KR20070027475A - 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 커패시터는 도전재 및 활성탄를 포함하는 커패시터 전극에 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 이루어진다.
본 발명의 커패시터 제조방법에 의하면 특별한 기계설비 등의 필요 없이 정전용량이 증대된 커패시터 용 전극을 용이하게 제작할 수 있다. 이렇게 본 발명의 커패시터 제조 방법에 의해 제조된 커패시터는 높은 전기전도성, 및 높은 비표면적을 지닌다.
전기 이중 층 커패시터, EDLC, 활성탄, 정전용량, 4급 암모늄 토실레이트

Description

커패시터 및 그 제조방법{Capacitor and manufacturing method thereof}
도 1은 본 발명의 제1 실시예인 함침법에 의한 커패시터의 전극 제조 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예인 함침법에 의해 제조된 전극을 이용하여 커패시터를 제조하는 커패시터 제조 공정을 개략적으로 보여주는 순서도이고,
도 3은 본 발명에서 함침 횟수에 따른 전극의 제조에서 함침 시간에 따른 용량 및 등가 직렬 저항(Equivalent series resistance: ESR)의 변화를 나타내는 그래프이고,
도 4는 본 발명의 함침법에 따른 전극의 제조에서 함침용액의 농도에 따른 용량 및 등가 직렬 저항의 변화를 나타내는 그래프이고,
도 5는 본 발명의 제2 실시예인 첨가법에 의한 전극의 제조공정을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이고,
도 6은 본 발명의 제2 실시예인 첨가법에 따른 전극의 제조에서 첨가제의 첨가비율에 따른 용량 및 등가 직렬 저항의 변화를 나타내는 표이고,
도 7은 본 발명의 제2 실시형태인 첨가법에 따른 전극의 제조에서 첨가제를 부가한 경우와 통상의 EDLC 전극 간의 비정전용량, 및 에너지밀도를 나타낸 표이고,
도 8은 본 발명에 따른 바람직한 제3 실시예인 전해액 함침법에 의한 커패시터의 제조공정을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이고,
도 9는 본 발명에 따른 바람직한 제3 실시예인 전해액 함침법에 따른 커패시터의 제조에서 첨가제의 첨가비율에 따른 용량 및 등가 직렬 저항의 변화를 나타내는 표이고,
도 10은 본 발명에 따른 바람직한 제3 실시예인 전해액 함침법에 따른 커패시터의 제조에서 첨가제를 부가한 경우와 통상의 EDLC 전극 간의 비정전용량, 에너지밀도를 나타낸 표이다.
본 발명은 커패시터 및 그 제조 방법, 특히 전기 이중 층 커패시터(electric double layer capacitor; EDLC)의 전극 제조시 첨가제를 부가하여 정전용량을 개선한 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전기 이중층 커패시터(electric double layer capacitor; 이하, 'EDLC'라고도 한다)는 고체와 액체의 계면에 생성되는 전해질 이온의 전기 이중층을 이용한 콘덴서를 의미한다. 이러한 EDLC는 분리막을 사이에 두고 한 쌍의 분극성 전극과 이를 감싸는 케이스, 전해액 및 집전체로 이루어진 구조를 가진다. 이러한 EDLC용 전극으로는 활성탄(activated carbon), 탄소 합금(탄소/금속 복합체) 등이 주로 이용되고 있으며, 최근에는 전도성 고분자와 탄소 중간체인 폴리아세닉 세미콘덕 터(polyacenic semiconductor; PAS) 등의 새로운 형태의 탄소전극도 알려져 있다.
일반적으로 상기 EDLC의 분극성 전극재로 사용되는 활성탄의 원재료로 야자수의 껍질(코코넛셀) 또는 셀룰로오즈 등의 식물성 및 석탄계 또는 석유계의 피치나 코크스, 페놀수지 등의 열경화성 수지 및 폴리아크릴로니트릴 등이 사용되고 있다. 최근에는 EDLC의 정전 용량을 개선하기 위해 분극용 전극 원료로 사용되는 활성탄을 개량하기 위한 다양한 시도가 이루어지고 있다.
구체적으로, 일본 특허 공개 공보 평 7-220985호는 세공형성 및 세공직경의 개선을 개시하고 있으며, 일본 특허 공개 공보 평 7-249551호 및 일본 특허 공개 공보 평 9-213589호는 활성탄 원료의 개선을 통한 개선 방법을 개시하고 있다.
특히 일본 특허 공개 공보 평 7-220985호에는 활성탄의 세공은 슬릿형 및 타원형이므로 수용액 전해액에서는 물 분자 직경의 1.5 ～3.0배의 범위의 슬릿폭과 슬릿길이의 세공을 가지는 전극재가 유효하며, 유기계 전해액에는 전해액의 용매화한 이온의 이온직경에 0.2 nm 이상의 큰 세공을 지닌 활성탄이 큰 정전용량을 발현하는 EDLC용의 전극재로서 최적함이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 공보 평 7-249551호에는 활성탄의 원료로서 폴리염화비닐리덴(Polyvinylidenechloride; 이하, 'PVDC'라고도 한다)의 수지를 원료로 사용하여 비산화성 분위기에서 800 ～ 1,000 ℃의 온도에서 열처리하여 다수의 마이크로 세공을 지닌 EDLC 전극용 탄소재를 얻는 방법이 개시되어 있다.
한편, 일본 특허 공개 공보 평 9-213589에는 PVDC 수지로 비닐리덴 단독 중합체와 염화비닐리덴과 각종 코모노머와의 공중합체를 사용함과, 활성탄 원료 전체 에 대한 비닐리덴의 함유율이 10 ～ 100중량%, 특히 80 ～97중량%임이 개시되어 있다.
이러한 종래의 EDLC의 정전용량의 개선 방법은 주로 전극 재료인 활성탄에 첨가제를 부가하는 것에 치중되어 있었다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 활성탄 전극의 특성이 개선되어 정전용량이 향상된 전기 이중 층 커패시터를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 활성탄 전극의 특성이 개선되어 정전용량이 향상된 전기 이중 층 커패시터를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명의 한 특징에 따른 커패시터는 도전재 및 활성탄를 포함하는 커패시터 전극에 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 이루어진다.
여기서 상기 4급 암모늄 토실레이트는 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된다.
여기서, 활성탄을 0.5 내지 3 M 의 4급 암모늄 토실레이트 용액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가된다.
또는, 상기 도전재 및 활성탄을 포함하여 이루어진 슬러리를 집전체에 코팅하여 이루어진 전극을 상기 0.5 내지 3 M 의 4급 암모늄 토실레이트 용액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가된다.
또는, 상기 도전재 및 활성탄과 함께 4급 암모늄 토실레이트를 일정 용매에 혼합 분산 시켜 슬러리를 제조하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가된다.
또는, 상기 도전재 및 활성탄을 포함하여 이루어진 전극을 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 전해액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 커패시터 제조 방법은 4급 암모늄 토실레이트를 소정의 용매에 용해하여 함침 용액을 제조하는 단계; 상기 함침 용액에 활성탄을 1 내지 10회 함침하는 단계; 및 상기 4급 암모늄 토실레이트 함침 활성탄을 이용하여 전극을 제조하는 단계를 포함한다.
여기서 용매는 용매는 아세토니트릴, 또는 프로필렌카보네이트이다. 상기 함침 용액에서 4급 암모늄 토실레이트의 농도는 0.5 내지 3 M 이다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 커패시터 제조 방법은 활성탄을 준비하는 단계; 4급 암모늄 토실레이트를 상기 활성탄 대비 5 내지 60 중량부로 준비하는 단계; 및
상기 활성탄과 상기 4급 암모늄 토실레이트를 혼합하여 전극 제조용 슬러리를 준비하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 커패시터 제조 방법은 4급 암모늄 토실레이트를 소정의 용매에 용해시켜 부가 용액을 준비하는 단계; 및 상기 부가 용액을 전해액과 혼합하는 단계; 를 포함한다.
여기서 상기 4급 암모늄 토실레이트는 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된다.
여기서 용매는 용매는 아세토니트릴, 또는 프로필렌카보네이트이다. 상기 함침 용액에서 4급 암모늄 토실레이트의 농도는 0.5 내지 3 M 이다. 상기 함침 용액과 상기 전해액을 1:1 의 부피비로 혼합된다.
전기 이중층 커패시터(EDLC)는 분리막을 사이에 두고 이격되어 구비되어 있는 한 쌍의 분극성 전극, 그리고 이러한 분극성 전극이 담겨져 있는 전해액, 및 집전체로 구성된다. 이러한 분극성 전극은 활성탄을 포함하여 이루어지는데, 이러한 활성탄의 구조 및 물성에 따라 EDLC의 정전용량이 달라지게 된다.
본 발명자들은 EDLC의 분극성 전극의 재료로서 사용되는 활성탄에 4급 암모늄 토실레이트를 첨가할 때, EDLC의 정전용량이 개선되는 점을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
여기서 활성탄은 비교적 큰 표면적, 낮은 내부저항, 그리고 고밀도인 것이면, 특별한 제한 없이 사용된다. 구체적으로 활성탄은 1,000㎡/g 이상의 표면적, 20m옴 이하의 저항, 그리고 0.6 g/cm3 이상의 밀도인 것이 바람직하게 사용된다.
4급 암모늄 토실레이트(톨루엔술포네이트)으로는 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 및 그 유도체가 바람직하게 사용된다.
본 발명에서 활성탄에 4급 암모늄 토실레이트를 부가하여 커패시터를 제조하 는 방법으로는 특별히 제한은 없으나, 바람직하게는 4급 암모늄 토실레이트 용액에 활성탄을 함침시키거나, 활성탄의 제조 공정시 4급 암모늄 토실레이트를 첨가하거나, 전해액에 4급 암모늄 토실레이트를 첨가하는 방법이 바람직하게 사용된다. 이때, 4급 암모늄 토실레이트 용액은 4급 암모늄 토실레이트 용액를 적절한 용매에 첨가하여 제조된다. 이때 사용되는 용매로는 아세토니트릴, 및 프로필렌카보네이트 등이 바람직하게 사용된다.
이하, 도 1 및 2를 참조하여, 본 발명의 커패시터를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.
도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 먼저 도전재로서 도전성 카본 및 활성탄을 바인더와 함께 용매에 넣고 볼밀 믹서로 혼합하고 분산시켜 슬러리를 제조한다.
다음으로 제조된 슬러리를 알루미늄 호일에 코팅하여 일차 전극(electrode I)을 제조한다. 이때 알루미늄 호일에 대한 슬러리 코팅 방법은 특별한 제한이 없으며 바람직하게는 Dr. Blade 방법을 이용한다.
이렇게 제조된 일차 전극을 0.5 내지 3 M 농도로 4급 암모늄 토실레이트를 용매에 용해시킨 함침 용액에 함침시켜 이차 전극(electrode II)를 제조한다. 이때 함침의 회수는 목적에 따라 적절하게 조절할 수 있다. 용매로는 아세토니트릴이 바람직하게 사용된다.
이렇게 제조된 이차 전극에 핀 타입 단자를 점철하고, 폴리머 세퍼레이터로 와인딩하여 커패시터를 제조한다.
이렇게 제조된 커패시터를 오븐 등에서 건조한 뒤, 전해액에 함침하고, 케이 스에 넣고 몰딩하여 커패시터를 제조한다.
이하, 도 5을 참조하여, 본 발명의 커패시터를 제조하는 방법의 다른 예를 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 도전재로서 도전성 카본, 활성탄, 및 바인더를 4급 암모늄 토실레이트와 함께 용매에 넣고 볼밀 믹서로 혼합하고 분산시켜 슬러리를 제조하는 것을 제외하고는 도 1 및 2 에 도시된 방법과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조한다.
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 발명의 커패시터를 제조하는 방법의 다른 예를 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 전해액에 4급 암모늄 토실레이트를 추가하는 것을 제외하고는 도 1 및 2 에 도시된 방법과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조한다.
이하 본 발명을 후술되는 실시예들을 통해 구체적으로 설명하나, 본 발명의 보호 범위가 이로서 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 15.73g을 넣어 0.5 M의 아세토니트릴(ACN) 용액 100ml를 함침 용액으로 준비하였다. 상기 함침 용액에 일본국 구라레사의 RP20 활성탄 10g을 상온에서 1회 함침하여 4급 암모늄 토실레이트 함침 활성탄을 수득하였다.
수득된 4급 암모늄 토실레이트 함침 활성탄을 상온에서 건조하였다.
이렇게 건조된 4급 암모늄 토실레이트 함침 활성탄 75 중량부를 도전재 15 중량부, 및 바인더 10 중량부와 함께 물에 혼합 분산 시켜 슬러리를 제조하였다.
이렇게 제조된 슬러리를 알루미늄 호일에 도포하고, 80 ℃의 건조 오븐에서 약 10 분간 건조시켜 전극을 제조하였다.
이렇게 제조된 전극을 양극의 경우 가로 20cm, 세로 3cm 로 재단하고, 가로 3cm위치에 핀 타입 단자를 점철하였다. 그리고 음극의 경우 가로 22cm, 세로 3cm로 재단하고, 가로 4cm 위치에 핀 타입 단자를 점철하였다.
그 후, 원통형 와인더로 가로 60cm, 세로 4cm로 종이 세퍼레이터를 재단하여 가로가 30cm가 되도록 반으로 접고, 세퍼레이터 사이에 제조된 음극 전극을 위치시키고, 세퍼레이터 위에 양극 전극을 위치시켜 와인딩을 수행하였다.
와인딩 후 폴리에틸렌 테이프를 감아 와인딩된 셀이 풀리지 않도록 하였다.
와인딩된 셀을 120 ℃의 진공 오븐에서 48 시간 건조한 후, 글로브 박스 안에서 상온에서 전해액에 10 분 동안 함침하였다. 그 후 알루미늄 케이스에 넣고 고무전을 삽입한 후 에폭시로 몰딩하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 2
함침 용액의 농도가 1.0M인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 3
함침 용액의 농도가 1.5M인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 4
함침 용액의 농도가 2.0M인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 5
함침 용액의 농도가 2.5M인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 6
함침 용액의 농도가 3.0M인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 7 내지 15
함침 횟수를 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 10회로 하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 16
일본국 구라레사의 RP20 활성탄 100 중량부에 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트를 5 중량부로 정량하여 부가한 후 건식 믹싱 공정으로 전극을 제조하였다.
이렇게 제조된 전극을 양극의 경우 가로 20cm, 세로 3cm 로 재단하고, 가로 3cm위치에 핀 타입 단자를 점철하였다. 그리고 음극의 경우 가로 22cm, 세로 3cm로 재단하고, 가로 4cm 위치에 핀 타입 단자를 점철하였다.
그 후, 원통형 와인더로 가로 60cm, 세로 4cm로 종이 세퍼레이터를 재단하여 가로가 30cm가 되도록 반으로 접고, 세퍼레이터 사이에 제조된 음극 전극을 위치시키고, 세퍼레이터 위에 양극 전극을 위치시켜 와인딩을 수행하였다.
와인딩 후 폴리에틸렌 테이프를 감아 와인딩된 셀이 풀리지 않도록 하였다.
와인딩된 셀을 120 ℃의 진공 오븐에서 48 시간 건조한 후, 글로브 박스 안에서 상온에서 전해액에 10 분 동안 함침하였다. 그 후 알루미늄 케이스에 넣고 고무전을 삽입한 후 에폭시로 몰딩하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 17
일본국 구라레사의 RP20 활성탄 100 중량부에 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트를 20 중량부로 부가하는 것을 제외하고는 실시예 16과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 18
일본국 구라레사의 RP20 활성탄 100 중량부에 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트를 40 중량부로 부가하는 것을 제외하고는 실시예 16과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 19
일본국 구라레사의 RP20 활성탄 100 중량부에 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트를 60 중량부로 부가하는 것을 제외하고는 실시예 16과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 20
테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 15.73g 을 넣어 0.5 M의 아세토니트릴(ACN) 용액 100ml를 부가 용액으로 준비하였다. 상기 부가 용액에 1.0M Et4NBF4/ACN 100 ml를 혼합하여 전해액을 제조하였다.
일본국 구라레사의 RP20 활성탄 75 중량부를 도전재 15 중량부, 및 바인더 10 중량부와 함께 물에 혼합 분산 시켜 슬러리를 제조하였다.
이렇게 제조된 슬러리를 알루미늄 호일에 도포하고, 80 ℃의 건조 오븐에서 약 10 분간 건조시켜 전극을 제조하였다.
이렇게 제조된 전극을 양극의 경우 가로 20cm, 세로 3cm 로 재단하고, 가로 3cm위치에 핀 타입 단자를 점철하였다. 그리고 음극의 경우 가로 22cm, 세로 3cm로 재단하고, 가로 4cm 위치에 핀 타입 단자를 점철하였다.
그 후, 원통형 와인더로 가로 60cm, 세로 4cm로 종이 세퍼레이터를 재단하여 가로가 30cm가 되도록 반으로 접고, 세퍼레이터 사이에 제조된 음극 전극을 위치시키고, 세퍼레이터 위에 양극 전극을 위치시켜 와인딩을 수행하였다.
와인딩 후 폴리에틸렌 테이프를 감아 와인딩된 셀이 풀리지 않도록 하였다.
와인딩된 셀이 120 ℃의 진공 오븐에서 48 시간 건조한 후, 글로브 박스 안에서 상온에서 상기 전해액에 10 분 동안 함침하였다. 그 후 알루미늄 케이스에 넣고 고무전을 삽입한 후 에폭시로 몰딩하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 21
부가 용액의 농도가 1.0M인 것을 제외하고는 실시예 20과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
실시예 22
부가 용액의 농도가 2.0M인 것을 제외하고는 실시예 20과 동일하게 수행하여 커패시터를 제조하였다.
상기 각 실시예에 따라 제조된 커패시터에 대해 각각의 정전용량 및 에너지밀도를 조사하였다.
함침 용액에 활성탄의 함침의 횟수에 대한 커패시터 용량과 등가 직렬 저항(effective series resistance; ESR)의 변화인 실시예 1, 7 내지 15의 결과는 도 3에 도시하였다.
도 3으로부터 실시예 1의 함침 용액에 활성탄이 함침된 경우 커패시터 용량과 등가 직렬 저항이 크게 개선되었음을 알 수 있다.
함침 용액의 농도에 따른 커패시터의 용량과 등가 직렬 저항의 변화인 실시예 1 내지 6의 결과는 도 4에 도시하였다.
도 4로부터 함침 용액의 농도가 증가할수록 커패시터 용량과 등가 직렬 저항이 크게 개선되었음을 알 수 있다.
활성탄에 대한 첨가제의 비율의 변화에 따른 커패시터 용량과 등가 직렬 저항의 변화인 실시예 16 내지 19 의 결과는 도 6에 도시하였다.
실시예 16 내지 19의 방법에 따른 첨가제의 부가에 의한 커패시터의 전극간의 비 정전용량, 에너지 밀도 및 전력 밀도의 차이를 도 7에 도시하였다.
도 7로부터, 첨가제를 부가한 경우 비 정전 용량이 6.1% 증가하고, 에너지 밀도가 6.5 % 증가하고, 파워 밀도가 36 % 감소하였음을 알 수 있다.
전해액에 부가되는 부가 용액의 농도에 따른 커패시터의 용량과 등가 직렬 저항의 변화인 실시예 20 내지 22의 결과는 도 9에 도시하였다.
도 9로부터 함침 용액의 농도가 증가할수록 커패시터 용량과 등가 직렬 저항이 개선되었음을 알 수 있다.
실시예 20 내지 22의 방법에 따른 첨가제 부가에 의한 커패시터의 전극간의 비 정전용량, 에너지 밀도 및 전력 밀도의 차이를 도 10에 도시하였다.
도 10으로부터, 첨가제를 부가한 경우 비 정전 용량이 5.1% 증가하고, 에너지 밀도가 4.9 % 증가하고, 파워 밀도가 36 % 감소하였음을 알 수 있다.
이로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 커패시터 제조 방법에 따라 활성탄에 4급 암모늄 토실레이트를 부가한 경우 종래의 전극(각 도면에서 함침시간 0 또는 첨가제 비율이 0으로 표시된 것)에 비해 용량이 약 10% 증가하였으며, 비정전용량 및 에너지 밀도는 약 6% 정도 증가하였음을 알 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 커패시터 및 그 제조방법에 의하면 분극재로 사용되는 활성탄에 첨가제로서 4급 암모늄 토실레이트를 부가함으로써 전기 이중 층 커패시터의 정전용량 및 에너지밀도를 용이하게 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 커패시터의 제조방법을 사용하면 특별한 기계설비 등의 사용 없이 정전용량이 증대된 전극을 보다 쉽게 제조할 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 커패시터용 전극은 높은 전기전도성, 및 높은 비표면적을 지녀 전기 이중층 커패시터 또는 연료전지용 전극으로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 도전재 및 활성탄를 포함하는 커패시터 전극에 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 4급 암모늄 토실레이트가 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 활성탄을 0.5 내지 3 M 의 4급 암모늄 토실레이트 용액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전재 및 활성탄을 포함하여 이루어진 슬러리를 집전체에 코팅하여 이루어진 전극을 상기 0.5 내지 3 M 의 4급 암모늄 토실레이트 용액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전재 및 활성탄과 함께 4급 암모늄 토실레이트를 일정 용매에 혼합 분산 시켜 슬러리를 제조하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전재 및 활성탄을 포함하여 이루어진 전극을 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 전해액에 함침하는 방법으로 상기 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터.
  7. 4급 암모늄 토실레이트를 소정의 용매에 용해하여 함침 용액을 제조하는 단계;
    상기 함침 용액에 활성탄을 1 내지 10회 함침하는 단계; 및
    상기 4급 암모늄 토실레이트 함침 활성탄을 이용하여 전극을 제조하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 용매는 아세토니트릴 또는 프로필렌카보네이트 인 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 함침 용액에서 4급 암모늄 토실레이트의 농도가 0.5 내지 3 M 인 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조방법.
  10. 활성탄을 준비하는 단계;
    4급 암모늄 토실레이트를 상기 활성탄 대비 5 내지 60 중량부로 준비하는 단계; 및
    상기 활성탄과 상기 4급 암모늄 토실레이트를 혼합하여 전극 제조용 슬러리를 준비하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 커패시터 제조방법.
  11. 4급 암모늄 토실레이트를 소정의 용매에 용해시켜 부가 용액을 준비하는 단계; 및
    상기 부가 용액을 전해액과 혼합하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 커패시터 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 용매는 아세토니트릴 또는 프로필렌카보네이트인 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 함침 용액에서 4급 암모늄 토실레이트의 농도가 0.5 내지 3 M 인 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 함침 용액과 상기 전해액을 1:1의 부피비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조방법.
  15. 제7항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 4급 암모늄 토실레이트가 테트라에틸암모늄 p-톨루엔 술포네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 상기 커패시터 제조 방법.
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