CN1937201A - 基板处理系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在能够单层式或双层式的一个以上基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中提高生产率的基板处理装置和方法。根据处理腔室的种类和基板的处理，使用从两个搬送臂同时进入和退出进行基板搬入搬出的第一顺序、以两个搬送臂在互相不同的时刻进入进行搬入搬出的第三顺序和在同时进行搬入和搬出基板的第一和第三顺序之间的第二顺序中选取的最适宜的基板搬入搬出方法。

Description

基板处理系统和方法
技术领域
本发明涉及使用负载锁定腔室和基板处理腔室等多个处理腔室以及用于在这些多个处理腔室之间搬送基板的搬送腔室的基板处理系统和方法。
背景技术
在现有技术中，揭示有用于在LCD(液晶显示器)或半导体晶片等基板上实施基板处理的各种基板处理的方法和装置。例如在专利文献1中就揭示有一种多腔室型的基板处理系统，其中，在搬送基板的搬送腔室的周围设置有用于搬入搬出基板的负载锁定腔室和在减压的环境下对搬入的基板进行刻蚀等基板处理的各种基板处理腔室等。
在这样的多腔室型基板处理系统中，使用各种技术以提高装置的生产率。例如，在上述专利文献1中所述的基板处理系统中，在基板处理腔室内设置有能够同时支撑两片基板的双层支撑部件，由此能够通过基板搬送用臂在基板处理腔室内一次的进入退出动作对处理过的基板和未处理的基板进行交换。
【专利文献1】日本特开2001-160584
但是，使用在上述专利文献1中所述的使用双层支撑部件的基板处理腔室，能够在两层上同时进行基板的搬入和搬出，不过根据基板处理种类的不同，有时两层同时处理并非是优选的，例如，在进行CVD处理时，不希望使处理腔室内部复杂化。
如此，与使用单层支撑部件的基板处理腔室相反，基板的搬入搬出是分别在每一层进行的。从而，在单层基板处理腔室和双层基板处理腔室混合存在的情况下，在用一样的方法进行基板搬入搬出的现有技术的基板处理系统和基板处理方法中，与双层基板处理腔室相反而与单层的同样，分别在每一层进行基板的搬入搬出，从而，降低了生产率。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种基板处理系统和方法，在单层或双层以上的基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中，能够根据处理腔室种类的不同，使用最合适的基板搬入搬出方法，以提高生产率。
为了解决上述课题，按照本发明提供的一种基板处理系统，其特征在于，包括：对基板进行处理的处理腔室和将基板搬入搬出该处理腔室的搬送装置，其中，上述搬送装置包括至少两个保持基板的臂，其构成为能够在使这两个臂同时进入上述处理腔室内的状态和在互相不同的时刻进入上述处理腔室内的状态之间进行切换。
此外，在上述基板处理系统中，包括多个上述处理腔室，上述两个臂同时进入一部分处理腔室，上述两个臂也可以在互相不同的时刻进入其他处理腔室。
此外，为了解决上述课题，按照本发明提供的一种基板处理方法，其特征在于：该方法是使用上述基板处理系统的基板处理方法，同时进行用上述两个臂中的一个臂从上述处理腔室中搬出基板的工序和用另一个臂向上述处理腔室内搬入基板的工序。
为了解决上述课题，按照本发明提供的一种基板处理方法，其特征在于：分别进行用上述两个臂中的一个臂从上述处理腔室中搬出基板的工序和用另一个臂向上述处理腔室内搬入基板的工序。此外，在上述基板处理方法中，可以同时进行使上述一个臂从处理腔室内退出的工序和使上述另一个臂进入上述处理腔室内的工序。此外，在上述基板处理方法中，也可以使上述一个臂从处理腔室内退出和使上述另一个臂进入上述处理腔室内。
发明的效果
按照本发明，在单层式或双层式的一个以上基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中，根据处理腔室种类的不同而使用最适宜的基板搬入搬出方法，从而能够提高生产率。
附图说明
图1是说明本发明结构的简要平面图。
图2是说明本发明结构的简要侧视图。
图3是说明本发明结构的简要立体图。
图4是说明本发明的双层负载锁定腔室的简要立体图。
图5是说明单层载置台的简要立体图。
图6是说明双层载置台的简要立体图。
图7是说明用单层载置台进行基板交换的图。
图8是说明用单层载置台进行基板交换的图。
图9是说明用单层载置台进行基板交换的图。
图10是说明双层载置台的双层支撑销的图。
图11是说明用双层载置台进行基板交换的图。
图12是说明用双层载置台进行基板交换的图。
图13是说明用双层载置台进行基板交换的图。
图14是说明用双层式室进行基板交换的本发明第一顺序的图。
图15是说明用双层式室进行基板交换的本发明第二顺序的图。
图16是说明用单层式室进行基板交换的本发明第三顺序的图。
标号说明
1处理系统
2搬入搬出部
3处理部
5负载锁定装置
11载置台
12搬送装置
13轨道
14搬送机构
15搬送臂
16开口
21、22负载锁定腔室
25、26、27、28、35A～35E闸阀
30A、30B、30C、30D、30E基板处理腔室
31搬送装置
32搬送腔室
33搬送腔室
51、52搬送臂
53、54销用基部
55、56、59、60搬送臂前端的销
61、62支撑体
63a、63b、64a、64b把手
71、72、73支撑销
具体实施方式
下面，基于在使用LCD(液晶显示装置)作为基板的一个例子的玻璃基板上，通过CVD(化学气相沉积)形成薄膜的工序和在其后进行退火工序的基板处理系统，来说明本发明的实施方式。图1是表示涉及本发明实施方式的基板处理系统1的简要结构的平面图。图2是表示该基板处理系统1的简要结构的侧面图。在图1和图2中所示的处理系统1是所谓的多腔室型基板处理系统，包括用于相对于基板处理系统1的外部搬入搬出基板G，而相对于处理部3搬入搬出基板G的搬入搬出部2和进行CVD处理等的处理部3，在搬入搬出部2和处理部3之间设置有负载锁定装置5。
在搬入搬出部2中设置有放置装有多片基板G的盒体C的载置台11和搬送基板G的第一搬送装置12。在载置台11上，沿着图1中大致水平的X轴方向并排设置有多个盒体C。如在图2中所示，在载置台11上的盒体C内，以大致水平的姿势上下并排装有多片大致呈长方形的薄板状基板G。
搬送装置12，在水平方向的Y轴上被安装在载置台11的后面(在图1、图2中的右面)。此外，搬送装置12包括沿着X轴方向延伸的轨道13和可沿着轨道13在水平方向上移动的搬送机构14。搬送机构14包括在大致水平方向上保持一片基板G自由进退的搬送臂15，搬送机构14支撑着搬送臂15，在Z轴方向(竖直方向)上升降的同时，还能够在大致水平面内旋转。这就是说，通过搬送机构14的动作，使得搬送臂15进入设置在载置台11上各盒体C正面的开口16，此结构使得能够逐片取出各种高度的基板G并将其收起。此外，搬送臂15能够进入到夹持着搬送装置12并在与载置台11相反的方向上(Y轴方向的搬送装置12的后面)设置的负载锁定装置5中，逐片地搬入和搬出基板G。
如在图2中所示，负载锁定装置5，由一对负载锁定腔室，即第一负载锁定腔室21和第二负载锁定腔室22构成。第一负载锁定腔室21和第二负载锁定腔室22呈上下重叠的多层结构，在图示的例子中，表现为在第一负载锁定腔室21的上面放置第二负载锁定腔室22的双层结构。此外，在Y轴方向的负载锁定腔室21的前面(图2中的左侧)，设置有使如下所述的负载锁定腔室21的搬入口68开关的闸阀25，在Y轴方向负载锁定腔室21的后面，设置有使如下所述的负载锁定腔室21的搬出口69开关的闸阀26。在Y轴方向的负载锁定腔室22的后面，设置有使如下所述的负载锁定腔室22的搬入口82开关的闸阀27，在Y轴方向负载锁定腔室22的前面，设置有使如下所述的负载锁定腔室22的搬出口81开关的闸阀28。在这样的结构中，通过关闭各闸阀25、28，可分别将搬入搬出部2的环境与负载锁定腔室21、22内的环境隔断。此外，通过关闭各闸阀26、27，而能够分别将处理部3的环境与负载锁定腔室21、22内的环境隔断。其中，基板G从搬入搬出部2通过上层和下层的负载锁定腔室21和22而被搬入处理部3中，在处理部3中进行处理之后，经过负载锁定腔室21和22被取出搬入搬出部2。各负载锁定腔室21、22的结构，将在下面详细说明。
如在图1中所示，在处理部3中，包括容纳基板G并实施CVD处理等处理的多个(例如5个)基板处理腔室30A～30E、以及在负载锁定装置5和各基板处理腔室30A～30E之间搬送基板G的第二搬送装置31。第二搬送装置31被收容于设置在密闭结构的搬送腔室32内的搬送室33中。搬送腔室32设置在Y轴方向在负载锁定装置5的后面。此外，负载锁定装置5和基板处理腔室30A～30E被配置在搬送腔室32的周围。
在搬送室33和负载锁定腔室21、22之间，分别设置有如上所述的闸阀26、27，由各闸阀26、27分别将搬送室33内的环境与负载锁定腔室21、22内的环境隔断。在搬送室33和各基板处理腔室30A～30E之间分别设置有闸阀35A～35E，由各闸阀35A～35E将基板处理腔室30A～30E的开口进行气密性闭塞，能够分别将搬送室33内的环境与各基板处理腔室30A～30E内的环境隔断。此外，如在图2中所示，在搬送室33内设置有用来强制排气减压的排气通道36。在基板处理系统1中进行处理时，处理部3的搬送室33和基板处理腔室30A～30E内处于比搬入搬出部2的压力更低，例如处于真空的状态。
第二搬送装置31包括例如互相独立并能够伸缩的两个多关节连接的搬送臂51和52。如在图3中所示，搬送臂51在其前端上包括平板状的销用基部53。在该销用基部53上设置有平行突出的一对销55、56，能够将一片基板G保持在大致水平的平面内。搬送臂52和搬送臂51一样，也在其前端具有销用基部54。该销用基部54具有与销用基部53大致同样形状的平板状部分57和支撑在此平板状部分57的上方使其与销用基部53平行的支撑部58。在销用基部54的平板状部分57上，在与销用基部53的上方大致水平面内，设置有能够保持一片基板G的平行突出的一对销59、60。这就是说，搬送臂51和搬送臂52，能够在不同高度的大致水平面内同时保持一片一片的基板G。其中，在搬送臂51和52处于保持或不保持基板G的状态下伸缩时，销用基部53和54的结构能够交错地滑动不会妨碍彼此的运动。设置有搬送臂51和52的支撑体61被支撑在另一个支撑体62上，能够在Z轴方向上屈伸和在大致的水平面内旋转。从而，搬送臂51和52，经过各闸阀26、27、35A～35E，使搬送臂51或52进入各负载锁定腔室21、22或基板处理腔室30A～30E中，其结构使得能够一片片地搬入或搬出基板G。
下面，使用负载锁定腔室21来详细说明上述同样结构的负载锁定腔室21和22。如在图4中所示，密闭结构的负载锁定腔室21具有大致水平的两层基板支撑水平面，其结构能够在其内部一次保持两片基板G。上层支撑水平面由相对的一对把手63a和63b来界定，下层支撑水平面由相对的一对把手64a和64b界定。
各把手63a、63b、64a和64b，都具有安装用来在任何一个被固定的根部66上支撑基板G的固定式指状体65的结构。
在负载锁定腔室21的搬入搬出部2的一侧，即在Y轴方向的前面，设置有用来向负载锁定腔室21中搬入基板G的搬入口68。在搬入口68上装有上述的闸阀25，可以由该闸阀25保持气密性。而在负载锁定腔室21靠近处理部3的一侧，即在Y轴方向上的后面，设置有用来从负载锁定腔室21搬出基板G的搬出口69。在搬出口69上设置有上述闸阀26，由此闸阀26可以保持气密性。其中，作为周围基板G的搬入搬出口的搬出口69以及闸阀26，其尺寸设计得在第二搬送装置31交换基板时，能够使搬送臂51和52同时进入或退出负载锁定腔室21。
基板处理腔室30A～30E，其各自的结构适合于进行规定的基板处理。在基板处理腔室上，连接着根据各种处理用来供给规定处理气体的供给通道(图中未显示)和用来排出处理腔室内气体的排气通道(图中未显示)。在此实施方式中，在例如基板处理腔室30A、30C和30E中通过多晶硅表层氧化和CVD生成氧化膜，然后，在基板处理腔室30B或30D中进行退火处理。在基板处理腔室中进行的处理组合并不限于此，可以用多个基板处理腔室实施连续处理、并行处理等任意的处理。
进行CVD处理等的基板处理腔室30A、30C和30E，从处理的性质出发，其内部容积不能太大，作为基板G的搬入搬出口的闸阀35A、35C和35E等要设定得比较小。从而，第二搬送装置31，其搬送臂51和52中的任何一个能够进入或退出基板处理腔室30A、30C和30E，而搬送臂51和52又不能同时进入或退出基板处理腔室30A、30C和30E。此外，在这些30A、30C和30E的内部，在单层的销上支撑着一片基板G，即，如在图5中所示，在基板处理腔室30A、30C和30E内设置有载置台70。在载置台70的角落里设置有用来支撑基板G的4根支撑销71。支撑销71能够上下运动前进和后退。在此实施方式中，支撑销71的结构能够在竖直方向上上下运动，但也可以是固定式的。
另一方面，进行退火处理的基板处理腔室30B和30D，从处理的性质出发，内部的容积可以比较大，所以，作为基板G的搬入搬出口的闸阀35B和35D可设定得比较大。从而，在进行基板交换时，第二搬送装置31的搬送臂51和52能够同时进入或退出基板处理腔室30B和30D。此外，该30B和30D的内部结构，以双层支撑销同时支撑两片基板G。即，在基板处理腔室30B和30D的内部设置有如在图6中所不的载置台70’。在载置台70’的角落处设置有用来支撑基板G的4根支撑销72。支撑销72能够上下运动前进或后退。此外，在载置台70’的周围也设置有用来支撑基板G的4根支撑部件73。该支撑部件73具有能够上下运动前进和后退的支撑棒74和设置在其前端的展开部件75。支撑棒74能够以竖直方向为轴与展开部件75一起转动。当支撑棒74向上前进时，展开部件75从如在图10(a)中所示的退避位置旋转到图10(b)中所示从载置台70侧突出的位置，支撑部件73就能够将基板G放置在展开部件75上对其支撑，在接收基板G时，在第一位置上支撑未处理的基板G。此外，支撑销72通过向上前进，就能够支撑基板G，在转送基板G时，在第一位置下面的第二位置上支撑处理过的基板G。
下面，说明如上结构的基板处理系统1中对基板G进行的处理工序。首先，将收纳有多片基板G的盒体C，在开口16向着搬送装置12侧的状态下放置在载置台11上。然后，搬送装置12的搬送臂15进入开口16，取出一片基板G。保持住基板G的搬送臂15向着配置在下层的负载锁定装置21或配置在上层的负载锁定装置22的闸阀25的前方移动。
说明例如负载锁定腔室21(22)，首先，在将内部置于规定压力，即与搬入搬出部2大致相同的大致相当于大气压的状态下，由闸阀26(27)使搬出口69(82)关闭，闸阀25(28)处于开启状态，打开搬入口68(81)。由此，负载锁定腔室21(22)经由搬入口68(81)处于与搬入搬出部2的环境相连通的状态。在搬入口68(81)打开的期间，通过闸阀26(27)使搬出口69(82)关闭，使搬送室33内维持真空状态。如此，在打开搬入口68(81)的状态下，保持着基板G的搬送臂15在Y轴方向上移动，经由闸阀25(28)和搬入口68(81)进入负载锁定腔室21(22)内，由搬送臂15在相对的一对上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层的把手64a(77a)64b(77b)上转送未处理的基板G。只要转送把手是空的，则在上层或下层都可以。其中，在没有空出的把手上，放置着处理过的基板G。未处理的基板G，暂时放置在把手63a(76a)、63b(76b)或把手64a(77a)、64b(77b)上。搬送臂15从负载锁定腔室21(22)中退出，调节其高度以回收放置在负载锁定腔室21(22)内的上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层把手64a(77a)、64b(77b)上的处理过的基板G。在调节以后，搬送臂15再次进入负载锁定腔室中，接收在负载锁定腔室21(22)内一对上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层把手64a(77a)、64b(77b)上处理过的基板G。保持着处理过基板G的搬送臂15进入规定盒体C的开口16，使处理过的基板G被收容。
如此使基板G通过闸阀25(28)、搬入口68(81)被搬入，搬送臂15从负载锁定腔室21(22)退出，闸阀25(28)关闭，负载锁定腔室21(22)处于密闭状态，通过负载锁定腔室21(22)内的排气通道(图中未显示)进行强制排气，使负载锁定腔室内减压到规定的压力，即与搬送室33内大致相同的真空状态。
在负载锁定腔室成为大致真空状态的同时，由闸阀25(28)使搬入口68(81)处于关闭状态，而使闸阀26(27)处于开启状态，打开搬出口69(82)。由此，负载锁定腔室21(22)处于经由搬出口69(82)与搬送室33的环境相连通的状态。在搬出口69(82)打开的期间，通过闸阀25(28)使搬入口68(81)关闭，就能够维持负载锁定腔室21(22)和搬送室33内的真空状态。
此后，由第二搬送装置31的搬送臂51或52，将未处理的基板G从负载锁定腔室21(22)取出搬送到搬送室33中。被搬送臂51或52保持的未处理基板G，被搬入进行例如CVD处理等的基板处理腔室30A、30C或30E中，进行CVD处理。进行了CVD处理后的基板G，被搬送机构54的搬送臂51或52从基板处理腔室30A、30C或30E中取出送到搬送室33中。然后，由搬送臂51或52将其搬入进行例如退火处理等的基板处理腔室30B和30D中进行退火处理。经过退火处理的基板G被搬送机构54的搬送臂51或52从基板处理腔室30B或30D中取出搬入搬送室33中。其中，除了最初的搬送以外，在基板处理腔室30A～30E中一直存在着处理过的基板G，对此处理过的基板G和未处理的基板G进行交换。
在基板处理结束之后，关闭闸阀25(28)，由排气通道(图中未显示)进行强制排气，负载锁定腔室21(22)内被减压到与搬送室33内大致压力相同的真空状态。在此大致真空的状态下，依然由闸阀25(28)使搬出口68(81)关闭，在开启闸阀26(27)的状态下，打开搬入口69(82)。由此，负载锁定腔室21(22)处于经由搬入口69(82)与搬送室33相连通的状态。在搬入口69(82)打开的期间，通过闸阀25(28)使搬出口68(81)关闭，就能够维持负载锁定腔室21(22)和搬送室33内的真空状态。
如此，在搬入口69(82)处于打开的状态下，保持有回收的处理过基板G的第二搬送装置31转动，向着负载锁定腔室22。在旋转时，根据需要，使搬送臂51、52升降，以适应搬入口82的高度。此时，第二搬送装置31，其搬送臂51的销55、56和搬送臂52的销59、60，处于一方保持处理过的基板G，另一方没有保持基板G的状态。处理过的基板G，被从处理部3的搬送室33通过搬入口69(82)、闸阀26(27)而搬入负载锁定腔室21(22)内。
负载锁定腔室21(22)内处于大致是大气压的状态，依然由闸阀26(27)使搬入口69(82)关闭，而使闸阀25(28)处于打开的状态，从而使搬出口68(81)打开。由此，负载锁定腔室21(22)就处于经由搬出口68(81)与搬入搬出部2的环境相连通的状态。在搬出口68(81)打开的期间，通过闸阀26(27)使搬入口69(82)关闭，就能够维持搬送室33内的真空状态。
搬送装置12的搬送臂15进入盒体C的开口16，取出一片未处理基板G。在搬出口68(81)变成打开状态以后，保持着此未处理基板G的搬送装置12的搬送臂15向着Y轴方向移动，经由闸阀25(28)、搬出口68(81)进入负载锁定腔室21(22)中。然后，从搬送臂15暂时放置在相对的一对上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层把手64a(77a)、64b(77b)上。搬送臂15从负载锁定腔室21(22)中退出，调节高度，以回收放置在负载锁定腔室21(22)内上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层把手64a(77a)、64b(77b)上面的处理过的基板G。在调节之后，搬送臂15再次进入负载锁定腔室21(22)中，接收在负载锁定腔室21(22)内的一对上层把手63a(76a)、63b(76b)或下层把手64a(77a)、64b(77b)上面的处理过的基板G。保持着处理过基板G的搬送臂15，进入规定盒体C的开口16，使处理过的基板G被收容。如上所述，结束在处理系统1中的一系列处理工序。在此说明了负载锁定腔室21，而对于负载锁定腔室22也是进行这一系列的处理工序。
在此，说明由第二搬送装置31进行的对基板处理腔室30B和30D的搬入搬出基板G的动作。在本实施方式中，基板处理腔室30B和30D，具有在其内部用双层支撑销上同时支撑两片基板G的结构，第二搬送装置31的搬送臂51和52能够按照第一顺序同时进入和退出进行基板G的交换。该第一顺序按照在图14中所示的顺序进行。如在图14(a)～图14(d)中所容易看清的，由搬送臂保持的基板G是如图所示在左右放置的，但由搬送臂保持的基板G是上下重叠保持也是可以的。
现在说明在基板处理腔室30B中按照第一顺序进行的基板交换。假设第二搬送装置31，在搬送臂52的销59、60上保持着处理过的基板G，而在搬送臂51的销55、56上是没有保持基板G的状态。回收处理过的基板G并将其保持的第二搬送装置31，向着旋转的基板处理腔室30B，在作为规定的对象处理腔室的基板处理腔室30B中进行退火处理(图14(a))。在旋转时，根据需要升降搬送臂51、52，使其适应与基板处理腔室30B相连接的闸阀35B的高度。
在基板处理腔室的载置台70’上放置有处理过的基板G的状态下，支撑部件73从图10(a)的状态进入。再如在图10(b)中所示，使支撑棒74旋转，使展开部件75从载置台70侧突出。在此状态下，该支撑部件73处于能够在展开部件75上放置接收在第一位置的未处理的基板G的状态。
然后，支撑销72进入上方，使处理过的基板G上升，在第二位置上予以支撑。通过以上的动作，形成图11的状态。在此情况下，在第二搬送装置31上，设定高度使搬送臂51的销55、56与上升第二位置相对应，使搬送臂52的销59、60与上述第一位置相对应。此外，未处理基板G被支撑并保持在搬送臂52的销59、60上。
然后，如在图12中所示，搬送臂51和52同时伸长，进入载置台70’的上方，将未处理基板G送到载置台70’上方的第一位置上(图14(b))。在此情况下，搬送臂51的销55、56位于在第二位置的处理过的基板G的正下面的位置上。在此状态下，支撑部件73的支撑棒74稍微上升，同时支撑销72下降。由此，使得在未处理基板G处于被放置在支撑部件73上的状态的同时，处理过的基板G处于被支撑并保持在搬送臂51的销55、56上的状态(图14(c)。
此后，如在图13中所示，在被处理过的基板G放置在销55、56上状态下的搬送臂51收缩退出(图14(d))。然后，如在图6中所示，支撑销72再次进入上方，支撑未处理的基板G，支撑部件73退避返回到图10(a)的状态。与此图6的动作并行，开始关闭在基板处理腔室30C和搬送室33之间闸阀35C的动作，在基板处理腔室30C被密闭以后，由供给通道(图中未显示)供给氧气等，对基板G进行退火处理。刚才说明的是基板处理腔室30B，而对基板处理腔室30D也按照同样的第一顺序进行基板交换。
下面，说明由第二搬送装置31对负载锁定腔室21、22进行基板G的搬入搬出。在本实施方式中，负载锁定腔室21、22具有在两层把手上同时在内部支撑两片基板G的结构，但此双层把手是固定式的，不能同时交换两片基板G。从而，负载锁定腔室21、22能够在不同的时刻使搬送装置31的搬送臂51和52进入和退出，按照第二顺序交换基板G。此第二顺序按照在图15中所示的顺序进行。从图15(a)～图15(f)可以很容易看出，由搬送臂保持的基板G是配置在左右的，但由搬送臂保持的基板G在上下重叠地保持也是可以的。
对于负载锁定腔室21，说明按照第二顺序进行的基板交换。第二搬送装置31，假设是在搬送臂51的销55、56上保持着处理过的基板G，而在搬送臂52的销59、60上没有保持基板G的状态。旋转第二搬送装置31，使其对着作为对象处理腔室的负载锁定腔室21(图15(a))。在旋转时，根据需要升降搬送臂51、52，使之适应闸阀26和搬出口69的高度。使搬送臂51在Y轴方向上伸长，经过闸阀26、搬出口69，使其在一对把手63a和63b上保持着未处理基板G进入负载锁定腔室21内(图15(b))。此时，搬送臂51的销55、56位于负载锁定腔室21的把手63a、63b和64a、64b之间的位置上。
然后，搬送臂51下降，将搬送臂51的销55、56保持的处理过的基板G放置在把手64a和64b上(下层支撑水平面)上(图15(c))。使处于没有保持基板G状态下的搬送臂51收缩退出。在搬送臂51收缩的同时，没有保持基板G的搬送臂52伸长，进入负载锁定腔室21内(图15(d))。此时，搬送臂52的销59、60位于负载锁定腔室21的把手63a、63b和64a、64b之间的位置上。搬送臂52上升，把手63a、63b保持的未处理基板G处于在搬送臂52的销59、60上支撑保持的状态(图15(e))。使保持着未处理基板G状态的搬送臂52收缩并退出。如此，基板G从负载锁定腔室21的搬出口69，经过闸阀26被取出，搬入到处理部3的搬送室33中。这里说明的是负载锁定腔室21，但对负载锁定腔室22同样可按照第一顺序进行基板交换。
另外，说明由第二搬送装置31对基板处理腔室30A、30C和30E进行的基板G搬入搬出。在本实施方式中，基板处理腔室30A、30C和30E，具有在内部单层的支撑销上支撑一片基板G的结构，能够按照使第二搬送装置31的搬送臂51或52在不同的时刻进入和退出的第三顺序进行基板交换。此第三顺序按照在图16中所示的顺序进行。从图16(a)～图16(g)很容易看出，由搬送臂保持的基板G是配置在左右的，但由搬送臂保持的基板G上下重叠也是可以的。
对于基板处理腔室30A，说明按照第三顺序进行的基板交换。第三顺序和第二顺序是相似的，只是在第二顺序中搬送臂52退出和搬送臂51进入是同时进行的(图15(c)、(d))，而在第三顺序中是按照不同的时刻表进行的(图16(c)、(d)、(e))这一点上是不同的。假设第二搬送装置31处于在搬送臂51的销55、56上保持着处理过的基板G，而在搬送臂52的销59、60上没有保持基板G的状态。使第二搬送装置31旋转，使其对着此基板处理腔室30A(图16(a))。在旋转时根据需要升降搬送臂51、52，使搬送臂52和与基板处理腔室30A相连接的闸阀35A的高度相适应。
首先，在基板处理腔室30A的载置台70上放置有处理过的基板G的状态下，使支撑销71向上进入，如在图5中所示，处理过的基板G采取被支撑的状态。在此状态下，首先使没有保持基板G的搬送臂52伸长，如在图7中所示，使在前端设置的销59、60进入在基板处理腔室30A内处理过的基板G下面的位置(图16(b))。
接着，使支撑销71下降，如在图8中所示，处理过的基板G处于被支撑在搬送臂52的销59、60上并被保持的状态(图16(c))。使如在图9中所示的处理过的基板G放置在销59、60上状态的搬送臂52收缩并退出(图16(d))。然后，使搬送臂51、52上升，使搬送臂51与闸阀35A的高度相适应。使如在图8中所示的在销55、56上保持有未处理基板G的搬送臂51伸长，使未处理基板G被送到支撑销71上方的位置上(图16(e))。如在图7中所示，支撑销71进入上方，使未处理基板G从在搬送臂51的销55、56上变成在支撑销71上被支撑的状态(图16(f))。
然后，在搬送臂51收缩并退出的同时，支撑未处理基板G的支撑销71下降，将未处理基板放置在载置台70上(图16(g))。使在基板处理腔室30A和搬送室33之间的闸阀A开始关闭的动作，在基板处理腔室30A密闭之后，首先由供给通道(图中未显示)供给氧气，使基板G的表面进行表层氧化。接着，由供给通道(图中未显示)供给硅烷、氧气、氩气等气体，通过CVD在基板G上形成SiO2氧化膜。这里说明了基板处理腔室30A的情况，但对于基板处理腔室30C和30E也是同样可以按照第三顺序进行基板交换的。
在以上的实施方式中，在具有包括保持基板的第一和第二搬送臂并将基板搬入或取出多个处理腔室的搬送装置的多腔室型基板处理系统中，由于其结构能够根据交换基板的处理腔室种类的不同，在使第一和第二搬送臂同时进入处理腔室内的状态和在不同的升降内进入的状态之间进行切换，所以能够提高单层式或双层式处理腔室混合存在情况下基板处理系统的生产率。
此外，在以上的实施方式中，在具有包括保持基板的第一和第二搬送臂，并对多个处理腔室搬入搬出基板的搬送装置的多腔室型基板处理系统中，由于相对基板搬入搬出口设定得比较大的进行退火处理等的基板处理腔室，第一和第二搬送臂同时进入，使用第一搬送臂从处理腔室内搬出基板的工序和用第二搬送臂将基板搬入处理腔室内的工序同时进行，这就缩短了搬送时间。同样，对于基板的搬入搬出口设定得比较大的负载锁定腔室，由于第一搬送臂从处理腔室退出的动作和第二搬送臂进入处理腔室内的动作同时进行，所以缩短了基板的搬送时间。如此，通过缩短基板的搬送时间，提高了能够单层和双层处理腔室混合存在的基板处理系统的生产率。另外，由于基板处理系统，从结束第一搬送臂从处理腔室退出的动作以后，就能够进行第二搬送臂进入处理腔室内的动作，所以对进行CVD处理等的基板处理腔室，能够将基板的搬入搬出口设定得更小。
以上，参考附图说明了本发明的优选实施方式，但本发明并不限于所涉及的例子。只要是本领域技术人员，在本专利权利要求的范围内所述的技术思想的范畴内，能够得到各种变更或修正的实施方案，对此当然也属于本发明的技术范围之内。
在如上所述的实施方式中，是在负载锁定腔室或基板处理腔室是单层室的情况下，按照上述第三顺序实施基板交换的，但按照实施第二顺序实施也是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，作为负载锁定腔室举出的是双层的负载锁定腔室，但此负载锁定腔室，是单层或多层的负载锁定腔室都是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，使用双层重叠的双层负载锁定腔室来说明负载锁定腔室，但此负载锁定腔室是单层或多层的负载锁定腔室也是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，作为单层基板处理腔室，举出了进行退火处理等的基板处理腔室，但此单层的负载锁定腔室，是例如进行等离子体CVD处理或溅镀处理等的基板处理腔室也是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，作为双层基板处理腔室，举出了进行退火处理等的基板处理腔室，但此双层的负载锁定腔室，是例如进行刻蚀处理或灰化处理等的基板处理腔室也是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，作为单层处理腔室，举出的是使用支撑销支撑基板的单层处理腔室，但使用由其他机构以单层支撑基板的单层室也是可以的。
此外，在如上所述的实施方式中，作为双层式处理腔室，举出的是使用把手分两层支撑基板的双层式室和使用支撑销分两层支撑基板的双层式室，但使用由其他机构分两层支撑基板的双层式室也是可以的。
产业上利用的可能性
根据本发明，在单层式或双层式的一个以上基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中，能够提高生产率。

Claims (6)

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
对基板进行处理的处理腔室和将基板搬入搬出该处理腔室的搬送装置，其中，
所述搬送装置包括至少两个保持基板的臂，其构成为能够在使这两个臂同时进入所述处理腔室内的状态和在互相不同的时刻进入所述处理腔室内的状态之间进行切换。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：
包括多个所述处理腔室，使所述两个臂同时进入一部分处理腔室，使所述两个臂在互相不同的时刻进入其他处理腔室。
3.一种使用权利要求1或2所述的基板处理系统的基板处理方法，其特征在于：
同时进行用所述两个臂中的一个臂从所述处理腔室中搬出基板的工序和用另一个臂向所述处理腔室内搬入基板的工序。
4.一种使用权利要求1或2所述的基板处理系统的基板处理方法，其特征在于：
分别进行用所述两个臂中的一个臂从所述处理腔室中搬出基板的工序和用另一个臂向所述处理腔室内搬入基板的工序。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：
同时进行使所述一个臂从所述处理腔室内退出的工序和使所述另一个臂进入所述处理腔室内的工序。
6.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：
分别进行使所述一个臂从所述处理腔室内退出的工序和使所述另一个臂进入所述处理腔室内的工序。
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