KR20140115165A - 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치 - Google Patents

로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140115165A
KR20140115165A KR1020130029913A KR20130029913A KR20140115165A KR 20140115165 A KR20140115165 A KR 20140115165A KR 1020130029913 A KR1020130029913 A KR 1020130029913A KR 20130029913 A KR20130029913 A KR 20130029913A KR 20140115165 A KR20140115165 A KR 20140115165A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
chamber
chamber body
door
substrate
Prior art date
Application number
KR1020130029913A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102098739B1 (ko
Inventor
오귀복
양진우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130029913A priority Critical patent/KR102098739B1/ko
Publication of KR20140115165A publication Critical patent/KR20140115165A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102098739B1 publication Critical patent/KR102098739B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03CMAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C1/00Magnetic separation
    • B03C1/02Magnetic separation acting directly on the substance being separated
    • B03C1/04Magnetic separation acting directly on the substance being separated with the material carriers in the form of trays or with tables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버는, 기판을 수용하며, 내부 압력이 대기압과 진공 상태로 반복 설정되는 로드락 챔버로서, 상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 개구부가 마련된 챔버 바디; 상기 적어도 하나의 개구부를 개폐하는 적어도 하나의 도어부; 상기 챔버 바디의 내부 압력을 조절하는 압력 조절부; 및 상기 챔버 바디의 내부에 설치되어, 상기 챔버 바디의 내부에 존재하는 금속 파티클을 자기력(magnetic force)을 이용하여 흡착하는 흡착부;를 포함할 수 있다.

Description

로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치{Loadlock chamber and chemical vapor deposition device including the same}
본 발명은 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이(FPD, Flat Panel Display)는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 사용되고 있다. 이러한 평판 디스플레이는 OLED(Organic Light Emitting Diodes), LCD(Liquid Crystal Display) 및 PDP(Plasma Display Panel) 등으로 그 종류가 다양하다.
이러한 평판 디스플레이를 제조하는 과정에서, 기판에 증착물을 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT공정이 진행될 수 있다. TFT 공정을 이루는 각각의 공정은 해당 공정의 진행을 위한 최적의 환경이 조성된 공정 챔버에서 진행된다. 특히, 최근에는 단시간 내에 많은 기판을 처리할 수 있도록 일정한 간격으로 배치되는 복수 개의 공정 챔버를 구비한 화학 기상 증착장치가 널리 사용되고 있다.
화학 기상 증착장치는 일반적으로, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 복수 개의 공정 챔버와, 공정 챔버로 기판이 진입되기 전에 기판이 공정 챔버로 진입할 수 있도록 환경을 조성하는 로드락 챔버와, 공정 챔버와 로드락 챔버를 연결하며 로드락 챔버 내의 기판을 해당 공정 챔버로 이송하거나, 해당 공정 챔버 내의 기판을 로드락 챔버로 이송하는 로봇 아암이 설치된 반송 챔버를 구비한다.
공정 챔버는 일반적으로 고온 및 진공 상태에서 기판에 대한 화학 기상 증착 공정을 진행한다. 이 때, 대기압 상태에 있는 기판을 고온 및 진공 상태인 공정 챔버로 진입시키는 과정에서 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 공정 챔버로 이송하기 전에 공정 챔버와 동일한 환경을 조성해 준다. 이러한 역할을 담당하는 것이 로드락 챔버이다. 즉, 로드락 챔버는 외부로부터 기판이 공정 챔버로 인입되기 전 또는 공정 챔버로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 공정 챔버의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 챔버를 가리킨다. 이를 위해, 로드락 챔버는 내부에 기판을 수용하며, 내부 압력이 대기압과 진공 상태로 반복 설정된다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 로드락 챔버를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 1a는 로드락 챔버의 내부가 대기압 상태인 경우를 나타낸 것이며, 도 1b는 로드락 챔버의 내부가 진공 상태인 경우를 나타낸 것이다. 로드락 챔버(40)의 내부가 진공 상태인 경우, 내부 압력과 외부 압력의 차이로 인해 챔버 바디(41)의 상하벽에 화살표 방향으로 힘이 작용하여, 챔버 바디(41)가 수축한다. 로드락 챔버(40)의 내부가 대기압과 진공 상태로 반복되는 과정에서, 챔버 바디(41)는 팽창과 수축을 반복한다. 챔버 바디(41)가 팽창과 수축을 반복함에 따라 도 1b와 같이 챔버 바디(41)의 연결부에서 의도치 않게 금속 파티클(P)이 발생하게 된다. 한편, 로드락 챔버(40)는 도어부(42a, 42b)가 개구부(41a, 41b)를 개방하였을 때, 개방된 개구부(41a, 41b)를 통해 외부로부터 금속 파티클(P)이 내부로 유입될 수 있다.
이러한 금속 파티클(P)이 존재하는 로드락 챔버(40) 내부로 기판이 이송될 경우, 금속 파티클(P)이 기판에 부착될 수 있으며, 그로 인해 기판에 대한 증착 불량이 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은 로드락 챔버 내부에 존재하는 금속 파티클들을 제거함으로써, 기판에 대한 증착 불량을 방지하는 로드락 챔버를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은, 상술한 로드락 챔버를 포함하는 화학 기상 증착장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버는, 기판을 수용하며, 내부 압력이 대기압과 진공 상태로 반복 설정되는 로드락 챔버에 관한 것으로서,
상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 개구부가 마련된 챔버 바디;
상기 적어도 하나의 개구부를 개폐하는 적어도 하나의 도어부;
상기 챔버 바디의 내부 압력을 조절하는 압력 조절부; 및
상기 챔버 바디의 내부에 설치되어, 상기 챔버 바디의 내부에 존재하는 금속 파티클을 자기력(magnetic force)을 이용하여 흡착하는 흡착부;를 포함할 수 있다.
상기 도어부는, 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 개구부를 개방할 수 있다.
상기 흡착부는 상기 개구부가 개방될 때, 상기 도어부에 의해 외부로부터 접근이 차단되는 영역에 배치될 수 있다.
상기 챔버 바디에는, 상기 개구부가 개방될 때, 상기 도어부가 상기 기판의 이동에 간섭되지 않도록, 상기 도어부를 수용하는 수용홈이 형성될 수 있다.
상기 흡착부는 상기 수용홈 내부에 배치될 수 있다.
상기 흡착부는 네오디뮴(Nd)을 재질로 하는 자석일 수 있다.
상기 흡착부의 자기력은 1500G~ 2500G 일 수 있다.
상기 개구부는 상기 챔버 바디의 일 측벽에 마련된 제1 개구와, 상기 챔버 바디의 타 측벽에 마련된 제2 개구를 포함하며, 상기 도어부는 상기 제1 개구를 개폐하는 제1 도어와, 상기 제2 개구를 개폐하는 제2 도어를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도어 중 적어도 하나는, 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 제1 및 제2 개구 중 적어도 하나를 개방할 수 있다.
상기 제1 도어는 상기 챔버 바디의 외부를 향하는 방향으로 상기 제1 개구를 개방하며, 상기 제2 도어는 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 제2 개구를 개방할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도어 각각은 상기 제1 및 제2 개구를 단방향으로 개방할 수 있다.
상기 제1 도어가 상기 제1 개구를 개방하는 방향은, 상기 제2 도어가 상기 제2 개구를 개방하는 방향과 동일할 수 있다.
상기 도어부는 개폐축이 상기 기판의 평면과 평행하게 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착장치는,
기판이 수납되는 반송챔버;
상기 반송챔버의 둘레의 일측에 연결되어 설치되며, 상술한 로드락 챔버; 및
상기 반송챔버의 둘레에 연결되어 설치되며, 상기 기판에 무기물, 유기물 중 어느 하나를 증착시키기 위한 복수의 공정챔버;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 로드락 챔버 내부에 존재하는 금속 파티클들을 자기력을 이용하여 흡착함으로써, 기판에 금속 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상술한 로드락 챔버를 포함하는 화학 기상 증착장치는, 기판에 의도치 않은 금속 파티클들의 부착을 방지할 수 있어, 금속 파티클들에 의한 기판의 증착 불량을 방지할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 로드락 챔버를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III의 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.
도 4는 도 3의 일부를 확대한 것으로서, 흡착부를 중심으로 도시한 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명은 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)장치(100)는, 기판(S)이 수납되는 반송 챔버(200)와, 상기 반송 챔버(200)의 둘레의 일측에 연결되어 설치되며, 내부 압력이 대기압과 진공 상태로 반복 설정되는 로드락 챔버(400)와, 반송 챔버(200)의 둘레에 연결되어 설치되며 기판(S)에 무기물, 유기물 중 어느 하나를 증착시키기 위한 복수의 공정 챔버(300)를 포함한다.
반송 챔버(200)는 로드락 챔버(400) 내의 기판(S)을 공정 챔버(300)로 이송하거나, 공정 챔버(300) 내의 기판(S)을 로드락 챔버(400)로 이송하는 로봇 아암(210)이 마련된다. 반송 챔버(200)는 공정 챔버(300)와 연결되며, 내부가 공정 챔버(300)와 동일하게 진공 상태를 가진다.
공정 챔버(300)는, 진공 상태에서 기판(S)에 대한 화학 기상 증착 공정을 수행한다. 이 때 대기압 상태에 있는 기판(S)을 직접 진공의 공정 챔버(300)로 진입시키는 과정이 어렵기 때문에, 기판(S)을 공정 챔버(300)로 이송하기 전에, 공정 챔버(300)와 동일한 환경을 조성해줄 필요가 있다. 이와 같이 공정 챔버(300)와 동일한 환경을 조성하는 역할을 하는 것이 로드락 챔버(400)이다.
이송 로봇(미도시)에 의해 외부로부터 화학 기상 증착 공정의 대상물인 기판(S)이 인입되는 경우, 로드락 챔버(400)는 로드락 챔버(400)의 내부 환경을 공정 챔버(300)와 실질적으로 동일한 온도와 압력으로 조성한다. 이처럼 공정 챔버(300)와 실질적으로 동일한 환경이 조성된 로드락 챔버(400) 내의 기판(S)은 반송 챔버(200) 내에 마련된 로봇 아암(210)에 의해 인출되어 공정 챔버(300)로 이송된 후 증착 공정이 진행된다. 반대로 공정 챔버(300) 내에서 증착 공정이 완료된 기판(S)은 로봇 아암(210)에 의해 인출되어 외부와 실질적으로 동일한 온도와 압력을 유지하는 로드락 챔버(400)로 이송된 후, 최종적으로 이송 로봇에 의해 외부로 인출되어 카세트(미도시)에 적재될 수 있다.
이와 같이, 로드락 챔버(400)는 외부로부터 기판(S)이 공정 챔버(300)로 인입되기 전 또는 공정 챔버(300)로부터 기판(S)이 외부로 인출되기 전에 공정 챔버(300)의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 기판(S)을 수용하는 역할을 담당한다.
도 3은 도 2의 III-III의 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 로드락 챔버(400)는 챔버 바디(410), 도어부(421, 422), 압력 조절부(미도시) 및 흡착부(440)를 포함한다.
챔버 바디(410)는 기판(S)을 수용할 수 있는 내부 공간을 형성하며, 기판(S)이 출입되는 적어도 하나의 개구부(411, 412)가 마련될 수 있다. 예를 들어, 개구부(411, 412)는 제1 개구(411) 및 제2 개구(412)를 포함할 수 있다. 제1 개구(411)는 기판(S)이 외부로부터 인입되는 부분에 형성되며, 제2 개구(412)는 반송 챔버(200; 도 2 참조)에 연결되는 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 개구(411)는 일 측벽(4101)에 마련되며, 제2 개구(412)는 타 측벽(4102)에 마련될 수 있다. 제1 개구(411) 및 제2 개구(412)는 챔버 바디(410)의 측벽(4101, 4102)에 서로 마주보도록 형성될 수 있다.
챔버 바디(410)는 내부 압력이 진공 상태가 될 때 작용하는 굽힘 응력을 고려하여 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 챔버 바디(410)의 재질은 알루미늄(Al), 스테인리스 스틸(SUS) 등을 포함할 수 있다.
챔버 바디(410)는 복수 개의 단위 챔버(410A, 410B)를 포함할 수 있다. 이를 통해, 복수 개의 기판(S)을 단시간 내에 반송 챔버(200)로 공급하거나, 반송 챔버(200)로부터 공급 받을 수 있다.
도어부(421, 422)는 개구부(411, 412)를 개폐할 수 있다. 예를 들어, 제1 도어(421)는 제1 개구(411)를 개폐하고, 제2 도어(422)는 제2 개구(412)를 개폐할 수 있다.
제1 도어(421) 및 제2 도어(422) 중 적어도 하나는, 챔버 바디(410)의 내부를 향하는 방향으로 제1 개구(411) 및 제2 개구(412) 중 적어도 하나를 개방할 수 있다. 예를 들어, 제2 도어(422)는 챔버 바디(410)의 내부를 향하는 방향으로 반송 챔버(200)에 연결되는 부분에 형성된 제2 개구(412)를 개방할 수 있다. 제2 도어(422)는 반송 챔버(200)의 내부가 진공 상태인 점을 이용하여, 작은 구동력으로 제2 개구(412)의 밀폐를 유지할 수 있다. 제1 도어(421)는 챔버 바디(310)의 외부를 향하는 방향으로 제1 개구(411)를 개방할 수 있다.
제1 및 제2 도어(421, 422) 각각은 제1 개구(411) 및 제2 개구(412)를 단방향으로 개방할 수 있다. 제1 도어(421)가 제1 개구(411)를 개방하는 방향은, 제2 도어(422)가 제2 개구(412)를 개방하는 방향과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 도어(421)가 기판(S)이 로드락 챔버(400)에서 반송 챔버(200)로 이송되는 방향으로 개방되고, 제2 도어(422)도 동일한 방향으로 개방될 수 있다.
제1 및 제2 도어(421, 422) 각각은 개폐축(421a, 422a)이 제1 및 제2 개구(411, 412)에서 기판(S)의 평면과 평행하게 배치될 수 있다. 개폐축(421a, 422a)을 중심으로 제1 및 제2 도어(421, 422)는 상하로 개폐될 수 있다.
압력 조절부는 챔버 바디(410)에 설치되어, 챔버 바디(410)의 내부 압력을 조절한다. 압력 조절부는 챔버 바디(410)의 내부 압력을 대기압 또는 진공 상태로 조절할 수 있다. 압력 조절부는 챔버 바디(410)의 내부 압력을 조절하기 위하여, 배기 수단(미도시)과 가스 공급 수단(430)을 포함할 수 있다. 배기 수단은 비록 도면상 도시되어 있지 않지만, 챔버 바디(410)의 내부를 배기시켜 챔버 바디(410)의 내부를 진공 상태로 만들 수 있다. 가스 공급 수단(430)은 챔버 바디(410)의 내부로 압력 조절용 가스를 주입하여 챔버 바디(410)의 내부를 대기압 상태로 만들 수 있다. 압력 조절용 가스는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다.
흡착부(440)는 챔버 바디(410)의 내부에 설치되며, 챔버 바디(410)의 내부에 존재하는 금속 파티클을 자기력을 이용하여 흡착할 수 있다.
챔버 바디(410)의 내부가 압력 조절부에 의해 대기압과 진공 상태를 반복하는 과정에서, 챔버 바디(410)는 팽창과 수축을 반복하게 되는 현상이 발생한다. 이러한 현상은 수지 재질보다 강도가 상대적으로 우수한 금속 재질의 챔버 바디(410)에서도 나타나게 된다. 이와 같이, 챔버 바디(410)가 팽창과 수축을 반복하게 되는 과정에서, 챔버 바디(410)의 연결부, 예를 들어 상하벽(4103, 4104, 4105)과 측벽(4101, 4102)의 연결부 등에서 마찰이 발생하게 되고, 마찰로 인해 연결부에서 의도하지 않은 금속 파티클들이 발생하게 된다. 이러한 금속 파티클들은 배기 수단을 통해 일부가 제거될 수 있다. 그러나, 이러한 배기 수단을 이용한 배기 과정에서 챔버 바디(410)의 내부에는 유동이 발생하게 되고, 그로 인해 상당한 양의 금속 파티클들이 챔버 바디(410)의 내부에 부유하게 되어, 외부로 배출되지 못하고, 챔버 바디(410)의 내부에 잔류하게 된다.
본 실시예에서는, 챔버 바디(410)의 내부에 유동 발생을 최소화하면서도 금속 파티클들을 효율적으로 제거하기 위하여, 챔버 바디(410)의 내부에 자기력을 가지는 흡착부(440)를 배치한다.
흡착부(440)는 자기력을 가지는 영구 자석일 수 있다. 영구 자석의 예로서 흡착부(440)는 네오디뮴(Nd)을 재질로 포함할 수 있다. 흡착부(440)로서 네오디뮴 재질의 자석을 이용함으로써, 좁은 면적에서 강한 자기력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 흡착부(440)의 자기력은 1500~ 2500 가우스(Gauss)일 수 있다. 본 실시예에서는 흡착부(440)의 재질로서, 영구 자석인 경우를 예시하였으나, 자기력을 가지는 재질이라면 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 흡착부(440)는 전류 공급에 따라 자기력을 가지는 전자석일 수 있다.
한편, 도면상 도시되어 있지 않지만, 챔버 바디(410)는 기판(S)을 지지하기 위한 리프트 핀(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 챔버 바디(410)는 챔버 바디(410)의 내부 온도를 조절하기 위한 가열 수단(미도시) 및 냉각 수단(미도시)을 더 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 일부를 확대한 것으로서, 흡착부를 중심으로 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 흡착부(440)는 외부로부터 접근이 어려운 영역에 배치될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제1 도어(421) 및 제2 도어(422) 중 적어도 하나는 챔버 바디(410)의 내측 방향으로 개방될 수 있다. 예로서, 제2 도어(422)는 챔버 바디(410)의 내측 방향으로 개방될 수 있다. 이 경우, 제2 도어(422)는 제2 개구(412)를 통과하는 기판(S)의 이동에 간섭되지 않도록, 챔버 바디(410)에는 제2 도어(422)를 수용하는 수용홈(413)이 형성될 수 있다. 이러한 수용홈(413)은 제2 도어(422)가 개방될 때, 제2 도어(422)가 수용홈(413)을 차단하기 때문에, 외부에서 접근이 곤란해진다. 그에 따라, 금속 파티클들 중 수용홈(413) 내부에 존재하는 금속 파티클들의 제거 역시 곤란해지고, 그로 인해 금속 파티클들이 기판(S)에 흡착될 수 있다. 본 실시예에서는, 흡착부(440)를 제2 도어(422)에 의해 외부로부터 접근이 차단되는 영역 중 하나인 수용홈(413) 내부에 배치할 수 있다. 이를 통해, 수용홈(413) 내부에 위치하는 금속 파티클들을 효율적으로 제거할 수 있다. 다시 말해서, 본 실시예에서는 흡착부(440)를 외부로부터 접근이 어려운 영역에 배치함으로써, 해당 영역에 잔존하는 금속 파티클들을 효율적으로 제거할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100 : 화학 기상 증착장치 200 : 반송 챔버
210 : 로봇 아암 300 : 공정 챔버
400 : 로드락 챔버 410 : 챔버 바디
411 : 제1 개구 412 : 제2 개구
413 : 수용홈 421 : 제1 도어
422 : 제2 도어 421a, 422a : 개폐축
430 : 가스 공급 수단 440 : 흡착부
S : 기판

Claims (14)

  1. 기판을 수용하며, 내부 압력이 대기압과 진공 상태로 반복 설정되는 로드락 챔버로서,
    상기 기판이 출입되는 적어도 하나의 개구부가 마련된 챔버 바디;
    상기 적어도 하나의 개구부를 개폐하는 적어도 하나의 도어부;
    상기 챔버 바디의 내부 압력을 조절하는 압력 조절부; 및
    상기 챔버 바디의 내부에 설치되어, 상기 챔버 바디의 내부에 존재하는 금속 파티클을 자기력(magnetic force)을 이용하여 흡착하는 흡착부;를 포함하는 로드락 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도어부는, 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 개구부를 개방하는 로드락 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 흡착부는,
    상기 개구부가 개방될 때, 상기 도어부에 의해 외부로부터 접근이 차단되는 영역에 배치된 로드락 챔버.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 챔버 바디에는,
    상기 개구부가 개방될 때, 상기 도어부가 상기 기판의 이동에 간섭되지 않도록, 상기 도어부를 수용하는 수용홈이 형성된 로드락 챔버.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 흡착부는 상기 수용홈 내부에 배치된 로드락 챔버.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 흡착부는 네오디뮴(Nd)을 재질로 하는 자석인 로드락 챔버.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 흡착부의 자기력은 1500G~ 2500G 인 로드락 챔버.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 챔버 바디의 일 측벽에 마련된 제1 개구와, 상기 챔버 바디의 타 측벽에 마련된 제2 개구를 포함하며,
    상기 도어부는 상기 제1 개구를 개폐하는 제1 도어와, 상기 제2 개구를 개폐하는 제2 도어를 포함하는 로드락 챔버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도어 중 적어도 하나는, 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 제1 및 제2 개구 중 적어도 하나를 개방하는 로드락 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 도어는 상기 챔버 바디의 외부를 향하는 방향으로 상기 제1 개구를 개방하며,
    상기 제2 도어는 상기 챔버 바디의 내부를 향하는 방향으로 상기 제2 개구를 개방하는 로드락 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도어 각각은 상기 제1 및 제2 개구를 단방향으로 개방하는 로드락 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 도어가 상기 제1 개구를 개방하는 방향은, 상기 제2 도어가 상기 제2 개구를 개방하는 방향과 동일한 로드락 챔버.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 도어부는 개폐축이 상기 기판의 평면과 평행하게 배치되는 로드락 챔버.
  14. 기판이 수납되는 반송챔버;
    상기 반송챔버의 둘레의 일측에 연결되어 설치되며, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 로드락 챔버; 및
    상기 반송챔버의 둘레에 연결되어 설치되며, 상기 기판에 무기물, 유기물 중 어느 하나를 증착시키기 위한 복수의 공정챔버;를 포함하는 화학 기상 증착장치.
KR1020130029913A 2013-03-20 2013-03-20 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치 KR102098739B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130029913A KR102098739B1 (ko) 2013-03-20 2013-03-20 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130029913A KR102098739B1 (ko) 2013-03-20 2013-03-20 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140115165A true KR20140115165A (ko) 2014-09-30
KR102098739B1 KR102098739B1 (ko) 2020-04-09

Family

ID=51758584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130029913A KR102098739B1 (ko) 2013-03-20 2013-03-20 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102098739B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170083450A (ko) * 2016-01-08 2017-07-18 주성엔지니어링(주) 기판처리장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161598A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Tel Varian Ltd 真空処理装置
KR19980085876A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 윤종용 반도체장치 제조설비의 파티클 제거장치와 이를 적용한 반도체장치 제조설비 및 파티클 제거방법
JP2003007797A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Sharp Corp 真空処理装置
KR20070033925A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 시스템 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161598A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Tel Varian Ltd 真空処理装置
KR19980085876A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 윤종용 반도체장치 제조설비의 파티클 제거장치와 이를 적용한 반도체장치 제조설비 및 파티클 제거방법
JP2003007797A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Sharp Corp 真空処理装置
KR20070033925A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 시스템 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170083450A (ko) * 2016-01-08 2017-07-18 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20230095897A (ko) * 2016-01-08 2023-06-29 주성엔지니어링(주) 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102098739B1 (ko) 2020-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI743246B (zh) 製造電子裝置的裝載端口設備、系統及方法
US9543180B2 (en) Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
KR102458230B1 (ko) 저압 툴 교체를 허용하는 얇은 필름 캡슐화 프로세싱 시스템 및 프로세스 키트
TWI693664B (zh) 用於腔室接口的氣體裝置、系統及方法
TW201908897A (zh) 側面儲存艙、設備前端模組及用於處理基板的方法
JP2020510320A (ja) 電子デバイス製造装置、システム、及び方法における負荷ポート動作
JP6846517B2 (ja) 電子デバイス製造用のロードポートの機器、システム、及び方法
CN102810499A (zh) 处理基材的设备和方法
KR200491849Y1 (ko) 슬릿 밸브 도어들을 구비한 로드 락 챔버
JP2018525839A (ja) 基板を移送するための装置、基板を真空処理するための装置、及び磁気浮揚システムを保守するための方法
TW201618223A (zh) 基板傳送設備
KR20160032501A (ko) 기판안착장치 및 이를 포함한 기판처리장치
TW201802999A (zh) 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法
KR102098739B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 포함하는 화학 기상 증착장치
KR102069665B1 (ko) 기판의 진공 프로세싱을 위한 장치, 유기 재료들을 갖는 디바이스들의 제조를 위한 시스템, 및 프로세싱 진공 챔버와 유지보수 진공 챔버를 서로 밀봉하기 위한 방법
TWI670789B (zh) 用於一真空系統中使用之載體、用以真空處理之系統、及用於一基板之真空處理之方法
TW201619018A (zh) 用於傳送基板的方法和設備
KR102100032B1 (ko) 게이트 밸브 장치 및 기판 처리 시스템
JP4521177B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理システム
KR100915156B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR101479933B1 (ko) 게이트 밸브
KR101668687B1 (ko) 퍼니스형 기판 처리 설비
US20150214080A1 (en) Substrate heat treatment apparatus, method of installing substrate heat treatment apparatus
KR101587016B1 (ko) 보트 승강 장치 및 퍼니스형 기판 처리 설비
KR20200002069A (ko) 멀티 카세트 로드락 챔버

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant