부의 두께는 상기 절연막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 단자에는 이방성 도전 접착제를 개재하여 상기 외부 전자장치가 접합되는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 절연막은 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 유기물은 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 절연막은 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 무기물은 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
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