KR100777728B1 - 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 배선을 포함한 도전체의 부식 및 손상을 방지하기 위한 것으로, 이를 위하여, 도전체, 및 상기 도전체의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 표시장치에 구비된 도전체의 일 예를 도시한 단면도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 표시장치에 구비된 도전체의 다른 일 예를 도시한 단면도,
도 3은 본 발명의 평판 표시장치의 일 실시예인 유기 발광 표시장치의 일 예에 대해 도시한 단면도.
종래기술1: 일본공개특허공보 특개2000-243834호
종래기술2: 일본공개특허공보 특개2004-158826호
본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전극이나 배선 등의 도전체가 공정이 진행되는 도중에 부식 또는 식각되는 것을 방지할 수 있는 평판 표시 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 또는 무기 전계 발광 디스플레이 소자 등 평판디스플레이 장치는 배선 저항을 줄이기 위해 알루미늄 계열의 금속을 사용한다.
그런데, 이러한 알루미늄 계열의 금속 도전체는 공정 중에서 식각액 등에 의해 쉽게 손상을 받을 수 있다.
이러한 알루미늄 계열 금속 도전체의 손상을 방지하기 위해, 상기 종래기술1에는 티타늄, 알루미늄, 질화티타늄의 삼층 구조의 배선이 개시되어 있다.
그런데, 이 종래기술1에 의하면, 공정이 진행되는 과정에서 중층인 알루미늄층이 식각액 등의 침투로 부식되는 문제가 여전히 발생하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 종래기술2에 따르면, 위 삼층 구조에서 알루미늄층의 보호 수준을 더욱 높이기 위해 배선의 측면에 반사막을 더 형성한 후, 이를 다시 투명도전막으로 감싼 구조를 제안하고 있다.
그런데, 이러한 종래기술2의 경우에도, 배선의 측면을 감싼 반사막이 알루미늄 계통이기 때문에, 배선을 보호하는 데에는 한계가 있고, 반사막의 패턴 이후, 투명도전막의 패터닝 공정에서 동일하게 식각액에 의한 부식 문제가 여전히 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 배선을 포함 한 도전체의 부식 및 손상을 방지할 수 있는 평판 표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 도전체, 및 상기 도전체의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 서로 대향된 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재된 유기 발광막을 포함하는 유기 발광소자와, 상기 유기 발광소자에 전기적으로 연결된 배선과, 상기 배선의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
본 발명은 뿐만 아니라, 반도체 활성층과, 상기 반도체 활성층과 절연된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 반도체 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부를 포함하는 평판 표시장치를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다 .
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 표시장치에 구비된 도전 체(10)를 도시한 것이다.
도전체(10)는 평판 표시장치에 사용되는 데이터 배선, 스캔 배선, 전원 배선 또는 이들의 전압강하를 막기 위한 버스 배선일 수 있으며, 혹은 후술하는 바와 같이, TFT나 커패시터 등의 전극일 수 있다. 도전체(10)는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물과 같은 금속물질을 포함하거나, ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 또한, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트를 사용할 수도 있다.
이러한 도전체(10)는 절연체로 이루어진 클래드부(20)에 의해 그 측면이 감싸진다. 클래드부(20)는 절연체로 이루어져 도전체(10)의 측면을 감싸, 도전체(10) 측면으로부터 유입되는 식각액이나 기타 에천트 등으로부터 도전체(10)를 보호할 수 있게 된다.
이러한 클래드부(20)는 유기물로 구비될 수 있는 데, 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있고, 바람직하게는 아크릴재, 더욱 바람직하게는 감광성 아크릴재로 형성되어, 패턴 형성이 더욱 용이하도록 할 수 있다.
상기 클래드부(20)는 무기물로 구비될 수도 있는 데, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어 도 하나로 구비될 수 있다.
한편, 상기 도전체(10)는 도 2에서 볼 수 있듯이, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 도전체(10)의 다른 일 실시예는 아래쪽부터 제1도전층(11), 제2도전층(12), 및 제3도전층(13)의 순차로 적층된 구조체를 포함할 수 있다. 이 때, 제2도전층(12)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다. 그 예로는 Al, AlSi, AlNd 및 AlCu 등이 될 수 있다.
이렇게 제2도전층(12)을 알루미늄계 금속으로 형성할 경우, 제1도전층(11) 및 제3도전층(13) 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서, 제1도전층(11) 및 제3도전층(13)으로 MoW을 사용하고, 제2도전층(12)으로서 AlNd를 사용한 구조가 채용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 제2도전층(12)이 알루미늄계 금속으로 형성된 경우, 제1도전층(11) 및 제3도전층(13) 중 적어도 하나가 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서는, 제1도전층(11) 및 제3도전층(13)으로 Ti 계 금속을 사용하고, 제2도전층(12)으로서 Al계 금속을 사용한 구조가 채용될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 위 3층 구조의 배선을 사용한 데 더하여, 별도의 층상 구조를 더 부가할 수도 있음은 물론이다.
이렇게 다층구조의 도전체(10)의 경우에도, 절연체로 도전체(10)의 측면을 캐핑한 클래드부(20)를 형성할 수 있다. 이 클래드부(20)의 형성재료는 전술한 바와 같다. 즉, 상기 클래드부(20)는 유기물로 구비될 수 경우, 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있고, 바람직하게는 아크릴재, 더욱 바람직하게는 감광성 아크릴재로 형성되어, 패턴 형성이 더욱 용이하도록 할 수 있고, 무기물로 구비될 경우, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있다.
이와 같이, 상기 도전체(10)를 다층구조로 형성함에 따라, 도전성이 좋은 알루미늄계 제2도전층(12)으로 인해 도전체(10) 전체의 도전성이 향상되는 결과를 얻을 수 있고, 제1도전층(11) 및 제3도전층(13)이 제2도전층(12)을 보호해주는 역할을 할 수 있다. 그리고, 측면에 형성된 클래드부(20)에 의해 에천트 등이 침투되어 알루미늄계 제2도전층(12)을 부식 또는 식각시키는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같은 구조는 평판 표시장치의 픽셀 및 발광영역 외측 등 각종 영역에서 사용 가능하다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치에 대해 도 시한 단면도이다.
도 3에서 볼 수 있듯이, 기판(31)상에 TFT(40) 및 유기 발광 소자(OLED)가 구비된다.
기판(31)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, SUS, 텅스텐 등과 같은 금속 호일도 사용 가능하고, 글라스재도 사용 가능하다.
이 기판(31)의 상면에는 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층 및/또는 버퍼층과 같은 절연층(32)이 형성될 수 있다.
이 절연층(32) 상에 TFT(40)의 활성층(41)이 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(33)이 형성된다. 활성층(41)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있는 데, 소스 영역(412), 드레인 영역(413)과 이들 사이에 채널 영역(411)을 갖는다.
게이트 절연막(33) 상에는 게이트 전극(42)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(34)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(34) 상에는 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)이 구비되며, 이를 덮도록 패시베이션막(35) 및 화소 정의막(36)이 순차로 구비된다.
상기 게이트 절연막(33), 층간 절연막(34), 패시베이션막(35), 및 화소 정의막(36)은 절연체로 구비될 수 있는 데, 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 TFT(40)의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다.
상기 패시베이션막(35)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)의 한 전극인 화소전극(51)이 형성되고, 그 상부로 화소정의막(37)이 형성되며, 이 화소정의막(37)에 소정의 개구부(38)를 형성해 화소전극(51)을 노출시킨 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기 발광막(52)을 형성한다.
상기 유기 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, TFT(40)의 드레인 전극(44)에 콘택 홀(36)을 통해 콘택된 화소 전극(51)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극(53), 및 이들 화소 전극(51)과 대향 전극(53)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(52)으로 구성된다.
상기 화소 전극(51)과 대향 전극(53)은 상기 유기 발광막(52)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(52)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광막(52)에서 발광이 이뤄지도록 한다.
상기 유기 발광막(52)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 저분자 유기막을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로 시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 픽셀에 공통으로 적용될 수 있다. 따라서, 도 3와는 달리, 이들 공통층들은 대향전극(53)과 같이, 전체 픽셀들을 덮도록 형성될 수 있다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 화소 전극(51)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(53)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(51)과 대향 전극(53)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 상기 화소 전극(51)은 투명 전극으로 구비될 수 있고, 대향 전극(53)은 반사 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 이러한 투명 전극은 일함수가 높고 투명한 ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등을 사용하여 형성할 수 있고, 대향 전극(53)인 반사 전극은 일함수가 낮은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등의 금속재로 구비될 수 있다.
전면 발광형(top emission type)일 경우, 상기 화소 전극(51)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, 대향 전극(53)이 투명 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 화소 전극(51)이 되는 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 대향 전극(53)이 되는 투명 전극은, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
양면 발광형의 경우, 상기 화소 전극(51)과 대향 전극(53) 모두를 투명 전극으로 구비될 수 있다.
상기 화소 전극(51) 및 대향 전극(53)은 반드시 전술한 물질로 형성되는 것에 한정되지 않으며, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트 등으로 형성할 수도 있다. 이러한 전도성 페이스트를 사용할 경우, 잉크젯 프린팅 방법을 사용하여 프린팅할 수 있으며, 프린팅 후에는 소성하여 전극으로 형성할 수 있다.
이렇게 유기 발광 소자(OLED)를 형성한 후에는, 그 상부를 밀봉하여 외기로부터 차단한다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 게이트 전극(42), 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 전술한 도전체와 같이, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물과 같은 금속물질을 포함하거나, ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 또한, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트를 사용할 수도 있다.
뿐만 아니라, 전술한 도 2에서 볼 수 있는 바와 같은 3중층 구조의 적층체로 형성될 수도 있다.
도 3에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 게이트 전극(42)은 단층 구조로 구비되어 있고, 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 3층 구조로 형성되어 있는 데, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 도전체에서 언급한 구조의 다양한 조합이 모두 적용 가능하다. 이하에서는, 도 3에 도시된 바대로, 게이트 전극(42)은 단층 구조로 구비되어 있고, 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 3층 구조로 형성되어 있는 실시예를 중심으로 설명한다.
상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)은 도 3의 아래쪽부터 제1도전층(431)(441), 제2도전층(432)(442), 및 제3도전층(433)(443)의 순차로 적층된 구조체를 포함할 수 있다. 이 때, 제2도전층(432)(442)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다. 그 예로는 Al, AlSi, AlNd 및 AlCu 등이 될 수 있다.
이렇게 제2도전층(432)(442)을 알루미늄계 금속으로 형성할 경우, 전술한 바와 같이, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443) 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)으로 MoW을 사용하고, 제2도전층(432)(442)으로서 AlNd를 사용한 구조가 채용될 수 있음은 전술한 바와 같다.
한편, 제2도전층(432)(442)이 알루미늄계 금속으로 형성된 경우, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443) 중 적어도 하나가 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조의 일 예로서는, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)으로 Ti 계 금속을 사용하고, 제2도전층(432)(442)으로서 Al계 금속을 사용한 구조가 채용될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 위 3층 구조의 배선을 사용한 데 더하여, 별도의 층상 구조를 더 부가할 수도 있음도 전술한 바와 같다.
이렇게 다층구조의 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 경우에도, 절연체로 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 측면을 캐핑한 클래드부(45)를 형성할 수 있다. 이 클래드부(45)의 형성재료는 전술한 바와 같다. 즉, 상기 클래드부(45)는 유기물로 구비될 수 경우, 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있고, 바람직하게는 아크릴재, 더욱 바람직하게는 감광성 아크릴재로 형성되어, 패턴 형성이 더욱 용이하도록 할 수 있고, 무기물로 구비될 경우, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, 및 PZT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비될 수 있다.
이와 같이, 상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 다층구조로 형성함에 따라, 도전성이 좋은 알루미늄계 제2도전층(432)(442)으로 인해 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44) 전체의 도전성이 향상되는 결과를 얻을 수 있고, 제1도전층(431)(441) 및 제3도전층(433)(443)이 제2도전층(432)(442)을 보호해주는 역할을 할 수 있다. 그리고, 측면에 형성된 클래드부(45)에 의해 에천트 등이 침투되어 알루미늄계 제2도전층(432)(442)을 부식 또는 식각시키는 것을 방지할 수 있다. 이는 특히, 화소 전극(51)의 패터닝 공정 시, 에천트에 의한 침투로부터 소스전극(43) 및 드레인 전극(44)을 보호하는 데에 더욱 유용하다.
한편, 이렇게 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 형성할 때에, 배선(60)을 더 형성할 수 있다. 이 배선(60)은 Vdd 전원선이 될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시장치의 픽셀 회로에 구비될 수 있는 각종 배선이 모두 적용 가능하다. 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)과 같이 형성된 이 배선(60)도 제1도전층(601), 제2도전층(602), 및 제3도전층(603)을 갖게 된다. 제1도전층(601), 제2도전층(602), 및 제3도전층(603)을 형성하는 물질은 전술한 바와 같다.
이 배선(60)의 경우에도 클래드부(61)를 전술한 바와 같이, 형성할 수 있다. 이 클래드부(61)는 전술한 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 경우와 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 형성할 때에, 상기 픽셀 내의 배 선(60) 말고도 더욱 많은 도전체들이 형성될 수 있는 데, 그 일 예로, 도 3에서 볼 수 있듯이, 대향 전극(53)에 콘택되는 버스 라인(70)이 더 구비될 수 있다. 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)과 같이 형성된 이 버스 라인(70)도 제1도전층(701), 제2도전층(702), 및 제3도전층(703)을 갖게 된다. 제1도전층(701), 제2도전층(702), 및 제3도전층(703)을 형성하는 물질은 전술한 바와 같다. 이 버스 라인(70)은 페시베이션막(35)에 형성된 비아 홀(39)에 의해 대향 전극(53)과 콘택되고, 이에 따라, 대향 전극(53)에 전원을 공급한다.
이 버스 라인(70)의 경우에도 클래드부(71)를 전술한 바와 같이, 형성할 수 있다. 이 클래드부(71)는 전술한 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)의 경우와 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략한다.
상술한 클래드부는 비록 도전체의 측단부를 덮는 구조를 취하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 도전체 전체를 덮도록 구비될 수도 있다.
이처럼, 본 발명의 클래드부는 다양한 도전체 구조에 모두 적용 가능하다. 뿐만 아니라, 상기한 실시예들은 유기 발광 표시장치에 대하여 기술되었으나, 유기 발광 표시장치 이외에 액정 표시장치 등 다양한 종류의 평판 표시장치에도 적용될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 도전체의 측면을 덮는 클래드부에 의해 후속 공정에서 식각액 등의 침투로 인해 도전체가 부식 또는 식각되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
Claims (30)
- 도전체; 및상기 도전체의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부;를 포함하고,상기 클래드부는, 유기물로 구비되며 상기 도전체의 상면의 가장자리 및 측면을 덮는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 도전체는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구비된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제2항에 있어서,상기 도전체는 순차로 적층된 제1도전층, 제2도전층, 및 제3도전층을 포함하고, 상기 제2도전층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제3항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제3항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 클래드부는 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 삭제
- 삭제
- 서로 대향된 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재된 유기 발광막을 포함하는 유기 발광소자;상기 유기 발광소자에 전기적으로 연결된 배선; 및상기 배선의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부;를 포함하고,상기 클래드부는, 유기물로 구비되며 상기 배선의 상면의 가장자리 및 측면을 덮는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제10항에 있어서,상기 배선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구비된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제11항에 있어서,상기 배선은 순차로 적층된 제1도전층, 제2도전층, 및 제3도전층을 포함하고, 상기 제2도전층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제12항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제12항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
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- 제10항에 있어서,상기 클래드부는 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
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- 제10항에 있어서,상기 배선은 상기 유기 발광 소자의 상기 제2전극에 콘택된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제10항에 있어서,상기 배선은 상기 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 전원 배선인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제10항에 있어서,상기 배선은 상기 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 신호 배선인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 반도체 활성층;상기 반도체 활성층과 절연된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연되고 상기 반도체 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극; 및상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나의 적어도 측단부를 덮는 절연체로 구비된 클래드부;를 포함하고,상기 클래드부는, 유기물로 구비되며 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나의 상면의 가장자리 및 측면을 덮는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제22항에 있어서,상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구비된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제23항에 있어서,상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나는 순차로 적층된 제1도전층, 제2도전층, 및 제3도전층을 포함하고, 상기 제2도전층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제24항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 크롬(Cr), 크롬 합금(Cr alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 및 텅스텐 합금(W alloy) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제24항에 있어서,상기 제1도전층 및 제3도전층 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 탄탈(Ta), 및 탄탈 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
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- 제22항에 있어서,상기 클래드부는 페놀 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 구비된 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
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