KR20060135425A - 액정 표시 패널, 그 제조방법, 그의 리페어 장치 및 그의리페어 방법 - Google Patents

액정 표시 패널, 그 제조방법, 그의 리페어 장치 및 그의리페어 방법 Download PDF

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KR20060135425A
KR20060135425A KR1020050055383A KR20050055383A KR20060135425A KR 20060135425 A KR20060135425 A KR 20060135425A KR 1020050055383 A KR1020050055383 A KR 1020050055383A KR 20050055383 A KR20050055383 A KR 20050055383A KR 20060135425 A KR20060135425 A KR 20060135425A
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Abstract

본 발명은 휘점을 암점화하여 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시패널, 그의 제조방법, 그의 리페어장치 및 그의 리페어방법에 관한 것이다.
본 발명은 칼라 필터기판과; 상기 칼라 필터 기판과 액정을 사이에 두고 대향하는 박막트랜지스터 기판과; 상기 칼라필터 기판 및 박막트랜지스터 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물을 포함하도록 형성되어 광에 반응하여 광투과율이 변하는 광변색층을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 패널, 그 제조방법, 그의 리페어 장치 및 그의 리페어 방법{Liquid Crystal Display Panel, Fabricating Method Thereof, Repairing Appartus Thereof, And Repairing Method Thereof}
도 1는 종래 액정 표시 패널을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2에서 선"Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 광변색층의 다양한 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 3에 도시된 액정 표시 패널의 검사공정부터 리페어 공정 까지의 공정단계를 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101,111 : 기판 102 : 게이트라인
104 : 데이터라인 106 : 게이트 전극
108 : 소스 전극 110 : 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114 : 활성층
116 : 오믹접촉층 118 : 보호막
120 : 콘택홀 122 : 화소전극
130 : 박막트랜지스터 140 : 블랙매트릭스
142 : 칼라필터 144 : 평탄화층
146 : 공통전극 150 : 칼라 필터 기판
160 : 박막트랜지스터 기판 170 : 광변색층
172 : 액정층
본 발명은 액정표시패널에 관한 것으로, 특히 휘점을 암점화 하여 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시패널, 이의 제조방법, 이의 리페어 장치 및 이의 리페어 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 액정(76)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(70) 및 칼라 필터 기판(80)을 구비한다.
칼라 필터 기판(80)에는 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(68)와, 칼라 구현 을 위한 칼라 필터(62), 화소 전극(72)과 수직전계를 이루는 공통전극(64)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막을 포함하는 칼라 필터 어레이가 상부기판(11) 상에 형성된다.
박막 트랜지스터 기판(70)에는 서로 교차되게 형성된 게이트라인(82) 및 데이터라인(74)과, 그들(82,74)의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(58)와, 박막트랜지스터(58)와 접속된 화소 전극(72)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막을 포함하는 박막트랜지스터 어레이가 하부기판(1) 상에 형성된다.
이러한 액정 표시 패널은 테스트 패턴을 구현하여 불량 화소의 유무를 탐지하여 불량 화소에 대한 리페어 작업을 하게 된다. 특히, 액정 표시 패널에 블랙 테스트 패턴을 구현하여 쇼트 불량 또는 신호 불량 등의 이유로 상대적으로 밝게 보이는 휘점으로 나타나는 불량 화소를 찾아 그 불량 화소를 암점화한다.
이러한 불량 화소를 암점화하기 위해 레이저를 이용하여 화소전극이 항상 온이 되게 하거나 항상 오프되게 한다. 즉, 화소전극과 데이터라인을 레이저를 이용하여 연결시키거나 화소전극과 박막트랜지스터를 레이저를 이용하여 분리시킨다. 그러나, 레이저를 이용한 리페어 공정시 데이터라인과 게이트라인의 쇼트불량 등의 문제점이 발생되어 불량 화소의 암점화 성공률이 매우 낮은 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 휘점을 암점화하여 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시패널, 그의 제조방법, 그의 리페어 장치 및 그의 리페어 방법을 제공하는데 있 다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시패널은 칼라 필터기판과; 상기 칼라 필터 기판과 액정을 사이에 두고 대향하는 박막트랜지스터 기판과; 상기 칼라필터 기판 및 박막트랜지스터 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물을 포함하도록 형성되어 광에 반응하여 광투과율이 변하는 광변색층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층은 불량 화소를 통과하여 출사되는 광을 차광시키는 것을 특징으로 한다.
상기 박막트랜지스터 기판은 하부기판과; 상기 하부기판 상에 형성되는 게이트라인과; 상기 게이트라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소영역을 마련하는 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 박막트랜지스터와; 싱기 박막트랜지스터를 보호하는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되며 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 칼라 필터 기판은 상기 하부기판과 대향하는 상부기판과; 상기 상부기판 상에 형성되어 화소 영역을 마련하는 블랙매트릭스와; 상기 화소영역 상에 형성되는 칼라필터와; 상기 칼라 필터에 의한 단차를 보상하기 위한 평탄화층과; 상기 화소전극과 전계를 이루는 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층은 상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층은 상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나에 광변색물질이 포함된 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 액정을 사이에 두고 대향하는 칼라필터 기판 및 박막트랜지스터기판을 마련하는 단계와; 상기 칼라 필터 기판 및 박막트랜지스터 기판 중 적어도 어느 하나의 기판 상에 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물로 광에 반응하여 광특성이 변하는 광변색층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막트랜지스터 기판을 마련하는 단계는 하부기판, 상기 하부기판 상에 형성되는 게이트라인, 상기 게이트라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소영역을 마련하는 데이터라인, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 박막트랜지스터, 싱기 박막트랜지스터를 보호하는 보호막, 상기 보호막 상에 형성되며 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 포함하는 상기 박막트랜지스터 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 칼라 필터 기판을 마련하는 단계는 상기 하부기판과 대향하는 상부기 판, 상기 상부기판 상에 형성되어 화소 영역을 마련하는 블랙매트릭스, 상기 화소영역 상에 형성되는 칼라필터, 상기 칼라 필터에 의한 단차를 보상하기 위한 평탄화층, 상기 화소전극과 전계를 이루는 공통전극을 포함하는 칼라 필터 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층을 형성하는 단계는 상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 상기 광변색층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층을 형성하는 단계는 상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나에 광변색물질이 포함된 상기 광변색층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 리페어장치는 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 화합물로 형성되며 광에 반응하여 광특성이 변하는 광변색층을 구비하는 액정 표시 패널과; 상기 액정 표시 패널의 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 광을 조사하여 상기 광변색층을 암점화하는 광조사부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 광조사부는 자외선을 상기 광변색층에 조사하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시 패널의 리페어 장치는 상기 광변색층과 상기 광조사부 사이에 위치하여 상기 광의 조사영역 및 초점거리를 조절하는 초점조절부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 리페어 방법은 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 화합물로 형성된 광변색층을 가지는 액정 표시 패널을 마련하는 단계와; 상기 액정 표시 패널의 불량 화소 위치를 감지하는 단계와; 상기 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 광을 조사하여 상기 광변색층을 암점화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광변색층을 암점화하는 단계는 상기 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 2 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 평면도이며, 도 3은 도 2에서 선"Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절단한 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 액정 표시 패널은 박막트랜지스터 어레이가 형성된 박막트랜지스터 기판(160)과, 칼라 필터 어레이가 형성된 칼라 필터 기판(150)과, 박막트랜지스터 기판(160) 및 칼라 필터 기판(150) 중 어느 한 기판 상에 형성된 광변색층(170)을 구비한다.
박막트랜지스터 기판(160)은 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(104)과 접속된 박막트랜지스터(130)와, 박막트랜지스터(130)와 접속되며 화소영역에 형성된 화 소 전극(122)을 구비한다.
박막트랜지스터(130)는 게이트라인(102)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(104)으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(122)에 공급한다. 이를 위해, 박막트랜지스터(130)는 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극(106), 데이터 라인(104)에 접속된 소스 전극(108), 보호막(118)을 관통하는 콘택홀(120)을 통해 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 전극(106)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110) 각각과 활성층(114)과의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(116)을 구비한다.
화소전극(122)은 데이터라인(104)과 게이트라인(102)의 교차로 마련된 화소영역에 위치하며 투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 화소전극(122)은 보호막(118) 위에 형성되며, 콘택홀(120)을 통해 드레인전극(110)과 전기적으로 접속된다. 화소전극(122)은 박막트랜지스터를 통해 공급된 데이터 신호에 의해 공통전극(146)과 전위차를 발생시킨다. 이 전위차에 의해 액정이 회전하게 되며 액정의 회전 정도에 따라서 광투과량이 결정된다.
칼라 필터 기판(150)에는 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(140)와, 칼라 구현을 위한 칼라 필터(142), 칼라 필터(142) 상에 형성된 평탄화층(144), 화소 전극(122)과 수직전계를 이루는 공통전극(146)을 포함하는 칼라 필터 어레이가 상부기판(111) 상에 형성된다. 여기서, 평탄화층(114)은 형성되지 않을 수도 있다.
칼라 필터(142)는 블랙매트릭스(140)에 의해 마련된 화소영역에 형성된다. 이 칼라 필터(142)는 R, G, B 별로 형성되어 R, G, B 색상을 구현한다. 평탄화층(144)은 칼라 필터(142)가 형성된 상부기판(101)을 평탄화하기 위해 아크릴 수지 등의 투명한 유기 절연 물질로 형성된다. 공통전극(146)에는 액정의 움직임을 제어하기 위한 공통전압이 공급된다. 스페이서(도시하지 않음)는 칼라 필터 기판(150)과 박막트랜지스터 기판(160) 사이의 셀 갭을 유지하는 역할을 한다.
광변색층(170)은 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 아래의 구조를 가지는 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질, 디아릴에텐 유도체들 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물로 형성된다.
(스피로벤조피란 화합물)
Figure 112005033984815-PAT00001
(스피록사진 화합물)
Figure 112005033984815-PAT00002
(디아릴에텐 유도체)
Figure 112005033984815-PAT00003
이 광변색층(170)은 자외선 중 특정 파장, 특정 이상 파워의 레이저광 조사에 의해 투과성질에서 흡수성질로 변하게 된다. 불량 화소의 휘점 발생 부위와 중첩되는 영역의 광변색층(170)에 대해 선택적으로 레이저광을 조사하면, 광변색층(170)이 흡수성질로 변하므로 빛이 차광된다.
광변색층(170)은 도 3에 도시된 바와 같이 상부기판(111)의 전면에 형성되거 나 도 4a에 도시된 바와 같이 상부기판(111)의 전면 상에 형성되거나 도 4b에 도시된 바와 같이 하부기판(101)의 전면 상에 형성되거나 도 4c에 도시된 바와 같이 하부기판(101)의 후면 상에 형성된다. 또는 하부기판(101) 상에 형성된 게이트 절연막(112), 보호막(118) 및 화소전극(122) 중 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 형성되거나 상부기판(111) 상에 형성된 칼라필터(142), 평탄화층(144) 및 공통전극(146) 중 적어도 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 형성된다. 또는 상부기판(111), 하부기판(101), 게이트 절연막(112), 보호막(118), 화소전극(122), 칼라필터(142), 평탄화층(144) 및 공통 전극(146) 중 적어도 어느 하나에 광변색물질이 포함되어 이들이 광변색층역할까지 수행한다.
이러한 액정 표시 패널의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 칼라 필터 기판(150) 및 박막트랜지스터 기판(160)을 마련한다. 이 때, 칼라 필터 기판(150) 및 박막트랜지스터 기판(160) 중 적어도 어느 한 기판 상에는 광변색층(170)이 형성되어 있다.
마련된 칼라 필터 기판(150) 및 박막트랜지스터 기판(160) 사이에 액정을 주입한 후 두 기판(150,160)을 합착한다. 또는 칼라 필터 기판(150) 및 박막트랜지스터 기판(160)을 합착한 후 두 기판(150,160) 사이에 액정을 주입한다.
상술한 제조방법에 의해 형성된 액정 표시 패널은 쇼트불량, 오픈 불량 등으로 인한 불량 화소의 유무를 판별하기 위한 검사 공정을 거치게 된다.
검사 공정시 액정 표시 패널의 화면에 테스트 패턴을 구현하여 휘점으로 나타나는 불량 화소의 위치를 파악하게 된다. 즉, 도 5a에 도시된 바와 같이 제1 및 제3 화소전극(122A,122C) 및 공통 전극(146) 각각에 인가된 전계에 의해 구동되는 액정층(172)에 의해 광이 액정 표시 패널을 통과하지 못해 흑색을 표시하여야 하지만 제2 화소전극(122B)을 가지는 불량 화소에서는 빛이 투과되어 화면에 휘점불량이 발생된다.
이 휘점 불량이 발생된 불량 화소와 대응되는 위치에 있는 광변색층(170)에는 도 5b에 도시된 바와 같이 레이저 조사 장치를 이용하여 레이저광이 조사된다. 이 레이저광에 의해 광변색층(170)은 빛의 투과율이 변하게 된다. 즉, 레이저 광을 조사하기 전에 광을 투과시키는 광변색층(170)은 조사되는 레이저광에 의해 입사되는 광을 흡수하게 된다. 여기서, 레이저 조사 장치는 초점 조절부를 더 포함할 수 있다. 이 초점 조절부(도시하지 않음)는 레이저 조사 장치와 액정 표시 패널 사이에 위치하여 레이저 조사 영역이 정밀하게 조절될 수 있도록 한다.
이러한 레이저 조사공정에 의해 도 5c에 도시된 바와 같이 제1 및 제3 화소전극(122A,122C) 및 공통 전극(146) 각각에 인가된 전계에 의해 구동되는 액정층(172)은 백라이트 유닛으로부터의 광을 차단한다. 그러므로 제1 및 제3 화소전극(122A,122C)을 가지는 정상 화소는 흑색을 표시한다. 그리고, 제2 화소전극(122B)을 가지는 불량 화소를 통과한 광은 광변색층(170)에 의해 차광되므로 불량 화소도 흑색을 표시하게 된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 불량 화소에 대한 별도의 리페어 공정을 거치지 않고 광변색층을 이용하여 휘점이 발생되는 불량 화소를 암점화시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시패널, 그의 제조방법, 그의 리페어 장치 및 방법은 액정 표시 패널의 내부 또는 외부에 형성된 광변색층을 구비한다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널, 그의 제조방법, 그의 리페어 장치 및 방법은 불량 화소와 대응되는 광변색층에 레이저를 조사하여 휘점 불량 화소를 암점화시킬 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널, 그의 제조방법, 그의 리페어 장치 및 방법은 백라이트에서 출사되는 광을 차광하여 휘점 발생을 줄일 수 있어 수율이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (16)

  1. 칼라 필터기판과;
    상기 칼라 필터 기판과 액정을 사이에 두고 대향하는 박막트랜지스터 기판과;
    상기 칼라필터 기판 및 박막트랜지스터 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물을 포함하도록 형성되어 광에 반응하여 광투과율이 변하는 광변색층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광변색층은 불량 화소를 통과하여 출사되는 광을 차광시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 기판은
    하부기판과;
    상기 하부기판 상에 형성되는 게이트라인과;
    상기 게이트라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소영역을 마련 하는 데이터라인과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 박막트랜지스터와;
    싱기 박막트랜지스터를 보호하는 보호막과;
    상기 보호막 상에 형성되며 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 칼라 필터 기판은
    상기 하부기판과 대향하는 상부기판과;
    상기 상부기판 상에 형성되어 화소 영역을 마련하는 블랙매트릭스와;
    상기 화소영역 상에 형성되는 칼라필터와;
    상기 칼라 필터에 의한 단차를 보상하기 위한 평탄화층과;
    상기 화소전극과 전계를 이루는 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광변색층은
    상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 광변색층은 상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 액정을 사이에 두고 대향하는 칼라필터 기판 및 박막트랜지스터기판을 마련하는 단계와;
    상기 칼라 필터 기판 및 박막트랜지스터 기판 중 적어도 어느 하나의 기판 상에 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합으로 이루어진 화합물로 광에 반응하여 광특성이 변하는 광변색층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 기판을 마련하는 단계는
    하부기판, 상기 하부기판 상에 형성되는 게이트라인, 상기 게이트라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소영역을 마련하는 데이터라인, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차부에 위치하는 박막트랜지스터, 싱기 박막트랜지스터를 보호하는 보호막, 상기 보호막 상에 형성되며 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 포함하는 상기 박막트랜지스터 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 칼라 필터 기판을 마련하는 단계는
    상기 하부기판과 대향하는 상부기판, 상기 상부기판 상에 형성되어 화소 영역을 마련하는 블랙매트릭스, 상기 화소영역 상에 형성되는 칼라필터, 상기 칼라 필터에 의한 단차를 보상하기 위한 평탄화층, 상기 화소전극과 전계를 이루는 공통전극을 포함하는 칼라 필터 기판을 마련하는 단계것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광변색층을 형성하는 단계는
    상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나의 전면 또는 후면 상에 상기 광변색층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광변색층을 형성하는 단계는
    상기 하부기판, 상부기판, 게이트 절연막, 보호막, 화소전극, 칼라필터, 평 탄화층 및 공통전극 중 적어도 어느 하나에 광변색물질이 포함된 상기 광변색층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조방법.
  12. 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 화합물로 형성되며 광에 반응하여 광특성이 변하는 광변색층을 구비하는 액정 표시 패널과;
    상기 액정 표시 패널의 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 광을 조사하여 상기 광변색층을 암점화하는 광조사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 리페어장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 광조사부는 자외선을 상기 광변색층에 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 리페어장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 광변색층과 상기 광조사부 사이에 위치하여 상기 광의 조사영역 및 초점거리를 조절하는 초점조절부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 리페어 장치.
  15. 디아릴에텐 유도체들, 나프토피란 유도체들,폴리우레탄 류, 스피로벤조피란 화합물, 스피록사진 화합물 재질 또는 이들 중 적어도 두 개의 화합물로 형성된 광변색층을 가지는 액정 표시 패널을 마련하는 단계와;
    상기 액정 표시 패널의 불량 화소 위치를 감지하는 단계와;
    상기 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 광을 조사하여 상기 광변색층을 암점화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 리페어 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 광변색층을 암점화하는 단계는
    상기 불량 화소와 대응되는 상기 광변색층에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 리페어 방법.
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