KR20070002001A - 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의제조방법 및 그 용도 - Google Patents

1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의제조방법 및 그 용도 Download PDF

Info

Publication number
KR20070002001A
KR20070002001A KR1020067018420A KR20067018420A KR20070002001A KR 20070002001 A KR20070002001 A KR 20070002001A KR 1020067018420 A KR1020067018420 A KR 1020067018420A KR 20067018420 A KR20067018420 A KR 20067018420A KR 20070002001 A KR20070002001 A KR 20070002001A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tetrafluoroethane
pentafluoroethane
hydrogen fluoride
crude product
catalyst
Prior art date
Application number
KR1020067018420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100854982B1 (ko
Inventor
히로모토 오노
토시오 오히
Original Assignee
쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와 덴코 가부시키가이샤 filed Critical 쇼와 덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20070002001A publication Critical patent/KR20070002001A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100854982B1 publication Critical patent/KR100854982B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
    • C07C17/20—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of halogen atoms by other halogen atoms
    • C07C17/21—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of halogen atoms by other halogen atoms with simultaneous increase of the number of halogen atoms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
    • B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
    • B01J23/26—Chromium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/22—Halogenating
    • B01J37/26—Fluorinating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
    • C07C17/10—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of hydrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • C07C17/383—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • C07C17/383—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation
    • C07C17/386—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation with auxiliary compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C19/00—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms
    • C07C19/08—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 혼합물로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는, 불화 수소와 트리클로로에틸렌 및/또는 테트라클로로에틸렌을 반응시켜 얻어진 조생성물을 정제하는 공정으로 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 제조하는 공정에 있어서, 상기 정제 공정은 상기 조생성물에 새로이 불화 수소를 첨가함으로써 얻어진 혼합물을 기상으로 불소화 촉매와 접촉시켜 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 공정 및 증류 공정을 포함한다.

Description

1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법 및 그 용도{PROCESS FOR PRODUCTION OF 1,1,1,2-TETRAFLUOROETHANE AND/OR PENTAFLUOROETHANE AND APPLICATIONS OF THE SAME}
본 발명은 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법 및 그 용도에 관한 것이다.
1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a 또는 CF3CH2F) 및 펜타플루오로에탄(HFC-125 또는 CF3CHF2)의 제조방법으로서, 종래부터 이하의 방법이 알려져 왔다.
1,1,1,2-테트라플루오로에탄의 제조방법으로서, 예컨대, 불소 촉매의 존재하에 트리클로로에틸렌과 불화수소를 반응시키는 제조방법이 알려져 있다. 또한, 펜타플루오로에탄의 제조방법으로서, 불화 촉매의 존재하에, 테트라클로로에틸렌 및 불화 수소를 반응시키는 제조방법이 알려져 있다. 이들 방법에 의해 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및 펜타플루오로에탄을 제조하는 경우, 사용되는 반응 조건에 따라서 부산물로서, 각종 불순물이 생성된다. 이들 불순물은 CF2=CClF, CF2=CHCl, CHF=CClF, CClF=CHCl, CHCl=CHF, CF2=CHF, 및 CF2=CClF 등의 불포화 화합물이 포함 되고, CCl2F2, CH2ClF, CH2ClCClF2, CF3CHCl2 및 CF3CClF2 등의 클로로플루오로카본 및 CH2F2, CF3CH3 및 CHF2CHF2 등의 히드로플루오로카본이 포함된다.
이들 불순물 중, 히드로플루오로카본은 소량으로 존재하는 한, 어떠한 문제를 일으키지 않지만, 상기 불포화 화합물 및 상기 클로로플루오로카본의 함량은 가능한 많이 감소시키는 것이 필수이다. 이들은 분별 증류 등에 의해 일정 범위로 감소될 수 있다. 그러나, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및 펜타플루오로에탄의 비점과 가까운 비점을 갖는 불순물은 분별 증류에 의해 실질적으로 존재하지 않는 충분히 낮은 레벨까지 제거되는 것이 매우 곤란하다. 또한, 전자와 동일한 방법으로 공비 조성물 및 공비류 조성물을 형성하는 불순물을 제거하는 것은 곤란하다. 이러한 이유로, 이들 문제를 해결하기 위한 방법으로서, 각종 방법이 제안되어 있다.
예컨대, 불소화 촉매의 존재하에 CF3CH2F와 공비 성분으로서 불화수소를 반응시킴으로써, 염화수소가 어느 정도 제거된 조 CF3CH2F 중에 불순물로서 포함되는 불포화 화합물(주로, CF2=CHCl)을 정제시키는 방법(일본특허공개 평6-184015호)이 알려져 있다. 그러나, 상기 방법은 상기 목표 CF3CH2F에 함유된 중간체 2-클로로-1,1,1-트리플루오로에탄(CF3CH2Cl)의 탈할로겐화 반응에 의해 불포화 화합물의 생성 및 불소화 촉매의 수명 단축 등의 기술적 문제가 남아있다.
본 발명에 의해 해결되는 문제는 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 신규한 제조방법 및 그 용도를 제공하는 것이다.
상기 상황을 감안하여, 공업적으로 사용할 수 있고, 경제적인 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법을 발견하기 위해 본 발명자들이 예의검토한 결과, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는, 불화 수소와 트리클로로에틸렌 및/또는 테트라클로로에틸렌을 반응시킴으로써 얻어진 조생성물을 정제하는 공정에 의해 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 상기 정제 공정은 상기 조생성물에 새로운 불화 수소를 첨가하여 얻어진 혼합물을 기체상으로 불소화 촉매와 접촉시켜 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 공정 및 증류 공정을 포함하는 제조방법을 사용하여 상기 문제를 해결할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명이 달성되었다.
즉, 본 발명은 예컨대, 이하 (1)~(13)의 수법을 포함한다.
(1)1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는, 불화 수소와 트리클로로에틸렌 및/또는 테트라클로로에틸렌을 반응시킴으로써 얻어지는 조생성물을 정제하는 공정에 의해 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 상기 정제 공정은 상기 조생성물에 새로이 첨가한 불화 수소에 의해 얻어지는 혼합물을 기상으로 불소화 촉매와 접촉시켜 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 공정 및 증류 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(2)상기 (1)에 있어서, 상기 조생성물에 불순물로서 함유된 염화수소의 함량은 2몰% 이하인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(3)상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 조생성물에 함유된 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 농도가 70몰% 이상인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(4)상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 불포화 화합물은 1,1-디플루오로-2-클로로에틸렌, 1,2-디플루오로-1-클로로에틸렌, 1-클로로-2-플루오로에틸렌, 1,1,2-트리플루오로에틸렌 및 1-클로로-1,2,2-트리플루오로에틸렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(5)상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 불소화 촉매는 Cu, Mg, Zn, Pb, V, Bi, Cr, In, Mn, Fe, Co, Ni 및 Al로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(6)상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 상기 혼합물 및 상기 불소화 촉매간의 접촉 온도는 130~280℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(7)상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 있어서, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는 조생성물에 불화 수소를 새로 첨가함으로써 얻어진 혼합물이 기상으로 불소화 촉매와 접촉하여 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(8)상기 (7)에 있어서, 상기 혼합물과 상기 불소화 촉매간의 접촉 온도는 130~200℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(9)상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 있어서, 상기 증류 공정에서 불화 수소를 분리하고, 상기 조생성물을 얻기 위한 공정에 그 분리된 불화 수소를 재순환시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
(10)상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 제조방법에 의해 얻어진 1,1,1,2-테트라플루오로에탄에 있어서, 상기 1,1,1,2-테트라플루오로에탄에서의 염소 함유 화합물의 총함량은 2부피ppm 이하인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄.
(11)상기 (10)에 기재된 1,1,1,2-테트라플루오로에탄과 불소 가스가 희석 가스의 존재하에 반응하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄의 제조방법.
(12)상기 (11)에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭가스.
(13)상기 (11)에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정가스.
본 발명에 따라서, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄에 함유된 불포화 불순물의 함량을 저감시킴으로써, 저온냉매, 에칭가스 또는 세정가스로서 유리하게 사용할 수 있는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 얻기 위한 공업적으로 유리한 제조방법 및 그 용도가 제공될 수 있다.
이하, 본 발명에 대해서 상세히 설명한다.
CF3CH2F의 제조방법으로서, 예컨대, 불소화 촉매의 존재하에 트리클로로에틸렌과 불화수소를 2개의 공정으로 반응시켜 제조하는 방법이 알려져 있다. 또한, CH3CHF2의 제조방법으로서, 예컨대, 불소화 촉매의 존재하에 테트라클로로에틸렌 및 불화 수소를 2개의 공정으로 반응시켜 제조하는 방법이 알려져 있다. 이들 방법을 사용하여 CF3CH2F 및 CH3CHF2를 제조하는 경우, 일반적으로 실용되는 증류 공정 등에 의해 정제되는 경우라도, 목적 CF3CH2F 및 CH3CHF2로부터 분리되기 어려운 불순물은 함유된다. 이들 불순물로서, 예컨대, 상기 불포화 화합물, 클로로플루오로카본, 히드로플루오로카본 등이 언급될 수 있다. 이들 불순물을 가능한 많이 제거하여 고순 도를 얻을 필요가 있다.
본 발명의 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법은 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는, 불화 수소와 트리클로로에틸렌 및/또는 테트라클로로에틸렌을 반응시킴으로써 얻어지는 조생성물을 정제하는 공정에 의해 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 상기 정제 공정은 상기 조생성물에 불화 수소를 새로이 첨가함으로써 얻어지는 혼합물을 기상으로 불소화 촉매와 접촉시켜 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 저감시키는 공정 및 증류 공정을 포함한다.
히드로플루오로카본류의 많은 화합물은 불화 수소와 공비 혼합물을 형성한다고 알려져 있다. 또한, CF3CH2F 및 CH3CHF2는 불화 수소와 함께 공비 혼합물을 형성한다. 예컨대, CF3CH2F와 불화 수소의 공비 혼합물의 몰비는 HF/CF3CH2F=약 0.12이다. 예컨대, 상기 일본특허공개 평6-184015호 공보는 상기 공비 혼합물 및 1,1-디플루오로-2-클로로에틸렌(CF2=CHCl) 등의 불포화 불순물을 포함하는 혼합물을 200~380℃의 온도에서 크롬계 촉매와 접촉시켜 상기 불포화 화합물을 저감시키는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 이것은 상기 접촉 온도가 높아지면, 상기 혼합물에 함유된 2-클로로-1,1,1-트리플루오로에탄(CF3CH2Cl)의 탈할로겐화 반응이 일어나 부산물로서, 1,1-디플루오로-2-클로로에틸렌이 생성되어 그것을 따라 촉매 표면의 코 킹(coking)이 진행되고, 촉매 수명이 짧아진다는 문제가 있다. 본 발명에 있어서, CF3CH2F 및/또는 CF3CHF2를 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 1종 이상의 불포화 화합물을 포함하는 혼합물에 불화 수소를 새로이 첨가하고, 이 혼합물을 기상 상태로 불소화 촉매와 접촉시킴으로써, 상기 목적 생성물의 손실없이 상기 불포화 화합물의 함량이 감소되고, 또한 촉매 수명이 연장될 수 있다는 잇점이 얻어진다.
상기 트리클로로에틸렌 및 불화 수소를 반응시킨 후, 상기 조 정제 공정을 행함으로써 얻어진 CF3CH2F 조생성물은 공비 성분으로서 불화 수소, 1종 이상의 불포화 화합물 및 상기 CF3CH2F의 제조시의 중간체로서 CF3CH2Cl을 포함한다. 일반적으로, 상기 CF3CH2Cl의 농도는 약 10몰% 이하이고, 상기 목적 CF3CH2F의 농도는 70몰% 이상이다. 상기 중간체의 CF3CH2Cl은 상기 불화 수소와 함께 공비 혼합물을 형성한다. 상기 공비 혼합물의 몰비는 HF/CF3CH2Cl=약 1.0이다.
또한, 상기 불포화 화합물의 총함량은 사용되는 촉매 및 반응 조건에 따라서 달라지지만, 일반적으로 약 0.4~0.9몰%이다. 상기 불포화 화합물로서, 1,1-디플루오로-2-클로로에틸렌, 1,2-디플루오로-1-클로로에틸렌, 1-클로로-2-플루오로에틸렌, 1,1,2-트리플루오로에틸렌 및 1-클로로-1,2,2-트리플루오로에틸렌이 언급될 수 있다. 상기 CF3CH2F 및 불화 수소의 공비 혼합물의 몰비는 HF/CF3CH2F = 약 0.12이고, 따라서, 새로이 첨가된 불화 수소의 양은 이보다 많게 되는 것이 바람직하다. 상기 CF3CH2F와의 몰비가 HF/CF3CH2F=0.3이상이 되도록 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 불화 수소의 첨가량이 증가하면, 상기 불포화 화합물에 불화 수소의 첨가 반응이 용이하게 진행되어 반응 온도가 감소될 수 있다. 이것은 부산물의 생성 억제와 목적 생성물의 손실 감소 및 촉매의 연장된 수명 등의 큰 잇점이 얻어진다. 또한, 상기 조생성물이 CF3CHF2이면, 상기 CF3CHF2 및 불화 수소의 공비 혼합물의 몰비는 HF/CF3CHF=약 0.1이고, 따라서, 새로이 첨가되는 불화 수소는 HF/CF3 CHF2=0.2이상의 CF3CHF2와의 몰비가 되는 양으로 첨가되는 것이 바람직하다. 본 발명의 방법에 있어서, 상기 조생성물에 불화 수소를 새로이 첨가함으로써 얻어진 혼합물을 기상으로 불소화 촉매와 접촉시키는 공정은 불화 수소와 상기 CF3CH2F 및 CF3CHF2를 단독으로 혼합시켜 그 혼합물을 상기 불소화 촉매와 접촉시키는 것을 포함해도 좋고, 또는 2개의 화합물이 혼합된 상태로 불화 수소와의 혼합물을 형성하고, 그 혼합물을 상기 불소화 촉매와 접촉시켜도 좋다. 2개의 화합물이 혼합된 상태로 그 혼합물을 상기 불소화 촉매와 접촉시킨 후, 증류 제거하고, 그들을 분리하는 방법이 바람직하다. 또한, 새로이 첨가되는 불화 수소를 공급하는 방법으로서, 일괄 공급 방식 및 분활 공급 방식 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
본 발명의 방법에 사용되는 불소화 촉매는 불소화 반응에 대하여 촉매 작용을 갖는 어떠한 것이어도 좋다. 상기 촉매로서, Cu, Mg, Zn, Pb, V, Bi, Cr, In, Mn, Fe, Co, Ni 및 Al로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하 는 주기율표의 IB족, IIA족, IIB족, IVB족, VA족, VB족, VIA족, VIIA족 및 VIII족으로 이루어지는 불소화 촉매, 예컨대, 주로 3가 산화 크롬을 포함하는 벌크 촉매, 또는 담체로서 알루미나, 불화 알루미늄 또는 활성탄을 사용한 담지 촉매가 선택될 수 있다. 상기 불소화 촉매의 제조방법으로서, 일반적인 방법이 적용될 수 있다. 이것은 예컨대, 염화 코발트 수용액과 알루미나를 함침시키고, 건조시킨 후, 이것을 공기 흐름하에서 소성시킴으로써 제조할 수 있다. 이렇게 제조된 촉매는 반응을 위해 사용되기 전에, 질소 및/또는 불화 수소를 사용하여 활성화시키는 것이 바람직하다.
상기 조생성물 및 불소화 촉매를 접촉시키는 온도는 130~280℃의 범위내인 것이 바람직하고, 130~200℃의 범위내인 것이 더욱 바람직하다. 상기 온도가 130℃미만이면, 상기 불포화 화합물의 반응 속도가 느려지는 경우가 있는 반면에, 280℃를 초과하는 온도에서는, 상술의 부반응의 비율의 증가 경향이 보인다.
상기 조생성물에 불순물로서 함유된 염화 수소의 함량은 2몰% 이하가 바람직하다. 상기 염화 수소의 함량이 2몰%를 초과하면, 불순물이 증가되는 경향이 있다.
상기 조생성물 및 불소화 촉매를 접촉시킨 후, 상기 공비 성분의 불화 수소 및 새로이 첨가된 상기 불화 수소의 적어도 일부분이 증류 공정에서 분리되고, 그 분리된 불화 수소가 얻어진 조생성물의 공정으로 재순환되는 것이 바람직하다. 상기 CF3CH2F는 증류에 의해 분리 및 정제될 수 있어 불포화 화합물 및 염소 함유 화합물이 거의 함유되어 있지 않은 고순도 CF3CH2F가 고수율로 얻어질 수 있다. 상기 염소 함유 화합물의 총함량은 2부피ppm 이하로 감소될 수 있다.
상기 CF3CH2F에 함유된 불순물의 함량은 가스크로마토그래피(GC)의 TCD법 또는 FID법, 가스크로마토그래피-질량분석기(GC-MS)법 등에 의해 측정될 수 있다.
또한, 희석 가스의 존재하에서 이러한 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및 불소 가스를 반응시킴으로써, 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄이 제조될 수 있다. 본 발명의 제조방법에 따라서, 상기 펜타플루오로에탄 및 헥사플루오로에탄을 제조하기 위한 재료로서, 상기 1,1,1,2-테트라플루오로에탄은 불순물로서 함유된 염소 함유 화합물의 총량이 매우 적으므로, 고순도 펜타플루오로에탄 및 헥사플루오로에탄이 제조될 수 있다. 예컨대, 상기 펜타플루오로에탄은 99.9998부피% 이상의 순도를 제공할 수 있다.
다음에, 상기 제조방법을 사용하여 얻어지는 고순도 펜타플루오로에탄 및 헥사플루오로에탄의 용도에 관해서 설명한다. 상기 고순도 펜타플루오로에탄은, 예컨대, He, N2 또는 Ar 등의 불활성 가스 및 O2 또는 NF3 등의 가스와 혼합(이하, "펜타플루오로에탄 생성물"로서 언급되는 경우도 있음)되고, 반도체 장치 제조방법에서의 에칭 공정의 에칭 가스로서 사용되어도 좋다. 또한, 반도체 장치 제조공정에서의 세정가스로서 상기 고순도 헥사플루오로에탄이 사용될 수 있다.
이하, 본 발명은 실시예 및 비교예로 더욱 자세히 설명되지만, 본 발명은 이들 예로 한정되지 않는다.
조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄의 조제예(원료예 1)
출발 원료로서 트리클로로에틸렌(CCl2=CHCl)을 사용하여 크롬계 불소화 촉매의 존재하에 기상으로 불화 수소와 반응을 행하여 주로 CF3CH2Cl의 중간체를 얻고, 이것을 상기 크롬계 불소화 촉매로 채워진 다른 반응기에 도입시키고, 불화 수소와 더 반응시키는 2개 공정 반응이 행해졌다. 상기 조 정제 공정 후에 얻어진 상기 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 분석하였더니, 하기 조성을 가졌다:
CF3CH2F 81.2080 CHCl = CHF 0.0020
CF3CH2Cl 6.2400 CF3CH3 0.5630
CF3CHF2 0.5320 CF3CHClF 0.5310
CHF2CHF2 0.1600 CF3CClF2 0.0540
CF2=CHCl 0.6420 HF(불화 수소) 9.5060
HCl(염화 수소) 0.5620
단위: 부피%
조 펜타플루오로에탄의 조제예(원료예 2)
출발 원료로서 테트라클로로에틸렌(CCl2=CCl2)을 사용하여 크롬계 촉매의 존재하에 기상으로 불화 수소와 반응시켜 주로 중간체로서 CF3CHCl2 및 CF3CHClF를 얻었고, 이것을 크롬계 불소화 촉매로 채워진 다른 반응기에 도입시켜 불화 수소와 반응시키는 2개 공정 반응을 행하였다. 상기 조 정제 공정후에 얻어진 조 펜타플루 오로에탄을 분석하였더니, 하기 조성을 가졌다:
CF3CHF2 86.9712 CF3CHClF 3.8204
CF3CHCl2 0.0051 CF3CClF2 0.3121
CF3CH3 0.0161 CH2F2 0.0121
CF2=CClF 0.0241 CF2=CHF 0.0012
HF 8.3276 HCl 0.4820
기타 0.0281
단위: 부피%
촉매 제조예 1(촉매예 1)
0.6리터의 순수한 물을 10리터 용기에 채웠고, 교반하였다. 1.2리터의 순수한 물 및 0.31리터의 28% 암모니아수에 452g의 Cr(NO3)3·9H2O 및 42g의 In(NO3)3·nH2O(n은 약 5이다.)를 용해시켜 얻어진 용액을 상기 반응액의 pH가 7.5~8.5의 범위가 되도록 상기 2종의 수용액의 유량을 조절하면서, 약 1시간에 걸쳐 상기 용기에 적하시켰다. 얻어진 슬러리가 여과된 후, 순수한 물로 여과된 고형분을 잘 세정하였고, 12시간에 걸쳐 120℃에서 건조하였다. 상기 건조된 고형분이 분쇄된 후, 그라파이트와 혼합되었고, 정제성형기로 성형하여 펠릿을 제조하였다. 상기 펠릿은 질소 가스의 흐름하에 4시간 동안 400℃에서 소성되어 촉매 전구체가 얻어졌다. 다음에, 350℃에서 불화 수소가 불소화(촉매의 활성화)에 사용되는 인코넬 반응기에 상기 촉매 전구체가 채워져 촉매가 제조되었다.
촉매 제조예 2(촉매예 2)
132ml의 순수한 물에 191.5g의 염화 크롬(CrCl3·6H2O)이 채워진 후, 배스(bath)상에서 70~80℃로 가열하여 염화 크롬을 용해시켰다. 상기 용액이 실온까지 냉각된 후, 400g의 활성 알루미나(Nikki Universal Co.,Ltd제작 NST-7)가 침지되어 상기 알루미나가 상기 촉매액의 전체량을 흡수하였다. 그런 후, 상기 촉매액에 의해 젖은 알루미나가 90℃ 배스에서 건조되었고, 고형물로 건조되었다. 공기순환형 열풍 건조기에 의해 3시간 동안 110℃에서 상기 고형화된 촉매가 건조되었고, 건조 촉매가 SUS제의 용기에 채워진 후, 공기의 순환하에 온도가 400℃로 상승되어 촉매 전구체가 제조되었다. 상기 촉매의 불소화(촉매의 활성화)는 촉매 제조예 1과 동일한 절차 및 동일한 조건하에서 행해져 촉매가 제조되었다.
촉매 제조예 3(촉매예 3)
촉매예 2에 제2성분으로서, 16.6g의 염화 아연(ZnCl2)을 첨가하는 것을 제외하고는 촉매 제조예 2에서와 동일한 절차 및 조작이 행해져 촉매가 제조되었다.
비교예
촉매 제조예 1(촉매예 1)에서 얻어진 80ml의 촉매가 내부 직경 1인치 및 길이 1m인 인코넬 600형 반응기에 채워졌다. 상기 반응기의 온도가 질소 가스의 흐름하에 180℃로 유지되었고, 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(원료예 1)이 상기 반응기에 도입된 후, 질소 가스의 공급이 정지되었다. 상기 조 1,1,1,2-테트라플루오로 에탄만이 72NL/hr로 촉매에 공급되었다. 약 4시간 경과 후, 배출 가스는 알칼리 수용액에 의해 산성분이 제거된 후, 가스크로마토그래피를 사용하여 기체 조성이 분석되었다. 상기 가스는 하기 조성을 갖는다:
CF3CH2F 90.2993 CHCl=CHF 0.0003
CF3CH2Cl 7.6247 CF3CH3 0.6260
CF3CHF2 0.5916 CF3CHClF 0.5904
CHF2CHF2 0.1779 CF3CClF2 0.0601
CF2=CHC1 0.0278 CH2ClCHF2 0.0019
단위: 부피%
상기 분석결과로부터 명백하듯이, 상기 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 중의 불포화 화합물의 전환율은 약 95.8%이었고, 이것은 이들이 완전히 제거될 수 없다는 것을 증명하였다.
다음에, 상기 반응이 상기 조건하에서 계속되었다. 2400시간 경과 후에, 배출 가스의 조성이 분석되었다. 그 결과, CF2=CHCl의 함량이 증가되었다는 것이 확인되었다. 상기 불포화 화합물의 전환율은 약 93%로 저감되었다. 상기 반응은 이 시점에서 정지되었고, 상기 촉매는 추출되었으며, 상기 표면을 관찰하였더니 상기 촉매 표면 상에 탄소(블랙)의 증착이 확인되었다.
실시예 1
내부 직경 1인치 및 길이 1m인 인코넬 600형 반응기가 상기 비교예와 동일한 방법으로, 촉매 제조예(촉매예 1)에서 얻어진 80ml의 촉매로 채워졌고, 질소 가스를 통과시키면서, 상기 반응기 중의 온도를 180℃로 유지하였고, 반응기의 입구로부터 10NL/hr로 불화 수소가 공급된 후, 상기 반응기에 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(원료예 1)이 72NL/hr로 공급된 후, 질소 가스의 주입이 정지되었다. 4시간 경과 후, 배출 가스는 알칼리 수용액에 의해 산성분이 제거된 후, 가스크로마토그래피로 상기 가스 조성이 분석되었다. 이것은 이하의 조성을 가졌다.
CF3CH2F 90.2998 CHCl=CHF < 0.0001
CF3CH2Cl 7.6524 CF3CH3 0.6259
CF3CHF2 0.5918 CF3CHClF 0.5902
CHF2CHF2 0.1777 CF3CClF2 0.0600
CF2=CHCl <0.0001 CH2ClCHF2 0.0020
단위: 부피 %
분석 결과로부터 명백하듯이, 상기 불포화 화합물의 전환율은 상기 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄에 불화 수소를 새로이 첨가함으로써 약 99.9%가 되었다.
다음에, 상기 알칼리 수용액에 의해 산성분이 제거된 가스를 실린더를 냉각하면서, 회수하였고, 증류하여 저비점 부분을 커트하고, 고비점 부분을 커트하여 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄이 얻어졌다. 상기 순도는 가스크로마토그래피(TCD법 또는 FID법) 및 가스크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS법)에 의해 분석되었다. 이것은 이하의 조성을 가졌다:
CF3CH2F 99.9956 CHF2CHF2 0.0042
염소 함유 화합물 < 0.0002
단위: 부피%
상기 결과로부터 명백하듯이, 상기 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 중에 상기 염소 함유 화합물은 2부피ppm이하의 양으로 함유되어 있었다. 이성체 1,1,2,2-테트라플루오로에탄과 조합되면, 상기 순도는 약 99.999부피% 이상이 된다.
또한, 상기와 동일한 조건하에 상기 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄의 정제 반응을 계속하였고, 2400시간 경과후의 배출 가스의 조성을 분석하면, 비교예에서 나타낸 바와 같은 CF2=CHCl의 증가는 확인되지 않았다. 상기 불포화 화합물의 전환율도 약 99% 이상으로 유지되었다.
비교예와 동일한 방법으로, 상기 반응이 이 시점에서 정지되었고, 촉매를 제거하여 표면을 관찰한 경우, 탄소의 증착은 확인되지 않았다. 그런 후, 상기 촉매가 반응기에 다시 채워졌고, 동일한 조건하에서 2000시간 동안 반응을 연속하였지만, 상기 불포화 화합물의 전환율은 약 99% 이상으로 유지되었다.
실시예 2
내부 직경 20.6mm 및 길이 500mm인 인코넬 600반응기(전기히터 가열방식: 불 소 가스로 온도 500℃에서 패시베이션이 완료됨)에 의해 30NL/hr로 질소 가스가 공급되었고, 온도가 280℃로 상승되었다. 그런 후, 희석 가스로서, 상기 불화 수소가 50NL/hr로 공급되었고, 실시예 1에서 얻은 1,1,1,2-테트라플루오로에탄이 분기된 희석 가스의 가스 흐름 중 하나에 1.8N/hr로 공급되었다. 그런 후, 불소 가스가 상기와 동일한 방법으로 분기된 희석 가스의 다른 가스 기류에 2.7NL/hr로 공급되었고, 반응이 행해졌다. 3시간 경과 후, 상기 반응 가스는 수산화칼륨 수용액 및 요오드화칼륨 수용액에 의해 불화 수소 및 불소 가스가 제거된 후, 가스크로마토그래피에 의해 조성이 분석되었다. 상기 가스 조성은 이하와 같다:
CF4 0.4870 CF3CF3 49.6001
CF3CHF2 49.9126 CF3CH2F < 0.0001
염소 함유 화합물 < 0.0002
단위: 부피 %
다음에, 실린더가 냉각되면서, 불화 수소 및 불소 가스가 제거된 가스가 회수되었고, 증류되어 CF3CF3 및 CF3CHF2를 분리하였다. 그들의 저비점 부분 및 고비점 부분이 커트된 후, 가스크로마토그래피 및 GC-MS에 의해 그 결과가 분석되었다. 상기 CF3CF3의 순도는 99.9999부피% 이상이었고, 상기 CF3CHF2의 순도는 99.9998부피% 이었고, 따라서 고순도 생성물이 획득될 수 있었다.
실시예 3
내부 직경 1인치 및 길이 1m인 인코넬 600형 반응기가 촉매 제조예 2(촉매예 2)에서 얻어진 80ml의 촉매로 채워졌다. 질소 가스를 공급하면서, 상기 반응기 중의 온도를 180℃로 유지하였고, 반응기의 입구로부터 불화 수소가 10NL/hr로 공급된 후, 반응기에 72NL/hr로 조 펜타플루오로에탄(원료예 2)이 공급된 후, 질소 가스의 공급이 정지되었다. 4시간 경과 후, 배출 가스는 알칼리 수용액에 의해 산성분이 제거된 후, 가스크로마토그래피를 사용하여 분석되었다. 이것은 이하의 조성을 가졌다.
CF3CHF2 95.3734 CH3CHClF 4.2156
CF3CHCl2 0.0056 CF3CClF2 0.3422
CF3CH3 0.0176 CH2F2 0.0133
CF2=CClF2 <0.0002 CF2=CHF <0.0001
CF3CF2F 0.0012 기타 0.0308
단위: 부피 %
상기 결과로부터 명백하듯이, 상기 조 펜타플루오로에탄 중의 약 99%의 불포화 화합물이 제거(전환)될 수 있었다.
실시예 4
내부 직경 1인치 및 길이 1m인 인코넬 600형 반응기가 촉매 제조예 3(촉매예 3)에서 얻어진 80ml의 촉매로 채워졌다. 질소 가스를 공급하면서, 상기 반응기 중의 온도를 180℃로 유지하였고, 반응기의 입구로부터 불화 수소가 10NL/hr로 공급 된 후, 36N/hr의 조 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(원료예 1) 및 3NL/hr의 조펜타플루오로에탄(원료예 2)가 반응기의 입구에서 혼합되어 반응기에 공급되었다. 그런 후, 질소 가스의 주입이 정지되었다. 4시간 경과 후, 배출 가스는 알칼리 수용액에 의해 산성분이 제거된 후, 가스크로마토그래피로 가스 조성이 분석되었다. 함유된 불포화 화합물의 약 99%가 제거(전환)될 수 있었다.
본 발명은 저온용 냉매, 에칭 가스 및 세정 가스로서 유리하게 사용할 수 있는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및 펜타플루오로에탄의 제조에 유용하다.

Claims (13)

1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는, 불화 수소와 트리클로로에틸렌 및/또는 테트라클로로에틸렌을 반응시킴으로써 얻어지는 조생성물을 정제하는 공정에 의해 고순도 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 상기 정제 공정은 상기 조생성물에 새로이 첨가한 불화 수소에 의해 얻어지는 혼합물을 기상으로 불소화 촉매와 접촉시켜 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 공정 및 증류 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 조생성물에 불순물로서 함유된 염화수소의 함량은 2몰% 이하인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조생성물에 함유된 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 농도가 70몰% 이상인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불포화 화합물은 1,1-디플루오로-2-클로로에틸렌, 1,2-디플루오로-1-클로로에틸렌, 1-클로로-2-플루오로에틸렌, 1,1,2-트리플루오로에틸렌 및 1-클로로-1,2,2-트리플루오로에틸렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불소화 촉매는 Cu, Mg, Zn, Pb, V, Bi, Cr, In, Mn, Fe, Co, Ni 및 Al로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물 및 상기 불소화 촉매간의 접촉 온도는 130~280℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 포함하는 주생성물, 상기 주생성물과의 공비 성분으로서 불화 수소 및 적어도 불포화 화합물을 포함하는 불순물 성분으로 이루어지는 조생성물에 불화 수소를 새로 첨가함으로써 얻어진 혼합물이 기상으로 불소화 촉매와 접촉하여 상기 조생성물에 함유된 불포화 화합물의 함량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플 루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 7항에 있어서, 상기 혼합물과 상기 불소화 촉매간의 접촉 온도는 130~200℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증류 공정에서 불화 수소를 분리하고, 상기 조생성물을 얻기 위한 공정에 그 분리된 불화 수소를 재순환시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의 제조방법.
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 얻어진 1,1,1,2-테트라플루오로에탄에 있어서, 상기 1,1,1,2-테트라플루오로에탄에서의 염소 함유 화합물의 총함량은 2부피ppm 이하인 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄.
제 10항에 기재된 1,1,1,2-테트라플루오로에탄과 불소 가스가 희석 가스의 존재하에 반응하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄의 제조방법.
제 11항에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭가스.
제 11항에 기재된 제조방법에 의해 얻어지는 펜타플루오로에탄 및/또는 헥사플루오로에탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정가스.
KR1020067018420A 2004-03-29 2005-03-28 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의제조방법 및 그 용도 KR100854982B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004095012 2004-03-29
JPJP-P-2004-00095012 2004-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070002001A true KR20070002001A (ko) 2007-01-04
KR100854982B1 KR100854982B1 (ko) 2008-08-28

Family

ID=37869145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067018420A KR100854982B1 (ko) 2004-03-29 2005-03-28 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의제조방법 및 그 용도

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100854982B1 (ko)
CN (1) CN1938249A (ko)
TW (1) TW200536812A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180136482A (ko) * 2016-04-22 2018-12-24 베이징 유지 사이언스 앤드 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 1,2-디클로로헥사플루오로시클로펜텐의 제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2993213B1 (en) * 2013-04-30 2020-07-15 AGC Inc. Composition containing trifluoroethylene
CN103611525A (zh) * 2013-11-13 2014-03-05 浙江衢化氟化学有限公司 一种气相法生产五氟乙烷的催化剂及其制备方法
CN107694509B (zh) * 2017-10-24 2020-09-04 苏州金宏气体股份有限公司 一种去除八氟环丁烷中的六氟丙烯的吸附剂及其制备方法
CN110092703A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 上海汇友精密化学品有限公司 一种五氟乙烷的制备方法
CN112174774A (zh) * 2020-11-06 2021-01-05 福建省清流县东莹化工有限公司 一种五氟乙烷的净化工艺
CN114456046B (zh) * 2021-12-31 2023-10-27 山东华夏神舟新材料有限公司 高纯度氢氟醚及其提纯方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0152580B1 (ko) * 1995-08-23 1998-10-15 김은영 1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 펜타플루오로에탄 및 1,1,1-트리플루오로에탄의 병산 방법
JP3725298B2 (ja) * 1997-06-18 2005-12-07 昭和電工株式会社 パーフルオロカーボンの製造方法
US6489523B1 (en) * 2000-06-21 2002-12-03 Showa Denko K.K. Process for producing hexafluoroethane and use thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180136482A (ko) * 2016-04-22 2018-12-24 베이징 유지 사이언스 앤드 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 1,2-디클로로헥사플루오로시클로펜텐의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1938249A (zh) 2007-03-28
KR100854982B1 (ko) 2008-08-28
TW200536812A (en) 2005-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101553543B1 (ko) 2-클로로-3,3,3,-트리플루오로프로펜(ＨＣＦＣ－１２３３ｘｆ)을 제조하는 개선된 방법
KR101595196B1 (ko) 2,3,3,3-테트라플루오로프로펜의 제조 방법
US7312367B2 (en) Method of making 1,1,3,3,3-pentafluoropropene
EP0734366B1 (en) Production of pentafluoroethane
KR100854982B1 (ko) 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 및/또는 펜타플루오로에탄의제조방법 및 그 용도
US6720464B2 (en) Production and use of octafluoropropane
JP4378779B2 (ja) 含フッ素エタンの製造方法
US5710351A (en) Process for producing hexafluoroethane
WO2000024696A1 (en) Method of producing hydrofluorocarbons
JP4539793B2 (ja) オクタフルオロプロパンの製造方法及びその用途
US20070191652A1 (en) Process for production of 1,1,1,2- tetrafluoroethane and/or pentafluorethane and applications of the same
JP4738035B2 (ja) １，１，１，２−テトラフルオロエタンおよび／またはペンタフルオロエタンの製造方法およびその用途
JP4785532B2 (ja) ハイドロフルオロカーボンの製造方法、その製品およびその用途
KR100516573B1 (ko) 헥사플루오로에탄 제조방법 및 그것의 용도
KR100806260B1 (ko) 헥사플루오로에탄의 제조방법 및 그 용도
KR100570802B1 (ko) 플루오로에탄의 제조 방법 및 제조된 플루오로에탄의 용도
JP4463385B2 (ja) ヘキサフルオロエタンの製造方法及びその用途
JP3250267B2 (ja) １，１，１，２−テトラフルオロエタンの精製方法
KR100283711B1 (ko) 헥사플루오로에탄의 제조방법
EP0516690A4 (en) Halogen exchange fluorination
EP0592711A1 (en) Method for the purification of 1,1,1,2-tetrafluoroethane
KR970010459B1 (ko) 디플루오로메탄의 제조방법
CN112384490A (zh) 用于整合式2，3，3，3-四氟丙烯制造工艺的组合物和方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140808

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 10