KR20070008258A - 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

투명 도전성 산화막의 패터닝에 사용되는 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 투명 도전성 산화막용 식각액은 황산 2 내지 15중량%, 알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량% 및 그 나머지로서 초순수를 포함한다.
인듐 산화물, ITO, IZO, 식각액, 알칼리 금속 황산수소염

Description

식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법{Etchant and method for fabricating liquid crystal display using the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 레이아웃도이다.
도 2는 도 1의 IIa-IIa'선 및 IIb-IIb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 레이아웃도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 IVa-IVa'선 및 IVb-IVb'선을 따라 절단한 단면도들이다.
도 6은 도 5의 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 레이아웃도이다.
도 7은 도 6의 VIIa-VIIa'선 및 VIIb-VIIb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 액정 표시 장치의 컬러 필러 기판의 레이아웃도이다.
도 9 및 도 10은 도 8의 IX-IX'을 따라 절단한 단면도들이다.
도 11은 도 8의 다음 단계에서의 컬러 필터 기판의 레이아웃도이다.
도 12는 도 11의 XII-XII'을 따라 절단한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액의 금속막에 대한 손상 여부를 실험한 결과를 도시한 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
3: 액정층 110, 210: 제 1 및 제 기판
190: 화소 전극 270: 공통 전극
본 발명은 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 도전성 산화막의 패터닝에 사용되는 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 두 개의 기판에 각각 구비되어 있는 형태이다. 이 중에서도, 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판에는 전계 형성 전극으로서 화소 전극이 형성되어 있고 컬러 필터가 형성되어 있는 기판에는 전계 형성 전극으로서 공통 전극이 형성되어 있다.
이러한 전계 형성 전극은 투명한 도전성 물질, 예를 들어 인듐 틴 옥사이드 (Indium Tin Oxide; 이하 ITO라 함) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; 이하 IZO라 함) 등의 인듐 산화물로 이루어진 투명 도전성 산화막을 패터닝하여 형성될 수 있다.
ITO로 이루어진 투명 도전 산화막을 어닐링하여 ITO를 결정질로 만든 후 패터닝하는 경우에는 염화 제 2 철, 왕수 등의 강산을 포함하는 식각액을 사용한다. 이러한 왕수계 식각액은 하부막을 손상시킬 수 있고, 고온에서 공정이 진행되므로 식각액 증발량이 많아 식각액의 조성 변동이 심할 뿐만 아니라 증발된 유해 물질이 작업 환경을 오염시킨다. 따라서, ITO로 투명 도전성 산화막을 어닐링 하지 않은 상태에서 즉, 비정질 ITO 상태에서 옥살산을 포함하는 식각액으로 투명 도전성 산화막을 패터닝하고, 어닐링하여 전계 형성 전극을 형성한다. 이러한 옥살산계 식각액은 크롬(Cr, Al, Mo) 등의 하부막에 손상시키지 않을 뿐만, 아니라 낮은 온도에서 빠른 식각 속도를 갖는다. 그러나, 옥살산계 식각액은 고체 상태의 옥살산을 물에 용해하여 제조되는데, 옥살산은 물에 대한 용해도가 낮아 쉽게 석출된다. 따라서, 배관, 노즐, 밸브, 펌프 등에 고착되어 장비의 수명을 단축시키고, 오작동을 유발할 수 있다.
또한, IZO로 이루어진 투명 도전성 산화막을 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 경우에는 종래 왕수계 식각액, 염화철계 식각액 또는 옥살산계 식각액을 이용하였다. 그러나 왕수계 식각액의 경우 상술한 바와 같이 하부막을 손상시킬 수 있고, 식각액의 조성 변동이 심하며, 작업 환경을 오염시킨다. 또한, 염화철계 식각액의 경우에도 염산이 주체인 식각액인 관계로 성분의 변동이 왕수계와 동일하게 나타난 다. 또한, 옥살산으로 이루어진 식각액은 식각이 용이할지라도 저온에서 용해도가 낮아 석출물이 생긴다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 투명 도전성 산화막용 식각액을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 투명 도전성 산화막 종류에 따른 적용의 제한이 적은 식각액을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 투명 도전성 산화막의 식각 성능을 향상시키는 식각액을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 투명 도전성 산화막 하부에 위치한 막에 대한 손상이 적은 식각액을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 투명 도전성 산화막용 식각액을 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 산화막용 식각액은 황산 2 내지 15중량%, 알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량% 및 그 나머지로서 초순수를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 도전성 산화막용 식각액은 황산 2 내지 15중량%, 알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량%, 보조 산화제 0.02 내지 10중량%, 보조 저해제 0.01 내지 5 중량% 및 그 나머지로 초순수를 포함한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명 도전성 산화막이 형성된 절연 기판을 제공하는 단계 및 상기 투명 도전성 산화막을 상기한 바와 같은 투명 도전성 산화막용 식각액으로 식각하여 패터닝하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 산화막용 식각액에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 산화막용 식각액(이하, 식각액이라 함)은 황산, 알칼리 금속 황산수소염 및 물을 포함한다.
황산(H2SO4)은 수용액 중에서 강산성을 나타내는 물질로서, 투명 도전성 산화막을 식각하는 주산화제로서의 역할을 한다. 이때, 투명 도전성 산화막은 인듐 산화물로 구성된 막으로서, 예를 들어 ITO 또는 IZO로 구성될 수 있다. ITO막은 어닐링 처리되어 결정질 구조를 가질 수도 있고, 어닐링 처리가 되지 않은 경우 비정질 구조를 가질 수도 있다. 황산은 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조가능하고, 예를 들어 반도체 공정용 순도를 가지는 것을 사용할 수 있다. 이러한 황산은 전체 식각액 중 약 2 내지 15중량% 포함될 수 있으며, 수용액 중에서 강산성을 나타내므로, 피식각막의 종류, 즉 ITO인지 IZO인지 여부, ITO가 결정질 구조인지 비정질 구조인지 등에 대해 영향을 크게 받지 않고, 피식각막에 대해 우수한 식각율을 갖는다.
알칼리 금속 황산수소염은 식각액이 투명 도전성 산화막에 대하여 우수한 식각율을 갖도록 하면서 동시에 투명 도전성 산화막 하부에 위치한 막(이하 하부막이라 함), 예를 들어 금속막에 대한 손상을 억제하는 역할을 한다. 이러한 알칼리 금속 황산수소염으로서 예를 들어 황산수소 칼륨(KHSO4)을 사용할 수 있으며, 이러한 알칼리 금속 황산수소염은 식각액 중 약 0.02 내지 10중량% 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액에는 황산의 역할을 보조하기 위한 산화제(이하, 보조 산화제라 함)를 포함할 수 있다. 이러한 보조 산화제로서는 예를 들어 인산(H3PO4), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH), 과염소산(HClO4) 과산화수소(H2O2) 및 옥손(oxone)으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 보조 산화제는 전체 식각액 중에 0.02 내지 10중량% 포함될 수 있으며, 이러한 보조 산화제는 식각액 중에 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다.
아울러 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액에는 알칼리 금속 황산수소염의 역할, 즉 투명 도전성 산화막에 대한 우수한 식각율을 갖도록 하면서도 하부막에 대한 손상을 억제하는 역할을 보조하기 위한 저해제(이하, 보조 저해제라 함)를 포함할 수 있다. 이러한 보조 저해제로서는 예를 들어 암모늄염들, 즉 CH3COONH4, NH4SO3NH2, NH4C6H5O2, NH4COONH4, NH4Cl, NH4H2PO4, NH4OOCH, NH4HCO3, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4, NH4PF6, HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2, NH4NO3, (NH4)2S2O8, H2NSO3NH4 및 (NH4)2SO4로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 보조 저해제는 전체 식각액 중에 0.01 내지 5중량% 포함될 수 있으며, 이러한 보조 저해제는 식각액 중에 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액은 식각 성능을 향상시키기 위하여 당업계에서 통상적으로 사용되는 첨가제를 포함할 수 있다. 이러한 첨가제는 예를 들어 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 계면 활성제는 표면 장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키기 위한 것으로, 음이온성, 양이온성, 양쪽 이온성 또는 비이온성 계면 활성제 등을 사용할 수 있으며, 예를 들어 불소계 계면 활성제를 사용할 수 있다. 금속 이온 봉쇄제는 식각액 중 금속 이온의 침전을 방지하기 위한 것으로, 예를 들어 폴리카르복 시산(polycarboxylic acid)의 유도체, 아미노 아세트산(amino acetic acid)의 유도체, 니트릴로-트리아세트산(nitrilo-triacetic acid)의 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한, 부식 방지제는 금속 등으로 이루어진 하부막의 부식을 방지하기 위한 것으로, 예를 들어 크롬산염, 인산염, 규산염 등을 사용할 수 있다. 이때, 첨가제는 식각액 총 중량에 대하여 예를 들어 0.0001 중량% 내지 0.01 중량% 첨가될 수 있다. 이외에도, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액의 식각 성능을 향상시키기 위해 당업계에 자명하게 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액은 식각액에 포함되는 상기 물질, 즉 황산, 알칼리 금속 황산수소염, 보조 산화제, 보조 저해제 및/또는 첨가제를 제외한 나머지로서 물을 첨가하여 총 중량이 100중량%을 이룬다. 이때, 사용되는 물은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 초순수를 사용할 수 있으며, 이러한 초순수로는 비저항 값, 즉, 물속에 이온이 제거된 정도가 18 ㏁/㎝ 이상인 것일 수 있다.
이와 같은 식각액은 예를 들어 초순수 등의 물에 황산, 알칼리 금속 황산수소염, 보조 산화제, 보조 저해제 및/또는 첨가제 등을 혼합하는 방법으로 제조할 수 있고, 이러한 물질들의 수용액을 각각 미리 제조한 다음 이를 혼합하여 제조할 수도 있으며, 그 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 또, 혼합 순서에 대해서도 특별히 한정되지 않는다.
이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액을 사용하여 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대해 설명하도록 한다.
먼저 도 1 및 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 레이아웃도이고, 도 2는 도 1의 IIa-IIa'선 및 IIb-IIb'선을 따라 절단한 단면도이다.
액정 표시 장치는 제 1 기판(110)과 이와 마주보고 있는 제 2 기판(210) 및 제 1 기판(110)과 제 2 기판(210) 사이에 주입되어 기판(110, 210)에 수직으로 배향되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다.
유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 제 1 기판(110) 위에는 결정질 또는 비정질의 ITO 또는 IZO 등의 투명 도전성 산화물로 형성되어 있으며 절개부(191, 192, 193)를 가지고 있는 전계 형성 전극인 화소 전극(190)이 형성되어 있고, 각 화소 전극(190)은 박막 트랜지스터에 연결되어 화상 신호 전압을 인가받는다. 이때, 박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 화소 전극(190)을 온(on) 또는 오프(off)한다. 또, 제 1 기판(110)의 아래 면에는 하부 편광판(도시하지 않음)이 부착되어 있다. 여기서, 화소 전극(190)은 반사형 액정 표시 장치인 경우 투명한 물질로 이루어지지 않을 수도 있고, 이 경우에는 하부 편광판도 불필요하게 된다.
또한, 유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 제 2 기판(210)의 아래 면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)와 적, 녹, 청의 컬러 필터(230) 및 결정질 또는 비정질의 ITO 또는 IZO 등의 투명 도전성 산화물로 형성되어 있는 전계 형성 전극인 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극(270)에는 절개부 (271, 272, 273)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 화소 영역의 둘레뿐만 아니라 공통 전극(270)의 절개부(271, 272, 273)와 중첩하는 부분에도 형성할 수 있다. 이는 절개부(271, 272, 273)로 인해 발생하는 빛샘을 방지하기 위함이다.
본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에 대하여 좀 더 상세히 설명한다. 제 1 기판(110) 위에 형성된 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121), 게이트선(121) 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 패드(125), 게이트선(121)에 연결되어 돌기 형태로 형성된 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123)을 포함한다. 또한, 게이트선(121)과 평행하게 형성되어 있는 유지 전극선(131) 및 유지 전극선(131)과 연결되어 있으며, 가로 방향의 유지 전극(133c)에 의해 서로 연결되어 있는 두 개의 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 이와 같은 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a, 133b 133c)의 모양 및 배치 등은 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 화소 전극(190)과 게이트선(121)의 중첩으로 발생하는 유지 용량이 충분할 경우 형성되지 않을 수도 있다.
이러한 게이트 배선은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 등으로 이루어진 도전막의 단일막 구조 또는 상기한 도전막 상에 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 등으로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조(도시하지 않음)를 가질 수 있다.
기판(110), 게이트 배선의 위에는 질화 규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140)의 위에는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(121)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지로서 소오스 전극(173)이 형성되어 있고, 소오스 전극(173)에 인접하여 드레인 전극(175)이 형성되어 있으며, 데이터선(171)의 일단에는 데이터 패드(179)가 형성되어 있다. 또, 게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121)과 중첩하는 다리부 금속편(172)이 형성되어 있다. 데이터선(171), 소오스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터 패드(179)도 게이트 배선과 마찬가지로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 등으로 이루어진 도전막의 단일막 구조 또는 상기한 도전막 상에 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 등으로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조(도시하지 않음)를 가질 수 있다.
소오스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 하부에는 박막 트랜지스터의 채널부로 사용되는 반도체층(151)이 형성되어 있고, 데이터선(171)의 아래에는 채널부 반도체층(151)을 세로로 길게 연결하고 있는 데이터선부 반도체층(153)이 형성되어 있다. 또한, 반도체층(151, 153) 위에는 소오스 및 드레인 전극(173, 175)과 채널부 반도체층(151) 사이의 접촉 저항을 감소시키기 위한 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소 등의 물질로 이루어진 저항성 접촉층(161)이 형성되어 있다. 미설명 부호 162는 데이터 패드부 저항성 접촉층이다.
데이터선(171) 등의 위에는 질화 규소 등의 무기 절연물이나 수지 등의 유기 절연물로 이루어진 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 노출시키는 컨택홀(181)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 절개부(191, 192, 193)를 가지는 전계 형성 전극인 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 결정질 또는 비정질의 ITO 또는 IZO 등과 같은 투명 도전성 산화물을 사용하여 형성한다. 화소 전극(190)에 형성되어 있는 절개부(191, 192, 193)는 화소 전극(190)을 상하로 반분하는 위치에 가로 방향으로 형성되어 있는 가로 절개부(192)와 반분된 화소 전극(190)의 상하 부분에 각각 사선 방향으로 형성되어 있는 사선 개구부(191, 193)를 포함한다. 이때, 상하의 사선 개구부(191, 193)는 서로 수직을 이루고 있다. 이는 프린지 필드의 방향을 4방향으로 고르게 분산시키기 위함이다.
또, 보호막(180)의 위에는 게이트선(121)을 건너 유지 전극(133a)과 유지 전극선(131)을 연결하는 유지 배선 연결 다리(91)가 형성되어 있다. 유지 배선 연결 다리(91)는 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에 걸쳐 형성되어 있는 컨택홀(183, 184)를 통하여 유지 전극(133a) 및 유지 전극선(131)에 접촉하고 있다. 유지 배선 연결 다리(91)는 다리부 금속편(172)과 중첩하고 있다. 유지 배선 연결 다리(91)는 제 1 기판(110) 위의 유지 배선 전체를 전기적으로 연결하는 역할을 하고 있다. 이러한 유지 배선은 필요할 경우 게이트선(121)이나 데이터선(171)의 결함을 수리하는데 이용할 수 있고, 다리부 금속편(172)은 이러한 수리를 위하여 레이저를 조사할 때, 게이트선(121)과 유지 배선 연결 다리(91)의 전기적 연결을 보조하기 위하 여 형성한다.
보호막(180) 위에는 보조 게이트 패드(95)와 보조 데이터 패드(97)가 형성되어 있다. 보조 게이트 패드(95)는 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에 걸쳐 형성되어 있는 컨택홀(182)을 통하여 게이트 패드(125)에 연결되어 있고, 보조 데이터 패드(97)는 보호막(180)에 형성되어 있는 컨택홀(183) 통하여 데이터 패드(179)에 연결되어 있다.
제 2 기판(210)에는 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)의 위에는 적, 녹, 청색의 컬러 필터(230)가 형성되어 있다. 컬러 필터(230)의 위에는 컬러 필터(230)에 의해 형성된 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층(250)이 형성되어 있다. 이러한 오버코트층(250) 위에는 절개부(271, 272, 273)를 가지는 전계 형성 전극인 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 결정질 또는 비정질의 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 형성한다.
공통 전극(270)의 절개부(271, 272, 273)는 화소 전극(190)의 사선 개구부(191, 193)를 가운데에 끼고 있으며 이와 나란한 사선부와 화소 전극(190)의 변과 중첩되어 있는 굴절부를 포함하고 있다. 이 때, 굴절부는 세로 방향 굴절부와 가로 방향 굴절부로 분류된다.
이상과 같은 구조의 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판이 정렬된 사이에 수직 배향된 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 형성되어 액정 표시 장치가 완성된다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 정렬했을 때 화소 전극(190)의 절개부(191, 192, 193)와 공통 전극(270)의 절개부(271, 272, 273)는 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할한다.
계속해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액을 사용하여 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 3 내지 도 7을 참조하여 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 레이아웃도이고, 도 4 및 도 5는 도 3의 IVa-IVa'선 및 IVb-IVb'선을 따라 절단한 단면도들이며, 도 6은 도 5의 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 레이아웃도이고, 도 7은 도 6의 VIIa-VIIa'선 및 VIIb-VIIb'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(110) 상에 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 등으로 이루어진 도전막의 단일막 구조 또는 상기한 도전막 상에 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 등으로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조(도시하지 않음)를 갖는 게이트 배선층을 형성한다. 이어, 패터닝하여 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121), 게이트 전극(123), 게이트 패드(125) 및 게이트선(121)과 평행하게 형성되어 있는 유지 전극선(131)과 이와 연결되어 있으며, 가로 방향 유지 전극(133c)에 의하여 서로 연결되어 있는 두개의 유지 전극(133a, 133b)으로 구성되는 게이트 배선을 형성한다.
다음, 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층 및 도핑된 비정질 규소층을 예를 들면 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 연속하여 적층한다. 이어, 진성 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 함께 사진 식각하여 게이트 전극(123) 상의 게이트 절연막(140) 상에 채널부 반도체층(151)을 형성하고, 이러한 채널부 반도체층(151)을 세로로 길게 연결하고 있는 데이터선부 반도체층(153)을 형성하며, 반도체층(151, 153) 위에는 소오스 및 드레인 전극(173, 175)과 채널부 반도체층(151) 사이의 접촉 저항을 감소시키기 위한 저항성 접촉층(161)을 형성한다. 이때, 데이터 패드부 저항성 접촉층(162)도 동시에 형성된다.
이어, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 등으로 이루어진 도전막의 단일막 구조 또는 상기한 도전막 상에 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 등으로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조(도시하지 않음)를 갖는 데이터 배선층을 형성한다. 다음, 데이터 배선층을 사진 식각하여 게이트선(121)과 교차하는 데이터선(171), 데이터선(171)과 연결되어 게이트 전극(123) 상부까지 연장되어 있는 소오스 전극(173), 데이터선(171)은 한쪽 끝에 연결되어 있는 데이터 패드(179) 및 소오스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)을 중심으로 소오스 전극(173)과 마주하는 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 배선과 게이트선(121)과 중첩하는 다리부 금속편(172)을 형성한다.
다음, 데이터 배선(171, 173, 175, 179)으로 가리지 않는 저항성 접촉층을 식각하여 게이트 전극(123)을 중심으로 양쪽으로 분리시키는 한편, 양쪽의 저항성 접촉층(163, 165) 사이의 반도체층(151)을 노출시킨다. 이어, 노출된 반도체층(151)의 표면을 안정화시키기 위하여 산소 플라스마를 실시할 수 있다.
이어, 질화 규소 등의 무기 절연막을 증착하거나 아크릴계 물질 등의 유기 절연막을 도포하여 보호막(180)을 형성한다. 다음, 사진 식각 공정으로 게이트 절연막(140)과 함께 보호막(180)을 패터닝하여, 게이트 패드(125), 드레인 전극(175) 및 데이터 패드(179)를 드러내는 컨택홀(181, 182, 183)을 형성한다. 여기서, 컨택홀(181, 182, 183)은 각을 가지는 모양 또는 원형의 모양으로 형성할 수 있으며, 게이트 패드 및 데이터 패드(125, 179)를 드러내는 컨택홀(125, 179)의 면적은 2mm×60㎛을 넘지 않으며, 예를 들어 0.5mm×15㎛ 이상일 수 있다. 한편, 유지 배선 연결 다리(91)가 유지 전극선(131)과 유지 전극(133a, 133b, 133c)과 접촉하기 위한 컨택홀(184, 185)도 이 단계에서 형성한다.
계속해서, 도 5에 도시한 바와 같이, ITO 또는 IZO 등의 인듐 산화물로 이루어진 투명 도전성 산화막(185)을 형성한다. 예를 들어 스퍼터링 방법으로 ITO로 이루어진 투명 도전성 산화막(185)을 형성하는 경우, 이러한 스퍼터링은 약 150℃ 이하, 예를 들어 실온에서 수행할 수 있다. 이와 같은 온도는 ITO를 포함하는 도전성 산화물이 결정화를 이루지 못하는 온도, 즉 비정질 형태로 형성될 수 있는 온도이다. 상기와 같은 조건에서 투명 도전성 산화막(185)을 형성하는 경우, 비정질 ITO가 된다. 투명 도전성 산화막(185)을 형성하기 전에 질소 분위기 하에서 예열(pre- heating) 처리를 할 수 있는데, 이는 컨택홀(181, 182, 183)을 통해 노출되어 있는 금속막의 상부에 금속 산화막이 형성되는 것을 방지하기 위함이다. 다음, 투명 도전성 산화막(185) 위에 감광막을 적층하고 이를 목적하는 형상으로 패터닝하여 감광막 패턴(200)을 형성한다.
계속해서, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이 투명 도전성 산화막(185) 상의 감광막 패턴(200)을 식각 마스크로 하여, 제 1 컨택홀(181)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되는 절개부(191, 192, 193)를 가지는 화소 전극(190)과 제 2 및 제 3 컨택홀(182, 183)을 통하여 게이트 패드(125) 및 데이터 패드(179)와 각각 연결되는 보조 게이트 패드(95) 및 보조 데이터 패드(97)를 형성한다. 한편, 유지 배선 연결 다리(91)도 이 단계에서 함께 형성한다.
상기한 바와 같은 투명 도전성 산화막(185)의 패터닝에는 주산화제로서 황산 2 내지 15중량%, 투명 도전성 산화막에 대한 식각율을 좋게 유지하면서도 하부막, 즉 유지 배선, 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 등에 손상을 억제하는 알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량%, 황산의 역할을 보조하는 보조 산화제 0.02 내지 10중량%, 알칼리 금속 황산수소염의 역할을 보조하는 보조 저해제 0.01 내지 5중량% 및 그 나머지로 초순수를 포함하는 식각액을 사용할 수 있다. 이때, 알칼리 금속 황산수소염으로서 예를 들어 황산수소 칼륨을 사용할 수 있다. 보조 산화제로서 예를 들어 인산, 질산, 초산, 과염소산, 과산화수소 및 옥손으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 보조 저해제로서는 예를 들어 암모늄염들, 즉 CH3COONH4, NH4SO3NH2, NH4C6H5O2, NH4COONH4, NH4Cl, NH4H2PO4, NH4OOCH, NH4HCO3, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4, NH4PF6, HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2, NH4NO3, (NH4)2S2O8, H2NSO3NH4 및 (NH4)2SO4로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 초순수로는 비저항 값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 식각액에서 보조 산화제 및 보조 저해제는 생략될 수 있으며, 식각 성능을 향상시키기 위한 기타 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
상기한 바와 같은 식각액을 사용하여 투명 도전성 산화막(185)을 패터닝하기 위한 식각 공정은 감광막 패턴(200)이 형성되어 있는 투명 도전성 산화막(185) 표면에 예를 들어 식각액을 분사하는 분사 방식으로 진행될 수 있다. 이때 온도는 약 30 내지 50℃로 유지될 수 있다. 식각 시간은 예를 들어 투명 도전성 산화막(185)이 식각액에 노출되는 시간을 엔드 포인트 디텍터(End Point Detector; EPD)에 의해 검출한 다음, 그 시간의 약 절반의 시간이 추가로 경과할 때까지로 할 수 있다. 이러한 식각 시간은 예를 들어 약 20 내지 100초, 바람직하게는 약 60초 내지 100초 일 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 12를 참조하여 컬러 필터 기판의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 액정 표시 장치의 컬러 필러 기판의 레이아웃도이고, 도 9 및 도 10은 도 8의 IX-IX'을 따라 절단한 단면도들이며, 도 11은 도 8의 다음 단계에서의 컬러 필터 기판의 레이아웃도이고, 도 12는 도 11의 XII-XII'을 따라 절단한 단면도이다.
도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 절연 기판(210)에 영상이 표시되는 상기 광투과 영역 및 광을 차단하는 차광 영역을 정의한 후 예를 들어 슬릿 코팅(slit coating) 공정 또는 스핀 코팅(spin coating) 공정을 적용하여 블랙 감광 물질로 이루어진 블랙 감광층을 도포한다. 여기서, 블랙 감광층은 노광된 부분이 현상에 의해 제거되는 포지티브 감광 물질(positive photoresist) 또는 노광된 부분이 잔류하는 네가티브 감광 물질(negative photoresist)을 포함한다. 이어 마스크를 이용하여 상기 도포된 블랙 감광층을 자외선(UltraViole; UV)에 노광한다. 이때, 자외선이 조사된 부분의 블랙 감광 물질의 분자 결합이 끊어져서 광투과 영역 내의 블랙 감광 물질의 분자량이 감소한다. 자외선이 투과되지 않는 부분인 차광 영역 내의 블랙 감광 물질은 분자 상태를 유지한다. 이어 블랙 감광층을 현상한다. 현상에 의해 분자량이 감소한 블랙 감광층은 제거되어 차광 영역 내에만 존재하는 블랙 매트릭스(220)를 형성한다.
이어 블랙 매트릭스(220)가 형성된 절연 기판(210) 상에 컬러 필터(230)를 형성한다. 상기 컬러 필터(230)는 특정한 파장의 광만을 선택적으로 투과시킨다. 예를 들어 안료(pigment)를 포함하는 감광 물질을 도포한 후에 노광하고 현상하여 컬러 필터(230)를 형성한다. 이때, 컬러 필터(230)를 먼저 형성한 이후에 블랙 매트릭스(220)를 형성할 수도 있다.
다음, 컬러 필터(230)가 형성된 절연 기판(220) 상에 투명한 유기물을 도포하여 오버코트층(250)을 형성한다. 오버코트층(250)은 블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230)에 의한 단차를 제거하는데 사용된다.
계속해서, 도 10에 도시한 바와 같이 오버코트층(250)의 전면에 투명한 도전성 물질, 즉 ITO 또는 IZO 등의 인듐 산화물로 이루어진 투명 도전성 산화막(265)을 형성한다. 투명 도전 산화막(265) 형성 공정은 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서의 공정과 동일하므로 중복되는 부분에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다. ITO로 투명 도전 산화막(265)을 형성하는 경우에는 비정질 또는 결정질 ITO를 사용할 수 있으며, 예를 들어 비정질 ITO를 사용할 수 있다. 이어, 투명 도전성 산화막(185) 위에 감광막을 적층하고 이를 목적하는 형상으로 패터닝하여 감광막 패턴(300)을 형성한다.
계속해서, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 투명 도전성 산화막(250) 상의 감광막 패턴(300)을 식각 마스크로 하여 절개부(271, 272, 273)를 가지는 공통 전극(270)을 형성한다. 상기한 바와 같은 투명 도전성 산화막(265)의 패터닝에 사용되는 식각액은 황산 2 내지 15중량%, 알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량%, 보조 산화제 0.02 내지 10중량%, 보조 저해제 0.01 내지 5중량% 및 그 나머지로 초순수를 포함하는 것으로, 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극 형성 시 사용한 식각액과 동일하므로 중복되는 설명에 대해서는 생략한다. 상기한 바와 같은 식각액을 사용하여 투명 도전성 산화막(265)을 패터닝하기 위한 식각 공정은 감광막 패턴(300)이 형성되어 있는 투명 도전성 산화막(265) 표면에 예를 들어 식각액을 분사하는 분사 방식으로 진행될 수 있다. 이때 온도는 약 30 내지 50℃로 유지될 수 있다. 식각 시간은 예를 들어 약 20 내지 100초, 바람직하게는 60초 내지 100초 일 수 있다.
계속해서, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 정렬한 후 그 사이에 액정(3)을 주입하거나, 박막 트랜지스터 기판 또는 컬러 필터 기판 중 어느 하나의 기판에 액정(3)을 적하한 후 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 정렬하여 액정 표시 장치를 완성한다.
이상에서는 전계 형성 전극에 절개부를 포함하는 수직 배향(Vertical Alignment; VA) 모드 액정 표시 장치를 예시하여 그 제조 방법을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 투명 도전성 산화물, 즉 인듐 산화물로 이루어진 투명 도전성 산화막을 패터닝하여 형성되는 다양한 모드의 액정 표시 장치의 제조 방법에 적용할 수 있다.
이하, 실험예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예들에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
우선, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액의 인듐 산화물들에 대한 식각율을 측정하기 위해 다음과 같은 실험을 수행하였다.
실험예 1
반도체 공정용 등급인 황산(H2SO4) 8중량%, 황산수소 칼륨(KHSO4) 5중량%, 과염소산(HClO4) 5중량%을 혼합하고, 첨가제(FT-248, 바이엘사제)를 25ppm 첨가한 후, 전체 중량이 100중량%가 되도록 초순수를 첨가하여 식각액을 제조한다. 이 식각액 을 IZO가 1100Å 두께로 형성되고, 그 위에 소정의 감광막 패턴이 형성된 절연 기판상에 분사 방식으로 분사하여 IZO막을 패터닝한다. 이때, 식각 공정은 40℃에서 20초 동안 진행한다. 그 결과는 하기 표 1에 기재한 바와 같다.
실험예 2
비정질 ITO가 550Å 두께로 형성되고, 그 위에 소정의 감광막 패턴이 형성된 절연 기판상에 식각액을 분사하는 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 패터닝을 수행한다. 그 결과는 하기 표 1에 기재한 바와 같다.
비교예 1
옥살산 5중량% 및 초순수 95중량%를 혼합하여 식각액을 제조한다. 이 식각액을 IZO가 1100Å 두께로 형성되고, 그 위에 소정의 감광막 패턴이 형성된 절연 기판상에 분사 방식으로 분사하여 IZO막을 패터닝한다. 이때, 식각 공정은 40℃에서 20초 동안 진행한다. 그 결과는 하기 표 1에 기재한 바와 같다.
비교예 2
비정질 ITO가 550Å 두께로 형성되고, 그 위에 소정의 감광막 패턴이 형성된 절연 기판상에 식각액을 분사하는 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 패터닝을 수행한다. 그 결과는 하기 표 1에 기재한 바와 같다.
비교예 3
반도체 공정용 등급인 황산(H2SO4) 8중량%, 질산(HNO3) 7중량%, 초산 암모늄(CH3COONH4) 1중량%를 혼합하고, 첨가제(FT-248, 바이엘사제)를 25ppm 첨가한 후, 전체 중량이 100중량%가 되도록 초순수를 첨가하여 식각액을 제조한다. 이 식각액을 비정질 ITO가 550Å 형성되고, 그 위에 소정의 감광막 패턴이 형성된 절연 기판 상에 분사 방식으로 분사하여 ITO막을 패터닝한다. 이때, 식각 공정은 40℃에서 20초 동안 진행한다. 그 결과는 하기 표 1에 기재한 바와 같다.
실험예 1 실험예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3
식각율 (Å/min) 1510 992 881 639 576
표 1에 기재되어 있는 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액을 사용하여 IZO막을 패터닝하는 실험예 1과 옥살산을 포함하는 식각액을 이용하여 IZO막을 패터닝하는 비교예 1의 식각율을 비교하여보면, 실험예 1이 비교예 1에 비하여 식각율이 약 71% 향상됨을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액을 사용하여 비정질 ITO막을 패터닝하는 실험예 2와 옥살산을 포함하는 식각액을 이용하여 비정질 ITO막을 패터닝하는 비교예 2를 비교하여보면, 실험예 2가 비교예 2에 비하여 식각율이 약 55% 향상됨을 알 수 있다. 또한, 알칼리 금속 황산수소염을 포함하지 않는 식각액을 이용하여 비정질 ITO을 패터닝하는 비교예 3을 실험예 2와 비교하여 볼 때, 실험예 2의 식각율이 비교예 3에 비해 약 72% 향상됨을 알 수 있다.
계속하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액의 금속막에 대한 손상 여부를 확인하기 위해 다음과 같은 실험을 수행하였다.
실험예 3
알루미늄(Al)을 0.2㎛ 두께로 형성되어 있는 절연 기판을 실험예 1과 동일한 식각액에 침지(dipping)하여 알루미늄막의 손상 정도를 관찰한다. 이때, 식각액의 온도는 약 40℃이다. 그 결과는 도 13에 도시한 바와 같다.
비교예 4
알루미늄을 0.2㎛ 두께로 형성되어 있는 절연 기판을 비교예 1과 동일한 식각액에 침지하여 알루미늄막의 손상 정도를 관찰한다. 이때 식각액의 온도는 약 40℃이다. 그 결과는 도 13에 도시한 바와 같다.
비교예 5
알루미늄을 0.2㎛ 두께로 형성되어 있는 절연 기판을 비교예 3과 동일한 식각액에 침지하여 알루미늄막의 손상 정도를 관찰한다. 이때 식각액의 온도는 약 40℃이다. 그 결과는 도 13에 도시한 바와 같다.
도 13에 도시되어 있는 바와 같이, 실험예 3과 비교예 4 및 5의 경우 처음 10분까지는 알루미늄막이 거의 식각되지 않았으나, 10분 이후로 시간이 지날수록 알루미늄막 식각 정도가 점점 커지는데, 그 식각 정도는 비교예 5의 경우가 가장 크고, 실험예 3의 경우가 가장 적음을 알 수 있다.
따라서, 이 결과로부터 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액은 금속막에 대한 손상이 적음을 알 수 있다.
상기한 바와 같은 실험예들을 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액은 인듐 산화물로 구성된 투명 도전 산화막에 대하여 우수한 식각율을 가지면서도, 투명 도전성 산화막의 하부에 위치하는 금속막에 대한 손상 정도가 적어 투명 도전성 산화막을 목적 형상으로 패터닝하는데 있어 매우 효과적임을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액을 사용하여 인듐 산화물로 형성된 투명 도전성 산화막을 패터닝하여 액정 표시 장치를 제조하는 경우, 인듐 산화물이 결정질 또는 비정질 ITO 인지 IZO인지에 관계없이 하나의 식각액으로 패터닝할 수 있다. 또한, 투명 도전성 산화막에 대한 우수한 식각율을 가지면서도 하부막에 대한 손상이 적어 결국 액정 표시 장치의 생산 효율을 증가시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. 황산 2 내지 15중량%;
    알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량%; 및
    그 나머지로서 초순수를 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 황산수소염은 KHSO4를 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  3. 제 1 항에 있어서,
    보조 산화제 0.02 내지 10중량%를 더 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 보조 산화제는 H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2 및 옥손으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    보조 저해제 0.01 내지 5중량%를 더 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 보조 저해제는 CH3COONH4, NH4SO3NH2, NH4C6H5O2, NH4COONH4, NH4Cl, NH4H2PO4, NH4OOCH, NH4HCO3, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4, NH4PF6, HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2, NH4NO3, (NH4)2S2O8, H2NSO3NH4 및 (NH4)2SO4으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화막은 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드인 투명 도전성 산화막용 식각액.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 인듐 틴 옥사이드는 비정질 인듐 틴 옥사이드인 투명 도전성 산화막용 식각액.
  9. 황산 2 내지 15중량%;
    알칼리 금속 황산수소염 0.02 내지 10중량%;
    보조 산화제 0.02 내지 10중량%;
    보조 저해제 0.01 내지 5중량% 및
    그 나머지로 초순수를 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 황산수소염은 KHSO4를 포함하는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 산화제는 H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2 및 옥손으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 저해제는 CH3COONH4, NH4SO3NH2, NH4C6H5O2, NH4COONH4, NH4Cl, NH4H2PO4, NH4OOCH, NH4HCO3, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4, NH4PF6, HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2, NH4NO3, (NH4)2S2O8, H2NSO3NH4 및 (NH4)2SO4으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 투명 도전성 산화막용 식각액.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화막은 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드인 투명 도전성 산화막용 식각액.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 인듐 틴 옥사이드는 비정질 인듐 틴 옥사이드인 투명 도전성 산화막용 식각액.
  15. 투명 도전성 산화막이 형성된 절연 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 투명 도전성 산화막을 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 따른 투명 도전성 산화막용 식각액으로 식각하여 패터닝하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 식각은 30 내지 50℃에서 진행되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 식각은 20 내지 100초 동안 진행되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화막은 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드인 액 정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 인듐 틴 옥사이드는 비정질 인듐 틴 옥사이드인 액정 표시 장치의 제조 방법.
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