KR20070033925A - 기판 처리 시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20070033925A
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히로츠구 시라이와
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명의 과제는 1 단식 또는 2 단식의 1 이상의 기판 처리 챔버를 혼재할 수 있는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 처리량을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 챔버의 종류 및 기판의 처리에 따라서, 2개의 반송 암을 동시에 진입 및 퇴출시켜 기판의 반입출을 실행하는 제 1 순서와, 2개의 반송 암을 서로 다른 타이밍에서 진입시켜 기판의 반입출을 실행하는 제 3 순서와, 기판을 반입과 반출만을 동시에 실행하는 제 1과 제 3 순서의 중간적인 제 2 순서 중에서 가장 적합한 기판의 반입출의 방법을 이용할 수 있도록 한다.

Description

기판 처리 시스템 및 방법{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND METHOD}
도 1은 본 발명의 구성을 설명하는 개략 평면도,
도 2는 본 발명의 구성을 설명하는 개략 측면도,
도 3은 본 발명의 반송 장치를 설명하는 개략 사시도,
도 4는 본 발명의 2 단식 로드록·챔버를 설명하는 개략 사시도,
도 5는 1 단식 탑재대를 설명하는 개략 사시도,
도 6은 2 단식 탑재대를 설명하는 개략 사시도,
도 7은 1 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 8은 1 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 9는 1 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 10은 2 단식 탑재대의 2 단 핀을 설명하는 도면,
도 11은 2 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 12는 2 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 13은 2 단식 탑재대에서의 기판 교환을 설명하는 도면,
도 14는 2 단식 챔버에서의 기판 교환의 본 발명의 제 1 순서를 설명하는 도면,
도 15는 2 단식 챔버에서의 기판 교환의 본 발명의 제 2 순서를 설명하는 도면,
도 16은 1 단식 챔버에서의 기판 교환의 본 발명의 제 3 순서를 설명하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 처리 시스템 2 : 반입출부
3 : 처리부 5 : 로드록 장치
11 : 탑재대 12 : 반송 장치
13 : 레일 14 : 반송 기구
15 : 반송 암 16 : 개구
21, 22 : 로드록·챔버
25, 26, 27, 28, 35A 내지 35E : 게이트 밸브
30A, 30B, 30C, 30D, 30E : 기판 처리 챔버
31 : 반송 장치 32 : 반송 챔버
33 : 반송실 51, 52 : 반송 암
53, 54 : 핀용 기부 55, 56, 59, 60 : 반송 암 선단부의 핀
61, 62 : 지지체 63a, 63b, 64a, 64b : 핸드
71, 72, 73 : 핀
본 발명은, 로드록·챔버 및 기판 처리 챔버 등의 복수의 챔버와, 이들 복수의 챔버 사이에서 기판을 반송하기 위한 반송 챔버를 이용한 기판 처리 시스템 및 방법에 관한 것이다.
종래부터, LCD(액정 모니터)나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 기판 처리를 실행하기 위한 다양한 기판 처리 방법 및 장치가 개시되어 있다. 예를 들어, 특허 문헌 1에는 기판을 반송하는 반송 챔버의 주위에, 기판을 반입출하기 위한 로드록·챔버와 반입된 기판에 대하여 감압 분위기 하에서 에칭 등의 기판 처리를 실행하는 다양한 기판 처리 챔버 등이 설치된 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템이 개시되어 있다.
이러한 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에서는, 장치의 처리량을 향상시키도록 다양한 기술이 이용되고 있다. 예를 들어, 하기 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템에서는, 기판 처리 챔버 내에 2개의 기판을 동시에 지지 가능한 2 단식의 지지 부재가 설치되어 있고, 그에 의해 기판 반송용 암의 기판 처리 챔버 내에의 1도의 진출 동작에 의해 처리완료 기판과 미처리 기판과의 교환이 가능하게 되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-160584호 공보
그러나 상기 특허 문헌 1에 기재되어 있는 2 단식의 지지 부재를 이용한 기판 처리 챔버는, 기판의 반입출을 2 단 동시에 실행하는 것이 가능하지만, 예를 들어 챔버 내부를 복잡하게 하는 것이 바람직하지 않은 CVD 처리 등과 같이, 기판 처리의 종류에 따라서는 2 단 동시에 처리하는 것이 바람직하지 않은 경우가 있다. 이러한 기판 처리에 대해서는, 통상 1 단식의 지지 부재를 이용한 기판 처리 챔버가 이용된다.
이와 같이, 1 단식의 지지 부재를 이용한 기판 처리 챔버에 대해서는, 기판의 반입출은 1 단씩 따로따로 행해진다. 따라서 1 단식의 기판 처리 챔버와 2 단식의 기판 처리 챔버가 혼재될 경우, 일률적인 방법으로 기판의 반입출을 실행하는 종래적인 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에서는, 2 단식의 기판 처리 챔버에 대해서도 1 단식과 마찬가지로 기판의 반입출을 1 단씩 따로따로 실행하게 되어, 처리량이 저하되어 버린다.
본 발명은 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 1 단식 또는 2 단식의 1 이상의 기판 처리 챔버를 혼재할 수 있는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 챔버의 종류에 따라서 가장 적합한 기판의 반입출의 방법을 이용할 수 있도록 하여, 처리량을 향상시키는 기판 처리 시스템 및 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면 기판을 처리하는 처리 챔버 와, 해당 처리 챔버에 기판을 반입출시키는 반송 장치를 구비한 처리 시스템이며, 상기 반송 장치는 기판을 유지하는 적어도 2개의 암을 구비하고, 그들 2개의 암을 상기 처리 챔버 내로 동시에 진입시키는 상태와, 서로 다른 타이밍에서 진입시키는 상태로 절환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템이 제공된다.
또, 상기 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 처리 챔버를 복수 구비하여, 일부의 처리 챔버에는 상기 2개의 암을 동시에 진입시키고, 다른 처리 챔버에는 상기 2개의 암을 서로 다른 타이밍에서 진입시키도록 해도 좋다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면 상기 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법이며, 상기 2개의 암 중 한쪽 암으로 상기 처리 챔버 내로부터 기판을 반출하는 공정과, 다른 쪽의 암으로 상기 처리 챔버 내로 기판을 반입하는 공정을 동시에 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이 제공된다.
또, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면 상기 2개의 암 중 한쪽 암으로 상기 처리 챔버 내로부터 기판을 반출하는 공정과, 다른 쪽의 암으로 상기 처리 챔버 내로 기판을 반입하는 공정을 따로따로 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이 제공된다. 또한, 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 한쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로부터 퇴출시키는 공정과, 상기 다른 쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로 진입시키는 공정을 동시에 실행하도록 해도 좋다. 또, 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 한쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로부터 퇴출시키는 공정과, 상기 다른 쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로 진입시키도록 해도 좋다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 기판의 일례로서의 LCD(Liquid Crystal Display; 액정 표시 장치)용의 유리 기판(G) 위에 대하여, CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리에 의해 박막을 성막하는 공정과, 그 후의 어닐링 공정을 실시하는 기판 처리 시스템에 의거하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략적인 구성을 도시한 평면도이다. 도 2는 기판 처리 시스템(1)의 개략적인 구성을 도시한 측면도이다. 도 1, 도 2에 도시하는 처리 시스템(1)은, 소위 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템이며, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 기판(G)을 반입출하게 하고, 또한 처리부(3)에 대하여 기판(G)을 반입출하게 하기 위한 반입출부(2)와, CVD 처리 등을 실행하는 처리부(3)를 구비하고 있다. 반입출부(2)와 처리부(3) 사이에는, 로드록 장치(5)가 설치되어 있다.
반입출부(2)에는, 복수 매의 기판(G)을 수납한 카세트(C)를 탑재하는 탑재대(11)와, 기판(G)을 반송하는 제 1 반송 장치(12)가 설치되어 있다. 탑재대(11) 위에는, 도 1에 있어서 대략 수평 방향의 X축 방향을 따라, 복수의 카세트(C)가 늘어서 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 탑재대(11) 상의 카세트(C) 내에는 대략 직사각형의 얇은 판자 형상의 기판(G)이, 대략 수평인 자세로 복수 매 상하로 늘어서 수납되어 있다.
반송 장치(12)는, 수평 방향의 Y축 방향에 있어서 탑재대(11)의 후방(도 1, 도 2에 있어서는 오른쪽)에 구비되어 있다. 또, 반송 장치(12)는 X축 방향을 따라 연장 설치된 레일(13)과, 레일(13)을 따라 수평 방향으로 이동 가능한 반송 기구(14)를 구비하고 있다. 반송 기구(14)는 1장의 기판(G)을 대략 수평하게 유지하 는 진퇴 가능한 반송 암(15)을 구비하고 있으며, 반송 기구(14)는 반송 암(15)을, Z축 방향(연직 방향)으로 승강시키는 동시에 대략 수평면 내에서 선회 가능하게 지지하고 있다. 즉, 반송 기구(14)의 가동에 의해 탑재대(11) 위의 각 카세트(C)의 정면에 설치된 개구(16)에 반송 암(15)을 액세스시켜서, 각 높이의 기판(G)을 1장씩 꺼내거나 수납하거나 할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또한, 반송 장치(12)를 사이에 두고 탑재대(11)와 대향하는 측[Y축 방향에 있어서 반송 장치(12)의 후방]에 설치된 로드록 장치(5)에 대하여, 반송 암(15)을 액세스시켜, 기판(G)을 1장씩 반입 및 반출시킬 수 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 로드록 장치(5)는 한 쌍의 로드록·챔버, 즉 제 1 로드록·챔버(21) 및 제 2 로드록·챔버(22)에 의해 구성되어 있다. 제 1 로드록·챔버(21)와 제 2 로드록·챔버(22)는 상하로 포개어 쌓은 다층식의 구성으로 되어 있으며, 도시한 예에서는 제 1 로드록·챔버(21) 위에 제 2 로드록·챔버(22)가 설치된 2층식으로 구성되어 있다. 또, Y축 방향에 있어서 로드록·챔버(21) 전방 측(도 2에 있어서는 좌측)에는, 후술하는 로드록·챔버(21)의 반입구(68)를 개폐하는 게이트 밸브(25)가 설치되어 있으며, Y축 방향에 있어서 로드록·챔버(21)의 후방 측에는, 후술하는 로드록·챔버(21)의 반출구(69)를 개폐하는 게이트 밸브(26)가 설치되어 있다. Y축 방향에 있어서 로드록·챔버(22)의 후방 측에는, 후술하는 로드록·챔버(22)의 반입구(82)를 개폐하는 게이트 밸브(27)가 설치되어 있고, Y축 방향에 있어서 로드록·챔버(22)의 전방 측에는, 후술하는 로드록·챔버(22)의 반출구(81)를 개폐하는 게이트 밸브(28)가 설치되어 있다. 이러한 구성 에 있어서, 각 게이트 밸브(25, 28)를 폐쇄함으로써, 반입출부(2)의 분위기와 로드록·챔버(21, 22) 내의 분위기를 각각 차단할 수 있게 되어 있다. 또, 각 게이트 밸브(26, 27)를 폐쇄함으로써, 처리부(3)의 분위기와 로드록·챔버(21, 22) 내의 분위기를 각각 차단할 수 있게 되어 있다. 또, 기판(G)은 반입출부(2)로부터 상단 및 하단의 로드록·챔버(21 및 22)를 거쳐서 처리부(3)로 반입되고, 처리부(3)에서 처리된 후, 로드록·챔버(21 및 22)를 거쳐서 반입출부(2)로 반출된다. 각 로드록·챔버(21, 22)의 구조에 대해서는, 이후에 상세하게 설명한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 처리부(3)에는 기판(G)을 수납하여 CVD 처리 등의 처리를 하는 복수, 예를 들어 5개의 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 및 로드록 장치(5)와 각 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 사이에서 기판(G)을 반송하는 제 2 반송 장치(31)가 구비되어 있다. 제 2 반송 장치(31)는, 밀폐 구조의 반송 챔버(32) 내에 설치된 반송실(33)에 저장되어 있다. 반송 챔버(32)는, Y축 방향에 있어서 로드록 장치(5)의 후방에 설치되어 있다. 또한, 로드록 장치(5), 및 기판 처리 챔버(30A 내지 30E)는 반송 챔버(32)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다.
반송실(33)과 로드록·챔버(21, 22) 사이에는, 전술한 게이트 밸브(26, 27)가 각각 설치되어 있으며, 각 게이트 밸브(26, 27)에 의해 반송실(33) 내의 분위기와 로드록·챔버(21, 22) 내의 분위기를 각각 차단할 수 있게 되어 있다. 반송실(33)과 각 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 사이에는, 각각 게이트 밸브(35A 내지 35E)가 설치되어 있으며, 각 게이트 밸브(35A 내지 35E)에 의해 기판 처리 챔버(30A 내지 30E)의 개구를 기밀하게 폐색하여, 반송실(33) 내의 분위기와 각 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 내의 분위기를 각각 차단할 수 있게 되어 있다. 또, 도 2에 도시하는 바와 같이 반송실(33) 내를 강제 배기하여 압력을 낮추기 위한 배기로(36)가 설치되어 있다. 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 처리 시, 처리부(3)의 반송실(33), 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 내는 반입출부(2)보다도 감압 분위기가 되어, 예를 들어 진공 상태가 된다.
제 2 반송 장치(31)는, 예를 들어 서로 독립하여 신축 가능한 2개의 다관절 링크의 반송 암(51 및 52)을 구비하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 반송 암(51)은 플레이트 형상의 핀용 베이스부(53)를 그 선단부에 구비하고 있다. 이 핀용 베이스부(53)에는, 1장의 기판(G)을 대략 수평면 내에 유지 가능하도록 평행하게 돌출하는 한 쌍의 핀(55, 56)이 설치되어 있다. 반송 암(52)도 반송 암(51)과 마찬가지로, 핀용 베이스부(54)를 그 선단부에 구비하고 있다. 이 핀용 베이스부(54)는, 핀용 베이스부(53)와 대개 동일 형상의 플레이트 부분(57) 및 이 플레이트 부분(57)을 핀용 베이스부(53)와 평행하게 그 상방에 지지하는 지지부(58)를 갖는다. 핀용 베이스부(54)의 플레이트 부분(57)에는, 핀용 베이스부(53)의 상방의 대략 수평면 내에서, 1장의 기판(G)을 유지 가능하도록 평행하게 돌출하는 한 쌍의 핀(59, 60)이 설치되어 있다. 즉, 반송 암(51) 및 반송 암(52)은 높이가 다른 대략 수평면 내에서 기판(G)을 1장씩 동시에 유지하는 것이 가능하다. 또, 핀용 베이스부(53 및 54)는 반송 암(51 및 52)이 기판(G)을 유지한 상태 또는 유지하지 않은 상태에서 신축할 때에, 서로 운동을 방해하지 않도록 미끄럼 이동 가능하게 엇갈리는 것이 가능하도록 구성되어 있다. 반송 암(51 및 52)이 설치되어 있는 지지 체(61)는, Z축 방향으로 굴신 및 대략 수평면 내에서 선회 가능하게 별도의 지지체(62)로 지지되어 있다. 따라서 반송 암(51 및 52)은, 각 로드록·챔버(21, 22) 또는 기판 처리 챔버(30A 내지 30E)에, 각 게이트 밸브(26, 27, 35A 내지 35E)를 거쳐서 반송 암(51 또는 52)을 액세스시켜, 기판(G)을 1장씩 반입 및 반출시킬 수 있게 구성되어 있다.
다음에, 전술한 동일 구성의 로드록·챔버(21 및 22)에 대해, 로드록·챔버(21)를 이용하여 상세하게 설명한다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 밀폐 구조의 로드록·챔버(21)는, 대략 수평인 2 단의 기판 지지 레벨을 갖고, 한번에 2장의 기판(G)을 그 내부에 유지 가능한 구성으로 되어 있다. 상단 지지 레벨은, 대향하는 한 쌍의 핸드(63a 및 63b)로 규정되고, 하단 지지 레벨은 대향하는 한 쌍의 핸드(64a 및 64b)로 규정된다.
각 핸드(63a, 63b, 64a 및 64b)는, 모두 고정된 베이스부(66)에 기판(G)을 지지하기 위한 고정식 핑거 플레이트(65)를 부착한 구성을 갖는다.
로드록·챔버(21)의 반입출부(2) 측, 즉 Y축 방향에 있어서 전방 측에는, 로드록·챔버(21)로 기판(G)을 반입하기 위한 반입구(68)가 마련되어 있다. 반입구(68)에는, 전술한 게이트 밸브(25)가 설치되어 있으며, 게이트 밸브(25)에 의해 기밀하게 폐색 가능하게 되어 있다. 로드록·챔버(21)의 처리부(3) 측, 즉 Y축 방향에 있어서 후방 측에는, 로드록·챔버(21)로부터 기판(G)을 반출하기 위한 반출구(69)가 설치되어 있다. 반출구(69)에는, 전술한 게이트 밸브(26)가 설치되어 있으며, 게이트 밸브(26)에 의해 기밀하게 폐색 가능하게 되어 있다. 또, 기판(G)의 반입출구로서의 반출구(69) 및 게이트 밸브(26)는, 제 2 반송 장치(31)가 기판 교환 시에 반송 암(51 및 52)을 동시에 로드록·챔버(21)에 대하여 진입 또는 퇴출시킬 수 있는 크기로 설정되어 있다.
기판 처리 챔버(30A 내지 30E)는, 각각 소정의 기판 처리가 행해지도록 적절하게 구성되어 있다. 기판 처리 챔버에는, 각각의 처리에 따라서 소정의 처리 가스를 공급하기 위한 공급로(도시하지 않음) 및 챔버 내를 배기하기 위한 배기로(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 예를 들어 기판 처리 챔버(30A, 30C 및 30E)로 폴리 실리콘의 표층 산화 및 CVD에 의한 산화막 생성이 행해지고, 그 후에 기판 처리 챔버(30B 또는 30D)로 어닐링 처리가 행해지도록 구성되어 있다. 기판 처리 챔버에서 행해지는 처리의 조합은, 이에 한정되지 않으며, 일렬 처리, 병렬 처리 등, 임의의 처리를 복수의 기판 처리 챔버를 이용하여 실시할 수 있다.
CVD 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버(30A, 30C 및 30E)는, 처리의 성질상, 내부 용적을 크게 할 수 없어, 기판(G)의 반입출구로서의 게이트 밸브(35A, 35C 및 35E) 등은 작게 설정되어 있다. 따라서 제 2 반송 장치(31)는, 반송 암(51 및 52) 중 어느 한쪽을 기판 처리 챔버(30A, 30C 및 30E)에 대하여 진입 또는 퇴출시킬 수는 있지만, 반송 암(51 및 52)을 동시에 기판 처리 챔버(30A, 30C 및 30E)에 대하여 진입 또는 퇴출시킬 수는 없다. 또한, 이들(30A, 30C, 30E)의 내부에서는, 1 단식 핀으로 1장의 기판(G)을 지지하는 구성으로 되어 있다. 즉, 기판 처리 챔버(30A, 30C 및 30E) 내에는, 도 5에 도시하는 바와 같이 탑재대(70)가 배치된 다. 탑재대(70)의 구석 귀퉁이부에는, 기판(G)을 지지하기 위한 4개의 지지 핀(71)이 배치된다. 지지 핀(71)은, 상하 운동하여 진출 및 퇴피하는 것이 가능하다. 본 실시 형태에서는, 지지 핀(71)이 연직 방향으로 상하로 이동 가능한 구성으로 되어 있지만, 고정식이라도 좋다.
한편, 어닐링 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버(30B, 30D)는, 처리의 성질 상, 내부 용적을 크게 할 수 있으므로, 기판(G)의 반입출구로서의 게이트 밸브(35B, 35D) 등은 크게 설정되어 있다. 따라서 기판 교환 시에 제 2 반송 장치(31)는, 반송 암(51 및 52)을 동시에 기판 처리 챔버(30B, 30D)에 대하여 진입 또는 퇴출시킬 수 있다. 또, 이들(30B, 30D)의 내부에서는 2 단식 핀으로 2장의 기판(G)을 동시에 지지하는 구성으로 되어 있다. 즉, 기판 처리 챔버(30B 및 30D) 내에는, 도 6에 도시하는 탑재대(70')가 배치된다. 탑재대(70')의 구석 귀퉁이부에는, 기판(G)을 지지하기 위한 4개의 지지 핀(72)이 배치된다. 지지 핀(72)은, 상하 운동하여 진출 및 퇴피하는 것이 가능하다. 또한, 탑재대(70')의 주위에도, 기판(G)을 지지하기 위한 4개의 지지 부재(73)가 배치된다. 지지 부재(73)는, 상하 운동하여 진출 및 퇴피 가능한 지지 막대(74) 및 그 선단부에 배치된 돌출 부재(75)를 갖는다. 지지 막대(74)는 연직 방향을 축으로 하여 돌출 부재(75)와 함께 회전 가능하다. 지지 막대(74)가 상방으로 진출하고 있을 때에, 돌출 부재(75)를 도 10의 (a)에 도시하는 퇴피 위치로부터 도 10의 (b)에 도시하는 탑재대(70) 측으로 돌출하는 위치로 회전시킴으로써, 지지 부재(73)는 기판(G)을 돌출 부재(75)상에 탑재하여 지지하는 것이 가능해져, 기판(G)의 수취 시에 제 1 위치에서 미처리 기판(G)을 지지한다. 또, 지지 핀(72)은 상방으로 진출함으로써, 기판(G)을 지지하는 것이 가능해져, 기판을 주고받을 때에, 제 1 위치보다도 하방의 제 2 위치에서 처리완료 기판(G)을 지지한다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 기판(G)의 처리 공정에 대해 설명한다. 우선, 복수의 기판(G)이 수납된 카세트(C)가, 개구(16)를 반송 장치(12) 측을 향하게 한 상태에서 탑재대(11) 위에 탑재된다. 그리고 반송 장치(12)의 반송 암(15)이 개구(16)로 진입되어, 1장의 기판(G)이 취출된다. 기판(G)을 유지한 반송 암(15)은, 하단에 배치된 로드록 장치(21) 또는 상단에 배치된 로드록 장치(22)의 게이트 밸브(25)의 전방에 대향하는 위치로 이동된다.
예를 들어, 로드록·챔버(21)(22)에 대해 설명하면, 우선 내부를 소정의 압력, 즉 반입출부(2)와 대략 동일한 대략 대기압으로 한 상태에서, 반출구(69)(82)를 게이트 밸브(26)(27)에 의해 폐쇄한 상태에서, 게이트 밸브(25)(28)를 개방 상태로 하여, 반입구(68)(81)를 개구시킨다. 이로써, 로드록·챔버(21)(22)는 반입구(68)(81)를 거쳐서 반입출부(2)의 분위기와 연통시킨 상태가 된다. 반입구(68)(81)를 개구시키고 있는 동안도, 반출구(69)(82)를 게이트 밸브(26)(27)에 의해 폐색함으로써, 반송실(33) 내의 진공 상태를 유지할 수 있다. 이와 같이 하여, 반입구(68)(81)를 개구시킨 상태에서, 기판(G)을 유지한 반송 암(15)을 Y축 방향으로 이동시켜, 게이트 밸브(25)(28), 반입구(68)(81)를 거쳐서 로드록·챔버(21)(22) 내로 진입시켜, 반송 암(15)으로부터 대향하는 한 쌍의 상측 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위에 미처리 기 판(G)을 주고받는다. 주고받는 핸드는, 비어 있는 핸드이면 상측 또는 하측 중 어느 것이라도 좋다. 또, 비어 있지 않은 쪽의 핸드에는, 처리완료 기판(G)이 탑재되어 있다. 미처리 기판(G)은 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위에 일시적으로 탑재된다. 반송 암(15)은, 로드록·챔버(21)(22)로부터 퇴출되어, 로드록·챔버(21)(22) 내의 상측의 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측의 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위에 탑재된 처리완료 기판(G)을 회수하기 위해 높이가 조정된다. 조정 후에, 반송 암(15)은 다시 로드록·챔버 내로 진출되어, 로드록·챔버(21)(22) 내의 한 쌍의 상측 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위의 처리완료 기판(G)을 받는다. 처리완료 기판(G)을 유지하는 반송 암(15)은, 소정의 카세트(C)의 개구(16)로 진입되어, 처리완료 기판(G)이 수납된다.
이와 같이 하여 기판(G)이 게이트 밸브(25)(28), 반입구(68)(81)를 통해 반입되고, 반송 암(15)이 로드록·챔버(21)(22)로부터 퇴출되면, 게이트 밸브(25)(28)를 폐쇄하여, 로드록·챔버(21)(22)를 밀폐 상태로 하여, 로드록·챔버(21)(22) 내를 배기로(도시하지 않음)에 의해 강제 배기함으로써, 로드록·챔버 내를 소정의 압력, 즉 반송실(33) 내와 대략 동일압의 진공 상태로 감압한다.
로드록·챔버가 대략 진공 상태가 되면, 반입구(68)(81)를 게이트 밸브(25)(28)에 의해 폐쇄한 상태에서, 게이트 밸브(26)(27)를 개방 상태로 하여, 반출구(69)(82)를 개구시킨다. 이로써, 로드록·챔버(21)(22)는 반출구(69)(82)를 거쳐서 반송실(33)의 분위기와 연통시킨 상태가 된다. 반출구(69)(82)를 개구시키 고 있는 동안도, 반입구(68)(81)를 게이트 밸브(25)(28)에 의해 폐색함으로써, 로드록·챔버(21)(22) 및 반송실(33) 내의 진공 상태를 유지할 수 있다.
그 후, 제 2 반송 장치(31)의 반송 암(51 또는 52)에 의해, 미처리 기판(G)이 로드록·챔버(21)(22)로부터 반송실(33)로 반출된다. 반송 암(51 또는 52)에 의해 유지된 미처리 기판(G)은, 예를 들어 CVD 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버(30A, 30C 또는 30E) 내로 반입되어, CVD 처리가 행해진다. CVD 처리 후의 기판(G)은, 반송 기구(54)의 반송 암(51 또는 52)에 의해, 기판 처리 챔버(30A, 30C 또는 30E)로부터 반송실(33)로 반출된다. 계속해서, 반송 암(51 또는 52)에 의해, 예를 들어 어닐링 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버(30B 또는 30D) 내로 반입되어, 어닐링 처리가 행해진다. 어닐링 처리 후의 기판(G)은, 반송 기구(54)의 반송 암(51 또는 52)에 의해, 기판 처리 챔버(30B 또는 30D)로부터 반송실(33)로 반출된다. 또, 최초에 반송하는 것 이외는, 기판 처리 챔버(30A 내지 30E) 내에는 처리완료 기판(G)이 존재하고 있으며, 이 처리완료 기판(G)과 미처리 기판(G)과의 교환을 실행하게 된다.
기판 처리의 종료 후, 게이트 밸브(25)(28)가 폐쇄되고, 배기로(도시하지 않음)에 의해 강제 배기되어, 로드록·챔버(21)(22) 내는 반송실(33) 내와 대략 동일압의 진공 상태로 감압된다. 이 대략 진공 상태에서, 반출구(68)(81)를 게이트 밸브(25)(28)에 의해 폐쇄한 상태에서, 게이트 밸브(26)(27)를 개방 상태로 하여, 반입구(69)(82)를 개구시킨다. 이로써, 로드록·챔버(21)(22)는 반입구(69)(82)를 거쳐서 반송실(33)의 분위기와 연통시킨 상태가 된다. 반입구(69)(82)를 개구시키 고 있는 동안도, 반출구(68)(81)를 게이트 밸브(25)(28)에 의해 폐색함으로써, 로드록·챔버(21)(22) 및 반송실(33) 내의 진공 상태가 유지되고 있다.
이와 같이 하여, 반입구(69)(82)를 개구 상태로 하면, 처리완료 기판(G)을 회수하여 유지하는 제 2 반송 장치(31)가 회전되어, 로드록·챔버(22)에 대향된다. 회전시킬 때에, 필요에 따라서 반송 암(51, 52)을 상승시켜, 반입구(82)의 높이에 적응시킨다. 이때, 제 2 반송 장치(31)는 반송 암(51)의 핀(55, 56) 및 반송 암(52)의 핀(59, 60) 중 한쪽에 처리완료 기판(G)을 유지하고, 다른 쪽에 기판(G)을 유지하고 있지 않은 상태이다. 처리완료 기판(G)은, 처리부(3)의 반송실(33)로부터 반입구(69)(82), 게이트 밸브(26)(27)을 통해 로드록·챔버(21)(22) 내로 반입된다.
로드록·챔버(21)(22) 내가 대략 대기압 상태가 되면, 반입구(69)(82)를 게이트 밸브(26)(27)에 의해 폐쇄한 상태에서, 게이트 밸브(25)(28)를 개방 상태로 하여, 반출구(68)(81)를 개구시킨다. 이로써, 로드록·챔버(21)(22)는 반출구(68)(81)를 거쳐서 반입출부(2)의 분위기와 연통시킨 상태가 된다. 반출구(68)(81)를 개구시키고 있는 동안도, 반입구(69)(82)를 게이트 밸브(26)(27)에 의해 폐색함으로써, 반송실(33) 내의 진공 상태를 유지할 수 있다.
반송 장치(12)의 반송 암(15)이 카세트(C)의 개구(16)로 진입되어, 1장의 미처리 기판(G)이 취출된다. 반출구(68)(81)가 개구 상태가 된 후, 이 미처리 기판(G)을 유지한 반송 장치(12)의 반송 암(15)이 Y축 방향으로 이동되어, 게이트 밸브(25)(28), 반출구(68)(81)를 거쳐서 로드록·챔버(21)(22) 내로 진입된다. 그리 고 반송 암(15)으로부터 대향하는 한 쌍의 상측 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위에 일시적으로 탑재된다. 반송 암(15)은, 로드록·챔버(21)(22)로부터 퇴출되어, 로드록·챔버(21)(22) 내의 상측 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 위에 탑재된 처리완료 기판(G)을 회수하기 위해 높이가 조정된다. 조정 후에, 반송 암(15)은 다시 로드록·챔버(21)(22) 내로 진출되어, 로드록·챔버(21)(22) 내의 한 쌍의 상측 핸드(63a)(76a), (63b)(76b) 또는 하측 핸드(64a)(77a), (64b)(77b) 상의 처리완료 기판(G)을 받는다. 처리완료 기판(G)을 유지하는 반송 암(15)은, 소정의 카세트(C)의 개구(16)로 진입되어, 처리완료 기판(G)이 수납된다. 이상과 같이 하여, 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 처리 공정이 종료된다. 또, 로드록·챔버(21)에 대해 설명했지만, 로드록·챔버(22)에 대해서도 일련의 처리 공정이 행해진다.
여기에서, 제 2 반송 장치(31)에 의한 기판 처리 챔버(30B, 30D)에 대한 기판(G)의 반입출에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 기판 처리 챔버(30B, 30D)는 2 단식의 핀으로 동시에 2장의 기판(G)을 내부에 지지하는 구성을 갖고, 제 2 반송 장치(31)의 반송 암(51 및 52)을 동시에 진입 및 퇴출시키는 제 1 순서에서 기판(G)을 교환하는 것이 가능하다. 이 제 1 순서는, 도 14에 도시되는 순서로 행해진다. 또, 도 14의 (a) 내지 도 14의 (d)에서는 보기 쉬움을 고려하여, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)을 좌우에 배치하여 도시하고 있지만, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)은 상하로 포개어 유지되어도 좋다.
기판 처리 챔버(30B)에 대해, 제 1 순서에서 행해지는 기판 교환을 설명한 다. 제 2 반송 장치(31)는 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에 처리완료 기판(G)을 유지하고, 반송 암(51)의 핀(55, 56) 위에 기판(G)을 유지하고 있지 않은 상태라고 가정한다. 처리완료 기판(G)을 회수하여 유지하는 제 2 반송 장치(31)는 소정의 대상 챔버로서의 기판 처리 챔버(30B)로 어닐링 처리를 실행하도록, 회전되어 기판 처리 챔버(30B)에 대향한다[도 14의 (a)]. 회전시킬 때에, 필요에 따라서 반송 암(51, 52)을 상승시켜, 기판 처리 챔버(30B)에 접속된 게이트 밸브(35B)의 높이에 적응시킨다.
기판 처리 챔버의 탑재대(70') 위에 처리완료 기판(G)을 탑재한 상태에서, 지지 부재(73)를 도 10의 (a)의 상태로부터 진출시킨다. 또한, 도 10의 (b)와 같이 지지 막대(74)를 회전시켜, 돌출 부재(75)가 탑재대(70) 측으로 돌출하는 위치가 되도록 한다. 이 상태에서, 이 지지 부재(73)는 제 1 위치에서 미처리 기판(G)을 돌출 부재(75)상에 탑재하여 수취하는 것이 가능한 상태가 된다.
다음에, 지지 핀(72)을 상방으로 진출시켜, 처리완료 기판(G)을 상승시켜서, 제 2 위치에서 지지하도록 한다. 이상과 같은 동작에 의해, 도 11의 상태가 형성된다. 이 경우에, 제 2 반송 장치(31)에서는 반송 암(51)의 핀(55, 56)이 상기 제 2 위치에 대응하고, 반송 암(52)의 핀(59, 60)이 상기 제 1 위치에 대응하는 위치가 되도록 높이가 설정되어 있다. 또한 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에, 미처리 기판(G)이 지지되어 유지되고 있다.
다음에, 도 12에 도시되어 있는 바와 같이, 반송 암(51 및 52)을 동시에 신장하여, 탑재대(70')의 상방으로 진출시켜, 미처리 기판(G)을 탑재대(70')의 상방 의 제 1 위치까지 반송한다[도 14의 (b)]. 이 경우에, 반송 암(51)의 핀(55, 56)은 제 2 위치에 있는 처리완료 기판(G)의 바로 아래에 위치한다. 이 상태에서, 지지 부재(73)의 지지 막대(74)를 약간 상승시키고, 동시에 지지 핀(72)을 하강시킨다. 이로써, 미처리 기판(G)은 지지 부재(73) 위에 탑재된 상태가 되는 동시에, 처리완료 기판은 반송 암(51)의 핀(55, 56) 위에 지지되어 유지된 상태가 된다[도 14의 (c)].
그 후, 도 13에 도시된 바와 같이, 처리완료 기판(G)이 핀(55, 56) 위에 탑재된 상태의 반송 암(51)을 수축하여 퇴출시킨다[도 14의 (d)]. 그리고 도 6에 도시되는 바와 같이, 다시 지지 핀(72)을 상방으로 진출시켜, 미처리 기판(G)을 지지하고, 지지 부재(73)를 퇴피시켜 도 10의 (a)의 상태로 복귀시킨다. 이 도 6의 동작과 병행하여, 기판 처리 챔버(30C)와 반송실(33) 사이의 게이트 밸브(35C)를 폐쇄하는 동작으로 들어가, 기판 처리 챔버(30C)가 밀폐된 후에, 공급로(도시하지 않음)로부터 O2 등이 공급되어, 기판(G)이 어닐링 처리된다. 또, 기판 처리 챔버(30B)에 대해 설명했지만, 기판 처리 챔버(30D)에 대해서도 마찬가지로 하여 제 1 순서에서 기판 교환이 행해진다.
다음에, 제 2 반송 장치(31)에 의한 로드록·챔버(21, 22)에 대한 기판(G)의 반입출에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 로드록·챔버(21, 22)는 2 단식의 핸드로 동시에 2장의 기판(G)을 내부에 지지 가능한 구성을 갖지만, 이 2 단식의 핸드는 고정식이며, 2장의 기판(G)을 동시에 교환할 수는 없다. 따라서 로드록· 챔버(21, 22)는 반송 장치(31)의 반송 암(51 및 52)을 다른 타이밍에서 진입 및 퇴출시키는 제 2 순서에서 기판(G)을 교환하는 것이 가능하다. 이 제 2 순서는, 도 15에 도시되는 순서로 행해진다. 또, 도 15의 (a) 내지 도 15의 (f)에서는 보기 쉬움을 고려하여, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)을 좌우에 배치하여 도시하고 있지만, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)은 상하로 포개어 유지되어도 좋다.
로드록·챔버(21)에 대해, 제 2 순서에서 행해지는 기판 교환을 설명한다. 제 2 반송 장치(31)는, 반송 암(51)의 핀(55, 56) 위에 처리완료 기판(G)을 유지하고, 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에 기판(G)을 유지하고 있지 않은 상태라고 가정한다. 제 2 반송 장치(31)를 회전시켜 대상 챔버로서의 로드록·챔버(21)에 대향시킨다[도 15의 (a)]. 회전시킬 때에, 필요에 따라서, 반송 암(51, 52)을 상승시켜, 게이트 밸브(26) 및 반출구(69)의 높이에 적응시킨다. 반송 암(51)을, Y축 방향으로 신장하여, 게이트 밸브(26), 반출구(69)를 거쳐서 한 쌍의 핸드(63a 및 63b) 위에 미처리 기판(G)을 유지하는 로드록·챔버(21) 내로 진입시킨다[도 15의 (b)]. 이때, 반송 암(51)의 핀(55, 56)이 로드록·챔버(21)의 핸드(63a, 63b과 64a, 64b) 사이에 위치하도록 한다.
다음에, 반송 암(51)을 하강시켜, 반송 암(51)의 핀(55, 56)이 유지하는 처리완료 기판(G)을 핸드(64a 및 64b)(하단 지지 레벨) 위에 탑재한다[도 15의 (c)]. 기판(G)을 유지하지 않는 상태의 반송 암(51)을, 수축하여 퇴출시킨다. 반송 암(51)의 수축과 동시에, 기판(G)을 유지하지 않는 반송 암(52)을 신장하여, 로드록·챔버(21) 내로 진입시킨다[도 15의 (d)]. 이때, 반송 암(52)의 핀(59, 60)이 로드록·챔버(21)의 핸드(63a, 63b과 64a, 64b) 사이에 위치하도록 한다. 반송 암(52)을 상승시켜, 핸드(63a, 63b)가 유지하는 미처리 기판(G)이 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에 지지되어 유지되는 상태로 한다[도 15의 (e)]. 미처리 기판(G)을 유지하는 상태의 반송 암(52)을, 수축하여 퇴출시킨다. 이와 같이 하여, 기판(G)이, 로드록·챔버(21)로부터 반출구(69), 게이트 밸브(26)를 통해 반출되어, 처리부(3)의 반송실(33)로 반입된다. 또, 로드록·챔버(21)에 대해 설명했지만, 로드록·챔버(22)에 대해서도 마찬가지로 하여 제 1 순서에서 기판 교환이 행해진다.
한편, 제 2 반송 장치(31)에 의한 기판 처리 챔버(30A, 30C, 30E)에 대한 기판(G)의 반입출에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 기판 처리 챔버(30A, 30C, 30E)는, 1 단식의 핀으로 1장의 기판(G)을 내부에 지지하는 구성을 갖고, 제 2 반송 장치(31)의 반송 암(51 또는 52)을 다른 타이밍에서 진입 및 퇴출시키는 제 3 순서에서 기판(G)을 교환하는 것이 가능하다. 이 제 3 순서는, 도 16에 도시되는 순서로 행해진다. 또, 도 16의 (a) 내지 도 16의 (g)에서는 보기 쉬움을 고려하여, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)을 좌우에 배치하여 도시하고 있지만, 반송 암에 의해 유지되는 기판(G)은 상하로 포개어 유지되어도 좋다.
기판 처리 챔버(30A)에 대해, 제 3 순서에서 행해지는 기판 교환을 설명한다. 제 3 순서는, 제 2 순서와 유사하지만, 제 2 순서에서는 반송 암(52)의 퇴출과 반송 암(51)의 진입을 동시에 실행하고 있는[도 15의 (c), (d)] 것에 대하여, 제 3 순서에서는 다른 타이밍에서 실행하고 있다고[도 16의 (c), (d), (e)] 하는 점에서 다르다. 제 2 반송 장치(31)는, 반송 암(51)의 핀(55, 56) 위에 처리완료 기판(G)을 유지하여, 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에 기판(G)을 유지하고 있지 않은 상태라고 가정한다. 제 2 반송 장치(31)가 회전되어, 이 기판 처리 챔버(30A)에 대향된다[도 16의 (a)]. 회전시킬 때에, 필요에 따라서 반송 암(51, 52)을 상승시켜, 반송 암(52)을 기판 처리 챔버(30A)와 접속되어 있는 게이트 밸브(35A)의 높이에 적응시킨다.
우선, 기판 처리 챔버(30A)의 탑재대(70) 위에 처리완료 기판(G)을 탑재한 상태에서, 지지 핀(71)을 상방으로 진출시켜, 도 5에 도시된 바와 같이 처리완료 기판(G)이 지지된 상태로 한다. 이 상태에서, 우선 기판(G)을 유지하지 않은 반송 암(52)을 신장하여, 도 7에 도시하는 바와 같이 선단부에 설치된 핀(59, 60)을 기판 처리 챔버(30A) 내의 처리완료 기판(G)의 하방의 위치로 진입시킨다[도 16의 (b)].
계속해서, 지지 핀(71)을 하강시켜, 처리완료 기판(G)은 도 8에 도시하는 바와 같이, 반송 암(52)의 핀(59, 60) 위에 지지되어 유지된 상태가 된다[도 16의 (c)]. 처리완료 기판(G)이 핀(59, 60) 위에 탑재된 상태의 반송 암(52)을, 도 9에 도시하는 바와 같이 수축해서 퇴출시킨다[도 16의 (d)]. 다음에, 반송 암(51, 52)을 상승시켜, 반송 암(51)을 게이트 밸브(35A)의 높이에 적응시킨다. 핀(55, 56) 위에 미처리 기판(G)을 유지하는 반송 암(51)이 신장되어, 도 8에 도시하는 바와 같이 미처리 기판(G)이 지지 핀(71)의 상방의 위치로 반송된다[도 16의 (e)]. 지지 핀(71)을 상방으로 진출시켜, 도 7에 도시하는 바와 같이 미처리 기판(G)이 반송 암(51)의 핀(55, 56)으로부터 핀(71) 위에 지지된 상태가 된다[도 16의 (f)].
다음에, 반송 암(51)이 수축하여 퇴출되는 동시에, 미처리 기판(G)을 지지하는 핀(71)이 하강해, 탑재대(70) 위에 미처리 기판(G)이 탑재된다[도 16의 (g)]. 기판 처리 챔버(30A)와 반송실(33) 사이의 게이트 밸브(35A)를 폐쇄하는 동작으로 들어가 기판 처리 챔버(30A)가 밀폐된 후에, 우선 공급로(도시하지 않음)로부터 O2가 공급되어, 기판(G)의 표면이 표층 산화된다. 계속해서, 공급로(도시하지 않음)로부터 실란, O2, Ar 등의 가스가 공급되어, CVD 처리에 의해, 기판(G) 위에 SiO2의 산화막이 생성된다. 또, 기판 처리 챔버(30A)에 대해 설명했지만, 기판 처리 챔버(30C, 30E)에 대해서도 마찬가지로 하여 제 3 순서에서 기판 교환이 행해진다.
이상의 실시 형태에서는, 기판을 유지하는 제 1 및 제 2 암을 구비하여, 복수의 챔버에 기판을 반입출시키는 반송 장치를 갖는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 기판을 교환하는 챔버의 종류에 따라서, 제 1 및 제 2 암을 처리 챔버 내로 동시에 진입시키는 상태와, 서로 다른 타이밍에서 진입시키는 상태로 절환 가능하게 구성되도록 하였으므로, 1 단식 및 2 단식의 챔버를 혼재할 수 있는 기판 처리 시스템의 처리량이 향상된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 기판을 유지하는 제 1 및 제 2 암을 구비하여, 복수의 챔버에 기판을 반입출시키는 반송 장치를 갖는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 반입출구가 크게 설정된 어닐링 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버에 대해서는, 제 1 및 제 2 암을 동시에 진입시켜, 제 1 암으로 챔버 내로부터 기판을 반출하는 공정과, 제 2 암으로 챔버 내로 기판을 반입하는 공 정을 동시에 실행하도록 하였으므로, 기판의 반송 시간이 단축된다. 마찬가지로, 기판의 반입출구가 크게 설정된 로드록·챔버에 대해서는, 제 1 암이 챔버로부터 퇴출하는 동작과, 제 2 암이 챔버 내로 진입하는 동작을 동시에 실행하도록 하였으므로, 기판의 반송 시간이 단축된다. 이와 같이 하여, 기판의 반송 시간이 단축됨으로써, 1 단식 및 2 단식의 챔버를 혼재할 수 있는 기판 처리 시스템의 처리량이 향상된다. 또한, 기판 처리 시스템은 제 1 암이 챔버로부터 퇴출하는 동작이 완료된 후, 제 2 암이 챔버 내로 진입하는 동작을 행하도록 하는 것도 가능하므로, CVD 처리 등을 행하는 기판 처리 챔버에 대해서는, 기판의 반입출구를 작게 설정할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범위 내에 있어서, 각종 변경 예 또는 수정 예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라 이해된다.
상술한 실시 형태에 있어서는, 로드록·챔버 또는 기판 처리 챔버가 1 단식 챔버일 때의 기판 교환이 상기 제 3 순서에서 실시되었지만, 상기 제 2 순서에서 실시되어도 좋다.
또, 상술한 실시 형태에 있어서는 로드록·챔버로서 2 단식의 로드록·챔버를 예로 들 수 있지만, 로드록·챔버는 1 단식의 로드록·챔버라도 좋다.
또한, 상술한 실시 형태에 있어서는 로드록·챔버를 2층 포갠 2층식의 로드 록·챔버를 이용하여 설명되어 있지만, 로드록·챔버는 1층식 또는 다층식의 로드록·챔버라도 좋다.
또, 상술한 실시 형태에 있어서는 1 단식의 기판 처리 챔버로서, 예를 들어CVD 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버를 들 수 있지만, 1 단식의 기판 처리 챔버는, 예를 들어 플라즈마 CVD 처리나 스패터링 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버라도 좋다.
또, 상술한 실시 형태에 있어서는 2 단식의 기판 처리 챔버로서, 어닐링 처리 등을 실행하는 기판 처리 챔버를 예로 들 수 있지만, 2 단식의 기판 처리 챔버는, 예를 들어 에칭 처리나 에싱 처리 등을 행하는 기판 처리 챔버라도 좋다.
또, 상술한 실시 형태에 있어서는 1 단식 챔버로서, 핀을 이용하여 기판을 지지하는 1 단식 챔버를 예로 들 수 있지만, 그 밖의 기구에 의해 기판이 1 단으로 지지되는 1 단식 챔버가 이용되어도 좋다.
또, 상술한 실시 형태에 있어서는 2 단식 챔버로서, 핸드를 이용하여 기판을 2 단으로 지지하는 2 단식 챔버 및 핀을 이용하여 기판을 2 단으로 지지하는 2 단식 챔버를 예로 들 수 있지만, 그 밖의 기구에 의해 기판이 2 단으로 지지되는 2 단식 챔버가 이용되어도 좋다.
본 발명에 의하면, 1 단식 또는 2 단식의 1 이상의 기판 처리 챔버를 혼재할 수 있는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 처리량을 향상시키는 것이 가능해진다.
본 발명에 의하면, 1 단식 또는 2 단식의 1 이상의 기판 처리 챔버를 혼재할 수 있는 멀티 챔버형의 기판 처리 시스템에 있어서, 챔버의 종류에 따라서 가장 적합한 기판의 반입출의 방법을 이용할 수 있도록 하여, 처리량을 향상시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 기판을 반입출시키는 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서,
    상기 반송 장치는 기판을 유지하는 적어도 2개의 암을 구비하며, 그들 2개의 암을 상기 처리 챔버 내로 동시에 진입시키는 상태와, 서로 다른 타이밍에서 진입시키는 상태로 절환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 챔버를 복수 구비하며, 일부의 처리 챔버에는 상기 2개의 암을 동시에 진입시키고, 다른 처리 챔버에는 상기 2개의 암을 서로 다른 타이밍에서 진입시키는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 2개의 암 중 한쪽 암에 의해 상기 처리 챔버 내로부터 기판을 반출하는 공정과, 다른 쪽의 암에 의해 상기 처리 챔버 내로 기판을 반입하는 공정을 동시에 실행하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 2개의 암 중 한쪽 암에 의해 상기 처리 챔버 내로부터 기판을 반출하는 공정과, 다른 쪽의 암에 의해 상기 처리 챔버 내로 기판을 반입하는 공정을 따로따로 실행하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 한쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로부터 퇴출시키는 공정과, 상기 다른 쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로 진입시키는 공정을 동시에 실행하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 한쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로부터 퇴출시키는 공정과, 상기 다른 쪽의 암을 상기 처리 챔버 내로 진입시키는 공정을 따로따로 실행하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
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