KR20060134226A - 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 - Google Patents

탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 Download PDF

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KR20060134226A
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료이치 타가야마
슈니치 세키
테츠오 카와사키
히데카즈 나카니시
코지 하세가와
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

SAW 필터와 SAW 공진자의 삽입 손실을 저감하고, 급준 특성을 향상시킨 SAW 장치와, 이를 이용한 이동통신기기 및 센서가 개시되어 있다. 탄성 표면파 장치는 누설 탄성 표면파를 여기 전파하는 커트각으로 절단된 압전기판 위에 탄성 표면파 필터를 2개 조합하여 하나의 칩 위에 형성하여, 2개의 통과 대역을 갖는 필터 구성으로 한다. 상기 탄성 표면파 필터는 각각 상기 압전기판 위에 1쌍의 서로 맞물린 핑거 전극을 갖는 인터 디지털 변환기 전극으로 이루어진 전극 패턴을 포함하는 탄성 표면파 공진자로 구성된다. 2개의 통과 대역 중 저역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터는 누설 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 공진자에 의해 구성된다.
표면 탄성파 장치

Description

탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, AND MOBILE COMMUNICATION DEVICE AND SENSOR BOTH USING SAME}
도 1a는 본 발명의 실시예 1에서의 SAW 장치의 일예로서 제작된 1포트(1-port) SAW 공진자를 보여주는 사시도.
도 1b는 도 1a에 나타낸 t-t선을 따른 단면도.
도 1c는 동 실시예의 IDT 전극 1주기분의 단면 확대도.
도 2는 39°Y-XLT 기판에서의 LSAW의 전파 손실과 IDT 전극의 규격화 막 두께의 관계를 보여주는 도면.
도 3a는 동 실시예에서 실시예 시료 1의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 3b는 동 실시예에서 비교 시료 1의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 3c는 동 실시예에서 비교 시료 2의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 4는 동 실시예에서 급준도 지표를 구하기 위한 도면.
도 5는 동 실시예에서 삽입 손실 지표를 구하기 위한 도면.
도 6은 동 실시예에서 대역 외측의 억압도 지표를 구하기 위한 도면.
도 7a는 본 발명의 실시예 2에서의 SAW 장치의 일예로서의 라더형 SAW 필터의 구성을 보여주는 사시도.
도 7b는 동 실시예에서의 라더형 SAW 필터의 회로 구성도.
도 8은 동 실시예에서 이용한 LT 42°판에서의 LSAW의 전파 손실과 규격화 막 두께의 관계를 보여주는 도면.
도 9a는 동 실시예에서 실시예 시료 2의 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 9b는 동 실시예에서 비교 시료 3의 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 10은 동 실시예에서 형상 계수(shape factor)의 정의를 설명하기 위한 도면.
도 11a는 본 발명의 실시예 3에서 실시예 시료 3의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 11b는 동 실시예에서 실시예 시료 4의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 11c는 동 실시예에서 실시예 시료 5의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 11d는 동 실시예에서 실시예 시료 6의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 11e는 동 실시예에서 비교 샘플 4의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보 여주는 도면.
도 12a는 본 발명의 실시예 4에서 실시예 시료 7의 1포트 SAW 공진자의 구성 일부를 보여주는 단면도.
도 12b는 동 실시예에서 실시예 시료 7의 1포트 SAW 공진자의 구성 일부를 보여주는 단면도.
도 13a는 동 실시예에서 실시예 시료 7의 1포트 SAW 공진자의 유전체 막 형성 전의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 13b는 동 실시예에서 실시예 시료 7의 1포트 SAW 공진자의 유전체 막 형성 후의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 14a는 동 실시예에서 실시예 시료 8의 1포트 SAW 공진자의 유전체 막 형성 전의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 14b는 동 실시예에서 실시예 시료 8의 1포트 SAW 공진자의 유전체 막 형성 후의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 15는 동 실시예에서 비교 샘플 5의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 16은 동 실시예에서 비교 샘플 6의 1포트 SAW 공진자의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 17a는 본 발명의 실시예 5에서 실시예 시료 9의 2필터 인 1칩의 SAW 필터 중, 800MHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 17b는 동 실시예에서 실시예 시료 9의 2필터 인 1칩의 SAW 필터 중, 1.9GHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 18a는 동 실시예에서 실시예 시료 10의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 800MHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 18b는 동 실시예에서 실시예 시료 10의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 1.9GHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 19a는 동 실시예에서 비교 시료 7의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 800MHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 19b는 동 실시예에서 비교 시료 7의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 1.9GHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 20a는 동 실시예에서 비교 시료 8의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 800MHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 20b는 동 실시예에서 비교 시료 8의 2필터 인 1칩 타입의 SAW 필터 중, 1.9GHz대 라더형 SAW 필터의 통과 특성을 보여주는 도면.
도 21은 본 발명의 실시예 6에서 탄성 표면파 장치를 온도 센서로 한 기본 구성의 개략도.
도 22는 동 실시예에서 환경 온도와 반공진 주파수의 관계를 구한 도면.
본 발명은 특히 고주파 대역에서 우수한 통과 대역 특성을 갖는 탄성 표면파 장치와, 이를 이용한 이동통신기기 및 센서에 관한 것이다.
탄성 표면파 장치(이하, SAW 장치로 칭함)는 소형이고 경량이기 때문에, 이동통신 단말기의 무선기기에서, 필터 또는 공진기로서 많이 사용되고 있다. 이러한 이동통신 단말기의 무선기기에 사용되는 필터에 대해서는 셀룰라 폰 시스템의 고주파화에 따라, 고주파 영역, 특히 800MHz대 내지 수GHz대에서 사용할 수 있는 것이 요구된다. 특히, 통과 대역에서는 저손실이고, 저지 대역에서는 매우 약한 신호가 가능하며, 더욱이 급준한 필터 특성을 갖는 필터가 요구된다.
일반적으로, 압전기판 위에 형성된 핑거 전극(finger-electrode)이 서로 맞물린 인터 디지털 변환기(inte-digital transducer)(이하, IDT로 칭함)에 전압을 인가하면, 압전기판의 표면을 전파하는 탄성 표면파(이하, SAW라 칭함)가 발생된다. SAW 장치는 이 SAW를 여기하여 수신함으로써, 필요한 필터 특성을 실현하고 있다. 이 SAW 장치의 전기적 특성은 IDT 전극의 형상 및 구성과, 압전기판을 전파하는 SAW의 전파 특성에 의해 주로 결정된다. 예를 들면, SAW 장치의 일종인 SAW 공진자에서는 IDT 전극의 핑거 전극 간 피치(p), SAW의 음속, 즉 전파 속도(v), 공진 주파수(f) 사이에는 수학식 1의 관계가 있다.
v = 2·p·f
따라서, SAW 장치를 고주파 영역에서 사용하면, 공진 주파수(f)가 증가되고, SAW의 전파 속도(v)가 일정하면, IDT 핑거 전극 간 피치(p)를 작게 하지 않으면 안 된다. 이것은 IDT 전극의 패턴폭을 매우 작게 하기 때문에, SAW 장치의 제조 비율 이 저하된다. 제조 비율을 저하시키지 않도록 하기 위해서는 SAW의 전파 속도(v)가 큰 압전기판이 요구된다. 또한, 저손실의 특성을 얻기 위해서는 SAW의 전파에 따른 손실과 IDT 전극의 저항을 될 수 있는 한 작게 할 필요가 있다.
이러한 점으로부터, 고주파대에서 저손실의 SAW 필터나 SAW 공진자 등의 SAW 장치를 실현하는데 있어서는, 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정(이하, LT 단결정이라 칭함)의 36°회전 Y 커트(Y-cut)판에서 X방향을 SAW의 전파 방향으로 한 36°Y-XLiTaO3 기판(이하, LT 36°판으로 칭함)이나, 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정 (이하, LN단결정으로 칭함)의 64°회전 Y 커트에서 X방향을 SAW의 전파 방향으로 한 64°Y-X LiNbO3 기판(이하, LN64°판으로 칭함)이 널리 사용되고 있다. 이들 커트각으로 절단된 LT 36°기판 및 LN 64°기판을 이용하면, 누설 탄성 표면파(Leaky surface acoustic wave : 이하, LSAW로 칭함)로 불리고, 일부가 기판내부에 벌크를 방사하면서 전파하는 SAW를 이용하는 SAW 장치 구성이 가능하다.
이들 기판에서 여기되는 LSAW는 음속, 즉 전파 속도가 빠른 특징을 갖는다. 더욱이, IDT 전극의 질량 부하 효과를 무시할 수 있는 경우, 즉 전파하는 LSAW의 파장에 비해 IDT 전극의 막 두께가 충분히 얇은 경우, 거의 벌크파를 방사하지 않기 때문에, 벌크파의 방사에 따른 전파 손실이 충분히 작아질 수 있다. 이 때문에, LT 36판이나 LN 64°판은 저손실의 고주파 SAW 필터나 SAW 공진자를 구성하는데 적합하다. 이 이유로 인해, 종래 많이 이용되었다.
그러나, 이들 기판을 800MHz대 내지 수GHz대의 SAW 필터나 SAW 공진자에 이 용하면, SAW의 파장이 짧아져, IDT 전극의 막 두께가 파장의 수% 내지 수십%로 되기 때문에, IDT 전극의 질량 부하 효과를 무시할 수 없게 된다. 그 결과, LSAW의 전파에 따른 전파 손실을 무시할 수 없게 된다.
이 문제를 해결하는 수단으로서, 커트각을 보다 높은 각도측으로 이동시킨 기판을 이용하는 효과적이며, 전파 손실을 충분히 작게 할 수 있는 것이 일본국 특개 평9-167936호 공보에 게시되어 있다. 이것에 의하면, IDT 전극의 규격화 막 두께(h/λ(h : 전극의 막 두께, λ: SAW의 파장))에 의해, LT 단결정이나 LN 단결정 위를 전파하는 LSAW의 전파 손실이 최소가 되는 기판의 커트각은 상이하다. LT 단결정의 경우에는 IDT 전극의 막 두께가 LSAW의 파장의 0.03 내지 0.15(규격화 막 두께(h/λ)가 3% 내지 15%)가 되는 경우, 커트각을 36°가 아니라, 39 내지 46°의 높은 각도측으로 시프트시키면, 전파 손실을 거의 0으로 될 수 있는 것이 나타난다. 마찬가지로, LN 단결정의 경우에는 IDT 전극의 막 두께가 LSAW의 파장의 0.03 내지 0.15(규격화 막 두께(h/λ)가 3% 내지 15%)가 되는 경우, 커트각을 64°가 아니라, 66 내지 74°의 높은 각도측으로 시프트시키면, 전파 손실을 거의 0으로 할 수 있는 것이 나타난다.
그러나, 일반적으로 주파수 특성이 다른 SAW 필터나 SAW 공진자는 IDT 전극 간 피치가 상이하다. 따라서, 만약 동일한 막 두께로 상이한 주파수 특성을 갖는 SAW 필터나 SAW 공진자를 제조하는 경우, 각각의 SAW 필터나 SAW 공진자에서 최적의 규격화 막 두께(h/λ)는 상이하게 된다. 그 결과, 예를 들어 하나의 칩 위에 주파수가 상이한 SAW 필터를 형성하는 구성, 즉 2필터 인 1칩(two-filter in one- chip)의 구성으로 이루어진 SAW 장치의 경우에 대해서는 이하에 기술하는 과제가 발생된다. 즉, IDT 전극의 막 두께는 1칩내에서 동일하기 때문에, 이들 2개의 SAW 필터의 전파 손실을 모두 거의 0으로 할 수 없게 된다. 한편, 이들 2종류의 SAW 필터 모두 전파 손실을 거의 0으로 하기 위해서는 1칩내에서 각각의 SAW 필터에 따라 적합한 막 두께로 하는 것이 필요하다. 그러나, 이것을 실현하기 위한 제조 공정은 매우 복잡하게 되어, 실제의 양산 공정에 도입하는 것은 곤란하다.
더욱이, 일본국 특개 평5-183380호 공보에는 대역 외의 억압을 크게 하는 방법으로서, SAW 공진자를 라더형으로 접속한 라더형 SAW 필터의 병렬 암의 공진자에 리액턴스 소자를 접속하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 억압하는 대역을 넓힘으로써, 어떤 대역 범위에서 충분한 억압을 얻을 수 있지만, 필터 특성으로서 요구되는 급준성을 충분히 향상시킬 수는 없다. 따라서, 비크로스밴드(=(크로스밴드의 상단 주파수 - 크로스밴드의 하단 주파수)/크로스밴드의 중심 주파수)가, 예를 들어 미국의 휴대전화의 규격인 PCS에서는 0.01이며, 통과 대역과 저지 대역이 매우 근접한 경우, 상기의 방법에서는 통과 대역의 근방에 있는 저지 대역을 충분히 억압할 수 없다.
본 발명은 특히 SAW 필터와 SAW 공진자의 삽입 손실을 저감하고, 급준 특성을 향상시킨 SAW 장치와, 이를 이용한 이동통신기기 및 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다. 구체적으로는, LSAW를 여기할 수 있는 커트각으로 절단된 압전기판을 이용하여, 종래 LSAW로서 이용된 SAW의 음속을 감속시켜, 압전기판을 전파하는 느 린 횡파의 속도보다도 늦어지게 함으로써, 이론상 전파 손실이 발생하지 않는 레일리 SAW(이라, RSAW라 함)를 이용함으로써, 종래의 LSAW를 이용한 SAW 장치에 비해, 삽입 손실이 적고, 또한 급준 특성을 향상시킬 수 있는 것을 기본으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 SAW 장치는 LSAW를 여기할 수 있는 커트각으로 절단된 압전기판; 상기 압전기판 위에 형성되고, 적어도 1쌍의 서로 맞물린 핑거 전극을 갖는 IDT 전극을 포함하는 전극 패턴으로 이루어진 SAW 장치로서, 상기 SAW 장치의 공진 주파수를 f(Hz), 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 압전기판 위에 형성된 전극 패턴의 핑거 전극 간 피치를 p(m)으로 하였을 때, 핑거 전극 간 피치(p)가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의해, LSAW의 벌크파의 방사를 억제하고, LSAW를 RSAW로서 전파시킴으로써 전파 손실을 거의 0으로 할 수 있어, 종래의 LSAW를 이용한 경우보다도 삽입 손실이 감소되며, 또한 급준 특성이 우수한 SAW 장치가 얻어진다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 더하여, 더욱이 전극 패턴의 핑거 전극이 상기 핑거 전극 간 피치(p)와 거의 동일한 피치를 갖고 압전기판 표면에 설치된 단부의 상부에 형성된 구성으로 이루어진다. 이로 인해, 종래의 LSAW를 이용한 경우보다도 저손실이며, 또한 급준 특성이 우수한 SAW 장치를 얻음과 더불어, LSAW를 RSAW로서 이용하였을 때 발생되는 전극 1개마다의 반사 계수의 저하를 개선할 수 있다. 그 결과, 전기적 특성의, 특히 통과 특성에서 발생되는 리플(ripple)을 억제한 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 더하여, 전극 패턴 위에 적어도 그 전극 패턴을 덮는 유전체 막이 더 형성된 구성으로 이루어진다. 이로 인해, 유전체 막을 형성하는 것에 의한 음속의 저하를 이용하여, 종래의 LSAW를 이용한 경우보다도 삽입 손실이 감소되고, 급준 특성이 우수한 SAW 공진자를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 LSAW를 여기할 수 있는 커트각으로 절단된 압전기판; 상기 압전기판 위에 적어도 1쌍의 서로 맞물린 핑거 전극을 갖는 IDT 전극을 포함하는 전극 패턴; 및 상기 전극 패턴 위에 적어도 전극 패턴을 덮는 유전체 막이 형성된 구성으로서, SAW 장치의 유전체 막을 형성하기 전의 공진 주파수를 fbefore(Hz), 유전체 막을 형성한 후의 공진 주파수를 fafter(Hz), 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 압전기판 위에 형성된 전극 패턴의 핑거 전극 간 피치를 p(m)으로 하였을 때, 핑거 전극 간 피치(p)가 2×p×fbefore ≤vb≤2×p×fafter의 관계를 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의해, 유전체 막이 그 상면에 형성됨으로써 음속이 증가하는 경우에서도, 종래의 LSAW를 이용한 SAW 공진자보다도 삽입 손실이 저감되고, 급준 특성이 우수한 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, 더욱이 핑거 전극이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)을 주체로 하는 금속으로 이루어지고, 또한 이 압전기판을 이용하여 LSAW를 이용하여 제작된 LSAW형 탄성 표면파 장치의 IDT 전극의 막 두께를 hL로 하고, 이 LSAW형 탄성 표면파 장치와 동일한 공진 주파수로 하였을 때의 탄성 표면파 장치의 IDT 전극의 막 두께를 hr로 하였을 경우, 탄성 표면파 장치 의 IDT 전극의 막 두께(hr)가 hL≤hr를 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의해, IDT 전극의 질량 부하에 의해 LSAW의 전파 속도를 저하시킴과 더불어, IDT 전극의 막 두께에 기인하는 전극막의 저항의 상승을 억제할 수 있다. 그 결과, 저손실이고 급준 특성이 우수한 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, 더욱이 탄성 표면파 장치중 적어도 핑거 전극이 Al보다도 밀도가 큰 금속을 이용한 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 적어도 IDT 전극의 핑거 전극을 Al보다도 밀도가 큰 금속으로 형성함으로써, 전극 1개마다의 반사 계수의 저하를 개선할 수 있고, 그 결과 통과 대역에서 발생하는 리플을 억제하며, 또한 급준 특성이 우수한 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, 더욱이 탄성 표면파 장치중 적어도 핑거 전극이 Al보다도 밀도가 큰 금속으로 이루어진 제 1 층과, Al 또는 Al을 주체로 하는 금속으로 이루어진 제 2 층을 갖는 적어도 2층 이상의 다층 구조의 전극인 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, IDT 전극 1개마다의 반사 계수의 저하를 개선할 수 있다. 그 결과, 통과 특성에서 발생되는 리플을 억제함과 더불어, 전극의 저항 상승도 억제할 수 있기 때문에, 손실이 적고 급준 특성이 우수한 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, 압전기판이 LiTaO3 단결정(LT 단결정)인 것을 특징으로 한다. 이로 인해, 하나의 칩 위에 종래의 LSAW를 이용한 SAW 장치와 본 발명의 SAW 장치를 동시에 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, LiTaO3 단결정으로 이루어진 압전기판은 LiTaO3 단결정의 X축을 중심으로 Y축으로부터 Z축 방향으로 26°이상, 50°이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖고, 누설 표면 탄성파를 여기할 수 있는 특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 종래의 LSAW를 이용한 SAW 장치와 본 발명의 SAW 장치를 동시에 하나의 칩 위에 형성하는 2장치 인 1칩(two-device in one-chip) 타입의 SAW 장치를 작성하여도, 양쪽의 SAW 장치 모두 손실이 작고, 또한 우수한 급준 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, 압전기판이 LiNbO3 단결정인 것을 특징으로 한다. 이로 인해, 종래의 LSAW를 이용한 SAW 장치와 본 발명의 SAW 장치를 하나의 칩 위에 형성하는 2장치 인 1칩 타입의 SAW 장치로 하여도 양호한 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성에 있어서, LiNbO3 단결정으로 이루어진 압전기판은 LiNbO3 단결정의 X축을 중심으로, Y축으로부터 Z축 방향으로 50°이상 80°이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖고, 누설 표면 탄성파를 여기할 수 있는 특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 종래의 LSAW를 이용한 SAW 장치와 본 발명의 SAW 장치를 하나의 칩 위에 형성되는 2장치 인 1칩 타입의 SAW 장치를 작성하여도, 양쪽의 SAW 장치 모두 손실이 적고, 또한 우수한 급준 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 SAW 장치는 상기 구성의 SAW 장치를 2개 이상 조합하여 하나의 칩 위에 형성한 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 저손실이고 또한 급준한 주파수 선택성을 갖는 SAW 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 이동통신기기는 상기 구성의 SAW 장치를 이용한 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 저손실이고 급준한 특성의 SAW 장치를 이동통신기기에 이용할 수 있어, 소형이고 경량이며 슬림형의 이동통신기기, 예를 들어 휴대 전화기를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 센서는 본 발명에 개시된 방법에 따라 실현된 저손실이고 급준한 특성의 SAW 장치를 센서부로서 이용함으로써, 소형이고 경량이며 감도가 양호한 센서를 얻을 수 있다. 또한, 센서로서는 온도를 감지하는 센서로서 이용하는 것이 바람직하지만, 냄새를 감지하는 센서, 수분량을 감지하는 센서 등에도 이용할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 SAW 장치에 대해 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
도 1a는 본 발명의 실시예 1에서의 SAW 장치의 일예로서 제작한 1포트의 SAW 공진자를 나타내는 사시도이다. 압전기판(1) 위에 SAW 공진자(2)가 형성된다. SAW 공진자(2)는 IDT 전극(3) 및 반사기(4)로 구성된다. 도 1b는 도 1a에 나타낸 t-t선을 따른 단면도이다. 도 1c는 IDT 전극의 1주기분의 확대도로, 핑거 전극(301)이 압전기판(1) 위에 일정한 피치(p)로 형성된 상태를 나타낸다.
본 실시예에서는 압전기판(1)으로서 39°Y 커트 X 전파의 LT 기판(이하, 39°Y-XLT 기판으로 칭함)을 이용하였다. 이 압전기판(1)을 전파하는 느린 횡파의 음속(vb)은 vb = 3350.8m/s이다. 이 압전기판(1) 위에 제작된 SAW 공진자(2)의 전극 재료로서는 Al에 Cu를 첨가한 Al-Cu 합금을 이용하였다. 또한, SAW 공진자의 전극은 적어도 IDT 전극과 공진기의 전극이 포함된다.
실시예 시료 1의 SAW 공진자(2)로서, 핑거 전극(301) 간 피치(p)가 0.8㎛, 규격화 막 두께(h/λ)가 19.4%의 구성으로 이루어진 SAW 공진자(2)를 제작하였다. 이 실시예 시료 1의 SAW 공진자(2)의 공진 주파수(f)는 1891.4MHz이고, 수학식 1로부터 산출되는 SAW의 음속은 3026.2m/s가 된다. 따라서, 본 실시예에서 사용된 압전기판(1)인 39°Y-XLT 기판에서의 느린 횡파의 음속(vb)보다도 늦게 된다. 더욱이, 상기 수치를 근거하여 계산하면, 2×p = 1.6×10-6, vb/f = 3350.8/(1891.4×106) = 1.772×10-6이기 때문에, 2×p ≤ vb/f의 관계를 만족하고 있다.
또한, 비교 시료 1로서, 핑거 전극(301) 간 피치(p)가 1.06㎛, 규격화 막 두께(h/λ)가 6.0%의 SAW 공진자를 제작하였다. 더욱이, 비교 시료 2로서, 핑거 전극(301) 간 피치(p)가 1.0㎛, 규격화 막 두께(h/λ)가 11%의 SAW 공진자를 제작하였다. 각각의 SAW 공진자의 공진 주파수(f)는 비교 시료 1이 1886.0MHz이고, 비교 시료 2가 1884.9MHz이다. 또한, 각각의 SAW 공진자에서의 SAW 음속은 수학식 1과 각각의 공진 주파수(f)로부터 구할 수 있다. 그 값은 비교 시료 1이 3998.3m/s이고, 비교 시료 2가 3769.8m/s이다. 따라서, 비교 시료 1 및 비교 시료 2 모두, 본 실시예에서 사용한 압전기판(1)인 39°Y-XLT 기판에서의 느린 횡파의 음속(vb)보다도 빠르다. 더욱이, 비교 시료 1 및 비교 시료 2 모두, 2×p ≤ vb/f의 관계를 만족하지 않는다.
도 2는 본 실시예의 압전기판(1)인 39°Y-XLT 기판에서의 LSAW의 전파 손실과 IDT 전극의 규격화 막 두께(h/λ)의 관계를 나타낸다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 이 압전기판(1)을 전파하는 LSAW의 전파 손실은 규격화 막 두께(h/λ)가 약 6%일 때에 최소가 된다.
도 3a는 실시예 시료 1의 SAW 진공자(2)의 통과 특성을 나타낸다. 또한, 도 3b는 비교 시료 1의 SAW 공진자, 도 3c는 비교 시료 2의 SAW 공진자의 통과 특성을 각각 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 SAW 공진자의 제작과 특성 평가에 대해서는 이하와 같이 행하였다. SAW 공진자의 제작은 IDT 전극과 공진기를 제작하기 위한 전극막을 마그네트론 스퍼터링법에 의해 압전기판(1) 위에 형성한 후, 포토리소그라피 공법 및 염소계 에칭가스를 이용한 드라이에칭 공법에 의해 소정의 SAW 공진자의 전극 패턴을 형성하였다.
또한, 전기적 특성은 고주파 프로브를 이용하여 측정하였다. 통과 특성 중 급준 특성을 비교하는 지표는 도 4에 나타낸 바와 같은 방법으로 평가하였다. 즉, 도 4에 나타낸 바와 같이, 통과 특성에서의 반공진점(B2)과, 반공진점(B2)의 반공진 주파수(f2)보다도 20MHz 저주파측의 점(B1)을 측정하고, B1과 B2를 직선(도 4중 의 파선으로 도시)으로 연결하였을 때의 경사를 갖고 급준성 지표로 하였다. 단, B1과 B2 사이의 중점의 주파수로 규격화하였다. 또한, f2 - f1 = 20MHz이다. 따라서, 이 급준성 지표의 값이 클수록, 공진기로서의 급준성은 높고, 동시에 삽입 손실이 작으며, 또한 감쇠극에서의 감쇠량이 커진다. 급준성 지표를 구하기 위한 계산식을 이하에 나타낸다.
급준성 지표 = {(ATT2-ATT1) / 20} / (f1 + 10)
또한, 삽입 손실을 비교하는 지표로서는 도 5에 나타낸 바와 같은 방법으로 평가하였다. 즉, 도 5에 나타낸 바와 같이 반공진점(B2)에서의 반공진 주파수(f2)보다도 낮은 영역측에서 억압이 10dB가 되는 점(B3)에서의 주파수(f3)를 구하고, 이 주파수(f3)로부터 보다 저주파측으로 20MHz 낮은 점(B4)에서의 주파수(f4)에서의 삽입 손실을 삽입 손실 지표로 하였다. 이로 인해, 이들 SAW 공진자를 이용하여 라더형의 필터를 제작한 경우, 필요한 억압을 확보한 상태이고, 또한 삽입 손실의 지표를 얻을 수 있다.
한편, 대역 외측의 억압도의 지표로서는 도 6에 나타낸 바와 같은 방법으로 평가하였다. 즉, 도 6에 나타낸 바와 같이, 반공진점(B2)에서의 반공진 주파수(f2)보다도 30MHz 고주파측의 점(b5)에서의 주파수(f5)에서의 억압도를 이용하여 비교하였다.
이상의 3가지 평가 지표를 이용하여, 본 실시예인 실시예 시료 1의 SAW 공진자, 비교 시료 1의 SAW 공진자 및 비교 시료 2의 SAW 공진자의 특성을 각각 비교하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 상술한 바와 같이, 압전기판(1)으로서는 39°Y-XLT 기판이고, 전극 재료로서는 Al-Cu 합금이다.
핑거 전극 간 피치 p(㎛) 규격화 막 두께 h/λ(%) 공진 주파수 f(MHz) SAW 음속※ (m/s) 삽입 손실 지표(dB) 급준성 지표 억압도 지표(dB)
실시예시료 1 0.8 19.4 1891.4 3026.2 -0.7 2184.9 -4.6
비교 시료 1 1.06 6.0 1886.0 3998.3 -1.1 2062.5 -4.8
비교 시료 2 1.0 11.0 1884.9 3769.8 -1.9 1613.8 -5.5
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 시료 1은 비교 시료 1 및 비교 시료 2보다도 급준성 지표가 높고, 또한 삽입 손실 지표도 작아, 양호한 특성을 갖는 것을 알 수 있다. 종래와 마찬가지로, 실시예 시료 1에서의 SAW 공진자가 LSAW를 이용한 것이면, 규격화 막 두께(h/λ)가 19.4%이기 때문에, 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 전파 손실이 비교 시료 1과 비교 시료 2에 비해 매우 커지고, 그 결과 손실이 커지게 되는 것으로 예측된다. 그러나, 실시예 시료 1에서는 삽입 손실 지표는 오히려 비교 시료 1 및 비교 시료 2에 비해 양호한 결과가 얻어진다. 이 결과는 이하와 같이 설명할 수 있다. 즉, 실시예 시료 1의 SAW 공진자에서는 그 음속이 압전기판(1)인 39°Y-XLT 기판을 전파하는 느린 횡파의 음속(vb) 이하로 저하된다. 그 결과, 본래 LSAW의 모드로 전파하는 파가 LSAW 모드로 전파하지 않고 레일리 SAW(이하, RSAW로 칭함) 모드로 전파한다. 따라서, 전파 손실이 거의 0이 되어, 손실, 급준성 모두 향상한 것으로 추정된다. 이것은 상기의 압전기판(1)을 이용하여 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 전극 피치(p)를 설정한 것에 의한 것이다.
단, 급준성에 관해서는 손실의 저하와 함께, 전기기기 결합계수의 변화에 의한 영향도 수반되는 것으로 고려된다. 특히, SAW 공진자의 전극의 막 두께를 두껍게 한 경우, 일반적으로 실효결합계수(keff)가 증가하고, 그 결과 용량비(γ)가 저하되어 급준성이 나빠진다. 그러나, 실시예 시료 1은 비교 시료 1 및 비교 시료 2보다도 전극 막 두께가 두꺼운 것에 관계없이 급준성은 오히려 높아, 양호한 특성을 나타낸다. 따라서, 본래 LSAW의 모드로 전파하는 파가 RSAW 모드로 전파함에 따라, 결합계수도 동시에 저하되는 것으로 추정된다.
한편, 비교 시료 1과 비교 시료 2를 비교하면, 비교 시료 1의 쪽이 삽입 손실, 급준성도 우수하다. 이것은 이하에 설명하는 이유에 의한 것으로 추정된다. 즉, 비교 시료 1과 비교 시료 2의 SAW는 종래의 LSAW 모드로 전파하고 있지만, 더욱이 비교 시료 1의 경우에는 도 2에서 나타낸 바와 같이 IDT 전극의 규격화 막 두께(h/λ)를 LSAW의 전파 손실이 거의 0이 되는 약 6%로 한 것에 의한 것이다. 이 결과는 일본국 특개 평9-167936호 공보에 개시된 내용과 일치한다. 또한, 비교 시료 1과 비교 시료 2에 대해서는 그 음속이 실시예 시료 1에서 이용한 39°Y-XLT 기판을 전파하는 느린 횡파보다도 빠르기 때문에, 종래의 LSAW 모드로 전파하는 것을 알 수 있다.
이상과 같이 저손실이고 급준한 SAW 장치를 얻는 방법으로서, LSAW를 여기할 수 있는 커트각으로 절단된 압전기판(1) 위에, 2×p≤vb/f가 되도록 SAW 장치(2)를 형성하는 것이 유효한 것이 확인되었다.
특히, 전극으로서 Al 또는 Al을 주체로 하는 금속을 이용하고, 압전기판(1)으로서 X축을 중심으로 Y축으로부터 Z축 방향으로 26°이상, 50°이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 LT 단결정을 이용하는 경우, 다양한 SAW 공진자를 시작(試作)하여 확인한 결과, 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 IDT 전극 패턴을 설정하면 동일한 효과가 얻어지는 것이 발견되었다. 더욱이, IDT 전극의 핑거 전극의 금속화율(η)을 약 0.5로 하고, 규격화 막 두께(h/λ)를 15% 이상으로 하면, 상기의 효과를 갖는 SAW 장치를 보다 확실하게 얻을 수 있기 때문에, 제조 비율도 크게 개선된다.
또한, 전극으로서 Al 또는 Al을 주체로 하는 금속을 이용하고, X축을 중심으로 Y축으로부터 Z축 방향으로 50°이상, 80°이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 LN 단결정을 이용하는 경우, LT 단결정의 경우와 마찬가지로 다양한 SAW 공진자를 시작(試作)하여 확인한 결과, 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 IDT 전극 패턴을 설정하면 동일한 효과가 얻어지는 것이 발견되었다. 더욱이, 금속화율(η)을 약 0.5로 하고, 규격화 막 두께(h/λ)를 12% 이상으로 하면, 동일한 효과를 갖는 SAW 장치를 보다 확실하게 얻을 수 있기 때문에, 제조 비율도 크게 개선된다.
단, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 전극으로서 Al 또는 Al을 주체로 하는 금속 이외의 재료를 이용하여도 무방하다. 더욱이, 압전기판으로서 다른 커트각으로 절단된 LT 단결정이나 LN 단결정, 또는 LiB2O3(LBO) 기판이나 다른 압전기판의 재료, 또는 압전박막을 이용한 경우에서도, 본래 LSAW로 전파하는 SAW의 음속을 다양한 수단으로 느린 횡파의 음속 이하로 저하시켜 RSAW로 하고, 또한 상기 관계식을 만족하도록 IDT 전극의 막 두께, 형상을 설정하면 동일한 효과가 얻어진다.
(실시예 2)
본 발명의 실시예 2에서의 SAW 장치의 일예로서, 라더형 SAW 필터를 제조하였다. 이 SAW 필터 구성의 사시도를 도 7a에 나타낸다. 도 7b는 그 회로 구성도를 나타낸다. 도 7b에 나타낸 회로 구성도로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시예의 SAW 필터는 5개의 직렬 암의 SAW 공진자(5)와 2개의 병렬 암의 SAW 공진자(6)로 구성된다. 직렬 암 SAW 공진자(5)는 IDT 전극(7)과, 이 IDT 전극(7)의 양측에 설치된 반사기(9)로 구성된다. 한편, 병렬 암 SAW 공진자(6)는 마찬가지로, IDT 전극(8)과, 이 양측에 설치된 반사기(10)로 구성된다. 또한, 본 실시예에서는 중심 주파수가 836MHz, 대역폭이 25MHz가 되도록 각각의 전극의 막 두께와 패턴 형상을 설정한다.
압전기판(11)은, 본 실시예에서는 42°Y커트 X전파의 LT 기판(이하, LT 42°판으로 칭함)을 이용하였다. 이 압전기판(11)을 전파하는 느린 횡파의 음속(vb)은 3350.8m/s이다. 도 8에 이 압전 전극(11)을 이용하여 LSAW를 이용한 SAW 공진자를 제작하였을 때의 규격화 막 두께(h/λ)와 전파 손실의 관계를 나타낸다. SAW 공진자의 전극에는 Al에 Cu를 첨가한 Al-Cu 합금막을 이용하였다. 이 SAW 필터의 제작 방법 및 전기적 특성의 측정 방법은 본 발명의 실시예 1과 마찬가지로 행하였다.
표 2에 본 실시예에서의 실시예 시료 2와 비교 시료 3에 대해, 직렬 암 SAW 공진자(5)와 병렬 암 SAW 공진자(6)의 IDT 핑거 전극 간 피치(p), 규격화 막 두께(h/λ), 공진 주파수(f) 및 SAW 음속을 각각 나타낸다. 표 2로부터 실시예 시료 2는 2×p ≤ vb/f의 관계를 만족하고 있지만, 비교 시료 3은 2×p ≤ vb/f의 관계를 만족하고 있지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 도 9a에 실시예 시료 2의 SAW 필터의 통과 특성을 나타낸다. 또한, 도 9b에 비교 시료 3의 SAW 필터의 통과 특성을 나타낸다.
또한, 각각의 통과 특성을 평가하는 지표로서는 최소 삽입 손실 및 필터의 형상 계수를 이용하였다. 이 형상 계수의 정의로서는 일본국 특개 평9-167936호 공보에 기재되어 있는 방법과 동일하게 하였다. 도 10에 이 형상 계수의 정의를 설명하기 위한 도면을 나타낸다. 형상 계수는 통과 대역의 최소 삽입 손실(C1)에 대해, 더욱이 1.5dB 감쇠한 점(C2)에서의 대역폭(BWb)과, 20dB 감쇠한 점(C3)에서의 대역폭(BWa)를 구하고, 이들 비, 즉 BWa/BWb로서 정의하였다. 형상 계수가 클수록 필터는 보다 완만하게 되어, 선택비가 열화되며, 또한 통과 대역폭이 감소한다. 따라서, 형상 계수가 1로 근접할수록 대역 통과형 필터는 고성능이라 할 수 있다.
공진자 핑거 전극 간 피치 p(㎛) 규격화 막 두께 h/λ(%) 공진 주파수 f(MHz) SAW 음속※ (m/s) 최소 삽입 손실(dB) 형상 계수 (dB)
실시예시료 2 직렬 암 SAW 공진자 5 1.81 19.3 835.9 3026.0 -2.1 1.4
병렬 암 SAW 공진자 6 1.86 18.4 813.5 3026.2
비교시료 3 직렬 암 SAW 공진자 5 2.4 9.9 836.3 4014.2 -2.8 1.5
병렬 암 SAW 공진자 6 2.47 10.1 811.4 4008.3
실시예 시료 2의 SAW 필터 및 비교 시료 3의 SAW 필터에 대해, 최소 삽입 손실 및 형상 계수의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 시료 2는 비교 시료 3에 비해, 최소 삽입 손실 및 형상 계수 모두 양호한 결과가 얻어졌다. 비교 시료 3의 SAW 필터를 구성하는 각각의 SAW 공진자의 규격화 막 두께(h/λ)는 도 8로부터 LT42°판에서 LSAW의 전파 손실이 거의 0이 되는 값이다. 한편, 실시예 시료 2의 규격화 막 두께(h/λ)는 18.4%와 19.3%이다. 따라서, 이 SAW 필터를 구성하는 각각의 SAW 공진자가 LSAW를 이용하여 동작하면, 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이 전파 손실은 커진다. 이 때문에, 비교 시료 3과 비교하여, 최소 삽입 손실 및 형상 계수 모두에 악화되는 것이다. 그러나, 실시예 시료 2에서는 그 IDT 전극 구성으로서, 각 SAW 공진자가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 설계되기 때문에, 비교 시료 3의 경우보다도 고성능의 SAW 필터를 실현한다.
또한, 본 실시예에서는 라더형의 SAW 필터를 이용하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 격자형 SAW 필터, 다중 모드형 SAW 필터 또는 IIDT(Interdigitated interdigital transducer)형 SAW 필터 등의 다른 방식의 공진기 SAW 필터라도, 2×p≤vb/f의 관계를 만족시키면 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 의하면, 종래 얻어지지 않은 필터 특성을 실현할 수 있기 때문에, 소형, 경량이며, 고성능의 필터를 실현할 수 있다. 더욱이, 이것을 이동통신기기에 이용함으로써, 이동통신기기의 소형, 경량화가 가능하게 된다.
(실시예 3)
본 발명의 실시예 3의 SAW 장치로서는 본 발명의 실시예 1에서 이용한 1포트의 SAW 공진자와 동일한 1포트 타입의 SAW 공진자를 이용하였다.
본 실시예에서는 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6에 대해 압전기판(1)으로서 LT36°판을 이용하였다. 이 압전기판(1)을 전파하는 느린 횡파의 음속(vb)은 3350.8m/s이다. 또한, 비교 시료 4에 대해서는 압전기판(1)로서 LT42°판을 이용하였다. 이들 압전기판(1) 위에 도 1a 내지 도 1c에 나타낸 구성의 SAW 공진자를 제작하였다.
본 실시예에서는 실시예 시료 3, 실시예 시료 4 및 실시예 시료 5의 SAW 공진자는 모두, 핑거 전극 간 피치(p)는 0.8㎛, 금속화율(η)은 약 0.5 및 공진 주파수(f)는 1890.6MHz가 되도록 하였다. 또한, 실시예 시료 6에 대해서는 핑거 전극 간 피치(p)가 0.6㎛, 금속화율(η)이 약 0.5로 하며, 공진 주파수(f)가 1890.6MHz가 되도록 하였다.
실시예 시료 3과 실시예 시료 4에서는, SAW 공진자의 전극에는 Al을 이용하였다. 더욱이, 실시예 시료 3의 SAW 공진자의 규격화 막 두께(h/λ)는 19.8%로 하였다. 또한, 실시예 시료 4의 SAW 공진자의 규격화 막 두께(h/λ)는 15.0%로 하고, 실시예 시료 3과 비교하여 얇게 하였다. 그러나, 공진 주파수가 실시예 시료 3과 일치하도록 LT 기판에 단부를 설치하고, 그 위에 전극을 형성하였다. 이 형성 방법에 대해서는 후술한다.
실시예 시료 5에서는 SAW 공진자의 전극으로서 Al보다도 밀도가 큰 텅스텐(W)을 이용하였다. 실시예 시료 5의 SAW 공진자의 규격화 막 두께(h/λ)는 Al과 W의 밀도 차이를 고려하여 2.7%로 하였다. 이와 같이 설정함으로써, 공진 주파수가 실시예 시료 3과 일치하도록 하였다.
실시예 시료 6에서는 SAW 공진자의 전극으로서, W층과 Al층의 2층으로 이루어진 다층막 전극을 이용하였다. 실시예 시료 6의 SAW 공진자의 규격화 막 두께(h/λ)는 8.7%이지만, Al층과 W층의 막 두께의 비율, 및 Al과 W의 밀도 차이를 고려하여, 공진 주파수가 실시예 시료 3과 일치하도록 하였다.
이와 같이 함으로써, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6 모두, 그 규격화 막 두께(h/λ)는 Al로 환산한 경우에 실시예 시료 3과 일치한다.
또한, 비교 시료 4의 SAW 공진자도 제작하였다. 이 비교 시료 4는 전극 간 피치(p)가 1.1㎛, 금속화율(η)이 약 0.5, 그리고 규격화 막 두께(h/λ)가 약 10%로 하고, LT 42°판을 이용한 경우의 LSAW의 전파 손실이 최소가 되도록 설계하였다.
또한, 공진 주파수(f)에 대해서는 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6 모두 동일하게 1890.6MHz이다.
더욱이, SAW 공진자의 제작 및 평가는, 기본적으로는 본 발명의 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 단, 실시예 시료 4에 대해서는 압전기판에 단부를 제작할 필요가 있기 때문에, IDT 전극과 공진기의 전극 패턴을 에칭하는 공정중에, 염소계 에칭 가스에 Ar을 첨가한 스퍼터링 에칭을 행하였다. 이것에 의해, 노출된 압전기판의 영역부, 즉 핑거 전극 간 부분의 압전기판을 일부 에칭하여, 소정의 단부를 형성하였다. 이것에 의해, IDT 전극의 핑거 전극은 이 핑거 전극과 동일한 피치로 형성된 압전기판의 단부의 상부에 소정의 두께로 형성할 수 있다.
또한, 실시예 시료 5와 실시예 시료 6에 대해서는 W를 에칭하기 위해 F계 가스를 이용하였다. 특히, 실시예 시료 6에 대해서는 Al층을 염소계 가스에 의해 에칭을 행하며, W층에 대해서는 Al층을 에칭 마스크로 하고 F계 가스를 이용하여 에칭을 행하였다.
실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5, 실시예 시료 6 및 비교 시료 4의 SAW 공진자의 통과 특성을 도 11a, 도 11b, 도 11c, 도 11d 및 도 11e에 각각 나타낸다. 또한, 각각의 SAW 공진자의 특성의 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
도 11a 내지 도 11d의 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6과, 비교 시료 4인 도 11e를 비교하면, 비교 시료 4보다도 모두 급준성이 양호한 것을 알 수 있다. 또한, 삽입 손실에 대해서는 실시예 시료 3, 실시예 시료 4 및 실시예 시료 6이 최소 삽입 손실과 삽입 손실 지표 모두 비교 시료 4에 비해 양호하였다. 이것에 비해, 실시예 시료 5는 삽입 손실이 비교 시료 4에 비해 약간 나쁜 결과로 되었다. 이것은 IDT 전극에 W를 이용하였기 때문에, 막 두께를 얇게 하지 않은 것, 및 W자체가 Al에 비해 비저항이 큰 것의 이유에 인해, IDT 전극의 저항치가 커졌기 때문이라고 생각된다.
압전기판 핑거 전극 간 피치 p(㎛) 규격화 막 두께 h/λ(%) 공진 주파수 f(MHz) SAW 음속※ (m/s) 삽입 손실 지표 (dB) 급준성 지표
실시예시료 3 36°LT판 0.8 19.8 1890.6 3025.0 -0.7 2202.4
실시예시료 4 36°LT판 0.8 15.0 1890.6 3025.0 -0.7 2202.4
실시예시료 5 36°LT판 0.8 2.7 1890.6 3025.0 -1.2 2202.4
실시예시료 6 36°LT판 0.6 8.7 1890.6 2268.7 -0.3 2208.3
비교 시료 4 42°LT판 1.1 10.0 1884.8 4146.6 -0.8 2289.2
단, 비교 시료 4는 종래 비교적 양호한 SAW 공진자 특성을 얻을 수 있는 것으로 되는 조건(LT기판의 커트각 : 42°, 전극의 규격화 막 두께(h/λ)를 약 10%)을 만족하는 시료이다. 이것에 대해, 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6과 같이, LSAW를 여기할 수 있는 커트각으로 절단된 압전기판 위에, 2×p≤vb/f가 되도록 SAW 공진자를 형성함으로써, 기판의 커트각에 큰 제한을 설정하지 않고, 비교 시료 4와 거의 동등 또는 그 이상의 급준성 및 저손실의 SAW 공진자가 얻어졌다.
더욱이, 비교 시료 4는 핑거 전극이 Al로 이루어지고, LSAW를 이용하여 제작된 SAW 장치이지만, 이 IDT 전극의 막 두께(hL)는 0.11㎛이다. 한편, 실시예 시료 3과 실시예 시료 4는, 마찬가지로 IDT 전극의 핑거 전극이 Al로 이루어지고, 비교 시료 4와 거의 동일한 공진 주파수이지만, 압전기판을 전파하는 느린 횡파를 이용한 SAW 장치이며, 이들 IDT 전극의 막 두께(hr)는 각각 0.32㎛, 0.24㎛이다. 이러한 결과와, 더욱이 다양한 시료를 제작하여 측정한 결과로부터, hL≤hr을 만족하는 구성으로 함으로써, 특히 커트각을 선택하지 않고, 급준성 및 저손실의 SAW 공진자가 얻어지는 것이 발견되었다. 이것은 질량 부하 효과에 의해 SAW의 음속이 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 감소시킬 수 있는 것에 의한 것이다.
또한, 도 11a 내지 도 11d에 나타낸 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6의 통과 특성을 비교하면, 실시예 시료 3에서는 그 통과 특성이 약간 물결 모양으로 되는 것에 비해, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6에서는 그러한 물결 상태는 관찰되지 않는다. 이것은, 실시예 시료 3에 대해서는 본래 LSAW로서 전파하는 파의 음속을 느린 횡파보다도 느리게 하여 RSAW로서 이용함에 따라, IDT 전극 및 반사기의 전극 각각 1개마다의 반사계수가 저하된 것이 원인이다. 이 문제를 해결하는 방법으로서 설계를 재고하는 것도 고려되지만, IDT 전극 및 반사기의 전극 1개마다의 반사률의 개선이 필요하다.
한편, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5 및 실시예 시료 6에서는 이하의 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 시료 4에 대해서는 기판에 단부를 설치함으로써, 그 통과 특성이 원활하게 된다. 또한, 실시예 시료 5와 실시예 시료 6에서는 전극의 전부 또는 일부에 Al보다도 밀도가 높은 W를 이용함으로써, 그 통과 특성이 원활하게 된다. 이것으로부터, 본래 LSAW로서 전파하는 파의 음속을 느린 횡파보다도 느리게 하여 RSAW로서 이용함에 따라 발생되는 IDT 전극과 반사기의 전극 1개마다의 반사계수의 저하를 개선하는 방법으로서, 기판에 단부를 설치하는 것이나 전극의 전부 또는 일부에 Al보다도 밀도가 높은 재료를 이용하는 것이 유효한 것이 발견되었다.
본 실시예에서는 압전기판에 단부를 설치하는 것이나 Al보다도 밀도가 높은 재료를 이용함으로써 IDT 전극 및 반사기의 전극의 반사율의 개선을 행하였지만, 반사율의 저하의 개선을 행하는 방법으로서는, 예를 들어 IDT 전극과 압전기판 사이에 전기적 특성의 열화를 발생시키지 않을 정도의 절연물을 형성하는 방법 등, 다른 방법도 이용하여도 무방하다.
또한, 본 실시예에서는 Al보다도 밀도가 높은 전극 재료로서 W를 이용하였지만, 전극 재료로서는 이것으로 한정되지 않고, 텅스텐(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 구리(Cu) 또는 그외의 금속 재료, 혹은 이들의 합금이나 다층막 구성 등으로 하여도 무방하다. 다층막 구성에서는 본 실시예의 적층 구조나 적층 재료로 한정되지 않고, 본 발명의 조건을 만족하는 다양한 적층 구성이 가능하다. 더욱이, IDT 전극과 반사기의 전극은 동일한 재료 또는 동일한 구조가 아니어도 무방하다.
또한, 동시에 SAW 도파로 영역의 양단을 형성하는 버스바(bus-bar) 부분에 관해서도 반사 계수를 높임으로써 SAW의 도파로 영역으로부터의 누설이 저감되고, 더욱이 공진기의 특성을 향상시킬 수 있다. 단, IDT 전극에 관해서는 저항치가 Al 전극을 이용한 경우보다 크게 증대되지 않는 쪽이 바람직하고, Al을 이용한 경우의 10배 이하의 저항치인 것이 바람직하다. 또한, 비교적 IDT 전극의 저항이 높은 경우는 IDT 전극 이외의 버스바나 경로 선로의 재료나 구조를 변경함으로써, 그 부분의 저항치를 감소시키는 것은 본 실시예의 공진자를 이용한 SAW 필터 등을 형성하는 경우에 특히 유효하다.
또한, W나 Mo 등 기판 재료보다도 선열팽창계수가 작은 전극 재료, 또는 이들 전극재료를 이용한 적층 전극의 경우, 반사계수뿐만 아니라 동시에 온도 특성을 개선할 수 있다. 더욱이, 본 발명에서는 종래의 SAW에 비해 전극 막 두께를 두껍게 할 수 있기 때문에, 그 효과도 크다.
(실시예 4)
본 발명의 실시예 4에서는 SAW 장치로서 본 발명의 실시예 1에서 이용한 1포트의 SAW 공진자와 동일한 1포트의 SAW 공진자를 이용하였다. 본 실시예에서 제작한 실시예 시료 7과 실시예 시료 8은 SAW 공진자의 압전기판(1) 위의 IDT 전극(3) 및 반사기(4)의 전극에는 Al을 이용하고, 또한 압전기판(1)로서는 LT 36°판을 이용하였다. 이 압전기판(1)을 전파하는 느린 횡파의 음속(vb)은 3350.8 m/s이다.
실시예 시료 7과 실시예 시료 8에서는 도 12a 및 도 12b에 나타낸 바와 같이, SAW 공진자의 IDT 전극 및 반사기를 덮도록 유전체 막을 형성하는 구성으로 하였다.
실시예 시료 7에서는 이 유전체 막으로서 플루오르규소막(12)을 형성하였다. 이 구성의 단면도를 도 12a에 나타낸다. 도 12a에서는 압전기판(1) 위에 IDT 전극의 핑거 전극(301)이 형성되고, 이 핑거 전극(301)과 압전기판(1) 위에 유전체 막으로서 플루오르규소막(12)이 형성된 상태를 나타낸다.
또한, 실시예 시료 8에서는 산화규소막(13)을 형성하였다. 이 구성의 단면도를 도 12b에 나타내지만, 도 12a와 마찬가지로 압전기판(1) 위에 IDT 전극의 핑거 전극(301)이 형성되고, 이 핑거 전극(301)과 압전기판(1) 위에 산화규소막(13)이 형성된 상태를 나타낸다. 또한, 각각의 SAW 공진자의 특성을 표 4에 나타낸다.
실시예 시료 7의 핑거 전극 간 피치(p)는 0.80㎛, 금속화율(η)은 약 0.5이며, 플루오르규소막(12)을 형성하기 전의 공진 주파수(fbefore)는 1885.45MHz이다. 또한, 플루오르규소막(12)을 형성한 후의 공진 주파수(fafter)는 1876.30MHz이었다. 따라서, 실시예 시료 7에서는 플루오르규소막(12) 형성전의 SAW의 음속은 3016.7 m/s이고, 느린 횡파의 음속 3350.8m/s보다도 느리다. 이로 인해, 2×p ≤ vb/fbefore의 관계를 만족하고 있다. 더욱이, 플루오르규소막(12) 형성후의 SAW의 음속은 3002.1m/s이기 때문에, 느린 횡파의 음속 3350.8m/s보다도 느리다. 이 경우에도 2×p ≤ vb/fafter의 관계를 만족하고 있다. 즉, 실시예 시료 7은 플루오르규소막 (12)을 형성하기 전후에서, 2×p≤vb/f의 관계를 만족하고 있다.
한편, 실시예 시료 8의 SAW 공진자의 전극 간 피치(p)는 0.80㎛, 금속화율(η)은 약 0.5이며, 산화규소막(13)을 형성하기 전의 공진 주파수(fbefore)는 1848.37MHz이다. 또한, 산화규소막(13)을 형성한 후의 공진 주파수(fafter)는 2484.20MHz이었다. 따라서, 산화규소막(13)의 형성 전의 SAW의 음속은 2957.4m/s이고, 느린 횡파의 음속보다도 느리다. 즉, 이때는 2×p ≤ vb/fbefore의 관계를 만족하고 있다. 산화규소막(13)을 형성하면, SAW의 음속은 3974.7m/s가 되어, 느린 횡파의 음속 3350.8m/s보다도 느리게 되었다. 그 결과, 2×p ≥ vb/fafter의 관계를 만족하였다. 즉, 실시예 시료 8에서는 유전체 막인 산화규소막(13)의 형성 전후에서 2×p×fbefore ≤ vb ≤2×p≤fafter의 관계를 만족하고 있다.
또한, 비교 시료 5와 비교 시료 6으로서, 실시예 시료 7과 실시예 시료 8의 유전체 막 형성 후의 각각의 공진 주파수와 동일한 공진 주파수를 갖는 통상의 LSAW를 이용한 SAW 공잔자를 제작하였다. 비교 시료 5와 비교 시료 6에서, SAW 공진자의 전극으로는 Al을 이용하였다. 또한, 압전기판으로서는 36°Y커트 X전파의 LT 기판을 이용하였다. 또한, 비교 시료 5의 핑거 전극 간 피치(p)는 1.06㎛, 비교 시료 6의 핑거 전극 간 피치(p)는 0.81㎛이며, 비교 시료 5와 비교 시료 6 모두 금속화율(η)은 약 0.5이다. 따라서, 비교 시료 5와 비교 시료 6의 LSAW의 음속은 수학식 1로부터 4001.3m/s 및 4004.3m/s로, 느린 횡파의 음속보다 느리다.
도 13a 및 도 13b에 실시예 시료 7의 유전체 막(12)의 형성 전후의 통과 특성을 나타낸다. 또한, 도 14a 및 도 14b에 실시예 시료 8의 유전체 막(13)의 형성 전후의 통과 특성을 나타낸다. 더욱이, 도 15에 비교 시료 5의 통과 특성, 도 16에 비교 시료 6의 통과 특성을 각각 나타낸다.
*또한, SAW 공진자의 제작 및 평가는, 기본적으로는 본 발명의 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 단, 실시예 시료 7과 실시예 시료 8에서의 유전체 막의 형성은 IDT 전극 등의 패턴 형성 후에 스퍼터링에 의해 웨이퍼 전체면에 유도체 막을 형성하고, 전기적 특성을 측정하기 위해 프로브와의 접촉이 필요한 헤드 영역에 대해서만 유전체막을 포토리소그리피 및 에칭으로 유전체 막을 제거하였다. 각각의 SAW 공진자의 특성을 표 4에 나타낸다.
압전 기판 핑거 전극 간 피치 p(㎛) 유전체 막 없음 유전체 막 있음 삽입 손실 지표 (dB) 급준성 지표
공진 주파수 f(MHz) SAW 음속※ (m/s) 공진 주파수 f(MHz) SAW 음속※ (m/s)
실시예 시료 7 36°LT판 0.8 1885.5 3016.7 1876.3 3002.1 -1 2465.9
실시예시료 8 36°LT판 0.8 1848.4 2957.4 2484.2 3974.7 -1.1 2191.7
비교 시료 5 36°LT판 1.06 1880.3 4001.3 - - -2.6 2053.3
비료 시료 6 36°LT판 0.81 2465.7 4004.3 - - -2.8 2097.7
도 13a 및 도 13b로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 시료 7에 대해서는 플루오르규소막(12)의 형성 후, 삽입 손실, 급준성 모두 양호하게 되는 결과가 얻어졌다. 또한, 도 15에 나타낸 비교 시료 5와 비교하면, 플루오르규소막(12)의 형성 전에는 삽입 손실, 급준성 모두 비교 시료 5보다도 약간 나쁜 특성을 갖지만, 플루오르규소막(12)의 형성 후에는 비교 시료 5보다도 양호한 특성이 되는 것이 확인되었다. 이것으로부터, 플루오르규소막(12)과 같은 유도체 막을 형성하여도, 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다.
또한, 실시예 시료 8에 대해서는 산화규소막(13)의 형성 전후에서 공진 주파수가 크게 되지만, 도 14a 및 도 14b의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 삽입 손실 및 급준성에 큰 변화는 발견되지 않았다. 도 16에 나타낸 비교 시료 6과 비교하면, 유전체 막의 형성 전후 모두 통상의 LSAW를 이용한 SAW 공진자보다도 특성이 우수한 것이 확인되었다.
따라서, 산화규소막(13)과 같은 유전체 막을 형성함으로써 SAW의 음속이 증가하는 경우에는 2×p×fbefore ≤ vb ≤2×p≤fafter의 관계를 만족하도록 전극 간 피치(p) 및 공진 주파수(fbefore)를 설정하면, 삽입 손실, 급준성이 우수한 SAW 공진자를 얻을 수 있다. 통상, SAW 공진자의 경우, 주파수가 낮아질수록 전극 간 피치는 넓어지기 때문에, 이 경우에서도 유전체 막의 형성에 의한 SAW의 음속의 상승을 이용함으로써 SAW 공진자의 전극 간 피치를 넓게 할 수 있기 때문에, SAW 장치 제작면에서 유리하게 된다.
또한, 유전체 막으로서 플루오르규소막을 이용하면 막 형성 후에 공진 주파수는 작아지지만, 이 감소 비율은 막 두께에 따라 설정할 수 있다. 비교 시료 6과 같이 유전체 막 형성전에서는 4004.3 m/s로, 느린 횡파의 음속보다 느린 SAW 공진자 표면에 플루오르규소막을 실시예 시료 7보다도 두껍게 형성하면, 막 형성 후의 공진 주파수를 작게 할 수 있다. 막 두께를 적당하게 설정함으로써, 2×p×fafter ≤ vb를 만족하도록 할 수 있고, 마찬가지로 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 유전체 막으로서 플루오르규소막 및 산화규소막의 단층막을 이용하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 폴리이미드계 수지나 플루오르규소막과 산화규소막의 적층막 등을 이용하여도 무방하다. 더욱이, 본 실시예에서는 IDT 전극의 상면에 유전체 막을 형성하였지만, 압전기판의 상면에 직접 유전체 막을 형성하고, 그 상면에 IDT 전극을 형성하는 것이나, 이들을 조합시킨 구성에서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 유전체 막의 형성에 의한 SAW의 음속의 변화는 유전체 막의 재료 및 막 두께나 구성에 의해 변화하기 때문에, 본 실시예에서 나타낸 예로 한정되지 않고, 각각의 경우에 있어서 본 실시예를 실현하는 전극막 두께나 구성, 유전체 막의 재료나 구성 등에 최적 조적이 존재한다.
(실시예 5)
본 발명의 실시예 5에서는 SAW 장치로서, 동일 칩 위에 800MHz대의 라더형 SAW 필터와, 1.9GHz대의 라더형 SAW 필터가 존재하는, 즉 2필터 인 1칩 타입의 필터의 경우에 대해 설명한다. 본 실시예에서는 실시예 시료 9, 실시예 시료 10, 비교 시료 7 및 비교 시료 8의 4종류의 시료를 제작하였다. 800MHz대의 필터에 관해서는 미국의 AMPS/CDMA용 송신측 필터, 1.9GHz대의 필터에 관해서는 마찬가지로 미국의 PCS대의 CDMA용 송신측 필터를 제작하였다.
800MHz대 AMPS/CDMA용 송신 필터에 필요한 특성, 즉 요구 사양은 통상 대역이 824MHz 내지 849MHz, 삽입 손실이 2.5dB 이하, 수신대역에서의 저지 대역이 869MHz 내지 894MHz이고 억압도가 40dB 이하인 것이 요구된다. 1.9GHz PCS대 CDMA용 송신 필터에 필요한 특성, 즉 요구 사양은 통상 대역이 1850MHz 내지 1910MHz, 삽입 손실이 2.5dB 이하, 수신 대역에서의 저지 대역이 1930MHz 내지 1990MHz이고 억압도가 40dB 이상인 것이 요구된다.
실시예 시료 9에서는 LT 39°판 위에 Al막을 형성하고, 포토리소그라피 및 드라이에칭에 의해 800MHz의 라더형 SAW 필터 및 1.9GHz대의 SAW 필터를 형성하였다. 실시예 시료 9의 800MHz의 필터에서의 SAW 공진자의 IDT 전극의 규격화 막 두께(h/λ)는 약 6.0%이 되도록 설계하고, LT 39°판을 이용하여 LSAW를 이용한 SAW 공진자의 전파 손실이 거의 0이 되는 조건에 일치하도록 하였다. 이 800MHz대의 SAW 필터를 형성한 SAW 공진자는 LSAW를 이용한 것이고, 공진 주파수 및 전극 간 피치(p)의 관계는 2×p≤vb/f를 만족하지 않는다.
또한, 1.9GHz의 라더형 SAW 필터에 대해서는 이 1.9GHz대의 SAW 필터를 형성한 SAW 공진자의 공진 주파수(f) 및 전극 간 피치(p)가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 설계되고, LSAW의 음속을 저하시켜 RSAW로서 이용한다.
실시예 시료 10에서는 LT 39°판 위에 W와 Al을 이 순서대로 적층하고, 포토리소그라피 및 드라이에칭에 의해 800MHz의 라더형 SAW 필터 및 1.9GHz대의 SAW 필터의 패턴을 형성하였다. 이 때, 드라이에칭의 가스로서는 우선 Cl계 가스로 Al층을 에칭하고, 다음으로 대기에 노출시키지 않고, F계 가스를 이용하여 W층을 에칭하였다. 그 후 레지스트를 한번 박리한 후, 800MHz대의 필터 패턴의 부분을 더욱이 레지스트에 의해 보호한 다음, 다시 Cl계 가스를 이용하여 1.9GHz대의 필터 패턴 부분의 Al층을 에칭하였다. 따라서, 800MHz대의 필터의 IDT 전극은 W/Al의 2층막, 1.9GHz대의 IDT 전극은 W단층막이 된다.
본 실시예 10에서의 800MHz대의 SAW 필터를 구성한 SAW 공진자는 LSAW를 이용한 것으로, 공진 주파수 및 전극 간 피치(p)의 관계는 2×p≤vb/f를 만족하지 않는다. 또한, 1.9GHz의 라더형 SAW 필터에 대해서는 이 1.9GHz대의 SAW 필터를 형성한 SAW 공진자의 공진 주파수(f) 및 전극 간 피치(p)가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하도록 설계하고, LSAW의 음속을 저하시켜 RSAW로서 이용한다.
비교 시료 7에서는 우선 1.9GHz의 필터의 설계 막 두께분의 Al막을 39°LT판 위에 제작하고, 다음으로 1.9GHz대 필터 부분을 레지스터로 보호한 후, Ti, Al의 순서로 성막하여 800MHz대의 필터 형성 부분의 막 두께가 800MHz대의 필터의 설계 막 두께가 되도록 성막하였다. 여기서, Ti는 밀착층으로서 이용하였다. 더욱이, 1.9GHz대 필터 부분을 보호하고 있는 레지스트를 그 부분에 부착된 Ti/Al막과 함께 박리하였다. 더욱이, 1.9GHz대 필터 부분의 보호와 800MHz대 필터의 패턴 형성을 위해, 레지스트를 도포하였다. 이 레지스트에 대해 노광을 행하고, 그 후 드라이에칭을 행함으로써, 800MHz대 필터와 1.9GHz대 필터를 하나의 칩 위에 제작하였다.
이 비교 시료 7에서의 800MHz대의 SAW 필터 및 1.9GHz를 구성한 SAW 공진자는 LSAW를 이용한 것으로, 각각에 있어서 공진 주파수 및 전극 간 피치(p)의 관계는 2×p≤vb/f의 관계를 만족하지 않는다.
비교 시료 8에서는 39°LT판 위에 Al, W의 순서로 2층막을 형성하고, 포토리소그라피 및 드라이에칭에 의해 800MHz의 라더형 SAW 필터 및 1.9GHz대의 SAW 필터의 패턴을 형성하였다. 이 때, 드라이에칭의 가스로서는 우선 F계 가스로 W층을 에칭을 하고, 다음으로 대기 상태에 노출시키지 않고 Cl계 가스를 이용하여 Al층을 에칭하였다. 그 후 레지스트를 한번 박리한 후, 800MHz대의 필터 패턴 부분을 레지스트에 의해 다시 보호한 후, F계 가스를 이용하여 1.9GHz대의 필터 패턴 부분의 W막을 에칭하였다. 따라서, 이 시점에서 1.9GHz대의 IDT 전극은 Al 단층막이고, 800MHz대의 IDT 전극은 Al과 W의 2층막 구성으로 된다.
이 비교 시료 8에서의 800MHz대의 SAW 필터 및 1.9GHz를 구성하고 있는 SAW 공진자는 LSAW를 이용한 것으로, 각각에 있어서 공진 주파수 및 전극 간 피치(p)는 2×p≤vb/f의 관계를 만족하지 않는다.
실시예 시료 9, 실시예 시료 10, 비교 시료 7 및 비교 시료 8 모두에 있어서, IDT 전극 패턴 형성후, 더욱이 경로 선로 및 버스바, 및 헤드 부분에 Al막을 증착하여 보강을 행하였다. 그 후, 이들 웨이퍼를 다이싱하고, 개편(個片)의 칩으로 분할한 후, 3mm각의 세라믹 패키지로 다이본딩하며, 그리고 와이어 본딩에 의해 전기적 접속을 취한 후, 질소 분위기중에서 기밀 봉지를 행하였다.
도 17a 및 도 17b에 실시예 시료 9, 도 18a 및 도 18b에 실시예 시료 10, 도 19a 및 도 19b에 비교 시료 7, 및 도 20a 및 도 20b에 비교 시료 8의 통과 특성을 나타낸다. 또한, 각각의 도면에는 통과 대역(송신측 대역) 및 저지 대역(수신측 대역)도 아울러 나타낸다.
이들 결과를 상세하게 관찰하면, 800MHz대의 SAW 필터에 관해서는 실시예 시료 9, 실시예 시료 10, 비교 시료 7 및 비교 시료 8 모두, 거의 동등한 특성이 얻어지는 것을 알 수 있다. 또한, 1.9GHz의 SAW 필터에 관해서는 본래 LSAW로서 전파하는 파의 음속을 느리게 하고, RSAW로서 이용한 실시예 시료 9와 실시예 시료 10은 요구 사향을 만족하고 있다. 한편, 비교 시료 7과 비교 시료 8은 통과 대역의 삽입 손실, 저지 대역의 억압도 모두 요구 사양을 만족하지 않는다. 또한, 실시예 시료 9와 실시예 시료 10을 비교하면, 실시예 시료 9에 발견된 리플이 실시예 시료 10에서는 거의 발견되지 않는다. 이것은 IDT 전극 재료가 W인 것에 기인한다고 생각된다.
또한, 실시예 시료 10에서는 전극 재료가 W만이어도 관계없고, 삽입 손실은 그다지 다른 예와 변경되지 않는다. 이것은 SAW 공진기에서 IDT 전극의 저항치는 손실에 영향을 미치기 어려운 것이나, 경로 선로 등에 Al의 보강을 행한 것에 의한 것으로 생각된다. 또한, 비교 시료 7에 대해서는 제작 공정의 번잡성이 원인으로 생각되지만, 최종적으로 특성이 얻어지는 것이 적어 생산 비율이 나빴다.
(실시예 6)
이하, 본 발명의 실시예 6에서의 탄성 표면파 장치를 이용한 센서에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
본 실시예에서는 탄성 표면파 장치를 이용한 센서의 일례로서, 온도 센서에 대해 설명한다. 도 21은 본 센서의 기본 구성의 개략도이다. 도 21에 있어서, 절연기재(21)의 선단에 패키지된 SAW 공진자(22)가 실장되고, 그 출력부가 절연기재(21) 위에 배치된 선로(23)를 통해, 네트워크 분석기(24)에 전기적으로 접속된 구성으로 이루어진다. 본 온도 센서는 이 SAW 공진자(22)가 센서부이고, 그 통과특성이 네트워크 분석기(24)에 의해 측정된다.
이 온도 센서는 주위의 온도 변화에 따라 SAW 공진자(22)의 주파수 특성이 변동하기 때문에, 그 변동량에 따라 온도 측정을 행할 수 있다. 본 실시예에서는 온도 변화에 따른 반공진주파수의 이동량을 모니터링하였다.
SAW 공진자(22)로서는 실시예 1의 실시예 시료 1로 설명한 SAW 공진자를 이용하였다. 이하에서는 이것에 의해 제작된 온도 센서를 실시예 센서 1로 칭한다. 또한, 마찬가지로 실시예 1의 비교 시료 1로 설명한 SAW 공진자를 이용한 비교예 센서도 제작하였다.
이들 2종류의 온도 센서의 특성에 대해서는 이하와 같이 평가하였다. 즉, 센서부인 SAW 공진자(22)를 오븐에 넣고, 환경 온도를 변화시키면서 환경 온도의 변화값과 반공진주파수의 변화값의 관계를 구하였다. 이 결과를 도 22에 나타낸다. 도 22에 있어서, 세로축은 반공진주파수의 변화값이고, 가로축은 상온(25℃)에서의 온도차로 표시한다. 이 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 센서 1은 온도 특성이 약 130ppm/K인 것에 비해, 비교예 센서는 그 온도 특성이 35ppm/K이었다. 또한, 실시예 1의 도 3a와 도 3b의 비교로부터도 알 수 있는 바와 같이, 그 반공진주파수 부근의 특성도 실시예 센서 1의 쪽이 비교예 센서와 비교하여 예리하고, 결과적으로 실시예 센서(1)의 쪽이 양호한 감도로 온도 측정을 할 수 있는 것이 확인되었다.
이러한 온도 특성은 IDT 전극의 막 두께를 두껍게 함으로써, 기판이 갖는 온도 특성이 변화하는 것을 이용한 것이다. 이 경우, IDT 전극의 막 두께는 Al 전극을 이용하였을 때에는 규격화 막 두께(h/λ)를 10% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
이상과 같이 본 발명은 LSAW의 음속을 압전기판의 느린 횡파 이하의 음속으로 저감시킴으로써, 벌크파의 방사를 억제하여 SAW 공진자 또는 SAW 필터 등의 SAW 장치의 손실을 최소화하고 신뢰성을 향상시킬 수 있어, 이동체 통신 기기 분야에 유용하다.

Claims (10)

  1. 누설 탄성 표면파를 여기 전파하는 커트각으로 절단된 압전기판 위에 탄성 표면파 필터를 2개 조합하여 하나의 칩 위에 형성하여, 2개의 통과 대역을 갖는 필터 구성으로 한 탄성 표면파 장치로서,
    상기 탄성 표면파 필터는 각각 상기 압전기판 위에 1쌍의 서로 맞물린 핑거 전극을 갖는 인터 디지털 변환기 전극으로 이루어진 전극 패턴을 포함하는 탄성 표면파 공진자로 구성되고,
    2개의 통과 대역 중 저역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터는 누설 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 공진자에 의해 구성되고,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자는 상기 탄성 표면파 공진자의 공진 주파수를 f(Hz), 상기 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 상기 압전기판 위에 형성된 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극의 피치를 p(m)로 하였을 때, 상기 핑거 전극의 피치(p)가 2×p≤vb/f의 관계를 만족하고, 상기 압전 기판을 전파하는 느린 횡파보다 느린 RSAW를 이용한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이, 상기 핑거 전극의 피치(p)와 거의 같은 피치를 가지고 상기 압전 기판 표면에 설치된 단(段)부의 정상부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴 위에 적어도 그 전극 패턴을 덮는 유전체막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터는 상기 탄성 표면파 필터를 구성하는 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴 위에 더 형성된 유전체막을 포함하고,
    상기 유전체막을 형성하기 전의 상기 공진 주파수를 fbefore(Hz), 상기 유전체막을 형성한 후의 공진 주파수를 fafter(Hz), 상기 압전기판을 전파하는 느린 횡파의 음속을 vb(m/s), 상기 압전기판 위에 형성된 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극의 피치를 p(m)로 하였을 때, 상기 핑거 전극의 피치(p)가 2×p×fbefore ≤vb≤2×p×fafter의 관계를 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터의 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이 알루미늄(Al)보다도 밀도가 큰 금속을 이용한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    2개의 통과 대역 중 고역측 통과 대역에 대응하는 탄성 표면파 필터의 상기 탄성 표면파 공진자의 상기 전극 패턴의 상기 핑거 전극이 알루미늄(Al)보다도 밀도가 큰 금속으로 이루어진 제 1층과, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)을 주체로 하는 금속으로 이루어진 제 2층을 갖는 적어도 2층 이상의 다층 구조의 전극인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 압전기판은 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정으로 이루어진 상기 압전기판은 상기 탈탄산리튬(LiTaO3) 단결정의 X축을 중심으로, Y축으로부터 Z축 방향으로 26도이상, 50도 이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 압전기판은 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정으로 이루어진 상기 압전기판은 상기 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정의 X축 방향을 중심으로, Y축으로부터 Z축 방향으로 50도 이상 80도 이하의 범위의 각도로 회전시킨 방위로 절단된 커트면을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10206369B4 (de) * 2002-02-15 2012-12-27 Epcos Ag Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und Verfahren zur Herstellung
KR100814005B1 (ko) * 2002-04-15 2008-03-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서
JP2004254291A (ja) * 2003-01-27 2004-09-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3894917B2 (ja) * 2003-11-12 2007-03-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性境界波デバイス及びその製造方法
EP1696562A4 (en) * 2003-12-16 2010-07-07 Murata Manufacturing Co ACOUSTIC LIMIT WAVE DEVICE
JP4497159B2 (ja) * 2004-04-08 2010-07-07 株式会社村田製作所 弾性境界波フィルタ
JP2006203839A (ja) * 2005-01-23 2006-08-03 Kazuhiko Yamanouchi 温度高安定薄膜構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子
CN1989692B (zh) * 2005-05-20 2012-04-25 株式会社村田制作所 弹性边界波装置
JP2008235950A (ja) * 2005-05-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
US8035460B2 (en) * 2006-02-16 2011-10-11 Panasonic Corporation Surface acoustic wave device, surface acoustic wave filter and antenna duplexer using the same, and electronic equipment using the same
CN101785184B (zh) * 2007-08-23 2013-03-06 太阳诱电株式会社 弹性波滤波器、使用该弹性波滤波器的双工器及使用该双工器的通信机
CN101796724B (zh) * 2007-12-17 2013-06-19 太阳诱电株式会社 弹性波元件、通信组件、以及通信装置
JP4591800B2 (ja) 2008-02-20 2010-12-01 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器
US8952596B2 (en) 2009-02-27 2015-02-10 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument
US8698578B2 (en) 2009-05-27 2014-04-15 Panasonic Corporation Acoustic wave resonator and duplexer using same
CN101633891B (zh) * 2009-08-28 2012-07-11 中国人民解放军第三军医大学第一附属医院 漏声表面波核酸传感器杂交反应终点的判定方法
US9121771B2 (en) * 2010-03-16 2015-09-01 The Penn State Research Foundation Methods and apparatus for ultra-sensitive temperature detection using resonant devices
JP5678486B2 (ja) 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
DE102010034121A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung
JP5934464B2 (ja) 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012060420A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060419A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
DE102011011377B4 (de) * 2011-02-16 2016-05-25 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement
JP2013102418A (ja) 2011-10-18 2013-05-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
WO2013061926A1 (ja) 2011-10-24 2013-05-02 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
FR3005167B1 (fr) * 2013-04-30 2016-09-30 Senseor Systeme d'interrogation d'un capteur passif interrogeable a distance integre dans une cavite metallique a bilan energetique optimise et procede d'interrogation
JP6284800B2 (ja) * 2014-03-26 2018-02-28 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP6344161B2 (ja) * 2014-09-03 2018-06-20 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
CN109863695B (zh) * 2016-10-28 2024-03-12 株式会社村田制作所 梯型滤波器、双工器以及弹性波滤波器装置
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
WO2019065863A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10756697B2 (en) * 2018-06-15 2020-08-25 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10917072B2 (en) * 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US20210391844A1 (en) * 2018-06-15 2021-12-16 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
JP7168009B2 (ja) 2019-01-31 2022-11-09 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ
US20220263491A1 (en) 2019-07-30 2022-08-18 Kyocera Corporation Acoustic wave device and communication apparatus
WO2023136293A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4150346A (en) * 1977-11-09 1979-04-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Acoustic periodic structure
JPH01174751A (ja) * 1987-12-28 1989-07-11 Ooshika Shinko Kk 柱または梁構成部材及びその連結方法
JPH0715274A (ja) * 1991-06-02 1995-01-17 Kazuhiko Yamanouchi 高安定高結合弾性表面波基板を用いた高周波弾性表 面波フィルタ及び弾性表面波機能素子
JP3395298B2 (ja) * 1993-11-29 2003-04-07 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3196474B2 (ja) * 1993-01-14 2001-08-06 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3358688B2 (ja) * 1995-04-10 2002-12-24 三洋電機株式会社 弾性表面波素子
JP3285469B2 (ja) * 1995-07-11 2002-05-27 株式会社日立製作所 弾性表面波装置
JPH09167936A (ja) * 1995-10-13 1997-06-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
JPH10247835A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Kokusai Electric Co Ltd ラブ波型弾性表面波デバイス
JPH1174751A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3951379B2 (ja) * 1997-09-24 2007-08-01 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3712035B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-02 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP3391309B2 (ja) * 1999-09-02 2003-03-31 株式会社村田製作所 表面波装置及び通信機装置
KR100814005B1 (ko) * 2002-04-15 2008-03-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서

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JP2007074754A (ja) 2007-03-22
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KR20040030002A (ko) 2004-04-08
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